LAPORAN LABORATORIUM

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

PERCOBAAN 14

GARIS BEBAN DC TRANSISTOR

NAMA PRAKTIKAN : QASI’AH PUTRI(1903332025)

NAMA REKAN KERJA : MOHAMMAD SHIDDIQ ALFARUQI (1903332027)

TEKNIK TELEKOMUNIKASI 3D / KELOMPOK 9

TANGGAL PELAKSANAAN PRAKTIKUM: 5 NOVEMBER 2020

TANGGAL PENYERAHAN LAPORAN : 2 DESEMBER 2020

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA

2 Desember 2020

0
 DAFTAR ISI

HALAMAN JUDUL.............................................................................................................. 0
DAFTAR ISI.......................................................................................................................... 1
1. TUJUAN PERCOBAAN................................................................................................... 2
2. DASAR TEORI..................................................................................................................2
3. PERALATAN DAN ALAT YANG DIGUNAKAN......................................................... 7
4. LANGKAH PERCOBAAN............................................................................................... 8
5. DATA HASIL PERCOBAAN........................................................................................... 8
6. RUMUS DAN PERHITUNGAN.....................................................................................10
7. ANALISA DAN PERTANYAAN...................................................................................12
8. KESIMPULAN................................................................................................................ 15
DAFTAR PUSTAKA...........................................................................................................16
LAMPIRAN......................................................................................................................... 17

1
1. TUJUAN PERCOBAAN

 Membuat garis beban dc dan menentukan titik operasi suatu transistor.

 Mempelajari hubungan operasi transistor dengan garis beban dc

2. DASAR TEORI

Pada percobaan kali ini kami menggunakan konfigurasi Common Base (CB),
dimana pada konfigurasi ini kaki basisnya diground kan, dan digunakan baik untuk input
maupun output, dengan konfigurasi ini sinyal input akan dimasukan ke emitor, sementara
sinyal output diambil dari kolektor, sedangkan basisnya digroun kan sehingga sering
disebut “Grounded Base”. Konfigurasi Common Base akan menghasilkan penguatan
tegangan antara input dan output, tetapi arusnya tidak mengalami penguatan.

Rangkaian transistor Common Base karakteristik input

2
 Kurva karakteristik input

VEB = -0,7 [Volt] è saat

transistor on

Resistansi Input

Kurva Karakteristik Input Transistor Common Base

3
 Rangkaian transistor Common
Base karakteristik output

Persamaan output

Resistansi output

Penguat arus

Kurva Karakteristik Output Transistor Common Base

Konvigurasi common base sering digunakan pada rangkaian penguat tegangan, karena
penguatan arus yang dihasilkan sangat kecil, sehingga sering dianggap tidak ada.
Konfigurasi ini juga sering digunakan pada penguat frekuensi tinggi biasanya 10MHz.
impendansi masukannya pun rendah sehingga tidak cocok digunakan untuk penguat
frekuensi rendah karena akan membaebani impedansi input.

Sifat-sifat Konfigurasi Common Base:

o Konfigurasi transistor common base memiliki penguatan arus yang sangat kecil.
o Memiliki penguatan tegangan yang tinggi.
o Memiliki impedansi input yang rendah, dan impedansi output tinggi.
o Pada umumnya memiliki penguatan hingga 40 dB.
o Cocok digunakan pada rangkaian penguat frekuensi tinggi (HF)

4
Level DC dari suatu rangkaian menentukan titik kerja transistor yang dipakai.
Garis beban dapat dibangun apabila kita mengetahui arus beban pada rangkaian dan
tegangan operasinya. Jika mendisain transistor yang digunakan untuk mesaklar beban
sebesar 20mA, tegangan supply-nya 5V DC. Titik A pada diagram dibawah adalah
kondisi saat transistor OFF, IC (arus colector) akan menjadi nol sedangkan VCE
(tegangan collector – emitor) akan menjadi hamper sama dengan tegangan supply (5V
DC).

Titik B pada diagram diatas adalah kondisi saat transistor ON dimana IC akan menjadi
20mA (sama dengan arus beban) dan VCE nilainya sangat kecil hampir mendekati nol.
Garis yang ditarik dari titik A ke titik B ini yang dinamakan garis beban. Sebagaimana
telah disinggung sebelumnya bahwa titik kerja suatu transistor dalam rangkaian penguat
selalu terletak pada garis beban. Garis beban DC dibuat berdasarkan tanggapan
rangkaian terhadap sinyal AC. Dengan adanya garis beban DC dan AC pada kurva
karakteriktis, maka kondisi kerja transistor dapat diketahui dan penerapan sinyal AC
pada penguat dapat dianalisis dengan mudah.nUntuk mendapatkan garis beban DC yang
digunakan adalah beban DC (RDC). Kemiringan garis DC adalah -1/RDC. Demikian pula
bila ingin mendapatkan garis beban AC, maka akan digunakan beban AC (RAC).

5
Persamaan output
ꙠꙠ  䕓Ꙡ䘅猀Ꙡ Ꙡ Ꙡ䕢
Pada sumbu VCB Ic=0, maka:
ꙠꙠ  Ꙡ䕢  ܿ
Pada Sumbu IC, VCB=0, maka
ꙠꙠ  䕓Ꙡ䘅猀Ꙡ Ꙡ ܿ
ꙠꙠ ܿ
䕓Ꙡ    ܿͲ
猀Ꙡ t

KARAKTERISTIK OUTPUT TRANSISTOR COMMON EMITER

6
 ꙠꙠ ܿ Ꙡ䕢
䕓Ꙡ 
猀Ꙡ

݁݁  ݁䕢 Ꙡ 䕓݁ 猀݁

3. PERALATAN DAN ALAT YANG DIGUNAKAN

NO ALAT-ALAT DAN KOMPONEN JUMLAH
1 POWER SUPPLY 2
2 MULTIMETER ANALOG 1
3 MULTIMETER DIGITAL 1
4 TRANSISTOR NPN BC107 1
5 RESISTOR 1 KΩ 2
6 RESISTOR 5 KΩ 1
7 PROTOBOARD 1
8 KABEL-KABEL PENGHUBUNG SECUKUPNYA

7
 4. LANGKAH PERCOBAAN

1) Buatlah garis beban DC transistor pada kurva karakteristik output transistor dengan
konfigurasi common base dari percobaan sebelumnya, dengan VCC = 8V dan RC =
1 KΩ.
2) Carilah titik Q, lalu tentukan nilai VCB(Q), IE(Q), dan IC(Q) dari grafik!.
3) Tentukan dari grafik nilai IC(1), dan IE(1) pada saat VCB = 6V, dan tentukan pula nilai
IC(2), dan IE(2) pada saat VCB = 2V, catat pada table 1!
4) Buatlah rangkaain seperti gambar 1.
5) Aturlah VCC = 8V lalu atur pula VEE = VEE + RE x IE(Q), ukur VCB, IC dan IE.
6) Aturlah VCC = 8V lalu atur pula VEE = VEE + RE x IE(1), ukur VCB, IC dan IE.
7) Aturlah VCC = 8V lalu atur pula VEE = VEE + RE x IE(2), ukur VCB, IC dan IE.
8) Ulangi langkah 1 sampai 7 untuk RC = 5 KΩ.

5. DATA HASIL PERCOBAAN

No. Percobaan : 14
Judul : GARIS BEBAN DC TRANSISTOR
Mata Kuliah : Laboratorium Elektronika
Kelas/Kelompok : TT3D/09
Tahun Akademik : 2020/2021
Pelaksanaan Praktikum : 5 November 2020
Penyerahan Laporan : 2 Desember 2020
Nama Praktikan : Qasi’ah Putri

8
 Nama Rekan Kerja : Mohammad Shiddiq Alfaruqi

Tabel 1. Rangkain garis beban DC dengan Rc 1kΩ.

Vee VCB (Volt) IC (mA) IE(mA)

VCC VEE
PRAKT PRA
(Vol (Vol prakte KUR KU UK KURV UK PRAKT
UKUR EK KTE
t) t) k VA RVA UR A UR EK
K
4,7V 3,8V 4.00 4
4.7 4 4.01
8 4V 3.99 V 1 4 mA 3,8mA
V mA mA
mA
2,7V 5,8V 1.98 2
2.7 2 1.99
8 6V 6.013 V 8 2 mA 1,97mA
V mA mA
mA
6.7 6,7V 1,8V 6 5,99 6 6.01
8 2V 2.009 V 6 mA 5,7mA
V mA 2mA 1mA

Tabel 2. Rangkain garis beban DC dengan Rc 5kΩ.

VCC VEE VCB (Volt) IC (mA) IE(mA)

(Volt) (Volt) KURVA UKUR KURVA UKUR KURVA UKUR

8 1.5 V 4V 3.687V 0.8mA 0.863mA 0.8mA 0.866mA

8 1.1 V 6V 5.601 V 0.4mA 0.481mA 0.4mA 0.482mA

8 1.9 V 2V 1.745V 1.2mA 1.251mA 1.2mA 1.256mA

9
6. RUMUS DAN PERHITUNGAN
a) Perhitungan untuk kurva
ꙠꙠ
䕓Ꙡ    mA
猀Ꙡ t
ꙠꙠ
䕓Ꙡh    ,6mA
猀Ꙡh t
Ꙡ䕢  Ꙡ䕢h  ꙠꙠ 

b) Perhitungan untuk tabel 1

ꙠꙠ ܿ Ꙡ䕢
䕓Ꙡ 
猀Ꙡ

݁݁  ݁䕢 Ꙡ 䕓݁ 猀݁
Untuk VCB=4V
ꙠꙠ ܿ Ꙡ䕢
䕓Ꙡ 
猀Ꙡ
ܿ
䕓Ꙡ   Ͳ
ܿܿܿ
݁݁  ݁䕢 Ꙡ 䕓݁ 猀݁
݁݁  ܿ, Ꙡ Ͳ ܿܿܿ  ,
Untuk VCB=6V
ꙠꙠ ܿ Ꙡ䕢
䕓Ꙡ 
猀Ꙡ
ܿ6
䕓Ꙡh   hͲ
ܿܿܿ
݁݁  ݁䕢 Ꙡ 䕓݁ 猀݁
݁݁h  ܿ, Ꙡ hͲ ܿܿܿ  h,
Untuk VCB=2V
ꙠꙠ ܿ Ꙡ䕢
䕓Ꙡ 
猀Ꙡ
ܿh
䕓Ꙡh   6Ͳ
ܿܿܿ
݁݁  ݁䕢 Ꙡ 䕓݁ 猀݁

10
 ݁݁  ܿ, Ꙡ 6Ͳ ܿܿܿ  6,
c) Perhitungan untuk tabel 2 dengan Rc=5kΩ

ꙠꙠ ܿ Ꙡ䕢
䕓Ꙡ 
猀Ꙡ

݁݁  ݁䕢 Ꙡ 䕓݁ 猀݁
Untuk VCB=4V
ꙠꙠ ܿ Ꙡ䕢
䕓Ꙡ 
猀Ꙡ
ܿ
䕓Ꙡ   ܿ, Ͳ
ܿܿܿ
݁݁  ݁䕢 Ꙡ 䕓݁ 猀݁
݁݁  ܿ, Ꙡ ܿ, Ͳ ܿܿܿ  ,
Untuk VCB=6V
ꙠꙠ ܿ Ꙡ䕢
䕓Ꙡ 
猀Ꙡ
ܿ6
䕓Ꙡh   ܿ, Ͳ
ܿܿܿ
݁݁  ݁䕢 Ꙡ 䕓݁ 猀݁
݁݁h  ܿ, Ꙡ ܿ, Ͳ ܿܿܿ  ,
Untuk VCB=2V
ꙠꙠ ܿ Ꙡ䕢
䕓Ꙡ 
猀Ꙡ
ܿh
䕓Ꙡh   ,hͲ
ܿܿܿ
݁݁  ݁䕢 Ꙡ 䕓݁ 猀݁
݁݁  ܿ, Ꙡ ,hͲ ܿܿܿ  ,

11
7. ANALISA DAN PERTANYAAN
1) Bandingkan hasil penentuan nilai VCB, IC dan IE dari grafik dan pengukuran,
jelaskan bila terjadi perbedaan!
Dari tabel pertama dapat kita lihat bahwa hasil perngukuran menggunakan multisim
maupun hasil pengukuran kami saat praktek dilaboratorium memiliki hasil yang
tidak persis, namun perbedaannya tidak terlalu jauh, sehingga masih dalam
toleransi. Sementara dari tabel kedua dapat kita lihat bahawa hasil perngukuran
menggunakan multisim maupun hasil pengukuran kami saat praktek dilaboratorium
memiliki hasil yang tidak persis, walau masih mendekati namun perbedaannya
lebih jauh dibanding tabel pertama. Hal ini dapat terjadi karena saat menggunakan
kurva yang berdasarkan perhitungan kita menganggap semuanya dalam kondisi
yang ideal, sementara pada kenyataannya tidak begitu karena pada saat
menggunakan multisim maupun praktek, dapat terjadi masalah karena kondisi alat,
maupun alat ukurnya.
2) Bagaimana hubungan antara resistor RC dengan besar arus IE?
Dari kedua percobaan diatas, dimana saat percobaan pertama kita menggunakan
Rc=1kΩ yang menghasilkan IE= 3,8mA untuk VCB=4V, IC 1,97mA untuk VCB=6V,
dan IC 5,7mA untuk VCB=2V. Sementara pada tabel kedua kita menggunakan
Rc=5kΩ yang menghasilkan IE= 0,866mA untuk VCB=4V, IE= 0,482mA untuk
VCB=6V, dan IE=1,256mA untuk VCB=2V. Jadi dapat kita simpulkan jika semakin
besar Rc maka IE akan mengecil karena arus IE berbanding terbalik dengan Rc
karena Rc berbaanding terbaik dengan Ic karena hubungan R danI berbanding
terbalik dalam hukum ohm, dam IC sebanding dengan Ie, perbedaan nilainya kecil.
3) Apa gunanya menggambarkan garis beban DC suatu transistor?
Menggambarkan gariss DC pada transistor agar memudahkan dalam mencari
tegangan dan arus pada beban pada beban dengan mencari perpotongann antara
garis beban dengan karakteristik yang dicari. Dengan adanya garis beban, maka
akan dapat dilihat dengan mudah kemungkinan-kemungkinan titik operasi dari
suatu rangkaian. Maksudnya hambatan pada basis dapat bermacam sehingga
arusnya juga akan bermacam pada Ib, jika Ib berubah maka IC juga akan berubah
12
 sehingga VCE juga akan bervariasi.
4) Hitunglah nilai-nilai parameter h transistor common basis HIB, HOB, HFB, HRB dari
kurva karakteristik input dan kurva karakteristik output yang berisi garis beban.
Beberapa parameter yang didapat dari datasheet BC107B
hfe= 300
hie=4,8x103 Ω
hre=2,7x10-4
hoe=26x10-6S
untuk mencari HIB
݁ , x ܿ^h
䕢   , 6
݂݁ Ꙡ hܿܿ Ꙡ
Untuk mencari HOB
t݁ h6x ܿ^ ܿ 6S
t䕢    6,h ͵
݂݁ Ꙡ hܿܿ Ꙡ
Untuk mencaro HFB
݂݁ hܿܿ
݂䕢 ܿ ܿ ܿ ܿ, 6
݂݁ Ꙡ hܿܿ Ꙡ
Untuk mencari HRB
݁ t݁ , x ܿh h6x ܿܿ6S
䕢 ܿ ݁ ܿ h, 䗜 ܿ^ ܿ
݂݁ Ꙡ hܿܿ Ꙡ
 , 6h䗜 ܿ^ ܿ

Analisa
Dari praktikum kali ini dapat kita lihat baik dari tabel 1 maupun tabel 2 hasil
pengukuran di laboratorium dan simulasi multisim memiliki perbedaan dengan
yang kita temui di kurva. Perbedaan ini terjadi karena pada kurva kita berpatokan
pada perhitungan, dimana dalam membuat perhitungan kita asumsikan semua
komponen dan alat berada dalam keadaan ideal, sementara pada prakteknya tidak
sehingga akan terjadi perbedaan. Namun perbedaan yang didapatkan dari data
masih dapat kita toleransi sehingga tidak jadi masalah.
Dengan membesaarnya nilai Rc maka nilai Ic akan mengecil hal ini sesuai dengan
hukum ohm dimana arus berbanding balik dengan hambatan. Karena IC dan IE
hampir sama, maka saat Rc membesar maka IE nya akan mengecil.

13
Selain itu menggambarkan garis beban juga penting untuk mengetahui kemugkinan
titik operasi dari suatu rangkaian.
Dari kurva karakteristik output dapat kita lihat beberapa daerah operasi transistor,
yang pertama adalah daerah aktif, dimana pada daerah ini transistor bekerja normal,
arus Ic akan konstan terhadapa berapapun VCE, Ic hanya bergantung pada Ib.
Kedua ada daerah saturasi, yang dimulai saat Vce =0V sampai 0,7V (untuk
transistor silikon) akibat dari efek dioda CB ketika tegangan Vce belum mencukupi
untuk mengalirkan elektron.
Ketiga ada daerah cutoff, dimana saat Vcc dinaikkan perlahan hingga tegangan Vce
tertentu tiba tiba Ic mulai konstan, daerah cut off merupakan perubahan dari
saturasi menjadi mati.
Daerah break down merupakan daerah dimana transistor tidak seharusnya bekerja
karena dapat merusak transistor.
Ada titik jenuh dimana hambatan basis terlalu kecil, sehingga arus collector sangat
besar dan tegangan emittor mendekati 0, arus C mendekati nilai maksismum.
Dan ada juga titik cut off dimana garis beban berpotongan dengan daerah cutoff
kurva, karena arus kolektor sangat kecil, sehingga titik cut off hampir mnyentuh
ujung bawah garis beban.

14
8. KESIMPULAN
jadi dari praktikum kali ini dapat kita simpulkan:
 Jika Rc semakin besar maka Ic akan semakin kecil, dan Ie juga akan mengecil,
begitu pula sebaliknya.
 Perbedaan antara kurva dan praktek yang terjadi disebabkan jika kita
menggunakan kurva maka akan berdasarkan kondisi perhitungan ideal suatu
komponen, sementara pada prakteknya alat dan komponen tidak ideal.
 Garis beban berfungsi untuk menunjukkan titik operasi suatu rangkaian seiring
dengan perubahan Rc, Ic dan Ie nya.
 Dapat diketahui 4 daerah operasi transistor yaitu daerah aktif dimana transistor
bekerja normal, kemudian daerah saturasi yaitu dimana Vce hingga 0,7V untuk
transistor silikon, kemudian daerah cut off yang merupakanperubahan dari
saturasi ke mati, dan yang terakhir daerah breakdown yaitu dimana transistor
seharusnya tidak bekerja.
 Titik jenuh adalah saat arus kolektor mendekati maksimum.
 Titik cut off merupakan keadaan garis beban berpotongan dengan daerah cutoff
kolektor

15
 DAFTAR PUSTAKA
1. Toro,Cahyo. 2015. Garis Beban Transistor.
https://slideplayer.info/slide/4082361/
diakses 30November 2020
2. Prabowo, Yani. Daerah Operasi Transistor.
https://www.academia.edu/4668800/Daerah_operasi_transistor#:~:text=Dae
rah%20Operasi%20Transistor%20Sebuah%20Transistor,VCE.%20Dari%20
kurva%20ini%20diperlihatkan
diakses 29 November 2020
3. Datasheet BC107B
https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=Bc107%20datasheet&g
clid=Cj0KCQiAk53-
BRD0ARIsAJuNhpsz5Sk4dRv30JlgLzm_HWTwQujM_APpXjnDFcn2pV4
sXtoe2hTl-PAaAi6dEALw_wcB
diakses 2 Desember 2020

16
 LAMPIRAN

1. Kurva

17
2. Rangakian dengan Rc 1k ohm
IE Q1 IC
U1 BC107BP U2
- + - +
A 1.994m A 1.988m

DC 1e-009Ohm DC 1e-009Ohm
R1 R2
1kΩ 1kΩ
+ U3
6.013 V DC 10MOhm
-

V1
VEE 2.7V V2
8V VCC

3. Rangkaian dengan Rc 5k ohm

IE Q2 IC
U4 BC107BP U5
- + - +
A 1.256m A 1.251m

DC 1e-009Ohm DC 1e-009Ohm
R3 R4
1kΩ 5kΩ
+ U6
1.745 V DC 10MOhm
-

V3
VEE 1.9V V4
8V VCC

18
Foto anggota kelompok FOTO ANGGOTA KELOMPOK
1. Qasi’ah Putri (1903332025)

2. Mohammad Shiddiq Alfaruqi (1903332027)

19