Pro siding Pertemuan Ilmiah SainsMateri 1996

KARAKTERISTIK PHOTOLUMINECENCE SILIKONPOROUS

YANG DIOKSmASI PADA SUHUKAMAR1
Didin S. Winatapura,2Elman Panjaitan,2Marzuki Silalahi,2SyahfandiAhda,2
SulistiosoG. S.,2daDYoshioFukuda3
ABSTRAK

KARAKTERISTIK PROTOLUMINECENCE SILIKON POROUS YANG DIOKSIDASI PADA gURU KAMAR.

Telah dilakukan pembuatan silikon porous pada silikon tipe-p(100), ditumbuhkan dengan metoda Czocbralski, resistivitas 5-10 Qcm
dan di doping boron, dengan reaksi anodik dalam larutan dasar asam hidroflour (HF). Photoluminescence yang sangat I:fisien dari
silikon porous dioksidasi pada suhu kamar dalam lingkungan udara diukur dengan menggunakan spektrometer photoluminescence.
Intensitasphotoluminescence meningkat dengan kenaikan waktu oksidasi. Hidrogen yang mempasifkan permukaan silikon porous juga
telah dideteksi dengan Fourier Transform Inftarnerah (FTIR) dengan menghasilkan puncak spektra absorpsi pada 622-661, 873-909,
2107 dan 2112 cm-1 yang dihubungkan sebagai model regang, bending dan wagging dari jenis Si-H dan Si-H2. S"lanjutnya,
pengamatan TEM dilakukan untuk mempelajari permukaan lapisan silikon porous. Hasilnya mengungkapkan bahwa llennukaan
lapisan silikon porous berbeda untuk kenaikan rapat arus anodik dengan menampilkan pola difraksi elektron yang berbeda untuk tiap
sample.

ABSTRACI'

PHOTOLUMINESCENCE CHARACTERISTIC OF OXIDIZED POROUS SILICON AT ROOM

TEMPERATURE. The fabrication of porous silicon on P(IOO)-type silicon, grown by Czochralski method, resistivity of ~i-l0 Qcm,
and boron-doped, by anodic reaction in hydrofluoric acid (HF)-based solution has been carried out. Very efficient photoluminescence of
oxidized porous silicon at room temperature in ambient air was measuredby means of the photoluminescencespectrometer. The intensity
of photoluminescence increases as the extended oxidation in air increases. Hydrogen passivated porous silicon surface has been
detected by Fourier Transform Infrared (FTIR) exhibiting absorption spectra peaks at 622-661,873-909,2107 and 2112 cm.'. which
is assosiated with stretching, bending and wagging modes from Si-H and Si-H2. Furthermore, TEM observation was done to study the
top most layer of porous silicon. The results revealed that microstructure of top most layer was different as the anodic current density
increase showing the different electron diffraction pattern for eachsamples.

PENDAHULUAN SPsangatreaktif dan dipengaruhioleh

Silikon merupakan bahan dasar
semikonduktor yang memiliki efisiensi
photoluminescence sangat rendah dalam
daerahinframerah pada suhukamar. Efesiensi
PL dapat ditingkatkan dengan membentuk
lapisan silikon porous (SP)pada bahan silikon
bulk dalam larutan dasar HF dengan reaksi
anodik. Metoda ini telah berhasil
meningkatkan efisiensi PL dalam daerah
tampak yang jauh lebih tinggi dibandingkan
efesiensi silikon bulk.I) SP yang dihasilkan
tersusun dari jaringan pori dengan dimensi
antara 10-1000 A. Karakteristik SP yang
dihasilkan sangat bergantung pada jenis
resistivitas silikon bulk, komposisi elektrolit,
rapat arus anodik dan perlakuanselamareaksi
anodik . 2-7)
lingkungan atmosfer. Tingkat kandungan
hidrogenmeningkattajam pada permukaanSP
yang dioksidasi pada suhu kamar. Hal ini
terutama disebabkanoleh pembentukansecara
perlahankelompok hidroksida, secarakimiawi
SP menyerap uap air daD oleh akibat
kontaminasi hidrokarbon pada permukaan
dinding porous, sehingga hidrogen yang
mempasipkanpermukaanSPtidak stabil dalam
lingkunganudara daDmudahteroksidasi.
Penelitian yang intensif difokuskan
terhadapbahan ini karena memiliki tampak
yang dipromosikan untuk aplikasi yang
potensial dalam teknologi rangkaian terpadu
dari teknologi struktur Si-on-insu/ator (SOI).8)
Pengamatan TEM7-8) telah berhasil
mengidentifikasiadanyakristalit silikon dalam
SPberbentukpartikel atau kolom berukuran3-

I Dipresentasikan Pada Pertemuan Ilmiah Sains Materi, Serpong 22-23 Oktober 1996
2 Pusat Penelitian Sains Materi -BATAN, Serpong
3 NRIM -Tsukuba, Jepang.

379
5 om tertanamdalam matrik berupaamorf.
Usulan yang telah diungkapkan oleh
para peneliti mengenai somberpemancarPL
dalam SP menampakkan basil yang
kontroversial dan hingga saat ini hat tersebut
masih diperdebatkan. Fenomena PL yang
ditimbulkan oleh quantum confinementeffect
dari kristalit silikon berukuran nanometer
dalam SP telah dikemukakan oleh Canham
dkk,S)atau terbentuknyasenyawalain seperti
siloxene (Si6O3~)9)dan silikon hidrida (Si-
Hx)IO) yang mempasipkan permukaan SP
diperkirakan dengan kuat sebagai somber-
somber pemancar PL tampak dalam SP.
Meskipun demikian, tampaknya secara luas
dapatditerima oleh para penelitibahwa somber
pernancarPL dalalm lapisan SPadalahkristalit
silikon berukurannanometerdan matrik amorf
sepertihidrida daDlatau oksida.
Tujuan penelitian ini adalah
mempelajari karakteristik PL dati bahan SP
yang dioksidasi pada suhu kamar selama 8
minggu dalam lingkunganudara.
LA TAR BELAKANG TEORI
Turner II) mengemukakanmekanisme
kelarutan silikon dalam larutan HF melalui
reaksielektrokimia sebagaiberikut :
Si+2HF+Ze+(hole) SiF2+ 2W +
(2-Z) eO(electron) (1)
dengan Z menyatakan jumlah hole (e1. Silikon
diflorida, SiF2,yang terbentukpada permukaan
silikon tidak stabil dan berubahsecaraperlahan
menjadi silikon tetraflorida, SiF4,yang stabil
dan silikon amorf, disertai denganevolusi gas
hidrogen. Reaksi kimia yang mungkin terjadi
dari silikon denganlarutaoHF: 7.11)
SiFz -+ Si sman+ Sif4 (2)
Sismorf -+ SiOz + 2Hz (3)
SiF4+2HF -+ HzSiF6 (4)
SiOz+2Hz+HF -+ HzSiF6 + 2HzO (5)
Permukaan silikon yang dipasipkan oleh
hidrogensebenarnyalambanterhadapserangan
ion F, hila tidak terdapat hole (el dalam
elektroda silikon. Bila hole (el mencapai
permukaan nucleophilic, ion F mulai
menyerangikatan Si-H daDterbentukikatanSi-
F. Karena pengaruhpengkutubanion F, ion F
lain dapat menyerang dan mengikat silikon
diikuti dengan pembangkitanmolekul Hz dan
injeksi satu elektron kedalamelektroda.Karena
polarisasiterinduksi daTiikatan Si-F, kerapatan
ikatan Si-Si berkurangdan ikatannya melemah
sehinggadalam kondisi demikian akan mudah
380
diserangkembali oleh HF atauH2O. Meskipun
demikian,atom silikon pada permukaan masih
adayang berkatandenganhidrogen.
BAHAN DAN TAT A KERJA
Pembuatanlapisan silikon porous (SP)
Bahan yang digunakan dalam
penelitian ini adalah silikon wafer tipe-p(IOO)
yang didop borondengan resistivitasantara 5-
10 ncm daD ditumbuhkan dengan metoda
Czochralski. Silikon bulk dipotong berbentuk
disk berdiameter3 mm denganpemotongdisk
ultrasonik untuk memenuhi persyaratan
pengamatan dengan TEM. Lapisan tipis
aluminium dibentuk pada bagian belakang
sampel daD dipanasi dalarn tungku harnpa
udara pada suhu 350 °C selarna 30 menit.
Selanjutnya reaksi anodik dilakukan dengan
rangkaianterbukadi dalam larutan HF (50 wt
%) : ethanol = 1: 2.12) Sebagai katoda
digunakan pelat platina berukuran 1 cm
persegi, ditempatkan sejajar dengaI1 anoda
(silikon) didalarn cawanteplon. Sampelsilikon
berfungsisebagaianoda,ditempatkanpada sel
elektrolit sedemikianrupa, sehinggaarus yang
mengalir padanyadapat menghasilkarllapisan
porous dengan ketebalanyang seragarnpada
seluruh perrnukaan sample. Pencelupan
(immersion)sampel dalam larutan yang sarna
tanpa dialiri arus listrik dilakukan selama 1
meDii untuk setiap sampel. R~si anodik
dilakukan dengan memberikan rapat arus
konstanmasing-masing10, 20, 30, 40 daD 50
mNcm2 yang selanjutnya dinamai sampel
F7Al, F7A2, F7A3, F7A4 daDF7A5, selama 1
menit untuk tiap sarnpel.Selarnaprosesreaksi
anodik, larutan diputar secaramekanik dengan
pengadukmagnetdan tanpa diberikan bantuan
pencahayaan. Kondisi preparasiSPditunjukkan
padaTabel1 daDGambar1.
Pengukuran
Spektra PL sample SP diukur dengan
menggunakanSpektroskopi PL, yang terdiri
daTiLaserPhotonics(I) sebagaipenghasillaser
ion-Nitrogen dengan panjang gelombang 337
nm, ditembakkanke sampel (2) membentuk
sudut sekitar 450 terhadap sampel. Refleksi
intensitas PL diterima oleh detektor daD
dialirkan ke Imaging Spektrograf (3) melalui
kabel optik fiber daDditampilkan dalatn layar
monitor berbentukspektra.Pengukuransample
dilakukan setelahbeberapamenit prosesreaksi
anodik, dan selanjutnyadiukur setiap minggu
hingga mencapai8 minggu. Komposisi kimia
permukaan SP yang dioksidasi pada subu
kamar diukur denganFI'IR (JEOL TradingCo.
Lill.) pada daerabbilangaJ1gelombangantara
600 -2400cm-l. AbsorpsispektradiperolebdaTi
sampelF7AI, F7A2, F7A3, F7A4 dan F7A5
PreparasisampleTEM pada penelitian
ini dilakUkan pada arab ketebalan. Untuk
mengamati mikrostruktur SP dengan TEM,
bertumt-turut digrinding daD dimpling secara
mekanik, kemudian dipolish dengantegangan
rendah ion-AT milling 3 -5 keY guna
mendapatkansampel thin foil « 250 A). SP
yang diarnati denganTEM hanya sampelF7Al
, F7A3 dan F7A5.
BASIL DAN PEMBAHASAN
Oksidasi SP pada suhu kamar
Hasil reaksianodik silikon bulk dalam
larutan HF menunjukkanemisi cahayatampak
(merah, kuning, oranye dan hijau) yang
terbistribusi hampir pada seluruh permukaan
SP. Terjadi gelembung hidrgen keluar dari
permukaan elektroda silikon selarna reaksi
anodik berlangsung, yang merupakan basil
reaksi elektrokimia dan kimia antara silikon
daDlarutanHF. Sampelyang direaksianodikdi
alas 50 mA/cm2 (melebihi barns rapat arus
kritis) pada seluruh permukaan lapisan SP
terbentuk lapisan hitam dengan sebagian
permukaannyamengelupas.Sedangkanuntuk
sampeldenganrapatarus lebih kecil atau sarna
dengan 10 mA/cm2, terbentuk pulau-pulau
kecil dan lapisan hitam terdistribusi hampir
pada seluruhpermukaanSP.
Gambar 4 menunjukkan basil
pengukuranspektra PL daTi SP sample F7A 1
sampai F7A5 yang dioksidasi di udara pada
suhu kamar selama 8 minggu. Spektra PL
yang dihasilkan meningkat dengan kenaikan
waktu oksidasi daD memiliki pola yang lebar
dengan puncak sekitar 630 om. Spektra PL
yang diukur selang beberapa meDii setelah
reaksi anodik, hanya menghasilkan intensitas
yang sangat rendah untuk semua sampel.
Bahan SP yang direaksikan secara anodik
dalam larutan dasar HF mengandungjumlah
konsentrasiflour relatip cukup tinggi, seperti
tercantum pada persamaanreaksi (2) sampai
(5) dan turun secara perlahan dibawah
pengaruhoksidasidi udara.Hal ini disebabkan
karena proseshidrolisis dari ikatan Si-F oleh
uapair.
Bahan SP sangat dipengaruhi oleh
lingkungan atmosfer, sehingga selama proses
oksidasi di udara mudah mengikat senyawa
hidroksida dan uap air. Kandungan yang
tinggi dari unsur-unsur oksigen dan hidrogen
daIam lapisan SP yang dioksidasi di udara 13)
disebabkan karena meningkatnya senyawa
hidroksida daD penyerapan uap air daIam
lapisan SP. Senyawa hidroksida yang tc~rbentuk
kemudian menggantikan flour pada permukaan
dan daIam lapisan SP. Dengan demikian
lapisan SP yang dioksidasi di udara pada suhu
karnar, memiliki permukaan yang dipasipkan
oleh hidrogen. Pola spektra yang mirip, juga
diperoleh daTi SP yang dioksidasi pacta suhu
tinggi 14). Spektra PL meningkat secara
monoton dengan kenaikan suhu, daD kamudian
turIIn tajam dengan kenaikan suhu yang lebih
tinggi. Penurunan spektra tersebut disebabkan
oleh hilangnya lapisan hidrogen pada
permukaan lapisan SP oleh akibat efek suhu
tinggi daD digantikan oleh lapisan silikon
oksida amorf (a-SiO2).
Gambar 5 menunjukkan suatlJ kurva
peluruhan PL dari sampel F7A3 yang diukur
pada suhu kamar dari spektra PL pada 650 om.
Kurva PL yang dihasilkan menunjukkan
kelakuan yang tidak eksponensial dengan
lifetime berorde mikro detik. Hasil penhrukuran
selengkapnya untuk sampel daTi F7 Al sampai
F A5, ditunjukkan pada Tabel 2. Penurunan
waktu hidup dari PL selama oksidasi pacta suhu
kamar diperkirakan terbentuknya ikatan silikon
dangling pada bidang muka (interface) antara
kristalit silikon dan lapisan oksida.
Pengukuran dengan FTIR
Pengukuran dengan FTIR dilakukan
pada suhu kamar dalam lingkungan udara.
Spektra absorpsi yang ditampilkan dalam layar
monitor merupakan getaran regang
(stretching), bending daD wagging dari
kelompok hidrida dan oksida. Gambar 7
merupakan basil pengukuran spektra absorpsi
FTIR dari 600 -2400 cm-J, untuk sample F7A3
yang dioksidasi selarna 2 minggu. Puncak-
puncak spektra absorpsi yang dapat dideteksi
adalah 622-661, 873-909, 1070,1107 daD 2112
cm-J yang diplot antara sumbu bilangan
gelombang (00) cm-J vs absorpsi PL. Hasil
pengukuran sampel F7A3 dengan FTIR
ditunjukkan dalam Tabel 3. Puncak ganda
pada 620-661cm-J dengan spektra absorpsi
cukup kuat ditentukan rnasing-masing sebagai
model deforrnasi atau wagging SiR daD
SiH2.12.J5)Sedangkan puncak ganda yang
terekam pada 873 -909cm -I disebabkan oleh
model bending dari jenis Si-H2. J2,17)Kenaikan
oksigen dalam SP terdeteksi dengan spektra
381
 absorpsiterpusatpada puncak 1070cm -1yang
disebabkanoleh model stretchingasimetris Si-
O-SiIO.15.17)daD puncak spektra absorpsiyang
terekampuncak gandapada 2085 -2112 cm-1
masing-masing muncul dari getaran regang
(stretching) Si-H dan Si-H2 15).Diperkirakan
bahwa lapisan-lapisan amorf seperti silikon
hidrida. silikon dihidrida dan silikon oksida
berkontribusi terhadap pancaran PL tampak
dalamlapisan SP.
Pengamatan denganTEM
Pola difraksi elektron(PDE) TEM dari
permukaanlapisan SP sampelF7Al, F7A3 daD
F7AS ditunjukkan pada Gambar 7(a) sampai
(c). Gbr. 7(a) menunjukkanpola difraksi dari
morfologi permukaan SP sampelF7Al. PDE
yang diperoleh daTilapisan tersebutmencirikan
karakteristik dari bahan silikon kristal tunggal
sempurna. Gambar 7(b) menunjukkan
pola difraksi morfologi permukaanSP sampel
F7A3. PDE yang diperolehdari lapisan ini juga
rnasih menunjukkanpola difraksi bahankristal
tunggal silikon, akan tetapi memperlihatkan
lintasan berbentuk busur api (arc-shaped
streaks)pada berkastransmisi. Padadua kasus
di alas, yaitu untuk sampel F7Al dan F7A3
nampak bahwa reaksi anodik silikon bulk
dalam larutan HF dengan rapat arus masing-
masing 10 daD 30 mNcm2 tidak mencakup
seluruharea permukaansampleelektroda.
SP sampel F7AS yang memancarkan
PL tinggi, Gambar. 4e memiliki bentuk
morfologi dengan pola difraksi seperti
ditunjukkan pada Gambar 7(e). Lapisan ini
memperlihatkanarea denganmorfologi hampir
sarna. Bagian lapisan SP dekat tepi daDpada
jarak beberapa rnikrometer dari tepi dari
sampel yang transparan memperlihatkan
bentuk PDE yang sarna,Gambar7(e). Fringes
berbentukcincin yang nampakmerupakanPDE
yang diperoleh dari kristalit silikon dengan
dimensi beberapa nanometer. Lebar daD
spottness dari pola difraksi yang dihasilkan
bergantung pada ukuran daD jurnlah partikel
silikon yang mengkontribusi terhadap pola.
Namun demikian, fenomena ini tidak
mengindahkan kemungkinanadanya substansi
amorf yang mengelilingi partikel silikon. Pada
kasus ini nampak bahwa reaksi anodik
mencakup seluruh area permukaanelektroda.
Kenaikan intensitasPL yang tinggi dari silikon
porous yang dioksidasi pada suhu karnar
diperkirakan oleh quantumconfinementeffects
dari kristalit silikon (intrinsik) berukuran
nanometer.
382
KESIMPULAN
I. Lapisan SP dapat dibentuk pacta kristal
tunggal silikon tipe-p(100) yang memiliki
resisitivitas5-10Ocm.
2. lntensitan PL dari SP setelah beberapa
menit direaksi anodik dalam larutan HF
memperlihatkan spektra yang sangat
rendah untuk semua sample. [ntensitas
meningkat dengan penlambahan
penyimpanan(oksidasi)dalam liogkungan
udara pada suhu kamar. PermulkaanSP
yang dioksidasi tersebut dipasiplkanoleh
lapisanhidrogendati jenis Si-H.
3. Morfologi permukaanlapisan SPpadaarab
ketebalan memperlihatkan pola difraksi
yang berbeda yang tersusun dari kristal
tunggal silikon, kristalit silikon berukuran
nanometerdaDI atau substansiamlorf.
4. Dari bukti-bukti (3) daD (4) dipc~rkirakan
bahwa emisi PL dalam lapisan SP berasal
dari quantum confinement effi?cts dari
kristalit silikon (intrinsik) daD substansi
amorf seperti silikon hidrida , silion
dihidrida dan silikon dioksida.
Ucapan terima kasih kepada DR. K.
Furuya, DR. T. Saito, DR. Wuryanto, Dra.
Rukihati, SU dan rekan-rekanMBI -PPSM
atasbantuannyahingga makalah ini selesai.
DAFTAR PUSTAKA
1. L. T. CANHAM, Appl. Phys. LeU., 57,
1047 (1990)
2. R. HERINO, G. BOMCHIL, K. BARLA,
C. BERTRAND,N. J.L. GINOUX, J.Elec-
trocbem. Soc., 134, 1994(1987)
3. M.l.J. BEALE, N.G. CHEW,M.J. UREN,
A. G. CULLIS, J. D. BENYAMIN, Appl.
Pbys. LeU., 46, 86(1984)
4. M.l.J. BEALE, J.D. BENYAMIN, M .J.
UREN,N. G. CHEW, A. G. CULLIS, J.
Crystals Growtb, 73,622(1985)
5. A. G. CULLIS, L.T. CANHAM, Nature,
353,335(1991)
6. KUPRIN, N. ISHIKAWA, K. FURUYA,
T.SAITO, Proto 3rd Japan International
SAMPE Symp., 976(1993)
7. ARlTA,Y.SUNOHARA,J. ELectlrochem.
Soc., 124,285(1977)
8. KONAKA, M. TABE, T. SAKAI, Appl.
Pbys. LeU., 58, 856(1991)
9. M.S. BRANDT, H.D. FUCHS,M. STUZ-
TMAN, J. WEBER, CARDONA, Solid
State Common., 81, 307(1992)
10. C. TSAI, K.. LI, D. S. KINOSKY, R. Z.
QIAN, R.C. TSU, J.T.IRBI, S.K. BENER
 J EL, A. F. TASCH, J. C. CHAMBEL,
Appl. Phys. Lett., 60, 1700(1992)
11. D. TURNER,. Electrochem. Soc., 105,
402(1958)
12. Y. FUKUDA, K. FURUYA, N. ISHIKA-
WA, M. TANAKA, D. S. WINATAPU-
RA, T. SAITO, Japan Soc.Appl. Phys.
and Related Soc.,2,767(1996)
13. L.T. CANHAM, M. R. HOULTON, W. Y.
LEONG, C. PICKERING, and J.M.
KEEN, J. Appl. Phys., 70, 422 (1991).
14. S.M. PROKES, Appl. Phys. Lett., 62,
3244 (1993)
15. XIE, W.L. WILSON, F. M. ROSS,J. M.
MUCHA, E. A. FITZGERALD, J. M.
MACAULAY, T. D. HARRIS,J. App1.
Phys., 71, 2403(1992)
16. GUPTA,V.L. KALVIN, S.M. GEORGE,
Plays.Rev. B 37, 8234(1988)
17. FENG,A.T.S. WEE, Porous Silicon, ed.
by. Z.C. FENG,R. TSU, World Scientific
Inc. Ltd, 175-194(1994)
18. K. H. LI, D. C. DIAZ, and J. C. CAMP-
BELL, PorousSilicon, ed. by Z.C. FENG
and R. TSU, World Scientific I nc. Ltd.
261- 274(1994)

DAFTAR TABEL DAN GAMBAR.

Tabel 1. Kondisi preparasi sampel SP daTi silikon wafer tipe-p(100) Czochralski dengan
resitivitas 5 -10 .o.cmdan di doping boron. Reaksianodik dilakukan dalam larutao HF (50 wt %):
ethanol= 1:2 padasuhuantara27 -30 °C, selamaI menit.

- -
No sampel Rapat ares anodik Karakterisasi
(mAlc~)
-- F7AI
-"'- 10 PL S C.,TEM
-~, .
~ '-- 20 PL S c.
" ,
30 PL S c.,FfIRTEM
,.
I
, -~ 40 PL Spec.
5, 50

Tabel 2. Hasil peogukurankurva lifetime padasuhukamar dati SPsampelF7Al sampaiF7A5

pada650 om.

Lifetime
No Sampel Rapat ams ~~}
(mA/cm2)
Tl
1 F7Al 10 0, 737 :t 0,007 5,072 :!: 0,0486
2 .. 20 0,793 :t 0,004 6,622:!: 0,0344
3 F7A3 30 0,983 :t 0,008
4 40 0,940 :t 0,008
5 50 0,974_:t 0.008

383

T.,
 Tabel 3. Hasil pengukuransampel denganFTIR dari permukaan SP yang dioksidasi pada
suhukamar selama2 minggu untuk sampelF7A3, setelahdirendamdalam larutandasarHF selama15
menit.

sumber anls
DC searah

Gambar Diagram alir preparasi sampel daD Gambar 2 IIustrasi skematik peralatan
karakterisasi silikon porous (SP) pembentukanlapisanSP.
pada arah ketebalan

384
 Gambar3 Susunan pcralatan pcngukur spcktcra
PL yang terdiri dari: (I). Penghasil
N2 ion laser (2). sampel SP. (3).
Spektrometer dan (4) Komputer.
Gambar.4. Pcluruhan PL daTi SP untuk
sampcl F7A3 yang dioksidasi
pada suhu kamar sclama 8
minggu.

'.""'I~
I."'M.."'..., 1.-

Gambar.6. SpektraabsorbsiFrIR wLri SP

sampleF7A3 setelah dioksidasi
pada suhu kamar selar!1a 2
minggu.

-J-I ..1 #1

Gambar. S. Intensitas PL daTi fapisan SP yang

dioksidasi pada suhu kamar selama
8 minggu daTi sampel (a). F7 A I,
(b). F7 A2, (c). F7A3, (d). F7 A4 dan
(e). F7 AS

385
 a b c
Gambar 7. rota difraksi elektron (POE) dari mikrostruktur lapisan SP pada arah ketebalan dari
sample F7AI, F7A3 dan F7A5.

386