Información
Tarjeta de
proporcionada
por los
adquisición y Robot
sensores proceso de datos
- Módulo de control.
- Módulo de adquisición de señales analógicas.
- Módulo de E/S digitales.
- Módulo de salidas de potencia.
- Fuente de alimentación.
a) Módulo de control.
PIC 16F84
1 18 C1=27pF
R1 RA2 RA1
10kΩ 2 17
RA3 RA0
3 16 X1=4MHz
RA4/TOCKI OSC1
R2=100Ω 4 15
MCLR#/VPP OSC2
5 14
VSS VDD 5V C2=27pF
SW1
6 13
RBO/INT RB7
7 12
RB1 RB6
8 11
RB2 RB5
9 10
RB3 RB4
R3=15kΩ
U1
PIC 16F84
1 18
RA2 RA1 Q1
2 17 BC547B
RA3 RA0
3 16
RA4/TOCKI OSC1
4 15 3
MCLR#/VPP OSC2 7
5 14 8
VSS VDD R2 4
6 13 5
RBO/INT RB7
10kΩ
7 12 DB9
RB1 RB6
8 11
RB2 RB5
9 10
RB3 RB4
+
DZ1 C3
1N4733A 100µF
DZ1 + C3
1N4733A 100µF
R3=15kΩ
Módulo de adquisición
Módulo de E/S digitales
de señales analógicas
Referencia Descripción
R1 Resistencia de película de carbón, 10kΩ, 5% y 1/4W
R2 Resistencia de película de carbón, 100Ω, 5% y 1/4W
R3 Resistencia de película de carbón, 15kΩ, 5% y 1/4W
R4-R6 Resistencia de película de carbón, 10kΩ, 5% y 1/4W
C1,C2 Condensador cerámico de desacoplo, 27pF
C3 Condensador electrolítico, 100µF y 25V
D1 Diodo rectificador 1N4448
DZ1 Diodo Zéner 1N4733A, 5.1V
Q1 Transistor NPN BC547B
SW1 Pulsador en miniatura para montaje en circuito impreso
X1 Cristal de cuarzo de 4MHz
U1 Microcontrolador PIC 16F84 (Microchip)
DB9 Conector DB9 hembra
Los terminales +RG y -RG se utilizan para conectar una resistencia externa que
permitirá establecer la ganancia del amplificador. La salida Vo, según especificaciones
del fabricante vendrá dada por la expresión:
⎛ 100kΩ ⎞
Vo = ⎜⎜1 + ⎟(VIN + − VIN − )
⎝ RG ⎟⎠
100kΩ
Gmin = 1 + =2
100kΩ
100kΩ
Gmax = 1 + = 1001
100Ω
Rango entrada 5 − 0
[VIN + − VIN − ]max = = = 2.5V
Gmin 2
Rango entrada 5 − 0
[VIN + − VIN − ]min = = ≅ 5mV
Gmax 1001
RB1
5V
ADC0832CCN
1 8
Amplificador de CS# VCC(VREF)
instrumentación 2
CH0 CLK
7 RB2
3 6
CH1 DO
Amplificador de
4 5 RB3
instrumentación GND DI
Módulo de control
U2
AD623A
R7 1 8
-RG +RG
10MΩ
2 7 5V
-IN +VS
3 6 RA0
+IN OUTPUT
4 5
R8 -VS REF C4 U4
10MΩ 100nF ADC0832CCN
J1 1 8
CS# VCC(VREF) 5V
1
2 7 RB6
CH0 CLK
2 P2=100kΩ
3 6
3 CH1 DO
4 5 RB7
4 GND DI
U3
AD623A
R9
1 8
10MΩ -RG +RG
2 7 5V
-IN +VS C6=100nF Módulo de control
3 6
+IN OUTPUT
4 -VS REF 5
R10 C5
10MΩ 100nF
Referencia Descripción
R7-R10 Resistencia de carbón, 10MΩ, 10% y 1/4W
P1,P2 Potenciómetro de lámina de carbón, 100kΩ, 10% y 1/4W
C4-C6 Condensador cerámico multicapa 100nF
U2,U3 Amplificador de instrumentación AD623A (Analog Devices)
U4 Convertidor A/D ADC0832CCN (National Semiconductor)
J1 Regleta de conexiones para circuito impreso (4 contactos)
d) Módulo de E/S digitales.
Dispositivo A Módulo de
TTL control
SW 5V
Se ha optado por utilizar tecnología TTL en el diseño de las líneas de E/S, por
compatibilidad de niveles de tensión con el microcontrolador PIC 16F84. Las puertas
lógicas que se usan en el diseño son TTL schottky de baja potencia para minimizar el
consumo del circuito, y su encapsulado se muestra a continuación:
Dispositivo Módulo de
TTL control
R1
1/6 SN74LS04N
1/6 DIP SW
5V
R2
1/4 SN74LS126AN
Obsérvese que en el esquema anterior la señal digital de entrada se invierte.
VCC V
≤ R ≤ IL
I OS I IL
Cuando una línea se utiliza como entrada o salida, al introducir un nivel lógico
“0” la resistencia queda cortocircuitada y puede despreciarse su efecto; al introducir un
nivel lógico “1”, si se elige una resistencia de valor óhmico inferior al obtenido con la
expresión anterior, la corriente demandada al circuito integrado puede superar el valor
de IOS, provocando el deterioro del mismo. Observar que en este último caso, no se
considera la impedancia de entrada del circuito lógico, ya que al ser de elevado valor
óhmico, la resistencia equivalente será aproximadamente R (al estar ambas en paralelo).
I OS = −35mA
V IL = 0.8V
I IL = −0.4mA
5 0.8
−3
≤ R1 ≤
35·10 0.4·10 −3
142.86Ω ≤ R1 ≤ 2kΩ
142.86 + 2·10 3
R1 = = 1071.43Ω
2
Vcc 5
I R1 (max) = = = 4.55mA
R1 1.1·10 3
0 .8
R2 ≤
2·0.4·10 −3
R 2 ≤ 1kΩ
Para R2 tomamos un valor intermedio:
R 2 = 500Ω
Vcc 5
I R 2 (max) = = = 9.8mA
R 2 510
6 9 3 12
2A 6Y
2Y 3A
Módulo de
control
4 11 3Y(U5)
7 8 2Y 5A
GND 3Y
R11
C7 5 10
1.1kΩ 3A 5Y
100nF
6 9 4Y(U5)
3Y 4A
7 8 RB0
U6 GND 4Y
2A(U7)
2A(U6)
2A(U5)
1A(U7)
1A(U6)
1A(U5)
2A 3G
2 9
6
2Y 3A
3
7 8
GND 3Y
4 R17-R22
510Ω SW2-SW7
5
C8=100nF 5V
6
U7
SN74LS126AN
1 14
R13 1G VCC
1.1kΩ 2
1A 4G
13 5V
3 12
1Y 4A
4 11
2G 4Y
R14 5
2A 3G
10
1.1kΩ U9
6 9
2Y 3A SN74LS04N
1G(U5) 1 14 5V
7 8
GND 3Y 1A VCC
4G(U5) 2 1Y 6A 13
R15
C9=100nF 2G(U6)
1.1kΩ 2G(U5) 3
2A 6Y
12
3G(U5) 4 11 3G(U6)
2Y 5A
1G(U6) 5 10 1G(U7)
3A 5Y
R16 4G(U7)
4G(U6) 6 9
1.1kΩ 3Y 4A
7 8 2G(U7)
GND 4Y
3G(U7)
C11
100nF
Los conectores J2.1, J2.2, J2.3, J2.4, J2.5 y J2.6 son las E/S digitales de la
tarjeta, y coinciden respectivamente con las líneas RB0, RB1, RB2, RB3, RB4 Y RB5
del microcontrolador. Los condensadores de desacoplo C7, C8, C9, C10 y C11 mejoran
la estabilidad de alimentación de U5, U6, U7, U8 y U9 respectivamente (norma de
diseño).
A continuación se detallan los componentes del módulo de E/S digitales:
Referencia Descripción
R11-R16 Resistencia de película de carbón, 1.1kΩ, 5% y 1/4W
R17-R22 Resistencia de película de carbón, 510Ω, 5% y 1/4W
C7-C11 Condensador cerámico multicapa 100nF
SW2-SW7 Array de microinterruptores para circuito impreso
U5-U7 Buffer Tri-State SN74LS126AN (Texas Instruments)
U8 Puerta Trigger Schmitt Inversora SN74LS14 (Texas Instruments)
U9 Puerta NOT SN74LS04 (Texas Instruments)
J2 Regleta de conexiones para circuito impreso (8 contactos)
TJ (max) − T A
Pmax =
θ JA
150 − 50
P(max) = = 1.25W
80
1/2 L293B
1
EN
4, 5, 12, 13
EN IN OUT
1 1 VS
1 0 0
0 1 Z
0 0 Z
Para controlar cada sección del driver L293B se necesitan 6 líneas del
microcontrolador, pero pueden reducirse a 4 líneas implementando una función lógica:
X Y EN IN1 IN2
0 0 0 X X
0 1 1 0 1
1 0 1 1 0
1 1 1 1 1
La función lógica se implementa con tecnología TTL de baja potencia por las
mismas razones que se expusieron en el diseño de las líneas de E/S digitales. Se utilizan
puertas DM74LS32N, cuyo encapsulado se muestra a continuación:
El circuito del módulo de salidas de potencia se muestra a continuación:
Módulo de control
RA4
RA3
RA2
RA1
U11
U10 L293B
DM74LS32N 1 16 5V
1 14 5V EN1 VCC
A1 VCC
2
IN1 IN4
15 C13
2 13
B1 B4 100nF
3 14
OUT1 OUT4
3 12
Y1 A4
4 13
GND GND
4 11
A2 Y4
5 GND 12
GND
5 10
B2 B3
6 11
OUT2 OUT3
6 9
Y2 A3
7 10
IN2 IN3
7 8
GND Y3
8 9
VSS EN2
C12
100nF
1 2 3 4 5
6
J3
Los conectores J3.1, J3.2, J3.3 y J3.4 son las salidas de potencia de la tarjeta, y
coinciden respectivamente con las salidas OUT1, OUT2, OUT3 Y OUT4 del driver. Las
líneas RA1, RA2, RA3 y RA4 del microcontrolador controlan respectivamente las
señales IN1, IN2, EN1 (IN1 OR IN2), IN3, IN4 y EN2 (IN3 OR IN4) del driver. Los
conectores J3.5 y J3.6 permiten la alimentación externa de las cargas. Los
condensadores de desacoplo C12 y C13 mejoran la estabilidad de alimentación de U5,
U6, U7, U8 y U9 respectivamente (norma de diseño).
A continuación se detallan los componentes del módulo de E/S digitales:
Referencia Descripción
C12,C13 Condensador cerámico multicapa 100nF
U10 Puerta OR DM74LS32N (Fairchild Semiconductor)
U11 Driver Push-Pull L293B (SGS-Thomson)
DIS Disipador de potencia DIL mordaza
J3 Regleta de conexiones para circuito impreso (6 contactos)
f) Fuente de alimentación.
Red Tarjeta
Transformador Rectificador Filtro Regulador (5V dc)
(220V 50Hz)
Batería
(6V dc)
T1
U1 D1 U2
220V
Regulador
50Hz
+
C Tarjeta
+
V1 D2
- Vo = 5V ± 5mV
- Io ≤ 1.5A
- 7V ≤ Vi ≤ 25V
I dc
Vdc ≅ V ' 2 p −
4 fC
La tensión eficaz en el secundario del transformador variará por tanto entre los
valores:
9
V2 (max) = V1(max) ·rT = 242· = 9.9V
220
9
V2 (min) = V1(min) ·rT = 198· = 8.1V
220
750·10 −3
Vdc (min) = 9.26 − = 8.89V
4·50·10000·10 −6
TJ − T A
PD = ⇒ TJ = PDθ JA + T A
θ JA
f.3) Filtro.
- Valor capacitivo, C.
- Valor de la corriente de rizado, IR.
- Tensión de trabajo, VT.
VR
V2P Vdc
10ms t
I dc
Vdc ≅ V ' 2 p −
4 fC
I dc t
C≥
VR
750·10 −3 ·10·10 −3
C≥ = 7500µF
0.2·5
I R = 2 I dc = 2·750·10 −3 = 1.5 A
- C = 10000µF
- IR = 3.3A
- VT = 16V
f.4) Rectificador.
VCC 5
I FSM > = = 14.29 A
RS 0.35
f.5) Transformador.
- La tensión en el secundario.
- Potencia del transformador.
- Regulación.
f.6) Fusible.
Vi = V − VF = 12 − 1.1 = 10.9V
El consumo de potencia del regulador será:
FUS T1
0.1A T40/E U12 U13
DF005M D2 µA7805CCN
1
1N4001
J4 1 3 5V
2
2 + C15 C16 Módulos de
C14 0.33µF 1µF la tarjeta
10000µF
2 1
1 2
J5 D3
1N4001 J6
Referencia Descripción
C14 Condensador electrolítico ALP22 10000µF, 16V (BHC Aerovox)
C15 Condensador cerámico 0.33µF, 16V
C16 Condensador de tántalo 1µF, 9V
D2,D3 Diodo rectificador 1N4001
FUS Fusible de 0.1Amp
T1 Transformador T40/E para montaje sobre PCB (Crovisa)
U12 Puente rectificador integrado DF005M (General Semiconductor)
U13 Regulador de tensión µA7805CCN (Texas Instruments)
J4-J6 Regleta de conexiones para circuito impreso (2 contactos)