Thomas Aquino Ariasoca - Pemodelan Konstanta Dielektrik Graphene Pada Substrat SiC Hasil Spectroscopy Ellipsometry Dengan ...

Pemodelan Konstanta Dielektrik Graphene Pada Substrat SiC Hasil

Spectroscopy Ellipsometry Dengan Menggunakan Metode Matriks
Transfer
(masuk/received 26 Juni 2016, diterima/accepted 31 Agustus 2016 ))
Graphene Dielectric Constant Modeling of Spectroscopy Ellipsometry
Result Using Matrix Transfer Method

Thomas Aquino Ariasoca, Iman Santoso

Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Gadjah Mada, Yogyakarta
thomas.a.a@mail.ugm.ac.id
Abstrak – Telah dilakukan pemodelan konstanta dielektrik graphene pada substrat SiC hasil spectroscopy
ellipsometry dengan menggunakan metode matriks transfer untuk melakukan perhitungan persamaan Fresnel dalam
pemodelan optik. Matriks transfer didefinisikan dalam perkalian matriks interface I dan matriks layer L yang
menunjukkan pengaruh dari lapisan permukaan dan badan dari suatu medium terhadap keseluruhan sistem. Pengaruh
kekasaran lapisan didefinisikan menggunakan pendekatan medium efektif. Pemodelan konstanta dielektrik kemudian
dilakukan dengan menggunakan inversi Newton-Raphson dari persamaan ellipsometry. Hasil dari penelitian
menunjukkan perhitungan dengan menggunakan metode matriks transfer dapat menghasilkan nilai yang sama dengan
perhitungan persamaan Fresnel biasa.

Kata kunci: matriks transfer, pemodelan optik, konstanta dielektrik, graphene, substrat SiC

Abstract – Modeling the dielectric constant of graphene on SiC substrate of spectroscopy ellipsometry result has been
done by using transfer matrix method to calculate the Fresnel equation in optical modeling. The transfer matrix is
defined by multiplication of interface matrix I and layer matrix L that show the effect of interface and body layer of a
medium to a system. The effect of surface roughness is defined by using effective medium approximation. Then modeling
of dielectric constant is done by using Newton-Raphson inversion method from ellipsometry equation. Result shows that
calculation using transfer matrix method gives same result as calculation of ordinary Fresnel equation.

Keywords: transfer matrix, optical modeling, dielectric constant, graphene, SiC substrate

I. PENDAHULUAN lapisan, persamaan Fresnel yang diselesaikan dari

Graphene adalah alotropi karbon yang berbentuk
lembaran heksagonal 2-dimensi [1]. Graphene pada
dasarnya adalah dasar pembentukan beberapa material
berbasis karbon seperti grafit. Graphene memiliki sifat
optik dan kelistrikan yang unik seperti transport elektron
balistik, efek kuantum Hall, dan tingkat transparansi
optik yang tinggi [2], sehingga banyak dilakukan kajian
untuk memanfaatkan keunikan sifat graphene tersebut ke
dalam pengembangan teknologi elektronik [2].
Salah satu bentuk graphene yang sering dikaji adalah
graphene epitaxial multilayer, yaitu graphene yang
terdiri dari beberapa lapisan graphene. Karena adanya
orientasi yang berbeda di antara lapisan yang terdekat
terhadap substrat, struktur pita graphene epitaxial
multilayer hampir identik dengan graphene monolayer
terisolasi. [3]
Pengkajian sifat optik Graphene seperti perhitungan
konstanta dielektrik, indeks bias, dan konduktivitas optik
dapat dilakukan dengan metode spectroscopy
ellipsometry karena sangat sensitif terhadap keberadaan
lapisan tipis pada orde 0,01 nm [4]. Perhitungan sifat
optik dari metode ellipsometry dapat dilakukan dengan
melakukan pemodelan optik. Untuk sistem banyak
pemodelan optik akan semakin rumit, sehingga
diperlukan metode matriks transfer untuk mempermudah
perhitungan persamaan Fresnel tersebut. Dalam makalah
ini akan dikaji penggunaan matriks transfer dalam
menyelesaikan persamaan Fresnel yang muncul pada
permasalahan ekstraksi konstanta dielektrik material
graphene epitaxial multilayer.
II. LANDASAN TEORI
Dimisalkan suatu sistem optik dengan media linear,
homogen, dan isotropik dengan jumlah layer n dan
berada di antara medium 0 dan substrat n+1. Ketika
cahaya datang dari medium 0, sebagai akibat dari
transmisi dan refleksi cahaya pada medium, akan ada
cahaya yang datang dari substrat n+1, sehingga akan
terjadi medan planar yang merambat maju (+) dan medan
planar yang terpantul (-) dari gelombang cahaya yang
terjadi pada sistem optik tersebut.
Medan E untuk cahaya yang merambat menuju sistem
optik dengan layer n kemudian didefinisikan ke dalam
bentuk [5]
(1)

Risalah Fisika Vol. 1 no. 1 (2017) 5-8

ISSN 2548-9011
6 Thomas Aquino Ariasoca - Pemodelan Konstanta Dielektrik Graphene Pada Substrat SiC Hasil Spectroscopy Ellipsometry Dengan.......

dengan z adalah koordinat perambatan gelombang planar. dengan dan adalah konstanta dielektrik pada
Bila cahaya yang merambat dari medium 0 merambat medium 0 dan 1, serta dan adalah sudut sinar yang
dalam koordinat z’ dan cahaya yang merambat dari datang menuju medium medium 0 dan 1.
substrat dalam koordinat z”, serta koordinat z’ dan z”
saling pararel, maka berdasarkan sistem linear, E(z’) dan III. METODE PENELITIAN/EKSPERIMEN
E(z”) dapat direlasikan dalam sebuah matriks Sistem optik yang diteliti adalah sistem graphene pada
transformasi [5] susbtrat SiC dengan memperhitungkan efek kekasaran
lapisan interface yang dapat dihitung dengan
menggunakan persamaan medium efektif [4]
(2)
(9)
dengan matriks S merupakan matriks hamburan yang
didefinisikan dalam perkalian matriks interface I dan Tetapan adalah konstanta dielektrik dari medium
matriks layer L yang menunjukkan pengaruh dari lapisan efektif, konstanta dielektrik medium a, konstanta
permukaan dan badan dari suatu medium terhadap dielektrik medium b, dan adalah rasio volume dari
keseluruhan sistem, sehingga matriks S dapat ditulis medium a.
sebagai [5] Pemodelan optik yang dilakukan dalam penelitian ini
adalah untuk sistem bulk SiC, graphene pada SiC, dan
(3) graphene pada SiC dengan efek interface. Pemodelan
optik yang dilakukan dapat dilihat pada Gambar 1.
matriks interface I dan matriks layer L dapat
didefinisikan ke dalam bentuk matriks . Matriks I
sendiri didefinisikan oleh [5]

(4)

dengan adalah koefisien refleksi pada medium i dan j,

dan adalah koefisien transmisi pada medium i dan j.
Matriks dapat didefinisikan dalam [5]

(5)

dengan adalah beda fase yang terjadi pada medium j.
Metode matriks transfer kemudian diimplementasikan
ke dalam persamaan spectroscopy ellipsometry yang
dituliskan oleh persamaan [4]
(6)
Gambar 1. Pemodelan optik (a) SiC, (b) graphene di
atas SiC, dan (c) graphene di atas SiC
dengan 2 interface layer
Perhitungan koefisien Fresnel dilakukan dengan
menggunakan matriks transfer. Untuk sistem 3 layer
persamaan matriks hamburan dapat ditulis sebagai

dengan dan merupakan koefisien refleksi dari sistem (10)

yang ditinjau. Nilai koefisien refleksi dapat dicari dengan
menggunakan persamaan Fresnel [4] (11)

sehingga koefisien refleksi total sistem dapat ditulis

(7) dalam

(12)

(8) dengan S11 dan S21 merupakan komponen dari matriks

hamburan .
Untuk sistem 5 layer, persamaan matriks hamburan
dapat ditulis sebagai

Risalah Fisika Vol. 1 no. 1 (2017) 5-8

ISSN 2548-9011
Thomas Aquino Ariasoca - Pemodelan Konstanta Dielektrik Graphene Pada Substrat SiC Hasil Spectroscopy Ellipsometry Dengan ... 7

(13)

(14)

dan koefisien refleksi total sistem ditulis dalam

(15)

dengan S11 dan S21 merupakan komponen dari matriks

hamburan .
Kemudian metode Newton-Raphson digunakan untuk
menghitung nilai konstanta dielektrik [6]. Pertama-tama,
persamaan dibuat ke dalam bentuk

(16)

yang merupakan persamaan pembuat nol yang akar-

akarnya merupakan nilai persamaan dielektrik. Nilai
akar-akar tersebut kemudian dicari dengan menggunakan
persamaan Newton-Raphson

Gambar 2. Diagram alir Algoritma Newton-Raphson.

(17)

Algoritma perhitungan konstanta dielektrik tersebut dapat

dilihat pada Gambar 2, sedangkan data ellipsometry yang
digunakan untuk mengekstrak nilai konstanta dielektrik
diperoleh dari pengukuran ellipsometry dari grup
spektroskopi dari National University of Singapore
(NUS) [3].
Hasil perhitungan dengan matriks transfer untuk sistem
3 lapisan kemudian dibandingkan dengan hasil
perhitungan dengan menggunakan persamaan Fresnel
untuk sisten 3 layer yang ditunjukkan oleh

(18) Gambar 3. Perbandingan hasil perhitungan konstanta

dielektrik graphene di atas substrat SiC
dengan persamaan Fresnel biasa dan
IV. HASIL DAN PEMBAHASAN metode matriks.

Penyelesaian dari persamaan (16) akan menghasilkan
nilai konstanta dielektrik yang merupakan bilangan
kompleks. Gambar 3 menunjukkan perbandingan nilai
konstanta dielektrik bagian real (garis sambung) dan
bagian imajiner (garis putus-putus) dari graphene di atas
substrat SiC dengan metode matriks transfer dan
persamaan Fresnel biasa.
Terlihat bahwa perhitungan dengan menggunakan
metode matriks transfer menghasilkan nilai konstanta
dielektrik yang sama dengan perhitungan menggunakan
persamaan (18). Penggunaan matriks transfer selanjutnya
dapat digunakan untuk mempermudah perhitungan
koefisien refleksi untuk sistem banyak layer.
Hasil perhitungan konstanta dielektrik graphene pada
substrat SiC dengan memperhitungkan efek interface
dapat dilihat pada Gambar 4. Terlihat bahwa perubahan
ketebalan interface mempengaruhi nilai konstanta
dielektrik yang dihitung.

Risalah Fisika Vol. 1 no. 1 (2017) 5-8

ISSN 2548-9011
8 Thomas Aquino Ariasoca - Pemodelan Konstanta Dielektrik Graphene Pada Substrat SiC Hasil Spectroscopy Ellipsometry Dengan.......

ini menunjukkan bahwa penggunaan metode matriks

transfer dalam perhitungan konstanta dielektrik dapat
digunakan untuk sistem optik banyak lapisan.

V. KESIMPULAN

Telah dilakukan perhitungan konstanta dielektrik

graphene pada substrat SiC dengan menggunakan metode
matriks transfer dalam pemodelan optik sistem
multilayer. Dari perhitungan, hasil perhitungan dengan
metode matriks transfer memiliki nilai yang sama dengan
perhitungan menggunakan metode Fresnel biasa. Pada
perhitungan sistem graphene pada susbtrat SiC dengan
memperhitungkan keberadaan interface, terjadi
perubahan pada nilai konstanta dielektrik, namun bentuk
kurva dan keberadaan puncak serapan pada titik 4,5 eV
tetap sama.
PUSTAKA
[1] Geim, A.K. and Novoselov, K.S., 2007. The rise of
graphene. Nature materials 6 (3), pp.183-191.
[2] Kravets, V.G., Grigorenko, A.N., Nair, R.R., Blake, P.,
Anissimova, S., Novoselov, K.S. and Geim, A.K., 2010.
Spectroscopic ellipsometry of graphene and an exciton-
shifted van Hove peak in absorption, Physical Review
Gambar 4. Hasil perhitungan konstanta dielektrik B 81 (15), p.155413.
graphene di atas substrat SiC dengan [3] Santoso, I., Wong, S.L., Yin, X., Gogoi, P.K., Asmara,
variasi (a) interface pertama, dan (b) T.C., Huang, H., Chen, W., Wee, A.T. and Rusydi, A.,
interface kedua. 2014. Optical and electronic structure of quasi-
freestanding multilayer graphene on the carbon face of
Keberadaan interface pada pemodelan optik sistem SiC. EPL (Europhysics Letters) 108 (3), p.37009.
graphene pada substrat SiC membuat perubahan pada [4] Fujiwara, H., Spectroscopic Ellipsometry Principles and
nilai konstanta dielektrik jika dibandingkan dengan Applications, John Wiley & Sons, Ltd, England. 2007.
pemodelan optik tanpa memperhitungkan keberadaan [5] Azzam, R.M.A., and Bashara, N.M., Ellipsometry and
interface. Namun keberadaan puncak serapan masih tetap Polarized Light, North-Holland Publishing Company,
sama pada titik energi 4,5 eV. Hal ini sesuai dengan New York. 1977.
penelitian yang pernah dilakukan sebelumnya yang [6] Subama, E., Perhitungan Konstanta Dielektrik Graphene
menunjukkan bahwa puncak serapan dari graphene pada Nanostructured Pada Substrat SiC dan SiO2/Si Hasil
substrat SiC terjadi pada energi 4,5 eV [3]. Keberadaan Pengukuran Spectroscopy Ellipsometry Dengan
puncak serapan tersebut diprediksi terjadi karena adanya Menggunakan Metode Inversi Newton-Raphson, Thesis
interaksi elektron-hole pada graphene [6]. Selain itu, hal master, Universitas Gadjah Mada, Yogyakarta. 2015

Risalah Fisika Vol. 1 no. 1 (2017) 5-8

ISSN 2548-9011