1 - Introdução
4.1- Introdução
5 - Métodos de Medida
9- Conclusões
1- Introdução
Ion Beam Analysis). A partir das análises destes métodos podemos determinar a
composição ou perfil elementar em profundidade de um material ou filme fino(da algumas
centenas de nm). Estes métodos normalmente usam feixes que incidem sobre a amostra de
, He
ou He
++
nA. A energia dos íons de alguns MeV limita a profundidade analisada em alguns µm,
sendo então estas técnicas conhecidas mais como de análise de filmes finos. Os métodos de
periódica exceto H e He, com limites de detecção variando de frações de porcento a ppm
monoenergético que sofreram colisões com os átomos do alvo que queremos analisar e queforam
retro-espalhadas(Backscattering). Durante a colisão os íons incidentes perderão
energia por colisões com os átomos do material, a taxa de redução de energia da partícula
átomo alvo. Isto permite identificar qual a massa dos átomos do alvo e portanto qual
pode
partículas incidentes, que é medido pela corrente do feixe. A conexão entre A e Q é dada
mostrado na figura 1.
A distância relativa à superfície onde ocorreu a colisão pode ser inferida a partir da
perda de energia da partícula durante seu trajeto dentro da amostra. Quando um íon se move
dentro da matéria, ele perde energia por colisões com os elétrons do material, portanto a
da amostra. Desta maneira é possível estabelecer uma escala de profundidade com a energia
das partícula espalhadas(as partículas que foram espalhadas na superfície tem energia maior
- Da energia do feixe;
fator cinemático)
química de acordo com algumas limitações. É preciso entender o que se está analisando
podem gerar distorções nos espectros, elementos pesados incorporados aos filmes podem
fazer com que sinais de elementos leves como Oxigênio e Nitrogênio desapareçam do
Cada um dos elementos na superfície tem seu pico de espalhamento na energia KmE0 (Km fator
cinemático do elemento m). Devemos notar que a conversão de massa-energia via fator
cinemático é única mas não linear. A área de cada pico é proporcional ao número de átomos de
impureza por unidade de área e seção de choque e espalhamento do elemento.
Neste caso, como a concentração dos elementos na superfície é a mesma, a altura do pico reflete
a diferença entre a seção de choque e espalhamento entre os elementos. Isto significa que o seção
de choque do Au é maior que as dos outros elementos. Podemos medir a quantidade de cada
elemento dividindo a área de cada pico pela seção de choque conseguindo assim resultados
quantitativos sem usar nenhum padrão de calibração.
Comparado com outros tipos de medida, o RBS não é tão sensível para pequenas
problema do espectro do Si ficar sobreposto ao do GaAs que nos tornaria mais complicada
existência de outras técnicas isto não é feito com freqüência. A vantagem de podermos
inferir a espessura de uma análise de RBS é que podemos corrigir a nossa análise de uma
forma coerente. Basicamente a largura do pico depende da espessura do filme como mostra
a figura 4. Isto quer dizer que a energia onde começa o espectro é KmE0 e quanto mais
colisões com os elétrons) gerando um sinal a menores energias. Isto é mostrado na figura....Figura
4 - Espectro de RBS mostrando amostras de diferentes espessuras.
espectro. Como exemplo, partimos de filme fino homogêneo sobre um substrato que deve
ser espesso suficiente para ser considerado infinito(por volta de 10µm é o suficiente). Este
compostos pelo filme(isto faz com que os picos de espalhamento do filme fiquem longe do
localizados em KME0 e KmE0. A largura dos picos nos trás a informação da espessura do
- Se a massa do elemento é alta, sua contagem no espectro será alta devido à sua
precisamos então
No caso de termos um filme espesso, o suficiente para que a maior parte da energia
espalhamento da massa M vão agora se estender desde KME0 até 0(pois o filme é espesso,
ou infinito para o feixe). As contagens para o elemento m, mais leve, também se estenderão
apenas temos de descontar as contagens dos elementos quando fazemos a medida dos
átomos/cm
Normalmente são usados substratos de Si que geram um espectro bem largo e todos os
outros elementos mais leves, Na, O, Cl ou F têm seus sinais sobrepostos ao do Si.
usado e do filme nas análises de RBS. Filmes de SiO2 sobre Si geram espectros que emprimeira
ordem podem ser simples mas que não podem mostrar como fica a distribuição do
Si com a profundidade no SiO2. Precisamos antes de fazer uma análise RBS prever quais
problemas podem surgir e qual substrato é o mais adequado para a análise. Substratos de
Carbono são sempre a melhor opção devido ao seu pequeno Kc, a borda de espalhamento
vai ficar em energias pequenas não se misturando com os outros espectros de espalhamento.
4.1- Introdução
Outra vantagem da análise por RBS está na teoria usada para resolver os espectros,
que usa mecânica clássica assumindo que as colisões entre as partículas são elásticas. Os
como:
elástica entre dois corpos, que nos leva ao conceito do fator cinemático e da capacidade de
detecção da massa.
- Como na ocorrência de uma colisão entre dois corpos, podemos pensar no conceito
composição atômica.
colisões com os elétrons do material, o que nos infere uma seção de choque de
- Alguns efeitos que podem surgir de estruturas cristalinas como a canalização que
faz com que os átomos do feixe tenham um alcance médio maior gerando informações de
contagem para um determinado átomo. O início da contagem para o elemento m ocorre para
elasticamente contra outra de massa M2 parada, como na figura 7, a energia será transferida
da partícula M1 para M2. Podemos calcular quanto será esta transferência partindo de uma
partícula do nosso feixe e a massa M2 a do nosso alvo. Este tipo de modelo é bastante
razoável para a análise de RBS e esta aproximação é válida para as seguintes condições:
- A partícula do feixe tem energia E0 grande, maior que a energia de ligação dos
- Reações nucleares e ressonâncias da rede não devem ocorrer. Esta condição impõe
, efeito nucleares
entre 2 a 3 MeV.Figura 7 - Diagrama esquemático das colisões entre átomos usadas no cálculo do
espectro RBS.
1/2(M1V0
)=1/2(M1V1
+M2V2
) (1)
M1V0=M1V1cosɽ+M2V2cosʔ (2)
0=M1V1sinɽ-M2V2sinʔ (3)
Eliminando ʔ e V2 temos:
V1/V2=((M2
-M1
sin
ɽ)
1/2
+M1cosɽ)/(M2+M1) (4)
K=E1/E0 (5)
KM2 = [((M2
-M1
sin
ɽ)
1/2
+M1cosɽ)/(M2+M1)]
(6)
KM2 = [(1-(M1/M2)
2
sin
ɽ)
1/2
+(M1/M2)cosɽ)/(1+(M1/M2))]
(7)
Portanto temos como calcular o fator cinemático para cada par feixe elemento. Isto
nos permite então prever qual é no espectro de espalhamento que devemos obter de um
KM2=1-(2M1M2/(M1+M2)
)(1-cosɽc) (8)
O fator cinemático portanto depende apenas da razão das massas dos átomos do alvo e feixee do
ângulo de espalhamento. Abreviando a razão M2/M1 por x, vamos analisar como K se
mostrado na figura 8, notamos que para qualquer razão de x, K tem seu valor mínimo em ɽc
igual a 180
temos:
K(ɽc =180)=[(1-x)/(1+x)]
2
(9)
massa x.
Do gráfico vemos que se temos a mesma massa para os átomos do alvo e feixe,
de uma expressão aproximada para K. Para isso usamos ɷ como a diferença entre ɽ e 180
ɷ=ʋ - ɽ (11)
Fazendo agora uma expansão em torno de ɷ temos como boa aproximação para K:
K=((1-x)/(1+x))
(1+xɷ
K=1+4x+ɷ
x (13)
Esta fórmula é bem conveniente para estimar K nas regiões de interesse na análise
RBS.
Se soubermos a energia com que aceleramos o átomo do feixe E0, sua massa e a energia E1
e o ângulo da partícula retroespalhada, a única incógnita nas equações será agora a massa
M2.
Na prática, quando temos um alvo composto por dois materiais de massas próximas
diferindo de ѐM2 é necessário que as energias das partículas retroespalhadas difira em ѐE1
Da figura x vemos que para uma massa M1 fixa a variação de K é máxima para ɽ
igual a 180
Temos então que a posição mais lógica para se colocar um detetor é 180 .
Entretanto existem problemas práticos que impedem que coloquemos o detetor a 180
pois
O
são os mais
no centro do detetor para que o feixe possa passar pelo mesmo. Supondo um feixe de He
M2>>M1:
ѐE1=E0(4-ɷ
)(M1/M2
) ѐM2 (15)
deste limite, não podemos distinguir entre as duas massas do alvo. Para melhorarmos esta
180
(pequeno ɷ).
Por último, o fator cinemático representa a alma da análise por RBS, é importante
termos entendimento de como ele se modifica para os diferentes ângulos e massas dos
Num espectro de RBS temos no eixo Y a contagem das partículas detectadas. Para
que uma partícula seja retroespalhada e apareça na contagem no eixo Y é necessário que
esta partícula realize uma colisão e atinja o detetor. Qual a probabilidade de uma partícula
sofrer uma colisão e gerar um espalhamento num ângulo ɽ é a questão que vamos
esclarecer.
na amostra. A
probabilidade de se detectar as partículas espalhadas por átomos do alvo é dada pela seção
()
ё
ёQ
dQ
dNt
ʍ1
(16)
Onde t.N é o número de átomos de uma espécie por unidade de área na amostra.
Voltando ao número de partículas detectadas, ele esta relacionado com a seção de choque
por:
=ё
por cm na amostra
número de átomos
partículas incidentes
número total de
etadas
número de partículas
det
ʍ (17)
chegando no detetor, podemos associar dʍ/dё uma seção de choque média por:
ёё
=
юё
dʍ
(18)
Onde ё=a/l
A=ʍ ё Q N t (19)
A seção de choque e .
espalhamento pode ser calculada a partir da força que age nas partículas durante a colisão.
pois M1<<M2) é dada pela equação 20. Esta é a fórmula clássica de Rutherford obtida em
-2
sen
-4
(ɽ/2). A equação foi desenvolvida no sistema CGS e a conversão pode ser feita
substituindo e
por q
/4ʋ ɸ0.( )
ZZ e
c Ec c
ёɽ
12
2
2
sin 4 2
(20)
ɽc=180
-5
K do átomo de Prata, 10 vezes maior que o raio do núcleo. A seção de choque nestas
-10
nm
ou 2.9b (1b=1barn=10
-24
cm
.(
retroespalhamento(RBS).
Transformando a equação 20 acima para o sistema de coordenadas do laboratório,
()
()
ZZ e
MM
MM
ɽɽ
о
+
12
12
12
1
1
sin
sin cos
sin
(21)
/4E)
Rutherford depende apenas da razão das massas M1/M2 do projétil e do alvo e do ângulo de
mostrado na figura 10. Observamos que dʍ/dё tem seu valor mínimo para qualquer
como ɽ=ʋ-ɷ, a
(dʍ/dё)/(Z1Z2e
/4E)
2
=(1-x
+(1/2)bɷ
(22)Onde b=1-3x
+2x
varia muito com o ângulo de espalhamento. Isto nos permite usar detetores em ângulos
menores a 180
M1<<M2, no canto inferior da figura 10, a dependência angular da equação (21) pode ser
ZZ e
M
M
ʍɽ
12о
2
2
41
42
sin 2 ! (23)
O último termo da .
- dʍ/dё é proporcional a Z1
He(Z=2) é 4 vezes maior que a obtida com feixe de H(Z=1) e apenas um nono da produzida
- dʍ/dё é proporcional a Z2
-2
). A
função de ɽ apenas;
retroespalhamento e razão das massas.Para alguns casos são necessárias aproximações melhores
para a seção de choque.
Quando ɽ é tende a zero, ʍ tende ao infinito, que viola a condição de que a seção de
espalhamento de um átomo deve ser pequena o suficiente para que não se sobreponha a
grandes distâncias entre o átomo e o núcleo nas quais as colisões são apenas eletrônicas.
Neste tipo de colisão a interação eletrostática não tem muito importância e a fórmula para a
seção de choque tem de ser corrigida. Uma situação similar acontece quando projéteis de
baixa energia colidem com átomos pesados. Nestes casos é necessário incluir o efeito de
Como comentário final, a seção de choque diferencial deve ser usada conforme o
grau que necessitamos na nossa análise. Para alguns tipos de analisadores é necessário
alterar a seção de choque. Estes tipos, eletrostáticos e magnéticos, tem boa resolução e
Quando um íon com alta energia se move em um meio material, este perde energia
em seu caminho devido a colisões com elétrons livres ou não ou colisões atômicas de baixo
a energias altas, o processo dominante é a colisão eletrônica e para baixas energias temos
interações nucleares. Partículas de alta energia quando atingem um alvo devem penetrá-lo
devido ao grande ângulo de espalhamento que é necessário para que as partículas sofram o
ordem, os íons implantados, primeira ordem, tem que gerar colisões para que possam ser
detectados, segunda ordem.
, os íons perdem
ionizações dos elétrons dos átomos. Apesar de ser um fenômeno quântico e discreto, o
Os conceitos usados para descrever como uma partícula caminha dentro da matéria
são derivados de considerações energéticas. Quando um íon se move dentro da matéria, ele
)] (25)
ɸ = -1/N dE/dx[eV/(at/cm
)]=[eVcm
sinal negativo indica que um valor positivo para o poder de freamento já que para um
aumento da distância percorrida, a energia decresce. O desenvolvimento da formulação para
o freamento eletrônico foi primeiramente desenvolvido por Bohr em 1913. Uma formulação
mais correta foi proposta por Bethe contendo várias correções desde a inclusão de elétrons
velocidade do íon comparado com a velocidade média dos elétrons nas camadas atômicas.
processo é visto como uma pequena perturbação atômica pequena e repentina. Neste caos
temos:
dE/dx=(4ʋZ1
/mv
) NZ2ln(2mv
/I) (27)
Quando v>ve, o poder de freamento para determinado projétil aumenta à medida que
sua energia diminui, o projétil despende mais tempo na vizinhança de um mesmo átomo, e
aumenta linearmente com a densidade do meio. Em regimes de baixa velocidade, v<ve, e
com o projétil não totalmente ionizado, observa-se que o poder de freamento cresce
linearmente com a velocidade. O efeito combinado é uma curva como mostrado na figura
11 abaixo em que o ponto máximo separa dois regimes. Em análise que RBS trabalha-se
em geral com energias do feixe na região de máximo poder de freamento nas quais S varia
de 30 a 60 eV/A.
a perda de energia de um feixe de íons num filme fino com espessura t é dada com boa
aproximação por:
ѐE t
dE
dx
dx
dE
dx
in
( ) ю = (29)
uma escala linear entre ѐE e t. Em filmes com espessuras menores que 100nm a variação de
energia é suficientemente pequena para que a aproximação de superfície seja usada, dE/dx|in
é calculado para energia inicial E0 ou KE0. Em filmes de maior espessura, podemos usar a
aproximação de energia média onde dE/dx é calculado para a energia média do percurso.
Para um filme de Pt com 500nm de espessura a aproximação de energia média produz uma
feixe com energia E0 incidem com ângulo ɽ1 até uma profundidade x e emergem com
saída) temos:
E=E0-(x/cosɽ1)(dE/dx)|e (30)
E1=KE-(x/cosɽ2)(dE/dx)|s
(31)
ѐEd=KE0-E1=[S].x (32)
Com [S]=-[(1/cosɽ1)(dE/dx)|e+(1/cosɽ2)(dE/dx)|s
(33)
[S]=-[(S(E0)/cosɽ1)+(S(KE0)/cosɽ2) (34)Uma equação similar pode ser escrita para o fator de seção
de choque de freamento
[ɸ].
[ɸ]=-[(E(E0)/cosɽ1)+(E(KE0)/cosɽ2)] (35)
A perda de energia de uma partícula em sua trajetória em um meio material pode ser
vista como uma seqüência aleatória de choques independentes com os átomos do meio.
Para um material composto com mais de uma espécie atômica, a seção de choque de
espécie pelo número de átomos constituintes, que é conhecido como a regra de Bragg:
ɸ(AmBn)=mɸ(A)+nɸ(B) (36)
5-Métodos de Medida
como podemos interpretar um espectro desses a partir dos fundamentos da seção anterior.
Nesta seção faremos uma análise geral, exemplos específicos são mostrados na próxima
seção.
ou He
com
Este sinal é processado por um analisador multicanal que o classifica conforme a sua
amplitude que corresponde a uma escala em energia. Estes pulsos são então contados em
relação as escalas de energia e ao final temos uma tabela de contagens por energia, que é o
contagens(yield) no eixo Y por canal ou energia no eixo X que visam análise de um modo
rápido.
parâmetro específico da partícula como seu momento, energia, velocidade ou carga etc. A
partir da caracterização da partícula de acordo com o tipo de detetor temos diferentes nomes
para os espectros. Vamos nos concentrar em detetores de energia que geram um espectro de
retroespalhamento de energia.
contagens vão sendo armazenadas de forma que possamos gerar um gráfico de contagens
por energia. Existe uma correspondência entre contagens e energia normalmente que pode
ser ajustada como uma escala linear entre eles. A precisão dos canais é responsável pela
discriminação de massas.
eixo X em energia e vice versa. Normalmente um espectro RBS é interpretado como uma
no canal i para
a energia E1,i
Os termos H e Hi .
E1 é dada por E1=KE0 do primeiro elemento que aparece no espectro, normalmente o mais
pesado. Na energia KE0 a altura H costuma se chamar de altura de superfície, que
que foi mostrado até agora. O espectro é de um filme de SiO2 de espessura t=300nm sobre
um substrato de Carbono mostrado na figura 15 abaixo. Este tipo de situação não tem
aplicações na microeletrônica mas serve para que entendamos como funciona uma análise
amostra pelos átomos. A energia onde teremos espalhamento para os átomos de Si é KSiE0 e
para o Oxigênio KOE0. Ao atingir a interface com o substrato a energia do feixe é E=E0-ѐE.
determinar então dE/dx do filme para que possamos saber a sua estequiometria, o problema
KCE. As partículas espalhadas emergem cada qual com sua energia, são mais uma vez
freadas no seu caminho de saída através do filme , rumo ao detetor, emergindo com as
energias:
Num filme fino como o da figura 15, a largura dos picos elementares no espectro
ѐE0=[S]O
meio
t ѐESi=[S]Si.
meio
(t (38.
Onde [S]y filme indica que no cálculo de [S] usa se o fator cimático Ky e o poder de
freamento do meio(SiO2). As equações (37) nos mostram como podemos obter a
energia entre Ek e Ek-ɷ. A relação (32) permite associar a cada canal com uma largura ɷ,
uma fatia da camada, da amostra com espessura x=[S]ɷ. Dessa forma, o número de eventos
Hk=ʍi
Ek).ё.Q.Ni).
(xi
/cosɽ1) (39)
-1
não ser normal à superfície. Usando (38) e substituindo [So]/N=[ɸo] assumindo válida a
Hk=ʍi
Eo).ё.Q.ni).
(ɷ/([ɸo]i
meio
cosɽ1))=Ho (40)
o fator de seção de choque de freamento calculado conforme (35). A equação acima mostra
diretamente proporcional a:
vale N=ɇNi;
eletrônica;
f- [ɸo]
-1
g- (cosɽ1)
-1
normal.
[]()
[]()
meio
BoBoA
meio
AoAoB
oB
oA
En
En
ʍɸ
ʍɸ
= (41)
ordem zero, pode-se supor [ɸ]B/[ɸ]A=1 e calcular (nA/nB)o. Com este valor é possível estimar
[ɸ]B/[ɸ]A e refinar o cálculo de nA/nB. Uma única interação produz, em geral, resultados
e da densidade
atômica do meio, depende apenas das frações atômicas dos elementos que compõem o
filme.
microeletrônica que tem resultados interessantes no que diz respeito ao tipo característico
da forma do espectro.
contato de NiSi sobre Si. Vemos que o espectro de espalhamento do Ni fica separado dos
outros sinais devido ao seu fator cinemático ser muito maior que o do Si. Este tipo de
espectro é bem comum quando temos algum tipo de Siliceto, devido aos metais terem
maiores(um espectro semelhante deve ser obtido para TiSi, WSi etc.).
Para o resto do espectro, vemos que o sinal do Si do filme fica separado do sinal do
estão chegando no
substrato foi reduzida devido sua passagem através do filme. A altura dos espectros de
espalhamento reflete a composição do do filme, que neste caso é de 30% de Ni e 70% de Si.
Outro exemplo que podemos mostrar que ilustra problemas com relação ao tipo de
de AlN sobre substratos de GaAs. Neste caso, o sinal do substrato está sobreposto sobre o
espectro, ao centro do gráfico, mas o sinal devido ao Nitrogênio se confunde com o ruído
de fundo. Outro problema que podemos observar é uma contaminação com Oxigênio no
filme, que piora ainda mais o sinal de espalhamento do Nitrogênio. Na figura ainda são
Deste espectro podemos concluir que para elementos leves, como N ou O, o ideal seria um
substrato de C que separaria o sinal das espécies atômicas.Figura 17 - Espectro RBS de um filme de
AlN sobre GaAs.
Existem alguns casos em que as análise de RBS são feitas em condições especiais
íons. Através desta técnica podemos analisar três importantes fenômenos: Quantidade e
Neste tipo de análise é necessário que o feixe de íons esteja alinhado com as
direções dos canais representados por algumas direções dos cristais. O procedimento de
alinhamento é o primeiro passo neste tipo de técnica e consiste a grosso modo em se rodar o
cristal e obter os pontos onde temos mínimos de contagem. A partir destes resultados
- tipos de análise:
Impurezas substicionais:
figura 18 mostra um diagrama esquemático e o espectro RBS obtido para uma análise deste
tipo. Na figura, a área sombreada é o resultado da canalização. Podemos ver que o sinal dos
átomos do substrato representados por círculos tem sua intensidade reduzida na canalização
e que apenas as impurezas que estão presentes fora da rede cristalina aparecem com boa
- Desordem da rede:
Neste caso a técnica de canalização nos permite inferir sobre como se encontra o
arranjo cristalino. Novamente é necessário que o feixe esteja alinhado para criar o efeito de
canalização. Na figura 19 vemos o espectro que mostra a diferença entre um cristal perfeito
implantação de íons para se criar uma camada dopada. A danificação do cristal é superficial
devido a implantação e fica representada no sinal de RBS pela área sombreada da figura.
que representam potenciais erros na interpretação dos espectros como camadas amorfizadas
na superfície de grande espessura que são capazes de acabar com a orientação entre o feixe
baixa orientação(b). Já para o caso (c), a orientação do policristal já é o suficiente para gerar
poderiam ser obtidos por meio de outras técnicas como difração de raios-X. Como
9- Conclusões
finos com boa precisão. Os espectros obtidos são simples de ser interpretados e podemos
-É não destrutiva, apesar dos átomos do feixe ficarem implantados na amostra, que
critalográfica;
18
/cm
1-Introducción
2.1-superficie impurezas
2.3-medición de espesor
4.1-Introducción
4.2-factor cinematográfica
dispersión y 4.3-transversal
Métodos de medición de 5
9-Conclusiones
1-Introducción
PIXE (protones inducida por la emisión de rayos x) son parte de un conjunto más amplio de
métodos
(H)
Él
o él
++
en. La energía de iones algunos MeV limitada la profundidad analizada en algunos µm,
por lo tanto estas técnicas conocidas como análisis de películas delgadas. Los métodos de
periódico excepto h y él, con límites de detección desde fracciones de un por ciento hasta ppm
monoenergético víctimas de colisiones con los átomos del destino que analizamos y queforam
retro-espalhadas (Backscattering). Durante la colisión incidente perderá iones
energía por colisiones con los átomos del material, la tasa de reducción de la energía de la
partícula
átomo de destino. Esto permite identificar que la masa de los átomos del objetivo y, por tanto,
que
puede
partícula incidente, que se mide por la corriente del haz. La conexión entre a y q
se muestra en la figura 1.
de la muestra. De esta manera se puede establecer una escala de profundidad con energía
-Haz de energía;
-La relación entre la masa de la partícula incidente y el destino (que llamaremos después
factor cinematográfica)
-El lugar donde la colisión produjo (superficie mayor energía, dentro de la película-menos
químico de acuerdo con algunas limitaciones. Es necesario comprender lo que está analizando
para la interpretación correcta de los espectros obtenidos. Lo que es muy común en el análisis
podem gerar distorções nos espectros, elementos pesados incorporados aos filmes podem
fazer com que sinais de elementos leves como Oxigênio e Nitrogênio desapareçam do
de RBS brevemente para que o leitor se familiarize com os tipos de problemas encontrados.
15
átomos/cm
superfície tem seu pico de espalhamento na energia KmE0 (Km fator cinemático do elemento
m). Devemos notar que a conversão de massa-energia via fator cinemático é única mas não
linear. A área de cada pico é proporcional ao número de átomos de impureza por unidade de
pico reflete a diferença entre a seção de choque eespalhamento entre os elementos. Isto
medir a quantidade de cada elemento dividindo a área de cadapico pela seção de choque
mas a
energia com que os íons de He estão atingindo estes átomos émenor, gerando o perfil na
por espessura.
Comparado com outros tipos de medida, o RBS não é tãosensível para pequenas
inferir a espessura de uma análise de RBS é que podemoscorrigir a nossa análise de uma
forma coerente. Basicamente a largura do pico depende daespessura do filme como mostra
a figura 4. Isto quer dizer que a energia onde começa oespectro é KmE0 e quanto mais
espectro. Como exemplo, partimos de filme fino homogêneosobre um substrato que deve
ser espesso suficiente para ser considerado infinito(porvolta de 10µm é o suficiente). Este
compostos pelo filme(isto faz com que os picos deespalhamento do filme fiquem longe do
localizados em KME0 e KmE0. A largura dos picos nos trás ainformação da espessura do
precisamos então
No caso de termos um filme espesso, o suficiente para que amaior parte da energia
espalhamento da massa M vão agora se estender desde KME0 até0(pois o filme é espesso,
ou infinito para o feixe). As contagens para o elemento m,mais leve, também se estenderão
átomos/cm
Normalmente são usados substratos de Si que geram umespectro bem largo e todos os
usado e do filme nas análises de RBS. Filmes de SiO2 sobreSi geram espectros que emprimeira
ordem podem ser simples mas que não podemmostrar como fica a distribuição do
Si com a profundidade no SiO2. Precisamos antes de fazer umaanálise RBS prever quais
vai ficar em energias pequenas não se misturando com osoutros espectros de espalhamento.
4.1- Introdução
Outra vantagem da análise por RBS está na teoria usada pararesolver os espectros,
que usa mecânica clássica assumindo que as colisões entre aspartículas são elásticas. Os
como:
elástica entre dois corpos, que nos leva ao conceito dofator cinemático e da capacidade de
detecção da massa.
composição atômica.
faz com que os átomos do feixe tenham um alcance médio maiorgerando informações de
elasticamente contra outra de massa M2 parada, como nafigura 7, a energia será transferida
da partícula M1 para M2. Podemos calcular quanto será estatransferência partindo de uma
- A partícula do feixe tem energia E0 grande, maior que aenergia de ligação dos
, efeito nucleares
espectro RBS.
1/2(M1V0
)=1/2(M1V1
+M2V2
2
) (1)
M1V0=M1V1cosɽ+M2V2cosʔ (2)
0=M1V1sinɽ-M2V2sinʔ (3)
Eliminando ʔ e V2 temos:
V1/V2=((M2
-M1
sin
ɽ)
1/2
+M1cosɽ)/(M2+M1) (4)
K=E1/E0 (5)
KM2 = [((M2
-M1
sin
ɽ)
1/2
+M1cosɽ)/(M2+M1)]
(6)
KM2 = [(1-(M1/M2)
sin
ɽ)
1/2
+(M1/M2)cosɽ)/(1+(M1/M2))]
(7)
Portanto temos como calcular o fator cinemático para cadapar feixe elemento. Isto
KM2=1-(2M1M2/(M1+M2)
)(1-cosɽc) (8)
O fator cinemático portanto depende apenas da razão dasmassas dos átomos do alvo e feixee do
ângulo de espalhamento. Abreviando arazão M2/M1 por x, vamos analisar como K se
mostrado na figura 8, notamos que para qualquer razão de x,K tem seu valor mínimo em ɽc
igual a 180
O
Calculando os valores para 180 e 90 .
temos:
K(ɽc =180)=[(1-x)/(1+x)]
(9)
massa x.
Do gráfico vemos que se temos a mesma massa para os átomosdo alvo e feixe,
de uma expressão aproximada para K. Para isso usamos ɷcomo a diferença entre ɽ e 180
ɷ=ʋ - ɽ (11)
K=((1-x)/(1+x))
(1+xɷ
2
) (12)Quando ɽ se aproxima de 180
K=1+4x+ɷ
x (13)
Esta fórmula é bem conveniente para estimar K nas regiões deinteresse na análise
RBS.
Se soubermos a energia com que aceleramos o átomo do feixeE0, sua massa e a energia E1
M2.
Na prática, quando temos um alvo composto por dois materiaisde massas próximas
Da figura x vemos que para uma massa M1 fixa a variação de Ké máxima para ɽ
igual a 180
Temos então que a posição mais lógica para se colocar umdetetor é 180 .
.
Entretanto existem problemas práticos que impedem quecoloquemos o detetor a 180
pois
são os mais
no centro do detetor para que o feixe possa passar pelomesmo. Supondo um feixe de He
M2>>M1:
ѐE1=E0(4-ɷ
)(M1/M2
2
) ѐM2 (15)
deste limite, não podemos distinguir entre as duas massas doalvo. Para melhorarmos esta
180
(pequeno ɷ).
termos entendimento de como ele se modifica para osdiferentes ângulos e massas dos
que uma partícula seja retroespalhada e apareça na contagemno eixo Y é necessário que
esta partícula realize uma colisão e atinja o detetor. Quala probabilidade de uma partícula
sofrer uma colisão e gerar um espalhamento num ângulo ɽ é a questão que vamos
esclarecer.
na amostra. A
()
ё
ёQ
dQ
dNt
ʍ1
(16)
Onde t.N é o número de átomos de uma espécie por unidade deárea na amostra.
por:
=ё
por cm na amostra
número de átomos
partículas incidentes
número total de
etadas
número de partículas
det
ʍ (17)
ёё
юё
dʍ
(18)
Onde ё=a/l
A=ʍ ё Q N t (19)
A seção de choque e .
espalhamento pode ser calculada a partir da força que agenas partículas durante a colisão.
pois M1<<M2) é dada pela equação 20. Esta é a fórmulaclássica de Rutherford obtida em
1911, que apesar de aproximada, já estabelecia a corretadependência de sigma com E
-2
sen
-4
(ɽ/2). A equação foi desenvolvida no sistema CGS e aconversão pode ser feita
substituindo e
por q
/4ʋ ɸ0.( )
ZZ e
c Ec c
ёɽ
=
12
sin 4 2
(20)
ɽc=180
-5
K do átomo de Prata, 10 vezes maior que o raio do núcleo. Aseção de choque nestas
-10
nm
ou 2.9b (1b=1barn=10
-24
cm
.(
retroespalhamento(RBS).
()
()
ZZ e
MM
MM
ɽɽ
=
о
12
12
12
2
sin
sin cos
sin
(21)
/4E)
Rutherford depende apenas da razão das massas M1/M2 doprojétil e do alvo e do ângulo de
mostrado na figura 10. Observamos que dʍ/dё temseu valor mínimo para qualquer
como ɽ=ʋ-ɷ, a
seção de choque diferencial aumenta quadraticamente comɷ.
(dʍ/dё)/(Z1Z2e
/4E)
=(1-x
+(1/2)bɷ
(22)Onde b=1-3x
+2x
varia muito com o ângulo de espalhamento. Isto nos permiteusar detetores em ângulos
menores a 180
M1<<M2, no canto inferior da figura 10, a dependênciaangular da equação (21) pode ser
ZZ e
ʍɽ
+
12о
41
42
sin 2 ! (23)
O último termo da .
- dʍ/dё é proporcional a Z1
He(Z=2) é 4 vezes maior que a obtida com feixe de H(Z=1) eapenas um nono da produzida
- dʍ/dё é proporcional a Z2
-2
). A
função de ɽ apenas;
grandes distâncias entre o átomo e o núcleo nas quais ascolisões são apenas eletrônicas.
Neste tipo de colisão a interação eletrostática não temmuito importância e a fórmula para a
seção de choque tem de ser corrigida. Uma situação similaracontece quando projéteis de
baixa energia colidem com átomos pesados. Nestes casos énecessário incluir o efeito de
grau que necessitamos na nossa análise. Para alguns tipos deanalisadores é necessário
alterar a seção de choque. Estes tipos, eletrostáticos emagnéticos, tem boa resolução e
Quando um íon com alta energia se move em um meio material,este perde energia
em seu caminho devido a colisões com elétrons livres ou nãoou colisões atômicas de baixo
ordem, os íons implantados, primeira ordem, tem que gerarcolisões para que possam ser
, os íons perdem
ionizações dos elétrons dos átomos. Apesar de ser umfenômeno quântico e discreto, o
grande número de eventos que ocorre no freamento nuclear deum íon permite um
são derivados de considerações energéticas. Quando um íon semove dentro da matéria, ele
)] (25)
ɸ = -1/N dE/dx[eV/(at/cm
2
)]=[eVcm
sinal negativo indica que um valor positivo para o poder defreamento já que para um
mais correta foi proposta por Bethe contendo váriascorreções desde a inclusão de elétrons
velocidade do íon comparado com a velocidade média doselétrons nas camadas atômicas.
processo é visto como uma pequena perturbação atômicapequena e repentina. Neste caos
temos:
dE/dx=(4ʋZ1
/mv
) NZ2ln(2mv
/I) (27)
2
[eV]). Rescrevendo a equação acima em função da
sua energia diminui, o projétil despende mais tempo navizinhança de um mesmo átomo, e
com o projétil não totalmente ionizado, observa-se que opoder de freamento cresce
11 abaixo em que o ponto máximo separa dois regimes. Emanálise que RBS trabalha-se
em geral com energias do feixe na região de máximo poder defreamento nas quais S varia
de 30 a 60 eV/A.
a perda de energia de um feixe de íons num filme fino comespessura t é dada com boa
aproximação por:
ѐE t
dE
dx
dx
dE
dx
in
( ) ю = (29)
Onde dE/dx|in é calculado em alguma energia intermediáriaentre a energia incidente
uma escala linear entre ѐE e t. Em filmes comespessuras menores que 100nm a variação de
energia é suficientemente pequena para que a aproximação desuperfície seja usada, dE/dx|in
é calculado para energia inicial E0 ou KE0. Em filmes demaior espessura, podemos usar a
aproximação de energia média onde dE/dx é calculado para aenergia média do percurso.
Para um filme de Pt com 500nm de espessura a aproximação deenergia média produz uma
feixe com energia E0 incidem com ângulo ɽ1 até umaprofundidade x e emergem com
saída) temos:
E=E0-(x/cosɽ1)(dE/dx)|e (30)
E1=KE-(x/cosɽ2)(dE/dx)|s
(31)
ѐEd=KE0-E1=[S].x (32)
Com [S]=-[(1/cosɽ1)(dE/dx)|e+(1/cosɽ2)(dE/dx)|s
(33)
[ɸ].
[ɸ]=-[(E(E0)/cosɽ1)+(E(KE0)/cosɽ2)] (35)
A perda de energia de uma partícula em sua trajetória em ummeio material pode ser
Para um material composto com mais de uma espécie atômica, aseção de choque de
ɸ(AmBn)=mɸ(A)+nɸ(B) (36)
5-Métodos de Medida
Nesta seção faremos uma análise geral, exemplos específicossão mostrados na próxima
seção.
ou He
com
Este sinal é processado por um analisador multicanal que oclassifica conforme a sua
amplitude que corresponde a uma escala em energia. Estespulsos são então contados em
relação as escalas de energia e ao final temos uma tabela decontagens por energia, que é o
contagens(yield) no eixo Y por canal ou energia no eixo Xque visam análise de um modo
rápido.
partir da caracterização da partícula de acordo com o tipode detetor temos diferentes nomes
para os espectros. Vamos nos concentrar em detetores deenergia que geram um espectro de
retroespalhamento de energia.
contagens vão sendo armazenadas de forma que possamos gerarum gráfico de contagens
por energia. Existe uma correspondência entre contagens eenergia normalmente que pode
ser ajustada como uma escala linear entre eles. A precisãodos canais é responsável pela
discriminação de massas.
eixo X em energia e vice versa. Normalmente um espectro RBSé interpretado como uma
a energia E1,i
Os termos H e Hi .
E1 é dada por E1=KE0 do primeiro elemento que aparece noespectro, normalmente o mais
que foi mostrado até agora. O espectro é de um filme de SiO2de espessura t=300nm sobre
aplicações na microeletrônica mas serve para que entendamoscomo funciona uma análise
para o Oxigênio KOE0. Ao atingir a interface com o substratoa energia do feixe é E=E0-ѐE.
determinar então dE/dx do filme para que possamos saber asua estequiometria, o problema
KCE. As partículas espalhadas emergem cada qual com suaenergia, são mais uma vez
freadas no seu caminho de saída através do filme , rumo aodetetor, emergindo com as
energias:
Num filme fino como o da figura 15, a largura dos picoselementares no espectro
ѐE0=[S]O
meio
t ѐESi=[S]Si.
meio
(t (38.
Onde [S]y filme indica que no cálculo de [S] usa se o fatorcimático Ky e o poder de
energia entre Ek e Ek-ɷ. A relação (32) permiteassociar a cada canal com uma largura ɷ,
uma fatia da camada, da amostra com espessura x=[S]ɷ.Dessa forma, o número de eventos
Hk=ʍi
Ek).ё.Q.Ni).
(xi
/cosɽ1) (39)
-1
Hk=ʍi
Eo).ё.Q.ni).
(ɷ/([ɸo]i
meio
cosɽ1))=Ho (40)
O índice "o" explicita a importante condição deespalhamento na superfície e [ɸo] é
diretamente proporcional a:
b- ni=Ni
vale N=ɇNi;
eletrônica;
f- [ɸo]
-1
g- (cosɽ1)
-1
normal.
[]()
[]()
meio
BoBoA
meio
AoAoB
oB
oA
En
En
ʍɸ
ʍɸ
= (41)
ordem zero, pode-se supor [ɸ]B/[ɸ]A=1 e calcular(nA/nB)o. Com este valor é possível estimar
e da densidade
atômica do meio, depende apenas das frações atômicas doselementos que compõem o
filme.
da forma do espectro.
contato de NiSi sobre Si. Vemos que o espectro deespalhamento do Ni fica separado dos
outros sinais devido ao seu fator cinemático ser muito maiorque o do Si. Este tipo de
espectro é bem comum quando temos algum tipo de Siliceto,devido aos metais terem
estão chegando no
substrato foi reduzida devido sua passagem através do filme.A altura dos espectros de
Na figura ainda vemos os espectros sem o sinal de fundo doSi e a densidade retirada da
Outro exemplo que podemos mostrar que ilustra problemas comrelação ao tipo de
de AlN sobre substratos de GaAs. Neste caso, o sinal dosubstrato está sobreposto sobre o
espectro, ao centro do gráfico, mas o sinal devido aoNitrogênio se confunde com o ruído
filme, que piora ainda mais o sinal de espalhamento doNitrogênio. Na figura ainda são
Deste espectro podemos concluir que para elementos leves,como N ou O, o ideal seria um
Existem alguns casos em que as análise de RBS são feitas emcondições especiais
para obtermos informações diferenciadas. Um destes tipos sãoas análise de canalização de
alinhamento é o primeiro passo neste tipo de técnica econsiste a grosso modo em se rodar o
cristal e obter os pontos onde temos mínimos de contagem. Apartir destes resultados
- tipos de análise:
Impurezas substicionais:
figura 18 mostra um diagrama esquemático e o espectro RBSobtido para uma análise deste
tipo. Na figura, a área sombreada é o resultado dacanalização. Podemos ver que o sinal dos
e que apenas as impurezas que estão presentes fora da redecristalina aparecem com boa
- Desordem da rede:
arranjo cristalino. Novamente é necessário que o feixeesteja alinhado para criar o efeito de
canalização. Na figura 19 vemos o espectro que mostra adiferença entre um cristal perfeito
implantação de íons para se criar uma camada dopada. Adanificação do cristal é superficial
na superfície de grande espessura que são capazes de acabarcom a orientação entre o feixe
- Filmes Policristalinos:
baixa orientação(b). Já para o caso (c), a orientação dopolicristal já é o suficiente para gerar
poderiam ser obtidos por meio de outras técnicas comodifração de raios-X. Como
9- Conclusões
finos com boa precisão. Os espectros obtidos são simples deser interpretados e podemos
critalográfica;
18
/cm