MATERIALES ELECTRNICOS

Tipos de sustancias
Son sustancias inorgnicas unidas mediante enlaces covalentes altamente direccionales. Son bsicamente elementos del grupo 14 (Si o Ge) que pueden tener impurezas de elementos de los grupos 13 (B,Al y Ga) y 15 (P,As y Sb).

Clasificacin
Los materiales electrnicos estn formados por semiconductores fundamentalmente. Los semiconductores se pueden clasificar en: Semiconductores Intrnsecos Son aquellos materiales cuyas conductividades elctricas se encuentran entre la de los metales, altamente conductores y la de los aislantes, pobremente conductores. Son semiconductores puros cuya conductividad elctrica est determinada por sus propiedades conductoras innatas. Los elementos Si y Ge puros son materiales semiconductores intrnsecos. Semiconductores Extrnsecos Son soluciones slidas muy diluidas donde existen impurezas con caractersticas de valencia distintas a las de la red que acta como disolvente. La concentracin de las impurezas est entre 100 y 1000 partes por milln. Pueden ser de dos tipos: Tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen elementos del grupo 15 los cuales debido a que tienen un electrn mas en su capa de valencia que los elementos del grupo14 se comportan como impurezas donadoras de electrones o portadores negativos. Tipo p: En este caso se introducen elementos del grupo 13 que presentan un electrn menos en su capa de valencia, por lo que se comportan como aceptores o captadores de electrones.

Estructura Cristalina
Los semiconductores intrnsecos presentan estructura cristalina cbica compacta donde los tomos de Si o Ge se unen mediante enlaces covalentes altamente direccionales.

Propiedades Fsicas
CONDUCTIVIDAD ELCTRICA Semiconductores intrnsecos: La conductividad elctrica se produce cuando un electrn de la banda de valencia (llena) absorbe la suficiente energa para saltar a la banda de conduccin (vaca) creando dos portadores de carga, un electrn y un hueco positivo.

 Semiconductores extrnsecos: La conductividad elctrica se ve favorecida por la accin de las impurezas existentes en estos materiales. Tipo n: Se crea un nivel donor donde encontramos el electrn extra que poseen las impurezas. Este nivel energtico se encuentra cerca de la banda de conduccin facilitando el salto electrnico. Tipo p: Se crea un nivel aceptor por la adicin de un elemento del grupo 13, muy prximo a la banda de valencia, de forma que con una pequea cantidad de energa el electrn puede saltar al nivel aceptor. Al suceder esto se crea un hueco positivo en la banda de valencia, cuya movilidad produce la conduccin elctrica. Relacin Conductividad/Temperatura Semiconductores intrnsecos La conductividad aumenta con la temperatura de forma lineal rpidamente, ya que los electrones de la banda de valencia se activan trmicamente saltando a la banda de conduccin. Semiconductores extrnsecos En la relacin conductividad/temperatura podemos diferenciar tres rangos: Rango extrnseco: Se da a bajas temperaturas, la conductividad no se ve muy afectada por el aumento de la temperatura. Rango de agotamiento ( tipo n) o Rango de saturacin (tipo p): donde la conduccin se mantiene constante debido a que los tomos donores y aceptores se encuentran todos ionizados. Rango intrnseco: Se da a altas temperaturas, se comporta igual que un semiconductor intrnseco. CONDUCTIVIDAD TRMICA Son malos conductores trmicos debido a que los tomos de la red cristalina estn unidos mediante enlaces covalentes que impiden la movilidad de los tomos y por lo tanto la difusin del calor. Esta propiedad es importante de cara a sus aplicaciones como componentes electrnicos.

Propiedades Mecnicas
Son consecuencia de las uniones covalentes altamente direccionales entre sus tomos, lo cual no permite su deformacin, haciendo que estos materiales sean poco dctiles y por tanto son frgiles.

Aplicaciones
Tienen multitud de aplicaciones en el campo de la electrnica. A partir de obleas de Si se fabrican: Chip de Si Memorias digitales a gran escala (LSI) por ejemplo memorias RAM

Diodos de Si rectificadores que transforman la corriente continua en corriente alterna y diodos de avalancha que se usan como limitadores de tensin