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Electrnica de Comunicaciones

Curso 2009/2010

GR

Captulo 3

Osciladores

Oscilador: Definicin
Genera seales peridicas Convierte potencia de DC a RF
DC v(t)=V0 cos(0t) Sv(f)=1/2V02[(-0)+(+0)]

DC

v(t)=V0 f (t,T0) Sv(f)=1/2an2[(-n0)+(+n0)]


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Tema 3 - Osciladores

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Estructura de un oscilador
Circuito resonante
Variacin rpida con la frecuencia

Elemento activo
Ganancia Resistencia negativa

Elemento activo RL

Acoplamiento A l i
Entre ambos A la carga
Red Resonante
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Ejemplos de osciladores
20mm

Vcc Oscilador O il d 100 MHz MH


1nF 1nF 4k7 26nH Vg 2N5179 160pF 160pF 30pF
G S S

Resonador dielctrico

1k8 Lneas de acoplo FET


D

330

Vd

Oscilador 10 GHz
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Out
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Esquema bsico de realimentacin


Circuito activo A(v)

+
Red de realimentacin ( ) B()

Carga

H ( ) =

A(v ) 1 A(v )B ( )
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A(v )B ( ) = 1
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Condicin de oscilacin
A(v )B() = 1
G = A(v )B() = 1
= Fase[A(v )B()] = 0

Condicin de ganancia Condicin de frecuencia

Condicin de estabilidad
G >0 v
G <0 v <0
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Saturacin Variacin de fase


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Ejemplo 3.1 Condicin de oscilacin


Zin= V1 C R2
A = A(v) R2 1 + (R1 + R2 )+ Ls Cs

Zout=0 v2 L R1

Elemento activo A V1 A(v) v2

A(v)

Red de realimentacin B v2 R1 L C R2
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V1

B(s) =

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Ejemplo 3.1 Condicin de oscilacin


A = A(v) R2 1 + (R1 + R2 )+ Ls Cs

G(s,v)|s= j =

A(v)R2 R1 + R2

B(s) =

donde o =

1 + jQ 0 0 1 1 y Q= (R1 + R2 )0C LC

Arg [G( , v)]= a tan Q 0 0 R2 1 Mod [G( ,v)] = A 2 R1 + R2 0 1 + Q 0

Condicin de oscilacin: =0 A=(R1+R2)/R2


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Respuesta de un circuito resonante


/2 ()

d 2Q = d = 0 0

-/2

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Criterio de Nyquist
Variacin de la funcin de transferencia en lazo abierto

Imag(G)

G(,v)=A(v)B()=|G| exp(j)

G ( , v) = 1
1 v Real(G)

G(v) ( ) >0 v

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Diagrama de polos
Funcin de transferencia en l lazo cerrado d

s=0+j0 v

1 H(s,v)= 1-G(s,v)

v>v0

v<v0 s=0-j0

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Modelo M5120-8000 de G. M.

Frecuencia de oscilacin 8000 MHz Margen de sintona mecnica 10 MHz Potencia de salida 13 dBm Nivel de 2 armnico -25 dBc Nivel de espurias (no armnicas) -70 dBc Estabilidad trmica 2 ppm/ ppm/ Pulling para ROE 1.5:1 0.15 MHz Pushing 2 kHz/V Ruido de fase @10kHz de portadora -90 dBc/Hz @ 100kHz de portadora -120 dBc/Hz Alimentacin Tensin DC 12 a 18 V Corriente 125 mA Impedancia (Conector SMA hembra) 50 Ohm

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Potencia y rendimiento
P0=Potencia total de RF a la salida
P0 = P1 + Pi
Nivel de armnicos relativos al principal
N
i

Pi

P1
10

N i (dBc) = 10Log

Pi P 1

Rendimiento R di i t

P0

PDC
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Frecuencia de oscilacin
Frecuencia de oscilacin

Fija Mecnica Electrnica

Variable Continua Discreta B/F<10% B/F>10%

Patrones

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Deriva trmica
Variaciones de la frecuencia con la temperatura. t t

Oscilador

Variacin absoluta: df/dT (Hz/K) Variacin relativa: 1/f0 df/dT (K-1)


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"Pulling o deriva de carga.


Variaciones de la frecuencia con la impedancia de carga.
= Z Z0 Z + Z0

Oscilador

ZL=R+jX

ROE =

1+ 1

(Z0= Impedancia nominal de carga)


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"Pushing o deriva de alimentacin.


Variaciones de la frecuencia con la Tensin de alimentacin.
Oscilador

VDC

Variaciones absolutas: df/dV (Hz/V) Variaciones relativas: 1/f0 df/dV (V-1)


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Variaciones aleatorias de frecuencia. Ruido de fase


Consideramos una seal sinusoidal con ruido de amplitud y fase v 0 ( t ) = V 0 (1 + n ( t ) ) cos ( 0 t + n ( t ) )
Suponemos valores pequeos de ruido n(t)<<1

n(t) <<1

v 0 ( t ) = V 0 [cos ( 0 t ) + n ( t ) cos ( 0 t ) n ( t ) sen ( 0 t )]


Nos queda : Portadora + Bandas laterales moduladas por n(t) y (t) Suponemos despreciable el ruido de amplitud

v 0 ( t ) V 0 [cos ( 0 t ) n ( t ) sen ( 0 t )]
Portadora
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n(t)<<(t)

Bandas de ruido

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Espectro de ruido
Mximo en la frecuencia de oscilacin Simtrico a ambos lados de la frecuencia de osc. Decrece al separarse de la frecuencia de oscilacin Posee un pedestal fijo para |f-f0|=fm grande |f f
SV ( f m )W / Hz = 10 log(L( f m ) )(dBc) L( f m ) dBc / Hz = 10 log P0 W
SV(f)

L(fm)(dBc)
fm 1Hz f0 Electrnica de Comunicaciones f Osciladores 19

Densidad espectral de ruido de fase


Dada la densidad espectral de potencia de n(t)
S ( f ) = F [ n ( t ) ]
2

La densidad espectral de potencia del oscilador viene dada por :

S V ( f ) = F [V ( t ) ] =
2

( f f 0 )+ S ( f f 0 )+ 1 P0 ( f + f )+ S ( f + f ) 2 0 0

A la inversa, dado el espectro final, la densidad espectral de ruido d f id de fase viene d d por : ( i dada (para fm <<f0)

S ( f ) = 2

SV ( f m ) P0

con y

fm = f f0 P0 = V 02 2
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Espectro de ruido de fase


S (f)

S ( f ) = 2

SV ( f m ) = 2L ( f ) P0

Ruido de fase Ruido de baja frecuencia Mximo en f=0 con Sf infinito

S ( f L ( dBc / Hz ) = 10 Log 2
1Hz 0 f
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)
f

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Ruido de fase o ruido de frecuencia


Modulacin de fase equivalente a una banda B
rms = 2 L ( f m )B

Modulacin de frecuencia equivalente a una banda B


f rms = f m 2 L ( f m )B

Relacin ruido a portadora


f rms Pssb N = 10 Log P.Portadora = 20 Log 2 f C dBc m
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Modelo de Leeson
Ruido generado en el componente activo.
f figura f=figura de ruido. fc=frecuencia Flicker. Psav=Potencia disponible de entrada al elemento activo.

Filtrado por la funcin de transferencia H().


f0=frecuencia de oscilacin. Q Q= factor de calidad del circuito resonante.

1 kT0 f L( f m ) = 2 P sav

2 f c f o 1+ 1 + 2Q f f m m
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Osciladores de bajo Q
Circuitos RC Lneas impresas Varactores
fc < f0 2Q

1/f3 1/f2

fc

f0/2Q

Osciladores de alto Q
S 1/f3
fc > f0 2Q

fm

1/f f0/2Q fc

Cavidades metlicas Cavidades dielctricas Cavidades de Onda Acstica (SAW) Cristal de cuarzo

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fm

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Ruido de fase en algunos osciladores de RF y microondas


Cristal 10MHz

80 100 120

YIG 8GHz LC 500MHz Coaxial 500MHz LC 40MHz

140 160 10 100 1k 10k 100k 1M


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Desplazamiento desde la portadora (fm)


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Componente Activo
DIODOS TRANSISTORES TUBOS DE VACO

Gunn Impat

Bipolar FET

Triodo Klystron Magnetron TWT

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Componentes activos
G unn Im p a t B ip o la r Banda de F r e c u e n c ia 6 -1 0 0 G h z 6 -1 0 0 G h z 0 -7 G h z P o t e n c ia M u y b a ja A lt a A lt a R e n d im ie n t o B a jo (1 % ) M e d io (1 0 % ) A lt o (2 0 % ) A lt o (2 0 % ) A lt o A lt o A lt o A lt o R u id o T r m ic o B ueno M a lo M uy bueno B ueno M a lo B ueno M uy bueno M a lo R u id o 1 /f M uy bueno M a lo M uy bueno R e g u la r M a lo Bueno Bueno M a lo

FET T r io d o K ly s t r o n TW T M a g n e tro n

0 -1 8 G h z 0 -3 G h z 5 -2 0 0 G h z 1 -3 0 G h z 1 -3 0 G h z

M e d ia M u y a lt a A lt a M u y a lt a M u y a lt a

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Estructura Resonante
REDES LC LNEAS IMPRESAS LINEAS COAXIALES CAVIDADES

DISCRETOS IMPRESOS INTEGRADOS VARACTORES

TRIPLACA MICROSTRIP COPLANAR SLOT-LINE FIN-LINE

CIRCULAR CUADRADA BAR-LINE

METLICA DIELCTRICA YIG CUARZO S.A.W.

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Tipos de Osciladores por su circuito resonante


Tipo de Cavidad Circuitos RC (miltivibradores) Circuitos LC Circuitos LC. Integrados de microondas Cristal de Cuarzo Cermicas de OAS (SAW) Resonadores en Lneas planas. Resonadores en Lneas coaxiales. Cavidades en Gua de Onda Cavidades Dielctricas Diodos varactores Cavidad YIG Margen de frecuencia DC a 10MHz 1MHz a 1GHz 1GHz a 10GHz Factor de calidad < 10 104 a 102 102 a 10 106 a 104 10 a 10
3 6 4

Estabilidad Trmica Mala Mediocre Mala

100kHz a 100MHz 10MHz a 1GHz 100MHz a 10GHz 100MHz a 10GHz 1GHz a 100GHz 1GHz a 20 GHz 10MHz a 20 GHz 1GHz a 20GHz

Muy buena Muy buena Mala Mediocre Mediocre Buena Mala Mediocre

10 a 10 10 a 10
4 2

Otros factores o comentarios Sintona en 1 a 2 dcadas Q limitado por las bobinas Bobinas y capacidades impresas en el AsGa Patrones y osciladores fijos Muy estables. Osciladores fijos. Fciles de construir en microondas. Fciles de construir. Poco estable con la temperatura Muy estables Reducido tamao Sintona en 1 oct. Sintona en 50%

105 a 103 105 a 103 10 a 10 10 a 10


4 3 2

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Ejemplo 1 (M-1072 Litton ED) Oscilador con resonador dielctrico


Frecuencia Sintona mecnica Potencia de salida Segundo armnico Espurios Pulling (VSWR=1.5:1) Pushing P hi Estabilidad(-54 a 85C) FM Noise a 30KHz de f0 6 GHz 10MHz 17dBm -25dBc -70 dBc 2.5MHz 0.5MHz/V 0 5MH /V 2.5MHz -98dBm/Hz

Transistor FET Frec. Flicker 1MHz Figura de ruido 10 Factor de calidad 1000 (N/C)SSB=-117dBc/Hz 117dB /H

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Osciladores a cristal
Rs

Xs
Cs Cp

f fs fp

Ls

fs =

1 2 Ls Cs

f p = fs 1+

Cs Cp

Q=

1 2f s Cs Rs
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Resonancia serie
Amplificador R3 R2 + C1 + Cuarzo en resonancia serie R1

f s=

1 2 LC

f s' = f s 1 +

Cs Cs f s 1 + 2(Cp + C1) + C1 Cp
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Cuarzo en resonancia paralelo


Cp R1 C1 R2 C2 R3 CL=C1C2/(C1+C2) Cs<<C1, C2 Cs

Cs f p f s 1 + 2(Cp + CL)
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Osciladores Controlados por Tensin


Cavidades de frecuencia variable variable.
Cavidad YIG controlada por campo magntico.

Componentes de valor controlado por tensin.


Diodo varactor. Transconductancia variable de un FET.

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El diodo Varactor
Cd = Cmin + k (Vd + )

Cd Ls Vd Cd Rd Vd

Rc
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Oscilador controlado por tensin V.C.O.


f0 = 1 CC d 2 L C + Cd
f max = f min Cmax (C + Cmin ) Cmin (C + Cmax )

Para C =
Cb L C Cd RFC

f max = f min

C max C min

Vd

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Ejemplo 3.3: Oscilador LC serie


Amplificador R3 R2 + CD Red de sintona Vd Lp RS L C1 + R1

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Variacin de la capacidad en un varactor.

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Variacin del Q en un varactor.

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Ejercicios
3.1 Un oscilador de gran estabilidad en 1 MHz se puede conseguir con: a) Resonadores de cristal de cuarzo. b) Cavidades dielctricas. c) Resonadores pticos. d) Diodos varactores. 3.2 Un oscilador con control electrnico de frecuencia (VCO) puede obtenerse: a) Incluyendo resonadores cermicos en el circuito de realimentacin de un oscilador. b) Realizando una modulacin indirecta de FM sobre la seal de salida del oscilador. c) Incluyendo un diodo varactor como capacidad del circuito resonante de un oscilador. d) Desviacin mxima de fase cuando filtramos con un Hz de ancho de banda.
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Ejercicios
3.3 El ruido de fase de un oscilador se mide en dBc/Hz que indica en dB: a) Culombios de carga en la cavidad por unidad de ancho de banda. b) ) Potencia por unidad de ancho de banda dividida p la p p por potencia total. c) Desviacin mxima de frecuencia para frecuencia moduladora de un Hz. d) Desviacin mxima de fase cuando filtramos con un Hz de ancho de banda. 3.4 Un oscilador a 15 GHz de buena estabilidad se realizara con: a) Resonadores de cristal de cuarzo. b) ) Cavidades dielctricas. c) Circuitos LC. d) Diodos varactores.

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Ejercicios
3.5 El ruido de fase de un oscilador puede describirse como: a) Un ruido de baja frecuencia que puede filtrarse fcilmente. b) Una modulacin de amplitud sobre la frecuencia de oscilacin oscilacin. c) Una modulacin de frecuencia sobre la frecuencia de oscilacin. d) Las dos anteriores simultneamente. 3.6 Los resonadores de cuarzo se utilizan fundamentalmente en osciladores: a) Por ser un amplificador de muy bajo ruido flicker que produce un ruido de fase despreciable a su salida. b) Para conseguir un amplio margen de sintona con una respuesta muy lineal. c) Para obtener osciladores de alto rendimiento de potencia, dadas sus bajas prdidas hmicas y su alto factor de calidad. d) Para conseguir osciladores muy estables y con bajo ruido de fase.
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Ejercicios
3.7 La condicin de oscilacin en un circuito realimentado se resume en estas condiciones: a) La ganancia en lazo abierto es la unidad y la fase nula. nula b) La ganancia en lazo abierto es la unidad y la fase 180. c) La ganancia en lazo abierto es infinita y la fase nula. d) La ganancia en lazo abierto es infinita y su derivada positiva.

3.8 Cuando consideramos que un oscilador es de alto factor de calidad? a) Cuando el rendimiento en potencia es superior al 90%. b) Cuando la frecuencia Flicker es inferior a f0/2Q. c) Cuando f0/2Q es inferior a la frecuencia Flicker. d) Cuando el factor de calidad es superior a 1000.
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Ejercicios
3.9 Si el ruido de fase de un oscilador a 1 kHz es igual a 110 dBc/Hz, ello significa que: a) La densidad de potencia de ruido a 1 kHz de la portadora es 110 dB menor q que la potencia de salida. p b) La potencia de ruido en una banda de 1 kHz es 110 dB menor que la potencia total de salida. c) La f del ruido de FM, para una fm = 1 kHz es 110 dB menor que la frecuencia portadora. d) El ndice de modulacin del ruido de AM con una frecuencia de modulacin de 1 kHz es de 10-9. 3.10 En un oscilador de frecuencia variable con control electrnico entre 100 y 200 MHz utilizaremos: a) Resonadores de cristal de cuarzo. b) Resonadores LC con diodo varactor. c) Resonadores YIG de microondas. d) Cavidades en gua de onda con diodo varactor.
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Ejercicios
3.11 La cavidad metlica en gua se utiliza en la construccin de osciladores por: a) Su alto factor de calidad y fcil construccin en frecuencias de microondas. b) Su capacidad de sintona en un margen muy alto de frecuencias. c) Su reducido tamao en la banda de HF. d) Su aplicacin especial en terminales de telefona mvil.

3.12 El ruido de fase de un oscilador es una forma de medir: a) ) La L modulacin aleatoria de fase sobre la frecuencia de oscilacin. d l i l i d f b l f i d il i b) Una modulacin que genera un rizado de amplitud. c) Las bandas laterales del espectro en una modulacin DBL d) Un ruido Flicker que puede filtrarse fcilmente.
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Ejercicios
3.13 Para conseguir que un circuito oscile al realimentar la salida, la ganancia en lazo abierto debe ser: a) ) De D amplitud unidad o superior y de fase nula. lit d id d i d f l b) De amplitud unidad o superior y de fase 180. c) De amplitud infinita o muy grande y fase cualquiera. d) Muy grande y con derivada negativa respecto a la frecuencia.

3.14 Para construir un VCO entre 200 y 500MHz utilizaremos: a) ) Resonadores LC con diodo varactor. R d di d b) Un resonador de cavidad en gua de onda con diodo varactor. c) Resonadores YIG de microondas. d) Un circuito integrado digital aestable.
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Ejercicios
3.15 El pulling o estabilidad con la impedancia de carga en un oscilador, mide... , a) Las variaciones de potencia al variar la relacin tensin a corriente de alimentacin. b) Las variaciones de frecuencia con la tensin de alimentacin. c) Las variaciones de potencia al variar la impedancia de carga en RF. d) Las variaciones de frecuencia al variar la impedancia de carga en RF.

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