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Electrónica de Comunicaciones

Curso 2009/2010

GR CapítuloCapítulo 33 Osciladores 1
GR
CapítuloCapítulo 33
Osciladores
1
Oscilador:Oscilador: DefiniciónDefinición Genera señales periódicas Convierte potencia de DC a RF DC v(t)=V 0
Oscilador:Oscilador: DefiniciónDefinición
Genera señales periódicas
Convierte potencia de DC a RF
DC
v(t)=V 0 cos(ω 0 t)
S v (f)=1/2V 0 2 [δ(ω-ω 0 )+δ(ω+ω 0 )]
DC
v(t)=V 0 f (t,T 0 )
S v (f)=1/2Σa n 2 [δ(ω-nω 0 )+δ(ω+nω 0 )]
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Osciladores 2

Electrónica de Comunicaciones

Curso 2009/2010

Estructura de un oscilador Circuito resonante Variación rápida con la frecuencia Elemento activo Elemento activo
Estructura de un oscilador
Circuito resonante
Variación rápida con la frecuencia
Elemento activo
Elemento activo
Ganancia
Resistencia negativa
R L
Acoplamiento
Entre ambos
A la carga
Red Resonante
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Osciladores 3
Ejemplos de osciladores 20mm Resonador Vcc dieléctrico Oscilador 100 MHz 1k8 Líneas de 1nF 330
Ejemplos de osciladores
20mm
Resonador
Vcc
dieléctrico
Oscilador 100 MHz
1k8
Líneas de
1nF
330
acoplo
1nF
4k7
30pF
FET
S
G
D
26nH
Vd
S
V g
2N5179
160pF
160pF
Oscilador 10 GHz
Out
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Osciladores 4

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Curso 2009/2010

Esquema básico de realimentación Circuito activo A(v) + Carga Red de realimentación B(ω) A v
Esquema básico de realimentación
Circuito activo
A(v)
+
Carga
Red de realimentación
B(ω)
A v
( )
H (
ω
)
=
A(v)B(ω)= 1
1 − A v B
() (ω)
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Osciladores 5
Condición de oscilación
A v B ω
(
)
(
)
Condición de
G =
= 1
g
anancia
A(v)B(ω)=1
Φ = Fase[A(v)B(ω)]= 0
Condición de
frecuencia
Condición de estabilidad
∂G
< 0
Saturación
∂ G ∂Φ
∂ v
> 0
∂ v ∂ω
∂Φ
< Variación de
0
∂ω
fase
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Osciladores 6

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Curso 2009/2010

Ejemplo 3.1 Condición de oscilación Z in =∞ Z out =0 Elemento activo A V
Ejemplo 3.1 Condición de oscilación
Z in =∞
Z out =0
Elemento activo A
V 1
v 2
v 2
V 1
A(v)
A(v)
L
C
R 1
Red de realimentación B
R
2
A = A(v)
v 2
L
CV 1
R
R 1
B(s) =
2
R 2
1 + (R
+
R )+ Ls
1
2
Cs
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Osciladores 7
Ejemplo 3.1 Condición de oscilación A(v)R 1 G(s,v) | = 2 A = A(v) s=
Ejemplo 3.1 Condición de oscilación
A(v)R
1
G(s,v)
|
= 2
A = A(v)
s= j
ω R
+
R
ω
ω
1
2
1+ jQ ⎜
0
ω
ω
0
R
B(s)=
2
1
1
1
donde
ω
=
y
Q =
o
+(R
+
R )+ Ls
LC
(R
+ R
)
ω
C
1
2
1
2
0
Cs
Condición de
⎢ Q ⎜ ⎛
ω
ω
[
]
0
Arg G(ω,v) =
a
tan
⎟ ⎞
oscilación:
ω
− ω
⎠⎦
0
R
1
ω=ω 0
2
Mod G(
[
ω
,v)
]
=
A
R
+
R
2
1
2
⎡ ⎞ ⎤
ω
ω
1 +
⎢ −
A=(R 1 +R 2 )/R 2
Q
0
ω
ω
0
⎠ ⎦
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Osciladores 8

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Curso 2009/2010

Respuesta de un circuito resonante π/2 d φ 2 Q = − Φ(ω) d ω
Respuesta de un circuito resonante
π/2
d φ
2 Q
= −
Φ(ω)
d
ω
ω ω
= ω
0
∆ω
0
0
∆φ
ω
ω 0
-π/2
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Osciladores 9
Criterio de Nyquist Variación de la función de transferencia en lazo abierto Imag(G) G(ω,v)=A(v)B(ω)=|G| exp(jφ)
Criterio de Nyquist
Variación de la función de transferencia en lazo abierto
Imag(G)
G(ω,v)=A(v)B(ω)=|G| exp(jφ)
G(ω,v) =1
1
δ
G(v)
δφ ω
(
)
v
Real(G)
⎞ >0
δ
v
δω
ω
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Osciladores 10

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Curso 2009/2010

Diagrama de polos Función de transferencia en lazo cerrado s=0+jω 0 v 1 H(s,v)= 1-G(s,v)
Diagrama de polos
Función de transferencia
en lazo cerrado
s=0+jω 0
v
1
H(s,v)=
1-G(s,v)
v<v
v>v
0
0
s=0-jω 0
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Osciladores 11
Modelo 8000 MHz M5120-8000 ±10 MHz Frecuencia de oscilación Margen de sintonía mecánica Potencia de
Modelo
8000 MHz
M5120-8000
±10 MHz
Frecuencia de oscilación
Margen de sintonía mecánica
Potencia de salida
13 dBm
de G. M.
-25 dBc
-70 dBc
2 ppm/º
0.15 MHz
2 kHz/V
Nivel de 2º armónico
Nivel de espurias (no armónicas)
Estabilidad térmica
Pulling para ROE 1.5:1
Pushing
Ruido de fase
@10kHz de portadora
-90 dBc/Hz
@ 100kHz de portadora
Alimentación
-120 dBc/Hz
• Tensión DC
12 a 18 V
• Corriente
Impedancia (Conector SMA hembra)
125 mA
50 Ohm
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Osciladores 12

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Curso 2009/2010

PotenciaPotencia yy rendimientorendimiento P 0 =Potencia total de RF a la salida ∞ P =
PotenciaPotencia yy rendimientorendimiento
P 0 =Potencia total de RF a la salida
P
=
P
+ ∑
P
01
i
2
Nivel de armónicos relativos al principal
P
N
=
i
i
P
1
⎛ P
N
(dBc) = 10Log
i
i
10
P 1 ⎠
Rendimiento
η = P
0
P
DC
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Osciladores 13
FrecuenciaFrecuencia dede oscilaciónoscilación Frecuencia de oscilación Fija Variable Mecánica Continua
FrecuenciaFrecuencia dede oscilaciónoscilación
Frecuencia de oscilación
Fija
Variable
Mecánica
Continua
B/F<10%
Patrones
Electrónica
Discreta
B/F>10%
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Osciladores 14

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Curso 2009/2010

Deriva térmica Variaciones de la frecuencia con la temperatura. Oscilador Variación absoluta: df/dT (Hz/K)
Deriva térmica
Variaciones de la frecuencia con la
temperatura.
Oscilador
Variación absoluta: df/dT (Hz/K)
Variación relativa: 1/f 0 df/dT (K -1 )
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Osciladores 15
"Pulling”"Pulling” oo derivaderiva dede carga.carga.
Variaciones de la frecuencia con la
impedancia de carga.
Z
− Z
Γ
= 0
Z
+ Z
0
Oscilador
Z
R
+j
X
L =
1 +
Γ
ROE =
1 −
Γ
(Z 0 = Impedancia nominal de carga)
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Osciladores 16

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"Pushing” "Pushing” o o deriva de alimentación. deriva de alimentación. Variaciones de la frecuencia
"Pushing”
"Pushing”
o o
deriva de alimentación.
deriva de alimentación.
Variaciones de la frecuencia con la Tensión
de alimentación.
Oscilador
V DC
Variaciones absolutas: df/dV (Hz/V)
Variaciones relativas: 1/f 0 df/dV (V -1 )
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Osciladores 17
Variaciones aleatorias de frecuencia. Ruido de fase Consideramos una señal sinusoidal con ruido de amplitud
Variaciones aleatorias de frecuencia.
Ruido de fase
Consideramos una señal sinusoidal con ruido de amplitud y
fase
v
(
t
)
=
V
(1
+
n
( ))cos
t
(
ω
t
+ φ
(
t
))
0
0
0
n
Suponemos valores pequeños de ruido
φ
n (t)<<1
n(t) <<1
v
(
t
) =
V
[
cos ω
(
t
)
+
n
(
t
) cos
(
ω
t
)
− φ
(
t
) sen
(
ω
t )]
0
0
0
0
n
0
Nos queda :
Portadora + Bandas laterales moduladas por n(t) y φ(t)
Suponemos despreciable el ruido de amplitud
n(t)<<φ(t)
v
(
t
) ≅
V
[
cos ω
(
t
)
− φ
(
t
) sen
(
ω
t )]
0
0
0
n
0
Bandas de
ruido
Portadora
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Osciladores 18

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Curso 2009/2010

Espectro de ruido Máximo en la frecuencia de oscilación Simétrico a ambos lados de la
Espectro de ruido
Máximo en la frecuencia de oscilación
Simétrico a ambos lados de la frecuencia de osc.
Decrece al separarse de la frecuencia de oscilación
Posee un pedestal fijo para |f-f 0 |=f m grande
⎛ S
(
f
)
V
m
L
(
f
)
= 10 log
W
/
Hz
=
10 log( (
L
f
))(
dBc
)
m
m
dBc Hz
/
P
0
W
S
V (f)
L(f m )(dBc)
f m
1Hz
f
f 0
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Osciladores 19
Densidad espectral de ruido de fase Dada la densidad espectral de potencia de φ n
Densidad espectral de ruido de fase
Dada la densidad espectral de potencia de φ n (t)
2
S
(
f
)
=
F
[
φ
(
t
)
]
φ
n
La densidad espectral de potencia del oscilador viene dada por :
(
δ )
f
+
S
(
f
f
)
1 f
+ ⎞
2
0
φ
0
S
(
f
)
=
F
[
V
(
t
)
]
=
P
V
0
2 f
δ (
+
f
)( φ
+
S
f
+
f
)
0
0
A la inversa, dado el espectro final, la densidad espectral de
ruido de fase viene dada por : (para f m <<f 0 )
S
(
f
)
con
f
=
f
f
V
m
m
0
S
f
) = 2
φ (
P
2
V
0
0
y
P
=
0
2
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Osciladores 20

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Curso 2009/2010

Espectro de ruido de fase S ( f ) V m S (f) S (
Espectro de ruido de fase
S
(
f
)
V
m
S
(f)
S
(
f
)
=
2
= L
2
( f )
φ
φ
P
0
Ruido de fase
– Ruido de baja frecuencia
– Máximo en f=0 con S f infinito
⎡ S
( f ) ⎤
φ
L(dBc /)Hz
=
10
Log ⎣
2
1Hz
0
f
f
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Osciladores 21
RuidoRuido dede fasefase oo ruidoruido dede frecuenciafrecuencia Modulación de fase equivalente a una banda B
RuidoRuido dede fasefase oo ruidoruido dede frecuenciafrecuencia
Modulación de fase equivalente a una banda B
∆φ
=
2
L
( f
)B
rms
m
Modulación de frecuencia equivalente a una banda B
f
=
f
2
L
( f
)B
rms
m
m
Relación ruido a portadora
P
⎞ ⎛ ⎞
f
ssb
rms
= 10 Log ⎜
⎛ ⎜ N ⎞
= 20 Log
C
P Portadora
.
2 f
dBc
m
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Osciladores 22

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Curso 2009/2010

Modelo de Leeson Ruido generado en el componente activo. f=figura de ruido. f c =frecuencia
Modelo de Leeson
Ruido generado en el componente activo.
f=figura de ruido.
f c =frecuencia Flicker.
P sav =Potencia disponible de entrada al elemento activo.
Filtrado por la función de transferencia H(ω).
f 0 =frecuencia de oscilación.
Q= factor de calidad del circuito resonante.
1 kT f
f
f
0
c
L ( f
)=
1+
o
1+
⎞ 2 ⎞
m
2
P
f
2Q f
sav
m
m
⎠ ⎠
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Osciladores 23
Osciladores de bajo Q Circuitos RC S φ 1/f 3 Líneas impresas Varactores 1/f 2
Osciladores de bajo Q
Circuitos RC
S
φ 1/f
3
Líneas impresas
Varactores
1/f 2
f 0
f c <
2Q
f 0 /2Q
f c
f m
Osciladores de alto Q
S
φ
1/f 3
Cavidades metálicas
Cavidades dieléctricas
f
0
f
c >
2Q
1/f
Cavidades de Onda Acústica (SAW)
Cristal de cuarzo
f 0 /2Q
f c
f m
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Osciladores 24

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Curso 2009/2010

Ruido de fase en algunos osciladores de RF y microondas Cristal 10MHz 80 YIG 8GHz
Ruido de fase en algunos osciladores de RF y
microondas
Cristal 10MHz
80
YIG 8GHz
LC 500MHz
100
Coaxial 500MHz
120
LC 40MHz
140
160
10
100
1k
10k
100k
1M
Desplazamiento desde la portadora (f m )
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Osciladores 25
Componente Activo
DIODOSDIODOS
TRANSISTORESTRANSISTORES
TUBOSTUBOS DEDE VVACÍOACÍO
Triodo
Gunn
Bipolar
Klystron
Impat
FET
Magnetron
TWT
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Osciladores 26

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Curso 2009/2010

Componentes activos Banda de Potencia R endi- R uido Ruido Frecuencia m iento Térm ico
Componentes activos
Banda de
Potencia
R
endi-
R
uido
Ruido
Frecuencia
m
iento
Térm ico
1/f
Gunn
6-100 Ghz
M
uy baja
B
ajo
Bueno
Muy
(1% )
b
ueno
Im pat
6-100 Ghz
A
lta
M
edio
M
alo
M
alo
(10% )
B
ipolar
0-7 Ghz
A
lta
A
lto
Muy
Muy
(20% )
bueno
bueno
FET
0-18 Ghz
M
edia
A
lto
Bueno
Regular
(20% )
Triodo
0-3 Ghz
M
uy alta
A lto
M
alo
M
alo
K
lystron
5-200 Ghz
A
lta
A lto
Bueno
Bueno
TWT
1-30 Ghz
M
uy alta
A lto
Muy
Bueno
bueno
M
agnetron
1-30 Ghz
M
uy alta
A lto
M
alo
M
alo
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Osciladores 27
Estructura Resonante REDES LÍNEAS LINEAS C VID A A DES LC IMPRESAS COAXIALES DISCRETOS METÁLICA
Estructura Resonante
REDES
LÍNEAS
LINEAS
C VID
A
A
DES
LC
IMPRESAS
COAXIALES
DISCRETOS
METÁLICA
TRIPLACA
CIRCULAR
IMPRESOS
DIELÉCTRICA
MICROSTRIP
CUADRADA
INTEGRADOS
YIG
COPLANAR
BAR-LINE
VARACTORES
CUARZO
SLOT-LINE
S.A.W.
FIN-LINE
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Osciladores 28

Electrónica de Comunicaciones

Curso 2009/2010

Tipos de Osciladores por su circuito resonante
Tipos de Osciladores por su circuito resonante

Tipo de Cavidad

Margen de

Factor de

Estabilidad

Otros factores o

frecuencia

calidad

Térmica

comentarios

Circuitos RC

DC a 10MHz

< 10

Mala

Sintonía en 1 a 2

(miltivibradores)

décadas

Circuitos LC

1MHz a 1GHz

10 4 a 10 2

Mediocre

Q limitado por las bobinas

Circuitos LC.

1GHz a 10GHz

10 2 a 10

Mala

Bobinas y

Integrados de

capacidades

microondas

impresas en el AsGa

Cristal de Cuarzo

100kHz a 100MHz

10 6 a 10 4

Muy buena

Patrones y

 

osciladores fijos

Cerámicas de OAS

10MHz a 1GHz

10 6 a 10 4

Muy buena

Muy estables.

(SAW)

Osciladores fijos.

Resonadores en Líneas planas.

100MHz a 10GHz

10 3 a 10

Mala

Fáciles de construir en microondas.

Resonadores en Líneas coaxiales.

100MHz a 10GHz

10 4 a 10 2

Mediocre

Fáciles de construir.

Cavidades en Guía de Onda

1GHz a 100GHz

10 5 a 10 3

Mediocre

Poco estable con la temperatura

Cavidades Dieléctricas

1GHz a 20 GHz

10 5 a 10 3

Buena

Muy estables

 

Reducido tamaño

Diodos varactores

10MHz a 20 GHz

10 2 a 10

Mala

Sintonía en 1 oct.

Cavidad YIG

1GHz a 20GHz

10 4 a 10 3

Mediocre

Sintonía en 50%

Electrónica de Comunicaciones

Osciladores 29
Osciladores 29
Ejemplo 1 (M-1072 Litton ED) Oscilador con resonador dieléctrico 6 GHz Transistor FET 10MHz Frec.
Ejemplo 1 (M-1072 Litton ED)
Oscilador con resonador dieléctrico
6 GHz
Transistor FET
10MHz
Frec. Flicker
1MHz
17dBm
-25dBc
-70 dBc
2.5MHz
Frecuencia
Sintonía mecánica
Potencia de salida
Segundo armónico
Espurios
Pulling (VSWR=1.5:1)
Pushing
Estabilidad(-54 a 85C)
FM Noise a 30KHz de f 0
Figura de ruido 10
Factor de calidad 1000
0.5MHz/V
(N/C) SSB =-117dBc/Hz
2.5MHz
-98dBm/Hz
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Osciladores 30

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Curso 2009/2010

Osciladores a cristal R X s s C s f C p f s f
Osciladores a cristal
R
X s
s
C
s
f
C
p
f s
f p
L
s
1
C
1
f
=
s
s
f
=
f
1+
Q =
L C
p
s
C
fCR
s
s
p
sss
Electrónica de Comunicaciones
Osciladores 31
Resonancia serie Amplificador Cuarzo en resonancia serie R C 2 1 - - + +
Resonancia serie
Amplificador
Cuarzo en resonancia serie
R
C
2
1
-
-
+
+
1
C
C
'
s
f
=
f
=
f
1+
s ⎟
f
1+
s
s
s
s
π
+
2(
2
LC
C
C
C
C
)
p
1
p
+ ⎠
1
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Osciladores 32

Electrónica de Comunicaciones

Curso 2009/2010

Cuarzo en resonancia paralelo C p R C L =C 1 C 2 /(C 1
Cuarzo en resonancia paralelo
C
p
R
C L =C 1 C 2 /(C 1 +C 2 )
1
C s <<C 1 , C 2
C
1
C
s
R
2
C
2
R
3
C
s
f
f
1+
p
s
2(
C
+
C
)
p
L
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Osciladores 33

Osciladores Controlados por Tensión

Cavidades de frecuencia variable.

Cavidad YIG controlada por campo magnético.

Componentes de valor controlado por tensión.

Diodo varactor. Transconductancia variable de un FET.

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Osciladores 34

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Curso 2009/2010

El diodo Varactor − α C =+ C kV( + Φ ) d min d
El diodo Varactor
− α
C
=+
C
kV(
+ Φ
)
d
min
d
Q
C d
L s
V d
C d
R d
V d
R c
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Osciladores 35
Oscilador controlado por tensión V.C.O. 1 f = ( CC + ) 0 f max
Oscilador controlado por tensión
V.C.O.
1
f
=
(
CC
+
)
0
f max
C max
min
CC
=
d
L
(
CC
+
)
f min
C min
max
C + C
d
C
f max
max
ParaC = ∞ ⇒
=
C
f min
min
RFC
C b
V d
L
C
C d
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Osciladores 36

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Curso 2009/2010

Ejemplo 3.3: Oscilador LC serie Amplificador Red de sintonía V d R 3 R 1
Ejemplo 3.3: Oscilador LC serie
Amplificador
Red de sintonía
V
d
R 3
R 1
L p
R 2
R
C 1
S L
-
-
+
+
C
D
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Osciladores 37
Electrónica de Comunicaciones Osciladores 38
Electrónica de Comunicaciones
Osciladores 38

Electrónica de Comunicaciones

Curso 2009/2010

Variación de la capacidad en un varactor. Electrónica de Comunicaciones Osciladores 39
Variación de la capacidad en un varactor.
Electrónica de Comunicaciones
Osciladores 39
Variación del Q en un varactor. Electrónica de Comunicaciones Osciladores 40
Variación del Q en un varactor.
Electrónica de Comunicaciones
Osciladores 40

Electrónica de Comunicaciones

Curso 2009/2010

Ejercicios

3.1

Un oscilador de gran estabilidad en 1 MHz se puede conseguir con:

a)

Resonadores de cristal de cuarzo.

b)

Cavidades dieléctricas.

c)

Resonadores ópticos.

d)

Diodos varactores.

3.2

Un oscilador con control electrónico de frecuencia (VCO) puede obtenerse:

a)

Incluyendo resonadores cerámicos en el circuito de realimentación de un oscilador.

b)

Realizando una modulación indirecta de FM sobre la señal de salida del oscilador.

c)

Incluyendo un diodo varactor como capacidad del circuito resonante de un oscilador.

d)

Desviación máxima de fase cuando filtramos con un Hz de ancho de banda.

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3.3

El ruido de fase de un oscilador se mide en dBc/Hz que indica en dB:

a)

Culombios de carga en la cavidad por unidad de ancho de banda.

b)

Potencia por unidad de ancho de banda dividida por la potencia total.

c)

Desviación máxima de frecuencia para frecuencia moduladora de un Hz.

d)

Desviación máxima de fase cuando filtramos con un Hz de ancho de banda.

3.4

Un oscilador a 15 GHz de buena estabilidad se realizaría con:

a)

Resonadores de cristal de cuarzo.

b)

Cavidades dieléctricas.

c)

Circuitos LC.

d)

Diodos varactores.

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3.5

El ruido de fase de un oscilador puede describirse como:

a)

Un ruido de baja frecuencia que puede filtrarse fácilmente.

b)

Una modulacn de amplitud sobre la frecuencia de oscilacn.

c)

Una modulación de frecuencia sobre la frecuencia de oscilación.

d)

Las dos anteriores simultáneamente.

3.6

Los resonadores de cuarzo se utilizan fundamentalmente en osciladores:

a)

Por ser un amplificador de muy bajo ruido flicker que produce un ruido de fase despreciable a su salida.

b)

Para conseguir un amplio margen de sintonía con una respuesta muy lineal.

c)

Para obtener osciladores de alto rendimiento de potencia, dadas sus bajas pérdidas óhmicas y su alto factor de calidad.

d)

Para conseguir osciladores muy estables y con bajo ruido de fase.

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3.7 La condición de oscilación en un circuito realimentado se resume en estas condiciones:

a) La

g anancia en lazo abierto es la unidad

y

la fase nula

.

b) La ganancia en lazo abierto es la unidad y la fase 180º.

c) La ganancia en lazo abierto es infinita y la fase nula.

d) La ganancia en lazo abierto es infinita y su derivada positiva.

3.8 ¿Cuando consideramos que un oscilador es de alto factor de calidad?

a) Cuando el rendimiento en potencia es superior al 90%.

b) Cuando la frecuencia Flicker es inferior a f0/2Q.

c) Cuando f0/2Q es inferior a la frecuencia Flicker.

d) Cuando el factor de calidad es superior a 1000.

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3.9 Si el ruido de fase de un oscilador a 1 kHz es igual a –110 dBc/Hz, ello significa que:

a) La densidad de potencia de ruido a 1 kHz de la portadora es 110 dB menor que la potencia de salida.

b) La potencia de ruido en una banda de 1 kHz es –110 dB menor que la potencia total de salida.

c) La f del ruido de FM, para una f m = 1 kHz es 110 dB menor que la frecuencia portadora.

d)

.

El índice de modulación del ruido de AM con una frecuencia de modulación de 1 kHz es de 10 -9 . 3 10 En un oscilador de frecuencia variable con control electrónico entre 100 y 200 MHz utilizaremos:

a) Resonadores de cristal de cuarzo.

b) Resonadores LC con diodo varactor.

c) Resonadores YIG de microondas.

d) Cavidades en guía de onda con diodo varactor.

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3.11 La cavidad metálica en guía se utiliza en la construcción de osciladores por:

a) Su alto factor de calidad y fácil construcción en frecuencias de microondas.

b) Su capacidad de sintonía en un margen muy alto de frecuencias.

c) Su reducido tamaño en la banda de HF.

d) Su aplicación especial en terminales de telefonía móvil.

3.12 El ruido de fase de un oscilador es una forma de medir:

a) La modulación aleatoria de fase sobre la frecuencia de oscilación.

b) Una modulación que genera un rizado de amplitud.

c) Las bandas laterales del espectro en una modulación DBL

d) Un ruido Flicker que puede filtrarse fácilmente.

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3.13 Para conseguir que un circuito oscile al realimentar la salida, la ganancia en lazo abierto debe ser:

a) De amplitud unidad o superior y de fase nula.

b) De amplitud unidad o superior y de fase 180º.

c) De amplitud infinita o muy grande y fase cualquiera.

d) Muy grande y con derivada negativa respecto a la frecuencia.

3.14 Para construir un VCO entre 200 y 500MHz utilizaremos:

a) Resonadores LC con diodo varactor.

b) Un resonador de cavidad en guía de onda con diodo varactor.

c) Resonadores YIG de microondas.

d) Un circuito integrado digital aestable.

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3.15 El “pulling” o estabilidad con la impedancia de carga en un

oscilador, mide

a) Las variaciones de potencia al variar la relación tensión a corriente de alimentación.

b) Las variaciones de frecuencia con la tensión de alimentación.

c) Las variaciones de potencia al variar la impedancia de carga en RF.

d) Las variaciones de frecuencia al variar la impedancia de carga en RF.

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