Medio de Fora
Fora Peso Torque Presso Outras
Variveis que dependem direta ou indiretamente da fora
Fundamentao Terica
Robert Hook estabeceu a relao entre tenso e deformao. Quando uma fora submetida a uma mola, a mesma deflexiona segundo a lei de Hook: F = Kx F fora em N, k a constante de rigidez da mola e x o deslocamento em m. De fato, a lei de Hook uma aproximao do que realmente acontece com os corpos deformveis, pois a relao entre a fora e a deflexo aproximadamente linear quando as cargas aplicadas apresentam baixos nveis. A lei de Hook tambm pode ser expressa por: = E onde a tenso mecnica , a deformao percentual (%) e E o modulo de Young ou mdulo de elasticidade expresso nas mesmas unidades que a tenso mecnica.
Fundamentao Terica
Tenso e deformao so as verses normalizadas de fora e deflexo. Tenso fora por unidade de rea e deformao o alongamento por unidade de comprimento inicial. O mdulo de elasticidade uma caracterstica fsica do material e de grande importncia no projeto de clulas de carga. Clulas de carga so transdutores de fora, nos quais uma estrutura mecanicamente rgida possui sensores fixados. Quando aplicada uma carga mecnica, o sistema deforma-se e a informao transmitida ao sensor.
Fundamentao Terica
O conceito de deformao anlogo ao de deslocamento unitrio: = l dl = l0 l
l
o
l0
onde l0 o comprimento inicial e l o comprimento final. Em geral, aplica-se como unidade unitria uma microdeformao () que equivale a uma variao de em um comprimento inicial de um metro. Apesar de adimensional a deformao relativa geralmente relacionada com (microstrain) m m Para deslocamentos pequenos, para a grande maioria dos materiais verifica-se a lei de Hooke, que estabelece a proporcionalidade direta entre tenses e as deformaes.
Fundamentao Terica
A deformao no x ocorre apenas na direo em que a fora aplicada, eixo x, mas tambm ocorre uma reduo (ou aumento) da seco transversal do corpo, eixo y e z. A relao entre a deformao transversal e a longitudinal, para materiais isotrpicos, aqueles que apresentam as mesmas propriedades mecnicas para todas as direes, representada pelo coeficiente de Poisson
x
E
y =
x
E
= x z =
x
E
= x
Fundamentao Terica
Resumindo em poucas palavras, quando um material submetido a uma tenso mecnica, uma compresso uniaxial ou um cisalhamento ocorre uma deformao elstica at um valor de tenso mecnica, compresso ou fora de cisalhamento crticos. A partir deste ponto, comea a ocorrer uma deformao plstica. Durante a deformao elstica, os tomos do material esto deslocados, mas tendem a voltar para a posio de equilbrio quando a carga mecnica removida. Na figura mostrada uma trao, compresso e um cizalhamento.
P = A
l = l0
F A
Atualmente pouco comum encontrar-se em supermercados, em farmcias, ou em aougues as balanas mecnicas. Geralmente so utilizadas balanas eletrnicas. Seu menor custo, simplicidade de operao, mas principalmente a melhor qualidade de medio fez com que estas substitussem as balanas analgicas (mecnicas).
Transdutores de fora
Transdutor de fora piezo-eltrico Uma vez que a tenso eltrica aumenta quase que linearmente com a tenso mecnica aplicada, o PZT pode ser utilizado como sensor de fora. Deve, entretanto, ser observado que as cargas eltricas surgem apenas quando a carga mecnica aplicada. A mesma ser descarregada pela resistncia de entrada do instrumento que utilizado para fazer a medida. Desta forma, no possvel utilizar o PZT na medio de fora ou presso esttica. Um sensor de fora piezo-eltrico quase to rgido quanto uma pea de ao. Esta caracterstica permite que esses sensores sejam inseridos diretamente em partes de estruturas de mquinas.
Transdutores de fora
Transdutor de fora capacitivo Considerando-se um capacitor de A placas paralelas tem-se: C= 0 r d 0 a constante dieltrica do onde ar, r a constante dieltrica relativa do material isolante entre as placas (se houver algum), A a rea das placas condutoras e d a distncia entre as placas. Uma tendncia atual a miniaturizao de componentes. Desta forma, muitos dispositivos sensores esto sendo fabricados diretamente em pastilhas semicondutoras. Esses sensores so conhecidos como MEMS (Micro Electro-Mechanical Systems).
Transdutores de fora
Resistor sensor de fora (FSR- Force sensitive resistor) Um FSR apresenta uma variao de resistncia dependente da fora (ou presso) aplicada. Na verdade o nome correto deveria ser sensor de presso ao invs de sensor de fora, uma vez que o mesmo dependente da rea onde a fora aplicada. O FSR consiste em um polmero que exibe uma diminuio da resistncia com um aumento da fora na superfcie ativa do sensor. Os sensores do tipo FSR so conhecidos pela preciso muito pobre, por erros da ordem de 25% e pela no linearidade da sada
R l
R0 l0
=K
K=
R0
onde K constante (fator do extensmetro ou fator gage), R0 a resistncia inicial do fio metlico,l0 o comprimento inicial, R e l as variaes de resistncia e comprimento respectivamente e a deformao relativa.
Quando o fio deformado longitudinalmente, cada uma das quantidades que afetam R alteram-se. dR = dl + d 2 dD R l D Como abordado anteriormente, esta relao vlida para a regio de deformao elstica. Considerando-se pequenas variaes, a resistncia R de um fio metlico pode ser considerada: Onde Ro a resistncia quando no aplicada carga
dR R = Ro + dR = Ro 1 + Ro (1 + K . ) = Ro (1 + x ) Ro
comum que os fabricantes de extensmetros selecionem ligas no intuito de compensar os efeitos dos parmetros observados. Essa caracterstica conhecida como auto-compensao de temperatura. Strain gages com auto-compensao de temperatura so projetados para apresentar o mnimo de deformao aparente em uma faixa aproximada de -45 a 200C.
Um estudo cuidadoso deve ser feito antes da escolha de extensmetros para aplicaes especiais
Extensmetros uniaxiais
Consistem nos strain gages com o formato de grades mais simples As resistncias tpicas so 120 ou 350 . Neste aspecto, quando possvel a escolha, melhor optar por resistncias maiores, pois isto reduz o aquecimento na grade, alm de reduzir o efeito devido a conexes e soldas.
Em um extensmetro, o condutor dificilmente ser uniforme sobre toda a grade, dessa forma a sensibilidade depende de outros fatores. De fato, uma boa aproximao pode ser feita ao considerar um strain gage colado em um corpo (como uma barra, por exemplo) e submetido a um esforo de trao ou compresso. Sua variao de resistncia pode ser definida: R
R = K a a + K t t + K cis at
A sensibilidade do extensmetro para a deformao na direo do cisalhamento pequena e pode ser desprezada. Entretanto a sensibilidade deformao transversal significativa e os fabricantes fornecem um fator de sensibilidade transversal para cada sensor S Kt = t Sa
= Sa ( a + Kt t )
A sensibilidade do extensmetro geralmente expressa em termos de um fator K (como colocado anteriormente): R = K a O fator do extensmetro determinado pelo fabricante medindo uma amostra de sensores de cada lote. Na calibrao, os extensmetros so fixados em uma barra com uma razo de Poisson de -0,285. Uma deformao axial conhecida aplicada, a qual produz uma deformao transversal: = e assim a variao da resistncia pode ser definida: R = Sa a (1 Kt ) e K = Sa (1 Kt ) Observa-se que esta equao indica que mesmo que a deformao medida seja apenas a longitudinal, a mesma sofre influncia transversal pela razo de Poisson. importante deixar claro que a menos que se trate de um campo de tenses uniaxial, (e at nesse caso, com o sensor montado em uma direo diferente da principal), se a sensibilidade transversal ou a deformao transversal no forem nulos, ocorrer um erro se este fator no for considerado.
R
t a
t 100 a
Extensmetros semicondutores
Os strain gages semicondutores foram inventados nos Laboratrios da Bell Telephone Company nos anos 50. No inicio da dcada de 70 os primeiros extensmetros semicondutores foram aplicados na indstria automobilstica. Diferente dos sensores metlicos, os extensmetros semicondutores utilizam o efeito piezo-resistivo do silcio ou germnio. Normalmente necessrio um cuidado muito especial para a colagem por nem sempre apresentar uma base como os extensmetros metlicos As principais vantagens dos extensmetros semicondutores so as altas sensibilidades, os valores de resistncia elevados alm do tamanho reduzido. As comparaes com os extensmetros populares (metlicos tipo folha) so inevitveis e muitas vezes controversas na literatura. Sabe-se que os strain gages semicondutores so bastante sensveis variao de temperatura, apresentando forte tendncia de drift. Outro problema dos semicondutores o desvio de linearidade. Estes problemas, entretanto, podem ser consideravelmente minimizados com eletrnica e processamento adequados. Aplicaes prticas, atuais deste tipo de tecnologia podem ser encontradas em muitos sensores de presso onde o diafragma micro-usinado em silcio e os extensmetros so difundidos neste substrato na forma de ponte
Extensmetros semicondutores
Comparando os extensmetros metlicos tipo folha e os extensmetros semicondutores, pode afirmar que os semicondutores possuem sinal de 25 a 50 vezes maior que os strain gages, alm de possuir um tamanho mais reduzido Com esta regio de trabalho, os extensmetros semicondutores tm uma vida til maior em relao fadiga. Alm disso, a alta sensibilidade permite que menores tenses mecnicas possam ser medidas As vantagens dos extensmetros do tipo folha incluem o baixo custo, a grande oferta e popularidade com a conseqente oferta de recursos no que diz respeito ao processo de projeto das clulas de carga Os processos de difuso encontrados em circuitos integrados so os mesmos utilizados na fabricao de diafragmas para sensores de presso. Nestes dispositivos, o diafragma construdo de silcio ao invs de metal e as impurezas so depositadas para formar strain gages intrnsecos nas posies desejadas. Este tipo de construo pode permitir confeces com um custo mais baixo, uma vez que vrios diafragmas podem ser feitos em uma nica pastilha.
K (1 + ) 103 Eo mV = 6 V E 4 + 2 K (1 ) 10
Eo K 103 mV = V E 2 + K 106
K (1 + ) 103 mV Eo = V E 2 + K (1 ) 106
Eo = K 103 mV V E
6 KlEFonte
Arranjos para medir momento ou fora. (a) arranjo para medir fora axial (b) Arranjo para medir momento e (c) Arranjo para medir momento .