MOSFET Conceptos Bsicos

Profesor: Ing. Johan Carvajal Godnez

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Introduccin
FET = Field Effect Transistor
Unipolar = solo un tipo de portador de carga Controlado por voltaje ID=F (VGS)
D Zonas de agotamiento JFET: Existe una zona de estrechamiento G P N P Cuando se aplica VDS la zona de agotamiento no es uniforme Zona de estrechamiento
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Introduccin
MOSFET = Metal-Oxide FET = IG FET

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Estructura del MOSFET

MOSFET consta de 4 terminales Gate = compuerta Drain = drenaje Source= fuente Body o substrate = sustrato o cuerpo

Parmetros de construccin L = largo del canal W =ancho del dispositivo Tox = grosor de la capa de Si02

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Modo de operacin
Cuando VGS = 0
Dos diodos en serie RDS = 10^12 Ohmios
D S

N-MOS
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Regin de agotamiento por unin PN NO hay canal inducido

Creacin de un canal de conduccin

Cuando se aplica un VGS > 0 V
Regin de agotamiento por unin PN Se induce un canal tipo N en el sustrato P (capa de inversin)
La cantidad de VGS requerido para la formacin del canal VT VT depende del proceso de

N-MOS

fabricacin (0.5V-1V)

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Formacin de corriente de drenaje

VDS pequeo
(VGS-VT) = voltaje efectivo de conduccin VDS esta en el orden de mV La Resistencia del MOSFET es lineal y proporcional al voltaje efectivo de conduccin RDS = F (VGS)

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Formacin de corriente de drenaje

VDS incrementado La cada de VDS se da a lo largo del canal creando una IDS que no es uniforme y un canal deformado Si VDS aumenta hasta alcanzar el voltaje efectivo de conduccin del MOSFET Saturacin del canal VDS = (VGS - VT) = VD sat

Deformacin del canal conforme aumenta VDS

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Corriente de drenaje en funcin de los parmetros de polarizacin

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Derivacin de la corriente de drenaje en funcin del voltaje de drenaje-fuente

Regin infinitesimal de la compuerta

Para anlisis se considera operando en la regin de Triodo VDS< (VGS - VT)

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Derivacin de la corriente de drenaje en funcin del voltaje de drenaje-fuente

(dQ = C*dV) Velocidad de la corriente de drenaje

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Variantes del MOSFET

PMOS tiene el mismo principio de funcionamiento que NMOS solo que VGS, VDS y VT son negativos

CMOS

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Representacin del dispositivo

Smbolo

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Zonas de operacin del MOSFET

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Zonas de operacin del MOSFET

Corte ID= 0

Triodo (VDS<VDSsat)

Saturacin (VDS>VDSsat)

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ID vrs VGS

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Efecto de la Temperatura en el MOSFET

Con el incremento de la temperatura ID baja
Vt Kn aumenta (2mV x 1Celcius de incremento) disminuye (* efecto dominante)

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Modulacin del largo de canal

Idealmente no cuando VDS alcanza VDSsat; ID se vuelve independiente de VDS En la practica esto no ocurre as: la longitud del canal se modifica creando una nueva longitud L

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Efecto en la corriente de Drain

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Efecto de la Modulacin del Longitud del canal en la caracterstica ID-VDS

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Circuito equivalente incluyendo efecto de modulacin de la longitud del canal

ID sin tomar en cuanta Modulacin de la longitud de Canal

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Efecto del Sustrato en un MOSFET

Parmetro de efecto cuerpo

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Zonas de operacin del MOSFET

Corte ID= 0

Triodo (VDS<VDSsat)

Saturacin (VDS>VDSsat)

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Relaciones adicionales

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Anlisis de MOSFET en CD
Se desestima el efecto de la modulacin del largo del canal
Caractersticas del Diseo

Datos que provee el problema

Dimensionar RD y RS para cumplir caractersticas de operacin dadas

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Anlisis del Circuito

VDG = VD VG VDG = +0.5 V

MOSFET operando en regin de saturacin

VGS = VG VS VGS = 0 VS = -VS

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Problema 2
Calcule R y VD para ID =80 uA A- Identifique los valores conocidos B- Ubique el punto de operacin del Transistor C- Utilice las relaciones I-V del MOSFET para calcular los parmetros pedidos A- Valores conocidos VGD = 0 VGS = VDS ID = 80 uA

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Problema 2
0 < 0.6

VGS = VGS = VD

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Problema 3

Calcule los valores de los componentes para obtener VD = 0.1 Calcule el valor de la resistencia para el dispositivo en este punto de operacin

Datos del Circuito VGS =5V VDS = 0.1 V Ubicacin del punto de operacin del transistor VGD = VGS VDS = 4.9 V 4.9 V >1 V Regin de triodo

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Problema 3

Calculo de los parmetros del circuito

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Problema 4
Calcule los valores de las corrientes y los voltaje para todos los nodos ASUMA:

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Problema 4

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Problema 5

Encuentre IDN IDP y Vo? A- Valores deducibles del circuito

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