PRCTICA # 5

AMPLIFICADORES BASADOS EN FETS Y MOSFETS

OBJETIVOS
Analizar los parmetros Idss y Vp de un Fet. Analizar las caractersticas de un amplificador con FET. Clculo de la ganancia de voltaje usando Mosfet. Utilizar el simulador Pspice como soporte para anlisis de los resultados obtenidos en la prctica.

TEORA
Existen dos clases diferentes de Fets: los de unin, a los que denominaremos sencillamente Fet, y los de puerta aislada, conocidos como transistores MOS por el tipo de tecnologa utilizada (Metal-Oxide-Semiconductor). El FET puede trabajar tanto en circuitos digitales como lineales. En un amplificador analgico se lo hace trabajar en la zona lineal con polarizacin inversa de puerta a fuente. Los Fets de unin se dividen en FET de canal n y FET de canal p. Ambos transistores tienen tres terminales, denominados surtidor o fuente, drenador y compuerta. Los Fets se los puede auto polarizar. A semejanza con los BJT, el FET puede tener varios tipos de configuracin: surtidor comn, drenador comn y puerta comn. El ms utilizado es el drenador comn. La relacin entre la corriente de drenador y el voltaje puerta-surtidor viene dada por la siguiente expresin:
ID VGS = IDSS 1 VGS (OFF
2

Donde IDSS es la corriente de saturacin cuando V GS = 0 y VGS (OFF) = VP el voltaje de contraccin o estrechamiento del canal. Por su constitucin, los transistores MOS, son dispositivos que presentan una mayor resistencia de entrada que los FET de unin. Existen transistores MOS de enriquecimiento y de empobrecimiento. En los primeros, el canal se forma por el efecto del voltaje aplicado a la puerta. En los segundos, el canal va desapareciendo al aplicar voltaje a la puerta. Tantos unos como otros pueden ser de canal n o de canal p; por lo tanto, hay cuatro tipos diferentes de MOS. La ecuacin que relaciona la corriente del drenador con el voltaje de puerta para el mosfet de empobrecimiento es idntica a la de los FET, y para el mosfet de enriquecimiento es:

ID = K (VGS VT ) Donde K es una constante dado por los fabricantes y VT el voltaje de umbral para el cual se ocasiona un incremento significativo de la corriente de drenaje.
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PROCEDIMIENTO: 1

Los circuitos que utilizaremos en esta prctica son:

Fig. 6.1 Fig. 6.2 NOTA: PARA LA SIMULACIN E INVESTIGACIN EN PSPICE SE PUEDE UTILIZAR EL J2N5951 COMO FET Y EL IRF640 COMO EL MOSFET.

Fig. 6.3

PRCTICA # 6
AMPLIFICADORES BASADOS EN FETS Y MOSFETS

DATOS TERICOS

NOMBRE..............................................................
PARALELO.................
A.- Investigue los siguientes parmetros del JFET 2SK168(J2N5951): IDSS = VGS(OFF) =

B.- Del circuito de la Fig. 6.2 calcular: VGSQ = IDQ =

Para la misma Fig. 6.2 dada una entrada Vi = 6 mVP-P y determine: Vo = AVM =

C.- Investigue los sigts. Parmetros del MOSFET IRF640: VT = K=

D.- Del circuito de la Fig. 6.3 calcular: VGSQ = IDQ =

Para la misma Fig. 6.3 una entrada Vi =40 mVP-P y determine: Vo = AV M =

PRCTICA # 6
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AMPLIFICADORES BASADOS EN FETS Y MOSFETS

DATOS EXPERIMENTALES
NOMBRE..............................................................
PARALELO.................
A.- Arme el circuito de la Fig. 6.1. Ajuste el potencimetro para un voltaje V GS = 0. Medir la corriente del drenador del FET para ese valor de voltaje. IDSS = B.- Vare el potencimetro hasta obtener el mnimo valor posible de corriente del drenador del FET ( 0.1uA - 0.5uA), de esta manera obtendremos el voltaje de apagado del JFET VP = VGS (OFF). VGS = VGS (OFF) = VP = C.- Vare el voltaje de la puerta del FET entre 0 y Vp en pasos aproximadamente de VP/10. Para cada uno de stos valores medir ID. Despus, con la frmula calcular el valor de ID. Determinar la media aritmtica de ambos valores. Llene la tabla siguiente: VGS(V) de: VGS(V) ID Medida(mA) ID Calculada(mA) ID Media(mA) 0 2VP/1 VP/10 0 3VP/1 0 4VP/1 0 5VP/1 0 6VP/1 0 7VP/1 0 8VP/1 0 9VP/1 0 VP

D.- Representar los datos de la tabla en el grfica, seale los valores IDSS y VP.

E.-Para la Fig. 6.2 conectar el generador de funciones y ajuste la seal hasta obtener Vi=12 mVP-P y f =3 Khz. Mida el voltaje Vo (p-p) con el osciloscopio y calcule la ganancia AVM. Vo (p-p) = AVM = Vo / Vi =

Grafique el desfasamiento entre Vo vs t y Vi vs t en la misma grafica.

F.- Para la Fig. 6.3 conectar el generador de funciones y ajuste la seal hasta obtener Vi =40 mVP-P y f =30 Khz. Mida el voltaje Vo y calcule la ganancia AVM. Vo (p-p) = AVM = Vo / Vi =

G.- Observe con el osciloscopio la seal de salida y grafquela.

H.- Aumente la seal de entrada hasta un valor de Vi =160 mVP-P. Observe la seal en el osciloscopio y grafquela. Explique que ocurre en las conclusiones, que diferencias existe con el circuito de la Fig. 6.2.

Conclusiones: