CIRCUITOS INTEGRADOS ANALGICOS LINEALES

TEMA 4:

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA

4.1. MODELOS DEL TRANSISTOR EN ALTA FRECUENCIA 4.2. EL TEOREMA DE MILLER. 4.3. APROXIMACIN DEL POLO DOMINANTE. 4.4. MTODO DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO EN CIRCUITO ABIERTO. 4.5. FRECUENCIAS DE CORTE DE UN AMPLIFICADOR. 4.6. PRODUCTO GANANCIA-ANCHO DE BANDA.

Dpto de Tecnologa Electrnica

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TEMA 4

1.- MODELOS DEL TRANSISTOR EN ALTA FRECUENCIA.

Introduccin. Los transistores bipolares y los de efectos de campo, constituyentes fundamentales de los amplificadores electrnicos, contienen capacidades parsitas no lineales que limitan su velocidad de respuesta cuando las seales cambian rpidamente; esto es, cuando trabajan a alta frecuencia. Los modelos que se estudiarn en este tema son modelos en pequea seal y alta frecuencia. Se trata de versiones linealizadas de los modelos no lineales de gran seal del transistor. Como en aquellos, son funciones dependientes del punto de trabajo (Q) y slo son vlidos cuando las seales tienen amplitudes pequeas. Estos modelos permiten comprender el funcionamiento en alta frecuencia de los circuitos electrnicos lineales y hacer estimaciones manuales en el anlisis y el diseo. Uno de los modelos lineales ms usados en alta frecuencia es el denominado modelo en diferentes tipos de transistores bsicos.

. En este tema se van a estudiar cmo se representan con este modelo cada uno de los

En este tema se demostrar que estas capacidades internas de los transistores, producen frecuencias de corte superior en los amplificadores.

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Modelo de los transistores FET.

El FET como cuadripolo.

Modelo equivalente en pequea seal y BAJA frecuencia.

Modelo equivalente considerando el cuerpo

Modelo equivalente sin considerar el cuerpo

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Modelo equivalente en pequea seal y ALTA frecuencia. Las capacidades internas del transistor influyen en alta frecuencia.

Esta influencia conduce a un nuevo modelo: el modelo en

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Modelo de los transistores BJT.

Modelo equivalente en pequea seal y BAJA frecuencia.

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Modelo equivalente en pequea seal y ALTA frecuencia. Las capacidades internas del transistor influyen en alta frecuencia.

Esta influencia conduce a un nuevo modelo: el modelo en

rbb = Resistencia lateral de base. rbe = Resistencia dinmica de la unin B-E. Cbe = Efecto capacitivo de la unin B-E. rbc = Resistencia de modulacin de base.

rce = Resistencia dinmica salida C-E. Cce = Capacidad parsita de cableado C-E. gm= Transconductancia. Cbc= Efecto capacitivo de la unin C-B.

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Normalmente se suelen despreciar los efectos de rbb, rce, rbc y Cce. En ese caso, se acude al siguiente modelo simplificado.

Inconveniente del anlisis en alta frecuencia. Una vez conocido el modelo del transistor, sustituyendo ste en el circuito del amplificador y aplicando la teora de circuitos se podra llegar a una expresin de la ganancia. El principal inconveniente es que aparece un condensador que une las redes de entrada y de salida, complicando mucho los desarrollos.
Este condensador complica mucho los desarrollos.

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2.- TEOREMA DE MILLER.

Enunciado. El teorema de Miller proporciona un mtodo para sustituir una impedancia (Z), situada entre dos nodos con tensiones Vx y Vy (ambas diferentes de la referencia), en otras dos impedancias (Z1 y Z2) localizadas entre los nodos X e Y anteriores y el punto de referencia o masa. Estas nuevas impedancias dependen del valor de la impedancia original (Z) y de un nuevo trmino (A), denominado ganancia de Miller.

Existe un problema en el teorema de Miller: la nica forma de hallar el verdadero valor de la ganancia de Miller en un circuito completo sera analizar la red original y es justamente lo que queremos evitar. La alternativa consiste en realizar la denominada aproximacin de Miller, que consiste en considerar que las tensiones Vx y Vy son las que se originan considerando el anlisis de la red original sin la impedancia Z. Esto conduce a dos circuitos (original y equivalente) que tienen la misma ganancia de tensin e impedancia de entrada. Sin embargo, la impedancia de salida depende de aplicar la excitacin a la salida; por lo que puede ser distinta en ambos equivalentes.

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Aplicacin del teorema de Miller al anlisis de alta frecuencia. Dado el esquema de un circuito amplificador, lo primero que se hace es sustituir el transistor por su modelo equivalente.

Hecho esto, se aplica el teorema de Miller, a fin eliminar el condensador que une las redes de entrada y salida (Cgd en este caso).

Nota: Observe cmo la aplicacin del teorema de Miller, hace aparecer en la red de entrada un nuevo condensador con una capacidad multiplicada por un trmino en el que aparece la transconductancia, que suele ser de elevado valor. Esta nueva capacidad suele ser la que genera la frecuencia de corte superior.

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3.- APROXIMACIN DEL POLO DOMINANTE.

Una vez que se tiene el equivalente en pequea seal del circuito, este mtodo de anlisis consiste en lo siguiente: Anlisis en BAJA frecuencia. Se analizarn los individualmente los condensadores que afectan en baja frecuencia (acoplo y desacoplo). Para ello los condensadores de alta frecuencia se consideran circuitos abiertos y los de baja frecuencia que no sean el condensador que se analiza en cada momento se considerarn cortocircuitos. Cada condensador de baja frecuencia aportar una frecuencia candidata a ser considerada la frecuencia de corte inferior. La MAYOR de todas ellas ser considerada la frecuencia de corte inferior del circuito, si dista de las dems como una distancia igual o superior a 1 dcada.

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Anlisis en ALTA frecuencia. Se analizarn los individualmente los condensadores que afectan en alta frecuencia (paralelo). Para ello los condensadores de baja frecuencia (acoplo y desacoplo) se consideran cortocircuitos y los de alta frecuencia que no sean el condensador que se analiza en cada momento se considerarn circuitos abiertos. Cada condensador de alta frecuencia aportar una frecuencia candidata a ser considerada la frecuencia de corte superior. La MENOR de todas ellas ser considerada la frecuencia de corte superior del circuito, si dista de las dems como una distancia igual o superior a 1 dcada.

En el circuito anterior, el mtodo del polo dominante dara la siguiente frec. de corte superior:

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4.- MTODO DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO EN CIRCUITO ABIERTO.

Para estimar la frecuencia de corte superior (wH) de un circuito equivalente en alta frecuencia con M condensadores, calcularemos primero M constantes de tiempo

1 Rth i C i = w Hi

Ci = Capacidad del condensador considerado. Rthi = Resistencia Thevenin equivalente vista desde las bornas del condensador considerado.

Una vez hecho esto, es posible estimar la frecuencia de corte superior aplicando la ecuacin:
M M 1 1 = Rthi Ci wH i=1 wHi i=1

Ejemplo:

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5.- FRECUENCIAS DE CORTE DE UN AMPLIFICADOR.

El amplificador va a tener diferentes comportamientos, segn la zona de frecuencia en la que estemos.

Es habitual utilizar la aproximacin del polo dominante para expresar la funcin de transferencia de un amplificador de la siguiente forma:

A( jw ) = A ( fm)

jw + w E 1 jw + w L 1 + j w wH

wL =

1 1 = i Zthi C i 1 1 = wH = j Zth j C j

Donde C es la capacidad de cada condensador y Zth la impedancia Thevenin vista desde las bornas de cada condensador.

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6.- PRODUCTO GANANCIAxANCHO DE BANDA.

El producto GananciaAncho de Banda es un factor de mrito o de calidad de un amplificador. |A(frec.medias) Anch Banda| = |A(fm) (fcs-fci)| |A(fm) fcs)| ya que fcs >> fci. El producto depende de las resistencias de carga y del generador, y es constante para unos valores determinados de estas resistencias. No podremos disminuir la ganancia para aumentar el ancho de banda, ya que ambos dependen de estas resistencias.

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