Sce 0028

REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE
MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR

ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
MEMOIRE
Prsente
LUniversit de Batna
Facult des Sciences
Dpartement de Physique
En vue de lobtention
DIPLOME DE MAGISTERE
Spcialit : Physique des matriaux mtalliques et semi-conducteurs.
Par
BENAZIEZ NEDJEDIA
Soutenue le : 15 / 04 / 2010, devant le jury :
MM
E. Belbacha Pr. Universit de Batna Prsident
M. Chahdi Pr. Universit de Batna Rapporteur
A. Benhaya M.C. Universit de Batna Examinateur
L. Dehimi M.C. Universit de Biskra Examinateur
Etude des proprits lectriques en rgime
statique dune structure Schottky
Remerciements
La prparation dune thse est la fois une dmarche personnelle et un travail
dquipe. Au terme de cette tude, je tiens exprimer ma reconnaissance et adresser mes
trs sincres remerciements toutes les personnes qui ont contribu dune manire ou
dune autre, au bon droulement et laboutissement de ce travail.
Je tiens remercier tout dabord mon directeur de thse, Monsieur Mohamed Chahdi,
professeur luniversit de Batna, pour avoir bien voulu diriger ce travail et pour mavoir
constamment oriente et conseille tout au long de ce dernier. Quil trouve ici mes trs
sincres remerciements et mon profond respect.
Je tiens galement prsenter ma profonde gratitude Monsieur EL-Djemai
Belbacha, professeur luniversit de Batna qui me fait lhonneur de sintresser mon
travail et de prsider le jury.
Jadresse Monsieur Abdelhamid Benhaya, matre de confrence luniversit de
Batna, lexpression de ma profonde reconnaissance pour avoir voulu examiner mon travail
et faire partie du jury, ainsi que pour sa contribution ma formation.
Je tiens galement remercier Monsieur Lakhdar Dehimi, matre de confrence
luniversit de Biskra qui a accept dexaminer mon travail et de faire partie du jury.
Mes remerciements sadressent aussi toutes les personnes qui, de prs ou de loin
mont aide laccomplissement de ce travail, en particulier Monsieur Djamel Haddad,
pour sa contribution laboutissement de ce travail.
Je joindrai ces remerciements tous mes enseignants de dpartement de physique
luniversit de Batna
Sommaire :
Introduction 2
Chapitre 1 : Phnomnologie et modles des barrires Schottky
Introduction 5
1.1. Gnralits ..5
1.1.1.Contacts redresseurs ..5
1.1.2. Contacts ohmiques 8
1.2. Thories de formation de barrire Schottky ....9
1.2.1. Thorie de Schottky ...9
1.2.2. Thorie de Bardeen ...11
1.2.3. Thorie de Cowley et Sze .12
1.2.4. Modle dinterface linaire 14
1.2.5. Modle de MIGS ...15
1.2.6. Le SBH et les liaisons chimiques d'interface .16
1.2.7. Modle unifi de dfaut (UDM) 17
1.3.Mcanismes de conduction dans les diodes Schottky ...18
1.3.1. Introduction 18
1.3.2. Thories de transport ..19
1.3.2.1. mission au dessus de la barrire ...20
a) Thorie de diffusion .21
b) Thorie de lmission thermoonique ..22
c) Thorie de lmission-diffusion ...22
1.3.2.2. Mcanismes de conduction par effet tunnel 23
1.3.2.3. Recombinaison dans la zone de charge despace 26
Chapitre 2 : Mthode de rsolution numrique
1. Introduction ..29
2. Proprits lectriques et phnomne de transport de courant dans une structure Schottky
2.1. Modle mathmatique...29
2.1.1. quation de Poisson 29
2.1.2. Les quations du courant..30
2.1.3. Les quations de continuit..31
2.1.4. Modle de recombinaison.....31
2.1.5. Le modle unidimensionnel du structure32
2.2. La mthode numrique ...32
2.2.1. Normalisation 32
2.2.2 Schma de discrtisation 34
2.2.2.1. Approximation de Gummel pour les densits de courant ..35
2.2.2.2. Discrtisation de lquation de Poisson ..36
2.2.2.3. Discrtisation des quations de continuit ..36
2.2.3. Itrations Fonctionnelles ...37
2.2.4. Solutions initiales et conditions aux limites ..38
3. Proprits lectriques et phnomne de transport de courant dans une structure Schottky
MIS
3.1. Etudes des proprits lectriques des structures MOS 42
3.1.1. Diagramme des bandes dnergie ...42
3.1.2. Les quations de bases 43
3.2. Phnomne de transport du courant .46
Chapitre 3 : calcul des caractristiques
Introduction .49
3.1. Rsultats ...49
3.1.1. Structure Schottky idal ..50
3.1.1.1. Rsolution numrique du systme dquation .50
3.1.1.2. Phnomne de transport ...52
3.1.1.3. Densit du courant 54
3.1.1.3.1. Effet de changement de travail de sortie 56
3.1.1.3.2. Effet de changement de concentration de dopage ..59
3.1.2. Structure Schottky rel (structure MOS) .61
3.1.2.1. Rsolution numrique du systme dquation .61
3.1.2.2. tudes des proprits lectriques des structures MOS ................61
3.1.2.3. La densit du courant tunnel ................66
Conclusion ...70
Bibliographie 72
Introduction
Introduction
2
Introduction
La structure Mtal-Semi-conducteur (MS) est le dispositif unipolaire le plus simple.
Il est la base d'un grand nombre de structures plus complexes. La diode Schottky exploite
l'effet redresseur que peut prsenter une structure MS. Les premires diodes l'tat solide
taient de ce type et furent dcouvertes par F.BRAUN en 1874.
La hauteur de la barrire Schottky (SBH) est un paramtre simple qui caractrise les
proprits de transport de ces interfaces. Le SBH mesure la diffrence entre l'nergie de
Fermi du mtal et le bord de la bande des porteurs majoritaires de semi-conducteur la
jonction. Malgr l'importance fondamentale du SBH, les mcanismes qui commandent la
formation de la barrire Schottky sont toujours loin entirement de la comprhension
Rcemment, la plupart des mesures de SBH des contacts mtal/semi-conducteurs
covalents a indiqu une dpendance relativement faible entre la hauteur de la barrire et le
mtal utilis ou la mthode de fabrication du contact. Ce comportement avait t
gnralement attribu lancrage du niveau de Fermi par des tats d'"interface". Trs
rcemment, il y a eu des rapports des changements considrables de la barrire des
jonctions de mtal/Si et mtal/GaAs obtenues en changeant les proprits structurales
et/ou la composition chimique de l'interface.
Les contacts mtal/semi-conducteurs consistent en lexistence dune barrire de
potentiel, des mcanismes de transport de charges. Ils peuvent se comporter comme des
contacts redresseurs ou comme des contacts ohmiques.
Les modles des contacts avaient jou un rle dans la simulation des dispositifs
depuis ses commencements. En consquence, des modles pour des contacts de Schottky
ont t tablis dans beaucoup de programmes de simulation de dispositif. Ces modles sont
prsents comme conditions aux limites pour la solution numrique des quations de
transport de semi-conducteur. Lobjectif de ce travail est la caractrisation dune structure
Schottky, les caractristiques JV sont calcules numriquement et leffet de quelques
paramtres est tudi.
Nous avons organis la prsentation de ce mmoire en trois chapitres. Dans le
premier, nous commencerons par donner les supports thoriques ncessaires la
comprhension du fonctionnement des structures tudies. Dans ce chapitre, nous
Introduction
3
donnerons une brve introduction des contacts MS et discuterons les modles de base de la
formation du SBH.
Nous prsenterons ensuite, les modles thoriques utiliss pour rendre compte des
processus de transport qui peuvent rgir le transport de charges dans nos structures.
Dans le deuxime chapitre, nous tudierons dabord la structure idale, nous
prsenterons la discrtisation et lalgorithme numrique utilis pour rsoudre les quations
de transport. Le modle numrique consiste en une linarisation des quations de
transports en rgime stationnaire par la mthode des diffrences finies. Puis nous
tudierons la structure relle en prsence dune couche disolant et prsenterons les
diffrentes quations de base, rgissant le fonctionnement lectrique.
Dans le troisime chapitre, nous prsenterons les rsultats obtenus pour notre
structure, dabord pour un contact idal, puis pour un contact rel (avec une couche
doxyde) o il domine leffet tunnel.
A la fin, on termine par une conclusion gnrale o on rcapitule tous les rsultats
obtenus dans ce travail.
Chapitre 1
Phnomnologie et modles des barrires
Schottky
5
Introduction
La technologie des dispositifs lectroniques semi-conducteurs repose en grande
partie sur des jonctions mtal/semi-conducteur.
Depuis que le comportement redresseur des contacts mtal / semi-conducteur (M/S) a
t dcouvert, de plus de cent ans, un effort thorique considrable a t consacr
interprter les mesures lectriques dans ces systmes, tels que les caractristiques I V et
C V, et prvoir la valeur des paramtres qui entrent dans les modles semi empiriques
dvelopps dans ce chapitre. Le plus important de ces paramtres est la hauteur de la
barrire Schottky (SBH).
Les modles semi empiriques de transport sont largement rpandus, et fournissent
gnralement une bonne description des donnes exprimentales. Les mcanismes
physiques derrire la formation de la barrire Schottky, cependant, demeurent une question
de discussion.
Dans ce chapitre, nous donnons d'abord une brve tude du comportement des
contacts mtal/semi-conducteur et dfinissons les grandeurs qui caractrisent les interfaces
et conditionnent les transferts de charges entre les matriaux.
Puis nous donnons une description de certains des modles de base qui concernent la
formation de la barrire de potentiel et discutons leurs proprits et implications gnrales.
Dans la dernire partie de ce chapitre, nous tudions brivement les mcanismes de
conduction dans les diodes Schottky.
1.1. Gnralits (contacts mtal / semi-conducteur)
1.1.1 Contacts redresseurs
La figure (1.1.a) prsente le diagramme nergtique dun contact redresseur mtal/
semi-conducteur de type n lquilibre thermique, c'est dire, sans polarisation externe
applique.
La quantit centrale est la hauteur de la barrire Schottky o
Bn
, qui est la diffrence
entre le minimum de la bande de conduction E
c
et le niveau de Fermi NF l'interface.
Pour un semi-conducteur de type p, la quantit principale est la diffrence entre le niveau
de Fermi NF et le maximum de la bande de valence E
v
, et dnot o
Bp
.
6
La hauteur des barrires o
Bn
et o
Bp
est une proprit intrinsque de l'interface M/S,
qui ne dpend pas, en principe, de la tension de polarisation applique ou de dopage du
semi-conducteur. Elle est relie par la rgle de Schottky [tung 36]:
o
Bp
+ o
Bn
= E
g
(1.1)
O E
g
est la largeur de la bande interdite du semi-conducteur.
L'abaissement de la hauteur de la barrire SBH indiqu dans la figure (1.1), o , est
due la force image prs de la surface de mtal.
La courbure des bandes dans le semi-conducteur (figure.1.1), est due une charge
despace positive des ions donneurs qui ne sont plus compenss prs de l'interface. Dans le
volume du semi-conducteur, la charge uniforme des donneurs ioniss est compense par la
densit des lectrons dans la bande de conduction. Au lieu de cela, plus prs du mtal, la
densit des lectrons dans la bande de conduction diminue exponentiellement avec la
diffrence E
c
-E
Fs
.
La rgion rsultante puise des lectrons prs de l'interface, appel la zone de
dpltion, a une largeur [Sze 42]
|
|
.
|
\
|
=
q
kT
V V
qN
W
n Bn
D
s
o
c 2
(1.2)
o
s
est la permittivit du semi-conducteur, V
n
est la diffrence dnergie entre le
niveau des porteurs majoritaires et la bande de conduction du semi-conducteur, N
D
la
densit des porteurs, V la tension de polarisation, q la valeur absolue de la charge
d'lectron, et kT l'nergie thermique.
La courbure des bandes dans la zone de dpltion, agit comme une barrire de
potentiel pour des lectrons. Pour un semi-conducteur de type p, la rgion d'interface est
puise des trous. Les bandes se courbent dans la direction oppose, et les quantits o
Bn
,
V
n
, et N
D
sont remplacs par les quantits o
Bp
, V
p
, et N
A
dans l'quation (1.2), o V
p
est
la diffrence entre NF et la bande de valence du semi-conducteur et N
A
la densit des
accepteurs.
7
La zone de dpltion (dont la largeur typique est 100 1000 A) est responsable du
comportement de rectification du contact.
Le diagramme des bandes dnergie sous une polarisation directe est illustr dans
figure (1.1.b). Comme d'abord suggr par Schottky [Berthod 9], la chute de tension se
dveloppe entirement dans la zone de dpltion, et change la forme de la barrire. Dans le
volume du semi-conducteur, les lectrons acquirent une nergie additionnelle qV, de sorte
que le nombre d'eux qui peuvent surmonter la barrire augmente exponentiellement avec
V, et ainsi le courant sera en fonction de la tension. Quand qV devient comparable au
SBH, la zone de dpltion disparat (rgime de bande plat), et le contact devient
approximativement ohmique.
Si une polarisation inverse est applique, la largeur de la zone de dpltion augmente
et la barrire de potentiel devient plus haute pour les lectrons du semi-conducteur, de
sorte que de moins en moins d'eux puisse atteindre le mtal. Cependant, les lectrons de
mtal qui ont une nergie thermique suffisante pour surmonter le SBH sont acclrs dans
la zone de dpltion et donnent une petite contribution ngative au courant.
e
-
qo
qo
E
c
qo
Bn
E
Fs
qo
Bn
E
c
qV
E
Fm
qV
n
E
Fm
E
Fs
E
v
E
g
E
v
I
W
(a) (b)
Figure.1.1: Diagramme des bandes d'nergie pour un contact mtal / semi-conducteur
de type n. l'quilibre thermodynamique (a), et sous une polarisation directe V (b) ;
8
1.1.2. Contacts ohmiques
Une situation, dans laquelle le contact est idalement ohmique, indpendamment des
proprits de dopage du semi-conducteur, est quand la hauteur de la barrire disparat ou
est ngative (plus prcisment, plus petit que V
n
). La figure (1.2) montre le diagramme
nergtique d'un contact ohmique mtal / semi-conducteur de type n avec un petit ngatif
SBH.
Comme dans le cas dun contact redresseur, un rarrangement des lectrons de
conduction se produit l'interface. Quelques lectrons passent du mtal dans le semi-
conducteur en raison du SBH ngatif, et s'accumulent l'interface [Mathieu 20].
Puisque la densit N
c
dtats effective de la bande de conduction est en gnral 100
1000 fois plus grande que la densit des impurets, la zone d'accumulation est beaucoup
plus mince que la zone de dpltion, comme peut tre estim en remplaant N
D
par N
c
dans Eq (1.2).
Quand la jonction est polarise, la tension de polarisation est rpartie dans tout le
semi-conducteur, et les porteurs peuvent couler librement travers l'interface due
l'absence de la barrire de potentiel. En technologie de dispositif, "les contacts ohmiques"
sont les contacts qui ont une rsistance ngligeable relativement la rsistance du volume
du semi-conducteur.
En gnral, les contacts redresseurs ou ohmiques peuvent tre obtenu selon la
diffrence des travaux de sortie des matriaux et le type du semi-conducteur comme suit :
Avec o
m
> o
s
le contact mtal-semi-conducteur (n) est redresseur
le contact mtal-semi-conducteur (p) est ohmique
Avec o
m
< o
s
le contact mtal-semi-conducteur (n) est ohmique
le contact mtal-semi-conducteur (p) est redresseur
9
1.2. Thories de formation de barrire Schottky
La hauteur de la barrire Schottky SBH (o
n
ou o
p
) joue un rle central : elle
commande le profil entier des bandes d'nergie de la jonction, et ainsi les caractristiques
lectriques du contact. Cependant, l'issue de ce qui sont les paramtres et les mcanismes
physiques qui dterminent la valeur des SBH restes ouverts.
Au cours des annes, plusieurs des modles ont t proposs pour expliquer la
formation de la barrire Schottky. Nous n'entreprendrons pas une discussion approfondie de
tous les modles existants, mais dcrivons seulement brivement les modles les plus
importants.
1.2.1. Thorie de Schottky:
Quand un semi-conducteur est mis au contact intime avec un mtal, il stablit une
barrire de potentiel lectrostatique entre les deux matriaux.
La figure (1.3) reprsente la structure de bande dun couple M/S de type N (a.
matriaux spars, b. matriaux en contact intime) dans ce dernier cas, le semi-conducteur
e
-
E
c
qo
Bn
E
Fs
qV
n
qV
E
c
E
Fm
E
Fs
E
Fm
E
v
E
g
E
v
I
(a) (b)
Figure.1.2 : Diagramme nergtique d'un contact ohmique mtal / semi-conducteur
de type n avec un petit ngatif hauteur de barrire, lquilibre thermodynamique
(a), et sous polarisation (b).
10
perd des lectrons qui saccumulent la surface du mtal et une charge despace positive
provenant des donneurs ionises apparat dans le volume du semi-conducteur. La neutralit
lectrique est obtenue par une charge ngative cre par laccumulation des lectrons la
surface du mtal. Un quilibre stablit ds que les niveaux de Fermi des deux matriaux
sont aligns. Lorsque, temprature constante, la redistribution des charges est termine, la
barrire de potentiel est fixe. La barrire de potentiel (qo
B
) , vue du cot du mtal, est alors
gale la diffrence entre le travail de sortie du mtal et laffinit lectronique
B
du semi-
conducteur [Tung 36].
s m B
; o o = (1.3)
Vue du cot semi-conducteur, elle est gale la diffrence entre le travail de sortie du
mtal et celui du semi-conducteur.
s m bi
V o o = (1.4)
Vide
q
s
qo
s
qV
bi
E
c
qo
B
E
Fs
E
c
qo
m
E
g
E
Fm
E
Fs
E
Fm
E
g
E
v
E
v
Mtal Semi-conducteur Mtal Semi-conducteur
a) b)
figure.1.3 : Structure de bande dun couple mtal-semi-conducteur de type n
a) matriaux spars
b) matriaux en contact intime.
11
1.2.2. Thorie de Bardeen
Daprs la thorie de Schottky, la barrire de potentiel dpend de la nature du mtal.
Cependant, des rsultats obtenus sur des jonctions ralises lair ont montr que la barrire
tait indpendante de la nature du mtal. J.Bardeen en 1947 [Turner 31], a montr que ceci
tait d la prsence des tats de surface existant sur le semi-conducteur. Ils proviennent de
la rupture du rseau cristallin la surface du cristal. Ils sont en densit trs leve, environ
un tat par atome de surface. De mme, ces tats peuvent provenir des impurets adsorbes
la surface du semi-conducteur.
Lchange de charges par le semi-conducteur va donc se faire avec ces tats et la
hauteur de barrire est alors indpendante de la nature de mtal dpos.
La figure (1.4) reprsente le diagramme dnergie dune jonction (M/S) de type N en
prsence des tats de surface. Dabord la charge globale en surface du semi-conducteur est
nulle, mais lquilibre thermodynamique nest pat ralis ceci d la prsence des tats
vides entre qo
0
et le niveau de Fermi. o
0
tant le niveau de neutralit des tats de surface.
Au fur et mesure que les tats vides se remplissent entre qo
0
et E
F
, lquilibre
thermodynamique se ralise entranant la formation dune charge positive dans le volume du
semi-conducteur qui compense la charge ngative la surface. On assiste donc une
courbure des bandes avant la prsence du mtal. Aprs contact, une faible fraction des
lectrons quitte ces tats vers le mtal. Mais comme leur densit est importante, il nen
rsulte quun trs faible dplacement du niveau du semi-conducteur en surface et la courbure
des bandes nest pratiquement pas modifie. Dans le cas o la densit dtats de surface est
trs grande (10
12
10
13
tats cm
-2
eV
-1
), Bardeen a montr que la hauteur de barrire est
indpendante du mtal. Elle a pour valeur :
0
o o =
q
E
g
B
(1.5)
12
vide vide vide
q
s
qV
bi
E
c
qo
B
E
c
E
g
E
Fs
qo
0
E
Fs
qo
0
qo
0
E
g
E
v
Figure.1.4 : diagramme dnergie dune jonction mtal / semi-conducteur de type n en
prsence dtats de surface
Dans les semi-conducteurs, les tats de surface se rpartissent en deux groupes. Dans
un premier, les tats remplis se trouvent au voisinage de la bande de valence et les tats
vides au voisinage de la bande de conduction. Cela correspond des matriaux dits ioniques.
Dans le deuxime groupe, les tats de surface se trouvent au milieu de la bande interdite.
1.2.3. Thorie de Cowley et Sze :
Les deux thories cites prcdemment reprsentent chacune un cas limite. Dans un
premier, la hauteur de la barrire ne dpend que du mtal et dans un deuxime, elle dpend
des tats de surface. Cependant le cas intermdiaire qui est dailleurs le plus frquent, est
celui o la barrire est gouverne la fois par les tats de surface et par les travaux de sortie
des matriaux.
A.M.Cowley et S.M.Sze [cowley 5] , ont propos une thorie unifiant celle de
Schottky et celle de Bardeen. Ils supposent lexistence entre les deux corps dune couche
interfaciale mince dpaisseur D
i
.
La figure (1.5) reprsente le diagramme de bande dun contact mtal/semi-conducteur
en prsence dune couche interfaciale. Lexpression de la hauteur de barrire est
alors [Turner 31]:
13
( ) ( ) o o ; o o A
|
|
.
|
\
|
+ =
0
1
q
E
g
s m B
(1.6)
o o reprsente labaissement de la barrire par effet de la force image ou effet Schottky.
2 / 1
4
|
|
.
|
\
|
= A
s
qE
tc
o et
s i i
i
N D q +
=
c
c
(1.7)
E tant le champ lectrique.
s
et
i
reprsentent respectivement la permittivit du semi-conducteur et de la couche
interfaciale.
Daprs lexpression (1.6), on retrouve les deux cas limites de Schottky et de Bardeen
suivant que N
s
tend vers zro ou vers linfini.
*
qV
i
q
s
qo
m qo
qV
bi
qo
Bn
E
c
E
Fm
E
Fs
qo
0
E
g
D
i
E
v
Figure.1.5 : contact mtal / semi-conducteur avec tats de
surface et couche interfaciale.
14
1.2.4. Modle dinterface linaire
Kurtin, McGill,et Mead [Mathieu 20] ont proposs un model dinterface linaire o ils
ont assums que la hauteur de la barrire o
B
dpend linairement du travail de sortie du
mtal.
C S
m B
+ = o o (1.8)
O S est un paramtre de pente qui reflte la sensibilit de o
B
au mtal et C est un
constant.
A partir dune compilation des donnes exprimentales pour plusieurs semi-
conducteurs, ils ont corrl S avec l'ionicit de liaisons des semi-conducteurs,
La figure (1.6) reprsente la variation de S avec lionicit du semi-conducteur. Cette
ionicit est mesure ici par la diffrence dlectrongativit des constituants du matriau.
Figure.1.6 : variation du paramtre de pente avec la diffrence dlectrongativit des
constituants du semi-conducteur [Mathieu 20].
15
Pour les semi-conducteurs covalents ou pseudo-covalents, tels que Ge, Si, GaAs et InP,
S est trs faible (environ 0.1), la barrire de potentiel est alors peu sensible au travail de
sortie du mtal car le niveau de Fermi est ancr par les tats de surface. Par contre pour les
matriaux plus ioniques, dans lesquels la diffrence dlectrongativit des constituants est
suprieure 1eV, le travail de sortie du mtal joue un rle majeur. Cest le cas de la plupart
des composes II-VI, et des composs III-V du haut du tableau de Mendlev.
1.2.5. Modle de MIGS (Metal Induced Gap States)
Le travail de Heine [Berthod 9] a t motiv par l'observation que les valeurs du
paramtre sont fondamentalement les mmes pour des interfaces avec et sans une couche
interfaciale. Au lieu des tats de surface, Heine souligne le rle des (MIGS).
n'importe quelle interface de solide/solide, il y a trois genres d'tats lectroniques :
ceux qui se propagent des deux cts de la jonction, ceux qui se propagent dans un matriel
et s'affaiblissent dans l'autre matriel, et ceux qui s'affaiblissent entre les deux matriaux et
sont localis l'interface.
Les MIGS appartiennent au deuxime groupe; ils ont des nergies dans le gap
fondamental de semi-conducteur, et ils affaiblissent exponentiellement du ct semi-
conducteur de la jonction.
vv
*
Z
Mtal Semi-conducteur
Figure.1.7 : Fonction donde aux interfaces mtal / semi-conducteur
MIGS
16
Les queues de MIGS peuvent stocker une charge dans le semi-conducteur, une
certaine distance de la surface du mtal, comme dans le cas des tats de surface.
L'expression correspondante pour la pente a la mme forme que dans le modle de
cowley et Sze, mais N
s
est remplac par la densit extrieure de MIGS, D
s
, et l'paisseur D
i
de couche interfaciale est remplace par une distance efficace, connexe la longueur
d'affaiblissement
s
de queues de MIGS.
1.2.6. Le SBH et les liaisons chimiques d'interface.
Quand un contact intime M/S est forme l'quilibre thermodynamique, des liaisons
chimiques sont tablies l'interface. Toutes les proprits lectroniques de l'interface de ce
contact sont naturellement influences par ces liaisons dinterface.
La pertinence des liaisons et de la structure de linterface de M/S avec la
dtermination de la hauteur de la barrire Schottky SBH a t propose par Andrews et
Phillips [Tung 36] dans leur tude de la chaleur de formation des siliciures H
f
. Ces
rsultats sont reprsents dans la figure (1.8).
La hauteur de la barrire du siliciure a t montre pour se corrler linairement avec
la chaleur de la formation du siliciure. Ainsi la dpendance linaire entre la hauteur de la
barrire de siliciure avec H
f
a t rationalise en raison de la longueur de liaison mtal/Si
et faiblesse dinteraction.
Dans le mme esprit, Brillson a propos d'analyser le paramtre de pente en termes de
chaleur de la formation du semi-conducteur, puisque c'est une mesure de la ractivit
chimique l'interface.
17
Figure.1.8. : Les hauteurs de la barrire des interfaces de siliciure des mtaux de
transition-Si sont trac en fonction de la chaleur de formation de siliciure
o
Bn
= 0.83+0.18H
f
. [Tang 36].
1.2.7. Modle unifi de dfaut (UDM)
Aprs le travail de Bardeen, il ait t bientt identifi que les tats de surface
intrinsques du semi-conducteur ne pourraient pas d'une manire satisfaisante expliquer
l'ancrage observ du niveau de Fermi aux contacts mtal / semi-conducteur covalent.
En particulier, on le sait qu'il n'y a aucun tel tat dans la bande interdite sur les surfaces
(110) de GaAs [Pang 49], mais les contacts mtal/GaAs (110) montrent toujours un ancrage
du niveau de Fermi. Par consquent, des tats localiss extrinsques ont t suggrs.
Pour des composs III-V, Spicer et Co-Workers, ont suppos que des dfauts soient
produits prs de la surface de semi-conducteur quand le mtal du contact est dpos sur
cette surface. Ces dfauts mnent ancrer le niveau de Fermi. Ceci s'appelle le modle
unifi de dfaut (UDM).
18
Hughes en 1986 a propos que l'ancrage de NF soit provoqu par des dfauts
extrinsques dans le semi-conducteur rsultants de l'incorporation des impurets ou des
atomes de mtal dposs dans le rseau du semi-conducteur.
1.3. Mcanismes de conduction dans les diodes Schottky
1.3.1. Introduction
Les caractristiques courant-tension d'une diode Schottky sont gnralement dcrites
par l'mission thermoonique [Sze 42]:
( ) 1 .
/
0
=
nkT qV
e J J (1.9)
O V la tension applique, k la constante de Boltzmann, T la temprature, n le facteur
d'idalit, et J
0
la densit de courant de saturation :
(1.10)
A
*
est la constante de Richardson.
Pour une diode Schottky idale, le facteur d'idalit, n est gale lunit, et la hauteur
de la barrire (en eV) est indpendante de la temprature et de la tension de polarisation.
La densit de courant de saturation J
0
, et le facteur d'idalit n peuvent tre obtenus
partir de l'interception et de la pente des courbes ln(J) = f(V), respectivement, sous la
forme :
Ln J = ln J
0
+ qV/nkT (1.11)
Si A
*
est connu, la hauteur de la barrire Schottky peut tre calcul aprs que J
0
soit
dtermin partir de lquation (1.11),
|
|
.
|
\
|
=
0
2 *
ln
J
T A
q
kT
B
o (1.12)
Dans la pratique, A
*
est inconnu et les mesures I V dpendants de la temprature
sont utiliss pour dterminer la hauteur de la barrire et la constante de Richardson.
|
.
|
\
|
=
kT
q
T A J
B
o
exp .
*
0
19
La hauteur de la barrire et la constante de Richardson peuvent tre extrait par la
mthode de Richardson :
B
kT
q
A
T
J
o = |
.
|
\
|
*
2
0
ln ln (1.13)
Pour la plupart des (Si et les semi-conducteurs III-V) diodes Schottky, cependant,
on a observ une dviation de l'mission thermoonique idale. On observe aussi que le
facteur n d'idalit augmente considrablement quand la temprature est abaisse (et est
beaucoup plus grand que l'unit des tempratures basses). D'ailleurs, les courbes
conventionnelle de Richardson ln (J
0
/T
2
) = f (1/T) ne sont pas linaires. Au lieu de cela,
les courbes modifis ln (J
0
/T
2
) = f (1/nT), qui sont linaires, sont employs pour extraire
la hauteur de la barrire Schottky. Pour les semiconducteurs non dops ou faiblement
dops, on constate que cette dviation ne peut pas tre expliqu par leffet Schottky, les
effets tunnel, ou le courant de recombinaison dans la rgion de dpltion. Pour expliquer
ces anomalies de la barrire Schottky, beaucoup de modles ont t tablis comme les
tats d'interface et la couche interfaciale.
Dans la section suivante, une thorie gnrale des mcanismes de conduction est
brivement dcrite.
1.3.2. Thories de transport
Dans une barrire Schottky, diffrents mcanismes de transport de charges peuvent
exister simultanment ou sparment et tre responsables du passage du courant.
- Emission dlectrons du semi-conducteur vers le mtal au dessus de la
barrire.
- Courant d au passage des lectrons travers la barrire par effet tunnel.
- Recombinaison dans la zone de charge despace.
- Recombinaison dans la rgion neutre.
20
1.3.2.1. mission au dessus de la barrire
Dans ce cas, le courant est d au passage des porteurs au dessus de la barrire. Ce
courant a t dcrit par plusieurs thories savoir celle de la diffusion, celle de lmission
thermoonique ou par une thorie regroupant les deux premires.
La diffrence entre les thories de diffusion et de lmission thermoonique est le
comportement de quasi-niveau de Fermi des lectrons dans le semi-conducteur. Elle peut
tre rcapitule comme suit [Pang 49].
1) Dans le cas de lmission thermoonique, les lectrons du semi-
conducteur qui traversent la barrire pour pntrer dans le mtal ne sont pas en
quilibre avec ceux de ce dernier. Ce sont des lectrons chaud, mobiles dans le mtal
qui perdent leurs nergies la suite de collisions. Le quasi-niveau de Fermi est plat
dans tout le semi-conducteur et sabaisse pour rejoindre le niveau de Fermi de mtal
lintrieur du mtal.
2) Dans le cas de la thorie de diffusion, le quasi-niveau de Fermi
concide avec le niveau de Fermi du mtal linterface.
Mtal semi-conducteur
W
E
c
Thorie dmission
Thermoonique E
Fs
V
E
Fm
Thorie de diffusion
Figure.1.9. : Position du quasi-niveau de Fermi des
lectrons en polarisation directe
21
Cette diffrence dans la position des quasis niveaux de Fermi est reprsente dans la
figure (1.9).
De faon pratique, la thorie de l'mission thermoonique sapplique plus au cas o les
lectrons ont une forte mobilit dans le semi-conducteur, la thorie de diffusion au cas o les
lectrons ont une faible mobilit dans le semi-conducteur.
a) Thorie de diffusion
Propose par Schottky et Spenke en 1939 [Schottky 48], cette thorie suppose que les
lectrons migrent du semi-conducteur au mtal par dessus la barrire en traversant la zone
appauvrie du semi-conducteur, ce qui restreint le courant direct. En effet ce dernier est limit
par la diffusion des porteurs travers le champ lectrique dans la zone de charge despace.
La concentration des lectrons dans le ct semi-conducteur de l'interface de M/S est
donne par :
| | kT E E q N n
F c c
/ ) ( exp = (1.14)
La densit du courant dans la rgion de dpltion dpend du champ local et du gradient
de concentration comme le montre l'quation suivante:
dx
dn
qD E qn J
n
+ = u (1.15)
O E est le champ lectrique de la barrire, D
n
le coefficient de diffusion et la
mobilit dlectron.
Lquation finale de la caractristique densit du courant-tension est la suivante :
( ) 1 .
/
0
=
kT qV
e J J (1.16)
O la densit du courant de saturation J
0
est:
|
.
|
\
|
=
kT
q
E N q J
B
c
o
u exp . . . .
max 0
(1.17)
22
Le champ lectrique maximum dans la jonction est donn par
s D
W qN E c /
max
= (1.18)
W est largeur de la zone de dpltion du semi-conducteur.
b) Thorie de lmission thermoonique
Dans la thorie de lmission thermoonique, le gradient du quasi-niveau de Fermi est
nglig. Ceci implique que le quasi-niveau de Fermi dans le semi-conducteur est plat. La
concentration des lectrons du ct semi-conducteur de l'interface M/S est augmente par
un facteur exp (qV/kT) quand une tension de polarisation est applique.
| | kT V q N n
B c
/ ) ( exp = o (1.19)
O N
c
est la densit dtats effectifs des lectrons dans la bande de conduction du
semi-conducteur, o
B
la hauteur de la barrire Schottky (en eV) et V la tension applique.
La densit du courant d lmission thermoonique des lectrons au dessus de la
barrire est donne par lexpression [Sze 42]:
(1.20)
o
|
.
|
\
|
=
kT
q
T A J
B
o
exp .
*
0
(1.21)
avec :
3 2 * *
/ 4 h qk m A t =
m
*
la masse effective des lectrons dans le semi-conducteur, h la constante de Planck.
c) Thorie de lmission-diffusion
La thorie combine de lmission thermoonique-diffusion tait prsente dabord par
Crowell et Sze en 1966 [Crowell 12]. Dans cette thorie on dfinit une vitesse de
recombinaison v
r
au maximum potentiel. La densit de courant au sommet de la barrire est :
( ) 1 .
/
0
=
kT qV
e J J
23
( )
r m
v n n q J
0
= (1.22)
o n
m
est la densit des lectrons x
m
(position du potentiel maximum) quand une
tension de polarisation est applique.
( ) | | kT x q N n
m B c m
/ ) ( exp o o = (1.23)
o ) (
m
x o est le quasi-niveau de Fermi (en eV) x
m
sous un tension de polarisation V.
n
0
est la densit des lectrons x
m
sous la condition de quasi-quilibre :
( ) kT q N n
B c
/ exp
0
o = (1.24)
Lexpression finale du courant est la mme que prcdemment (thorie de diffusion et
de lmission thermoonique), la diffrence rside au niveau du courant de saturation comme
le montre la relation suivante :
( ) 1 . .
/ 1
/ /
+
=
kT qV kT q
d r
r c
e e
v v
v qN
J
B
o
(1.25)
o
( )
1
/
. .
=

W
x
kT E q
d
m
c B
dx e
kT
q
v
o
(1.26)
La vitesse de recombinaison est donne par :
C
r
qN
T A
v
2 -
= (1.27)
1.3.2.2. Mcanismes de conduction par effet tunnel
La conduction par effet tunnel est caractrise par le passage travers la barrire, des
porteurs par effets quanto-mcaniques lorsque leur nergie nest pas suffisante pour pouvoir
la sauter et lorsquelle est suffisamment mince pour se laisser traverser. En effet, lorsque le
dopage du semi-conducteur augmente, la courbure de la bande linterface saccentue et la
largeur de la zone appauvrie diminue, ce qui facilite le passage des lectrons travers la
24
barrire. Plusieurs types de transport par effet tunnel existent parmi les plus intressants on
peut citer :
- l'mission par effet de champ ou effet tunnel pur (E.C).
- l'mission thermoonique assiste par effet de champ (E.T.A).
a) courant E.C
Lmission par effet de champ nest observe que dans les semi-conducteurs fortement
dops ou dgnrs et basses tempratures. Le courant est form dlectrons ayant des
nergies proches de lnergie de Fermi du semi-conducteur.
Pour une polarisation directe, le passage se fait au bas de la bande de conduction tandis
que pour une polarisation inverse, le passage est proche de lnergie de Fermi du mtal
comme lillustrent les figures (1.10) et (1.11).
Selon C.R.Crowell et V.L.Rideout [Crowell13], pour des tensions directes assez
grandes, lexpression de la densit du courant en fonction de la tension peut se mettre sous la
forme :
E.T
E.T.A
E
m
E.C E
Fs
E
c
E
Fm
Figure.1.10. : Mcanisme de transport du courant direct dans
une barrire Schottky forme sur un semi-conducteur fortement
dop.
25
|
|
.
|
\
|
=
0
0
exp .
E
qV
J J (1.28)
avec |
.
|
\
|
=

kT
E
E E coth
0
(1.29)
Le paramtre

E est dfini par :
trs basses tempratures, le terme

E kT / est ngligeable devant lunit, on a
alors :

~ E E
o
.
La densit du courant scrit :
|
|
.
|
\
|
=
E
qV
J J exp .
0
(1.30)
E.T.A E.T.A
qo
B
E
Fm
E.C E
Fm
E.C
qV
E
c
Figure.1.11. : Mcanismes deffet tunnel dans une diode Schottky polarise en
inverse.
a) faible polarisation
b) forte polarisation.
2 / 1
4
|
|
.
|
\
|
=
-
s
D
m
N qh
E
c
t
26
b) courant E.T.A
Ds que la temprature augmente, et pour une polarisation directe, les lectrons ont une
nergie suprieure lnergie de Fermi du semi-conducteur et infrieure celle ncessaire
pour passer au dessus de la barrire. A ce niveau, la largeur de la zone dappauvrissement est
faible et les lectrons la traversent avec une nergie E
m
qui reprsente le maximum de la
distribution nergtiques des lectrons mis comme le montre la figure (1.10) , ceci
correspond 1 /
E kT et la caractristique I V a lexpression empirique suivante :

|
.
|
\
|
=
nkT
qV
J J exp .
0
(1.31)
avec |
.
|
\
|
= =

kT
E
kT
E
kT
E
n
o
coth (1.32)
n tant appel le facteur didalit de la diode.
1.3.2.3. Recombinaison dans la zone de charge despace
Le processus de recombinaison dans la rgion de dpltion dans une diode Schottky est
li lexistence des centres localiss dans la bande interdite.
Selon le modle de Schockley, Read et Hall (SRH) en 1952 [Shockley 47], le taux de
recombinaison dans la rgion de dpltion est donn par lexpression suivante :
( ) ( )
i p i n
i
n p n n
n p n
U
+ + +

=
t t
2
.
(1.33)
O
n
et
p
sont la dure de vie des lectrons et des trous respectivement dans le semi-
conducteur. Un seul niveau de pige situ au milieu de la bande interdite et concide avec le
niveau intrinsque est suppos. La densit du courant de recombinaison est donne par :
=
W
dx x U q J
0
) ( . (1.34)
Avec les simplifications suivantes n, p > > n
i
, et
n
=
p
= , lexpression de la densit
du courant pour des basses tensions positives est donn par :
27
(1.35)
o
t 2 /
0
W qn J
i
= (1.36)
n
i
: est la concentration intrinsque des lectrons.
W : la largeur de la zone de dpltion.
( ) ( ) | | kT qV kT qV J J / exp 1 . 2 / exp
0
=
Chapitre 2
Mthode de rsolution numrique
Chapitre 2 : mthode de rsolution numrique
29
1. Introduction
L'objet de ce chapitre est d'tudier la modlisation mathmatique et la simulation
numrique du comportement lectrique de notre dispositif semi-conducteur.
Pour raliser ce but, il est donc ncessaire de concevoir une description physique,
simple, prcise de tous les mcanismes appropris qui rgissent le transport des charges
d'lectrons dans les dispositifs modernes, et en mme temps, pour dvelopper des
procdures numriques stables et efficaces qui permettent de calculer des estimations
quantitativement prcises des paramtres et des caractristiques lectroniques principales.
Dans ce chapitre, nous prsentons la mthode numrique pour tudier les proprits
lectriques des structures Schottky, en absence et en prsence dune couche doxyde :
- dans la premire partie, pour une structure Schottky idale, Nous crivons le modle
de drive-diffusion, Nous normalisons les variables. Nous dfinissons les conditions aux
limites pour chaque inconnue. Puis, nous introduisons une mthode itrative pour calculer
numriquement les solutions. Lalgorithme de rsolution du systme des quations
diffrentielles est bas sur celle de Gummel [Gummel 22]. La discrtisation du domaine
d'tude des quations diffrentielles est base sur la mthode de diffrences finies.
- dans la deuxime partie, pour une structure Schottky en prsence dune couche
disolant, nous prsentons les diffrentes quations de base, rgissant le fonctionnement
lectrique. A partir de ces quations, nous dfinissons les grandeurs lectriques de la
structure.
2. Proprits lectriques et phnomne de transport de courant dans une structure
Schottky
2.1. Modle mathmatique
Dans ce chapitre, nous prsentons le modle classique de drive-diffusion (DD) de
transport, qui exprime en plus de l'quation de Poisson pour le potentiel, la conservation
des densits des lectrons et des trous. Ce modle peut tre obtenu partir des quations
de Maxwell.
2.1.1 quation de Poisson
Lquation de Poisson dcrit des phnomnes de nature lectrostatique, elle permet
de relier le potentiel lectrique avec la densit de charge . Elle peut tre dduite de l'une
30
des quations du Maxwell, p = V D . , partir d'une quation caractrisant le comportement
lectrique du matriel, E D c = , et de fait que v V = E , Lquation de poisson scrit:
c p v / ) .( = V V . (2.1)
Lintgration de cette quation permet de calculer la variation du potentiel dans un
semi-conducteur partir de la charge despace.
La charge despace est calcule en tenant compte de toutes les charges qui existent en
un point du semi-conducteur, c'est--dire dune part des charges mobiles que sont les
lectrons et les trous avec des concentrations n et p, respectivement, et dautre part des
charges fixes qui peuvent tre localises sur des accepteurs ou donneurs ioniss, avec des
concentrations

a
N ou
+
d
N , ou sur des centres profonds. En labsence de centres profonds
ioniss et une temprature ambiante, lquation de Poisson scrit simplement :
c v / ) (
d
a
N N p n q + = V (2.2)
2.1.2. Les quations du courant
Les courants dans le semi-conducteur rsultent de dplacement des porteurs de
charge, lectrons et trous, sous laction dune force. Lorigine de la force peut tre un
champs lectrique ou un gradient de concentration. Dans le premier cas, le courant est dit
de conduction, dans le second il est dit de diffusion.
La forme simple de ces quations, connue sous le nom modle de drive-diffusion,
est :
n D q E n q J
n n n
V + = . . . . .u (2.3.a)
p D q E p q J
p p p
V = . . . . .u (2.3.b)
D
n
et D
p
sont les constantes de diffusion des lectrons et des trous respectivement.
Le coefficient de diffusion des porteurs peut tre lie la mobilit selon les
quations d'Einstein:
q
kT
D
p p
u = ,
q
kT
D
n n
u = (2.5)
Compte tenu de ces relations et en appliquant v V = E , les courants dlectrons et
de trous peuvent scrire sous lune ou lautre des formes suivantes :
31
), . . ( . n
q
kT
n q J
n n
V + V = v u (2.6.a)
), . . ( . p
q
kT
p q J
n p
V V = v u (2.6.b)
2.1.3. Les quations de continuit
Les quations de continuits rgissent la condition dquilibre dynamique des
porteurs dans le semi-conducteur. Dans un barreau semi-conducteur parcouru par un
courant, considrons un lment infinitsimal de volume. La diminution de la quantit de
porteurs par unit de temps dans le volume est due : (i) la diffrence locale entre le flux
des porteurs qui entrent la volume et de ceux qui en sortent, et (ii) la diffrence entre les
porteurs qui se recombinent et qui gnrent.
Le taux de diminution avec du temps est dV
t
c
c
c
, o c est la concentration (n ou p). la
premire contribution correspond div f dV (f est le flux d'un des porteurs), et la seconde
correspond (U-G) dV . Donc :
dV G U fdV div dV
t
c
) ( =
c
c
Ou :
t
c
G U f div
c
c
+ = ) ( (2.7)
Lquation (2.3) sera rcrite en termes de densit de courant J. pour les lectrons, J
n
= qf,
et (2.3) doit tre multipli par q, tandis que pour les trous J
p
= - qf , par consquent :
t
c
q G U q divJ
n
c
c
+ = ) .( (2.8.a)
t
c
q G U q divJ
p
c
c
= ) .(
(2.8.b)
2.1.4. Modle de recombinaison
Les diffrents processus qui seront lorigine de la gnration ou de la
recombinaison des porteurs de charge sont nombreux, un des mcanisme prdominant a t
analys par Schockley-Read-Hall [47]. Il prend en compte lensemble des processus de
gnration- recombinaison dorigine thermique.
32
+ + +
=
) ( ) (
1
) . (
2
i p i n
i
n p n n
n p n U
t t
(2.9)
t
n
et t
p
sont les dure de vie des lectrons et des trous respectivement.
Pour qu'un modle de recombinaison soit qualitativement correct, les conditions suivantes
doivent tre runies :
Injection : ( 0 .
2
U p n n
i
)
Extraction : ( 0 .
2
U p n n
i
)
2.1.5. Le modle unidimensionnel de la structure
Dans l'tat statique tous les drivs en ce qui concerne le temps sont nuls. Et parce
que c'est un modle unidimensionnel, les oprateurs diffrentiels rduisent aux drivs
totaux en x:
Lquation de Poisson: | |
+
+ =
c
c
A D
r
N N p n
q
x
.
0
c c
v
(2.10)
Les quations de continuit:
U
x
J
q
n
=
c
c 1
(2.11.a)
U
x
J
q
p
=
c
c
1
(2.11.b)
Les quations du courant : ), . . ( .
x
n
q
kT
x
n q J
n n
c
c
+
c
c
=
v
u (2.12.a)
), . . ( .
x
p
q
kT
x
p q J
p p
c
c
c
c
=
v
u (2.12.b)
2.2. La mthode numrique
2.2.1. Normalisation
Si on regarde les valeurs que peut prendre les inconnue et les paramtres du systme,
on remarque que les densits de porteurs libres p et n, prennent des valeurs entre 0 et 10
18
,
ce qui montre que ces variables ont une forte variation et qu'elles voluent dans des plages
de nombres trs diffrentes.
Ceci peut tre une source d'erreurs d'arrondis et par suite de rsultats errons dans la
simulation numrique. La normalisation des variables est ncessaire pour les ramener une
33
plage de valeurs convenables pour le traitement numrique. Dans la littrature, on trouve
plusieurs choix. Dans notre cas, on va choisir la normalisation suivante:
- Les potentiels sont diviss par kT/q :
kT q / v = +
- Les concentrations sont divises par n
i
- Les longueurs sont normalises selon :
L x X / =
O L, la longueur intrinsque de Debye.
Le soin supplmentaire doit tre employ en normalisant les drivs
) ( ) ( ' X x
dX
d
x
dx
d
kT
q
v = +
'
.
' v
kT
q L
= + (2.13)
Et donc:
"
.
" v
kT
q L
= + (2.14)
Le tableau suivant donne les diffrents paramtres de normalisation utiliss :
Symbole signification paramtres de
normalisation
x longueur / . .
0
q n kT L
i r
c c =
v potentiel kT/q
n
o ,
p
o pseudos potentiels de Fermi des lectrons et des trous kT/q
n, p concentrations des lectrons et des trous n
i
J
n
, J
p
densits du courant des lectrons et des trous L kT n
n i
/ . .u
n
u ,
p
u mobilits des lectrons et des trous
n
u
U le taux net de recombinaison q L kT n
n i
. / . .u
n
t ,
p
t dure de vie des lectrons et des trous
n i r
n q u c c . . / .
0
N
dop
la concentration des centres donneurs et accepteurs n
i
Tableau 2.1 Les paramtres de normalisation
34
Aprs la normalisation le systme dquations prcdent scrit :
A D
N N x P x N
X
+ =
c
+ c
) ( ) (
(2.15)
U
X
J
n
=
c
c
(2.16.a)
U
X
J
p
=
c
c
(2.16.b)
|
.
|
\
|
c
c
+
c
+ c
=
X
N
X
N J
n n
. . u (2.17.a)
|
.
|
\
|
c
c
c
+ c
=
X
P
X
P J
p p
. . u (2.17.b)
2.2.2 Schma de discrtisation
La discrtisation du domaine tudier des quations aux drives partielle est
base sur la mthode de diffrences finies, cette mthode est trs classique, simple mettre
en uvre et convient pour beaucoup de problmes rencontrs en physique mathmatique.
Le principe de cette mthode consiste remplacer les drives par des quotients de
diffrences. Les calculs sont effectus suivant un maillage. Dans le cas unidimensionnel, le
domaine de simulation est un segment de droite de longueur L
s
, le maillage est constitu
dun ensemble de point X
i
pour i variant de 0 n, tel que :
A partir de la formule de Taylor, on peut approcher les drives par les schmas suivantes :
h
x F h x F
x F
) ( ) (
) ( '
+
~
Diffrence avant;
h
h x F x F
x F
) ( ) (
) ( '

~
Diffrence arrire;
h
h x F h x F
x F
2
) ( ) (
) ( '
+
~
Diffrence centre
h X
0 1 2 X
i-1
X
i
X
i+1
X
n-2
X
n-1
X
n
35
et
) ( ) ( 2 ) (
) ( "
h
h x F x F h x F
x F
+ +
~
h est l'intervalle de grille:
Lintervalle h de grille doit tre rendu assez petit pour rsoudre la variation de charge
de l'espace, donc il devrait tre sensiblement plus petit que la longueur de Debye.
En changeant de notation (notation indicielle), on obtient :
h
F F
F x F
i i
i
~ =
+1 '
) ( '
ou
h
F F
F
i i
i
1 '
~
et
2
) ( "
1 1 "
h
F F F
F x F
i i i
i
+
+
~ =
(2.18)
2.2.2.1. Approximation de Gummel pour les densits de courant
Le dveloppement entre deux points de concentration de porteurs de charge nest pas
linaire, mais il est approxim par des fonctions exponentielles qui amliorent la non
linarit de lquation de continuit. Pour dterminer la forme intgrale de lquation de
courant selon Gummel et Scarfetter on impose la condition qui fait quentre deux nuds
successifs, lintensit du champ lectrique, la mobilit et la densit du courant soient
constants. Sous ces conditions, les quations de courant J
n
et J
p
peut scrire sous la
forme diffrentielle dans lintervalle lmentaire x
i+1
-x
i
:
i i
i i
i i
i
i
i
n n
x x
T k
e
n
T k
e
n
e J
i
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
= =
+
+
+
+
+
+
1
1
1
1
1
1
.
) (
exp
.
exp
.
2 / 1
v v
v v
v
u
(2.19.a)
(2.19.b)
i i
i i
i i
i
i i
i
p p
x x
T k
e
p
T k
e
p
e J i
|
.
|
\
|
|
.
|
\
|
= =
+
+
+
+
+
+
1
1
1
1
1
1
.
) (
exp
.
) (
exp
. 2 / 1
v v
v v
v v
u
36
Lapplication de cette approximation dans lalgorithme de rsolution, permet une
meilleure convergence et vite daboutir des impossibilits physiques du type
concentrations ngatives.
2.2.2.2 Discrtisation de lquation de Poisson
Soit lquation de Poisson discrtiser, au point i :
A D
N N P N
X
+ =
c
+ c
(2.20)
La variable + est suppose linaire entre deux points successifs. En utilisant les
schmas prcdentes de discrtisation, on obtient, lquation de Poisson linarise en + ,
sous la forme discrtise :
0 ) 2 .(
1
1 1
= + + + + + =
+ + i i i i
i
h
F p (2.21)
La densit de charge despace est sexprim aussi en fonction des valeurs des
inconnues au point i :
A D i i i
N N P N + + = p (2.22)
2.2.2.3 Discrtisation des quations de continuit
Soit lquation de continuit dlectron discrtis:
U
x
J
n
=
c
c
(2.23)
La forme normalise du modle de recombinaison propos par Shockley-Read-Hall est
donne par :
+ + +
=
) 1 ( ) 1 (
1
) 1 . (
P N
P N U
p n
t t
(2.24)
Lquation de continuit (2.23) permet dcrire en appliquant un schma centr aux
diffrences :
0 .
2 / 1 2 / 1
= =
+
h U J J F
i
n n
i
n i i
(2.25)
En utilisant lexpression de Gummel pour le courant J
n
(2.19.a) et la valeur de U
i
au
point i, on obtient lquation de continuit des lectrons sous la forme discrtise ci-
dessous :
37
| |
0 .
) 1 ( ) 1 (
1
) 1 . (
). exp( . . ) exp( . . . .
1 1 1 1 1 1
=
|
|
.
|
\
|
+ + +
+
+ + + + + + =
+ +
h
P N
P N
N C N C C N C F
i p i n
i i
i i i i n i i i i i n i i n
i
n
t t
u u u
(2. 26)
] 1 ) .[exp(
:
1
1
+ +
+ +
=
+
+
i i
i i
i
h
C
avec
(2.27)
De la mme faons, on peut obtenir lquation de continuit des trous en remplaant,
dans lquation de continuit des lectrons N par P , + par + et
n
u par
p
u :
0 .
2 / 1 2 / 1
= = +
+
h U J J F
i
p p
i
p i i
(2.28)
Soit
| |
0 .
) 1 ( ) 1 (
1
) 1 . (
1
.
. )
1
exp( .
1
. )
1
exp( .
1
.
1
.
=
|
|
.
|
\
|
+ + +
+
+
+
+ + +
+ +
+

=
h
P N
P N
i
P
i
C
p
i
P
i i i
C
i
C
p i i i
P
i
C
p
i
p
F
i p i n
i i
t t
u
u u
(2.29)
Avec la forme (2.27) pour C
i
Lensemble des quations rsoudre est form de trois systmes dquations 3n
inconnues
p n
F F F , ,
v
. La rsolution de ces systmes dquation est fait par des
mthodes itratives.
2.2.3. Itrations Fonctionnelles
Dans cette section, nous discutons l'itration fonctionnelle dcouple qui sera
employe pour rsoudre le model de drive- diffusion (2.10)-(2.11). Ce modle constitue
un systme non-linaire des problmes. Pour surmonter ces limitations, un algorithme
dcoupl, bien connu comme mthode de Gummel [Gummel 22], est habituellement utilis
dans l'approximation numrique du modle de Drive-Diffusion.
La mthode de Gummel consiste la solution successive de l'quation non-linaire du
Poisson (2.10), et des deux quations linarises de continuit (2.11.a) et (2.11.b).
38
Le systme dquations obtenu aprs la linarisation et discrtisation est rsolu par la
mthode de Gauss. Les inconnues , N et P seront rvalues chaque itration et le
processus sera poursuivi jusqu la convergence.
La mthode de Gummel montre typiquement une convergence rapide et une bonne
robustesse avec le choix de la solution initiale.
L'algorithme de Gummel consiste trois tapes principales:
(tape 1) calcul:
() = (n, p) (2.30)
Pour n et p donn, en rsolvant l'quation de Poisson par la mthode de Gauss ;
(tape 2) calcul:
n =
n
(, p) (2.31)
En rsolvant l'quation linarise de continuit d'lectron
(tape 3) calcul:
p =
p
(, n) (2.32)
En rsolvant l'quation linarise de continuit de trou
La rsolution numrique sera arrte lorsquun critre de convergence est atteint. Pour cela
on a utilis un test darrt donn par :
,
1
c s + +
+ k k
,
1
c s
+ k k
N N ,
1
c s
+ k k
P p (2.33)
O k prsente le nombre ditration.
est une valeur prdfinie tous les points du maillage. Elle donne une indication sur la
convergence de la mthode de rsolution.
2.2.4. Solutions initiales et conditions aux limites
Les conditions aux limites jouent un rle trs important dans le problme de
convergence et le temps dexcution. Pour cette raison, les conditions aux limites doivent
tre raisonnable pour obtenir des rsultats acceptables.
Dans cette section nous dfinissons les conditions aux limites appropries pour le
modle DD prsents dans la section.2. Dans ce modle, nous supposons le domaine de
dispositif. les conditions aux limites de Dirichlet sont donnes et appliques pour les
densits du porteur et les potentiels (figure.2.1) :
39
=
= =
,
,
s
s
L
L
A
s
L
D
s
L
N p N n
v v
(2.34)
En outre, nous supposons que les conditions d'quilibre thermique et de neutralit sont
satisfaites cette limite.
|
|
.
|
\
|
+ =
= +
=
V
N
n
N N p n
n p n
c
S m
L
s
L
A D
i
i
s
ln
1
0
.
2
|
; o v
(2.35)
o V est le potentiel applique.
Et :
) exp(
0
kT
q
N n
Bn
c
o
=
La rsolution de systme dquations, ncessite trois solutions initiales de v , n et
p. Lutilisation dune bonne solution initiale permet datteindre plus rapidement la solution
exacte recherche.
-qv
qo
m
q
Si
E
c
E
Fn
qV
0 L
s
Fig.2.1 : diagramme nergtique dune
structure M /n-S
i
40
La solution initiale est gnralement la solution correspondant lquilibre
thermique. A lquilibre thermique, la connaissance de lun des contours : de potentiel ou
de concentration de porteurs de charge permet laide dune formulation analytique, de
dterminer les deux autres et donc connatre les trois solutions initiales.
Selon lapproximation de Gummel, On suppose que le potentiel est linaire entre
deux points conscutifs :
b X a + = + . (2.36)
A partir de cette distribution linaire de potentiel, on calcule les valeurs n
i
et p
i
des
concentrations en chaque point de maillage selon les relations suivantes :
) exp( ) (
0
|v n x n = (2.37.a)
) exp( ) (
0
|v = p x p (2.37.b)
O kT q / = |
Toutes les tapes de lexcution du programme sont reprsentes sur la figure (2.2).
41
Si non
Si Oui
Fig. 2.2. Organigramme de la rsolution du systme dquations
Dbut
Entre des conditions aux limites et
solutions initiales
Construction du systme dquations
linariss
Application de la mthode de Gauss et
rsolution du systme
Test de Convergence
- Calcul de , n et p
- Calcul de la densit de courant
Fin
Affichage des rsultats et
reprsentation des courbes.
42
3. Proprits lectriques et phnomne de transport de courant dans une structure
Schottky MIS
3.1. Etudes des proprits lectriques des structures MOS
3.1.1. Diagramme des bandes dnergie
Ltude physique des structures MOS est base sur lutilisation de leur diagramme de
bandes dnergie qui est reprsent sur la figure (2.3), dont le substrat est de type P. Il
apparat, pour une tension V applique la structure, des dformations de ce diagramme
dans la couche doxyde et dans le semi-conducteur.
O
q : charge lmentaire,
E
c
: nergie du niveau le plus bas de la bande de conduction dans le volume du semi-
conducteur,
E
v
: nergie du niveau le plus haut de la bande de valence dans le volume du semi-
conducteur,
E
Fs
: niveau de fermi du semi-conducteur,
E
Fm
: niveau de fermi du mtal,
q
s
: affinit lectronique du semi-conducteur,
D
i
: paisseur de la couche doxyde,
qVi
q
s
qo
m
E
g
E
Fm
qV E
c
o
Bp
qVp
E
Fs
qv
s
D
i
Fig.2.3 : diagramme des bandes dnergie dune structure MOS polarise
43
V
i
: chute de potentiel dans lisolant,
v
s
: potentiel de surface.
m
o : travail de sortie de mtal,
F
o : diffrence nergtique entre les niveaux E
Fi
et E
Fs
dans le volume du semi-
conducteur.
3.1.2. Les quations de bases
A partir de la figure (2.3), nous pouvons dduire lexpression de la tension V en
fonction des paramtres lectriques de la structure MOS comme ceci :
i s F
g
s m
V
q
E
V + + = v o ; o
2
) ( (2.38)
Lexpression du potentiel o
F
est donne par :
2
) log(
2
g
i
A c
F
E
n
N N
q
kT
= o (2.39)
O :
N
c
: la densit dtats effectifs des lectrons dans la bande de conduction du semi-
conducteur.
n
i :
concentration intrinsque du semi-conducteur (n
i
1.4.10
10
cm
-3
dans le cas du
silicium).
En utilisant la loi de Gauss, lexpression du potentiel lectrique V
i
dans la couche
doxyde peut se mettre sous la forme :
( )
s s s
i
i
i
Q E
D
V = c
c
(2.40)
s
Q : La charge des tats de surface rsultante linterface.
i
c : Constante dilectrique de loxyde.
E
s
: le champ lectrique linterface oxyde/semi-conducteur.
44
Lexpression du champ lectrique E(x) dans le semi-conducteur est dtermine,
partir de la rsolution de lquation de Poisson, cette quation de Poisson relie la courbure
des bandes du semi-conducteur, v(x), la densit de charge, (x) :
sc
x
x d
x d
c
p v ) (
) (
=
(2.41)
o
sc
reprsente la permittivit du semi-conducteur.
la densit de charge dpend la fois de la densit en porteurs libres et de la charge
fixe due aux impurets dopantes ionises du substrat, En un point dabscisse x, la densit
de charge est donne par :
| | ) ( ) ( ) ( x n x p N N q x
A D
+ = p (2.42)
o
N
D
et N
A
: respectivement, les densits des donneurs et accepteurs ioniss,
p(x) et n(x) : sont respectivement les densits de trous et dlectrons dans le semi-
conducteur.
=
=
) / exp( ) (
) / exp( ) (
0
0
kT p x p
kT n x n
v
v
(2.43)
O p
0
et n
0
sont les densits de trous et dlectrons dans le semi-conducteur loin de
linterface.
Dans le volume du semi-conducteur, la condition de neutralit doit tre satisfaite,
c'est--dire :
0 ) (
0 0
= + =
A D
N N n p x p , ce qui implique que
D A
N N n p =
0 0
.
Lquation (2.42) devient alors :

|
|
.
|
\
|
= 1 )) ( [exp( ] 1 )) ( [exp( ) (
2
x x
N
n
qN x
A
i
A
|v |v p (2.44)
O pour un substrat de type P , p
0
= N
A
et n
0
= (n
i
)
2
/ N
A
.
45
partir de lexpression (2.44) et de lquation de Poisson (2.41), on obtient le champ
lectrique :
( ) ( )
2 / 1
2
2
1 ) ( )) ( exp( 1 ) ( )) ( exp(
2
) (
+ + =
c
c
= x x
N
n
x x
qL
kT
x
x E
A
i
|v |v |v |v
v
(2.45)
Avec un signe + si v < 0 et signe si v > 0.
O reprsente le potentiel thermique ( = q/kT), L tant la longueur de Debye du semi-
conducteur,
0
q p
kT
L
sc
D
c
=
Pour dterminer le champ lectrique linterface, on remplace dans lquation (2.45)
v par v
s
:
( ) ( )
2 / 1
2
2
1 ) exp( 1 ) exp(
2
+ + =
s s
A
i
s s s
N
n
qL
kT
E |v |v |v |v (2.46)
En appliquant le thorme de Gauss au champ lectrique linterface, la densit
totale de charge est obtenue :
( ) ( )
2 / 1
2
2
1 ) exp( 1 ) exp(
2
+ + = =
s s
A
i
s s s sc sc
N
n
qL
kT
E Q |v |v |v |v c
(2.47)
La relation qui existe entre la tension V applique la structure MOS, le champ
lectrique E
s
et le potentiel de surfacev
s
linterface du semi-conducteur, scrit en tenant
compte des relations (2.38) et (2.40) :
( )
s s s
i
i
s F
g
s m
Q E
D
q
E
V + + = c
c
v o ; o
2
) ( (2.48)
partir de cette dernire expression, nous pouvons dduire lexpression de la tension
V
FB
qui correspond la situation de bandes plates :
46
s
i
i
F
g
s m FB
Q
D
q
E
V
c
o ; o =
2
) ( . (2.49)
Le champ lectrique E
i
dans la couche doxyde est calcul partir de la chute de
potentiel V
i
et lpaisseur de la couche doxyde D
i
:
i i i
E D V = (2.50)
Les quations prcdentes montrent que les proprits lectriques du semi-
conducteur tel que le potentiel de surface v
s
et la chute de potentiel ne peuvent tre
dtermins de faon analytique, nous nous sommes bass sur une mthode numrique de
Newton-Raphson. Toutes les tapes suivies sont reprsentes sur la figure (2.3).
Non
Oui
Fig.2.3 : Organigramme de simulation des proprits lectriques
des structures MOS.
Entre des constantes universelles et des
constantes de la structure
v
s
=(
1 + i
s
v -
i
s
v ) < prcision
- calcul de la chute de potentiel V
i
- calcul du champ E
i
Calcul du courant tunnel et Tracs des caractristiques
Affichage des rsultats et
reprsentation des courbes.
Initialisation
i = 0, v
s0
Calcul de
1 + i
s
v (quation.2.48)
v
s
=
i
s
v
47
3.2. Phnomne de transport du courant
Aux interfaces mtal/oxyde et oxyde/semi-conducteur, en thorie classique, les
porteurs ne peuvent franchir les barrires de potentiel pour migrer travers la couche
doxyde. Les porteurs arrivent jusquaux interfaces et rebroussent chemin. Cependant,
lanalyse quantique qui est base sur le calcul probabiliste, montre que certains porteurs
dnergie E
x
peuvent pntrer, lune des interfaces, dans la couche doxyde et atteignent
lautre interface du composant. Ce phnomne appel effet tunnel.
Lexprience montre que ces transitions isonergtiques peuvent avoir lieu sous
lapplication dun champ lectrique lev [Aziz1]. Ceci nexiste pratiquement jamais dans
les dispositifs classiques dont lpaisseur de la couche doxyde excde 500A. Par contre,
le principe de fonctionnement des nouveaux dispositifs lectroniques dits dispositifs tunnel
dont lpaisseur de loxyde est infrieure 100A est bas sur linjection des porteurs par
effet tunnel.
Dans le cas dune structure MOS, la densit du courant tunnel sexprime de la
manire suivante [Lue26] :

+ =
E
t
dE E T
kT
E
h
qm
J ) ( . ) exp( 1 log
4
3
0
t
(2.51)
T( E ) : la probabilit de transmission, lexpression de T( E ) est donne par :
) . exp( ) (
2 / 1
i p
D E T o o = (2.52)
avec ) 2 (
4
*
h
m
h
|
.
|
\
|
=
t
o (2.53)
o
p
: lhauteur de la barrire tunnel.
La densit du courant tunnel a alors pour expression [Card18] :
)] exp( 1 )).[ ( exp( ). . exp(
2 / 1 *
V V D T A J
p s i p P t
| v | o o + = (2.54)
K cm/ A / 32
*
=
p
A .
Chapitre 3
Calcul des caractristiques statiques
Chapitre 3 : Calcul des caractristiques statiques
49
Introduction
Dans ce chapitre, on va prsenter dabord les rsultats de simulation numrique
obtenue par rsolution des quations phnomnologiques de transport pour une structure
Schottky idal (profil de potentiel lectrique, concentration des porteurs, caractristiques
courant-tension). On va aussi prsenter linfluence du travail de sortie et de concentration
de dopage sur les caractristiques lectriques J V.
Concernant ltude dune structure Schottky rel avec une couche native doxyde et
des tats de surface, on va simuler dabord les proprits lectriques dune structure MOS
(potentiel de surface v
s
, champ E
i
et potentiel V
i
dans la couche doxyde). Ensuite, on va
tudier la conduction tunnel et linfluence de la densit des tats de surface et de
lpaisseur doxyde sur les caractristiques J V.
3.1. Rsultats
Nous tenons compte d'un substrat Si avec une paisseur gale 1m [turner 31].
On a suppos que la concentration du dopage N
Dopage
est uniforme et entirement ionise
la temprature ambiante.
Le tableau 3.1 donne des paramtres physiques, lectriques et technologiques utilis dans
la simulation.
Paramtre valeur
) (
1 1 2
s V cm
nSi
u 1500
) (
1 1 2
s V cm
pSi
u
450
) ( s u t 1
) . (
1
cm Farad
Si
c 11.9.
o
E
g
(eV) 1.12
) (eV
Si
; 4.01
Tableau.3.1. paramtres lectrique et physiques utiliss dans la simulation
50
Une tude de la simulation d'une structure Schottky idale (M/Si) est ralise dans la
premire fois.
3.1.1. Structure Schottky idal
3.1.1.1. Rsolution numrique du systme dquation:
Pour pouvoir tudier les caractristiques J V dun semi-conducteur il faut calculer
tout dabord les variables lmentaire (x), n(x) et p(x) du systme dquation. Le profil
du potentiel et des densits des porteurs de charges sont reprsents dans les figures (3.1)
et (3.2), respectivement.
fig.3.1.a : profil du potentiel (x) pour
un semi-conducteur de type N.
o
m
=4.8 eV, N
D
=10
17
cm
-3
fig.3.1.b : profil du potentiel (x) pour
un substrat de type P.
o
m
=4.3eV, N
A
=2.10
15
cm
-3
0,00 0,01 0,02 0,03 0,04
-10
-8
-6
-4
-2
0
+
(
x
)
[
k
T
/
q
]
x[L]
V=0.4volt
0,00 0,01 0,02 0,03 0,04
-0,5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
v
(
x
)
|
k
T
/
q
]
x[L]
V=0.5volt
51
0,00 0,01 0,02 0,03 0,04
-1x10
6
0
1x10
6
2x10
6
3x10
6
4x10
6
5x10
6
6x10
6
7x10
6
8x10
6
x[L]
n
(
x
)
[
n
i
]
V=0,4volt
0,0
2,0x10
3
4,0x10
3
6,0x10
3
8,0x10
3
1,0x10
4
p
(
x
)
[
n
i
]
Fig.3.2.a: concentration des porteurs du charge n(x) et p(x) pour un semi-conducteur de
type N , o
m
=4.8 eV, N
D
=10
17
cm
-3
0.00 0.01 0.02 0.03 0.04
-5.0x10
3
0.0
5.0x10
3
1.0x10
4
1.5x10
4
2.0x10
4
2.5x10
4
3.0x10
4
3.5x10
4
4.0x10
4
V=0,5volt
x[L]
n
(
x
)
[
n
i
]
-2.0x10
4
0.0
2.0x10
4
4.0x10
4
6.0x10
4
8.0x10
4
1.0x10
5
1.2x10
5
1.4x10
5
1.6x10
5
p
(
x
)
[
n
i
]
Fig.3.2.b: concentration des porteurs du charge n(x) et p(x) pour un semi-conducteur de
type P. o
m
=4.3 eV, N
A
=2.10
15
cm
-3
52
3.1.1.2. Phnomne de transport
A lquilibre thermodynamique, pour un semi-conducteur de type N, les lectrons
passent du semi-conducteur vers le mtal crant une zone de dpltion dans le semi-
conducteur, les ions donneurs ne sont plus compenss par les lectrons, il apparat une
zone de charge despace positive, dautre part, la distance entre le niveau de Fermi et la
bande de conduction est plus grande au voisinage de linterface que dans la rgion neutre
du semi-conducteur.
Lorsquon polarise la structure, la tension de polarisation se localise au niveau de la
zone de dpltion. Si la structure est polarise par une tension V, suppose positive (dans
le sens direct), la barrire de potentiel que doivent franchir les lectrons pour passer dans le
mtal est rduite. Les lectrons qui diffusent vers le mtal crent un courant du mtal vers
le semi-conducteur. En polarisation inverse, la hauteur de la barrire de potentiel qui
sopposait la diffusion des lectrons augmente. La figure (3.3.a) prsente le profil du
potentiel et de densit des porteurs de charges lquilibre thermodynamique et sous une
polarisation directe.
0,00 0,01 0,02 0,03 0,04
-1x10
6
0
1x10
6
2x10
6
3x10
6
4x10
6
5x10
6
6x10
6
7x10
6
8x10
6
n
(
x
)
[
n
i
]
x[L]
V=0volt
V=0,4 volt
Fig.3.3.a: profil du potentiel et de densit des porteurs de charges lquilibre
thermodynamique et sous polarisation directe ( semi-conducteur de type N).
0.00 0.01 0.02 0.03 0.04
-25
-20
-15
-10
-5
0
+
(
x
)
[
k
T
/
q
]
x[L]
V=0volt
V=0,4volt
53
Pour un semi-conducteur de type P, les lectrons passent du mtal dans le semi-
conducteur. Les lectrons qui viennent du mtal se recombinent avec les trous crant une
zone de dpltion due la prsence des ions accepteurs qui ne sont plus compenss par les
trous.
Polarisons la structure, la tension de polarisation se localise au niveau de la zone de
dpltion. Si la tension de polarisation est ngative, la courbure des bandes augmente, la
barrire de potentiel est augmente. En polarisation directe, les bandes sont abaisses et la
barrire de potentiel est rduite.
Fig.3.3.b: profil du potentiel lquilibre
thermodynamique et sous polarisation
directe, (semi-conducteur de type P).
Fig.3.3.c: densit des porteurs de
charges n(x) lquilibre
thermodynamique et sous polarisation
directe, (semi-conducteur de type P).
0,00 0,01 0,02 0,03 0,04
0
5
10
15
20
25
v
(
x
)
[
k
T
/
q
]
X[L]
V=0 vol t
V=0. 5 vol t
0.00 0.01 0.02 0.03 0.04
-2.0x10
4
0.0
2.0x10
4
4.0x10
4
6.0x10
4
8.0x10
4
1.0x10
5
1.2x10
5
1.4x10
5
1.6x10
5
V=0vol t
V=0. 5 vol t
p
(
x
)
[
n
i
]
X[L]
54
3.1.1.3. Densit du courant
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0
1
2
3
4
5
6
V(volt)
J
(
A
/
c
m
)
Caractristique J-V (chelle linaire)
(a)
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
10
-8
10
-6
10
-4
10
-2
10
0
10
2
V (volt)
J
(
A
/
c
m
)
Caractristiqaue J-V (chelle semi-logarithmique)
(b)
Fig.3.4.a : Caractristique JV pour un structure Schottky idal Al/p-Si (rsultat
numrique), (a). chelle linaire, (b). chelle semi-logarithmique.
55
Aprs avoir trouv les variables n(x), p(x) et (x), on peut calculer la
caractristique J V . Lallure de la densit du courant est reprsente dans la figure (3.4).
Le courant dans les structure Schottky est essentiellement d aux porteurs
majoritaires, il est alors transport par les lectrons dans le cas dune structure de type N et
par les trous dans le cas dune structure de type P.
En polarisation directe, la densit de courant augmente exponentiellement avec la
tension applique lchelle linaire comme le montre la figure.3.4.a. lchelle semi-
logarithmique, cette caractristique a une allure linaire pour les basses tensions
(fig.3.4.b)mais dvie considrablement de la linarit due l'effet de la rsistance srie,
quand la tension applique est suffisamment grande. Ceci est expliqu par le fait qu'aucune
couche vide de porteurs n'existe l'interface et quand lon polarise cette structure, la
tension applique nest pas localise dans la zone de charge despace, mais distribue dans
tout le semi-conducteur. A linterface, larrive, ou le dpart, dun trou dans le semi-
conducteur est immdiatement compense par larrive, ou le dpart, dun lectron dans le
mtal. Il en rsulte que le courant circule librement dans les deux sens au niveau du
contact. Donc le contact est rsistive.
Par ailleurs, la densit du courant se sature en polarisation inverse comme le montre
la figure.3.4.b.
La figure.3.4.c prsente les caractristiques exprimentales J V en polarisation
directe et inverse avec un facteur didalit n = 1.88.
Pour une structure Schottky idal, n =1, mais en ralit n est toujours suprieur 1.
Cette dviation du cas idal est d en fait :
- leffet de la prsence dune couche interfaciale disolant.
- Leffet des tats de surface.
- Leffet de passage des porteurs par effet tunnel.
Les rsultats numriques sapproche des rsultats exprimentaux comme le montre
les figures.3.4.b et 3.4.c.
56
Fig.3.4.c : Caractristique J-V exprimental pour un structure Schottky Al / p-Si avec
une couche interfaciale disolant [Aydin 30].
Pour tudier les caractristiques J V on va considrer les effets suivants :
- Leffet de changement de travail de sortie
- Leffet de changement de la concentration de dopage.
3.1.1.3.1. Effet de changement de travail de sortie :
La configuration d'un contact Schottky, son excution et fiabilit est rigoureusement
dtermine par la qualit d'interface entre le mtal dpos et la surface de semi-conducteur.
Une variation de la caractristique courant-tension avec le travail de sortie du mtal
pour un semi-conducteur de type N est reprsente dans la figure (3.5), on peut observer
que les courbes reprsentant les variations de J V avec les diffrentes valeurs de o
m
se
rpartissent en deux rgions :
57
- Pour o
m
> 4.3 eV, le contact est redresseur pour les basses tensions positives et les
tensions de polarisation inverse, le semi-conducteur est en rgime de dpltion ou
dinversion (o
m
> 4.8). le courant a une allure caractristique des diodes
conventionnelle. Pour les grandes valeurs de tension de polarisation directe, le
contact est ohmique.
- Pour o
m
< 4.3 eV, on voit que le courant change compltement dallure, il devient
ohmique. Le potentiel diminue avec la diminution de o
m
et la concentration des
lectrons augmente la surface.
-1.2 -1.0 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
J
(
A
/
c
m
)
TensionappliqueV(volt)
o
m
=5,1eV
o
m
=4,9eV
o
m
=4,8eV
o
m
=4,7eV
o
m
=4,6eV
o
m
=4,5eV
o
m
=4,3eV
o
m
=4,1eV
fig.3.5: caractristique J V pour diffrents travaux de sortie du mtal (semi-conducteur
de typeN). N
D
=10
17
cm
-3
On constate aussi que pour les grandes valeurs de o
m
, le courant est faible car dans
cette intervalle, la surface du semi-conducteur est en rgime dinversion.
58
Dans le cas dun semi-conducteur de type P, on peut remarquer que le contact est
redresseur dans la rgion o o
m
< 4.8 eV pour les basses tensions positives et les tensions
de polarisation inverse, et ohmique dans la rgion o o
m
> 4.8 eV comme le montre la
figure.3.6.
Les barrires de potentiel pour des structures Schottky de type P est gnralement
moins leves que pour des structures de type N. la variation de la caractristique J V par
rapport celle du travail de sortie du mtal pour un semi-conducteur de type P ressemble
celle de type N. Ceci se trouve confirm par le fait que, pour un mtal donn, la somme des
hauteurs des barrires sur du silicium du type N et du type P gale approximativement la
largeur de la bande interdite.
-1.2 -1.0 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
J
(
A
/
c
m
)
V(volt)
o
m
=4,17eV
o
m
=4,3 eV
o
m
=4,5 eV
o
m
=4,8 eV
o
m
=4,9 eV
o
m
=5,0 eV
fig.3.6: caractristique J V pour diffrents travaux de sortie du mtal (semi-conducteur
de type P), N
A
=2.10
15
cm
-3
59
3.1.1.3.1. Effet de changement de concentration de dopage :
Pour observer l'effet de la concentration du dopage sur le comportement lectrique
de la structure Schottky, nous avons trac les caractristiques JV en fonction des
concentrations du dopage dans la gamme de 10
13
-10
18
cm
-3
. La figure.3.7 reprsente la
variation de cette caractristique J V par rapport celle de la concentration de dopage
pour des semi-conducteurs de type P et de type N.
Nous avons dfini le potentiel de diffusion V
D
de la diode Schottky, la tension sous
laquelle la densit du courant augmente exponentiellement. Selon la figure.3.7, on peut
voir que le potentiel de diffusion augmente quand la concentration des impurets
augmente.
La densit du courant lchelle semi logarithmique montre un contact ohmique pour
des grandes valeurs de tensions positives pour des concentrations du dopage infrieure ou
gale 10
18
cm
-3
.
fig.3.7.a: caractristique J-V pour diffrents concentrations de dopage (semi-conducteur
de type P). o
m
=4.3 eV
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
J
(
A
/
c
m
)
V (volt)
N
A
=10
13
cm
-3
N
A
=10
14
cm
-3
N
A
=10
16
cm
-3
N
A
=10
18
cm
-3
60
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
J
(
A
/
c
m
)
V(volt)
N
D
=10
19
cm
-3
N
D
=10
18
cm
-3
N
D
=10
16
cm
-3
N
D
=10
14
cm
-3
N
D
=10
13
cm
-3
fig.3.7.b: caractristique J-V pour diffrents concentrations de dopage (semi-conducteur
de type P). o
m
=4.3 eV
61
3.1.2. Structure Schottky rel (structure MOS):
3.1.2.1. Rsolution numrique du systme dquation :
Les figures (3.8) et (3.9) prsente respectivement la densit des lectrons n(x) et le
profil du potentiel (x) dans une structure mtal/oxyde/semi-conducteur de type P dans le
cas de silicium avec N
A
=2.10
15
cm
-3
, D
i
= 2.10
-7
cm et une tension de polarisation V =
0.5 volt.
0,00 0,01 0,02 0,03
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
v
(
x
)
[
k
T
/
q
]
x[L]
0,00 0,01 0,02 0,03
0,0
1,0x10
-6
2,0x10
-6
3,0x10
-6
4,0x10
-6
5,0x10
-6
6,0x10
-6
7,0x10
-6
n
(
x
)
[
n
i
]
x[L]
fig.3.8 : profil du potentiel (x) pour fig.3.9 : concentration des lectrons
un semi-conducteur de type P. n(x) pour un semi-conducteur de type
N
A
=2.10
15
cm
-3
, D
i
= 2.10
-7
cm P. N
A
=2.10
15
cm
-3
, D
i
= 2.10
-7
cm
3.1.2.2. Etudes des proprits lectriques des structures MOS
laide de lalgorithme dcrit au chapitre prcdemment, les valeurs des potentiels
de surface peuvent tre dtermines pour diffrentes valeurs de V.
62
La figure (3.11) prsente lvolution des potentiels de surface v
s
du semi-conducteur
en fonction de la tension applique. Il apparat un comportement dpendant du rgime de
fonctionnement :
- en rgime de dpltion, le potentiel de surface augmente dune manire importante
avec la tension applique.
- En d'autres rgimes, le potentiel de surface varie lgrement avec la tension
applique.
-0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
-0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V(volt)
p
o
t
e
n
t
i
e
l
d
e
s
u
r
f
a
c
e
(
v
o
l
t
)
Fig.3.11 : potentiel de surface en fonction de tension de polarisation pour semi-conducteur
de type P (Si), o
m
= 4.17 eV, D
i
= 2nm, N
A
=2. 10
15
cm
-3
, N
s
= 5.10
11
eV
-1
cm
-2
.
La courbe reprsentant la variation de Q
sc
en fonction du potentiel de surface v
s
est
reprsente sur la figure (3.12) dans le cas de silicium de type P avec N
A
= 2.10
15
cm
-3
une temprature ambiante. On observe les diffrents rgime de fonctionnement, pour une
valeur ngative de v
s
, la charge despace prsente une variation exponentielle
correspondante une rgime daccumulation ( ) ( ) kT 2 / q exp Q
s s
v ~ , en rgime de
63
dpltion et de faible inversion Q
s
varie en
s
v , et nouveau varie exponentiellement en
rgime de forte inversion ( ) ( ) kT 2 / q exp Q
s s
v ~ .
En rgime de faible inversion, la charge despace est conditionne par les charges de
dpltion car les charges dinversion sont en quantit ngligeable devant la densit dions
accepteurs. En rgime de forte inversion au contraire, la charge despace est conditionne
par les lectrons dont la densit en surface est plus grande que celle des accepteurs.
-0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
potentiel de surface (volt)
a
b
s
(
Q
s
c
)
(
c
o
u
l
/
c
m
)
Fig.3.12 : Charge despace dans le semi-conducteur en fonction du potentiel de
surface v
s
pour silicium de type P, o
m
= 4.17 eV, D
i
= 2nm, N
A
=2. 10
15
cm
-3
, N
s
=
5.10
11
eV
-1
cm
-2
.
Nous avons trac suivant le mme organigramme prsent dans la section
prcdente, la chute de potentiel V
i
et le champ E
i
dans la couche doxyde en fonction de la
tension de polarisation V (figure.3.13). Il apparat un comportement dpendant du rgime
de fonctionnement :
- en rgime de dpltion, la chute du potentiel V
i
et le champ dans la couche doxyde
ne varie pratiquement pas avec la tension de polarisation V.
64
- en autres rgimes, la chute du potentiel et le champ dans la couche doxyde varie
linairement avec la tension applique V.
-0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V(volt)
c
h
u
t
e
d
e
p
o
t
e
n
t
i
e
l
(
v
o
l
t
)
Fig.3.13 : Potentiel support par la couche doxyde en fonction de tension de
polarisation, o
m
=4.17eV, D
i
= 2nm, N
A
=2. 10
15
cm
-3
, N
s
= 5.10
11
eV
-1
cm
-2
-0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
x 10
6
V(volt)
E
i
(
v
o
l
t
/
c
m
)
Fig.3.14 : champ dans la couche doxyde en fonction de tension de polarisation,
o
m
=4.17eV, D
i
= 2nm, N
A
=2. 10
15
cm
-3
, N
s
= 5.10
11
eV
-1
cm
-2
65
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2
-0,2
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
v
s
(
v
o
l
t
)
V(volt)
Ns = 0 eV
-1
cm
-2
Ns = 2x10
11
eV
-1
cm
-2
Ns = 5x10
11
eV
-1
cm
-2
Ns = 1x10
12
eV
-1
cm
-2
Ns = 2x10
12
eV
-1
cm
-2
Ns = 5x10
12
eV
-1
cm
-2
Ns = 1x10
13
eV
-1
cm
-2
Fig.3.15 : variation de potentiel de surface en fonction des tats de surface.
o
m
=4.17eV , D
i
= 2nm, N
A
=2. 10
15
cm
-3
.
La figure (3.15) montre la variation du potentiel de surface en fonction de la tension
applique pour diffrentes valeurs de densit dtats de surface N
s
. On peut observer
lexistence de deux rgions (N
s
<10
12
eV
-1
cm
-2
et N
s
> 10
12
eV
-1
cm
-2
).
La sensibilit la densit de ces tats se manifeste qu partir de ltat critique qui est
de lordre de 10
12
eV
-1
cm
-2
.
Il est vident que la courbure des bandes diminue avec laugmentation de la densit
des tats de surface, ceci conduit une augmentation de la chute de tension travers la
couche doxyde.
La diminution de potentiel de surface est d au fait que les tats de surface pigent
des porteurs libres et par consquent modifient les populations des bandes permises. Il en
rsulte quau voisinage de la surface, les bandes se courbent vers le bas ou le haut suivant
que la population lectronique augmente ou diminue.
Chapitre 3 : Calcul des caractristiques
66
Pour des densits faibles des tats de surface, il en rsulte que ces tats, sont saturs
sans trop affecter la densit de porteurs majoritaires et le semi-conducteur prsente une
lgre courbure de bandes.
La figure.3.16 prsente linfluence de lpaisseur doxyde D
i
sur le potentiel de
surface v
s
, il apparat que le potentiel de surface varie lgrement avec la variation de
lpaisseur doxyde.
-1.0 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
+
s
(
v
o
l
t
)

V(volt)
Di = 5A
Di = 10A
Di = 20A
Di = 30A
Fig.3.16 : variation de potentiel de surface en fonction de diffrents valeurs dpaisseur
doxyde. o
m
=4.17eV, N
A
=2. 10
15
cm
-3
, N
s
= 5.10
11
eV
-1
cm
-2
3.1.2.3. La densit du courant tunnel :
La figure (3.17) montre la caractristique JV pour diffrentes valeurs dpaisseur
doxyde D
i
. Il apparat que la densit du courant augmente avec la tension applique et
avec la diminution de lpaisseur de loxyde.
Lpaisseur de la couche disolant est un paramtre trs important qui peut affect
la caractristique lectrique JV des contacts M/S, c'est parce que le courant est limit par
67
la probabilit de transmission, Eq.2.52, qui varie exponentiellement avec l'paisseur
disolant.
Pour des grandes valeurs de D
i
, la probabilit de transmission est trs faible, est le
courant est en effet ngligeable, si lisolant est trs mince, peu d'empchement est fourni au
transport de porteurs entre le mtal et le semi-conducteur, et la structure reprsente la diode
barrire Schottky. Pour une dispositif avec d'paisseur intermdiaire de la couche
isolante, la structure reprsente la diode tunnel MIS.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
10
-20
10
-15
10
-10
10
-5
10
0
10
5
V(volt)
J
(
A
/
c
m
)
Di = 5A
Di = 10A
Di = 20A
Di = 30A
fig.3.17 : linfluence de lpaisseur doxyde sur les caractristiques J-V,
o
m
=4.17eV, N
A
=2. 10
15
cm
-3
, N
s
= 5.10
11
eV
-1
cm
-2
Sur la figure 3.18 est reprsent Linfluence de la densit des tats de surface sur
les caractristiques couranttension. Il apparat que linfluence de ces tats nest
significative qu partir dune densit critique qui est de lordre de 10
12
eV
-1
cm
-2
.
En augmentant la densit dtats de surface, la concentration des porteurs
majoritaires augmente et le potentiel de surface diminue (fig 3.15), il en rsulte que le
courant augmente
68
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
10
-15
10
-10
10
-5
10
0
V(volt)
J
(
A
/
c
m
)
Ns=0 /eV.cm
Ns=2e11 /eV.cm
Ns=5e11 /eV.cm
Ns=1e12 /eV.cm
Ns=2e12 /eV.cm
Ns=5e12 /eV.cm
fig.3.18 : linfluence de la densit des tats de surface sur la caractristique J V,
o
m
=4.17eV, N
A
=2. 10
15
cm
-3
, N
s
= 5.10
11
eV
-1
cm
-2
.
Conclusion
Conclusion
70
Conclusion
Les caractristiques densit de courant tension dune structure Schottky, ont t
tudies. Cette tude qui est constitue lessentiel de notre travail sest appuye sur la
rsolution numrique simultane des quations rgissant les phnomnes de transport dans
les semi-conducteurs (quations de continuit et quation de Poisson). En particulier, une
normalisation de ces quations a t mise en uvre pour garantir la stabilit numrique de
lalgorithme de rsolution.
La rsolution du problme permet de connatre la concentration des porteurs de
charge libre et le potentiel lectrique pour la structure Schottky considre. Ceci permet
par la suite, de remonter aux caractristiques courant tension.
Pour un contact Schottky idal, on a vu comment varient le potentiel et les
concentrations des porteurs pour diffrents types de polarisation. En polarisation directe, la
courbure des bandes diminue et la hauteur de la barrire de potentiel que doivent franchir
les porteurs est rduite, tandis que en polarisation inverse la hauteur de la barrire de
potentiel est augmente.
On a vu encore lallure de la densit de courant, elle a une allure linaire lchelle
semi-logarithmique en polarisation directe et elle se sature en polarisation inverse.
La caractristique densit de courant tension (JV) est tudie en fonction du
travail de sortie et en fonction de la concentration du dopage. Laugmentation de
m
, pour
un semi-conducteur de type P fait loigner la densit du courant de son allure linaire
caractristique des contacts redresseurs vers une allure conventionnelle caractristique des
contacts ohmiques.
Pour un contact Schottky rel, on a tabli les quations de base rgissant le
fonctionnement lectrique des structures MOS. On a analys en fonction de la tension V
applique les rsultats de simulation numriques des grandeurs lectriques linterface
oxyde/semi-conducteur (potentiel de surface
s
, champ E
i
et potentiel V
i
). A partir des
rsultats obtenus on a dfini le rgime de fonctionnement de la structure dans le cas dun
semi-conducteur de type P.
Conclusion
71
Concernant ltude de leffet tunnel, on a tudi linfluence de la densit des tats de
surface et de lpaisseur sur les caractristiques courant tension. On a montr que la
densit des tats de surface nest significative qu partir dune charge critique.
72
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Rsum :
La technologie des dispositifs lectroniques semi-conducteurs repose en grande
partie sur des jonctions mtal/semi-conducteur. Ce travail consiste alors caractriser la
jonction Schottky et tudier les diffrentes proprits lectroniques de la structure.
Une bonne caractrisation dune structure Schottky passe ncessairement par la
modlisation des ses proprits lectriques. Cette modlisation ncessite alors la rsolution
des quations qui dcrivent le comportement lectrique des semi-conducteurs. La
rsolution permet de dterminer les distributions des porteurs de charges et du potentiel
lectrique au sein du matriau, pour remonter par la suite au caractristique lectrique JV,
et dtudier les effets de quelques paramtres sur cette caractristique, savoir le travail de
sortie du mtal, la concentration de dopage du substrat semi-conducteur, la densit des
tats dinterface et lpaisseur de linterface.

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E kT et la caractristique I V a lexpression empirique suivante :

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