Le bande di energia nei solidi

A. Carnera - 2004

Bande 1

Risultati e limiti del modello ad elettroni liberi

Modello di Drude : distribuzione di Maxwell-Boltzmann Modello di Sommerfeld: distribuzione di Fermi-Dirac
M.B.: F.D.:

Legge di Ohm !

ne = m
2

m = 1014 s 2 ne

1 3 2 m v 0 = kB T v 0 10 7 cm s1 2 2 1 2 m v 0 = F v 0 10 8 cm s1 2

= v 0 10 = v 0 100

risulta essere il parametro semiempirico che mette in relazione la resistivit alla dinamica del gas di elettroni

Effetto Hall: ! coefficiente di Hall indipendente da

RH =

Ey 1 = jx H nce

M.B. & F.D.

Conducibilit elettrica in AC: !

4 n e 2 () = 1 i m 2
M.B. F.D.

costante dielettrica del gas di elettroni

M.B. & F.D.

Capacit termica: !

CEL = ( 3 / 2) n kB CEL = ( 2 / 2) n kB (T / TF )

Wiedermann-Franz: !

K / = ( 3 / 2)( kB / e) T
2

M.B. F.D.

K / = ( 2 / 3)( kB / e) T
2

Q=
Effetto Seebeck (termoelettrico): !

Ex k = B dT / dx 2e
Ex k T = B dT / dx 2 e TF

M.B.

Q=
A. Carnera - 2004

F.D.

Bande 2

Approccio Tight-binding
Funzione d onda simmetrica: orbitale di legame

= c ( a + b )

Funzione d onda antisimmetrica: orbitale di antilegame

= c ( a b )

A. Carnera - 2004

Bande 3

La formazione della banda

N=2

N=6

N=1022

Splitting dei livelli 3s del Na

A. Carnera - 2004

Bande 4

Riempimento delle bande: metalli

Na

Z=11

3p

3s

2N

2p

6N

2s 1s

2N 2N

A. Carnera - 2004

Bande 5

Energy gap: isolanti e semiconduttori

Materiali isolanti: Eg>> kT Materiali semiconduttori: Eg> kT

Cristallo Si Ge InP GaP GaAs CdS CdTe ZnO

Eg (eV) a 300 K 1.14 0.67 1.35 2.26 1.43 2.42 1.45 3.2 3.6

A. Carnera - 2004

ZnS

Bande 6

Conduzione in semiconduttori intrinseci

A. Carnera - 2004

Bande 7

Potenziali periodici e teorema di Bloch

Elettrone libero:

h2 2 H= = 2m free = Be i ( k x t ) = h = p2 h2k 2 = 2m 2 m
Elettrone in un potenziale periodiico relazione di dispersione parabolica

h H = 2 + U (r ) = 2m
2

R = n1a1 + n 2a 2 + n 3a 3

U (r + R) = U (r )

potenziale periodico

n k (r ) = e i k r un k (r )
Teorema di Bloch:

n k (r + R) = e i k ( r + R ) un k (r ) = e i k R n k (r )

un k (r + R) = un k (r )
Condizioni periodiche al contorno

(r + N i a i ) = (r )
i Ni k a i

i = 1, 2, 3

(r + N i a i ) = e i N i k a i (r )

N = N1N2N3 numero di celle nel cristallo

=1

i = 1, 2, 3

k=

mi bi Ni i= 1

mi intero Ni
Bande 8

A. Carnera - 2004

Conseguenze del teorema di Block

hk
non la quantit di moto dell elettrone!

h h h n k = (e i k R u(r )) = h kn k + e i k R u(r ) i i i

H n k

h2 2 = + U (r )n k = n k 2m

per ogni k esiste un set discreto e infinito di autovalori dell energia

n k = n (k)

banda di energia

la funzione

n (k) continua e periodica in k, con la periodicit del reticolo reciproco

n k + K (r ) = n k (r ) n (k + K ) = n (k)

poch

n (k) continua e periodica in k, essa ha un minimo e un massimo

A. Carnera - 2004

Bande 9

Autofunzioni di bordo zona

1 = Be i ( k x t ) 2 = Be i( k x t ) = 1 2 = Be i ( k x t ) Be i ( k x t ) + = 1 + 2 = Be i ( k x t ) + Be i ( k x t )

= 2 Bie i t sin
Se k di bordio zona

k =

a + = 2 Be i t cos

x a

* = 4 B 2 sin 2

x a x a

*free free = B 2

x a

* + = 4 B 2 cos2 +

1 0.8 0.6 0.4 0.2

> free > +

-2

-1

A. Carnera - 2004

Bande 10

La superficie di Fermi
Lo stato fondamentale di N elettroni di Block costruito occupando tutti gli stati di elettrone singolo aventi energie n(k), con k confinato in una singola cella del reticolo reciproco Si hanno due possibilit:

1)

un certo numero di bande sono completamente piene e tutte le altre sono vuote: il band gap definito come la differenza in energia fra il massimo della banda piena di pi alta energia ed il minimo della pi bassa fra le bande vuote a) il band gap molto maggiore di kBT: b) il band gap dell ordine di kBT: materiale isolante materiale semiconduttore intrinseco

2)

un cero numero di bande parzialmente riempito: il livello di Fermi cade nell intervallo di energia di una o pi bande materiale conduttore metallico

La superficie di Fermi (se esiste) definita come il luogo dei punti nello spazio-k che soddisfano la relazione n (k) = F

A. Carnera - 2004

Bande 11

Rappresentazione in zona estesa

E free

h2k 2 = 2m

A. Carnera - 2004

Bande 12

Rappresentazione in zona ristretta

A. Carnera - 2004

Bande 13

Velocit di gruppo
In generale la funzione d onda sar

= A( k )e i [ k x k t ]

vG =

d 1 dE = dk h dk

h2 k 2 E= 2m
Elettrone libero:
-1

dE h 2 k = dk m
-0.5 0.5 1

vG =
-1 -0.5 0.5 1

hk p = m m

E Elettrone di Bloch: -/a

-1 -0.5

vG

0.5

/a

-/a

-1

-0.5

0.5

/a

A. Carnera - 2004

Bande 14

Massa efficace
Per l elettrone libero

F=

dp dt
F=h dk dt F=h dk dP = dt dt

Per l elettrone di Block

dW = dE = F dx = F vG dt

1 dE dE F dk dt = h dk dk

Definizione della massa efficace

F = m*

dvG dt
*

F=h

dk dv dv dk = m* G = m* G dt dt dk dt

h = m*

dvG 1 d2E = m* dk h dk 2

h2 m = 2 d E / dk 2 h2 k 2 E= 2m dE h 2 k = dk m d 2 E h2 = dk 2 m h2 m= 2 d E / dk 2

Per l elettrone libero

banda larga

banda stretta

c =

m* > m
-1 -0.5 0.5 1

m* < m
-1 -0.5 0.5 1

eH m* c

frequenza di ciclotrone

A. Carnera - 2004

Bande 15

Materiali semiconduttori

A. Carnera - 2004

Bande 16

La tavola di Mendeleev

H
4

III Be 2p
5

IV
6

V
7

He 1s2 Ne

1s

Li

10

2s

11

Na

12

Mg 3d

3p

13

Al

14

Si

15

16

17

Cl

18

Ar

3s

19

20

Ca

29

Cu

4p

31

Ga

32

Ge

33

As

36

Kr

4s

37

Rb

38

Sr

4d

47

Ag

5p

49

In

50

Sn

51

Sb

54

Xe

5s

55

Cs

56

Ba

5d

lantanidi

79

Au d10

6p

81

Tl

82

Pb

83

Bi

86

Rb

6s

87

Fr

88

Ra

6d

attinidi

d2

d3

d4

d5

d6

d7

d8

d9

p1

p2

p3

p4

p5

p6

7s

s1

s2

d1

A. Carnera - 2004

Bande 17

Configurazioni elettroniche
Z = 5 B Al Ga In Tl 1s2 2s2 2p1 1s2 2s2 2p6 3s2 3p1 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p1 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p6 4d10 5s2 5p1 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p6 4d10 4f14 5s2 5p6 5d10 6s2 6p1 Z = 13 Z = 31 Z = 49 Z = 81

III gruppo elementi trivalenti

Z = 6

C Si Ge Sn Pb

1s2 2s2 2p2 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p6 4d10 5s2 5p2 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p6 4d10 4f14 5s2 5p6 5d10 6s2 6p2

IV gruppo elementi tetravalenti

Z = 14 Z = 32 Z = 50 Z = 82

Z = 7

N P As Sb Bi

1s2 2s2 2p3 1s2 2s2 2p6 3s2 3p3 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p3 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p6 4d10 5s2 5p3 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p6 4d10 4f14 5s2 5p6 5d10 6s2 6p3

V gruppo elementi pentavalenti

Z = 15 Z = 33 Z = 51 Z = 83

A. Carnera - 2004

Bande 18

Struttura e propriet
Si GaAs

A. Carnera - 2004

Bande 19

Band gap dei principali semiconduttori

Cristallo C (diamante) Si Ge InSb InAs InP GaAs AlSb GaP SiC Te ZnSb GaSb Eg (eV) 5.33 1.14 0.67 0.23 0.33 1.25 1.4 1.6 - 1-7 2.25 3 0.33 0.56 0.78 Cristallo PbS PbSe PbTe CdS CdSe CdTe ZnO ZnS ZnSe AgCl AgI Cu2O TiO2 Eg (eV) 0.34 - 0.37 0.27 0.30 2.42 1.74 1.45 3.2 3.6 2.60 3.2 2.8 2.1 3

A. Carnera - 2004

Bande 20

Stati donori (droganti del V gruppo)

Modello idrogenoide
Stato fondamentale dellidrogeno:

e4 m EH = = 13.6 eV 2 ( 4 0 ) 2 h 2 ED = e 4 m* 2 ( 4 0 ) 2 h 2 4 0 h 2 rD = e 2 m*

E D m* / m = EH 2

4 0 h 2 rH = 2 em

m*/m Ge Si 0.1 0.2

15.8 11.7

ED 5.4x10-3 eV 20x10-3 eV

rD 83 31

Energie di ionizzazione sperimentali (meV)

P Ge Si 12 45 As 12.7 49 Sb 9.6 39

A. Carnera - 2004

Bande 21

Struttura delle bande

A. Carnera - 2004

Bande 22