Captulo 6 El Diodo

6.1 Introduccin 6.2 La unin p-n en equilibrio 6.3 Polarizacin del diodo 6.4 Curva caracterstica del diodo 6.5 Diodos especiales 6.6 Aplicaciones del diodo 6.7 Cuestiones y problemas

Objetivos Comprender cualitativamente los fundamentos fsicos de la unin p-n en equilibrio y polarizada. Conocer la curva caracterstica I-V de los diodos. Saber utilizar las distintas aproximaciones del diodo para resolver circuitos con diodos. Conocer algunos diodos especiales: Zener, LED y Schottky.

6.1 Introduccin La unin entre un semiconductor p y otro n es el elemento bsico del que depende el funcionamiento de casi la totalidad de los dispositivos basados en semiconductores. A partir de las propiedades de los semiconductores, y los procesos de difusin y desplazamiento de portadores de carga, desarrolaremos de forma cualitativa el comportamiento de la unin pn, tanto en equilibrio como polarizada. La unin pn es en s misma un dispositivo denominado diodo, del que estudiaremos su comportamiento, y su utilizacin en algunas aplicaciones. Por otro lado, estudiaremos tambin en este captulo el transistor, que es uno de los principales dispositivos de semiconductores empleados en amplificacin y en conmutacin. Describiremos tambin de forma cualitativa los movimientos de cargas en el interior del transistor, tanto para transistores de unin como de efecto campo, y veremos algunas de sus aplicaciones.

6.2 La unin pn en equilibrio Los semiconductores extrnsecos de tipo p y de tipo n tienen poca utilidad por s mismos, sin embargo, debido a las propiedades fsicas de los mismos, estudiados en las lecciones anteriores, la unin de un semiconductor de tipo p con otro de tipo n presenta la importante caracterstica de facilitar el paso de la corriente elctrica en un sentido y no en el contrario lo que la hace muy til en numerosas aplicaciones de las que veremos algunos ejemplos en este captulo. La unin p-n es el elemento bsico y fundamental de toda la electrnica de semiconductores, y decimos que est en equilibrio cuando no est conectada a un circuito o no est polarizada, lo cual vamos a analizar en esta seccin. En la siguiente seccin estudiaremos la unin p-n polarizada. Vamos a estudiar, en primer lugar, de forma cualitativa los fundamentos fsicos que caracterizan la unin pn: la distribucin de los r portadores de carga, la densidad volumtrica de carga , el campo elctrico E , y la diferencia de potencial de contacto V0 que estn presentes en la denominada zona de transicin de la unin pn. A la temperatura de 0 K los portadores de carga, electrones libres en la zona n y huecos en la zona p, estn ligados a sus respectivos tomos, pero a temperatura ambiente los dos tipos de portadores estn libres para la conduccin elctrica, y como se muestra en la Figura 0-1, debido a los importantes gradientes de concentracin de huecos y electrones libres en la zona de la unin, huecos de la zona p pasan por difusin hacia la zona n y electrones de la zona n pasan a la zona p.

0K

300 K

Figura 0-1. Esquema de la unin pn sin polarizar a 0 K y a temperatura ambiente. Los crculos vacos representan los huecos, los crculos rellenos los electrones libres o de conduccin y los crculos con signo + en su interior las impurezas donadoras aceptoras respectivamente

Al pasar electrones libres a la zona p donde hay muchos huecos stos tienen una probabilidad muy alta de recombinarse, ocurriendo lo mismo con los huecos que pasen de la zona p a la zona n. As, en la zona de la unin, muchos huecos y electrones se recombinan, quedando una estrecha zona, denominada zona de transicin con una distribucin neta de carga elctrica debida a la presencia de los iones de las impurezas y a la ausencia de huecos y electrones. Esta distribucin de carga crea una diferencia de potencial r denominada potencial de contacto y un campo elctrico E , como se muestra en la Figura 0-2, que produce corrientes de desplazamiento, que equilibran a las de difusin, al estar el circuito abierto. En la Figura 0-2 y sucesivas, los lmites en la zona de transicin se denotan por xp y xn.

V0 r E

r J des

xp

xn

r r Jdes + Jdif = 0

r J dif

Figura 0-2. Unin p-n sin polarizar, mostrando la zona de transicin, el campo elctrico, el potencial de contacto y las corrientes de difusin y de desplazamiento

Concentracin de los portadores de carga en la unin La variacin de la concentracin de los portadores de carga, huecos y electrones libres, en la unin es como se muestra en la pp0 NA nn0 ND Figura 0-3 en el caso de que la concentracin de impurezas aceptoras NA de la zona p sea aproximadamente igual a la de impurezas donadoras ND en la zona n. En los puntos alejados de la unin, las concentraciones de portadores de carga son las correspondientes al semiconductor n o p en equilibrio. En el caso de que la concentracin de impurezas sea np0 pn0 mucho mayor que la concentracin intrnseca, estas xp xn concentraciones vienen dadas por: Figura 0-3. Variacin de la n2 p p0 N A , n p0 i concentracin de los NA portadores en la unin p-n en

n i2 ND En la zona de transicin, existen gradientes de concentracin. Estos gradientes de concentracin dan lugar a un movimiento de huecos desde la zona p a la zona n, y a un movimiento de electrones desde la zona n a la zona p. Todo ello da lugar a una densidad de corriente de difusin de la zona p a la n, y por tanto de una intensidad de corriente por difusin de la zona p a la n. nn 0 N D , pn 0

equilibrio

Distribucin volumtrica de carga en la zona de transicin Los huecos que se difunden hacia la (x) zona n se recombinan con los electrones all existentes en exceso y viceversa, de forma +qND que, en la zona de transicin, la concentracin de portadores de carga (p y n) x es prcticamente nula, quedando dicha zona xp xn cargada con los iones de las impurezas; de -qNA donde resulta una densidad volumtrica de carga que es negativa en el lado p de la unin y positiva en el lado n, tal como se Figura 0-4. Distribucin volumtrica de muestra en la Figura 0-4. carga en la zona de transicin Campo elctrico en la zona de transicin La distribucin dipolar de las E(x) cargas origina un campo elctrico en la Xp Xn zona de transicin, dirigido desde la zona n a la zona p, como se muestra en la X Figura 0-2 y Figura 0-5. Debido a la existencia del campo elctrico aparece una corriente de desplazamiento en la direccin del campo Figura 0-5. Campo elctrico en la zona de elctrico. As, en la unin p-n en equilibrio transicin o en circuito abierto, el mdulo de dicha corriente de desplazamiento es igual al mdulo de la corriente de difusin, y como son de sentidos opuesto la corriente elctrica total (desplazamiento + difusin) es nula. Diferencia de potencial de contacto V(x) La existencia del campo elctrico en la zona de transicin implica la existencia tambin de una diferencia de potencial en la V0 zona de la unin. Este potencial, denotado por V0 en la figura se denomina potencial de Xn Xp X contacto, y representa la diferencia de potencial entre los extremos de la zona de Figura 0-6. Diferencia de potencial de contacto transicin en circuito abierto y en equilibrio. Este potencial, a una temperatura de 20 C, es de unos 0,7 V para diodos de silicio, y de unos 0,3 V para diodos de germanio. El potencial de contacto no genera tensin capaz de producir corriente, sino que constituye una barrera de potencial que se opone a la difusin de los portadores mayoritarios. Para entender esta idea con ms claridad recordemos que las cargas positivas se mueven de las zonas de mayor a las de menor potencial, y las cargas negativa a la inversa. En la zona p los portadores mayoritarios son los huecos y como la zona n est a mayor potencial que la zona p, esta diferencia de potencial dificulta o impide el movimiento de los

huecos de la zona p a la n. Lo mismo ocurre con el movimiento de los electrones de la zona n a la p. Este potencial de contacto no se puede medir con un voltmetro conectado a los terminales del diodo, pues aparecen otros potenciales de contacto metalsemiconductor en las conexiones, de forma que la suma de las cadas de potencial es cero. El valor del potencial de contacto, se puede obtener a partir de la ecuacin 9-7 que proporciona la diferencia de potencial en un semiconductor con dopado no uniforme: p xp V0 = Vxn Vxp = VT ln p xn Tal y como ya se ha comentado, en el caso de que la concentracin de impurezas sea mucho ms grande que la concentracin intrnseca, la concentracin de huecos en la zona p viene dada por: p xp N A y en la zona n: n2 p xn i ND Con lo cual,

V0 = Vxn Vxp = VT ln

N AND ni
2

VT = 0,026 V a 300 K

Ecuacin 0-1

Como se ve en esta expresin, la diferencia de potencial de contacto depende de las concentraciones de impurezas en las zonas p y n y de la concentracin intrnseca. A su vez, puesto que la concentracin intrnseca est relacionada con la anchura de la banda prohibida y la temperatura (ver Ecuacin 83), la diferencia de potencial de contacto depende tambin de estas dos variables. Puesto que NA y ND son ms grandes que ni la diferencia de potencial de contacto es positiva, de modo que la zona n est a ms potencial que la zona p. Ejemplo 0-1 Calcula la diferencia de potencial en la unin pn de un diodo de germanio, dopado con antimonio en una concentracin de 41022 m-3 en su zona n, y con indio en una concentracin de 31022 m-3 en su zona p, a 300 K. Solucin V0 = Vxn Vxp = VT ln N AND ni
2

= 0,026 ln

3 10 22 4 10 22 = 0,379 V 2,36 1019

6.3 Polarizacin del diodo

Polarizacin directa Vamos a realizar un estudio cualitativo del comportamiento de la unin pn al aplicarle una diferencia de potencial externa. Si conectamos la fuente de tensin continua como se indica en la Figura 0-7, es decir, el borne positivo a la zona p y el negativo a la zona n, dicha conexin recibe el nombre de polarizacin directa.

r E

V(x) V0

r
Jdes

r
Jdif

V0 - VD Xp Xn X

r
J

VD

Figura 0-7. Polarizacin directa de la unin pn

La polarizacin de la tensin aplicada es opuesta a la correspondiente al potencial de contacto, lo que provoca una disminucin del campo elctrico en la unin y una reduccin en la altura de la barrera de potencial: V = V0 - VD En esta expresin V representa la cada de potencial en la zona de la unin, V0 el potencial de contacto, y VD es la tensin aplicada mediante la fuente de alimentacin. Como resultado se facilita la difusin de mayoritarios, los electrones libres se mueven con ms facilidad del lado n hacia el lado p de la unin, mientras que los huecos se mueven del lado p al n. Esto constituye una inyeccin de portadores minoritarios en cada zona. Si aumentamos VD hasta que iguale a V0, entonces V = 0, y no hay ninguna barrera de potencial, ni campo elctrico que se oponga a la difusin y si se sigue aumentando VD entonces la barrera de potencial y el campo elctrico son favorables a la difusin de mayoritarios y la corriente aumenta exponencialmente como se muestra en la Figura 0-9. Esta corriente se denomina corriente directa. Dado que al pasar la corriente por el diodo, ste disipa calor, en la prctica VD no puede ser mucho mayor que V0 ya que ste podra fundirse. Polarizacin inversa Supongamos que se conecta una fuente de tensin continua con el polo negativo a la zona p y el polo positivo a la zona n, como se muestra en la Figura 0-8. Este tipo de conexin se llama polarizacin inversa y es tal que presenta la misma polaridad que la capa dipolar de la unin, produciendo, por tanto, un desplazamiento de huecos de la zona n, donde son minoritarios, hacia
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la zona p y de electrones de la zona p hacia la zona n, ensanchndose, en consecuencia, la zona de transicin y aumentando el campo elctrico y la barrera de potencial:

r E

n V(x) V0 + VI V0

r
Jdes

r
Jdif

r
J

Xp I0 <<<<

Xn

VI

Figura 0-8. Polarizacin inversa de la unin pn

V = V0 + VI En esta expresin V representa la cada de potencial en la zona de la unin, V0 el potencial de contacto, y VI es la tensin aplicada mediante la fuente de alimentacin. El resultado de aplicar VI es que fluye una pequea corriente I0, debida nicamente a los pares electrnhueco que se generan en el cristal como resultado de los enlaces que se rompen por efecto trmico; dicha corriente se llama corriente inversa de saturacin, I0.

6.4 Curva caracterstica del diodo

Si representamos grficamente la intensidad en un diodo como funcin de la diferencia de potencial en sus bornes, obtenemos una grfica como la que se muestra en la Figura 0-9, denominada curva caracterstica del diodo.

I (mA)
3 2 1 I0 (A) 0,2 0,4 0,6

Vu V (V)

Figura 0-9. Curva caracterstica de un diodo de unin

En esta curva vemos: Para tensiones negativas (polarizacin inversa) la corriente en el diodo es muy pequea, del orden de microamperios. Dada la escala de la grfica
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utilizada no se aprecia dicha corriente, pero hay que recordar que no es nula. Para tensiones positivas (polarizacin directa), aparece una corriente en el diodo. La intensidad crece de forma exponencial. Esta grfica pone de manifiesto que el diodo para tensiones pequeas prcticamente no conduce, y es necesario alcanzar un cierto valor Vu que se denomina tensin umbral o tensin de codo para que la corriente en el diodo sea grande. Este valor depende del material, y es del orden de 0,3 V para diodos de germanio, y de 0,7 V para diodos de silicio, coincidiendo con el potencial de contacto comentado anteriormente. A travs de la fsica del estado slido se puede demostrar que la curva caracterstica descrita para el diodo se puede modelizar mediante la ecuacin siguiente, tanto para las regiones e polarizacin directa como inversa: V I = I 0 e VT 1 Ecuacin 0-2
donde, I0 es la corriente de saturacin inversa, V es la diferencia de potencial kT T es el potencial equivalente de en bornes del diodo, VT = qe 11600 temperatura, y es un parmetro que depende del semiconductor empleado: para Ge =1; para Si =2 en niveles relativamente bajos de corriente del diodo (en o bajo el punto de inflexin de la curva) y =1 en niveles mayores de corriente del diodo (en la seccin de crecimiento rpido de la curva).

El smbolo que se utiliza en los esquemas para designar el diodo de unin es el mostrado en la Figura 0-10. El sentido de la flecha indica el sentido de la corriente cuando est polarizado de modo directo.

Figura 0-10. Smbolo del diodo de unin

Por otra parte, a la hora de realizar clculos en circuitos, el trabajar con esta curva resultara muy complejo, de modo que se utilizan diversas aproximaciones de la misma, segn las necesidades del problema. A continuacin se describen dichas aproximaciones para el diodo. Primera aproximacin o diodo ideal Como primera aproximacin se considera el diodo simplemente como un interruptor: en polarizacin directa el diodo conduce sin resistencia, y en inversa no conduce. Esta aproximacin se muestra en el grfico mediante la lnea de trazo grueso.

R I

I=

R I

R I=0

Figura 0-11. Modelizacin como primera aproximacin del diodo

Segunda aproximacin Como segunda aproximacin se incluye tambin la tensin umbral del diodo, denotada por Vu, y que coincide con el potencial de contacto V0 comentado con anterioridad. En esta aproximacin se considera que el diodo conduce sin resistencia por encima de la tensin umbral, y no conduce por debajo de la misma. Esto equivale entonces a considerar un diodo como un interruptor o un diodo ideal en serie con un receptor. Por debajo de la tensin umbral, el interruptor est abierto y no hay corriente, y por encima de la tensin umbral el interruptor est cerrado, y hay una cada de tensin en el diodo igual a la tensin umbral del mismo. Esta aproximacin se muestra en el grfico mediante la lnea de trazo grueso.

R I

R Vu I

Vumbral V

I=

Vu R

Figura 0-12. Modelizacin como segunda aproximacin del diodo

Tercera aproximacin, o aproximacin lineal Por ltimo, en la modelizacin del diodo se considera tambin su resistencia interna. En este caso, se modeliza el diodo como un interruptor en serie con el receptor de fuerza contraelectromotriz igual a la tensin umbral del diodo y con una resistencia denominada resistencia interna del diodo. En polarizacin inversa el interruptor est abierto y no hay corriente, y en directa el interruptor est cerrado, y la cada de tensin en el diodo es igual a: V = Vu + Ird
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R I

R Vu I rd

Vumbral

I=

Vu
R + rd

Figura 0-13. Modelizacin como tercera aproximacin del diodo

En esta expresin, rd representa la resistencia interna del diodo, que es igual a la inversa de la pendiente de la grfica. De nuevo, esta aproximacin se muestra en el grfico mediante la lnea de trazo grueso. Por ltimo, y como resumen, se muestra un cuadro comparativo de las tres aproximaciones.

Tres modelos para el diodo de unin

I
Diodo ideal (1 aproximacin)

V
Modelo simplificado (2 aproximacin)

I
Vu

Vu I
Modelo lineal (3 aproximacin)

V rd

Vu

rd
Vu

10

Ejemplo 0-2 Calcula la intensidad que circula por el diodo de la figura, utilizando las tres aproximaciones del diodo. 10 V 0,7 V 0,23

Solucin
Podemos calcular la intensidad cerrando el circuito, es decir colocando un generador ficticio de 10 V:

i
35 k

Utilizando la aproximacin de diodo ideal, 10 i= = 0,286 10 3 A = 0,286 mA 3 35 10

i 10 V

0,7 V 0,23 35 k

Considerando la tensin umbral del diodo, 10 0,7 i= = 0,265 mA 35 10 3

Y teniendo en cuenta tambin su resistencia interna, 10 0,7 i= = 0,2657 mA 35 10 3 + 0,23 Observa que entre las dos primeras aproximaciones del diodo s que hay una diferencia significativa. En el ltimo caso, puesto que la resistencia interna del diodo es muy pequea comparada con la resistencia del circuito, la contribucin de la resistencia interna es despreciable.

Ejemplo 0-3 Calcula la intensidad que circula por el diodo de la figura.

70 k 0,7 V 0,5 20 V 10 k 30 k

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Solucin
Para calcular la intensidad que circula por el diodo, utilizamos el mtodo matricial de las corrientes de malla, considerando el diodo como un receptor con fuerza contraelectromotriz y resistencia interna, y calculamos J2: 80 20

70 k 0,7 V 5 20 V 10 k J2 30 k

J2 =

10 0,7 = 46,4 A 80 10

10 40,005 Comprueba como ejercicio que se puede despreciar la resistencia interna del diodo.

Influencia de la temperatura Al aumentar la temperatura, aumenta la 0.2 concentracin intrnseca. Este aumento de portadores mayoritarios y minoritarios, 0.1 tiene una repercusin directa sobre la corriente inversa de saturacin, I0, ya que su 0 valor est determinado por la 300 K concentracin de portadores 310 K minoritarios. Recordemos 320 K que esta dbil corriente se -0.1 produca como consecuencia -70 -20 30 80 de los portadores V (mV) minoritarios; al aumentar stos, y ser su aumento ms Figura 0-14. Curvas caractersticas del diodo a distintas temperaturas significativo por ser minora, aumentar I0. En la Figura 0-14 se muestra tres curvas caractersticas del mismo diodo obtenidas a tres temperaturas distintas donde se aprecia este hecho, as como una pendiente mayor de la curva conforme aumenta la temperatura, como consecuencia de una mayor concentracin de portadores. Capacidad de la unin pn Tanto en la zona p como en la zona n del diodo, existe una zona con carga libre como consecuencia de las recombinaciones, tal como muestra la Figura 0-4. Esta zona de transicin est libre de portadores, y se comporta de
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I (mA)

modo equivalente a como lo hara un aislante. Nos encontramos entonces con un dispositivo que se comporta igual que un condensador ideal de lminas planoparalelas cargadas con -Q y +Q y separadas por una distancia igual a la anchura de la zona de transicin tal como muestra la Figura 0-15. Recordemos que la capacidad de dicho condensador era inversamente proporcional a la distancia entre las armaduras, por lo que la capacidad del diodo va a depender de esta separacin. Por lo tanto, al modificar la tensin aplicada al diodo, se modifica la anchura de la zona de transicin y por consiguiente la capacidad. Tenemos pues un dispositivo cuya capacidad puede controlarse modificando la tensin aplicada a ste. Los efectos de la capacidad de la unin p-n del diodo se representan mediante un condensador situado en paralelo con el diodo, tal y como se muestra en la parte derecha de la Figura 0-15. En este hecho se basan unos diodos denominados diodos varactores, que no son ms que condensadores de semiconductor con capacidad variable dependiente del voltaje aplicado, y que se utilizan por ejemplo en circuitos de sintonizacin (de radio, televisin, ...).

V0 r E

-qNA

+qND

xp

xn

-qNA +qND

xp

xn

Figura 0-15. Modelizacin del diodo p-n como condensador

Tiempo de recuperacin inverso del diodo Un diodo p-n polarizado en modo inverso no conduce la corriente como consecuencia de la pequea concentracin de portadores minoritarios (electrones en la zona p y huecos en la zona n). Este hecho posibilita la aplicacin del diodo en la rectificacin de la corriente alterna, aplicacin que se tratar en el apartado 6.6. En esta situacin, el diodo debera poder cambiar su estado de polarizacin directa a inversa de modo instantneo. Sin embargo, mientras el diodo est polarizado de modo directo, gran cantidad de huecos procedentes de la zona p han entrado en la zona n, siendo minoritarios en esta zona. El mismo razonamiento puede hacerse con los electrones presentes en la zona p procedentes de la n. Si en esta situacin se invierte la polarizacin del diodo pasando ste a estar polarizado en modo inverso, existirn gran cantidad de portadores minoritarios en cada una de las zonas: es decir, en la zona p se encontrarn electrones procedentes de la zona n y que son por tanto minoritarios en la zona p, del mismo modo que en la zona n se encontrarn huecos procedentes de la zona p y que son por tanto minoritarios en la zona n. Este exceso de portadores minoritarios provocar que el diodo conduzca todava aunque est polarizado de modo inverso hasta que sean retirados por el proceso de recombinacin.
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El tiempo necesario para que el diodo pase del estado de conduccin al de noconduccin al cambiarle su estado de polarizacin, se denomina tiempo de recuperacin inverso. Este tiempo vara segn el diodo, pero suele valer entre los 10-6 10-9 s. Para ilustrar el significado de este tiempo, consideremos un diodo al que alternativamente le estamos cambiando su polarizacin: sera deseable que pasara instantneamente de conducir a noconducir como muestra la Figura 0-16 de la izquierda. En cambio, en la figura de la derecha, observamos que aunque est polarizado en modo inverso todava conduce: es el tiempo que tardan los minoritarios en recombinarse y por tanto, desaparecer.
I
I

t polarizacin directa polarizacin inversa

t tri tiempo de recuperacin inverso

Figura 0-16. A la izquierda se muestra el comportamiento deseable de un diodo rectificador ante una seal alterna cuadrada; el paso de conducir a no conducir es instantneo. A la derecha, se muestra el comportamiento real de un diodo p-n con un tiempo de recuperacin inverso del mismo orden que el periodo de oscilacin de la seal.

6.5 Diodos especiales

El diodo Zener Al aplicar una polarizacin inversa a un diodo de unin, el campo elctrico en su interior aumenta. Cuando dicho campo es mayor que un determinado valor crtico, los electrones de valencia son arrancados de los tomos, es decir, el campo es tan intenso que rompe los enlaces covalentes, generndose electrones libres en la banda de conduccin y huecos en la banda de valencia. El nmero de estos portadores crece muy rpido, y da lugar a una corriente inversa muy intensa para tensiones inversas mayores que una dada, denominada tensin de Zener, Vz. Este efecto se denomina efecto Zener o ruptura Zener. El valor de la tensin de Zener puede controlarse mediante la concentracin de impurezas en el material: un incremento en el dopado produce una disminucin del potencial de Zener. Los diodos Zener se encuentran disponibles con potenciales Zener desde unos pocos voltios hasta unos centenares de ellos. En estos diodos, adems, se puede producir otro efecto dinmico de ionizacin por choques, denominado efecto avalancha: los portadores minoritarios creados por efecto Zener son acelerados por el campo elctrico, y al chocar contra los tomos de la red los ionizan, originando nuevos electrones en la banda de conduccin y huecos en la banda de valencia, resultando as un crecimiento considerable de la corriente inversa. La curva caracterstica ser similar a la de un diodo normal, pero para tensiones inversas, a partir de la tensin de Zener, Vz, la intensidad aumenta bruscamente, tal como muestra la Figura 0-17.

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I Vz V

Figura 0-17. Curva caracterstica y smbolo de un diodo Zener

Para estudiar el comportamiento del diodo R Zener, vamos a aplicarle una tensin en sus extremos situndolo segn muestra el esquema. La tensin V0 est aplicada, como puede verse, de modo inverso, pues ste es el modo normal V0 Vz Vs de funcionamiento de este diodo. De este modo, para valores de Vs inferiores a Vz, el diodo, no conduce. Si la tensin aplicada V0 aumenta, llegar un momento en que Vs ser mayor que el valor de ruptura Vz, el diodo conducir. A partir de este momento, la tensin en los puntos de salida Vs, se mantiene constante e igual a Vz. Por lo tanto, el diodo Zener se comporta como un dispositivo que slo conduce la corriente a partir de cierta tensin aplicada, permaneciendo inactivo por debajo de estos valores. Por encima del valor de ruptura, mantiene constante la tensin, por lo que se utiliza como limitador de tensiones.

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Modelizacin del diodo Zener

I
V0 1 Vs< Vz

Vz

1 V
R

2
V0
Regin de trabajo

Vz

Vs = Vz

En 1 la tensin aplicada V0, es demasiado baja por lo que el diodo no conduce, y equivale a un interruptor abierto. En 2, V0 ha alcanzado el valor de ruptura Vz, el diodo conduce y mantiene el valor Vz constante, aunque aumente V0.

Una de las aplicaciones del diodo consiste en mantener constante un valor de la tensin, por ejemplo para estabilizar una tensin que posea un rizado, como esquemticamente muestra la Figura 0-18.

Vrizada V0 t Vz Vs

Vs = Vz

Conduce
t

Figura 0-18. Estabilizacin de una tensin con rizado

Diodo Schottky La unin entre un metal y un semiconductor extrnseco puede tener un comportamiento puramente hmico, o puede aparecer una barrera de potencial (potencial de contacto). Por ejemplo, la unin entre aluminio y silicio fuertemente dopado usada en la fabricacin de circuitos integrados presenta un comportamiento hmico. Sin embargo, cuando se usa silicio ligeramente dopado, en la unin aluminio-silicio aparece una barrera de potencial y el dispositivo as formado es capaz de Figura 0-19. Representacin rectificar la corriente, del mismo modo que un diodo de unin. del diodo Este tipo de dispositivo se denomina diodo Schottky. En los Schottky circuitos elctricos, este diodo se representa mediante el smbolo de la Figura 0-19.

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No Conduce

El diodo Schottky est basado en una unin metalsemiconductor como se muestra en la Figura 0-20. Una unin de este tipo es muy diferente a la unin p-n estudiada antes pues no existen portadores minoritarios en la parte metlica, y existiendo zona de carga espacial slo en el ++lado semiconductor. Por otra parte, el flujo de +corriente no se debe a la difusin de portadores ++ como en la unin p-n. +Tanto en el lado del semiconductor como +en la parte metlica, el portador mayoritario es ++metal (W, Mo,...) el electrn, y en el metal los huecos son +insignificantes. En el semiconductor los +- r electrones tienen una energa cintica mayor, E por lo que al unirlo con el metal, stos fluyen n hacia l, crendose una barrera de potencial Figura 0-20. Unin metal similar a la que se produca en la unin p-n. semiconductor en un diodo Schottky Se polariza el diodo de modo directo conectando el semiconductor tipo n al ctodo, y el metal al nodo, hacindose de este modo menor la barrera de potencial creada, de la misma manera que en los diodos p-n. Sin embargo, y esta es la caracterstica ms significativa de este diodo, no existen portadores minoritarios en la parte metlica, por lo que el tiempo de recuperacin inverso es mucho menor. De este modo, el diodo Schottky es capaz de rectificar corrientes alternas del orden de los GHz. Adems, la tensin umbral de estos diodos es inferior a los diodos p-n (0,3 V) por lo que su comportamiento se acerca ms al ideal. La aplicacin ms importante de los diodos Schottky es como interruptor rpido en circuitos digitales, y tambin se utilizan como diodos rectificadores de potencia por su facilidad de disipar calor a travs del contacto metlico. Diodos emisores de luz Los diodos luminiscentes (LED, Light Emitting Diode) se comportan del mismo modo que los diodos rectificadores descritos anteriormente, en el sentido de que no permiten el paso de la corriente en un sentido, y s en el contrario. Adems presentan una caracterstica singular de gran Figura 0-21. Smbolo del diodo LED aplicacin tecnolgica: la emisin de luz. En los circuitos elctricos, estos diodos se representan mediante el smbolo de la Figura 0-21. En cualquier unin pn polarizada de modo directo existe en la zona de unin una recombinacin de huecos y electrones como consecuencia de la corriente de los portadores de la zona donde son mayoritarios hacia la otra zona en que son minoritarios. Es decir, algunos electrones procedentes de la zona n se recombinan con huecos de la zona p, eliminndose mutuamente y desprendiendo una cantidad de energa igual a la energa de la banda prohibida. En los diodos de silicio y germanio esta energa es mayoritariamente en forma de calor. En los de fosfuro y arseniuro de galio (GaAsP) y fosfuro de galio (GaP) es, de modo significativo, en forma de luz visible, por lo que el

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diodo al ser polarizado de forma directa, emitir luz, fenmeno denominado electroluminiscencia. En la Figura 0-22 se muestra esquemticamente estos procesos de recombinacin de pares electrn-hueco. Observa como la superficie conductora conectada al material p es mucho ms pequea, con la finalidad de permitir la emisin de un nmero mximo de fotones. Los fotones se crean en el lugar en el que se produce la recombinacin, pudiendo absorberse alguno de ellos, pero la mayora son emitidos.
BC

+ P

FOTN

N
BV

Figura 0-22. Electrones de la banda de conduccin vuelven a la banda de valencia desprendiendo luz visible

La energa de los fotones emitidos, y por lo tanto el color de la luz, depende de la diferencia de energa entre la banda de conduccin y la banda de valencia, es decir, de la anchura de la banda prohibida, por lo que dependiendo del semiconductor y el material dopante utilizados, el diodo emitir luz de diferente color. As, los de arseniuro de galio (GaAs) emiten en el infrarrojo (mandos a distancia), mientras que los de fosfuro de galio (GaP) en el verde. El GaAsP con distintas proporciones de arsnico y fsforo proporciona diferentes colores: rojo, naranja y amarillo. En la Tabla 0-1 se muestra una relacin de diferentes materiales semiconductores, y la longitud de onda y color de la luz emitida que se puede obtener con los mismos. Material GaAs GaAs GaP GaP GaP GaAs0.6P0.4 GaAs0.35P0.65 GaAs0.15P0.85 SiC ZnSe Dopante Zn Si N N, N Zn, O -N N --Longitud de onda (nm) 900 900 1020 570 590 700 650 632 589 490 490 Color IR IR Verde Amarillo Rojo Rojo Naranja Amarillo Azul Azul

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Tabla 0-1. Relacin de diferentes materiales semiconductores, y la longitud de onda y color de la luz emitida que se puede obtener con los mismos.

Por otro lado, puesto que la tensin umbral est relacionada con la energa de la I banda prohibida, existe tambin una relacin entre la tensin umbral del diodo LED, y el color de la luz emitida. En la Figura 0-23 se ha representado la curva caracterstica de varios diodos LEDs de diferentes colores. 1 2 3 V (V) En la Figura 0-24 se muestra la foto de Curvas varios diodos LED de diferentes colores, as Figura 0-23. distintoscaractersticas de LED como el dibujo de uno de ellos. Observa que el ctodo se corresponde con la patilla ms corta, y presenta tambin un pequea muesca, para distinguirlo del nodo.

Ctodo

nodo

Figura 0-24. Diodos LED

En condiciones especiales puede conseguirse que la luz emitida tenga las caractersticas de un lser: monocromtica (una nica frecuencia), coherente (todas las ondas electromagnticas emitidas en fase) y emitida en una nica direccin. Estos dispositivos se denominan diodos lser, y sus aplicaciones van desde los punteros lser hasta las comunicaciones de fibra ptica.

El silicio tambin emite luz

Diario EL PAIS, 6 de noviembre de 2002 El silicio es la base de los circuitos electrnicos actuales pero, a pesar de su versatilidad, hay aplicaciones para las que hasta ahora no era adecuado, entre ellas para emitir y recibir luz. Otros materiales semiconductores, basados en el galio, como el arseniuro de galio y el nitruro de galio, s resultan buenos emisores luminosos en diversos colores y son los utilizados en los diodos emisores de luz (LEDs). Recientemente, sin embargo, investigadores de la empresa europea STMicroelectronics han anunciado que han conseguido que el silicio emita luz con la misma eficiencia que los tradicionales compuestos semiconductores utilizados para este fin. La importancia de este avance est en el hecho de que de esta forma se puede combinar en un slo microprocesador el proceso ptico y el electrnico. La integracin de relojes basados en seales pticas en los chips supone un paso adelante para la miniaturizacin sin cambiar de tecnologa. 'La posibilidad de combinar el proceso ptico y el electrnico en el mismo chip presenta grandes oportunidades para ST de desarrollo de muchos nuevos tipos de productos
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semiconductores, especialmente dado que la tecnologa es compatible con los actuales mtodos y equipos de produccin', ha asegurado GianGuido Rizotto, director de investigacin y desarrollo de la empresa, producto de la fusin de la francesa Thomson Semiconducteurs y la italiana SGS Microelettronica. La tecnologa presentada por ST se basa en el dopaje de una capa de xido de silicio, enriquecido con nanocristales de silicio, con iones de metales de tierras raras como el erbio o el cerio. La frecuencia de la luz emitida depende del tipo de dopante utilizado y los procesos clave han sido patentados por la empresa. La tecnologa ha sido desarrollada en su mayor parte en el laboratorio de la empresa situado en Catania. Una de las primeras aplicaciones de la nueva tecnologa es en dispositivos de control de potencia aislados de los transistores. En la actualidad, este aislamiento slo se puede conseguir con dispositivos externos, con el consiguiente aumento de tamao, coste y consumo, sealan fuentes de ST. En uno de los nuevos diseos dos circuitos en un mismo chip, pero aislados, se comunicarn mediante seales pticas emitidas y recibidas por dispositivos de silicio. Las aplicaciones son aquellas en las que el circuito de potencia debe manejar voltajes mucho ms elevados que el circuito de control. A ms largo plazo, se piensa, entre otras aplicaciones, en sistemas pticos de transmisin de datos en circuitos CMOS en los cuales las seales de reloj se distribuyan por el chip a la velocidad de la luz. Fuera las bombillas La emisin de luz por semiconductores es, por otra parte, la base de las futuras fuentes de luz que sustituirn a las bombillas incandescentes y los tubos fluorescentes actuales en la iluminacin general. Los expertos piensan que dentro de muy pocos aos se habr conseguido la combinacin de prestaciones y precio que permita esta sustitucin, yendo a fuentes de luz mucho ms verstiles, con transmisin por fibra ptica y cambio de color. Los LEDs, ya ampliamente utilizados en pequeas pantallas, son mucho ms eficientes que las bombillas en la conversin de la electricidad en luz y tambin son mucho ms duraderos y mucho menos frgiles. El principal obstculo hasta ahora ha sido la imposibilidad de obtener luz blanca con esta tecnologa, pero este obstculo ya ha sido superado, a partir del trabajo del investigador japons Shuji Nakamura, que en 1995 consigui un LED azul basado en nitruro de galio, que se sum a los diodos rojos y verdes ya existentes. Numerosos nuevos productos han llegado o estn a punto de llegar al mercado, como una fuente de luz de 5 vatios que ilumina como una bombilla de 10 vatios, informaba recientemente The Economist. Sumados varios de estos dispositivos se obtiene la luz equivalente a una bombilla de 60 o 100 vatios, aunque su coste es todava demasiado alto para pensar en una inmediata sustitucin.

6.6 Aplicaciones del diodo

Una importante aplicacin del diodo consiste en la rectificacin de la corriente alterna. En una corriente alterna, el sentido de sta cambia alternativamente, y es necesario en ciertas aplicaciones, eliminar este hecho convirtindola en una corriente continua. Este proceso se denomina rectificacin de la corriente alterna. En muchas ocasiones, el proceso no es completo, obtenindose soluciones parciales. El caso ms simple se muestra en la Figura 0-25, donde el diodo est polarizado alternativamente de modo directo y de modo inverso, por lo que dejar pasar la corriente y producir tensin en la salida slo en los semiciclos positivos. Este proceso se denomina rectificacin de media onda.

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Ve Ve ~ t

Vs

Vsalida

Figura 0-25. Rectificacin de media onda

Para rectificar la onda completa se utiliza un puente de diodos como el que se muestra en la Figura 0-26, denominado rectificador de onda completa, donde se introduce la seal de entrada entre los puntos A y B, y se obtiene la seal de salida en bornes de la resistencia (puntos C y D).

~ Ve A
Vs C R Vs B Ve
Figura 0-26. Rectificacin de onda completa

D Vs t

Consta de cuatro diodos que alternativamente funcionan de dos en dos en modo directo y en modo inverso como muestra el esquema siguiente. Puede observarse que siempre hay dos diodos que permiten el paso de la corriente, mientras los otros dos, al estar polarizados de modo inverso actan como un interruptor abierto. Obsrvese que la polaridad de los puntos C y D de la salida es la misma mantenindose invariable en los dos semiciclos.
A

~
V D R t

~
V D R t

Figura 0-27. Funcionamiento alternativo de los diodos en un puente de diodos. Cada figura muestra la funcin de cada diodo durante medio ciclo

El resultado final es la rectificacin de onda completa. Si adems se aade un condensador en paralelo con la resistencia, se puede obtener una tensin aproximadamente constante, con nicamente una pequea oscilacin o rizado prximo a su valor mximo, tal y como se muestra en la Figura 0-28.

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La amplitud de dicho rizado depende bsicamente de la capacidad del condensador V utilizado: cuanto mayor sea esta capacidad, el rizado es ms pequeo. Este rizado se puede eliminar por completo utilizando un diodo Zener tal y como se comenta ms adelante. t Sin embargo, hemos de tener en cuenta que el diodo presenta un retraso en la Figura 0-28.Tensin a la salida de un respuesta para pasar del estado de conduccin puente de diodos con condensador al de noconduccin, tiempo que se denomina tiempo de recuperacin inverso. Este tiempo suele ser del orden de los ns, por lo que la rectificacin de corrientes alternas de alta frecuencia del orden de los MHz a GHz puede plantear dificultades. As, en la Figura 0-29 se muestra qu ocurre en una rectificacin de media onda de corrientes alternas de distintas frecuencias con un diodo que tiene un tiempo de recuperacin inverso de 5 ns.
I I

5 t ( s)

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5 t ( s)

1 MHz
I I

10 MHz

0,04

0,08

0,12

0,16

0,2 t ( s)

10

20

30

40

50

t (ns)

25 MHz

100 MHz

Figura 0-29. Comportamiento de un diodo de unin p-n con un tiempo de recuperacin inverso de 5 ns ante corrientes alternas de frecuencias: 1, 10, 25 y 100 MHz. Se ha representado la intensidad a travs del diodo frente el tiempo

En el primer caso, el periodo de la seal es 200 veces el tiempo de recuperacin inverso, y el efecto es casi imperceptible, mientras que a frecuencias de 100 MHz, el periodo es slo 2 veces el tiempo de recuperacin inverso, y la seal alterna no es rectificada. Para sortear estas dificultades se utilizan diodos especficos con un tiempo de recuperacin inverso significativamente menor, como el diodo Schottky.

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6.7 Cuestiones y problemas

1. Explica brevemente porque aparece una diferencia de potencial en una unin pn en circuito abierto. 2. Sea un diodo pn, polarizado como se indica en las figuras a) y b). Indicar si las siguientes cantidades aumentan o disminuyen en cada caso, comparadas con sus valores en la unin pn sin polarizar. P N P N

a) Anchura de la zona Diferencia de potencial V en la zona de de transicin transicin a) b)

b) Campo elctrico en la zona de transicin

Sol: a) Disminuye. b) Aumenta.

3. En cul o cules de los siguientes casos existe movimiento de cargas por difusin? Justifica la respuesta. a) Un conductor homogneo conectado a una fuente de tensin. b) Un semiconductor homogneo conectado a una fuente de tensin. c) Una unin PN (diodo) conectada en forma directa a una fuente de tensin.

Sol: en el caso c).

4. Calcula la corriente que circula por el circuito de la figura, utilizando las tres aproximaciones para el diodo: 5V a) Diodo ideal. b) Segunda aproximacin. c) Tercera aproximacin. La tensin de codo del diodo es de 0,7 V, y su resistencia de 0,23 .

1 k

Sol: a) 5 mA. b) 4,3 mA. c) 4,299 mA

5. Calcula la corriente que circula por la resistencia de 1 k en el circuito de la figura, suponiendo que una tensin de codo para el 12V diodo de 0,7 V, y resistencia de 0,23 Sol: 1,1 mA. 6. Calcula la corriente en los diodos de los tres
23

6 k
0,7V 0,23

3 k

1 k

circuitos de la figura. Los diodos son de silicio (tensin umbral o de codo de 0,7 V). Qu valores obtendras si los diodos fueran de germanio (tensin umbral o de codo de 0,3 V)?
a)

2 k

b)

10V

c) 20V

70 k

7V

35 k

10 k 30 k

Sol: Diodos de silicio: a) 3,15 mA. b) 0,27 mA. c) 46,5 A. Diodos de germanio: a) 3,35 mA. b) 0,28 mA. c) 56,8 A.
7. Calcula la corriente que circula por el diodo de la figura, sabiendo que se trata de un diodo de 12V Germanio cuya tensin de codo o tensin umbral es de 0,3 V. 30 k

10 k 5 k

Sol: 0,216 mA.

8. Dado el circuito de la figura, con los valores de la tensin de entrada indicados, calcula la tensin de salida VS del circuito y las intensidades de corriente que circulan por los diodos. Los diodos D1 y D2 son de silicio con una tensin umbral de 0,7 V.

D1 V1=10V D2 V2=0V R=1k VS

Sol: VS = 9,3 V, I1 = 9,3 mA, I2 = 0.

9. Calcula la tensin de salida Vs del circuito para los valores de la tensin de entrada de la figura. Los diodos D1 y D2 son de silicio con una tensin umbral de 0,7 V.

D1 V1=10V D2 V2=0V R=1k Vs

10V

Sol: Vs = 0,7 V.

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10. Calcula la tensin de salida Vs del circuito de la figura para los siguientes valores de la V1 tensin de entrada (R >> RS): a) V1 = V2 = 0. V2 b) V1 = V, V2 = 0. c) V1 = V2 = V.

Rs Vs Rs R

Sol: a) Vs = 0.

b) Vs V.

c) Vs V.

11. Dado el circuito de la figura, calcula Ve la tensin de salida, Vs, para la tensin de entrada, Ve, indicada en la figura. El diodo es de silicio.
Ve Vs

15V

T 2

R=2k

Sol:
Vs
14,3V

T/2

12. Dado el circuito de la figura, calcula la tensin de salida, Vs, para la tensin de entrada, Ve, indicada en la figura. El diodo es de silicio.
Ve Vs

Ve

20V

R=2k

T 2

Sol:

25

Vs

T 2

T 20-0,7=19,3V

13. Calcula la tensin de salida Vs del circuito de la figura, para la tensin de entrada Ve indicada en la figura de la derecha. Los diodos son de germanio.
Ve
+ 2k _ Vs _ 2k + 2k

10V

Ve

T 2

Sol:
Vs 4,85 V 0

T/2

14. Dado el circuito de la figura, calcula la tensin de salida, Vs, para la tensin de entrada, Ve, indicada en la figura. La tensin de entrada se sita sobre los puntos A y B del circuito, y la tensin de salida se toma sobre los puntos C y D.
A D1 Vs Ve C R D3 B D4 D2 D

Ve

20V

T 2

Sol:

26

Vs 18,6 V 0

T/2

GLOSARIO

Unin p-n. Zona de unin entre un semiconductor tipo p y uno tipo n. Potencial de contacto. Es la diferencia de potencial existente en la zona de transicin de una unin pn en equilibrio o en circuito abierto. Depende de la concentracin de impurezas aceptoras, donadoras y de la concentracin intrnseca. Polarizacin directa. En un diodo de unin pn, consiste en polarizar el semiconductor tipo p positivamente y el tipo n, negativamente. El diodo conduce. Polarizacin inversa. En un diodo de unin pn, consiste en polarizar el semiconductor tipo n positivamente y el tipo p, negativamente. El diodo no conduce. Corriente inversa de saturacin. Dbil corriente producida por los portadores minoritarios en una unin pn polarizada de modo inverso. Tensin umbral. Es la tensin a partir de la cual el diodo polarizado de modo directo, conduce. Tensin Zener. O tensin de ruptura, es la tensin a partir de la cual el diodo Zener polarizado de modo inverso, conduce.

Bibliografa especfica

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