Dispositivos semiconductores

El dispositivo semiconductor mas simple es el diodo. Como se muestra en la figura 1.1 est hecho por la unin de un material semiconductor de tipo N y otro de tipo P. Nos ocuparemos solo de los diodos de Silicio. Hay diodos construidos de otros materiales tales como el Germanio y el Arseniato de Galio, pero su forma de operar es esencialmente la misma. Es fcil darse cuenta que un diodo semiconductor es bsicamente un interruptor controlado elctricamente. Como ejemplo considere el diodo de silicio mostrado en la figura 1.1 . la parte operacional del diodo es una pieza especialmente tratada de silicio que tiene dos regiones un nodo ( regin tipo P) y un ctodo (regin tipo N). El diodo acta como una vlvula de cheque, deja circular las cargas elctricas en una direccin pero impide el paso en direccin contraria. La direccin de conduccin es aquellas cuando el nodo es mas positivo que el ctodo y se sobrepasa el umbral de voltaje de alrededor de 0.7 voltios de esta forma se establece la corriente. En la direccin inversa el

Figura 1.1

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ct iti l nodo es deci l corriente est tratando de circular en sentido contrario lo que no es permitido por el diodo. De manera que podemos resumir el diodo como una forma automtica de interruptor, cuando la corriente est en el sentido de la conducci n esta se permite, en sentido contrario se impide. La permutaci n ocurre en respuesta a seales el ctricas (el voltaje a que est sometido el diodo) y ocurre a muy alta velocidad. El proceso de permitir el paso de la corriente en una direcci n e impedirla en la otras se denomina rectificaci n. Al unos diodos pueden rectificar corrientes en el orden de los gigahert , lo que significa miles de millones de ciclos por segundo.

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Cul es la diferencia entre las regiones del nodo P y el ctodo N en el silicio. En principio el material bsico para ambos es un chip hecho de un nico cristal de silicio. Lo que significa que todos los tomos dentro del cristal estn alineados en las mismas filas y capas a travs de todo el cristal, sin embargo ciertas modificaciones se hacen al cristal de silicio en cada regi n. La regi n del nodo tiene algunos tomos de aluminio mezclados con los de silicio. Debido a eso y por razones que veremos mas adelante, el material de nodo es llamado silicio de tipo P. De la misma forma, la regi n del ctodo del cristal tiene algunos tomos de fsforo puestos por aqu y por all, este tipo de material se llama silicio tipo N.

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El silicio es un elemento qumico; es decir, es uno de los elementos bsicos que combinado puede formar otras sustancias. Las rocas y el suelo, probablemente contienen mas silicio que cualquier otro elemento. Un grano de arena es en principio un cristal de cuarzo constituido por silicio y oxgeno. El silicio puro se obtiene de la arena separndole el oxgeno. El silicio se usa para aparatos semiconductores por la forma especial en la que los electrones fluyen en los tomos de silicio dentro del cristal. Este flujo depender de como los tomos se conectan entre ellos.

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Si echamos una mirada dentro de una pieza cristalina de silicio con un microscopio de enorme amplificacin, podramos ver los tomos de silicio colocados en filas y capas tal y como se muestra en la figura 1.3 cada tomo lucira como una bolita difusa conectada con un enlace tambin difuso a otros cuatro tomos vecinos. La parte de la bolita se llama ncleo del tomo, las extensiones que conectan los ncleos de diferentes tomos se llaman enlaces covalentes. Esta organizacin particular de los tomos en el cristal se llama estructura cristalogrfica. El mismo modelo puede representar cualquier cristal semiconductor; por ejemplo, Germanio, Silicio o Carbono. S, carbono, en la forma de diamante, puede ser utilizado como material semiconductor que operar a temperaturas extremadamente altas. En la figura 1.4 se muestra la forma usual de dibujar el diagrama de los tomos y enlaces covalentes en un cristal. Los crculos representan los tomos o ncleos atmicos, las lineas a los enlaces covalentes. Los tomos estn colocados en un patrn de cuadros, con cada uno conectado a sus cuatro vecinos. En la explicacin de como los electrones fluyen en el cristal hemos considerado que el cristal es una simple capa plana de tomos de silicio colocados en cuadros en lugar de un cuerpo tridimensional.

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Para entender como los electrones fluyen dentro de un cristal semiconductor, primero veremos como funciona los enlaces covalentes. Esos enlaces son el resultado de la forma en que los electrones estn alineados. Un tomo est bsicamente constituido por un pequeo ncleo cargado positivamente rodeados por una nube de electrones cargados negativamente. Los electrones en movimiento estn mantenidos en rbitas alrededor del ncleo por fuerzas de atraccin

electrostticas. El ncleo recibe su carga de los protones cargados positivamente. Cada elemento qumico (hidrgeno, oxgeno, y silicio por ejemplo) tienen un nmero diferente de protones en su ncleo. En un tomo normal hay tantos electrones cargados negativamente como protones cargados positivamente, por lo que el tomo es neutro elctricamente. En los tomos los electrones no giran en rbitas al azar si no que siguen ciertas rutas. Estas rutas estn determinadas por un grupo de reglas fsicas llamadas mecanismos cunticos.

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Revisemos el plano general de las rbitas de los electrones. Aunque las rbitas de los electrones pueden ser ovaladas y en todas direcciones formando un cuerpo tridimensional, en la figura 1.5 se ha representado un tomo de hidrgeno suponiendo rbitas circulares. La distancia al ncleo o radio de la rbita representa adems la energa que el electrn tiene en esa rbita de manera que mientras mas grande es la distancia al ncleo mayor es su energa. Esto se debe a que el electrn tiene que recibir energa para vencer las fuerzas de atraccin electrosttica del ncleo y poder saltar a una rbita mas lejana. En los tomos est establecido que los electrones solo pueden tener ciertas cantidades de energa. Como dependiendo de la energa del electrn este puede colocarse en una determinada rbita a cierta distancia alrededor del ncleo, se desprende entonces que solo existirn ciertas 5 Fi rbitas permitidas. Estas rbitas se agrupan en capas separadas llamadas niveles y estos niveles a su vez en subniveles. En la figura 1.6 estos niveles se han representado como crculos sombreados separados. Hay un espacio vaco entre los niveles, lo que significa que los electrones tienen que recibir cierta cantidad de energa para saltar de un nivel al otro mas alto.

Los nmeros representan como los electrones se distribuyen en los niveles. El primer nivel solo acepta 2 electrones el segundo 8 el tercero 18 y a partir del cuarto nivel 32. La tabla que sigue muestra la distribucin de los electrones en niveles y sub-niveles. Observe que los niveles se nombran con letras maysculas desde la K a la O, mientras que los sub-niveles con minsculas s, p, d y f. Nivel p d f Mxima cantidad permitida por rbita K L M N O Sub-nivel s 2 2 2 Fi 6 6 6 2 2 6 6 14 14 2 8 18 32 32

10 10 10

Fi

Mirando la figura 1.7 puede verse la representacin del tomo de silicio. Note como los electrones se distribuyen en los niveles. El tomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. El primero y segundo nivel est completos, y hay cuatro electrones en el ltimo nivel. Estos electrones del ltimo nivel se conocen como electrones de valencia y pueden ser compartidos con otros tomos para formar enlaces.

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Bien, los tomos usan los electrones de valencia del nivel o sub-nivel de energa mas exterior para formar enlaces con otros tomos. Estos enlaces determinan si el material conducir la corriente, y si lo hace, cmo. Los enlaces tambin determinan el tipo de reaccin qumica en las que el elemento participa. La razn por la que los electrones mas externos forman enlaces es porque los tomos prefieren tener el nivel o subnivel mas externo completo de electrones. Los otros niveles hacia abajo, si los hay, estarn completamente llenos. Un tomo forma enlaces solo si el nivel o subnivel mas externo no est lleno con el nmero mximo de electrones permitidos. Porque cuando un nivel o sub-nivel est completo, sus electrones son especialmente retenidos por el ncleo. Esto explica porqu, los elementos como el Helio (nmero atmico 2), el Nen (nmero atmico 10) y el Argn (nmero atmico 18 mostrado en la figura 1.8) son elementos muy estables. Sus niveles mas externos estn llenos y no tienen el menor inters en reaccionar con otros tomos.

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Miremos ahora a los tomos de cloro y de sodio de la figura 1.9. Hay un nombre especial para el nivel o sub-nivel mas externo de los tomos cuando este no est completo, se llama nivel de valencia del tomo. "Valencia" significa el nmero de enlaces que el tomo puede formar. Por lo tanto la valencia del tomo cristalino del silicio es cuatro, por lo que cada tomo forma cuatro enlaces. Como se ha mencionado antes, los electrnes en el nivel de valencia se llaman electrnes de valencia del tomo.

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El resto del tomo, consiste en niveles llenos y el ncleo, a todo ese conjunto empezaremo s a llamarlo corazn de ahora en adelante. Recuerde que los niveles llenos con electrones y el ncleo verdadero mismo, no hacen nada en cuanto a enlaces, reacciones qumicas, o corriente elctrica, por lo que puede ser considerado aparte de los electrones de valencia. Este corazn tiene una carga positiva igual a la valencia. Miremos nuevamente por ejemplo el tomo de sodio de la figura 1.9, su nivel mas externo tiene solo un electrn,

como el nivel no est completo ese sera el nivel de valencia. El ncleo y los primero y segundo niveles llenos son el corazn del tomo. El corazn tiene una carga positiva +1, que es balanceada por la carga negativa del simple electrn de valencia. El tomo de cloro por su parte tiene en el corazn con una carga positiva +7 ya que tiene siete electrones en su nivel de valencia. Cuando el nivel de valencia tiene pocos electrones comparados con la capacidad mxima del nivel, el tomo muy fcilmente cede los pocos electrones de ah a fin de quedarse solo con los niveles llenos (los de abajo), en el caso contrario, cuando el tomo tiene el nivel de valencia con muchos electrones, lo que prefiere hacer es aceptar mas electrones de otro tomo para completarlo. As tenemos que el sodio con un solitario electrn en el ltimo nivel tiene tendencia a cederlo con facilidad, mientras que el cloro que tiene 7 electrones en el ltimo nivel estar mas interesado en recibir un electrn mas para completar el nivel. Por esta razn el cloro y el sodio reaccionan qumicamente de manera muy activa, el sodio cede el electrn del ltimo nivel y el cloro lo acepta, de esta forma cada uno tiene los niveles completos y se ha formado el cloruro de sodio (sal comn) una sustancia muy estable. Este tipo de enlace, donde un tomo cede un electrn y el otro lo retiene se llama enlace inico. Elctricamente lo que ha sucedido es que al tener un electrn de mas el tomo de cloro ha quedado cargado negativamente (mas electrones que protones), mientras que el sodio lo ha hecho positivamente (tiene un electrn de menos). Estas cargas elctricas hacen que exista una fuerte atraccin entre ambos tomos y el enlace sea muy fuerte.

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Veamos ahora como el silicio forma enlaces covalentes. Observemos el tomo de silicio en la figura 1.10. Su nivel de valencia es el tercer (nivel M), el cual tiene cuatro

electrones, pero desea cuatro mas. El corazn del tomo de silicio es el ncleo y el primero y segundo niveles llenos. El corazn tiene una carga +4, que es balanceada por los cuatro electrones del nivel de valencia. Un tomo de de silicio forma enlaces covalentes porque este trata de conseguir cuatro electrones mas para completar el ltimo sub-nivel (valencia) que lleva 8 electrones. Pero no lo hace tomando cuatro electrones de otro tomo como lo hace el cloro, en su lugar el tomo comparte sus electrones de valencia con otros cuatro tomos vecinos en el cristal de silicio. En la figura 1.11 se muestra como esta comparticin crea un enlace covalente Fi 0 entre dos tomos de silicio. Un enlace covalente es entonces en dos electrones de valencia orbitando alrededor de los corazones de dos tomos. Cada tomo provee uno de los electrones. Estos electrones ocupan dos de las ocho rbitas permitidas en el nivel de valencia de ambos tomos. De esta forma, un enlace covalente proporciona a cada tomo un electrn que desea para tratar de llenar el nivel de valencia. Pero ninguno de los tomos tiene carga, como en el caso del cloro y el sodio, debido a que ninguno de los tomos ha cedido un electrn. cada tomo conserva sus propios cuatro electrones de valencia, no menos ni mas. Los dos electrones orbitantes mantienen los dos corazones unidos. De todas formas la repulsin electrosttica de los dos corazones cargados positivamente los mantiene separados. Como el tomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia y espacio para cuatro mas, puede formar enlaces covalentes con cuatro tomos vecinos para

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formar el cristal. La figura 1.12 muestra como el tomo puede formar los enlaces con los cuatro vecinos para formar el cristal. En este caso las ocho capacidades permitidas en el nivel de valencia estarn ocupadas por electrones, formando como ya se ha explicado una sustancia muy estable al quedar fuertemente sujetos en sus rbitas.

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Volvamos al silicio tipo N y tipo P que mencionamos al principio. Para que un material sea conductor de la electricidad debe contener una gran cantidad de electrones dispuestos para saltar de un tomo a otro. Los electrones mviles se denominan portadores de corriente. Pero en un cristal de silicio puro a baja temperatura los electrones estn fuertemente sujetos en sus rbitas, por lo que el silicio puro al igual que cualquier otro material semiconductor es un aislador de la corriente, lo que lo hace intil como material para los dispositivos electrnicos. Aqu es donde el aluminio y el fsforo entran en juego, como se ha mencionado antes. La accin de agregar una pequea cantidad de estos elementos al silicio se le llama dopaje.

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Primero veamos que sucede cuando dopamos una pieza de silicio con fsforo para producir slice de tipo N.

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Como se muestra en la figura 1.13, un tomo de fsforo tiene 15 electrones y 15 protones, uno mas que el silicio, por lo que la valencia de fsforo es cinco en lugar de cuatro. El nivel de valencia necesita tres electrones para estar completo. So observamos ahora la figura 1.14 cada tomo de fsforo toma un lugar en el cristal, rodeado por cuatro tomos de silicio formando enlaces covalentes entre si. Los tomos de silicio que rodean al de fsforo lo obligan a formar cuatro en laces covalentes por lo que este est obligado a compartir cuatro de sus cinco electrones de valencia. No hay cabida para el quinto electrn de valencia del fsforo, su nivel de valencia est completo, tiene sus cuatro electrones propios mas los cuatro electrones compartidos con los tomos de silicio. El quinto electrn es literalmente expulsado del nivel de valencia y se convierte en un "electrn libre". Este electrn no est muy sujeto por el corazn del tomo y por tal motivo se convierte en el electrn capaz de ser portador de corriente. Este electrn libre se parece mas al electrn solitario del sodio tratado con anterioridad.

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De esta forma cada tomo de fsforo, contribuye a que el cristal sea conductor de la corriente y todos los tomos se sienten satisfechos porque tienen completos sus niveles de valencia al hacer los cuatro enlaces covalentes. Como se muestra en la figura 1.15, cuando un campo elctrico se aplica a un cristal tipo N, los electrones libres fluyen en la direccin en la que los empuja el campo elctrico. Por lo tanto los electrones libres actan como cargas negativas que pueden transportar corriente. A medida que se agrega mas tomos de fsforo a una pieza de silicio, mas electrones libres hay, y menor ser la resistencia elctrica del silicio. Pero el silicio usado como semiconductor nunca nunca se dopa mucho a fin de que su resistencia no sea como la de un metal, por ejemplo cobre. Ya sabemos porqu cuando el silicio se dopa con fsforo se llama silicio tipo N. La "N" se debe a la carga negativa de los electrones libres que sirve para transportar corriente. Note que esto no significa que el cristal tipo N est cargado negativamente, es normalmente neutro porque tiene la misma cantidad de protones en el ncleo que electrones en sus rbitas.

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Ahora veamos que sucede cuando se dopa una pieza de silicio con aluminio en lugar de fsforo. Recuerde que esto hace silicio tipo P.

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Como se muestra en la figura 1.16 un tomo de aluminio solo tiene 13 protones y 13 electrones, uno menos que el silicio, por lo que el tomo de aluminio tiene solo tres electrones en su nivel de valencia. Como el tomo de fsforo, el tomo de aluminio toma el 6 Fi lugar de un de silicio dentro del cristal, rodeado por cuatro tomos de silicio que ofrecen electrones para compartir, el tomo de aluminio desesperadamente quiere formar cuatro enlaces covalentes para llenar su nivel de valencia. Sin embargo, el tomo de aluminio solo tiene tres electrones de valencia para compartir, por lo que solo puede hacer tres enlaces, con tres de sus vecinos. Despus de formados esos tres enlaces, el aluminio se parece al cloro que hemos visto antes, necesita solo un electrn mas para estar capacitado a formar el cuarto enlace, lo que a su vez le permite terminar de completar las ocho rbitas disponibles en su nivel de valencia. El tomo de aluminio fcilmente extrae un electrn desde el nivel de valencia del tomo de silicio mas prximo. Podemos pensar que esto sucede como una permutacin del enlace covalente mostrados en las tomas instantneas de la figura 1.17.

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En la primera toma (Toma 1), el tomo de aluminio (tomo A) tiene solo los tres enlaces covalentes que puede formar originalmente. En la segunda toma un instante despus, un enlace entre los tomos B y C ha permutado a la izquierda, entre los tomos B y A. Este proceso del salto del enlace se produce todo el tiempo al azar entre el tomo de aluminio y los tomos de silicio vecinos. En la toma 2 de la figura 1.17, el tomo B ha perdido un electrn negativo as como uno de sus cuatro enlaces, por lo que tiene carga positiva. El enlace perdido, con una carga positiva se le llama un hueco en la estructura cristalina del cristal. Al mismo tiempo, el tomo de

aluminio (A) ha adquirido carga negativa debido al electrn extra que ha deseado para formar el cuarto enlace covalente. Lo importante de este asunto del hueco es que puede viajar alrededor de todo el cristal y que cuando el hueco salta en una direccin el electrn de valencia lo hace en sentido contrario, lo que significa que cuando un electrn se mueve para formar un enlace covalente produce un enlace perdido (hueco) en otro lugar. Si los electrones se mueven en una direccin los huecos lo hacen en sentido contrario. Observe que en la figura 1.17 cuando el enlace salta a unir los tomos A y B, el hueco se traslada al espacio entre B y C. Los huecos (enlaces perdidos) proveen la va para que los electrones de valencia puedan fluir y establecer una corriente, pero al mismo tiempo actan como portadores de carga positiva, por esto el material dopado se conoce como silicio tipo P. La "P" viene de la carga positiva de los huecos que sirven como transportadores de corriente. Cuando un campo elctrico mueve los electrones de valencia a la izquierda como se muestra en las secuencias de las tomas 1 y 2, los huecos se mueven a la derecha, por eso se considera como si estos huecos fueran objetos que transportan carga positiva. Cada tomo de aluminio en una pieza de silicio gana un enlace covalente con la consecuente carga negativa que lo acompaa y contribuye con un hueco con algn tomo de silicio vecino. Mientras mas tomos de aluminio la pieza de silicio tiene, mas fcilmente transporta corriente. Como en el caso del silicio tipo N, mientras mas dopaje, menos resistencia elctrica. Al igual que en el silicio tipo N, el silicio tipo P es neutro, ya que tiene la misma cantidad de protones que de electrones.

La figura 1.18 muestra como los huecos conducen la corriente a travs de una pieza de silicio tipo P. Es similar a la figura 1.15 para el silicio tipo N. La pieza se somete a un campo Fi 8 elctrico por la conexin de una diferencia de voltaje en sus extremos. los millones de huecos en el cristal dopado corren en la direccin opuesta al flujos de electrones en los cables. Como un electrn de valencia sale al cable en un extremo, un nuevo hueco se produce all. Y como los huecos llagan al otro cable, los electrones que llagan llenan los huecos en el otro extremo. Los huecos positivos se crean en un extremo exactamente a la misma velocidad conque se llenan en el otro extremo, por lo que el total de huecos permanece constante y el cristal en neutro en carga elctrica.

Combi

o materiales N y P en una unin

La figura 1.19 muestra la unin N-P donde los dos tipos de materiales semiconductores estn unidos. Recuerde que los semiconductores de tipo N tiene tomos de fsforo con un electrn libre que son los portadores de corriente. Cuando el electrn libre abandona el tomo, este adquiere una carga positiva. Para los semiconductores de tipo P, los tomos de aluminio tiene un enlace perdido (un hueco). Cuando un electrn llana el hueco, el tomo adquiere carga negativa. Cuando se forma la unin, y no se aplica voltaje, en la zona de la unin los electrones libres de los tomos de fsforo se combinan con los huecos de los tomos de aluminio. Esto se llama recombinacin. los tomos en cada lado de la unin no pueden moverse ya que estn fijos en el cristal, de manera que forman Fi ura 1.19 una barrera de potencial a cada lado de la unin - un potencial positivo en el lado del tipo N y un potencial negativo en el toro lado tipo P.Como la recombinacin continua, la regin con potenciales se expande. Esta regin se llama zona de vaciado, debido a que todos los electrones libres y huecos se combinan y la zona queda vaca de portadores de carga.

Fi ura 1.20

Como se muestra en la figura 1.20 la barrera de potencial negativo resultante hace que ningn electrn pueda entra a la zona de vaciado desde el semiconductor tipo N. y la barrera de potencial positivo evita que algn hueco pueda entra a la zona de vaciado desde el semiconductor tipo P. El resultado es una zona de vaciado estable y ningn movimiento de portadores de carga.

Voltaje a favor junta huecos y electrone s

Gradualmente apliquemos voltaje a favor de la conduccin al diodo que se muestra en la figura 1.21,

es decir vayamos haciendo el ctodo (regin N) mas y mas negativo en voltaje con respecto al nodo (regin P). El campo elctrico hace que los electrones negativos del ctodo tipo N y los huecos del nodo tipo P drenen hacia la unin. Primero, tenemos electrones libres y huecos colocados a cada lado de la zona de vaciado.Pero como el voltaje ha ido subiendo, este llega a sobrepasar la barrera de potencial de la zona de vaciado. Esto es cuando el voltaje crece, la zona de vaciado va hacindose mas y mas fina, pero Fi ura 1.21 aun no hay corriente. la zona de vaciado es como un aislador entre las regiones del ctodo y el nodo, porque ningn portador de carga puede atravesarla hasta que no se haya superado el potencial de la barrera. Finalmente, cundo la diferencia de voltaje llega a alrededor de 0.7 voltios el ancho de la zona de vaciado se hace cero y desaparece. No hay nada ahora que impida que los electrones libres y huecos llaguen a la unin y se recombinen, y lo hacen de manera muy feliz por lo que se establece una corriente elctrica a travs del diodo. Pequeos cambios en el voltaje causan grandes incrementos en la corriente. Este voltaje de alrededor de 0.7 voltios se llama voltaje de umbral del diodo de unin P N de silicio. El voltaje de umbral es el mismo para todos los diodos de silicio de ese tipo y est determinado por la cantidad de energa que es necesaria para elevar un electrn de valencia al nivel de conduccin.

El voltaje en contra separa los electrones libres y huecos

Ahora consideremos lo que sucede en la unin P-N cuando se aplica un voltaje en contra al diodo como se muestra en la figura 1.22. En la regin P, los huecos se mueven hacia el nodo

lejos de la unin; en la regin N, los electrones libres se mueven hacia el ctodo lejos de la unin. Como resultado la zona de vaciado se hace mas Fi ura gruesa en vez de mas fina, por lo que se mantiene como aislador. No hay 1.22 manera para que grandes cantidades de electrones fluyan a travs de la zona de vaciado, debido a que no hay portadores all. Esta es la forma por la que un diodo funciona como una vlvula de cheque, abriendo el circuito cuando el voltaje se aplica en sentido contrario a la conduccin. Todos los dispositivos semiconductores funcionan de esta manera, es decir por la generacin y uso de electrones libres y huecos al dopar cristales puros de sustancias semi conductoras.

Transistores bipolares NPN.

Primeros hablemos de como estn construidos los transistores bipolares tpicos del tipo NPN. Usemos la figura 1.23, aqu se representa el smbolo esquemtico de uno de estos transistores. En ella se sugiere que el transistor tiene una barra segmentada en tres regiones tal y como se representa en la figura 1.24 Esta forma es en realidad la forma en la que fueron fabricados los primeros transistores en el 1948. La barra fue un mismo cristal de semiconduc Fi ura 1.24 Fi ura 1.23 tor dopado de manera diferente en las tres regiones desde el estado lquido. Este transistor original no fue hecho de silicio sino de un elemento parecido llamado Germanio, mucho mas fcil de trabajar con l. Las tres conexiones del transistor se llaman emisor, colector y base.

La estructura mas moderna se muestra en la figura 1.25. Aqu el dopaje se hace por difusin de los materiales dentro del cristal para modificar la zona seleccionada en los materiales tipos P o N. Las reas a ser Fi ura 1.25 modificadas se seleccionan por tcnicas de fotografa en etapas por lo que las operaciones se realizan en la secuencia apropiada. La difusin se hace en hornos especiales. En un transistor tipo NPN, las regiones del emisor y del colector del cristal son del tipo de material N lo mismo que el nodo del la unin del diodo. Y la zona del medio, la base es el mismo material P de la unin del diodo. El montaje tpico de un transistor en un paquete se muestra en la figura 1.26 para el tipo de transistor utilizado como amplificador de potencia y de alta corriente.

Como funciona un trasistor NPN.

Fi ura 1.26 Para entender como funciona un transistor, veamos la figura 1.27. En el circuito, la fuente de potencia o fuente de electrones es un juego de pilas que suministran tres voltios. Note que el emisor del transistor est a -3 voltios. Una de las terminales del bombillo y una de la pila estn a tierra o 0 (cero) voltios. El voltaje negativo en el emisor le suministra electrones y estos fluyen

a travs del transistor, la lmpara y a tie es el otro lado de la pila. El transistor co corriente a la lmpara, en proporcin a l pequea corriente que se suministra a la Esta pequea corriente es controlada a s con la resistencia variable (potencimet R1 se pone en el circuito para limitar el positivo mximo a la base con respecto emisor. El voltaje de la base no podr se positivo que -2 voltios.

Ambas uniones P-N conectadas a voltaje inve

Fi ura 1.27 Comencemos el experimento imaginario rodando el cursor del potencimetro hasta el extremo de -3 voltios. Esto mantiene la base al mismo potencial que el emisor. El transistor se puede representar como dos uniones P-N en un chip como si fueran dos diodos colocados de manera opuesta, por lo que si la base est a -3 voltios, la unin P-N colector-base est conectada con el voltaje en contra a la conduccin, mientras que la unin emisor-base est en corto circuito (conectadas al mismo cable) por lo que no hay voltaje alguno actuando en la unin y electrones libres y huecos se mantienen aparte en la zona de vaciado. No hay corriente a travs de ninguna de las uniones, por lo tanto tampoco la hay entre emisor y colector. El resultado es que el transistor en esta forma actua como un interruptor desconectado.

Conectando la unin base-emisor a voltaje a favor.

Gradualmente vayamos rodando el cursor del potencimetro alejndolo del extremo de 3 voltios. Esto hace que la base se vaya haciendo menos y menos negativa, por lo que esta se va tornando positiva con respecto al emisor. El incremento de voltaje relativo a favor va reduciendo el ancho de la zona de vaciado mas y mas hasta que a unos 0.6 voltios este ancho est a punto de desvanecerse. Pero en la construccin del transistor tenemos algo mas que un par de diodos. La regin P de la base es sumamente fina y est dopada mucho menos que el emisor, por lo que los huecos escasean en la regin de la base.