Universidad Nacional de Asuncin Facultad de Ingeniera

Laboratorio de Fsica de los Semiconductores

Experiencia Nro.9: transistor en emisor comun
Valentn Ruiz Daz Franco Isidro Alejandro Villordo Pedro Sebastin Genez Grance
Luque-Paraguay Ao 2011

Integrantes:

Experiencia N9 transistor OBJETIVOS

Trazado de las caractersticas de salida del transistor. Trazado de las caractersticas de entrada del transistor. Calculo de la resistencia de entrada, resistencia de salida y coeficiente de amplificacin de corriente utilizando las caractersticas del transistor. Estudio del mtodo de trazado de las caractersticas de salida mediante el trazador de curvas.

M ATERIALES UTILIZADOS
Tablero experimental N.1 y sus componentes asociados. Dos fuentes de alimentacin c.c. de 0-36 V.

Fuente de alimentacin de c.a. de 6.3V(50Hz) no conectado a

tierra .

1 diodo zener y 1 capacitor.

Multmetro analgico y digital. Osciloscopio con dos puntas de prueba. Cables. Dcadas de resistencia. Un protoboard

Generador de seales.

MARCO TERICO

Caractersticas de entrada y salida La entrada del circuito en emisor comn esta entre la base y el emisor Por lo tanto la caracterstica de entrada describe la corriente de entrada Ib en funcin de la tensin de entrada Vbe con la tensin de salida Vce, constante. Las curvas caractersticas de entrada para diferentes tensiones de salida se muestran en la figura 4.2

Como puede verse en la figura 4.2 cuando el colector esta conectado al emisor Vce = 0 y la juntura base emisor esta directamente polarizada, la curva de entrada describe la caracterstica de un diodo directamente polarizado.

La salida del circuito en emisor comn esta entre el colector y el emisor. Por lo tanto la caracterstica de salida mostrara la dependencia de la corriente de colector Ic con la tensin colector emisor Vce, cuando la corriente de base s mantiene constante (Ib = cte.). En la figura 4.3 se ven las caractersticas de salida de un diodo NPN de silicio.

Zonas de operacin de un transistor

Las regiones de operacin de un transistor se dividen generalmente en 3 zonas: zona activa, zona de corte y zona de saturacin. Estas 3 zonas estn sealadas, en la figura 4.4, sobre las caractersticas de salida del transistor.

Zona activa Como se ve en la figura 4.4, la zona activa del transistor es aquella parte de la caracterstica en la que la corriente de base es mayor a cero Ib>0 y la tensin colector emisor es mayor que unas dcimas de voltios. El transistor estar en la zona activa siempre que su juntura base emisor este directamente polarizada y su juntura base colector inversamente polarizada. En esta zona la corriente de salida depende principalmente de la corriente de base mientras que depende muy poco de Vce. Si deseamos construir un amplificador lineal sin distorsin, el transistor debe operar en esta zona. De la figura 4.1, podemos escribir la siguiente ecuacin: Ib = Ie + Ic (4-1) Tambin tenemos Ic = .Ie + Ic0 (4-2) Que da: Ie = (Ic Ic0)/ (4-3) Sustituyendo la ecuacin 4.3 en la ecuacin 4.1 y resolviendo para Ic tenemos: Ic = / (1- ) .Ib + Ico/(1- ) (4-4) Y sabiendo que = / (1- ) sustituimos y obtenemos: Ic = .Ib + ( + 1).Ic0 (4-5) Normalmente podemos despreciar el termino en el que la figura Ic0, puesto que es muy pequeo comparando con .Ib y entonces podemos escribir, para la zona activa:

Ic = .Ib (4-6) El factor de amplificacin no es constante para diferentes transistores del mismo tipo, por lo tanto, existe un intervalo de valores que puede tomar. Para un transistor particular, depende de la corriente de colector Ic y de la temperatura.

Zona de corte

En la configuracin de emisor comn el corte del transistor se define como la situacin en la que la corriente de perdida Ic0, con la corriente de emisor igual a cero (Ie = 0). De la ecuacin 4.5 puede verse que una base en circuito abierto Ib = 0 no es suficiente por el corte, puesto que Ic = ( + 1)Ic0. En otras palabras, para que el transistor se encuentre en la zona de corte es necesario que: Ib = -Ic = -Ic0 (4-7) Para obtener esto, una pequea polarizacin inversa debe ser aplicada a travs de la juntura base emisor. Puede verse que una polaridad de 0 V para un transistor de silicio y 0,1 V para un transistor de germanio sern normalmente suficientes para provocar el corte.

Zona de saturacin
En la zona de saturacin, las dos junturas del transistor, base emisor y base colector, estn directamente polarizadas. En este caso, la tensin de salida es muy pequea (Vce alrededor de 0,3V). En saturacin la corriente de salida es casi completamente independiente del transistor y de la corriente de entrada Ib, y queda determinada por la tensin de alimentacin Vcc y la carga RL. Por lo tanto, en el circuito que se ve en la figura 4.1 la corriente de salida Ic en saturacin ser: Ic = Vcc/RL (4-8) Resistencias de entrada y salida (Ren y Rsal) a) Resistencia de entrada Ren Ren es la resistencia que ve una fuente conectada a los terminales de entrada. Ren puede definirse como la razn entre el cambio de tensin de entrada y el cambio de la corriente de entrada. Cuando la tensin de salida se mantiene constante. Para un circuito emisor comn:

Esta resistencia puede calcularse de las caractersticas de entrada. El valor de Ren es del orden de varios K . b) Resistencia de salida Rsal Rsal es la resistencia que ve el circuito conectado a los terminales de salida. Rsal puede definirse como la razn entre el cambio de tensin de tensin de salida y el cambio

de corriente de salida, cuando la corriente de entrada es mantenida constante. Para un circuito emisor comn podemos escribir:

Esta resistencia puede calcularse de las caractersticas de salida. La resistencia de salida es relativamente alta, del orden de decenas o cientos de K .

DESARROLLO DEL EXPERIMENTO Caracterstica de salida

Parmetro 0 Ib(microA) VCE (V) 0,5 1 2 4 6 8 0 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 micro 20 mili 0.32 0.34 0.35 0.34 0.34 0.35 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.1 2 2.05 2.05 2.76 2.7 2.7 50 80 100 IC (mA) 2 2.59 2.6 2.6 2.62 2.65 3.15 3.2 3.21 3.25 3.35 3.4 3.4 3.45 3.8 3.81 3.65 3.90 120 150

Caracterstica de entrada
Ib (microA) 0 Parametro VCE (V) O O,5 1 5 10 15 0 0.058 0.05 0.055 0.063 0.059 0.4 0.452 0.457 0.457 0.46 0.38 0.51 0.58 0.552 0.56 0.54 0.58 0.56 0.633 0.633 0.633 0.63 0.73 0.57 0.665 0.658 0.657 0.655 0.652 0.609 0.66 0.668 0.666 0.66 0.66 0.611 0.679 0.68 0.679 0.675 0.670 0.604 0.71 0.709 0.705 0.703 0.706 1 3 5 10 15 20 50

ANLISIS DE LOS RESULTADOS

Caracterstica de salida del transistor Caracterstica de entrada del transistor

Utilizando las caractersticas trazadas encuentre para los siguientes puntos: A. Vce =2 V Ib=20 A B. Vce = 8 V Ib = 10 A

Utilizando las caractersticas trazadas, calcule la resistencia de salida Ro del resistor en los puntos indicados en el parrafo 3. Utilizando las caractersticas trazadas calcule la resistencia de entrada Ri en los puntos indicados.

Problemas
1. 2. 3. 4. 5. Existe corriente de colector con la base del transistor abierta? Justifique. Defina la magnitud beta y explique su importancia. Defina la magnitud alfa y explique su importancia. Dibuje el circuito del transistor PNP en conexin emisor comn. Esta limitada la corriente mxima de colector que se puede hacer circular durante el experimento? Justifique.

Si el emisor estuviese en circuito abierto Ie=0 y tambin seria igual a la Ipc. En este caso, la base y el colector actuaran como un diodo inversamente polarizado y la corriente de colector Ic seria igual a la corriente inversa de saturacin Ico. Si Ie no es igual a cero se observa en la figura que Ic = Ico - Ipc

La beta dc de un transistor redefine como la relacin entre la corriente continua del colector y la corriente continua de la base

La beta continua se conoce tambin como la ganancia de corriente por que una pequea corriente de base produce una corrinte mucho mayor de colector La ganancia de corriente es una gran ventaja de un transistor y a llevado a todo tipo de aplicaciones para transistores de baja potencia por debajo de un watt la ganancia de corriente es tpicamente de 100 a 300, los transistores de alta podenca por encima de un watt normalmente tienen ganancias de corriente entre 20 y 100. 3 La ganancia de corriente para seales grandes de un transistor en base comn se define como la relacin del incremento de la corriente de colector a la variacin desde cero (corte) a Ie de corriente, cambiada de signo es decir = - (Ic-Ico)/ Ie los valores tpicos de varan entre 0.9 y 0.995 no es constante sino que varia con la corriente de emisor Ie, la tensin de colector Vcb y la temperatura del estudio de las corrientes en el transistor s se deduce si esta esta en regin activa es decir el emisor directamente polarizado y el colector en polarizacin inversa la corriente de colector viene dada por la ecuacin Ic=- Ie+Ico 4 transistor PNP emisor comn

CONCLUSION
Un transistor tiene tres zonas de dopaje, como vimos en este experimento y investigando por libros concernientes del tema . ellas son emisor la zona central base y la zona superior es el colector los transistores es un dispositivo npn o pnp que son diodos en paralelo Y que el emisor esta fuertemente dopado mucho mas que el colector y que la base fsicamente el colector es la zona mas grande. Que una ves polarizado el transistor los electrones libres de la zona n se difunden a travs de la unin y se recombinan con los huecos del lado p el resultado son las zonas de deplexion Como el emisor es que es la fuente de electrones su corriente es la mayor de las tre. Casi todos los electrones del emisor en un tiipo npn circulas hacia colector por tanto la corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente de emisor es decir Ie La curva de entrada es como la curva de un diodo normal a de Ib en funcin da la Vbe tomando como parmetro Vce. Y que la curva caracterstica de salida tambin es la curva caracterstica de un diodo de Ic en funcion de Vce tomando como parmetro Ib T como ya se vio un transistor es un dispositivo electrnico con el cual con una pequea Ib se logra un salida Ic mayor es decir se logra un ana amplificacin de la corriente de ah que se lo utiliza como un dispositivo de implicacin .

BIBLIOGRAFIA

Dispositivo electrnico (Millman) Gua de trabajo proporcionada por el profesor http://es.wikipedia.org/wiki/diodos Teoria de Circuitos : Robert Boylestad