R
sheet
, com N
R
sheet
, com N
R
sheet
, com N
= K 75 . 38
) / (
2
1
3 3
0
L W C
I
V V
I
R
ox n
ref
thn dd
ref
bias
u
b) I
ds
=100 uA (W
1
/L
1
)=(W
2
/L
2
)=100/440/5=100/5 [um/um]
c) Como V
sb
=0, necessrio considerar o efeito de corpo que afecta M
1
.
Para um bom funcionamento do circuito, M
1
e M
2
tem de operar em saturao.
Para isso: V
ds2
>V
gs2
-V
thn2
(como o efeito de corpo no afecta M
2
, ento V
thn2
=V
thn0
) e
V
ds1
>V
gs1
-V
thn1
(o efeito de corpo afecta M
1
, logo V
thn1
=V
thn0
),
Assumindo que V
ds3
=V
ds2
=V
gs3
=2.5-38.7510
3
4010
-6
=0.95 V (V
ds3
>V
gs3
-V
thn0
=
=0.25 V) e M
2
mantm-se em saturao).
V
sb1
=V
ds2
=0.95 V V
thn(1)
=V
thn0
+[(|2u
F
|+V
sb
)
-1/2
-|2u
F
|
-1/2
]~0.89 V
A 100 ) )( (
2
2
) 1 ( 2 1
1
1
1
= =
thn ds bias
ox n
ds
V V V
L
W C
I
u
V
bias1
=2.09 V
M
1
opera em saturao porque V
ds1
=2.5-0.95=1.55 maior que V
gs1
-V
thn(1)
=0.25 V
d) A
v
=g
m1
(1/g
mb1
//r
o1
//r
o2
)/[1+g
m1
(1/g
mb1
//r
o1
//r
o2
)]
r
o1
=r
o2
= pois ignora-se (=0)
Assim A
v
=g
m1
/(g
m1
+g
mb1
)
mS 18 . 0 ) ( 2
1
1
1
1
= =
ds ox n m
I
L
W
C g u
S 4 . 43
| 2 | 2
1
1
1
=
+ u
=
sb F
m
mb
V
g
g
A
v
=0.81 (<1 como era esperado).
e) R
out
=1/(g
m1
+g
mb1
)=4.48 KO
Exerccio 5.5
R: a) Deve garantir-se que qualquer que seja a tenso instantnea no terminal do drain
V
d
=0.3+0.05cos(2tft), o transstor no saia de saturao. Alm disso V
sb
=V
s
, no se
podendo desprezar o efeito de corpo.
Para V
d1
=0.35 V V
thn1
=0.78 V para continuar saturado, V
bias1
>1.01 V
Para V
d2
=0.25 V V
thn2
=0.76 V para continuar saturado, V
bias2
>1.13 V
Logo para no sair de saturao deve V
bias
>max(V
bias1
,V
bias2
)=1.13 V.
b) ) 1 )( )( (
2
1
1
m
mb
thn d bias
ox n
v
g
g
V V V
L
W C
A + =
u
V
bias
=1.40 V e supondo V
d
=0.3 V (s com componente DC) V
thn
=0.77 V
I
ds
=61 uA g
m
=0.37 mS, g
mb
=76 uS A
v
=0.04
c) R
in
=1/(g
m
+1/g
mb
)=2.24 KO
CAPTULO 6
RESOLUES DOS EXERCCIOS PROPOSTOS
Exerccio 6.1
R: Ver texto (pgina 112).
Exerccio 6.2
R: Ver texto (pginas 129 a 131).
Exerccio 6.3
R: Ver texto (pgina 112).
Exerccio 6.4
R: Ver texto (pgina 114).
Exerccio 6.5
R: Ver texto (pgina 116).
Exerccio 6.6
R: Escolher o par L [H] e C [F], de modo a ) 2 /( 1 LC f t = .
Para f=4 MHz, pode escolher-se L=5 uH e L=316 pF
Seguir o procedimento apresentado nas pginas 124 e 125 do texto.
Exerccio 6.7
R: a) Uma PLL necessita dos cinco componentes seguintes:
(1) divisor de frequncia: N=5200/12.5=416 ( a razo entre a frequncia de
sada da PLL e a frequncia do oscilador de referncia note-se que
5.2 GHz=5200 MHz);
(2) comparador de frequncia/fase: trata-se de um circuito digital como o
ilustrado na Figura 6.19 e por essa razo no necessita de um projecto
especfico;
(3) oscilador controlado por tenso: K
VCO
=680 MHz/V (um outro valor
qualquer pode ser utilizado desde que o VCO consiga oscilar frequncia
que se deseja gerar; a razo da escolha deste valor por j ter sido
implementado um VCO destes e o valor constar no texto);
(4) bomba de carga: K
VCO
=175 mA.rad/(2t) (idem);
(5) filtro de malha: suaviza a variao do sinal entrada do VCO; o projecto
dos constituintes do filtro de malha o foco da prxima alnea.
b) Aconselha-se a leitura da seco 6.4.5.5 do texto.
A largura de banda da PLL constitui uma outra especificao, mas a sua
importncia no to critica como a da margem de fase, pois s tem efeito na
velocidade de convergncia da PLL. Assim, um projecto possvel do filtro de
malha implica a definio deste valor:
- f
P
=1.2 MHz
No texto pode observar-se o procedimento para a obteno dos componentes do
filtro:
- t
1
=61.8510
-9
s: ver equao (6.33)
- t
3
=70.4610
-9
s: ver equao (6.34)
- f
c
=537.84 KHz: ver equao (6.36)
- t
2
=661.8410
-9
s: ver equao (6.35)
- C
1
=1.92 nF: ver equao (6.37)
- C
2
=18.58 nF: ver equao (6.38)
- R
2
=35.62 O: ver equao (6.39)
- C
3
=190 pF (<C
1
/10): ver equao (6.40)
- R
3
=370.83 O: ver equao (6.40)
Alternativamente, aplicando o factor de proporcionalidade 1/1000(11/1.92),
obtm-se um conjunto de componentes mais fceis de adquirir comercialmente:
- C
1
=11 pF (diminuiu)
- C
2
=10.64 pF (diminuiu)
- R
2
=6.22 KO (aumentou)
- C
3
=10 pF <C
1
/10 (diminuiu)
- R
3
=7.05 KO (aumentou)
Exerccio 6.8
R: a) Em primeiro lugar importa saber se com 3.3 V de alimentao possvel fornecer
directamente 1 W a uma antena com resistncia de entrada igual a 50 O.
Da equao (6.55) sabe-se que P
RF
=max[v
out
(t)]
2
/(2R
L
) e da Figura 6.32(d) sabe-se
tambm que max[v
out
(t)]=V
dd
, logo a maior potncia que possvel entregar
directamente a esta carga P
RF
=109 mW.
Para o amplificador poder fornecer uma potncia de 1 W, a mxima resistncia de
carga deve ser tal que ) 2 /(
2
RF dd L
P V R = =5.44 O, ou seja muito menor que os 50 O.
partida parece que no possvel realizar-se um amplificador em classe A para
as especificaes apresentadas. Contudo e graas introduo de uma malha LC
constituda por dois ramos (com uma indutncia L num dos ramos e uma
capacidade C no outro ramo) possvel cumprir com as especificaes (fornecer
1 W a uma antena de 50 O) ao mesmo tempo que o amplificador ve uma
impedncia de carga puramente real e inferior ou igual 5.44 O. Se R
out
[O] for a
resistncia de entrada da antena e R
in
[O] for a resistncia observada pelo
amplificador, ento para a frequncia f
0
[Hz] consegue-se demonstrar que os
elementos da malha LC so tais que:
-
out
in
in
R
R
R f
C =
0
2
1
t
- C R R L
out in
=
A figura seguinte ilustra o amplificador de classe A completo:
Tendo em conta a mxima resistncia anterior de 5.44 O e assumindo justamente
que R
L
=R
in
=5.44 O, ento L=2.6 nH e C=9.7 pF.
Seleccionando C
0
e L
0
de forma que
1
0 0 0
) 2 (
= C L f t , ento uma possibilidade
usar L
0
=1.624 nH para combinar-se com a indutncia da malha adaptadora de
forma a resultar na indutncia equivalente L
eq
=2.61.624/(2.6+1.624)=1 nH. Por
outro lado C
0
=25 pF mantm-se inalterada. Como a capacidade de bloqueio DC,
C
b
, muito elevada para no atenuar o sinal de RF, a combinao desta com a
capacidade da malha de adaptao resulta em C
eq
=CC
b
/(C+C
b
)~C, significando
que possui dupla funo (ajudar na adaptao e no bloqueio DC).
Sabe-se que a corrente I
choke
igual mxima corrente de pico RF (I
choke
=A
RF
Figura 6.32b) e vale I
choke
=V
dd
/5.44~0.60 A. Da mesma figura percebe-se que o
n-MOSFET tem de aguentar uma corrente que o dobro desse valor, ou seja
1.20 A. Alm disso (Figura 6.32c), a tenso entre os terminais do drain e da source
atinge o dobro da tenso de alimentao, o que significa que o n-MOSFET deve
ser capaz de dissipar uma potncia de pico igual a 1.2023.3=7.92 W. Uma boa
regra desenhar-se um n-MOSFET com o menor comprimento permitido pela
tecnologia, L=L
min
, e para a largura W seleccionada, desenhar-se um transstor
multi-finger para haver uma maior distribuio das correntes por vrios canais.
O sistema de polarizao deve ser tal que
2
min
) )( (
2
thn bias
ox n
chooke
V V
L
W C
I =
u
, com
C
bias
o mais elevada possvel para evitar atenuar o sinal a amplificar, v
in
(t), e R
bias
tambm o mais elevada possvel para evitar que haja fugas de v
in
(t) para a massa.
Um bom exemplo considerar C
bias
=1 nF e R
bias
=5 KO.
Quanto indutncia de choke, sabe-se que esta comporta-se como uma fonte de
corrente assim, o mdulo da sua reactncia deve ser muito maior que a resistncia
de carga vista pelo amplificador. Um bom exemplo considerar
X
choke
>10R
L
=54.4 O, resultando em L
choke
>54.4/(2t10
9
)=8.66 nF.
Finalmente, a eficincia (equao 6.56)
3 . 3 2
44 . 5 62 . 0
= n
~49.4% (s50%).
b) Amplificador em classe C
A estrutura e os componentes de um amplificador de classe C so os mesmos da
alnea anterior. A diferena reside no ngulo de conduo que inferior a 180.
Supondo que se pretende dissipar de forma segura 10% da potncia a fornecer
carga (10% de 1 W), ento a eficincia n=1/1.1=91%. Da equao (6.66),
obtm-se o ngulo de conduo o=111.6 (obtido numericamente). A amplitude da
mxima corrente RF na carga (na carga de 5.44 O observada a partir do terminal
do drain) obtm-se da equao (6.65) e vale A
RF
=3.74 A. Da equao (6.61)
obtm-se a corrente mdia no n-MOSFET: 33 . 0 = ds I A. Finalmente, obtm-se a
partir da equao (6.60) a corrente DC: I
DC
=-2.10 mA. A tenso de polarizao,
V
bias
, negativa e tal que quando V
gs
=V
bias
+max[x(t)], a corrente mxima ser
2
min
(max)
) )] ( max[ )( (
2
thn bias
ox n
ds
V t x V
L
W C
I + =
u
=3.74-2.10=1.64 A.
A maior eficincia deste amplificador deve-se ao n-MOSFET estar a maior parte
do tempo em corte. Isto consegue-se graas a V
bias
que garante V
gs
<V
thn
nesses
intervalos.
Amplificador em classe E
A estrutura e os componentes de um amplificador de classe E podem ser
observados na Figura 6.36 do texto.
Assumindo que o n-MOSFET ideal (V
ds,ON
=0 V quando em conduo), da
equao (6.71) com P
RF
=1 W retira-se a resistncia de carga R
L
=6.31 O. Uma vez
mais necessrio usar uma malha de adaptao por ser diferente dos 50 O
especificados, ou seja: C
malha
=8.9 pF e L
malha
=2.8 nH.
Usando R
L
=6.31 O na equao (6.69), escolhendo um factor de qualidade elevado
(Q=20) e aplicando-o na equao (6.70), obtm-se as capacidades da malha de
carga do amplificador em classe E: C
1
=4.63 pF, C
2
=1.36 pF. A indutncia ser
L=QR
L
/w=20 nH.
A figura seguinte ilustra o amplificador em classe E completo:
Na malha de adaptao a indutncia e a capacidade podem trocar de posio (o
nico efeito a malha de adaptao deixar de ser passa-alto para passar a ser
passa-baixo). Neste caso fica-se somente com L+L
malha
=22.8 nH na malha de carga
e a capacidade 8.9 pF em paralelo com a antena.
Relativamente indutncia de choke, uma vez mais X
choke
>10R
L
=63.1 O,
resultando em L
choke
>63.1/(2t10
9
)=10 nF.
CAPTULO 7
RESOLUES DOS EXERCCIOS PROPOSTOS
Exerccio 7.1
R: Possibilidade de integrao completa de antena+transmissor/receptor no mesmo chip,
diminuio de perdas, baixo consumo e boa adaptao de impedncias entre componentes.
Ver texto (pgina 173).
Exerccio 7.2
R: Ver texto (pginas 173-174).
Exerccio 7.3
R: Ver texto (pgina 176).
Exerccio 7.4
R: Ver texto (pgina 176).
Exerccio 7.5
R: Ver texto (pginas 177-178).
Exerccio 7.6
R: Ver texto (pginas 178-179).
Exerccio 7.7
R: Ver texto (pginas 181-182).
Exerccio 7.8
R: Ver texto (pgina 183).
Exerccio 7.9
R: Ver texto (pgina 185).
Exerccio 7.10
R: Ver texto (pgina 187).
Exerccio 7.11
R: Ver texto (pgina 188).
Exerccio 7.12
R: Ver texto (pgina 190).
Exerccio 7.13
R: Ver texto (pgina 189).
Exerccio 7.14
R: Ver texto (pgina 193 e captulo 4 sobre a micromaquinagem no silcio para o processo
de fabrico).