1

PENDAHULUAN
Latar Belakang Kajian material ferroelektrik semakin banyak dilakukan dan dikembangkan oleh para ilmuwan. Beberapa material ferroelektrik yang sering digunakan adalah : Barium Strontium Titanate (BST), Lead Zirconium titanate (PZT), Strontium Titanate (STO). Barium Strontium titanate (BST) thin film banyak diaplikasikan sebagai Non Volatile Memory Device, Dynamic random Acces Memory (DRAM), voltage tunable device, Infra Red (IR), sensor kelembaban, sensor cahaya dan sensor gula. Karakteristik sifat kelistrikan dan material lapisan tipis BST tergantung pada metode pembuatan film, jenis material doping, suhu annealing, dan ukuran grain. Metode pembuatan BST thin film diantaranya adalah Pulsed Laser Deposition (PLD), Metal organic Solution Deposition (MOSD), Sol-Gel Process dan RF Magnetron Sputtering. Pada penelitian ini, akan disintesa film tipis BST (Ba0.5Sr0.5TiO3) menggunakan metode Chemical Solution Deposition (CSD) (Azizahwati, 2002). Salah satu aplikasi material ferroelektrik ditunjukkan pada Gambar 1. Fotodioda adalah salah satu contoh fotodetektor, yaitu sebuah alat optoelektronika yang dapat mengubah cahaya datang menjadi besaran listrik. Menurut Miles, efek fotodetektor berupa konversi energi foton menjadi energi listrik secara langsung. Si berbasis fotodetektor sensitif didaerah cahaya tampak dan infra merah. Respon Si berbasis fotodetektor rendah pada daerah ultraviolet karena energi bandgapnya yang kecil ( 1.1 eV pada suhu ruang) (Lin et al., 2006). Beberapa fotodetektor yang telah dikembangkan adalah ZnSe metalinsulator semiconductor (MIS). Fotodetektor ini sensitif pada daerah UV karena bandgapnya yang lebar. Selain itu, fotodetektor merupakan sensor cahaya atau sensor energi elektromagnetik lainnya yang dapat mendeteksi dan mengukur output laser atau jenis sumber lainnya. Fotodetektor adalah devais yang dapat memberikan respon listrik yang bermanfaat untuk mengukur radiasi elektromagnetik yang datang. Fungsi fotodetektor diantaranya adalah devais

Gambar 1. Aplikasi BST berupa RAM

penting pada hampir seluruh sistem listrik-optik dan laser. Fotodetektor menerima cahaya datang dan mengubanya menjadi respon yang dapat diukur sehinga dibutuhkan pengukuran intensitas atau iradians dari cahaya datang. Fotodetektor sering digunakan bersama laser pada hampir seluruh aplikasi teknologi laser. Sebagai contoh, fotodetektor digunakan untuk mengukur dan mengontrol daya output laser pada aplikasi kerja logam. Selain itu, fotodetektor dibutuhkan untuk mengukur posisi dan gerak tepi interferensi dalam aplikasi pengukuran jarak. Selain itu, fotodetektor bertugas sebagai penerima dalam komunikasi optik. Fotodetektor dapat menghasilkan respon listrik berupa arus listrik atau tegangan. Sifat yang dimiliki fotodetektor diantaranya adalah respon yang tinggi pada suatu panjang gelombang untuk dideteksi, nilai noise yg kecil dan kecepatan yang cukup untuk mengikuti variasi sinyal optik yang akan dideteksi. Gambar 2 menunjukkan lambang skematis fotodioda. Panah yang mengarah ke dalam melambangkan cahaya yang datang. Sumber dan tahanan seri memberikan prategangan balik pada fotodioda. Bila cahaya makin cerah maka arus balik naik. Dalam fotodioda yang lazim arus balik tersebut besarnya sekitar puluhan mikroampere. Penelitian ini akan membuat film tipis BST yang didadah tantalum dengan berbagai variasi doping. Film tipis yang dihasilkan akan diaplikasikan pada rangkaian elektronik sensor warna terkait dengan kemampuannya menjadi fotodetektor.

Gambar 2. Lambang skematis fotodioda

Tujuan Penelitian
1. Mensintesis film tipis BST dan film tipis BST didadah Ta2O5 dengan

variasi persentase Ta2O5, yaitu 0%, 2.5%, 5%, 7.5%, 10%.

2. Membahas mengenai sifat fotodetektor dari film tipis BST didadah Ta2O5

yang ditumbuhkan dengan metode CSD.

3. Mengamati pengaruh doping Ta2O5 terhadap sifat listrik fotodetektor film

tipis. Film tipis BST dan BSTT yang dihasilkan akan di karakterisasi arustegangan (I-V), konduktivitas listrik, sifat optik mencakup absorbansi dan reflektansi, indeks bias, energi gap, dan mikrostruktur BST. Perumusan Masalah Salah satu jenis fotodetektor yang pernah dibuat adalah ZnSe metal insulatorsemikonductor (MIS). Fotodetektor ini disintesis pada substrat ZnSe yang dilapisi oleh BST (Ba0.25Sr0.75TiO3) dan SiO2. Selain itu terdapat pula fotodetektor berbasis GaN. Fotodetektor ini dibuat dari material yang memiliki energi bandgap yang lebar. Hal ini menyebabkan terbentuknya fotodetektor yang sensitif pada daerah panjang gelombang sinar ultra violet. Hal ini menimbulkan munculnya ide pembuatan fotodetektor berbasis film tipis BST yang dibuat pada substrat silikon. Fotodetektor ini sensitif pada daerah panjang gelombang sinar tampak dan infra merah. Sehingga dapat diaplikasikan sebagai sensor warna yang membutuhkan sensor yang peka pada daerah panjang gelombang cahaya tampak.

TINJAUAN PUSTAKA

Bahan Ferroelektrik Ferroelektrik adalah gejala terjadinya perubahan polarisasi listrik secara spontan pada material akibat penerapan medan listrik yang mengakibatkan adanya ketidaksimetrisan struktur kristal pada suatu material ferroelektrik. Ferroelektrifitas merupakan fenomena yang ditunjukkan oleh kristal dengan suatu polarisasi spontan dan efek histerisis yang berkaitan dengan perubahan dielektrik dalam menanggapi penerapan medan listrik. Sifat histerisis dan konstanta dielektrik yang tinggi dapat diaplikasikan pada sel memori Dynamic Random Acess Memory (DRAM) dengan kapasitas penyimpanan melebihi 1 Gbit seperti yang ditunjukkan pada Gambar 2. Sifat piezoelektrik dapat digunakan sebagai mikroaktuator dan sensor, sifat polaryzability dapat digunakan sebagai Non Volatile Ferroelectric Random Acsess Memory pada switch termal infra merah (Syafutra 2008). Film tipis ferroelektrik merupakan material elektronik yang memiliki sebuah polarisasi listrik dengan adanya medan listrik eksternal, polarisasi ini dapat dihilangkan dengan memberikan medan eksternal yang arahnya berlawanan. Sifat listrik yang ditunjukkan material ini berkaitan dengan sifat listrik mikroskopiknya. Muatan positif dan negatif pada material ini tidak selalu terdistribusi secara simetris. Jika jumlah muatan dikali jarak untuk semua elemen dari sel satuan tidak nol maka sel akan memiliki momen dipol listrik. Momen dipol persatuan volume disebut sebagai polarisasi dielektrik (Syafutra 2008). Contoh bahan ferroelektrik adalah LiTaO3, BaxSr1-xTiO3, dan turunannya. Kurva hubungan antara polarisasi listrik (P) dan kuat medan listrik (E) ditunjukkan pada Gambar 3, ketika kuat medan listrik ditingkatkan maka polarisasi meningkat cepat (OA) hingga material akan mengalami kondisi saturasi (AB). Jika kuat medan diturunkan, polarisasinya tidak kembali lagi ke titik O, melainkan mengikuti garis BC. Ketika medan listrik tereduksi menjadi nol, material akan memiliki polarisasi remanan (Pr) (OC). Untuk menghapus nilai (NVRAM), sifat pyroelektrik dapat diterapkan pada sensor inframerah dan sifat elektrooptik dapat diaplikasikan

Gambar 3. Kurva histerisis

polarisasi dari material dapat dilakukan dengan menggunakan sejumlah medan listrik pada arah yang berlawanan (negatif). Harga dari medan listrik untuk mereduksi nilai polarisasi menjadi nol disebut medan koersif (Ec). Jika medan listrik kemudian dinaikkan kembali, material akan kembali mengalami saturasi, hanya saja bernilai negatif (EF). Putaran kurva akan lengkap jika ,medan listrik dinaikkan lagi dan pada akhirnya akan didapatkan kurva hubungan polarisasi (P) dengan medan koersif (Ec) yang ditunjukkan loop histerisis (Marwan 2007). Bahan Barium Stronsium Titanat (BST) Barium stronsium titanat (BST) adalah film tipis yang berpotensi untuk DRAM dan NVRAM karena memiliki konstanta dielektrik tinggi, kebocoran arus rendah dan tahan terhadap tegangan breakdown yang tinggi pada temperatur Curie. Temperatur Curie pada barium titanat adalah 130oC dan dengan adanya doping stronsium temperatur Curie menurun menjadi suhu kamar dan dapat digunakan pada devais yang memerlukan temperatur kamar. Film tipis BST telah difabrikasi dengan beberapa teknik seperti sputtering, laser ablation, dan sol-gel process. Kenaikan temperatur annealing akan menaikkan ukuran grain dalam kristal film tipis BST. Pada suhu annealing 700oC struktur BST yang teramati adalah struktur kubik dengan konstanta kisi a= 3,97 untuk 30% mol stronsium. Konstanta dielektriknya diukur dari kurva C-V kira-kira 120 dengan faktor disipasi 0,0236. Kebocoran rapat arus dari film adalah 4x10-8A/cm dari perhitungan I-V menggunakan divais peralatan fabrikasi (Giridharan et al. 2001). Kapasitor BST memiliki keuntungan yaitu punya range 0,5 pF sampai 500 nF. Gambar 4 adalah contoh chip kapasitor BST. Berikut Persamaan reaksi barium stronsium titanat (BST).

Gambar 4. Chip kapasitor BST

0,5Ba(CH3COO)2 + 0,5Sr(CH3COO)2 + Ti(C12H28O4) + 22O2 Ba0,5Sr0,5TiO3 + 17H2O + 16CO2 Film tipis BaxSr1-xTiO3 (BST) merupakan material ferroelektrik yang banyak digunakan sebagai FRAM karena memiliki konstanta dielektrik tinggi (r >> SiO2) dan kapasitas penyimpanan muatan yang tinggi (high charge storage capacity) sehingga dapat diaplikasikan sebagai kapasitor (Syafutra 2008). Beberapa penelitian juga berpendapat kalau BST memiliki potensi untuk mengganti lapisan tipis SiO2 pada sirkuit MOS di masa depan. Dari penelitian yang telah dilakukan sampai saat ini, lapisan tipis BST biasanya memiliki konstanta dielektrik yang jauh lebih rendah dibandingkan dengan bentuk bulknya. Struktur mikro butir yang baik, tingkat tekanan yang tinggi, kekosongan oksigen, formasi lapisan interfacial, dan oksidasi pada bottom electrode atau Si dipercaya menjadi faktor yang menyebabkan penurunan sifat listrik ini. Film tipis BST dapat dibuat dengan berbagai teknik di antaranya CSD, sputtering, laser ablasi, MOCVD dan proses sol gel. Bahan Pendadah Tantalum Pentaoksida (Ta2O5) Pendadah memiliki fungsi untuk merubah parameter kisi, konstanta dielektrik, sifat elektrokimia, sifat elektrooptik dan sifat pyroelektrik dari film tipis. Bahan pendadah material ferroelektrik terbagi menjadi dua jenis yaitu soft dopant dan hard dopant. Ion soft dopant dapat menghasilkan material ferroelektrik memiliki koefisien elastisitas yang lebih tinggi, sifat medan koersif yang lebih rendah, faktor kualitas mekanik dan listrik yang lebih rendah. Soft dopant disebut juga donor dopant karena menyumbang valensi yang berlebih pada struktur Kristal BST. Sedangkan ion hard dopant dapat menghasilkan material ferroelektrik menjadi lebih hardness, sifat medan koersif yang lebih

tinggi, faktor kualitas mekanik dan listrik yang lebih tinggi. Hard dopant disebut juga acceptor dopant karena menerima struktur berlebih dalam struktur Kristal BST(Utami 2007). Tantalum merupakan logam yang memiliki kemiripan sifat-sifat kimia dengan unsur non logam, tantalum lebih banyak ditemui dalam bentuk anion dibandingkan kation. Beberapa persenyawaan yang penting dari tantalum adalah halida dan oksida halida yang bersifat volatil dan mudah terhidrolisis. Beberapa sifat dari tantalum adalah logam mengkilat, titik lelehnya tinggi 2468oC, tahan terhadap asam, dapat larut dalam campuran HNO3-HF, bereaksi lambat dengan leburan NaOH. Ta2O5 merupakan persenyawaan dengan oksigen yang berbentuk serbuk putih dan bersifat inert, tidak larut dengan semua asam kecuali dengan HF pekat serta dapat larut dalam leburan NaOH dan NaHSO4. Persenyawaan halida tantalum adalah pentafluorida, dibuat dari reaksi fluorinasi dari logamnya, merupakan padatan putih volatil, dalam keadaan cair tidak berwarna dan volatil. Persenyawaan halida tantalum yang lain adalah pentaklorida dibuat melalui reaksi klorinasi dari logamnya, merupakan padatan kuning, terhidrolisis menjadi hidrat oksida (Darjito 2002). Penambahan sedikit pendadah dapat menjadikan perubahan parameter kisi, konstanta dielektrik, sifat elektro-kimia, sifat elektro-optik dan sifat pyroelektrik dari keramik pada film tipis. Penambahan tantalum pentaoksida akan mendapatkan bahan pyroelektrik bersifat menyerupai semikonduktor tipe-n (Darjito 2002). Gambar 5 menunjukkan atom tantalum menggantikan atom titanium pada struktur BST (Darjito 2002). Berat molekul tantalum pentaoksida lebih besar dibandingkan BST (barium stronsium titanat) besarnya berat bahan pendadah memungkinkan ketika proses annealing dilakukan pada temperatur tinggi bahan pendadah tidak mengalami penguapan. Pada annealing dengan temperatur tinggi dapat mengakibatkan film tipis BST yang telah dideposisi menguap sehingga mengurangi kualitas kristal film tipis BST. Dengan adanya penambahan tantalum pentaoksida 2,5%, 5%, 7,5% dan 10 %, bahan pendadah yang tidak mengalami penguapan, maka lapisan film tipis BSTT (semikonduktor tipe-p) akan lebih banyak terisi tantalum, sehingga akan meningkatkan sifat listriknya.

Gambar 5. Struktur Ba0.5Sr0.5TiO3 didadah Tantalum Pentaoksida

Fotodetektor Fotodetektor terdiri dari beberapa jenis diantaranya devais tabung vakum, fotodioda semikonduktor, devais fotokonduktif semikonduktor dan termokopel. Aplikasi Film tipis BST sebagai fotodetektor dapat berupa devais fotodioda dan fotokonduktiv. Dioda adalah sambungan p-n yang berfungsi terutama sebagai penyearah. Bahan tipe-p akan menjadi sisi katoda sedangkan bahan tipe-n akan menjadi anoda. Bergantung pada polaritas tegangan yang diberikan kepadanya, diode bisa berlaku sebagai sebuah saklar tertutup (apabila bagian anode mendapatkan tegangan positif sedangkan katodenya mendapatkan tegangan negatif) dan berlaku sebagai saklar terbuka (apabila bagian anode mendapatkan tegangan negative sedangkan katode mendapatkan tegangan positif). Kondisi tersebut terjadi hanya pada diode ideal. Pada diode faktual (riil), perlu tegangan lebih besar dari 0,7V (untuk diode yang terbuat dari bahan silikon). Tegangan sebesar 0,7V ini disebut sebagai tegangan halang (barrier voltage). Diode yang terbuat dari bahan Germanium memiliki tegangan halang kira-kira 0,3V(Syafutra 2007) Fotodioda adalah semikonduktor sensor cahaya yang menghasilkan arus atau tegangan ketika sambungan semikonduktor p-n dikenakan cahaya. Fotodioda biasanya mengacu pada sensor untuk mendeteksi intensitas cahaya. Cahaya yang dapat dideteksi oleh diode foto ini mulai dari cahaya infra merah, cahaya tampak, ultra ungu sampai dengan sinar-X. Pada Gambar 6 memperlihatkan penampang bagian dari fotodioda. Fotodioda memiliki daerah permukaan aktif yang ditumbuhkan di atas permukaan substrat, yang pada akhirnya akan menghasilkan persambungan p-n. Ketebalan lapisan yang ditumbuhkan biasanya memiliki

ketebalan 1m atau lebih kecil lagi dan pada daerah persambungan lapisan-p dan lapisan-n terdapat daerah deplesi. Daerah spektral dan frekuensi aktif dari fotodioda bergantung pada ketebalan lapisan atau doping(Syafutra 2008). Jika cahaya mengenai fotodioda, elektron dalam struktur kristalnya akan terstimulus. Jika energi cahaya lebih besar dari pada energy bandgap (Eg), elektron akan pindah ke pita konduksi, dan meninggalkan hole pada pita valensi. Pada Gambar 6 terlihat pasangan elektron-hole terjadi pada lapisan-p dan lapisann. Di dalam lapisan deplesi medan listrik mempercepat elektron-elektron ini menuju lapisan-n dan hole menuju lapisan-p. Pasangan elektron-hole dihasilkan di dalam lapisan-n, bersamaan dengan elektron yang datang dari lapisan-p samasama akan menuju pita konduksi di sebelah kiri. Pada saat itu juga hole didifusikan melewati lapisan deplesi dan akan dipercepat, kemudian hole ini akan dikumpulkan pada pita valensi lapisan-p. Pasangan elektron-hole yang dihasilkan sebanding dengan cahaya yang diterima oleh lapisan-p dan lapisan-n. Muatan positip dihasilkan pada lapisan-p dan muatan negatif pada lapisan-n. Jika lapisanp dan lapisan-n dihubungkan dengan rangkaian luar, elektron akan mengalir dari lapisan-n dan hole akan mengalir dari lapisan-p seperti pada Gambar 7 .

Gambar 6. Penampang melintang Fotodioda.

Gambar 7. Keadaan fotodioda persambungan p-n.

10

Konduktivitas listrik adalah kemampuan suatu bahan untuk menghantarkan arus listrik. Fotokonduktivitas adalah konduktivitas listrik yang dihasilkan dari eksitasi elektron dari pita valensi menuju pita konduksi ketika menyerap energi foton yang lebih besar dari energi pita terlarang. Elektron yang tereksitasi ke pita konduksi ini akan meningkatkan pembawa muatan sehingga akan meningkatkan konduktivitas listrik.. Devices fotokonduktivitas dibuat dengan tujuan menghasilkan perubahan resistansi atau tegangan ketika disinari cahaya. Dengan demikian devices banyak digunakan sebagai ON-OFF devices, measuring devices, atau limited power sources (Omar 1993). Fenomena fotokonduktivitas terjadi ketika cahaya jatuh pada sebuah semikonduktor dan menyebabkan meningkatnya konduktivitas listrik. Ini berhubungan dengan eksitasi elektron melalui energi bandgap, yang menyebabkan peningkatan pasangan elektron-hole dan meningkatkan konduktivitas listrik. Eksitasi hanya dapat terjadi jika h > Eg [10]. Konsep fotokonduktivitas diilustrasikan pada Gambar 8. Sebelum ada cahaya yang menyinari, konduktivitasnya diberikan oleh Persamaan 1.
= LRA o=e(noo+ poh)

(1) adalah

di mana no dan po adalah konsentrasi pada kesetimbangan, dan o

konduktivitas dalam ruang gelap. Ketika cahaya jatuh pada semikondutor akan ada peningkatan konsentrasi pembawa bebas sebesar n dan p dan arus meningkat dengan tiba-tiba. Jika elektron dan hole selalu tercipta secara berpasangan maka akan didapatkan n = p. Konduktivitas sekarang menjadi

Gambar 8. Konsep fotokonduktivitas

o= o+ ene+h o= o+ enh(1+b)

(2)

11

di mana b = o/ h , adalah perbandingan mobilitas. Peningkatan relatif konduktivitas adalah

o= enh(1+b)o

(3)

Faktor yang mempengaruhi variasi n terhadap waktu yaitu; carrier (pembawa) bebas yang terus tercipta secara continu saat disinari cahaya dan hilangnya carrier secara kontinyu juga akibat rekomedasi. Adanya rekomedasi menyebabkan terjadinya kondisi tidak seimbang. Variasi konsentrasi terhadap waktu diberikan oleh persamaan;
dn dt=g-n-no'

(4)

di mana g adalah laju generasi elektron persatuan volume terhadap penyerapan cahaya. disebut waktu rekomendasi. Pada keadaan steady state dn/dt = 0. Dengan kata lain n = n no diberikan oleh persamaan 5. n =g (5) Laju generasi bisa dihubungkan dengan koefisien serapan dan intensitas cahaya yang menyinari. Jika d adalah ketebalan lapisan semikonduktor maka, d adalah fraksi daya serap lapisan semikonduktor. Jika N() adalah jumlah foton yang jatuh pada medium persatuan waktu. Maka jumlah foton yang diserap persatuan waktu adalah dN(), sehingga persamaan laju generasi persatuan volume sesuai persamaan :
g=dN()V

(6) dan V adalah volume

Dengan

adalah

koefisien

absorbansi

semikonduktor. Jumlah foton yang datang N()pada permukaan semikonduktor merupakan fungsi dari intensitas sesuai dengan persamaan :
N= IA

(7)

di mana A adalah luas lapisan semikonduktor. I(v)A adalah daya penyinaran dan h adalah energi foton. Dari persamaan 5 dan 7 didapatkan hubungan antara besarnya pertambahan konsentrasi pembawa yang merupakan fungsi dari koefisien absorbansi, besar intensitas penyinaran, luas penampang semikonduktor, waktu rekomendasi, dan besar frekuensi foton yang datang, seperti pada persaman;
n= IA

(8)

12

Kapasitansi dan Dielektrik Bahan Kapasitansi adalah kemampuan penyimpanan muatan untuk suatu perbedaan potensial tertentu. Satuan dari kapsitansi adalah coulomb per volt, yang disebut farad (F). Besarnya kapasitansi kapasitor tidak bergantung dari V dan Q, tetapi bergantung pada bentuk geometri dan dielektrik bahan kapasitor. Seperti pada Persamaan 9 :
C=o Ad

(9)

Dengan C kapasitansi kapasitor, konstanta dielektrik bahan, o permitivitas ruang hampa (8,85 x 10-12 C2 m-2 N-1), d jarak antara dua plat (m), A luas penampang plat (m2). Suatu material isolator, seperti kaca, kertas atau kayu disebut dielektrik. Ketika ruang di antara dua konduktor pada suatu kapasitor diisi dielektrik, kapasitansi naik sebanding dengan faktor k yang merupakan karaktristik dielektrik dan disebut konstanta dielektrik. Kenaikan kapasitansi ini disebabkan oleh melemahnya medan listrik di antara keping kapasitor akibat adanya bahan dielektrik. Dengan demikian, untuk jumlah muatan tertentu pada keping kapasitor, perbedaan potensial menjadi lebih kecil dan rasio Q/V bertambah besar (Tippler 1991). Ketika suatu dielektrik diletakkan antara keping-keping kapasitor, medan listrik dari kapasitor mempolarisasikan molekul-molekul dielektrik. Hasilnya adalah terdapat suatu muatan terikat pada permukaan dielektrik yang menghasilkan medan listrik yang berlawanan dengan medan listrik luar. Dengan demikian, medan listrik antara keping-keping kapasitor akan menjadi lemah (Tippler 1991). Proses pengisian kapasitor pada Gambar 9 dapat dijelaskan sebagai berikut. Pada saat saklar ditutup pada saat t = 0. Muatan mulai mengalir melalui resistor dan menuju plat positip kapasitor. Jika muatan pada kapasitor pada beberapa saat adalah Q dan arus rangkaian adalah I, aturan simpal Kirchoff memberikan
- VR- VC=0

(10) (11)

atau
-IR-QC=0

Dalam rangkaian ini, arus sama dengan laju di mana muatan pada kapasitor meningkat :
I= + dQdt

(12)

13

Subtitusikan persamaan 12 ke 11 :
=RdQdt+QC

(13)

Pada saat t = 0, muatan pada kapsitor nol dan arusnya I0 = / R . Muatan akan bertambah sedangkan arus berkurang, seperti tampak pada Persamaan 11. Muatan mencapai maksimum Qf = C ketika arus I sama dengan nol. Persamaan 13 diubah menjadi bentuk :
RCdQdt=C- Q

(14)

Time konstan atau konstanta waktu merupakan waktu yang dibutuhkan untuk berkurang menjadi 1/e dari nilai awalnya dan disimbolkan dan dirumuskan sebagai = RC . Pada kapasitor, muatan disimpan dalam material dielektrik yang mudah terpolarisasi dan mempunyai tahanan listrik yang tinggi (sekitar 1011) untuk mencegah aliran muatan diantara plat kapasitor. Gambar memperlihatkan rangkaian RC untuk pengisian muatan dan tegangan yang ada pada kapasitor diperoleh :
Q(t)C= Vt= 1-e-t/RC

(15)

Gambar 9. Rangkaian pengisi muatan pada kapasitor

Sifat Optik Pengukuran sifat optik merupakan hal yang sangat penting dalam penentuan energi bandgap material semikonduktor. Transisi elektronik yang terjadi akibat foton bergantung pada energi bandgap (Bishop, 2009). Besarnya energi bandgap ini berpengaruh pada proses absorpsi dan transmisi foton. Ketika material semikonduktor disinari maka foton diserap dan menimbulkan pasangan elektronhole seperti yang terlihat pada Gambar 10. Jika energi foton sama dengan energi bandgap maka terjadi proses (a), jika energi foton lebih besar dari pada energi

14

bandgap maka terjadi proses (b) di mana pada peristiwa ini terdapat tambahan energi panas sebesar (hv =Eg), jika material semikonduktor terdapat ketidakmurnian maka akan terdapat pita donor dan dapat terjadi transisi seperti pada proses (c). Pada proses (a) dan (b) dinamakan transisi intrinsik (transisi band to band) (Sze et al., 2007). Absorbansi merupakan kebalikan dari transmitansi, yaitu fraksi radiasi datang yang diserap oleh medium, dinyatakan oleh:
A=log1T=logII0= -lnT

(16)

Koefisien absorpsi adalah fraksi radiasi yang diserap dalam satuan jarak yang dilalui dan merupakan karakteristik medium tertentu dan panjang gelombang tertentu. Absorpsi foton bergantung pada sifat bahan semikonduktor dan panjang gelombang cahaya yang datang. Arus yang dihasilkan oleh sebuah sel surya bergantung pada panjang gelombang cahaya yang datang. Hal ini merupakan karakteristik dari bahan semikonduktor dan dinyatakan pada persamaan:
A= t

(17)

Gambar 10. Absorpsi Optik Absorpsi A merupakan karakteristik bahan. Berdasarkan Persamaan 2.16 dan Persamaan 2.17, hubungan transmitansi dan koefisien absorpsi sebagai panjang gelombang dapat dinyatakan sebagai berikut :
= 1dlnT(%)100

(18)

Absorpsi material semikonduktor menyebabkan terjadinya eksitasi elektron dari pita valensi ke pita konduksi. Transisi pada material semikonduktor dapat dituliskan dengan persamaan :
h=C h-Egn

(19)

dengan : = koefisien absorpsi, C = konstanta, h = energi foton, Eg = energi gap, n = untuk transisi langsung, n = 2 untuk transisi tidak langsung.

15

Selain itu, pengukuran sifat optik sangat penting untuk penentuan indeks bias film tipis. Sumber cahaya yang melewati film tipis, sebagian akan ditransmisikan dan sebagian lagi akan direfleksikan oleh film tipis tersebut. Pengukuran transmisi dan refleksi dapat digunakan untuk memperoleh data band edge, koefisien serapan optik, energi gap, indeks bias dan sebagainya. Hubungan antara reflektivitas dan indeks bias film tipis sesuai dengan persamaan 20. (Nussbaum et al. 1976)
R= nf-12nf+12 R=nf-1nf+1 nfR+R=nf-1 1+ R=nf-nfR nf= 1+ R1- R

(20)

Difraksi Sinar-X Zat padat dibedakan menjadi 2 kategori yaitu kristal dan amorf. Kristal dibentuk oleh ion-ion, atom-atom dan molekul-molekul yang kemudian tersusun menjadi pola tiga dimensional yang teratur dan terulang. Jenis kristal mempunyai keteraturan dengan jangkauan yang panjang dalam susunan partikel pembangunnya. Sedangkan amorf strukturnya memiliki keteraturan dengan jangkauan yang pendek. Salah satu cara yang digunakan untuk mengetahui keteraturan atom atau molekul adalah dengan menggunakan difraksi sinar-x. Sinar-x merupakan gelombang elektromagnetik dengan panjang gelombang yang pendek. Akibat adanya radiasi elektromagnet yang diarahkan pada kristal akan memberikan efek interferensi. Interferensi pada kondisi tertentu yaitu jika arah bidang kristal terhadap berkas sinar-x () memenuhi persamaan Bragg, akan mengalami penguatan. Prinsip ini digunakan untuk mengetahui struktur dari kristal. Sinar-X merupakan radiasi elektromagnet energi tinggi. mempunyai panjang gelombang antara 0.01 nm sampai 1.15 pm. Sinar-X Panjang

gelombang tersebut berada pada range jarak antar atom dalam sistem kristal. Oleh karena itu sinar-X dapat digunakan untuk memahami struktur dari bahan (Beiser,1987). Berdasarkan hukum braggs difraksi sinar-X terjadi pada dengan ketentuan:
2d sin=n

(21)

16

dengan d = jarak antar atom, = Panjang gelombang sinar- X, = Sudut difraksi. Hasil difraksi maksimum dan minimum dari sinar-X selanjutnya ditangkap oleh detektor dalam bentuk cps ( counter per second ). Puncak puncak terdeteksi untuk sudut tertentu berkaitan dengan indek Miler (hkl). Jarak bidang dan hkl pada kristal kubik dirumuskan:
1d2= h2+k2+l2a2

(22) Prinsip kerja penentuan karakteristik bahan khususnya struktur kristal menggunakan sinar-X diperlihatkan pada gambar 11.

Gambar 11. Prinsip dasar analisis struktur kristal menggunakan difraksi sinar-X Morfologi Lapisan Tipis

Scanning Electron Microscope (SEM) adalah salah satu tipe mikroskop elektron yang mampu menghasilkan resolusi tinggi dari gambaran suatu permukaan sampel. Oleh karena itu gambar yang dihasilkan oleh SEM mempunyai karakteristik secara kualitatif dalam 3 dimensi karena menggunakan elektron sebagai pengganti gelombang cahaya serta berguna untuk menentukan struktur permukaan sampel. Diagram skema SEM dapat dilihat pada gambar 12 Mikroskop elektron ini memfokuskan sinar elektron (electron beam) di permukaan obyek dan mengambil gambar dengan mendeteksi elektron yang muncul pada permukaan obyek. Perbedaan tipe yang berbeda dari SEM memungkinkan penggunaan yang berbeda-beda antara lain untuk studi morfologi, analisis komposisi dengan kecepatan tinggi, kekasaran permukaan, porositas, distribusi ukuran partikel, homogenitas material atau untuk studi lingkungan tentang masalah sensitifitas material.

17

Teknik SEM dapat digabungkan dengan teknik EDX (Energy Dispersive Xray Spectrometry). Teknik EDX digunakan untuk mengetahui berbagai kandungan unsur kimia dalam sampel dengan cara menangkap dan mengolah sinyal fluoresensi sinar-X yang dipancarkan untuk suatu volume kecil di permukaan sampel.

Gambar 12. Skema Scanning Electron Microscopy

METODOLOGI PENELITIAN
Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Material Departemen Fisika IPB dari Bulan November 2010 sampai dengan bulan Mei 2011. Bahan dan Alat Alat yang digunakan pada penelitian ini adalah neraca analitik, reaktor spin coating, mortal, pipet, gelas ukur iwaki 10ml, pinset, gunting, spatula, stop watch, tabung reaksi, sarung tangan karet, cawan petritis, tissue, isolasi, dan blower PT310AC, spektrofotometer, x ray difractometer. Bahan yang digunakan dalam penelitian ini adalah bubuk Barium Asetat [Ba(CH3COO)2, 99%], Stronsium Asetat [Sr(CH3COO)2, 99%], Titanium

18

Isopropoksida [Ti(C12O4H28), 99.999%], Tantalum Pentaoksida [(Ta2O5)], pelarut 2- metoksietanol [H3COCH2CH2OH, 99%], substrat Si (100) tipe-p. Prosedur Penelitian Metode Chemical Solution Deposition (CSD) Metode Chemical Solution Deposition (CSD) merupakan cara pembuatan film dengan pendeposisian larutan kimia diatas substrat dan dipreparasi dengan spin coating pada kecepatan tertentu. Proses spin coating banyak digunakan untuk pembuatan film tipis. Prosesnya yaitu dengan mendeposisikan larutan di tengah substrat dan kemudian substrat diputar dengan kecepatan tinggi (biasanya 3000 rpm). Percepatan sentripetal akan menyebabkan larutan menyebar pada permukaan substrat dan terbentuklah film tipis. Ketebalan film tipis dan sifat lainnya bergantung pada sifat alami larutan ( viskositas, laju pengeringan, persentase padatan, tegangan permukaan) dan parameter yang dipilih pada proses spin coating. Faktor seperti berkontribusi terhadap sifat lapisan film. Proses spin coating terdiri dari menyiapkan larutan, pendeposisian di permukaan substrat, pemutaran spin coating, penghilangan pelarut. Secara khusus kecepatan spin akan berpengaruh pada ketebalan film. Rentang ketebalan yang dihasilkan oleh alat spin coating

Gambar 13. Hubungan ketebalan film tipis terhadap (a) kecepatan spin coating (b) lama spin coating (c) Exhause volume. (d) exhause volume terhadap keseragaman ketebalan film tipis.

19

adalah 1 m -200 m. Untuk film yang lebih tebal dibutuhkan material berviskositas tinggi, kecepatan putar rendah, dan waktu putar yang lebih pendek. Perubahan variasi spin 50 rpm akan menyebabkan ketebalan berubah kira-kira 10%. Ketebalan film sebagian besar sebanding dengan gaya yang diberikan untuk meratakan larutan pada substrat dan laju pengeringan yang mempengaruhi viskositas larutan. Gambar 13 adalah grafik yang menggambarkan trend untuk variasi parameter proses. Ketebalan film tipis akan berbanding terbalik dengan kecepatan dan waktu spin. Ketebalan film akan sebanding dengan volume gas buang hasil putaran dan berbanding terbalik dengan keseragaman ketebalan film tipis. Dalam prakteknya, alat spin coating memiliki beberapa kelebihan yaitu tebal lapisan dapat diatur, biaya relatif murah, mudah dalam pembuatan, menggunakan material dan peralatan sederhana [3]. Pembuatan Film Tipis Persiapan Substrat Si Tipe-p Substrat yang digunakan adalah substrat Si (100) tipe-p. Substrat dipotong membentuk segi empat dengan ukuran 1 cm x 1 cm dengan menggunakan mata intan. Substrat yang telah dipotong kemudian dicuci. Substrat ini direndam dalam aseton Pro Analysis selama 10 menit lalu diangkat dan disonikasi selama 10 menit. Substrat ini kemudian direndam dalam deionezed water. Selanjutnya, substrat dimasukkan kedalam larutan Metanol Pro Analysis selama 10 menit kemudian diangkat dan digetarkan dengan ultrasonic selama 10 menit. Substrat ini direndam lagi dengan deionezed water. kemudian diangkat dan dicelupkan dalam campuran larutan HF dan dye water (perbandingan 1:5) sambil digetarkan selama 1 menit. Substrat ini diangkat, kemudian direndam kembali dan digetarkan dalam dye water selama 10 menit. Pembuatan Larutan BST dan BSTT Film tipis BaSrTiO3 yang ditumbuhkan di atas substrat Si tipe-p menggunakan metode CSD dibuat dengan cara barium asetat [Ba(CH3COO)2, 99%] + stronsium asetat [Sr(CH3COO)2, 99%] + titanium isopropoksida [Ti(C12O4H28), 99.99%] + bahan pendadah sebagai precursor dan 2-

20

metoksietanol [H3COOCH2CH2OH, 99.9%] sebagai bahan pelarut. Dalam penelitian ini digunakan fraksi molar untuk Ba sebesar 0,5 dan fraksi molar untuk Sr sebesar 0,5. Untuk pembuatan larutan BSTT, metode CSD yang digunakan sama seperti pada pembuatan larutan BST. Hanya saja pada BSTT ditambahkan bubuk tantalum pentaoksida (Ta2O5) sebanyak 0%, 2.5%, 5%, 7.5% dan 10 % dari BST yang terbentuk. Masing-masing variasi doping dilakukan ulangan sebanyak lima kali. Sehingga jumlah seluruh sampel adalah 25 buah. Untuk mendapatkan komposisi yang sesuai dengan yang diharapkan, bahan-bahan tersebut ditimbang dengan menggunakan neraca analitik sebelum dilakukan pencampuran. Setelah bahan-bahan dicampur, larutan dikocok selama 1 jam dengan menggunakan Bransonic 2510 agar larutan yang terbentuk homogen. Proses Penumbuhan Film Tipis Proses penumbuhan film tipis dilakukan dengan menggunakan reaktor spin coating. Substrat silikon type-p yang telah dicuci siap dilakukan penumbuhan film tipis dengan menggunakan reaktor spin coating. Piringan reaktor spin coating ditempel dengan double tipe ditengahnya, kemudian substrat diletakkan di atasnya. Hal ini dilakukan agar substrat tidak terlepas saat piringan reaktor spin coating berputar. Substrat yang telah ditempatkan di atas piringan spin coating ditetesi larutan BST atau BSTT sebanyak 1 tetes. Kemudian reaktor spin coating diputaran dengan kecepatan 3000 rpm selama 30 detik. Proses penetesan dilakukan sebanyak 3 kali. Setelah penetesan, substrat diambil dengan menggunakan pinset dan kemudian dipanaskan di atas hot plate selama 1 jam untuk menguapkan sisa pelarut yang masih ada. Proses selanjutnya adalah annealing yang bertujuan mendifusikan larutan BST dan atau BSTT dengan substrat serta pembentukan struktur kristal. Proses spin coating dapat dilihat pada Gambar 14. Proses Annealing Proses selanjutnya adalah proses annealing. Proses ini bertujuan untuk mendifusikan larutan BST dan BTST pada substrat. Proses annealing pada suhu yang berbeda akan menghasilkan karakterisasi film tipis yang berbeda dalam hal struktur Kristal, ketebalan dan ukuran butir. Substrat type-p yang telah ditumbuhi

21

lapisan tipis BST dan atau BSTT (0%, 2.5%, 5%, 7.5%, 10%) kemudian dilakukan proses annealing (pemanasan) pada suhu 850C untuk substrat silikon tipe-p. Masing-masing dilakukan selama 15 jam penahanan. Proses annealing dilakukan secara bertahap, dimulai dari suhu ruang kemudian dinaikkan hingga suhu annealing yang diinginkan dengan kenaikan suhu pemanasan 1,7 C/menit. Setelah mencapai suhu annealing yang diinginkan selama 8.5 jam, suhu ini ditahan konstan selama 15 jam. Selanjutnya dilakukan furnace cooling sampai didapatkan kembali suhu ruang. Penelitian ini menggunakan furnace model Vulcan 3-310. Proses annealing dapat dilihat pada Gambar 15. Pembuatan Kontak Pada Film Tipis Setelah dilakukan proses annealing, proses selanjutnya adalah pembuatan kontak. Proses ini meliputi proses pembuatan pola film tipis dengan ukuran 1 mm x 1 mm menggunakan aluminium foil serta metalisasi yang dilakukan di fisika material Institut teknologi Bandung (ITB). Bahan kontak yang dipilih adalah aluminium 99,999%. Setelah kontak terbentuk, proses selanjutnya adalah pemasangan hider, agar proses karakterisasi film tipis dapat dilakukan dengan mudah. Kemudian dilakukan penyolderan kawat tembaga dengan memakai bahan pasta perak pada kontak. Gambar dari film tipis yang telah diberi kontak dan hider ditunjukkan oleh Gambar 16.

Gambar 14. Proses spin coating

22

Gambar 15. Proses annealing

Konektor Isolator/plastik Kawat Kontak BST/BSTT tipe-n Si tipe-p Konektor

Gambar 16. Prototipe BST/Si tampak atas

Karakterisasi Film Tipis Karakterisasi Kurva Arus-Tegangan (I-V) Karakterisasi kurva I-V akan dilakukan Lab. Fisika Material IPB menggunakan I-V Meter. Karakterisasi arus-tegangan dilakukan untuk melihat sifat dominan dari film tipis BST. Sifat yang mungkin diperoleh adalah diode, fotodiode, resistor atau fotoresistor. Pengukuran arus tegangan film tipis menggunakan Keithleys SourceMeter family Model 2400 pada dua kondisi yaitu pada kondisi gelap dan kondisi terang yang disinari lampu 3000 Lux untuk semua kombinasi kontak pada film yang sama. Tegangan pencatu yang diberikan pada film tipis adalah -20 V sampai + 20 V dengan kenaikan 0,2 V.

23

Selain itu, karakterisasi arus tegangan dilakukan dengan bantuan filter warna. Filter warna yang digunakan adalah filter merah, biru, hijau dan kuning. Hal ini dilakukan untuk melihat senstivitas BST jika nanti diaplikasikan sebagai sensor warna. Hasil pengukuran berupa kurva hubungan antara arus dan tegangan. Dari data tersebut dibuat hubungan antara tegangan dan arus menggunakan Microsoft Excell. Karakterisasi Sifat Optik Film Tipis Karakterisasi sifat optik film tipis bertujuan untuk melihat spektrum absorbansi dan reflektansi film tipis sehingga dapat ditentukan sumber cahaya yang akan digunakan saat film tipis BST dijadikan sensor. Karakterisasi ini dilakukan di Laboratorium Biofisika IPB. Karakterisasi ini menggunakan Spektrofotometer VIS-NIR Ocean Optics USB 1000. Spektrofotometer ini menggunakan serat optik dan sumber cahaya yang digunakan mempunyai rentang dari 339 nm-1022 nm dengan metode refleksi. Kurva yang diperoleh berupa kurva absorbansi terhadap panjang gelombang dan kurva reflektansi terhadap panjang gelombang. Dari kurva tersebut dapat dianalisis sifat optik dari film tipis.

Karakterisasi Sifat Dielektrik Karakterisasi konstanta dielektrik film tipis bertujuan untuk mengetahui nilai konstanta dielektrik film tipis sebagai aplikasi film tipis dalam pembuatan kapasitor. Rangkaian yang digunakan adalah rangkaian RC seperti pada gambar 17. Dari rangkaian pengukuran ini akan diperoleh waktu pengosongan dan waktu pengisian.Waktu pengisian terjadi ketika t = RC
5 k

Gambar 17. Rangkaian RC untuk mengukur kapasitansi film tipis

24

sehingga diperoleh nilai kapasitansi. Setelah diperoleh nilai kapasitansi, nilai konstanta dielektrik dapat diperoleh dari persamaan 9. Karakterisasi Konduktivitas Listrik Film Tipis Konduktivitas film tipis diukur dengan menggunakan LCR meter. Dari hasil pengukuran ini akan diperoleh nilai konduktansi (G). Setelah itu dapat diperoleh nilai resistansi dari persamaan R = 1/G. Sedangkan nilai konduktivitas dapat dicari dari persamaan 1. Konduktivitas listrik film tipis diukur dalam berbagai variasi yaitu pada kondisi gelap (0Lux), sedangkan kondisi terang dengan intensitas cahaya 250 Lux, 500 Lux, 750 Lux, dan 1000 Lux. Data konduktansi ini digunakan untuk menghitung nilai konduktivitas listrik film tipis menggunakan persamaan 1. Data yg diperoleh akan dibandingkan dengan literatur mengenai nilai konduktivitas bahan konduktor, semikonduktor atau isolator.

Karakterisasi Difraksi Sinar-X (XRD) Karakterisasi difraksi sinar-X dilakukan untuk mengetahui parameter kisi, struktur kristal dan derajat kekristalan dalam suatu sampel atau bahan Oleh karena itu, dilakukan karakterisasi difraksi sinar-X lapisan tipis BST dan BSTT menggunakan X Ray Diffractometer ( Shimadzu XRD-7000). pelaksanaan uji struktur kristal dengan XRD adalah sebagai berikut: 1. Sampel diletakkan pada sampel holder dari difraktometer sinar-X.
2. Proses

Tahapan

difraksi

sinar-X

dimulai

dengan

menyalakan

difraktometer.

Difraktometer ini menggunakan sumber Cu dengan tegangan 30 kV, arus 30 mA dan panjang gelombang, = 1,540 . Pada penelitian ini dilakukan pengambilan data pola difraksi dengan cara kontinyu pada daerah sudut hamburan ( 2 ) dari 10o 70o .
3. Diperoleh hasil berupa hubungan antara sudut

difraksi 2 dan intensitas

sinar-X yang dipantulkan. Karakterisasi Scanning Electron Microscope (SEM) Karakterisasi dengan SEM dilakukan untuk studi morfologi, analisis komposisi dengan kecepatan tinggi, kekasaran permukaan, porositas, distribusi

25

ukuran partikel, homogenitas material atau untuk studi lingkungan tentang masalah sensitifitas material. Sampel yang telah dilapisi diamati menggunakan SEM dengan tegangan dan perbesaran tertentu. Perbesaran yang dipakai pada pengukuran ini adalah 30.00040.000 x. Teknik SEM dapat digabungkan dengan teknik EDX (Energy Dispersive X-ray Spectrometry). Teknik EDX digunakan untuk mengetahui berbagai kandungan unsur kimia dalam sampel dengan cara menangkap dan mengolah sinyal fluoresensi sinar-X yang dipancarkan untuk suatu volume kecil di permukaan sampel. Analisis komposisi bahan dapat diperoleh dengan memonitor sinar -X yang dihasilkan dari interaksi elektron dengan spesimen. Ketika berkas elektron mengenai spesimen elektron akan menembus sampai ke suatu kedalaman yang bergantung secara langsung pada energi elektron dan nomor-nomor atom dari atom-atom yang ada di dalam spesimen. Pembentukan gambar pada SEM berasal dari berkas elektron yang direfleksikan oleh permukaan sampel. 2004). Perbedaan panjang gelombang dari sumber pencahayaan ini mengakibatkan perbedaan tingkat resolusi yang dapat dicapai (Pusdiklat BATAN

HASIL DAN PEMBAHASAN

Analisis Arus-Tegangan Film Tipis Karakterisasi arus-tegangan digunakan untuk menentukan sifat film tipis BST. Pengukuran arus dan tegangan film tipis menggunakan alat I-V meter dan dilakukan pada kondisi gelap dan terang. Pengukuran ini dilakukan pada semua variasi kontak yang telah dibuat. Hasil karakterisasi film tipis menghasilkan kurva hubungan arus-tegangan yang mirip karakteristik kurva dioda. Hal ini menunjukkan bahwa film tipis BST murni maupun BST yang didoping oleh tantalum pentaoksida memiliki sifat dioda. Film tipis yang dibuat merupakan persambungan antara dua buah semikonduktor. Silikon yang digunakan merupakan semikonduktor tipep, sedangkan film tipis BST dan BSTT merupakan semikonduktor tipe-n. Persambungan semikonduktor tipe-p dan tipe-n dikenal sebagai p-n junction ( J.A Blackburn, 2001). Dengan adanya p-n junction, maka karakteristik dari film tipis

26

yang dibuat sama dengan karakteristik dari dioda yang merupakan gabungan antara dua elektroda yaitu anoda dan katoda ( P.A Tippler, 1991). Pada Gambar 18 menunjukkan kurva karakterisasi arus-tegangan BST dan BSTT pada kondisi gelap dan terang. Dari kurva yang diperoleh akan terlihat adanya pergeseran antara kurva yang diperoleh pada kondisi yang disinari dan kondisi gelap. Hal ini disebabkan karena adanya tambahan arus pada pita konduksi. Tambahan arus pada pita konduksi disebabkan oleh tereksitasinya elektron dari pita valensi ke pita konduksi . Proses eksitasi ini akan terjadi jika energi foton yang datang lebih besar dari energi bandgap. Jika sebagian elektron pada pita valensi tidak berekombinasi, elektron ini dapat tereksitasi menuju pita konduksi dan menghasilkan arus listrik. Pada kurva terlihat bahwa saat disinari oleh lampu, diperoleh kurva yang lebih cepat mencapai tegangan knee ( nilai tegangan yang menyebabkan arusnya naik) dan memiliki nilai arus yang lebih besar dibandingkan saat kondisi gelap. Pada saat disinari lampu, energi foton yang diterima oleh film tipis akan menyebabkan terjadinya difusi elektron. Hal ini menyebabkan terjadinya penyempitan celah antara pita valensi dan pita konduksi.

(a) (b)

(c)

(d)

(e)
Gambar 18. (a) Kurva I-V Film tipis BST tanpa doping. (b) Kurva I-V Film tipis BST dengan doping Ta2O5 2,5%. (c) Kurva I-V Film tipis BST dengan doping Ta2O5 5%. (d) Kurva I-V Film tipis BST dengan doping Ta2O57,5%. (e) Kurva I-V Film tipis BST dengan doping Ta2O5 10%.

27

Adanya pengaruh doping menyebabkan semakin banyaknya elektron bebas dan hole pada kristal (P.A. Tippler, 1991). Penambahan doping tantalum pentaoksida menyebabkan bertambahnya konsentrasi pembawa muatan mayoritas (elektron dan hole). Hal ini menyebabkan meningkatnya arus elektron pada pita konduksi dan arus hole pada pita valensi. Dengan banyaknya elektron bebas pada film tipis, maka akan menyebabkan terjadinya peningkatan nilai konduktivitas. Penelitian ini terdiri dari lima perlakuan yaitu film tipis BST tanpa doping, film tipis BST yang didadah tantalum pentaoksida sebanyak 2,5%, 5%, 7,5% dan 10% . Kurva tersebut menunjukkan adanya pergeseran saat diberi cahaya. Hal ini menunjukkan bahwa film tipis memiliki respon terhadap cahaya. Pergeseran yang kecil menunjukkan arus foto yang dihasilkan kecil dan sensitivitasnya kurang baik, begitu juga sebaliknya. Berdasarkan hasil karakterisasi I-V, terlihat bahwa film tipis BST dengan doping Tantalum pentaoksida sebanyak 7.5 % memiliki nilai arus paling besar dan sensitivitas paling baik. (a) (b) (c) (d) (e)
Gambar 19. (a) Kurva I-V Film tipis BST tanpa doping. (b) Kurva I-V Film tipis BST dengan doping Ta2O5 2,5%. (c) Kurva I-V Film tipis BST dengan doping Ta2O5 5%. (d) Kurva I-V Film tipis BST dengan doping Ta2O57,5%. (e) Kurva I-V Film tipis BST dengan doping Ta2O5 10%.

Gambar 19 menunjukkan hubungan kurva arus-tegangan dengan variasi filter warna. Karakterisasi ini dilakukan untuk melihat respon film tipis BST terhadap warna-warna cahaya tampak, sehingga diharapkan film tipis ini dapat diaplikasikan sebagai sensor warna. Filter warna yag digunakan pada penelitian ini adalah warna biru, merah, hijau, dan kuning. Filter warna ini akan menyeleksi

28

panjang gelombang sinar polikromatik yang kemudian akan diteruskan menuju film tipis. Panjang gelombang yang berbeda akan memiliki energi foton yang berbeda pula, sehingga akan terjadi perbedaan arus listrik yang dihasilkan apabila film tipis diberi tegangan. Berdasarkan hasil karakterisasi I-V, dapat dilihat adanya pergeseran pada masing-masing kurva I-V. Sehingga dapat disimpulkan bahwa film tipis BST memiliki respon terhadap warna. Analisis Sifat Optik Film Tipis Pengukuran sifat optik film tipis BST dilakukan menggunakan spectrometer USB 2000 serat optik dengan metode refleksi dan program Oceanoptic. Panjang gelombang yang digunakan dalam pengukuran ini adalah panjang gelombang pada rentang panjang gelombang 339 nm sampai 1022 nm. Rentang panjang gelombang tersebut termasuk rentang panjang gelombang visible-near infrared( VIS-NIR). Gambar 20 menunjukkan kurva absorbansi film tipis untuk BST murni, BST yang didadah tantalum pentaoksida sebanyak 2,5%, 5%, dan 10%. Kurva tersebut menunjukkan munculnya spektrum serapan film tipis pada rentang panjang gelombang cahaya tampak hingga infra merah dekat. Hal tersebut menunjukkan bahwa film tipis dapat diaplikasikan sebagai sensor cahaya dan warna karena serapannya pada daerah cahaya tampak. Selain itu, film tipis ini juga dapat diaplikasikan sebagai sensor suhu karena munculnya spektrum serapan pada panjang gelombang inframerah. Dari hasil pengukuran sifat optik film tipis , diperoleh data persen absorbansi dan persen reflektansi. Pada gambar 21 terlihat bahwa apabila persentase pendadah berbeda, maka akan menghasilkan persen absorbansi yang berbeda pula. Semakin besar persentase pendadah, maka semakin besar pula nilai persen absorbansi film tipis. Oleh karena itu terlihat bahwa nilai persentase absorbansi terbesar dimiliki BST yang didadah oleh Ta2O5 sebanyak 10% dan nilai persentase absorbansi terkecil dimiliki oleh BST tanpa pendadah. Sedangkan dari Gambar 21 diperoleh persen reflektansi dengan analisis sebaliknya. BST yang didadah oleh Ta2O5 10% memiliki nilai persen reflektansi terkecil dan BST tanpa pendadah memiliki nilai persen reflektansi terbesar. Hal ini terjadi karena

29

pengaruh persentase doping yang dapat menurunkan energi bandgap masingmasing film tipis. Berdasarkan gambar 20 dan 21, terlihat bahwa dengan peningkatan persentase pendadah Ta2O5 akan mengakibatkan meningkatnya nilai persen absorbansi film tipis dan menurunnya nilai persen reflektansi film tipis. Dari karakterisasi sifat optik yang telah dilakukan, pendadah Ta2O5 10% merupakan persen pendadah paling baik.

Gambar 20. Kurva Absorbansi Film Tipis BST dengan Doping Ta2O5

Gambar 21. Kurva Reflektansi Film Tipis BST dengan Doping Ta2O5

30

(a)

(b)

(c)

31

(d)

(e) (f)
Gambar 22. {ln(R-Rmin)/(Rmax-Rmin)}2 sebagai fungsi h dan Plot Tauc untuk Film Tipis BST: (a) Tanpa Doping. (b) Doping 2,5%. (c) Doping 5%. (d) Doping 7,5%. (e) Doping 10%. (f) Hubungan Energi Gap terhadap Persen doping Ta2O5.

Melalui pengukuran sifat optik film tipis BST, diperoleh data reflektivitas. Melalui data ini, kita dapat mengetahui informasi mengenai indeks bias, koefisien serapan optik, energi gap dan kerapatan elektron pada pita valensi. Gambar 22 menunjukkan data energi gap untuk masing-masing doping Ta2O5 . Berdasarkan gambar tersebut, diperoleh nilai energi gap untuk BST murni sebesar 3,28 eV, BST doping Ta2O5 2,5% sebesar 3,23 eV, BST doping Ta2O5 5% sebesar 3,3 eV,

32

BST doping Ta2O5 7,5% sebesar 3,26 eV, dan BST doping Ta2O5 10% sebesar 3,16 eV. Berdasarkan data tersebut, terlihat bahwa doping Ta2O5 pada BST cenderung akan menurunkan energi gap film tipis. Penurunan energi gap ini disebabkan oleh munculnya level baru diantara level valensi dan level konduksi yang dibentuk oleh doping Tantalum. Tantalum merupakan unsur bervalensi lima, sehingga level baru terbentuk dekat pita konduksi. Level yang dibentuk tantalum ini merupakan level donor. Atom bervalensi lima akan memberikan kelebihan elektron sebagai pembawa muatan negatif. Apabila atom donor ditambahkan pada suatu semikonduktor, tingkat energi yang diperkenankan akan berada sedikit dibawah pita konduksi. Dengan demikian, hampir semua elektron donor akan masuk ke pita konduksi pada suhu kamar (Rudy Setiabudy, 2007). Sehingga jika persen doping tantalum meningkat, maka jumlah atom donor akan meningkat pula. Hal ini akan semakin memperkecil energi gap.

Gambar 23. Kurva hubungan indeks bias terhadap panjang gelombang

Pengukuran indeks bias suatu bahan merupakan parameter yang penting dan sangat mempengaruhi sifat optiknya. Indeks bias ini dapat diperoleh dari data reflektansi film tipis BST. Pada gambar 23 terlihat bahwa indeks bias meningkat hingga panjang gelombang 440 nm kemudian cenderung menurun seiring dengan bertambah besarnya panjang gelombang, dan mulai meningkat lagi membentuk hiperbolik. Berdasarkan data tersebut, diperoleh indeks bias film tipis sebesar 1,46 (indeks bias minimum) dan 2,65 (indeks bias maksimum) untuk doping Ta2O5 0%, 1,21 (indeks bias minimum) dan 2,36 (indeks bias maksimum) untuk doping

33

Ta2O5 2,5%, 1,12 (indeks bias minimum) dan 2,71 (indeks bias maksimum) untuk doping Ta2O5 5%, 1,10 (indeks bias minimum) dan 2,23 (indeks bias maksimum) untuk doping Ta2O5 7,5%, dan 1,18 (indeks bias minimum) dan 1,62 (indeks bias maksimum) untuk doping Ta2O5 10%. Nilai indeks bias cenderung menurun dengan bertambahnya doping Ta2O5. Analisis Konstanta Dielektrik Film Tipis Salah satu manfaat film tipis BST adalah dapat digunakan sebagai kapasitor. Sifat kapasitor dapat muncul diakibatkan karena adanya lapisan deplesi pada sambungan p-n. Pada lapisan ini terdapat muatan negative dan positif. Lapisan deplesi ini muncul karena elektron dan hole berdifusi ke daerah yang memiliki konsentrasi rendah dan berekomendasi satu sama lain. Hole dalam tipe-p lebih tinggi konsentrasinya daripada hole dalam tipe-n. Mereka berdifusi dari daerah tipe-p ke tipe-n. proses yang sama terjadi pada elektron. Akan tetapi proses ini tidak terjadi terus menerus. Jika hole meninggalkan daerah tipe-p dan hilang ke dalam daerah tipe-n karena berekomendasi, sebuah akseptor akan diionisasikan menjadi negatif dalam daerah tipe-p membentuk ruang negatif. Hal yang sama terjadi pada elektron yang meninggalkan muatan ruang positip pada daerah tipe-n, ini membangkitkan medan listrik yang mulai dari ruang bermuatan positip, berakhir pada ruang bermuatan negatif. Medan listrik ini menghambat hole untuk berdifusi dari daerah tipe-p ke tipe-n, juga demikian pada elekton terhambat berdifusi dari tipe-n ke tipe-p (S. Reka Rio et al, 1999). Karakterisasi konstanta dielektrik film tipis dilakukan dengan menyusun rangkaian listrik seperti pada gambar 17. Gambar 24 menunjukkan hasil keluaran dari osiloskop. Gambar tersebut menunjukkan kelengkungan pada sinyal kotak akibat adanya proses penyimpanan muatan pada material ferroelektrik. Tabel 1 menunjukkan bahwa penambahan doping akan menyebabkan bertambahnya nilai konstanta dielektrik. Doping Ta2O5 akan menyebabkan meningkatnya donor doping. Hal ini menyebabkan meningkatnya konsentrasi pembawa muatan negatif, sehingga medan listrik internal meningkat. Hal ini yang menyebabkan daerah deplesi bertambah besar. Jika hal ini terjadi, maka molekul dielektrik akan bertambah besar pula. Oleh karena itu, film tipis BST dengan doping Ta2O5 dapat digunakan sebagai kapasitor.

34

(a)

(b)

(c)

(d)

35

(e) Gambar 24. (a) Hasil Sinyal Osiloskop BST tanpa doping. (b) Hasil Sinyal Osiloskop BST dengan doping Ta2O5 2,5%. (c) Hasil Sinyal Osiloskop BST dengan doping Ta2O5 5%.(d) Hasil Sinyal Osiloskop BST dengan doping Ta2O5 7,5%.(e) Hasil Sinyal Osiloskop BST dengan doping Ta2O5 10 %. Tabel 1. Kapasitansi dan konstanta dielektrik film tipis
Persentase Doping Ta2O5 0% 2.50% 5% 7.50% 10% Konstanta Dielektrik 7.287 9.76 11.73 12.25 16.11 Nilai Kapasitans i 0, 246nF 0,208 nF 0,27 nF 0,28 nF 0,29 nF

Gambar 25. Hubungan variasi doping Ta2O5 terhadap konstanta dielektrik

Analisis Konduktivitas Listrik Film Tipis Pengukuran konduktivitas listrik film tipis dilakukan dengan mengukur nilai konduktansinya menggunakan alat LCR meter. Dari data konduktansi akan didapatkan nilai resistansi menggunakan Persamaan 33, nilai konduktivitas listriknya dapat dihitung. Pengukuran konduktansi film tipis ini dilakukan pada kondisi gelap dan kondisi terang dengan variasi intensitas cahaya 250 lux, 500 lux, 750 lux dan 1000 lux. Konduktivitas listrik semikonduktor dapat berubah apabila material tersebut diberi cahaya. Konduktivitas listrik naik jika intensitas diberikan semakin besar. Peningkatan konduktivitas ini dikarenakan tereksitasinya elektron pada pita valensi ke pita konduksi( M.A Omar, 1993). Elektron pada pita konduksi bebas bergerak di bawah pengaruh medan listrik . Oleh karena itu, semakin banyak

36

elektron tereksitasi ke pita konduksi akibat disinari membuat arus semakin meningkat dengan demikian konduktivitas listriknya juga meningkat(Sutrisno, 1986). Pengaruh doping Ta2O5 dan intensitas cahaya terhadap konduktivitas film tipis dapat dilihat pada tabel 2. Dari tabel diketahui konduktivitas maksimum terjadi pada intensitas cahaya 1000 lux dan doping 10%. Peningkatan intensitas yang jatuh pada film tipis meningkatkan arus pada film tipis, akhirnya akan menaikkan konduktivitas listrik film tipis. Secara umum penambahan doping Ta2O5 meningkatkan konduktivitas film tipis. Peningkatan konduktivitas listrik akibat penambahan doping tantalum pentaoksida diakibatkan karena doping atom pentavalen menghasilkan banyak elektron pada pita konduksi karena tiap atom pentavalen menyokong satu elektron pita konduksi (A.P Malvino, 1979). Orde nilai konduktivitas listrik yang didapatkan, film tipis BST dan BSTT termasuk material semikonduktor.

Gambar 26. Grafik hubungan konduktivitas listrik terhadap intensitas cahaya Tabel 2. Nilai konduktansi listrik film tipis BST
Intensitas cahaya (Lux) 0 250 500 750 1000 Doping 0% 4.04 6.8 11.6 29.85 31.3 Konduktivitas ( 10-6 S/m) Doping Doping Doping 2.5% 5% 7.5% 5.91 11.3 39.49 47.63 54.3 7.17 14.68 40.27 48.48 62.64 8.7 24.5 64.69 71.85 80.81 Doping 10% 11.05 39.2 77.3 87.13 118.61

Analisis Difraksi Sinar X Karakterisasi XRD bertujuan untuk menentukan sistem kristal ( kubus, tetragonal, ortorombik, rombohedral, heksagonal, monoklinik, triklinik), menentukan kualitas kristal ( single crystal, polycrystal, amorphous), menentukan cacat kristal ( twinning, dislokasi), identifikasi pada campuran, mencari parameter kristal ( parameter kisi, jarak antar atom, jumlah atom per unit sel) dan analisis

37

kimia. Suatu kristal dapat didapat didifraksikan oleh sinar X jika orde panjang gelombang sinar X hampir sama dengan jarak antar atom dalam kristal. Hasil karakterisasi difraksi sinar X menghasilkan pola difraksi seperti pada Gambar 26. Pola pola difraksi yang dihasilkan menunjukkan bahwa film tipis yang dihasilkan merupakan film tipis BST. Hal ini berdasarkan pada posisi sudut (2 ) puncak-puncak difraksi yang muncul merupakan puncak-puncak karakteristik BST setelah dicocokkan dengan literatur seperti yang terlihat pada Gambar 28. Berdasarkan pola difraksi terlihat bahwa fase yang terbentuk adalah Kristal karena terdapat puncak-puncak. Gambar 27 menunjukkan pola difraksi BST murni, BST doping Ta2O5 2,5%, 5 %, 7,5% dan 10% . Gambar tersebut menunjukkan bahwa puncak-puncak difraksi yang dominan dimiliki oleh BST murni yang teramati pada sudut 2 berada di sekitar 20.834, 27.8, 31.8, 37.82, 44.02 dan 64.39 yang bersesuaian dengan orientasi bidang (100), (110), (101), (111), (200), (220). Sedangkan sudut 2 dan orientasi BST dengan doping dapat dilihat pada Tabel 3. Berdasarkan tabel tersebut terlihat ada pergeseran puncak di 2 dan perubahan nilai intensitas masing-masing puncak. Metode yang digunakan untuk menganalisis sistem kristal adalah metode analitik. Metode ini dapat digunakan untuk menganalisis sistem kristal, indeks pola difraksi (hkl), dan menentukan parameter kisi suatu kristal. Pengindeksan dengan metode analitik meliputi pengerjaan aritmatik nilai sin2 yang dicobakan dalam beberapa hubungan persamaan. Kunci pengindeksan pola difraksi suatu sistem, terutama sistem kubik adalah perbandingan dari sin2 dari setiap puncak. Besarnya parameter kisi a dan c dihitung berdasarkan metode Cohen dengan menganggap struktur kristal tetragonal menggunakan rumus (Cullity, 1978):

sin = C + B + A sin = C + B + A sin = C A + B +

2 2 2 2 2

, , ,
2

23

Dimana : d = jarak antar bidang; a, b, c = konstanta kisi; h, k, l = indeks bidang; = panjang gelombang ( unsure Cu = 1.54056 ); =sudut difraksi, = h2 + k2; = l2; = 10 sin22 ; A = D/10; B = 2/(4c2); C = 2/(4a2); A, B, C = bilangan numerik. Nilai A, B dan C dapat diperoleh menggunakan metode

38

Crammer. Berdasarkan metode analitik tersebut diperoleh parameter kisi seperti yang terlihat pada Tabel 4.

(a)

(b)

39

(c)

(d)

40

(e)
(220) (111) (200) (101) (100) (110)

(f)
Gambar 27. Kristalografi Ba0.5Sr0.5TiO3 (a). Murni. (b) Doping Ta2O5 2,5 %. (c) Doping Ta2O5 5 % (d) Doping Ta2O5 7,5 %. (e) Doping Ta2O5 10 %. (f) Pola difraksi BST dan BSTT Pola difraksi yang dihasilkan oleh BST murni dan BSTT dapat dilihat pada Gambar 27. Berdasarkan gambar tersebut terlihat adanya pergeseran puncak pada sudut 2 seperti yang terlihat pada Tabel 3. Pergeseran puncak difaksi tersebut diduga karena adanya perubahan parameter kisi pada lapisan tipis BST dan BSTT seperti yang terlihat pada Tabel 4. Tabel 3. Nomor puncak dan orientasi BST/BSTT pada bidang kristal

41

No Puncak 1 2 3 4 5 6

Doping Ta2O5 0% 2 hkl 20.834 1 0 0 27.8 1 1 0 31.8 1 0 1 37.82 1 1 1 44.02 2 0 0 64.39 2 2 0

Doping Ta2O5 2.5% 2 hkl 20.72 1 0 0 27.66 1 1 0 31.96 1 0 1 37.82 1 1 1 44.15 2 0 0 64.36 2 2 0

Doping Ta2O5 5% 2 hkl 25.16 1 0 0 27.94 1 1 0 32.22 1 0 1 37.78 1 1 1 43.98 2 0 0 64.38 2 2 0

Doping Ta2O5 7.5% 2 hkl 27.98 1 1 0 30.58 1 0 1 32.76 0 0 2 43.98 2 0 0 61.48 2 2 0 64.36 2 2 0

Doping Ta2O5 10% 2 hkl 20.9 1 0 0 25.2 1 1 0 28.02 1 0 1 32.74 0 0 2 44.13 2 0 0 64.4 2 2 0

Tabel 4. Paramater kisi BST dan BSTT BST Murni Ta2O5 2,5 % Ta2O5 5 % Ta2O5 7,5 % Ta2O5 10 % Substrat Si Si Si Si Si a ( A) 3,91 4,16 4.18 4,22 4,24
o

Parameter Kisi b (oA) 3,91 4,16 4.18 4,22 4,24

c (oA) 4,10 4,45 4,50 4,51 4,52

Gambar 28. Pola difraksi dari film tipis Ba1-xSrxTiO3 ( Remmel et al., 1999) Nilai parameter kisi yang diperoleh tidak berbeda jauh dengan yang diperoleh oleh beberapa peneliti seperti yang terlihat pada Gambar 29. Berdasarkan literatur, nilai parameter kisi untuk BST murni dengan x = 0,5 berada pada kisaran 3,95 4,02. Sedangkan pada penelitian ini diperoleh nilai parameter kisi BST murni sebesar 3,97. Penambahan doping tantalum menyebabkan nilai parameter kisi BST berubah yaitu sebesar 4,0994 untuk doping Ta2O5 2,5%, 4,11 untuk doping Ta2O5 5%, 4,13 untuk

doping Ta2O5 7,5% dan 4,10 untuk doping Ta2O5 10%.

42

Gambar 29. Hubungan parameter kisi terhadap komposisi Ba1-xSrxTiO3 ( Remmel et al. 1999)

Berdasarkan Gambar 27 terlihat bahwa kristalinitas film tipis BST menurun seiring dengan bertambahnya doping tantalum pentaoksida. Hal tersebut terbukti dengan munculnya peak yang tajam dan intensitas difraksi yang lebih tinggi pada sampel BST murni dibanding sampel BST lainnya. Menurut Purmaningsih dkk (2003), kristalitas lapisan tipis sebanding dengan bertambahnya ukuran butir. Ini berarti bahwa semakin besar grain size dari suatu morfologi film kualitas kristalnya semakin baik. Oleh sebab itu sampel BST murni yang memiliki kristalitas paling baik menghasilkan grain size yang paling besar. Tabel 5 menunjukkan grain size film tipis BST. Tabel 5. Ukuran butir (grain size) partikel BST BST
Murni Ta2O5 2,5 % Ta2O5 5 % Ta2O5 7,5 % Ta2O5 10 % Analisis SEM-EDX

Substrat
Si Si Si Si Si

grain size (nm)

18.28 17.51 16.22 15.93 15.85

43

(a)

(b)

(c) Gambar 30. Penampang melintang sampel BST :(a) murni, (b) doping Ta2O5 7.5%, (c) doping Ta2O5 10%

Pengukuran ketebalan film tipis BST dilakukan dengan dua metode yaitu metode volumetrik dan SEM. Ketebalan film tipis diukur menggunakan metode volumetrik dengan Persamaan 24: d= m1- m2film tipis A 24 Dimana : m1 = massa substrat sebelum ditumbuhkan film tipis. m2 = massa substrat setelah diannealing dan terdapat film tipis di atasnya. film tipis = massa jenis film tipis yang terdeposisi. A = luas permukaan film tipis yang terdeposisi pada permukaan substrat
Tabel 6. Ketebalan film tipis di atas substrat silikon tipe-p terhadap variasi doping Ta2O5 BST BST murni BSTT 7.5% BSTT 10% Ketebalan (m) SE Volumetr M ik 0.1 0.63 4.7 1.5 3.58 1.32

Berdasarkan hasil SEM, diperoleh nilai ketebalan yang tidak berbeda jauh dari pengukuran volumetrik. Nilai ketebalan film tipis BST dapat dilihat pada Tabel 6.

44

(a)

(b)

(c)

Gambar 31. Foto SEM film tipis BST dengan perbesaran 30000x :(a) murni, (b) doping Ta2O5 7.5%, (c) doping Ta2O5 10%

Penumbuhan film tipis BST dan BSTT di atas substrat silikon dilakukan menggunakan metode CVD (Chemical Vapour Deposition). Untuk melihat berhasil atau tidaknya penumbuhan film ini, SEM dan karakterisasi EDX dilakukan. Foto SEM beberapa sampel BST diperlihatkan pada Gambar 31 sedangkan hasil EDX ditunjukkan pada Gambar 32. Selain itu, karakterisasi dengan Scanning Electron Microscopy (SEM) diperlukan untuk melihat morfologi dari film tipis BST, baik yang didoping dengan Ta2O5 maupun tanpa doping. Hasil karakterisasi morfologi permukaan dengan SEM ditunjukkan pada Gambar 31. Berdasarkan gambar tersebut diperoleh ukuran butiran sebesar 0.92 m untuk film tipis BST murni. Film tipis BST dengan doping Ta2O5 7.5% memiliki
ukuran butir sebesar 0.75 m. Sedangkan Film tipis BST dengan doping Ta2O5 10% memiliki ukuran butir sebesar 0.64 m.

Hasil SEM menunjukkan bahwa kenaikan presentase doping Ta2O5 mengakibatkan penurunan ukuran partikel pada film tipis BST, bersesuaian dengan hasil analisis difraksi sinar-X (XRD).

45

(a)

(b)

(c) Gambar 32. Hasil EDX film tipis BST:(a) murni, (b) doping Ta2O5 7.5%, (c) doping Ta2O5 10%

46

Hasil EDX menunjukkan bahwa puncak yang terjadi pada sekitar 1,739 keV adalah Si, 4,508 keV adalah Ti, 1,806 keV adalah Sr, 4,464 keV adalah Ba dan 1,709 keV adalah Ta. Hal ini menunjukkan bahwa film tipis BST dan BSTT berhasil ditumbuhkan. Hasil karakterisasi EDX pada Gambar 32 menunjukkan bahwa pada semua variasi doping terdapat unsur Si, unsur Ti, Sr, Ba, Ta dan unsur O dengan komposisi persentase atom yang bebeda-beda.

47

KESIMPULAN DAN SARAN

1. Film tipis Ba0,5Sr0,5TiO3 berhasil dibuat pada substrat silikon tipe-p.

BST

dengan variasi pendadah berupa Ta2O5 (BSTT) pun berhasil dibuat. Penelitian ini berhasil mempelajari sifat listrik, optik dan mikrostruktur film tipis BST dan BSTT.
2. Berdasarkan hasil karakterisasi kurva I-V terlihat bahwa film tipis BST

memiliki respon yang baik terhadap cahaya dan warna (panjang gelombang sinar tampak). Terlihat dari adanya pergeseran pada kurva I-V.
3. Intensitas reflektansi dan energi gap cenderung menurun dengan bertambahnya

doping. Nilai energi gap untuk BST murni sebesar 3,28 eV, BST doping Ta2O5 2,5% sebesar 3,23 eV, BST doping Ta2O5 5% sebesar 3,3 eV, BST doping Ta2O5 7,5% sebesar 3,26 eV, dan BST doping Ta2O5 10% sebesar 3,16 eV. Nilai indeks bias rata-rata film tipis sebesar 1,91 untuk doping Ta2O5 0%, 2,16 untuk doping Ta2O5 2,5%, 2,01 untuk doping Ta2O5 5%, 1,90 untuk doping Ta2O5 7,5%, dan 1,41 untuk doping Ta2O5 10%. Nilai indeks bias cenderung menurun dengan bertambahnya doping Ta2O5.
4. Penambahan doping akan menyebabkan bertambahnya nilai konstanta

dielektrik.
5. Konduktivitas maksimum terjadi pada intensitas cahaya 1000 lux dan doping

10%. Orde nilai konduktivitas listrik yang didapatkan, film tipis BST dan BSTT termasuk material semikonduktor.
6. Puncak-puncak difraksi yang dominan dimiliki oleh BST murni yang teramati

pada sudut 2 berada di sekitar 20.834, 27.8, 31.8, 37.82, 44.02 dan 64.39 yang bersesuaian dengan orientasi bidang (100), (110), (101), (111), (200), (220). Terjadi pergeseran puncak karena adanya perubahan parameter kisi. Parameter kisi lapisan tipis cenderung meningkat dengan bertambahnya doping. Nilai parameter kisi a = 3.91 untuk BST murni, a = 4.16 untuk BSTT 2.5%, a = 4.18 untuk BSTT 5%, a = 4.22 untuk BSTT 7.5%, dan a = 4.24 untuk BSTT 10%,

48

Saran Penelitian selanjutnya dapat dilakukan proses pembuatan devais baru berupa sensor warna yang dipadukan dengan rangkaian listrik op amp.

DAFTAR PUSTAKA
Huriawati F. 2009. Sintesis Film BST Didadah Niobium dan Tantalum serta Aplikasinya Sebagai Sensor Cahaya. Tesis. Bogor : Program Pascasarjana, Institut Pertanian Bogor. T.K. Lin, et al. Homoepitaxial ZnSe MIS photodetectors with SiO2 and BST insulator layers. Solid-State Electronics 50 (2006) 750753. Syafutra H. 2008. Pembuatan afotokonduktivitas Berbasis Bahan ferroelektrik Ba0.6Sr0.4TiO3 yang Didadah Tantalum Pentoksida (BSTT) diatas Substrat Si (100) Type-p dan Substrat TCO Type-705.Skripsi. Bogor: Fakultas matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Institut Pertanian Bogor. Marwan A. 2007. Studi Efek Fotovoltaik Bahan Ba0.5Sr0.5TiO3 yang Didadah Galium (BGST) di Atas Substrat Si (100) Tipe-n. Skripsi, Departemen Fisika, Institut Pertanian Bogor. N. V. Giridharan, R. Jayavel, P. Ramasamy. Structural, Morphological and Electrical Studies on Barium Strontium Titanate Thin Films Prepared by SolGel Technique. Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai, India, 36, 65-72 (2001). Utami A.C.W. 2007. Studi Efek Fotovoltaik Bahan Ba0.5Sr0.5TiO3 yang Didadah Tantalum (BSTT) di Atas Substrat Si (100) Tipe-p. Skripsi, Departemen Fisika, Institut Pertanian Bogor. Darjito. Usur Transisi Periode Kedua Dan Ketiga. Jurusan Kimia, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Brawijaya. www.sales.hamamatsu.com/assets/applications/SSD/photodiode_technical_inform ation.pdf. (15 Juli 2007) http://id.wikipedia.org/wiki/Dioda. (15 Juli 2007). M. A. Omar. Elementary Solid State Physics. Addison-Wesley Publishing Company, Inc. (1993).

49

P. A. Tippler. PHYSICS for Scientist and Engineers. Worth Publisher. Inc, (1991). Halliday, Resnick. PHYSICS, 3rd Edition. John Wiley and Sons, Inc iri(1978). Bishop O. 2009. Dasar-dasar Elektronika Seri Pendidikan Profesi Elektro. Jakarta: Penerbit Erlangga S.M. Sze, Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices, 3rd Edition. John Wiley and Sons, Inc (2007). H. Frimasto, Irzaman, M. Kurniati, Sifat Optik Film Tipis Bahan Ferroelektrik BaTiO3 yang didadah Tantalum (BSTT), Skripsi, Departemen Fisika, Institut Pertanian Bogor, (2006)

50

Lampiran 1. Pembuatan Film Tipis

FilmTantalum Annealing Spin Coating pada (BST/BSTT) Perkursor BTSTTipis Asetat Dicampur pada Dikocok jam BSTDicampurWarna Aplikasi selama selama diatas Titanium1 BSTT 2-metoksietanol StronsiumBST suhu 850oCpada Rangkaian Listrik pada udara Barium Asetat dan3000 rpmuntuk Si30 detik 15 jam substrat Si (100) type-p Karakterisasi Disaring Sensor atmosfer Berukuran 1 cm Isopropoksida x1 cm [H3COOCH2CH2 [Sr(CH3 COO) , OH [Ba(CH3COO)22,99% [Ti(C12 O4H28 ),99%] ,99%] ] 99%]

51

52

Massa Keping (kg) No . Samp el Tanpa BST (X) 0.000131 8 0.000108 1 0.000112 9 0.000106 3 0.000111 6 0.000141 0.000117 2 0.000122 6 0.000114 8 0.000110 6 0.000128 7 0.000126 7 Setelah Spin (Y) 0.0001325 0.0001106 0.0001163 0.0001066 0.0001133 0.0001489 0.0001228 0.000123 0.0001157 0.0001128 0.0001342 0.0001344 Setelah Furnace (Z) 0.0001324 0.0001087 0.0001133 0.0001065 0.0001119 0.0001452 0.0001208 0.0001229 0.0001153 0.0001118 0.0001318 0.0001309 Massa BST (Z-X) (kg)

Massa Jenis BST (kg/m3 ) 6020 6020 6020 6020 6020 6020 6020 6020 6020 6020 6020 6020

Dimensi Keping (m) Panja ng 0.010 0 0.009 0 0.009 0 0.008 0 0.009 5 0.010 0 0.009 0 0.009 0 0.010 0 0.009 0 0.009 5 0.009 5 Leba r 0.00 95 0.00 90 0.00 90 0.01 00 0.00 85 0.01 00 0.00 90 0.00 90 0.00 80 0.00 90 0.01 00 0.00 95 Lebar BST 0.0060 0.0060 0.0065 0.0065 0.0050 0.0065 0.0060 0.0060 0.0050 0.0060 0.0065 0.0060

Luas BST (m2) 0.0000 6 0.0000 54 5.85E05 0.0000 52 4.75E05 0.0000 65 0.0000 54 0.0000 54 0.0000 5 0.0000 54 6.18E05 0.0000 57

Tebal BST (m) 1.6611E06 1.8457E06 1.1358E06 6.3890E07 1.0491E06 1.0733E05 1.1074E05 9.2285E07 1.6611E06 3.6914E06 8.3393E06 1.2240E05

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10 . 11 12

1a 1b 1c 1d 1e 2a 2b 2c 2d 2e 3a 3b

0.0000006 0.0000006 0.0000004 0.0000002 0.0000003 0.0000042 0.0000036 0.0000003 0.0000005 0.0000012 0.0000031 0.0000042

53

13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25

3c 3d 3e 4a 4b 4c 4d 4e 5a 5b 5c 5d 5e

0.000130 6 0.000118 0.000123 2 0.000121 0.000137 4 0.000116 5 0.000122 2 0.000113 8 0.000102 1 0.000120 5 0.000113 1 0.000131 1 0.000133 7

0.000139 0.0001273 0.0001307 0.0001234 0.0001394 0.0001183 0.000124 0.0001152 0.0001023 0.0001212 0.0001142 0.0001321 0.0001346

0.0001326 0.0001225 0.0001259 0.0001223 0.0001388 0.0001176 0.0001227 0.0001146 0.0001022 0.0001207 0.0001137 0.0001316 0.0001343

0.0000020 0.0000045 0.0000027 0.0000013 0.0000014 0.0000011 0.0000005 0.0000008 0.0000001 0.0000002 0.0000006 0.0000005 0.0000006

6020 6020 6020 6020 6020 6020 6020 6020 6020 6020 6020 6020 6020

0.009 5 0.010 0 0.009 5 0.009 0 0.009 5 0.008 5 0.009 0 0.009 0 0.009 0 0.009 0 0.008 5 0.009 0 0.010 0

0.00 95 0.00 85 0.00 90 0.01 00 0.01 10 0.01 00 0.00 95 0.01 00 0.00 90 0.01 00 0.00 90 0.01 00 0.01 00

0.0060 0.0060 0.0060 0.0065 0.0070 0.0060 0.0060 0.0060 0.0060 0.0060 0.0060 0.0070 0.0060

0.0000 57 0.0000 6 0.0000 57 5.85E05 6.65E05 0.0000 51 0.0000 54 0.0000 54 0.0000 54 0.0000 54 0.0000 51 0.0000 63 0.0000 6

5.8285E06 1.2458E05 7.8685E06 3.6914E06 3.4971E06 3.5828E06 1.5381E06 2.4609E06 3.0762E07 6.1523E07 1.9543E06 1.3184E06 1.6611E06

54