13 - RF Amplifier
13 - RF Amplifier
Oleh: sgw
Sumber:
- Pozar, David M. Microwave & RF Design of Wireless Systems. John Wiley & Sons. USA.
2000.
- Markus Mayer & Holger Arthaber. RF Power Amplifier Design. Department of Electrical
Measurements and Circuit Design. Vienna University of Technology. 2001.
- Philips Semiconductors. RF Transmitting Transistor & Power Amplifier Fundamentals.
1998.
Page-2/22 on 5/13/2005
LNA PA
2. Temukan s-parameter sinyal kecil: S11, S12, S22, S21. S-parameter berupa bilangan
kompleks.
A. Dari data sheet (biasanya hanya pada tegangan dan arus prategangan tertentu).
C. Pengukuran secara simulasi terhadap model transistor yang telah disediakan pembuat
transistor.
Page-4/22 on 5/13/2005
bilangan kompleks ke
Untuk S22 dan S12 bentuk polarnya dan
RG RL
2V2 sebaliknya.
50 50 S22 = −1
V1
LNA
V2 VG
VG
2V1
S12 =
VG
Page-5/22 on 5/13/2005
Terdapat tiga komponen daya: daya pada input network, daya pada LNA, dan daya pada
output network.
Daya yang dimentalkan oleh input LNA: Pavs – Pin Di antara Pavn
dengan Pin terjadi
Daya yang dimentalkan oleh beban: Pavn - PL penguatan
Page-6/22 on 5/13/2005
Bila sumber dan beban tepat match dengan LNA maka G= GA= GT.
ZS − Z0
Koefisien pantulan dari LNA balik ke sumber:
ΓS =
ZS + Z0
ZL − Z 0
Koefisien pantulan dari LNA balik ke beban:
ΓL =
ZL + Z 0
Page-7/22 on 5/13/2005
ZS S12 S 21ΓL
V1 V2 ΓIN = S11 +
1 − S 22ΓL
VS LNA ZL
S12 S 21ΓS
ΓOUT = S 22 +
S IN OUT L
1 − S11ΓS
2 2
VS 1 − ΓS 2
Pin = (1 − ΓIN ) 2 2
8Z 0 1 − ΓS ΓIN 2
PL S 21 (1 − ΓL )
G= = 2
2 2 2 2
Pin (1 − ΓIN 2 ) 1 − S 22 ΓL
VS S21 (1 − ΓL ) 1 − ΓS
PL =
8Z0 1 − S22ΓL 2 1 − ΓS ΓIN 2
Page-8/22 on 5/13/2005
2 2
VS 1 − ΓS
Pavs = Pin ΓIN = ΓS*
=
8Z 0 (1 − ΓS 2 )
2 2 2
VS S 21 1− ΓS
Pavn = PL *
ΓL = ΓOUT
=
8Z 0 1− S11ΓS 2 (1− ΓOUT 2 )
2 2
Pavn S21 (1 − ΓS )
GA = =
Pavs 1 − S11ΓS 2 (1 − ΓOUT 2 )
2 2 2
PL S 21 (1 − ΓS )(1 − ΓL )
GT = = 2 2
Pavs 1 − ΓS Γin 1 − S 22 ΓL
Page-9/22 on 5/13/2005
Kasus khusus:
2. Bila S12= 0 (tidak ada penguatan balik dari output atau ke input) atau disebut unilateral:
2 2 2
S 21 (1− ΓS )(1− ΓL )
G Tu = 2 2
1− S11ΓS 1− S 22 ΓL
Page-10/22 on 5/13/2005
Z0
In- Q Out-
VS MC [S] MC Z0
GS G0 GL
S IN OUT L
2
1 − ΓS
GS = 2
1 − Γin ΓS
G T = G S G 0 GL
2
G0 = S21
2
1 − ΓL
GL = 2
1 − S22ΓL
Page-11/22 on 5/13/2005
tanpa jarak, sedangkan pada perakitan nyata ZS atau ZL pasti melalui suatu jalur konduktif
dengan Z0 tertentu.
Diinginkan nilai Z0 tersebut adalah 50 . Untuk itu, jalur tersebut harus dirancang, dalam hal
ini saluran transmisi tanpa rugi-rugi atau dengan kata lain hanya memakai komponen L &
C.
4. Kestabilan
Osilasi dapat terjadi bila | S| > 1 atau | L| > 1 yang berarti impedansi input atau pun output
memiliki bagian real negatif atau untuk LNA unilateral |S11| > 1 atau |S22| > 1.
S12 S 21ΓL
ΓIN = S11 + <1 Dari kedua persamaan ini terlihat bahwa
1 − S 22ΓL kestabilan sangat tergantung pada impedansi
Bila LNA berpotensi tidak stabil, resistansi dapat ditambahkan ke input atau output LNA
atau secara umpan balik selama performa noise masih dalam batas yang ditetapkan.
http://contact.tm.agilent.com/Agilent/tmo/an-95-1/classes/imatch.html
Page-14/22 on 5/13/2005
Pout
Perhitungan efisiensi PA: η=
PDC
Perhitungan efisiensi PA dengan memperhitunkan daya masuk (power added efficiency):
S-parameter untuk PA tidak dapat diturunkan dengan simulasi respon frekuensi tetapi
dengan simulasi transien di beberapa frekuensi dengan impedansi sumber dan beban
tertentu.
Page-16/22 on 5/13/2005
Karakteristik FET
Page-17/22 on 5/13/2005
PA Kelas A
PA Kelas B
Page-19/22 on 5/13/2005
PA Kelas C
Page-20/22 on 5/13/2005
Kelas B
η = κ .78%
G = G A - 6dB
η PAE = κ .65%
Kelas C
η → 100%
G →1
η PAE → 0%
Pengujian Kelinearan
Dua sinyal beramplitudo sama dan berbeda frekuensi 1kHz dimasukkan ke PA,
sebagai peng-intermodulasi.
Diamati distorsi orde ke-3. Tes ini dilakukan untuk PA yang akan mengirimkan tiga
Penambahan Daya
2. Pull-Up & Pull-Down (beda fasa 180o, kadang harus dengan trafo)