Captulo 1

Componentes Empleados En Electrnica de Potencia

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1.1 - EL Diodo
IDEAL REAL

Componentes Empleados En Electrnica de Potencia

CARACTERISTICA ESTTICA DE UN DIODO IDEAL

iF A
+

+ vto

vF
RF

* *

Para voltajes VF > 0, presenta resistencia nula Para voltajes VF < 0, presenta resistencia infinita No presentando ninguna prdida cuando es polarizado directamente y cuando es polarizado en forma inversa es capaz de bloquear un voltaje infinito.

vF

iF

iF

iF 1/R F vBR

CARACTERISTICA ESTTICA DE UN DIODO REAL

*
vTo iR vF

Presenta una fuerza-electromotriz Vto asociado a una resistencia cuando esta polarizado directamente. Y cuando es polarizado inversamente, tiene un voltaje mximo inverso (VBR), voltajes superiores destruyen el componente.

vF

Fig. 1.1

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1.1 - El Diodo
PRDIDAS EN CONDUCCIN

Componentes Empleados En Electrnica de Potencia

El Diodo en conduccin tiene prdidas asociadas a la fuerza-electromotriz (VTo) y a su resistencia interna, por lo tanto la potencia perdida es representada por la siguiente expresin:
2 P = VTO . I AV + R F I RMS

Siendo una expresin genrica, empleada para cualquier forma de onda.

Lp +
E

iLp

iL
CARACTERISTICAS DINMICAS DE LOS DIODOS (Conmutacin)

QRR + iF

De conduccin a bloqueo:

Primera Etapa.

S Primera Etapaz Lp +
E

En t=to S es cerrado, la corriente iF comienza a decrecer. Su velocidad de decrecimiento depende de E y Lp segn la relacin

I i RM

iL D L iS S Segunda Etapa z
Ya que : IF = IL-Ilp Segunda Etapa.

VD +C

diF E = dt Lp

Fig. 1.2 Donde: C - son las capacitancias de juntura QRR - representa la carga almacenada en C cuando D esta en conduccin. Lp - Inductancia parsita

Justo despus que la corriente en el diodo se anula, ocurre la descarga del condensador C. En este intervalo la corriente iD circula negativamente (corriente inversa). Una vez que QRR es evacuada, el diodo bloquea.

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1.1 - El Diodo

Componentes Empleados En Electrnica de Potencia

La inductancia parsita, Lp , provoca una sobretensin, que puede ser destructivo para el diodo la figura siguiente muestra las formas de onda.

di F dt

IL tR VF
0

t rr t Ri

t2 t0 I RM t1 Q RR t3 E t

RM

V pico

Primera Etapa

Segunda Etapa

Fig. 1.3

Los valores de tRR y de IRM pueden ser obtenidos con el empleo de las siguientes ecuaciones empiricas:

t RR

3 Q RR diF dt

I RM

4 di Q RR F 3 dt

Donde el valor de QRR es dado por el fabricante del diodo. El valor de

di F dt

depende del circuito y es establecido

por el proyectista del circuito. Observando la expresiones, tanto el tiempo de recuperacin del diodo (tRR) como el pico de corriente inversa (IRM) dependen de QRR, cuanto menor sea QRR ms rpido ser el diodo.
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1.1 - El Diodo

Componentes Empleados En Electrnica de Potencia

Los diodos en cuanto a su velocidad de recuperacin, son clasificados en diodos rpidos y lentos. Los diodos rpidos presentan tRR menores que 200nSeg. Los diodos comunes, empleados en rectificadores de baja frecuencia presentan tRR superiores a 1uSeg.
Desde Bloqueo a Conduccin:

Sea el circuito representado por la figura 1.4:

iF

300V

diF dt
t VF(t) V

iF _ VF S + D

Fp
t

VF RD

R1

Fig.1.4

t RF

Fig. 1.5

En el momento que el interruptor S se cierra, se observa la existencia de un tiempo para que el diodo entre en conduccin, conocido como de entrada en conduccin (tRF) y puede variar de 0.1 a 1.5useg. La existencia de una variacin de la resistencia del diodo explica el atraso y la sobre tensin (algunos casos puede alcanzar valores prximos a 40V), este fenmeno se observa en circuitos atacados por corriente es decir fuente de corriente o de altas tensiones . Como se vi en el bloqueo, el empleo de diodos rpidos reduce el valor de VFp y del tiempo de entrada en conduccin tRF

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1.1 - EL Diodo

Componentes Empleados En Electrnica de Potencia

PRDIDAS EN LA CONMUTACIN

Las prdidas en los diodos en la entrada en conduccin son representadas por la siguiente expresin:

P1 =

1 V Fp V F I D t rf F 2

Donde

VFp = Voltaje directo de pico VF= Voltaje directo tRF=Tiempo de entrada en conduccin

Para frecuencias de trabajo inferiores a 40Khz estas prdidas pueden ser ignoradas .

Las prdidas que ocurren en el bloqueo son calculadas del siguiente modo:

P2 = Q RR E F
Siendo F la frecuencia de conmutacin y E el voltaje aplicado al diodo inmediatamente despus del Bloqueo.

Por lo tanto las prdidas totales son:

1 PTot = VFp VF I D t Rf + Q RR E F 2

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.2 - EL Tiristor

IDEAL REAL
CARACTERISTICA ESTTICA DE UN TIRISTOR IDEAL

iF
A K
A

EO
RO

* *

El tiristor bloquea los voltajes positivos como los negativos. (Rectas 1 y 2 en la figura) Con corriente de gate, asume las caracteristicas de un diodo. (Rectas 1 y 3 en la figura) SCR -

vAK G

iT

Por esto tambien es denominado diodo controlado o Silicon Controlled Rectifier.

CARACTERISTICA ESTTICA DE UN TIRISTOR REAL

iT
3

iT
3

*
2

Disparo
1 2

vRM

vAK

v To

vAKmax

Al igual que el diodo real, el tiristor tiene modificaciones sustanciales en relacin a la caracteristica ideal observandose que los voltajes mximos que el tiristor consigue bloquear, tanto directa como inversamente, son limitados. (VAKmax y VRM respectivamente) Las dems no idealidades mencionadas para el diodo son tambien vlidas para el tiristor. Como son la fuerzaelectromotriz en serie con una resistencia.

Fig. 1.6

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.2 - EL Tiristor

PRDIDAS EN CONDUCCIN

La potencia media disipada por el tiristor en conduccin es representada por la expresin siguiente:
2 P = Eo I T AV + Ro I RMS

Donde ITAV e ITRMS son los valores medio y eficaz de la corriente que el tiristor conduce.
CARACTERISTICAS DINMICAS DE LOS TIRISTORES (Conmutacin) Bloqueo a Conduccin:

Inicialmente es estudiado el comportamiento en el disparo. En el instante t0 el interruptor S es cerrado, lo que da partida a todo un proceso de inicio de conduccin, donde las formas de onda son mostradas por la figura 1.8. Donde tc - tiempo de cierre td - tiempo de retardo tr - tiempo de caida de la tensin nodo-Ctodo
0

vg

ig
10% de I
Ro
0

g
t

E ig S Vg Rg

+ V _
T

VT
0

90% de E 10% de E

Fig. 1.7

td
tC

tR

Fig. 1.8

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.2 - EL Tiristor

El tiempo de retardo (td) depende: A) De la amplitud de la corriente de gate. B) De la velocidad de crecimiento de la corriente de Gate El tiempo tR es independiente de la corriente de Gate. En general el valor de tC es superior a 1uSeg e inferior a 5 uSeg. A figura muestra dos corrientes de Gate con formas diferentes.

Ig 2
Se tiene que : La curva 2 - nos d un disparo rpido y la curva 1 - un disparo lento.

Fig. 1.9

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.1 - EL Tiristor

R S
BLOQUEO DE UN TIRISTOR
+ _

L E2
iT
+

E1
_

T
Fig.1.10

Sea la estructura mostrada en la Fig. 1.10. Inicialmente el interruptor S se encuentra abierto, y el tiristor T se encuentra en conduccin. Para iniciar el bloqueo de T el interruptor S es cerrado. Donde los fenmenos asociados al bloqueo son semejantes al descrito para el diodo las formas de onda son mostradas por la Fig. 1.11. El tiempo tq es especificado por el fabricante del tiristor y es denominado tiempo minimo de aplicacin de voltaje inverso. Si este tiempo no se cumple el tiristor continua conduciendo. Cuando se trata de conmutacin forzada, el tiempo tq es un dato fundamental cuanto menor es, mejor es el tiristor, ya que podra operar a frecuencias mas elevadas. Para tiristores rpidos se tiene 10uSeg<tq<200uSeg.
t

E 1 IT
di L dt

S es abierto

t inv tq

1V VT
0

t2 t0 t1 Q RR t3

Obs: El tiristor no puede ser bloqueado por gatillo (gate).

E2 2 +V
Fig. 1.11

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

El transistor bipolar de potencia es un semiconductor con estructura NPN. Por razones tecnolgicas los PNP no son producidos. Los transistores son unidireccionales en tensin y corriente.
CARACTERISTICA DEL TRANSISTOR DE POTENCIA

COLECTOR + BASE VCE ib EMISOR

Es normalmente empleado en corte y saturacin. Por este motivo es importante el comportamiento de la transicin del estado de saturacin al estado de corte y viceversa, siendo caracterizado en estos casos por los tiempos de conmutacin, cuanto menor son estos tiempos mejor es el transistor.
TRANSISTOR EN CORTE (Regin 4)

En este estado el transistor es caracterizado solamente por soportar polaridad de voltaje positiva. VCE>0 Este valor tambien no puede ser muy grande como para daar el componente, este valor mximo es dado por el fabricante, VCEmax. (Catlogo)

Fig. 1.12

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

TRANSISTOR EN CONDUCCIN (Regin 1)

Tambien conocida como regin activa o lineal (IC= IB) en esta regin el transistor es empleado em amplificadores y reguladores lineales de tensin.

2
IC

No presenta inters en electrnica de potencia debido a la alta disipacin de calor (prdidas).

TRANSISTOR EN CUASI-SATURACIN (Regin 2)

3 1

Ib

Es la regin preferida en electrnica de potencia. El voltaje VCE es bajo, definiendose en esta regin la ganancia forzada F, por la relacin F=Ic/Ib.
TRANSISTOR EN SATURACIN (Regin 3)

Es la regin donde para un Ic dado, un aumento de Ib no produce una reduccin de VCE. Esta regin debe ser evitada debido a que provoca un aumento en el tiempo de almacenaje (ts), o sea, aumenta los tiempos de conmutacin del transistor. En conduccin es caracterizado por los siguientes parametros:

V BE

VCE 4
Fig. 1.13

A) VCEsat - Para Ic<ICsat e Ib>Ibsat, el fabricante asegura que VCE<VCEsat , dado por el catalogo del fabricante. B) F - Ganancia forzada definida por F=Icsat/Ibsat (5<F<10) C) Corriente mxima de colector: el transistor bipolar soporta esta corriente si todas las otras restricciones son respetadas.

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

VCC IL i b2 Vb2 VCC IL i b1 Vb1 VCC IL i b1 Vb1 VCC IL i b1 Vb1 ic + VBE DCL + VCE > VCEsat d) CUARTA ETAPA
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Fig. 1.14

CONMUTACIN DEL TRANSISTOR CON CARGA INDUCTIVA A) Conmutacin de bloqueado a conduciendo

ID + VCE = VCC -

+ VBE -

Esta conmutacin se da en 4 etapas:

1era Etapa: Transistor Bloqueado

a) PRIMERA ETAPA

En esta etapa la corriente de carga es igual a ID, la corriente IC en el transistor es nula. Sea VD= 0 entonces VCE=VCC.

ID + VCE = VCC b) SEGUNDA ETAPA

2da Etapa: Crecimiento de la corriente iC

IC + VBE -

Durante la conmutacin la corriente iL se mantiene constante. Asi: IC = iL - ID y VCE = VCC Mientras la corriente de carga es conmutada del diodo para el transistor, el voltaje VCE se mantiene constante. La presencia simultanea de voltaje y corriente en el transistor provoca prdidas de conmutacin.
3era Etapa: Recuperacin del diodo

ID + VCE = VCC c) TERCERA ETAPA

ic + VBE -

Cuando IC se iguala a IL el diodo D comienza a recuperarse con una corriente inversa IR. ID = - IR Asi: I C = IL + IR Durante la recuperacin del diodo VCE se mantiene igual a VCC.

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

VB

4ta Etapa: Decrecimiento de VCE

Vb1
t

En esta etapa la tensin dreno-source cae hasta su valor de saturacin. Este cambio se realiza con corriente de colector con valor a la corriente de carga, por lo tanto es disipativa.
5ta Etapa: Transistor Saturado y en conduccin

Vb2 Ib
0

tR

Ib1 IR IL
t

Despues de la conmutacin el transistor habr asumido toda la corriente de carga asi: I c = IL VCE = VCEsat ID = 0

IC

I RM

VCE

tRi t fv VCEsat

De la Fig. 1.15 se tiene que el tiempo de conmutacin de bloqueado a conduccin es: tF = tFV + tRi

Donde t Ri = Tiempo de crecimiento de la corriente

t

t fV = Tiempo de decrecimiento del voltaje Se recomienda el empleo de diodos rpidos, con esto la corriente de pico en el transistor es reducida, como consequencia hay una reduccin de la potencia prdida en la conmutacin.
Fig. 1.15

2 3

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

VCC IL i b1 Vb1 ic + VBE DCL + VCE = VCEsat a) PRIMERA ETAPA
Fig. 1.16

B) Conmutacin de conduccin a bloqueado 1era Etapa: Transistor saturado y en conduccin

Idem al de la conmutacin anterior.

2da Etapa: Tiempo de descarga

VCC IL i b2 Vb2
VCC IL i b2 Vb2 VCC IL i b2 Vb2 + VBE ID Ic + VCE = VCC d) CUARTA ETAPA ic DCL + VCE < VCC c) TERCERA ETAPA

Durante esta etapa se da la descarga de la capacitancia intrinsica entre base y emisor CBE. La corriente IC y el voltaje VCE durante este intervalo no son modificados.
3era Etapa: Crecimiento del voltaje VCE

DCL + VCE = VCEsat b) SEGUNDA ETAPA

ic C BE

Mientras VCE<VCC el diodo D se mantiene polarizado inversamente y no entra en conduccin. Asi: VCE < VCC I C = IL Durante esta etapa ocurre la fase ms crtica de la conmutacin, ya que el transistor conduce toda la corriente de carga mientras el voltaje VCE crece.
4ta Etapa: Decrecimiento de la corriente de colector

Durante esta etapa, la corriente es conmutada del transistor para el diodo. VCE = VCC Ic = IL - ID con IL = constante

La corriente IC decrece mientras VCE se mantiene en su valor mximo igual a VCC normalmente tRV << tFi y puede ser ignorado. tCof = tdesc + tFi

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

VBE
0

PRDIDAS EN LA CONMUTACIN a) Entrada en conduccin:

t

Ib
0

Ignorando la corriente de recuperacin del diodo la energa perdida durante la entrada en conduccin es obtenida con la relacin siguiente: Eec = 0.5 * IC * VCE* tR

Por lo tanto Donde

VCE tRv
0

Pec = 0.5*IC*VCE*tR*F tR = tRi + tfv

b) Bloqueo:

IC

tf t fi

Las prdidas en el bloqueo son dadas por:

t

Ebl = 0.5* IC* VCE* tf Luego Pbl = 0.5* IC *VCE * tf * F

Donde tf = tRV + tfi

c) Prdidas totales:

Las prdidas totales son dadas por la suma, por lo tanto:

0

t Fig. 1.17

Ptot = 0.5* VCE* IC *F *( tR+tf )

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Bipolar de Potencia

PRDIDAS DE CONDUCCIN

Las prdidas de conduccin son calculadas en el modo descrito a seguir:

PCond = I C VCEsat + I b V BEsat

Asi

t on T

PCond = I C VCEsat + I b V BEsat t on F

Donde iC = Corriente de colector media VCEsat = Voltaje base-emisor de saturacin iB = Corriente de base media VBEsat = Voltaje base emisor con el transistor saturado ton = tiempo de conduccin del transistor F = Frecuencia

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Mosfet

Es un interruptor con las siguientes caracteristicas bsicas, entendidas como ventajas en relacin al bipolar: A) Tiempos de conmutacin extremadamente cortos. B) C) Alta impedancia de entrada, entre Gate y Source. De este modo la potencia consumida y la complejidad del circuito de comando es baja. Comparado con el bipolar, tiene una mayor area de operacin Segura (SOA - Safe Operating Area).

Dreno + Gate D i Vds Source

Fig. 1.18

D) Fcil de ser asociado paralelo debido a que la resistencia de conduccin tiene coeficiente positivo de temperatura. El simbolo del MOSFET canal N esta representado por la figura al lado.

Donde Di = Diodo intrinsico

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Mosfet

CARACTERISTICA ESTTICA DEL MOSFET

La figura muestra la caracteristica, donde pueden ser observadas dos regiones distintas :

ID

VGS ~ 20V

A) Regin de resistencia constante B) Regin de corriente constante. C) Regin de corte El MOSFET conduciendo es caracterizado por los siguientes parametros.

A B

~ 4V

a) RDSon - Saturado el MOSFET se comporta como una resistencia, que es un hecho importante ya que con esto se determinan las perdidas en conduccin o la mxima ID. RDSon aumenta con la temperatura con un coeficiente igual 0.7% para cada grado celcius aproximadamente, para Tj mayor que 25 oC. b) ID - Mxima corriente continua que el componente puede conducir. c) IDM - Mxima corriente pulsada de dreno que el MOSFET puede conducir. d) Vgs - Mximo voltaje entre gate source que puede ser aplicado (positivo o negativo). e) Vgsth - Voltaje gate source necesario para iniciar la conduccin, aproximadamente (~4V) f) VDSon = RDSon * ID - Voltaje dreno-source con el MOSFET conduciendo.

VDS C
Fig. 1.19

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Mosfet

CARACTERISTICA DINMICA DEL MOSFET

La figura 1.20 nos presenta las capacitancias entre los terminales del MOSFET donde :

Dreno CGD Gate CGS Source

Fig. 1.20

CISS = CGD +CGS = capacitancia de entrada COSS = CGD +CDS = capacitancia de salida CRSS = CGD = capacitancia de transferencia. Los valores de las capacitancias son dadas por los fabricantes y varian con VDS pero no con la temperatura.

CDS

CISS es un parmetro importante en el comando y en los tiempos de conmutacin, este condensador debe ser cargado y descargado por el circuito de comando de gate y los tiempos de conmutacin depende de estos tiempos. El MOSFET no tiene tiempo de almacenaje como el bipolar, que es el mayor tiempo que este tiene en la conmutacin.

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Mosfet

Db R G
D G +

Fig. 1.21

CONMUTACIN CON CARGA INDUCTIVA a) Entrada en conduccin:

I LM

Vout
S

vG (t) _

a) Primera etapa Db

I LM

R G

D G +

Se admite que los principales mecanismos de prdidas en las conmutaciones del MOSFET se resumen en: a) Recuperacin inversa del diodo Db, cuando el MOSFET es accionado. b) La descarga del capacitor parsito CDS cuando entra en conduccin el MOSFET. c) Prdida de bloqueo debido a CDS.
1era Etapa: Circulacin libre

Vout
S

vG (t) _

Inicialmente el MOSFET se encuentra bloqueado y la corriente circula a travs del

b) Segunda etapa Db

diodo Db y la fuente Vout.

2da Etapa: Crecimiento de la corriente ID

I LM

R G

D G +

Vout
S

vG (t) _

El transistor es comandado a conducir en t= to. Luego cuando el voltaje de gatillo alcanza VTH, la corriente de dreno comienza a crecer mientras la corriente por Db comienza a disminuir. Esta etapa termina cuando la corriente de dreno llega al valor ILM. 3era Etapa: Comienzo de recuperacion inversa del diodo En esta etapa a corriente en Db tiene sentido contrario. Note que esta corriente se suma a la del transistor ocacionando ms prdidas, esta etapa termina cuando la corriente inversa del diodo es mxima. 4ta Etapa: Decrecimiento de la corriente de colector En la cuarta etapa la corriente inversa del diodo comienza a decrecer hasta anularse, entonces ID es constante e igual a ILM y VDS cae del valor mximo hasta aproximadamente cero. Se tiene que cuanto menor es la resistencia de gate menor es este intervalo.

c) Tercera etapa Db

I LM

R G

D G +

Vout
S

vG (t) _

d) Cuarta etapa

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Mosfet

Db
CONMUTACIN CON CARGA INDUCTIVA

I LM

R G

D G +

Vout
S

a) Conduccin a bloqueo: 1era Etapa: Transistor conduciendo

vG (t) _

a) Primera etapa Db

Inicialmente el MOSFET se encuentra conduciendo la corriente de fuente ILM.

2da Etapa: Crecimiento de la Tensin VDS

I LM

R G

D G +

vG (t) _

VDS >0
S

Vout b) Segunda etapa

El transistor es comandado a bloquearse, la corriente de dreno se mantiene constante mientras el voltaje VDS comienza a crecer.
3era Etapa: Decrecimiento de la corriente de dreno

Db R G
D G +

I D <I LM Vout

En esta etapa el voltaje VDS se hace igual a la tensin de fuente lo que hace que la corriente en Db comienze a crecer en desmedro de la corriente de dreno.
4ta Etapa: Circulacin libre

I LM

vG (t) _

VDS =V out
S

Db R G
D G +

c) Tercera etapa

En la cuarta etapa el diodo DB asume la corriente de la fuente por lo tanto, la corriente de dreno es cero.

I LM

Vout
S

vG (t) _

d) Cuarta etapa
Fig. 1.22

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Mosfet

PRDIDAS DE CONMUTACIN EN EL MOSFET. Prdidas de Entrada en Conduccin a) Debidas a la recuperacin del diodo

Vout
ILM+ IRM

vDS (t)
Recuperacin inversa del diodo

iD(t)
0 ta tb

La figura 1.23 muestra las curvas ideales de corriente de dreno y de la tensin VDS durante la entrada en conduccin. Se observa que el transistor es sometido simultaneamente a un aumento lineal de corriente de dreno mientras la tensin continua alta. Las curvas mostradas por la figura son una buena aproximacin de las curvas reales, por lo tanto de la figura se obtiene la siguiente expresin de prdidas de entrada en conduccin.

t + tb 3 t a + 2 tb Pdiodo = f S Vout I LM a + I RM 2 6
Aproximando ta = tRI, tiempo de subida de la corriente e Tb =10% de tFV, tiempo de caida del voltaje, datos de catalago.
b) Debidas a la capacitancia dreno-source( CDS )

Fig. 1.23

La capacitancia CDS es responsable por una parte de potencia disipada durante la entrada en conduccin. Mientras el MOSFET esta abierto, CDS esta cargado con voltaje Vout. En el inicio de la conduccin del MOSFET, durante el intervalo Tb, el voltaje en sus terminales decrece de Vout a cero, descargando el capacitor CDS. Esta descarga ocurre en el interior del MOSFET no siendo posible observar este fenomeno. Finalmente la expresin que representa las prdidas debidas a CDS es: 1

PCds =

f S C DS Vout 2

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - El Transistor Mosfet

Vout I LM
90% 90%

vDS(t)
Prdidas de bloqueo en el MOSFET

10%

10%

(t) D

t RV
Comando de Gate

t FI
t

(a)

D
Variacin Cuadrtica de la tensin VDS vDS (t)

I LM

El comportamiento del voltaje y la corriente en el MOSFET, durante el bloqueo, puede ser observado en la figuras al lado. Durante el intervalo de tiempo , (Fig 1.24b) la corriente iD(t), la cual es constante e igual a ILM, es dividida internamente en el MOSFET en dos partes complementares. La primera parte iQ(t) fluye a travs del MOSFET y la segunda, iC(t), recorre el capacitor CDS del componente. Se observa que solo en existen perdidas ya que despues la corriente es desviada totalmente para CDS y la corriente iQ es cero. Finalmente la prdida es dada por:
MOSFET

i C (t) i Q (t)

LM
i C (t) 0 i Q(t)

C DS

I 2 2 f S PBloq = LM 24 C DS

S
(b) Fig. 1.24

Considerase = a 10% de t RI

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - Clculo Trmico

CLCULO TRMICO EN REGIMEN PERMANENTE a) Un solo dispositivo en el disipador

Para el clculo trmico ser empleado el circuito equivalente representado en la figura al lado. Las variables representadas en la figura son definidas del siguiente modo: TJ temperatura de juntura (OC)

P(av)
Tj

R thjc
TC

R thcd
Td

Rthda

Ta

TC - temperatura de la capsula (OC) Ta temperatura ambiente (OC)

Td - temperatura del disipador (OC) P(AV) - potencia trmica producida por la corriente que circula en el dispositivo y siendo transferida al medio ambiente (W).
Fig. 1.25

RthJC - resistencia trmica entre juntura y capsula (OC /W) RthCD - resistencia trmica entre el componente y el disipador (OC /W) RthDA - resistencia trmica entre el disipador y el medio ambiente (OC /W) RthJA = RthJC+RthCD+RthDA - resistencia trmica entre la juntura y el ambiente.

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - Clculo Trmico

La equacin empleada para el clculo trmico de un componente es la siguiente: TJ - Ta = RthJA * P(AV) Existe una analogia con un circuito elctrico resistivo, representado por la Fig. 1.25.

R V1 I
Fig. 1.26

V2

El objetivo del clculo trmico es evitar que la temperatura mxima de juntura alcance valores prximos de la mxima temperatura permitida. Se adopta el siguiente procedimiento: a) P(AV) es calculado a partir de las caracteristicas del componente y de la corriente que por el circula. b) TJ - dato dado por el fabricante del componente. c) Ta - valor adoptado por el proyectista . d) con la expresin siguiente se determinan la resistencia trmica total.

Rthja =

T j Ta P(av )

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Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - Clculo Trmico

e) con la expresin dada anteriormente se determina la resistencia trmica del disipador.

R thda = R

thja

(R

thjc

+R

thcd

Ptot(av)1 Tj1 Ptot(av)2 Tj2

Rthjc1 Tc1 Rthjc2 Tc2

Rthcd1 Td1 Rthcd2 Td2 Td Rthda Ta

Las resistencias trmicas RthJC y RthCD son datos dados por el fabricante del dispositivo. Con un catlogo de disipadores se puede escoger el mas conveniente o el valor ms prximo.
b) Varios semiconductores en el mismo disipador

El diagrama de resistencias trmicas es mostrado por la figura al lado. Para determinar la resistencia trmica para este caso pueden ser considerados los siguientes criterios: A) - Calcular la temperatura del disipador, Td, para cada dispositivo de la siguiente manera:

Ptot(av)n Tjn

Rthjcn Tcn

Rthcdn Tdn

Td 1 = T j1 Ptot ( av )1 ( Rthjc1 + Rthcd 1 )

Td 2 = T j 2 Ptot ( av ) 2 ( Rthjc 2 + Rthcd 2 )

Tdn = T jn Ptot ( av ) n ( Rthjcn + Rthcdn )

Fig. 1.27

Luego tomar como temperatura del disipador,Td, el menor valor calculado de las ecuaciones anteriores.

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.

Captulo 1

Componentes Empleados En Electrnica de Potencia 1.3 - Clculo Trmico

Finalmente, la resistencia trmica del disipador es dada por la siguiente ecuacin:

Rthda =
B)

Td Ta Ptot ( av )1 + Ptot ( av )2 + ..... + Ptot ( av )n

Considerar inicialmente las temperaturas de juntura para todos los semiconductores, iguales y menores a la mxima temperatura de juntura (por ejemplo se recomienda admitir TJM =100OC). Una vez determinados los diferentes valores de temperatura del disipador con las tres ecuaciones dadas anteriormente, tomar la temperatura del disipador Td, como la media de los valores obtenidos:

T + Td 2 + .... + Tdn Td = d 1 n
Una vez calculado, Td, verificar si las temperaturas de juntura de cada semiconductor estan dentro del margen indicada por el fabricante en el catlogo. Si alguno esta arriba del mximo se debe reducir la temperatura Td, hasta que todos esten abajo del valor mximo permitido. Luego sustituir en la ecuacin que representa RthDA .

Prof. Domingo Ruiz Caballero Dr.Ing.