LAPORAN PRAKTIKUM

RANGKAIAN ELEKTRONIKA 1
MODUL 5
KARAKTERISTIK METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD
EFFECT TRANSISTOR (MOSFET)

Oleh :
KELOMPOK 9

Anggota :
1. 102120008 – Rafi Arya Pramana
2. 102120021 – Christoper Mora Tua Simbolon
3. 102120029 – Dennis Tan

Oleh:

Rafi Arya Pramana

102120008

Tanggal Praktikum:
4 Januari 2022

PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNOLOGI INDUSTRI
UNIVERSITAS PERTAMINA
JAKARTA
2021
 I TUJUAN
1. Menentukan karakteristik rangkaian MOSFET
2. Menenntukan karakteristiK kurva arus-tegangan pada MOSFET

II TOPIK PRAKTIKUM
5.1 Percobaan 5.1 : Pengukuran
5.1.1 Metodologi Percobaan 5.1.1 : Pengukuran
1. Multisim dijalankan,lalu rangkaian dibuat seperti pada gambar berikut
R1

1kΩ

- Idss
Q1 0.011m A DC 1e-009Ohm
+
BSV81

V1
18V

Gambar 5.1 Rangkaian Percobaan 5.1.1

2. Ammeter digunakan sebagai alat ukur arus
3. Nilai sumber tegangan diatur Vs menjadi 3 V
4. Simulasi dimulai lalu hasil pengukuran dicatat
5. Langkah percobaan diulangi untuk nilai Vs = 3,4,5,7,9,12,15, dan 18 v
5.1.2 Data Percobaan 5.1.1 : Pengukuran
Berikut merupakan tabel data yang didapat pada percobaan Pengukuran

Tabel 5.1 Data Percobaan Pengukuran IDss

3V 4V 5V 7V 9V 12 V 15 V 18 V
7.105 7.105 7.105 7.105 7.105 0.011
6.217µA 6.217µA
µA µA µA µA µA mA

5.2 Percobaan 2 : Pengukuran (

5.2.1 Metodologi Percobaan 5.1.2 : Pengukuran (

1. Multisim dijalankan lalu rangkaian dibuat seperti pada gambar berikut

2
 I: 0 A
I(p-p): 0 A
I(rms): 0 A
I(dc): 0 A
I(f req): --

V: -648 mV U2
V(p-p): 0 V A - + R2
PR2 A
V(rms): 0 V 0
V(dc): -648 mV 1Ω
V(f req): --
DC 1e-009Ohm

V1 R1 Q1
12V Key = A V BSV81
PR1 V3
1kΩ52.7 %
12V

U1
+
-0.648 V DC 10MOhm
-

V2
12V

Gambar 5.2 Rangkaian Percobaan 5.1.2

2. Atur nilai menjadi 12 V

3. Voltmeter digunakan sebagai alat ukur parameter dan ammeter

sebagai alat ukur parameter
4. Simulasi dimulai dan nilai R2 diatur hingga
5. Nilai dicatat pada tabel data percobaan
6. Bersamaan berjalannya simulasi.nilai R2 diatur hingga nilai = 0 mA
7. Nilai dicatat pada tabel percobaan
5.2.2 Data Percobaan 5.2.1 : Pengukuran (

Berikut ini merupakan data-data yang diperoleh pada percobaan 4.1.2

yang ditunjukkan pada tabel 5.2
Tabel 5.2 Data Percobaan Pengukuran
VGS ID
0V 5.329 µA
-0.648 V 0 A

5.3 Analisis
Pada percobaan 5.1
Nilai Idss pada saat Vs 3 V sebesar 6.217µA,lalu pada saat Vs diubah menjadi
4 V besar Idss sama dengan ketika Vs 3 V,lalu pada saat Vs diubah menjadi 5 V Idss
sebesar 7.105 µA.pada saat Vs diubah menjadi 7,9,12,15 V.Besar nilai Idss sama
seperti Vs diubah menjadi 5 V,sedangkan pada saaat Vs diubah menjadi 18 V. Idss

3
 akan menjadi sebesar 0.011 mA.
Pinch-off adalah kondisi ketika besar Ide menjadi terbatas karena besar Vds
semakin besar.Pada percobaan yang dilakukan dapat dilihat bahwa besar Idss
konstan(tidak berubah) pada saat Vs sebesar 7-15 Volt yang mana Idss dihasilkan
sebesar 7.105 µA.Dari percobaan diatas dapat disimpulkan bahwa saat Vs sebesar 7-
15 Volt,Channel atau MOSFET tersebut berada pada kondisi pinch-off
Pinch-off akan terjadi ketika kondisi tegangan Vds dinaikkan nilai
tegangannya,kondisi ketika Vgs = 0,akan terlihat daerah penipisan yang akan
terbentuk di persimpangan D-S dan G.Disisi drain deplesi akan besar,hal ini
dikarenakan drain adalah positif dan kecil pada sisi source yang bertegangan
negatif.Ketikan Vds meningkat,daerah penipisan akan melebar dan lebar saluran
dipersempit sehingga besar Idss yang dihasilkan akan konstan
Pada percobaan 5.2
Saat MOSFET dalam keadaan pinch-off, Nilai Vds terletak pada saat Vs
sebesar 7-15 Volt,Vgs = 0V,dan besar arus Idss yang dihasilkan akan konstan yaitu
sebesar 7.105 µA
Saat nilai Vgs = 0 maka nilai Id yang dihasilkan sebesar 5.329 µA. Pada n-
channel depletion MOSFET, saat Vgs = 0 kanal sudah terbentuk sehingga arus drain (Id)
dapat tetap mengalir ketika terdapat beda potensial Vds. Jika gate diberi potensial negatif,
maka elektron yang berada pada kanal akan tertolak. Jika terus diberi potensial
negatif yang lebih besar.

5.4 Percobaan 3 : Pengukuran Karakteristik

5.4.1 Metodologi Percobaan 3 : Pengukuran Karakteristik
1. Multisim dijalankan lalu ranrgkaian dibuat seperti pada gambar

4
 I: 267 uA
I(p-p): 0 A
I(rms): 0 A
I(dc): 267 uA
I(f req): --

A
PR1

Q1
BSV81 VDS
5V

VGS
2V

Gambar 5.3 Rangkaian Percobaan 5.1.3

2. Ammeter digunakan sebagai alat ukur arus
3. Nilai kemudian variasikan nilai dari 0-15 V,kemudian nilai
diukur
4. Langkah 3 diulangi untuk nilai yang berbeda 0V,2V,4V,6V,8,10V
5. Simulasi dimulai dan hasil data dicatat pada tabel data percobaan

5.4.2 Data Percobaan 3 : Pengukuran Karakteristik

Berikut adalah data yang didapat pada percobaan 3 pengukuran karakteristik

Tabel 5.3 Data Percobaan Pengukuran Karakteristik

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
5.94 5.94 5.94 5.94 5.94 5.94 5.94 5.94 5.94 5.94 5.94 5.94 5.94 5.94 5.94
0
µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
32.1 48.6 51 51 51 51 51 51 51 51 51 51 51 51 51
0
µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
58.4 101 128 140 140 140 140 140 140 140 140 140 140 140 140
0
µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
84.6 154 207 245 267 274 274 274 274 274 274 274 274 274 274
0
µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

5
 111 206 286 350 398 431 448 451 451 451 451 451 451 451 451
0
µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
137 259 364 455 529 588 632 660 672 673 673 673 673 673 673
0
µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ µ

5.5 Percobaan 5.1.4 : Pengukuran Karakteristik

5.5.1 Metodologi Percobaan 5.1.4 : Pengukuran Karakteristik
1. Rangkaian digunakan seperti pada gambar berikut
I: 267 uA
I(p-p): 0 A
I(rms): 0 A
I(dc): 267 uA
I(f req): --

A
PR1

Q1
BSV81 VDS
5V

VGS
6V

Gambar 5.4 Rangkaian Percobaan 5.1.4

2. Multimeter digunakan sebagai alat ukur
3. Nilai kemudian variasikan nilai = 0,2,...,8,10V,kemudian
nilai diukur
4. Hasil data dicatat pada tabel data percobaan

5.2.2 Data Percobaan 5.1.4 : Pengukuran Karakteristik

Berikut adalah data hasil percobaan pengukuran karakteristik
dapat dilihat pada tabel berikut

6
Tabel 5.4 Data Percobaan Pengukuran Karakteristik

0 5.94 µ
2 51 µ
4 140 µ
6 267 µ
8 398 µ
10 529 µ

5.6 Analisis
Pada percobaan 5.3
Percobaan karakteristik VDS-ID dilakukan dengan menghitung nilai ID dan VDS
dengan nilai VDS sebesar 5 V seperti terlihat pada Tabel 5.3,percobaan dilakukan
dengan menggunakan rangkaian seperti pada gambar berikut. Dari data yang diperoleh
dapat diplot grafik berdasarkan data sebagai berikut.

Karakteristik 𝑉𝐷𝑆−𝐼𝐷
0,0008
0,0007
0,0006
0,0005
0,0004
0,0003
0,0002
0,0001
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16

0V 2V 4V 6V 8V 10V

Gambar 5.5 Plot Grafik Percobaan Pengukuran Karakteristik VDS-IDE

Berdasarkan pada gambar kurva grafik diatas, didapat nilai Vp sebesar 2 V,nilai
Vgs akan menjadi sebesar 2 V saat kondisi Id = 0. Idss sebesar 5.94 µA sehingga nilai
Id dapat dihitung sebagai berikut

( )

( )

Dari perhitungan yang telah dilakukan didapat hasil sebesar

Pada percobaan 5.4

Percobaan karakteristik VGS-ID dilakukan dengan menghitung nilai ID dan VGS
dengan nilai VGS sebesar 5 V seperti terlihat pada Tabel 5.4, dan percobaan dilakukan
dengan menggunakan rangkaian seperti pada gambar berikut. Dari data yang diperoleh
diplot grafik berdasarkan data sebagai berikut.

7
 KARAKTERISTIK V GS -I D
0,0006

0,000529
0,0005

0,0004 0,000398

0,0003
0,000267

0,0002
0,00014
0,0001
0,000051
0 0,00000594
0 2 4 6 8 10 12

Gambar 5.6 Plot Grafik Percobaan Pengukuran Karakteristik VGS-ID

Berdasarkan pada gambar kurva grafik diatas, didapat nilai Vp sebesar 2 V,nilai
Vgs akan menjadi sebesar 2 V saat kondisi Id = 0. Idss sebesar 5.94 µA sehingga nilai
Id dapat dihitung sebagai berikut

( )

( )

Dari perhitungan yang telah dilakukan didapat hasil sebesar 0.Hal ini
membuktikan bahwa Idss = 0 adalah benar karena jika Vds memiliki beda potensial
sebesar 2 V maka nilai Id akan sama dengan 0.sedangkan pada percobaan nilai Vds
sebesar 5 V

5.7 Challenge
Challenge 1
1. Gantikan transistor pada rangkaian Percobaan 5.3 dan 5.4 dengan
komponen 2N7000.

8
 I: --
I(p-p): --
I(rms): --
I(dc): --
I(f req): --

A
PR1

Q1
2N7000
V2
12V

V1
12V

Gambar 5.7 Rangkaian Challenge

Tabel 5.6. Data Percobaan Pengukuran Karakteristik Input VGS - ID
V DS
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
(V) 0
ID
(pA)
(2N70 8. 16. 24. 32. 39. 45. 51. 57. 63. 69. 75. 81. 87 93 99
00) 0 16 2 2 2 6 6 6 7 7 7 8 7 .7 .7 .8
ID
(pA)
(BSV8 59 59 59 59 59 59 59 59 59 59 59 59 59 59 59
1) 0 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40

Gambar 8. Grafik challenge 1

Berdasarkan hasil pada grafik dan tabel tersebut dapat disimpulkan
bahwa pada transisror 2N7000 merupakan transistor model n-
channel enhancement karena saat VGS = 0V transistor tersebut tidak

9
 mengalirkan arus atau arus terputus (cut-off), sedangkan pada
transistor BSV81 merupakan transistor model n-channel depletion mode
karena walaupun saat kondisi VGS = 0V transistor masih dapat
mengalirkan arus atau masih terhubung (normally-on).
Tabel 5.7. pengujian nilai VGS
VGS -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
(V)

ID (pA) 31. 33. 35. 37. 39. 40.2 41.8 5030000 20100000
(2N700 6 6 6 6 6 0 0

0)
ID (pA) 5.01 5.01 104 902 594 2300 5100 90200 140000

(BSV81) 0 0 0 0 0

Pada transistor 2N7000 merupakan transistor jenis n-channel

enhancement mode maka nilai VGS yang membuat transistor on adalah
ketika Vgs sebesar 3 Volt, sedangkan pada transistor BSV81 yang
merupakan transistor depletion mode nilai VGS yang membuat transistor
on adalah saat Vgs sebesar -2 Volt.

III KESIMPULAN
Mosfet merupakan salah satu jenis dari transistor yang mempunyai terminal
gate terisolasi secara elektrik dari saluran konduktif drain dan source. Mosfet atau Metal
Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor merupakan jenis transistor efek medan
yang paling umum digunakan selain transistor biasa baik sebagai penguat maupun
saklar.pada daerah Cut-Off MOSFET tidak mendapatkan tegangan input (Vin = 0V)
sehingga tidak ada arus drain Id yang mengalir. Kondisi ini akan membuat tegangan Vds
= Vdd. Dengan beberapa kondisi diatas maka pada daerah cut-off ini MOSFET
dikatakan OFF (Full-Off). Kondisi cut-off ini dapat diperoleh dengan menghubungkan
jalur input (gate) ke ground, sehingga tidaka ada tegangan input yang masuk ke
rangkaian saklar MOSFET. Struktur inti MOSFET tersusun dari 3 lapis bahan: metal,
oksida, dan semikonduktor dengan kanal yang dapat dimodulasi. Dari jenis kanal
(channel) terdapat 2 tipe MOSFET, yaitu n-channel dan p-channel.
Kurva karakteristik dari arus-tegangan MOSFET memiliki 2 jenis struktur,
yaitu enhancement-mode dan depletion-mode, serta juga2 jenis channel yaitu n-
channel dan p-channel. Masing masing masing MOSFET tersebut memiliki keunikan,
pada pada MOSFET enhancement-mode (normally-OFF) yaitu akan off saat tidak
diberi tegangan pada VGS (VGS = 0), lalu pada MOSFET depletion-mode (normally-
ON) yaitu akan on walau pun VGS = 0, atau tidak diberi tegangan. Dan perbedaan n-
channel dan p-channel adalah pada arah arus yang mengalir. Jika pada n n-channel ID
adalah positif dan pada p-channel nilai Id adalah negative.

10
IV LAMPIRAN
Foto diri bersama rangkaian

11