Adoc - Pub - Laporan Praktikum Elektronika Dasar Disusun Oleh N 1

LAPORAN PRAKTIKUM
DASAR ELEKTRONIKA
Disusun Oleh:
Nama : 1. Sertu Reky Somantri
2. Sertu Andreas
3. Sertu Yenri Nur Ifan
NIM :
JURUSAN D3 TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS MUHAMMADIYAH MALANG
2015
LAPORAN PRAKTIKUM
ELEKTRONIKA DASAR
Disusun Oleh:
NAMA : .........................................
NIM : .........................................
JURUSAN D3 TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS MUHAMMADIYAH MALANG
2015
i
LEMBAR PERSETUJUAN
LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR
Disusun Oleh:
NAMA : .........................................
NIM : .........................................
Telah diperiksa, disetujui, dan disahkan oleh:
Malang, ................................
Mengetahui Instruktur
Ketua Lab Elektro
Ir. Diding Suhardi, MT Khusnul Hidayat, ST
ii
LEMBAR KEGIATAN ASISTENSI
NAMA : ...................................................................... Foto 3x4
NIM : ......................................................................
Percobaan Tanggal Catatan Asistensi TTD

1
2
3
4
5
6
7
8
Malang, .................................
Kepala Lab. Elektro
Ir. Diding Suhardi, MT
iii
KATA PENGANTAR
Puji dan syukur senantiasa kita panjatkan ke hadirat Allah SWT atas segala nikmat,
kekuatan, taufik serta hidayah-Nya. Shalawat serta salam semoga tercurah kepada Rasulullah
SAW, keluarga sahabat dan para pengikut setianya, Amin. Atas kehendak Allah sajalah, penulis
dapat menyelesaikan modul praktikum ini.
Praktikum elektronika dasar merupakan pengimplementasian praktik untuk menerapkan

teori yang sudah dipelajarai dalam mata kuliah Elektonika Dasar. Tentunya ilmu yang akan
didapatkan dalam prkatikum ini akan lebih bertambah dan lebih berkembang jika parkatikum ini
dilaksanakan dengan sebaik-baiknya. Kesungguhan dan ketertiban dalam melakukan praktikum
merupakan prasyarat utama untuk mecpai keberhasilan praktikum anda.
Akhir kata semoga buku ini dapat bermanfaat di masa sekarang dan masa mendatang.
Sebagai manusia yang tidak luput dari kesalahan, maka penulis mohon maaf apabila ada
kekeliruan baik yang sengaja maupun yang tidak sengaja.
Malang, 21 Desember 2015
Penulis
iv
TATA TERTIB
1. Setiap praktikan wajib memiliki buku petunjuk praktikum dengan satu lembar pas foto
ukuran 3x4 cm.
2. Laporan praktikan harus menggunakan tinta warna biru.
3. Praktikan harus berpakaian rapi serta sopan dan bersepatu pada waktu praktikum.
4. Sebelum mengerjakan praktikum, praktikan wajib mengumpulkan tugas pendahuluan.
5. Kerusakan alat yang disebabkan oleh kesalahan praktikan, menjadi tanggung jawab
kelompok praktikan.
6. Pada akhir praktikum, praktikan diwajibkan menyusun buku laporan praktikum yang
merupakan kumpulan laporan setiap percobaan.
7. Praktikan wajib mengikuti keseluruhan percobaan.
v
DAFTAR ISI
LEMBAR PERSETUJUAN........................................................................................................................ii
LEMBAR KEGIATAN ASISTENSI............................................................................................................iii
KATA PENGANTAR...............................................................................................................................iv
TATA TERTIB.........................................................................................................................................v
DAFTAR ISI...........................................................................................................................................vi
DAFTAR TABEL......................................................................................................................................x
DAFTAR GAMBAR................................................................................................................................xi
1 RESISTOR, HUKUM OHM, DAN KIRCHHOFF................................................................................1
1.1 Tujuan................................................................................................................................1
1.2 Instrumen yang Digunakan................................................................................................1
1.3 Teori...................................................................................................................................1
1.3.1 Resistor....................................................................................................................1
1.3.2 Rangkaian Resistor Seri dan Paralel........................................................................3
1.3.3 Hukum Ohm............................................................................................................4
1.3.4 Hukum Kirchhoff......................................................................................................4
1.4 Tugas Pendahuluan...........................................................................................................6
1.5 Langkah Percobaan............................................................................................................6
1.5.1 Percobaan Karakteristik Resistor dan Hukum Ohm................................................6
1.5.2 Percobaan Rangkaian Seri dan Hukum Kirchhoff Tegangan...................................7
1.5.3 Percobaan Rangkaian Paralel dan Hukum Kirchhoff Arus......................................7
1.6 Data Percobaan.................................................................................................................8
1.6.1 Data Hasil Pengukuran............................................................................................8
1.6.2 Data Hasil Perhitungan............................................................................................9
1.7 Analisa Data.....................................................................................................................10
1.8 Kesimpulan......................................................................................................................11
2 KARAKTERISTIK DIODA SEMIKONDUKTOR.................................................................................12
2.1 Tujuan..............................................................................................................................12
2.2 Instrumen yang Digunakan..............................................................................................12
2.3 Teori.................................................................................................................................12
2.3.1 Bahan Semikonduktor...........................................................................................12
2.3.2 Ikatan Kovalen (Covalent Bonding) dan Bahan Intrinsik.......................................13
2.3.3 Sambungan PN (PN Junction)................................................................................15
2.3.4 Dioda.....................................................................................................................16
vi
2.3.5 Kurva Karakteristik Dioda......................................................................................17
2.4 Tugas Pendahuluan..........................................................................................................18
2.5 Prosedur Percobaan........................................................................................................18
2.6 Data Percobaan...............................................................................................................19
2.7 Analisa Data.....................................................................................................................21
2.8 Kesimpulan......................................................................................................................22
3 RANGKAIAN DIODA SEBAGAI PENYEARAH................................................................................23
3.1 Tujuan..............................................................................................................................23
3.3 Teori.................................................................................................................................23
3.3.1 Penyearah Setengah Gelombang..........................................................................23
3.3.2 Penyearah Gelombang Penuh Metode Bridge.....................................................25
3.4 Penyearah Gelombang Penuh Dengan Travo CT (Center Tapped).................................26
3.6.1 Penyearah Setengah Gelombang..........................................................................27
3.6.2 Penyearah Gelombang Penuh Dengan Metode Bridge........................................27
3.6.3 Penyearah Gelombang Penuh Dengan Trafo CT...................................................28
3.7 Data Percobaan...............................................................................................................28
3.7.1 Percobaan Penyearah Setengah Gelombang........................................................28
3.7.2 Percobaan Penyearah Gelombang Penuh Metode Bridge...................................29
3.7.3 Percobaan Penyearah Gelombang Penuh Dengan Trafo CT.................................30
3.8 Analisa..............................................................................................................................32
3.9 Kesimpulan......................................................................................................................33
4 RANGKAIAN DIODA CLIPPER DAN CLAMPER.............................................................................34
4.1 Tujuan..............................................................................................................................34
4.3 Teori.................................................................................................................................34
4.3.1 Clipper...................................................................................................................34
4.3.2 Clamper.................................................................................................................36
4.5.1 Clipper Seri............................................................................................................37
4.5.2 Clipper Parallel......................................................................................................37
4.5.3 Clipper Seri Dibias..................................................................................................37
4.5.4 Clipper Parallel Dibias............................................................................................37
vii
4.5.5 Clamper.................................................................................................................38
4.5.6 Clamper Dibias.......................................................................................................38
4.6 Data Percobaan...............................................................................................................39
4.6.1 Data Rangkaian Clipper Seri..................................................................................39
4.6.2 Data Rangkaian Clipper Parallel............................................................................40
4.6.3 Data Clipper Seri Dibias.........................................................................................41
4.6.4 Clipper Parallel Dibias............................................................................................42
4.6.5 Clamper.................................................................................................................43
4.6.6 Clamper Dibias.......................................................................................................44
4.7 Analisa..............................................................................................................................45
4.8 Kesimpulan......................................................................................................................46
5 KARAKTERISTIK DIODA ZENER DAN REGULASI TEGANGAN......................................................47
5.1 Tujuan..............................................................................................................................47
5.3 Teori.................................................................................................................................47
5.3.1 Sumber Tegangan dan Beban Tetap.....................................................................49
5.3.2 Sumber Tegangan Tetap dan Beban Bervariasi....................................................51
5.3.3 Sumber Tegangan Bervariasi dan Beban Tetap....................................................52
5.5.1 Karakteristik Dioda Zener......................................................................................52
5.5.2 Regulasi Tegangan.................................................................................................53
5.6 Data Percobaan...............................................................................................................53
5.7 Analisa..............................................................................................................................56
5.8 Kesimpulan......................................................................................................................57
6 Karakteristik LED........................................................................................................................58
6.1 Tujuan..............................................................................................................................58
6.2 Instrumen Yang Digunakan..............................................................................................58
6.3 Teori.................................................................................................................................58
6.6 Data Percobaan...............................................................................................................60
6.7 Analisa..............................................................................................................................62
6.8 Kesimpulan......................................................................................................................63
7 KARAKTERISTIK KONFIGURASI KOLEKTOR BERSAMA PADA BJT................................................64
7.1 Tujuan..............................................................................................................................64
viii
7.3 Teori.................................................................................................................................64
7.3.1 Konstruksi Transistor.............................................................................................64
7.3.2 Operasi Transistor.................................................................................................65
7.3.3 Konfigurasi Common-Base....................................................................................66
7.3.4 Konfigurasi Common-Emitter................................................................................68
7.3.5 Konfigurasi Common-Collector.............................................................................71
7.6 Data Percobaan...............................................................................................................73
7.7 Ananlisa............................................................................................................................74
7.8 Kesimpulan......................................................................................................................75
8 TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR ELEKTRONIK..............................................................................76
8.1 Tujuan..............................................................................................................................76
8.3 Teori.................................................................................................................................76
8.3.1 Konfigurasi Prategangan Tetap (Fixed-Bias).........................................................76
8.3.2 Transistor Sebagai Saklar Elektronik.....................................................................77
8.6 Data Percobaan...............................................................................................................79
8.7 Ananlisa............................................................................................................................80
8.8 Kesimpulan......................................................................................................................81
ix
DAFTAR TABEL
Tabel 1.1 Nilai warna pada cincin resistor...........................................................................................2

Tabel 1.2 Percobaan karakteristik resistor dan hukum Ohm..............................................................8
Tabel 1.3 Percobaan rangkaian seri dan hukum Kirchhoff tegangan..................................................8
Tabel 1.4 Percobaan rangkaian paralel dan hukum Kirchhoff arus....................................................8
Tabel 1.5 Perhitungan percobaan hukum Ohm..................................................................................9
Tabel 1.6 Perhitungan percobaan rangkaian seri dan hukum Kirchhoff tegangan.............................9
Tabel 1.7 Perhitungan percobaan rangkaian paralel dan hukum Kirchhoff arus...............................9
Tabel 2.1 Hasil pengukuran percobaan karakteristik dioda..............................................................19
Tabel 3.1 Tegangan penyearah setengah gelombang.......................................................................28
Tabel 3.2 Tegangan penyearah gelombang penuh metode bridge..................................................30
Tabel 3.3 Tegangan penyearah gelombang penuh dengan trafo CT................................................30
Tabel 3.4 Rippel Factor......................................................................................................................31
Tabel 5.1 Data pengukuran karakteristik zener................................................................................54
Tabel 5.2 Data regulasi zener pada praktik dan teori dengan 𝑅𝐿 = 200 Ω.....................................55
Tabel 5.3 Data regulasi zener pada praktik dan teori dengan 𝑅𝐿 = 680 Ω.....................................55
Tabel 6.1 Light-Emitting Diodes.........................................................................................................59
Tabel 6.2 Data karakteristik LED saat bias maju................................................................................60
Tabel 7.1 Data percobaan karakteristik kolektor bersama...............................................................73
Tabel 8.1 Data percobaan transistor sebagai saklar.........................................................................79
x
DAFTAR GAMBAR
Gambar 1.1 Urutan cincin warna pada resistor..................................................................................1

Gambar 1.2 Resistor 4 cincin warna....................................................................................................2
Gambar 1.3 Resistor 5 cincin warna....................................................................................................3
Gambar 1.4 Rangkaian resistor secara seri.........................................................................................3
Gambar 1.5 Rangkaian resistor secara paralel....................................................................................3
Gambar 1.6 Diagram hukum Ohm......................................................................................................4
Gambar 1.7 Ilustrasi KVL pada single-loop..........................................................................................4
Gambar 1.8 Ilustrasi penerapan hukum Kirchhoff pada rangkaian paralel........................................5
Gambar 1.9 Resistor dan kode warnanya...........................................................................................6
Gambar 1.10 Rangkaian resistor seri dan paralel...............................................................................6
Gambar 1.11 Rangkaian percobaan hukum Ohm...............................................................................6
Gambar 1.12 Rangkaian resistor secara seri.......................................................................................7
Gambar 1.13 Percobaan rangkaian paralel.........................................................................................8
Gambar 2.1 Struktur atom (a) silicon, (b) germanium, dan (c) gallium dan arsenic.........................13
Gambar 2.2 Ikatan kovalen pada atom silicon..................................................................................14
Gambar 2.3 Ikatan kovalen pada kristal GaAs...................................................................................14
Gambar 2.4 Pasangan elektron-lubang (electron-hole pair).............................................................15
Gambar 2.5 Material tipe-N dan tipe-P.............................................................................................16
Gambar 2.6 Distribusi muatan saat sambungan PN tidak terbias....................................................16
Gambar 2.7 Simbol dioda..................................................................................................................16
Gambar 2.8 (a) aliran arus dapat mengalir. (b) aliran arus tidak dapat mengalir............................17
Gambar 2.9 Pengukuran tegangan pada rangkaian dioda: (a) Forward biased (b) Reverse biased
.17 Gambar 2.10 Bertambahnya forward-bias dari (a) ke (b)...........................................................17
Gambar 2.11 Karakteristik tegangan dan arus pada dioda...............................................................18
Gambar 2.12 Percobaan karakteristik dioda saat (a) forward bias (b) reverse bias.........................19
Gambar 2.13 Kurva karakteristik dioda saat forward bias................................................................20
Gambar 2.14 Kurva karakteristik dioda saat reverse bias.................................................................20
Gambar 3.1 Rangkaian penyearah setengah gelombang.................................................................24
Gambar 3.2 Penyearah gelombang penuh metode bridge...............................................................25
Gambar 3.3 Penyearah gelombang penuh dengan trafo CT.............................................................26
Gambar 3.4 Kondisi rangkaian saat sinyal input setengah siklus positif...........................................26
Gambar 3.5 Kondisi rangkaian saat sinyal input setengah siklus negatif.........................................26
Gambar 3.6 Percobaan penyearah setengah gelombang.................................................................27
Gambar 3.7 Percobaan penyearah gelombang penuh.....................................................................28
Gambar 3.8 Percobaan penyearah gelombag penuh dengan trafo CT.............................................28
Gambar 3.9 Gelombang tegangan lilitan sekunder trafo..................................................................29
Gambar 3.10 Tegangan keluaran penyearah setengah gelombang.................................................29
Gambar 3.11 Tegangan keluaran penyearah gelombang penuh metode bridge.............................30
Gambar 3.12 Tegangan keluaran penyearah gelombang penuh dengan trafo CT...........................31
Gambar 4.1 Clipper seri (a) negatif dan (b) positif............................................................................35
Gambar 4.2 Clipper parallel (a) negatif dan (b) positif......................................................................35
Gambar 4.3 Clipper seri dibias (a) negatif dan (b) positif.................................................................35
Gambar 4.4 Clipper parallel dibias (a) negatif dan (b) positif...........................................................36
xi
Gambar 4.5 Clamper (a) positif dan (b) negatif.................................................................................36
Gambar 4.6 Clamper dibias (a) positif dan (b) negatif......................................................................37
Gambar 5.1 Karakteristik kurva V-I dari dioda zener yang umum....................................................48
Gambar 5.2 Rangkaian equivalen dioda zener..................................................................................48
Gambar 5.3 Regulator menggunakan zener.....................................................................................49
Gambar 5.4 Menentukan kondisi dioda zener..................................................................................50
Gambar 5.5 Mensubstitusikan equivalen zener untuk kondisi “on”................................................50
Gambar 5.6 Rangakain regulasi dioda zener.....................................................................................52
Gambar 5.7 Rangkaian percobaan karakteristik zener.....................................................................53
Gambar 5.8 Rangkaian percobaan regulasi zener.............................................................................53
Gambar 5.9 Kurva kerakteristik dioda zener saat bias mundur........................................................55
Gambar 6.1 (a) Proses pembangkitan cahaya pada LED; (b) Simbol skematik.................................59
Gambar 6.2 Pita konduksi dan valensi pada isolator, semikonduktor, dan konduktor....................59
Gambar 6.3 Rangkaian percobaan karakteristik LED........................................................................60
Gambar 6.4 Kurva karakteristik LED saat bias maju..........................................................................61
Gambar 7.1 Tipe transistor: (a) pnp; (b) npn.....................................................................................64
Gambar 7.2 Prategangan pada transistor: (a) bias maju; (b) bias mundur.......................................65
Gambar 7.3 Aliran arus pembawa mayoritas dan minoritas............................................................65
Gambar 7.4 Notasi dan simbol pada common-base: (a) transistor pnp; (b) transistor npn.............66
Gambar 7.5 Karakteristik input amplifier konfigurasi CB..................................................................67
Gambar 7.6 Karakteristik outpu amplifier konfigurasi CB.................................................................67
Gambar 7.7 Arus saturasi mundur....................................................................................................68
Gambar 7.8 Notasi dan simbol pada common-emitter: (a) transistor npn; (b) transistor pnp........69
Gambar 7.9 Karakteristik common-emitter: (a) kolektor; (b) basis..................................................70
Gambar 7.10 Kondisi rankaian saat saat arus basis samadengan nol...............................................70
Gambar 7.11 Notasi dan simbol pada common-collector: (a) transistor pnp; (b) transistor npn....72
Gambar 7.12 Percobaan karakteristik kolektor bersama.................................................................72
Gambar 7.13 Kurva karakteristik kolektor bersama.........................................................................73
Gambar 8.1 Inverter transistor..........................................................................................................78
Gambar 8.2 Rangkaian inverter untuk tugas pendahuluan..............................................................78
Gambar 8.3 Percobaan transistor sebagai saklar..............................................................................79
xii
1 RESISTOR, HUKUM OHM, DAN KIRCHHOFF
1.1 Tujuan
1) Mampu mengenali bentuk dan jenis resistor.
2) Mampu menghitung nilai resistansi melalui urutan cincin warnanya.
3) Mampu merangkai resistor secara seri maupun paralel.
4) Memahami penggunaan hukum ohm pada rangkaian resistor.
5) Mampu menerapkan hukum Kirchhoff pada rangkaian seri dan parallel.
1.2 Instrumen yang Digunakan

1) Power-supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung
1.3 Teori
1.3.1 Resistor
Resistor adalah komponen dasar elektronika yang digunakan untuk membatasi jumlah arus
yang mengalir dalam suatu rangkaian. Resistor bersifat resistif dan umumnya terbuat dari bahan
karbon. Satuan resistansi dari suatu resistor disebut Ohm atau dilambangkan dengan simbol Ω
(Omega).Bentuk resistor yang umum adalah seperti tabung dengan dua kaki yang saling
bersebrangan. Pada badannya terdapat lingkaran membentuk cicin kode warna untuk
mengetahui besar resistansi tanpa mengukur besarnya dengan Ohmmeter. Kode warna tersebut
adalah standar manufaktur oleh EIA (Electronic Industries Association) seperti yang ditunjukkan
pada Gambar 1.1 dan Tabel 1.1 dibawah.
Gambar 1.1 Urutan cincin warna pada resistor
1
Besarnya resistor sangat tergantung dengan watt atau daya maksimum yang mampu
ditahan oleh resistor. Umumnya dipasar tersedia ukuran ⅛, ¼, ½, 1, 2, 5, 10, dan 20 watt. Resistor
yang memiliki daya maksimum 5, 10, dan 20 watt umumnya berbentuk balok berwarna putih dan
nilai resistansinya dicetak langsung dibadannya.
Tabel 1.1 Nilai warna pada cincin resistor

Cincin VI
Warna Cincin I Cincin II Cincin III Cincin IV Cincin V
Koefisien
Cincin Angka ke-1 Angka ke-2 Angka ke-3 Pengali Toleransi
Suhu
Hitam 0 0 0 100
Coklat 1 1 1 101 1% 100ppm
Merah 2 2 2 102 2% 50ppm
Jingga 3 3 3 103 15ppm
Kuning 4 4 4 104 25ppm
Hijau 5 5 5 105 0.5%
Biru 6 6 6 106 0.25%
Ungu 7 7 7 107 0.1%
Abu-abu 8 8 8 108
Putih 9 9 9 109
Emas 10-1 5%
Perak 10-2 10%
Tanpa
20%
warna
Contoh 1.1
Berapakah nilai hambatan resistor karbon pada Gambar 1.2.
Gambar 1.2 Resistor 4 cincin warna

Jawaban:
Urutan cincin warna pada resistor diatas adalah coklat, hitam, merah, dan emas.
Coklat Hitam Merah Emas Nilai Hasil
1 0 102 5% 1kΩ 5%
2
Contoh 1.2
Berapakah nilai hambatan resistor metal-film pada Gambar 1.3.
Gambar 1.3 Resistor 5 cincin warna

Jawaban:
Urutan cincin warna pada resistor diatas adalah coklat, hitam, coklat, hitam, dan coklat.
Coklat Hitam Coklat Hitam Coklat Nilai Hasil
1 0 1 100 1% 101Ω 1%
1.3.2 Rangkaian Resistor Seri dan Paralel
Rangkaian resistor secara seri akan mengakibatkan nilai resistansi total semakin besar. Di
bawah ini contoh resistor yang dirangkai secara seri.
Gambar 1.4 Rangkaian resistor secara seri
Pada rangkaian resistor seri seperti pada Gambar 1.4 berlaku rumus:
𝑅𝑇o𝑡𝑎𝑙 = 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅1 (1.1)
Rangkaian resistor secara paralel akan mengakibatkan nilai resistansi pengganti semakin
kecil. Di bawah ini contoh resistor yang dirangkai secara paralel.
Gambar 1.5 Rangkaian resistor secara paralel
Pada rangkaian resistor paralel berlaku rumus:
1 1 1 1
= + + (1.2)
𝑅𝑇o𝑡𝑎𝑙 𝑅1 𝑅2 𝑅3
3
1.3.3 Hukum Ohm
Dari hukum Ohm diketahui bahwa tegangan berbanding lurus dengan jumlah arus yang
mengalir melalui resistor tersebut. Jika tegangannya double maka arus yang mengalir juga double,
jika tegangan triple maka arus yang mengalir juga tripe.
Gambar 1.6 Diagram hukum Ohm
𝑉 = 𝐼𝑅 (1.3)
dimana 𝑉 = beda potensial, Volt

𝐼 = arus, Ampere
𝑅 = resistansi, Ohm
𝑃 = daya, Watt
1.3.4 Hukum Kirchhoff
Hukum Kirchhoff pada rangkaian seri atau sering disebut Kirchhoff’s Voltage Law (KVL)
berbunyi: selisih tegangan sumber dengan jumlah tegangan jatuh pada masing-masing beban
adalah nol. Untuk mengilustrasikan KVL, meninjau rangkaian pada Gambar 1.7. Langkah pertama
adalah membari tanda polaritas tegangan pada masing-masing beban. Maka tegangannya akan
menjadi −𝑣1, +𝑣2, +𝑣3, −𝑣4, dan +𝑣5.
Gambar 1.7 Ilustrasi KVL pada single-loop
4
Jadi, dengan KVL akan menghasilkan
−𝑣1 + 𝑣2 + 𝑣3 − 𝑣4 + 𝑣5 = 0 (1.4)
Dimana 𝑣1 dan 𝑣4 adalah tegangan sumber, 𝑣2, 𝑣3, dan 𝑣5 adalah tegangan jatuh pada
beban.
𝑣2 + 𝑣3 + 𝑣5 = 𝑣1 + 𝑣4 (1.5)
Pada rangkaian seri, arus yang mengalir pada masing-masing beban sama besarnya dengan
arus pada rangkaian.
i = i1 = i2 + i3 (1.6)
maka
i𝑅2 + i𝑅3 + i𝑅5 = 𝑣1 + 𝑣4 (1.7)

dan
𝑣1 + 𝑣4
i= (1.8)
𝑅2 + + 𝑅5
𝑅3
Sedangkan hukum Kirchhoff pada rangkaian paralel atau sering disebut Kirchhoff’s Current
Law (KCL) berbunyi: jumlah arus yang mengalir menuju satu titik sama dengan jumlah arus yang
keluar dari titik tersebut.
Gambar 1.8 Ilustrasi penerapan hukum Kirchhoff pada rangkaian paralel
(1.9)
𝐼𝑇o𝑡𝑎𝑙 − 𝐼𝑅1 − 𝐼𝑅2 − 𝐼𝑅3 = 0
(1.10)
𝐼𝑇o𝑡𝑎𝑙 = 𝐼𝑅1 + 𝐼𝑅2 + 𝐼𝑅3
Pada Gambar 1.5, tegangan yang jatuh pada masing-masing beban samadengan tegangan
sumber.
𝑉𝑠 = 𝑉𝑅1 = 𝑉𝑅2 = 𝑉𝑅3 (1.11)
5
1.4 Tugas Pendahuluan
1) Hitunglah nilai tahanan masing-masing resistor pada Gambar 1.9 berikut:
(a)
(b) (b)
Gambar 1.9 Resistor dan kode warnanya
2) Hitunglah 𝑅𝑎𝑏 dan 𝑅𝑐𝑑 pada Gambar 1.10 berikut:
Gambar 1.10 Rangkaian resistor seri dan paralel
1.5 Langkah Percobaan
1.5.1 Percobaan Karakteristik Resistor dan Hukum Ohm
1) Buatlah rangkaian seperti Gambar 1.11 dengan R =.........Ω.
Gambar 1.11 Rangkaian percobaan hukum Ohm

2) Sumber tegangan 𝑉𝑠 =.........Volt.
3) Catat besar arus yang mengalir.
4) Ulangi percobaan di atas sebanyak tiga kali dengan mengganti nilai tahanan tanpa
merubah tegangan sumber.
5) Ulangi langkah ke-1 sampai ke-4 sebanyak tiga kali dengan merubah tegangan power
supply dan urutan nilai tahannya sama dengan percobaan sebelumnya.
6) Catat hasilnya pada Tabel 1.2.
6
1.5.2 Percobaan Rangkaian Seri dan Hukum Kirchhoff Tegangan
1) Susunlah rangkaian seperti Gambar 1.12 dibawah ini.
Gambar 1.12 Rangkaian resistor secara seri
2) Ukurlah nilai resistansi pada masing-masing resistor.

3) Ukurlah besar nilai resistansi total pada rangkai tersebut (RTotal).
4) Tegangan sumber VS =........Volt.
5) Ukurlah besar arus yang mengalir pada rangkaian ITotal, VR1 dan VR2.
6) Catat semua hasil pengukuran pada Tabel 1.3.
1.5.3 Percobaan Rangkaian Paralel dan Hukum Kirchhoff Arus
1) Susunlah rangkaian seperti Gambar 1.13.

2) Ukurlah nilai resistansi pada masing-masing resistor .
3) Ukurlah nilai resistansi pengganti (RT) pada rangkaian.
4) Berilah tegangan sebesar VS =........Volt.
5) Ukurlah besar arus yang mengalir pada rangkaian ITotal, IR1, dan IR2.
6) Catat semua hasil pengukuran pada Tabel 1.4
7
Gambar 1.13 Percobaan rangkaian paralel
1.6 Data Percobaan
1.6.1 Data Hasil Pengukuran
Tabel 1.2 Percobaan karakteristik resistor dan hukum Ohm

Tahanan yang digunakan (Ω)
Tegangan
R1 R2 R3
No power supply
(V)
Arus yang mengalir (mA)
1
2
3
Tabel 1.3 Percobaan rangkaian seri dan hukum Kirchhoff tegangan

VS (V) R1 (Ω) R2 (Ω) RT (Ω) VR1 (V) VR2 (V) IT (mA)
Tabel 1.4 Percobaan rangkaian paralel dan hukum Kirchhoff arus

VS (V) R1 (Ω) R2 (Ω) RT (Ω) IR1 (mA) IR2 (mA) IT (mA)
8
1.6.2 Data Hasil Perhitungan
Tabel 1.5 Perhitungan percobaan hukum Ohm

Tahanan yang digunakan (Ω)
Tegangan Sumber R1 R2 R3
No
(V)
Arus yang mengalir (mA)
1
2
3
Tabel 1.6 Perhitungan percobaan rangkaian seri dan hukum Kirchhoff tegangan
VS (V) R1 (Ω) R2 (Ω) RT (Ω) VR1 (V) VR2 (V) IT (mA)
Tabel 1.7 Perhitungan percobaan rangkaian paralel dan hukum Kirchhoff arus
VS (V) R1 (Ω) R2 (Ω) RT (Ω) IR1 (mA) IR2 (mA) IT (mA)
9
1.7 Analisa Data
10
1.8 Kesimpulan
11
2 KARAKTERISTIK DIODA SEMIKONDUKTOR
2.1 Tujuan
1) Mengetahui komponen elektronika dioda semikonduktor
2) Mengetahui karakteristik dioda semikonduktor

1) Power supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung
2.3 Teori
2.3.1 Bahan Semikonduktor

Setiap komponen elektronika diskrit atau IC (integrated circuit) terbuat dari bahan
semikonduktor sebagai bahan utamanya. Secara umum, bahan semikonduktor terbagi menjadi
dua: kristal tunggal (single-cystal) dan campuran (compound). Semikonduktor single-crystal adalah
germanium (Ge) dan silicon (Si) yang memiliki struktur atom yang sama, sedangkan
semikonduktor campuran seperti gallium arsenide (GaAs), cadmium sulfide (Cds), gallium nitride
(GaN), dan gallium arsenide phosphide (GaAsP) yang kesemua terbuat dari dua atau lebih bahan
semikonduktor yang memiliki struktur atom berbeda. Tiga bahan semikonduktor yang paling
sering digunakan untuk membuat komponen elektronika adalah Ge, Si, dan GaAs.
Pada awal penemuan dioda tahun 1939 dan transistor pada tahun 1947, bahan germanium
digunakan untuk membuat dioda dan transistor, karena germanium sangat mudah didapat dan
sangat banyak jumlahnya. Pada awal mula pembuatan dioda dan transistor dengan bahan
germanium, sangat buruk tingkat kehandalannya terutama karena sangat sensitif terhadap
perubahan suhu. Akhirnya para ilmuan mencoba dengan bahan lain yaitu silicon, dan cukup
berhasil membuat dioda dan transistor yang tidak terlalu sensitif terhadap perubahan suhu, tapi
proses penyulingan untuk membuat silicon dari tingkat yang sangat tinggi kemurniannya masih
sangat sulit dan masih tahap pengembangan. Akhirnya pada tahun 1954, transistor pertama dari
bahan silicon telah dibuat dan silicon dengan cepat menjadi bahan semikonduktor pilihan karena
selain tidak begitu terpengaruh dengan perubahan suhu, bahan silicon juga sangat berlimpah.
Seiring waktu berjalan, komputer dituntut dapat beroperasi pada kecepatan sangat tinggi,
maka bahan semikonduktor harus mampu memenuhi kubutuhan tersebut. Akhirnya pada tahun
12
1970-an transistor dengan bahan GaAs dikembangkan dan transistor baru ini memiliki kecepatan
operasi hingga lima kali lipat dari Si, kerana proses penyulingan kemurnian GaAs masih sangat
susah harganya jauh lebih mahal daripada SI. Hingga sampai sekarang GaAs masih terus
dikembangkan dan digunakan sebagai bahan dasar desain rangkain VLSI (very large scale
integrated) dengan kecepatan tinggi.
2.3.2 Ikatan Kovalen (Covalent Bonding) dan Bahan Intrinsik

Untuk memahami mangapa Si, Ga, dan GaAs dipilih sebagai bahan semikonduktor untuk
industri elektronik memerlukan beberapa pemahaman tentang struktur atom dan bagaimana
atom dapat terikat untuk membentuk struktur kristal. Komponen fundamental dari sebuah atom
adalah elektron, proton, dan neutron. Proton dan neutron membentuk inti atau sering disebut
sebagai nucleus, dan elektron berada pada orbit yang tetap di sekitar inti. Model Bohr untuk tiga
bahan semikonduktor ditunjukkan pada Gambar 2.1.
Gambar 2.1 Struktur atom (a) silicon, (b) germanium, dan (c) gallium dan arsenic
Di dalam fisika atom, model Bohr adalah model atom yang diperkenalkan oleh Niels Bohr
pada tahun 1913. Model ini manggambarkan atom sebagai sebuah inti kecil bermuatan positif
yang dikelilingi oleh elektron yang bergerak dalam orbit sirkular mengelilingi inti, mirip sistem tata
surya, tetapi peran gaya gravitasi digantikan oleh gaya elektrostatik.
Seperti terlihat pada Gambar 2.1, silicon mempunyai 14 elektron, germanium memiliki 32
elektron, gallium memiliki 31 elektron, dan arsenic memiliki 33 elektron. Untuk germanium dan
silicon, mereka memiliki empat elektron di orbit terluar, atau sering disebut sebagai elektron
13
valensi
14
(valence electrons). Gallium memiliki tiga elektron valensi dan arsenic memiliki lima elektron
valensi. Atom yang memiliki empat elektron valensi disebut tetravalent, begitu juga yang memiliki
tiga elektron valensi disebut trivalent, dan yang lima disebut pentavalent. Dalam bidang kimia,
elektron valensi adalah elektron-elektron sebuah atom yang dapat ikut membentuk ikatan kimia
dengan atom lainnya. Elektron-elektron valensi yang terdapat di sebuah atom netral bebas dapat
berikatan dengan elektron-elektron valensi atom lain untuk membentuk ikatan kimia.
Gambar 2.2 Ikatan kovalen pada atom silicon

Pada kristal silicon atau germanium yang masih murni (intrinsik), satu atom memiliki empat
elektron valensi yang membentuk ikatan kovalen dengan empat elektron yang berdekatan,
seperti ditunjukkan pada Gambar 2.2. Iktan kovalen adalah sejenis ikatan kimia yang memiliki
karakteristik berupa pasangan elektron yang saling terbagi (pemakaian bersama elektron) di
antara atom-atom yang berikatan.
Gambar 2.3 Ikatan kovalen pada kristal GaAs

Karena GaAs adalah semikonduktor campuran, antara dua atom yang berbeda akan saling
berbagi elektron, seperti ditunjukkan pada Gambar 2.3. masing-masing atom, gallium atau
arsenik, dikelilingi oleh atom dari jenis lain yang saling melengkapi.
15
Meskipun ikatan kovalen akan menghasilkan ikatan yang kuat antara elektron valensi dan
induknya atom, masih mungkin bagi elektron valensi untuk menyerap energi kinetik dari luar yang
menyebabkan pecahnya ikatan kovalen dan elektron tersebut dalam kondisi bebas atau disebut
elektron bebas. Semakin besar energi cahaya berupa photon dan energi panas atau radiasi yang
diberikan semakin banyak jumlah elektron bebas yang keluar dari ikatan kovalen, semakin banyak
juga lubang (hole) pada ikatan kovalen, maka akan ada pasangan elektron-lubang (electron-hole
pair) seperti ditunjukkan pada Gambar 2.4, dengan kata lain konduktivitas bahan semakin
meningkat.
Gambar 2.4 Pasangan elektron-lubang (electron-hole pair)

2.3.3 Sambungan PN (PN Junction)
Crystal tipe N tersusun dari elemen semukonduktor (Silicon atau Germanium) yang di-
doping dengan elemen yang memiliki pentavalent (empat elektron pada orbit terluar) yaitu
Arsenic (As), karena hanya empat elektron yang saling berpasangan maka akan ada satu elektron
yang bebas. Sedangkan crystal tipe P terbentuk dari elemen semikonduktor yang di-doping
dengan elemen yang memiliki trivalent (tiga elektron pada orbit terluar) yaitu Boron, Galium, dan
Indium sehingga akan ada satu elektron yang tidak memiliki pasangan, kekurangan/lowongan
elektron ini biasa disebut hole. Elektron bebas dan hole pada crystal yang sudah di-doping sering
disebut majority carriers.
Dalam keadaan intrinsik (sebelum di-doping), ada beberapa jumlah elektron yang tidak
berpasangan atau bebas pada Silicon atau Germanium, ini disebabkan adanya kotoran pada
elemen tersebut yang tidak bisa dihilangkan. Sehingga pada tipe-N juga masih memiliki beberapa
hole, begitu juga pada tipe-P terdapat beberapa elektron bebas. Elektron bebas dalam keadaan
intrinsik ini sering disebut sebagai minority carrier.
16
Gambar 2.5 Material tipe-N dan tipe-P
Menggabungkan material tipe-P dan tipe-N menjadi satu crystal akan menghasilkan sebuah
sambungan PN (PN Junction) pada permukaan kedua tipe material tersebut. Saat kedua material
tersebut disambungkan, elektron bebas pada permukaan sambungan material tipe-N akan
berpindah ke hole pada permukaan material tipe-P sehingga akan membentuk ion positif dan
negatif atau disebut depletion region.
Gambar 2.6 Distribusi muatan saat sambungan PN tidak terbias
2.3.4 Dioda
Fungsi dioda secara umum yaitu komponen elektronik yang hanya mengalirkan arus dalam
satu arah dan menghambat arus dari arah sebaliknya. Jika sebuah dioda diletakkan dalam
rangkaian battery dan lampu seperti pada Gambar 2.8, dioda akan membiarkan atau mencegah
arus yang melalui lampu tergantung pada polaritas tegangan yang diberikan.
Gambar 2.7 Simbol dioda
17
Gambar 2.8 (a) aliran arus dapat mengalir. (b) aliran arus tidak dapat mengalir.
Untuk melakukan pengukuran besaran beda potensial antara dua kaki (knee voltage) pada
dioda baik pada kondisi bias maju (forward biased) atau bias mundur (reverse biased) dapat
dilakukan sepeti pada Gambar 2.9.
Gambar 2.9 Pengukuran tegangan pada rangkaian dioda: (a) Forward biased (b) Reverse biased
Dioda yang dipakai secara umum, terbuat dari bahan Germanium atau Silikon. Dioda
tersebut mempunyai tegangan kaki (knee voltage) sebesar ±0.7 Volt untuk dioda berbahan Silikon
dan ±0.3 Volt untuk dioda Germanium. Pada Gambar 2.10 dibawah, dioda yang digunakan adalah
Silikon. Jika sumber tegangan kurang dari 0.7 Volt maka tidak ada arus yang mengalir. Sebaliknya
jika lebih dari atau sama dengan 0.7 Volt, maka ada arus yang mengalir melalui dioda.
Gambar 2.10 Bertambahnya forward-bias dari (a) ke (b)
2.3.5 Kurva Karakteristik Dioda
Pada Gambar 2.11, menunjukkan tiga macam kurva, yaitu dioda berbahan Germanium (Ga),
Silicon (Si), dan Gallium Arsenide (GaAs). Bagian kiri bawah dari grafik pada gambar tersebut
merupakan kurva karakteristik dioda saat mendapatkan bias mundur, sedangkan pada bagian
kanan atas dari grafik merupakan kurva karakteristik dioda saat mendapatkan bias maju.
18
Gambar 2.11 Karakteristik tegangan dan arus pada dioda

1) Jelaskan definisi dan cara kerja dioda!
2) Sebutkan beberapa aplikasi yang menggunakan komponen dioda!
2.5 Prosedur Percobaan

1) Buatlah rangkaian seperti pada Gambar 2.12 (a).
2) Rubahlah tegangan sumber dan lakukanlah pengukuran arus pada saat tegangan dioda
0 V, 0.1 V, 0.2 V, 0.3 V, 0.4 V, 0.5 V, 0.6 V, dan 0.7 V.
3) Gambarlah grafik arus dioda (𝐼𝐷) terhadap tegangan dioda (𝑉𝐷) pada Gambar 2.13.
4) Baliklah pemasangan arah dioda seperti pada Gambar 2.12 (b).
5) Rubahlah tegangan sumber dan lakukanlah pengukuran arus pada saat tegangan dioda
0 V, 10 V, 20 V, 30 V, 40 V, 50 V, 60 V, 70 V.
6) Gambarlah grafik arus dioda (𝐼𝐷) terhadap tegangan dioda (𝑉𝐷) pada Gambar 2.14.
19
(a) (b)
Gambar 2.12 Percobaan karakteristik dioda saat (a) forward bias (b) reverse bias.
2.6 Data Percobaan

Tabel 2.1 Hasil pengukuran percobaan karakteristik dioda
Bias Maju Bias Mundur
No
VD ID VD ID
1
2
3
4
5
6
7
8
20
Gambar 2.13 Kurva karakteristik dioda saat forward bias
Gambar 2.14 Kurva karakteristik dioda saat reverse bias
21
2.7 Analisa Data
22
2.8 Kesimpulan
23
3 RANGKAIAN DIODA SEBAGAI PENYEARAH
3.1 Tujuan
1) Dapat merancang rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.
2) Mengetahui cara karja rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang
penuh.

1) Power supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung
5) Osciloscope
3.3 Teori
3.3.1 Penyearah Setengah Gelombang
Sebuah penyearah adalah merupakan rangkaian yang mengkonversikan sinyal ac (bolak-

balik) menjadi sinyal dc (searah). Diode banyak digunakan pada penyearah. Penyearah setengah
gelombang satu fasa adalah merupakan rangkaian penyearah yang paling sederhana sehingga
jarang sekali digunakan pada aplikasi industri. Namun demikian, penyearah ini berguna untuk
memahami prinsip dari opersi penyearah. Diagram rangkaian dengan beban resislif ditunjukkan
pada Gambar 3.1.
Prinsip kerja dari penyearah setengah gelombang adalah pada saat sinyal input bersiklus
positif maka dioda mendapat prategangan maju (forward bias) sehingga arus dapat mengalir ke
beban, dan sebalinya bila sinyal input berupa siklus negatif maka dioda mendapat prategangan
mundur (reverse bias) sehingga arus tidak dapat mengalir.
24
Gambar 3.1 Rangkaian penyearah setengah gelombang
Ada beberapa jenis rangkaian penyearah, dan kinerjanya dihitung dengan parameter-
parameter sebagai berikut:
Nilai rata-rata tegangan keluaran (beban), 𝑉𝐷𝐶
Nilai rata-rata arus keluaran (beban), 𝐼𝐷𝐶
Keluaran dc power,
𝑃𝑑𝑐 = 𝑉𝑑𝑐𝐼𝑑𝑐 (3.1)
Nilai rms tegangan keluaran, 𝑉𝑟𝑚𝑠
Nilai rms arus keluaran, 𝐼𝑟𝑚𝑠
Keluaran ac power,
𝑃𝑎𝑐 = 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝐼𝑟𝑚𝑠 (3.2)
Efisiensi (rectification ratio) sebuah penyearah dapat didefinisikan sebagai
𝑃𝑑𝑐
5=
𝑃𝑎𝑐 (3.3)
Tegangan keluaran dapat dikatakan merupakan gabungan dua buah komponen: (1) nilai
komponen dc, dan (2) komponen ac atau ripple.
Nilai efektif (rms) dari komponen ac adalah
𝑉𝑎𝑐 = √𝑉2 − 𝑉2 (3.4)
𝑟𝑚𝑠 𝑑𝑐
Faktor bentuk (Form Factor), yang mengukur bentuk tegangan keluaran adalah
𝑉𝑟𝑚𝑠
𝐹𝐹 = (3.5)
𝑉𝑑
𝑐
Faktor ripple (Ripple Factor), yang mengukur kandungan ripple adalah

𝑉𝑎𝑐
𝑅𝐹 =
𝑉𝑑𝑐 (3.6)
Dengan mensubtitusikan Persamaan (3.4) ke dalam Persamaan (3.6) maka faktor ripple dapat
dinyatakan sebagai
25
2
𝑉 (3.7)
𝑅𝐹 = √(𝑚𝑠𝑟 ) − 1 = √𝐹𝐹2 − 1
𝑉𝑑
𝑐
Untuk tegangan sinusoidal 𝑣𝐿(𝑡) = 𝑉𝑚 sin 𝜔𝑡 untuk 0 ≤ 𝑡 ≤ 𝑇⁄2, nilai rms tegangan keluar
adalah
𝑉𝑟𝑚𝑠 𝑉
𝑚 (3.8)
=
Tegangan rms pada sekunder trafo 2
adalah
𝑉
𝑚
𝑉𝑟𝑚𝑠 = (3.9)
√
2
Tegangan keluaran rata-rata dc pada penyearah setengah gelombang adalah

𝑉 = 𝑉 = 𝑉𝑚 = 0.318𝑉 (3.10)
𝐷𝐶 𝑎𝑣 𝑚
𝜋
3.3.2 Penyearah Gelombang Penuh Metode Bridge
Proses terjadinya output gelombang penuh metode bridge adalah ketika tegangan input
sinusoida (𝑣i) setengah siklus gelombang positif, maka 𝐷2 dan 𝐷3 akan konduksi karena mendapat
prategangan maju (forward bias), sedangkan 𝐷1 dan 𝐷4 tidak konduksi karena mendapat
prategangan mundur (reverse bias), sehingga arus akan mengalir melalui 𝐷2, 𝑅, dan 𝐷3. Pada saat
rangkaian jembatan mendapat bagian negatif dari siklus sinyal ac, maka 𝐷1 dan 𝐷4 akan konduksi
karena mendapat prategangan maju, sedangkan 𝐷2 dan 𝐷3 tidak konduksi karena mendapat
prategangan mundur, sehingga arus akan mengalir melalui 𝐷1, 𝑅, dan 𝐷4.
Gambar 3.2 Penyearah gelombang penuh metode bridge

Tegangan rata-rata dc pada penyearah gelombang penuh adalah
𝑉 =𝑉
= 2𝑉𝑚 = 0.6366𝑉 (3.11)
𝐷𝐶 𝑎𝑣 𝑚
𝜋
Nilai rms tegangan kuluaran adalah 𝑉𝑟𝑚𝑠 =
26
𝑉𝑚
(
√2 3
.
1
2
)
27
3.3.3 Penyearah Gelombang Penuh Dengan Travo CT (Center Tapped)
Penyearah gelombang penuh yang kedua adalah seperti pada Gambar 3.3 yang hanya
membutuhkan dua dioda tapi membutuhkan trafo CT.
Gambar 3.3 Penyearah gelombang penuh dengan trafo CT
Saat tegangan input sinusoida (𝑣i) setengah gelombang positif, 𝐷1 mendapat prategangan
maju sehingga akan konduksi sedangkan 𝐷2 mendapat prategangan mundur sehingga tidak akan
konduksi, maka arus akan mengalir melalui 𝐷1 dan 𝑅. Tegangan beban 𝑅 akan memiliki bentuk
yang sama dengan tegangan sinyal input setengah siklus positif.
Gambar 3.4 Kondisi rangkaian saat sinyal input setengah siklus positif
Saat tegangan input sinusoida (𝑣i) setengah gelombang negatif, 𝐷2 mendapat prategangan
maju sehingga akan konduksi sedangkan 𝐷1 mendapat prategangan mundur sehingga tidak akan
konduksi, maka arus akan mengalir melalui 𝑅 dan 𝐷2. Tegangan beban 𝑅 akan memiliki bentuk
yang sama dengan tegangan sinyal input setengah siklus negatif.
Gambar 3.5 Kondisi rangkaian saat sinyal input setengah siklus negatif
28
1) Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah setengah gelombang dan gambarkan
rangkaian dan bentuk gelombang input (𝑣i(𝑡) = 5 sin(100𝜋𝑡)) dan gelombang
outputnya.
2) Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh dengan Center-Tapped dan
gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input (𝑣i(𝑡) = 10 sin(100𝜋𝑡 + 90o)) dan
gelombang outputnya.
3) Jelaskan cara kerja rangkaian penyearah gelombang penuh dengan mode bridge dan
gambarkan rangkaian dan bentuk gelombang input (𝑣i(𝑡) = 15 sin(100𝜋𝑡 + 180o))
dan gelombang outputnya.
3.5.1 Penyearah Setengah Gelombang

1) Buatlah rangkaian seperti pada Gambar 3.6.
2) Ukur tegangan lilitan sekunder trafo (𝑣i) menggunakan oscilloscope dan catat pada
Tabel 3.1.
3) Ukur tegangan keluaran (𝑣o) menggunakan oscilloscope dan catat pada Tabel 3.1.
4) Simpan gelombang masukan (𝑣i) dan keluaran (𝑣o) pada oscilloscope.
Gambar 3.6 Percobaan penyearah setengah gelombang
3.5.2 Penyearah Gelombang Penuh Dengan Metode Bridge

Tabel 3.1..
3) Ukur tegangan keluaran (𝑣o) menggunakan oscilloscope dan catat pada .
29
Gambar 3.7 Percobaan penyearah gelombang penuh
3.5.3 Penyearah Gelombang Penuh Dengan Trafo CT
Tabel 3.1..
3) Ukur tegangan keluaran (𝑣o) menggunakan oscilloscope dan catat pada Tabel 3.1.
Gambar 3.8 Percobaan penyearah gelombag penuh dengan trafo CT

3.6 Data Percobaan
3.6.1 Percobaan Penyearah Setengah Gelombang

1) Hitunglah nilai tegangan keluaran 𝑉𝑟𝑚𝑠 secara teori dan masukkan pada Tabel 3.1.
2) Gambarlah bentuk gelombang tegangan lilitan sekunder trafo (𝑣i) pada Gambar 3.9.
3) Gambarlah bentuk gelombang tegangan keluaran (𝑣o) pada Gambar 3.10.
4) Hitung Ripple Factor dan masukkan ke Tabel 3.4.
Tabel 3.1 Tegangan penyearah setengah gelombang
Tegangan Output
Tegangan Input
Praktik Teori
𝑉𝑟𝑚 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝑉𝑑𝑐 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝑉𝑑𝑐
𝑠
30
Gambar 3.9 Gelombang tegangan lilitan sekunder trafo
Gambar 3.10 Tegangan keluaran penyearah setengah gelombang

3.6.2 Percobaan Penyearah Gelombang Penuh Metode Bridge
31
Tabel 3.2 Tegangan penyearah gelombang penuh metode bridge
Tegangan Output
Tegangan Input
Praktik Teori
𝑠
Gambar 3.11 Tegangan keluaran penyearah gelombang penuh metode bridge

3.6.3 Percobaan Penyearah Gelombang Penuh Dengan Trafo CT
Tabel 3.3 Tegangan penyearah gelombang penuh dengan trafo CT
Tegangan Output
Tegangan Input
Praktik Teori
𝑠
32
Gambar 3.12 Tegangan keluaran penyearah gelombang penuh dengan trafo CT
Tabel 3.4 Rippel Factor
Percobaan FF RF
1
2
3
33
3.7 Analisa
34
3.8 Kesimpulan
35
4 RANGKAIAN DIODA CLIPPER DAN CLAMPER
4.1 Tujuan
1) Memahami hubungan antara sinyal input dengan sinyal output pada rangkaian seri
dan parallel dioda clipper.
2) Memahami tegangan output dari rangkaian clamper positif dan negatif.

1) Power supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung
5) Osiloskop
4.3 Teori
4.3.1 Clipper
Rangkaian dioda pemotong (Clipper) juga dikenal sebagai pembatas tegangan (voltage
limiter). Rangkaian ini berguna untuk membatasi tegangan sinyal input pada suatu level
tegangan tertentu. Rangkaian ini juga berguna untuk pembentukan sinyal dan melindungi
rangkaian dari sinyal-sinyal yang tidak diinginkan.
Berdasarkan level tegangan yang dibatasi terdapat dua jenis rangkaian clipper :
 Positive limiter: pembatas tegangan yang membatasi tegangan sinyal input pada bagian
positifnya.
 Negative limiter: pembatas tegangan yang membatasi tegangan sinyal input pada bagian
negatif-nya.
Berdasarkan susunan rangkaian terdapat dua jenis rangkaian clipper:

 Clipper Seri
Pada rangkaian clipper seri, dioda dirangkai secara seri dengan sumber sinyal input. Arah
kutub dioda menentukan jenis sinyal terpotong.
36
(a) (b)
Gambar 4.1 Clipper seri (a) negatif dan (b) positif
Contoh kasus pada Gambar 4.1b, saat sinyal input bernilai positif maka dioda akan
berada dalam keadaan bias mundur (reverse bias) sehingga tidak ada arus yang mengalir pada
resistor, akibatnya tidak ada tegangan output. Saat sinyal input negatif, dioda akan dalam
keadaan bias maju (forward bias) sehingga arus dapat mengalir pada resistor dan dihasilkan
tegangan output. Besaran tegangan keluaran (𝑣o) yaitu:
𝑅
𝑣o = 𝑣 (4.1)
𝑅+𝑅 i
�
Dimana 𝑅𝐷 adalah hambatan dioda, saat keadaan bias maju nilai 𝑅𝐷 sangat kecil sehingga 𝑣o =
𝑣i, dengan demikian pada 𝑣i negatif tidak ada tegangan yang terpotong.
 Clipper Parallel
Pada rangkaian clipper parallel, dioda dipasang secara parallel dengan sumber sinyal input
(𝑣i). Pada dasarnya cara kerja clipper parallel sama dengan clipper seri.
(a) (b)
Gambar 4.2 Clipper parallel (a) negatif dan (b) positif
(a) (b)
Gambar 4.3 Clipper seri dibias (a) negatif dan (b) positif
37
 Clipper Seri Dibias
Pada rangkaian clipper seri dibias, dioda dipasang secara seri dengan sumber sinyal input
(𝑣i). Pada dasarnya cara kerja clipper parallel dibias sama dengan clipper seri dibias.
 Clipper Parallel Dibias
Pada rangkaian ini dioda diberi bias dari sumber tegangan (𝑉ÆÆ ). Besar tegangan yang
terpotong akan tergantung pada tegangan bias yang diberikan. Pada clipper dibias, agar dioda
dapat konduksi, 𝑣i harus lebih besar dari 𝑉ÆÆ . Selama kondisi itu terpenuhi maka dioda berlaku
sebagai saklar tertutup, sehingga 𝑣o = 𝑉ÆÆ . Ketika 𝑣i kurang dari 𝑉ÆÆ dioda berfungsi seperti
saklar terbuka dan rangkaian kembali seperi pembagi tegangan biasa.
(a) (b)
Gambar 4.4 Clipper parallel dibias (a) negatif dan (b) positif
4.3.2 Clamper
Rangkaian clamper adalah rangkaian yang terbuat dari dioda, resistor, dan kapasitor. Fungsi
rangkaian clamper adalah untuk menggeser sinyal sehingga puncak sinyal jatuh pada suatu level
tegangan tertentu tanpa mengubah bentuk sinyal inputnya. Untuk mempermudah analisa,
penggeseran sinyal yang diakibatkan oleh kapasitor dapat digantikan dengan sumber dc (battery).
Pemilihan nilai resistor dan kapasitor pada rangkaian clamper harus dipastikan konstanta
waktunya yang didapat dari persamaan 𝑟 = 𝑅𝐶 sengat besar untuk memastikan tegangan
kapasitor tidak berkurang secara signifikan selama dioda tidak konduksi. Dalam rangka untuk
tujuan praktik, kita asumsikan bahwa lama kapasitor untuk mengisi muatan sampai penuh dan
discharge adalah lima kali dari konstanta waktu, jadi 5𝑟 ≥ 𝑇⁄2.
(a) (b)
Gambar 4.5 Clamper (a) positif dan (b) negatif
38
Pada clamper dibias, tegangan dc yang ditambahakan pada sumber sumber ac tidak hanya
berasal dari kapasitor akan tetapi juga berasal dari sumber dc lain. Penambahan sumber dc ini
dapat digunakan untuk mengatur posisi gelombang yang di-clamper.
(a) (b)
Gambar 4.6 Clamper dibias (a) positif dan (b) negatif
1) Sebutkan perbedaan antara rangkaian clamper dan clipper!
2) Buat simulasi rangkaian clipper positif dan clamper negatif dengan menggunakan
perangkat lunak Proteus! (Print screen gambar rangkaian, sinyal 𝑣i dan sinyal 𝑣i)
4.5.1 Clipper Seri

1) Buatlah rangkaian clipper seri positif dan negatif seperti pada Gambar 4.1.
2) Beri input tegangan ac........𝑉𝑟𝑚𝑠 .
3) Hubungkan oscilloscope dengan output rangkaian.
4) Amati dan simpan gambar dari sinyal tegangan yang diperoleh.
4.5.2 Clipper Parallel

1) Buatlah rangkaian clipper parallel positif dan negatif seperti pada Gambar 4.2.
4.5.3 Clipper Seri Dibias

1) Buatlah rangkaian clipper seri dibias positif dan negatif seperti pada Gambar 4.3.
4.5.4 Clipper Parallel Dibias

1) Buatlah rangkaian clipper parallel dibias positif dan negatif seperti pada Gambar 4.4.
39
4.5.5 Clamper
1) Buatlah rangkaian clamper positif dan negatif seperti pada Gambar 4.5.
4.5.6 Clamper Dibias

1) Buatlah rangkaian clamper dibias positif dan negatif seperti pada Gambar 4.6.
40
4.6 Data Percobaan
4.6.1 Data Rangkaian Clipper Seri

𝑉𝑟𝑚𝑠 Gambar Sinyal
Input
Output
Rangkaian
Clipper
Positif
Output
Rangkaian
Clipper
Negatif
41
4.6.2 Data Rangkaian Clipper Parallel
Input
Output
Rangkaian
Clipper
Positif
Output
Rangkaian
Clipper
Negatif
42
4.6.3 Data Clipper Seri Dibias
Input
Output
Rangkaian
Clipper
Seri Dibias
Positif
Output
Rangkaian
Clipper
Seri Dibias
Negatif
43
4.6.4 Clipper Parallel Dibias
Input
Output
Rangkaian
Clipper
Dibias
Positif
Output
Rangkaian
Clipper
Dibias
Negatif
44
4.6.5 Clamper
Input
Output
Rangkaian
Clamper
Positif
Output
Rangkaian
Clamper
Negatif
45
4.6.6 Clamper Dibias
Input
Output
Rangkaian
Clamper
Dibias
Positif
Output
Rangkaian
Clamper
Dibias
Negatif
46
4.7 Analisa
47
4.8 Kesimpulan
48
5 KARAKTERISTIK DIODA ZENER DAN REGULASI
TEGANGAN
5.1 Tujuan
1) Mengetahui komponen elektronika dioda zener.

2) Mengetahui karakteristik dioda zener.
1) Power supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung
5.3 Teori
Sebagaian besar kegunaan dioda zener adalah untuk regulator tegangan pada catudaya dc.
Dioda zener adalah divais PN junction silicon yang berbeda dengan dioda rectifier, karena dioda
zener beroperasi pada daerah reverse. Pada Gambar 5.1 ditunjukkan kurva karakteristik dioda
zener. Dari kurva tersebut terlihat bahwa terlihat bahwa, ketika dioda mencapai tegangan
breakdown, maka tegangannya hampir dapat dikatakan konstan, meskipun terjadi perubahan
arus yang besar. Dioda zener didesain untuk beroperasi pada reverse breakdown. Kemampuan
untuk menjaga tegangan konstan pada terminalnya adalah kunci utama dari dioda zener. Nilai
minimum arus reverse (𝐼Z𝐾), harus agar dioda tetap pada breakdown untuk dapat menghasilkan
regulasi tegangan. Begitu juga arus maksimumnya (𝐼Z𝑀) harus dijaga agar tidak melebihi power
dissipasinya, yang dapat merusakkan dioda.
49
Gambar 5.1 Karakteristik kurva V-I dari dioda zener yang umum
Pada Gambar 5.2(a) memperlihatkan model ideal dari dioda zener pada reverse breakdown.
Pada keadaan ini tegangan konstan yang diberikan oleh dioda sama dengan tegangan nominalnya.
Pada Gambar 5.2(b) ditunjukkan model pada kenyataannya di lapangan pada dioda zener, dimana
terdapat resistansi zener (𝑅Z). Karena kurva tegangan tidak benar-benar vertikal, maka perubahan
arus zener yang cukup besar akan menghasilkan perubahan kecil pada tegangan zener, seperti
diilustrasikan pada Gambar 5.2(c). Perbandingan antara perubahan tegangan (∆𝑉Z) dan arus zener
(∆𝐼Z) adalah resistansi zener (𝑅Z).
∆𝑉𝑍
𝑅Z = (5.1)
∆𝐼 Z
(a) Ideal (b) Secara praktik (c) Kurva karakteristik

Gambar 5.2 Rangkaian equivalen dioda zener
50
Dioda zener beroperasi pada nilai daya tertentu. Besarnya daya maksimum yang
diperbolehkan, dispesifikasikan dengan power dissipasi dc (𝑃𝐷𝑚𝑎S ). Sebagai contoh, dioda zener
dengan seri 1N746 mempunyai nilai 𝑃𝐷𝑚𝑎S = 500 mW dan seri 1N3305A mempunyai nilai
𝑃𝐷𝑚𝑎S = 50 W. Power dissipasi dc ditentukan dengan persamaan:
𝑃𝐷 = 𝑉Z × 𝐼Z (5.2)
Masing-masing dioda zener mempunyai tegangan nominal (𝑉Z). Sebagai contoh, dioda
zener dengan seri 1N4738 mempunyai nilai tegangan nominal 𝑉Z = 8.2 V, dengan toleransi 10%,
sehingga nilai tegangannya 7.38 V sampai dengan 9.02 V. Sedangkan arus dc maksimum untuk
dioda zener (𝐼Z𝑀) dapat didekati dengan persamaan:
𝑃𝐷𝑚𝑎S
𝐼Z𝑀 = (5.3)
𝑉
Z
Dioda zener dapat digunakan untuk meregulasi tegangan dc yang bervariasi. Apabila
tegangan input bervariasi (tentu dengan batasan tertentu), maka dioda zener menjaga tegangan
output pada terminalnya mendekati konstan. Pada rangkaian regulasi zener secara umum
terdapat tiga macam kondisi, yaitu (1) regulasi zener dengan sumber tegangan dan beban tetap,
(2) sumber tegangan tetap dan beban bervariasi, dan (3) sumber tegangan bervariasi dan beban
tetap.
5.3.1 Sumber Tegangan dan Beban Tetap

Rangkaian dioda zener sebagai regulator ditunjukkan pada Gambar 5.3. Sumber tegangan
dc dan beban yang digunakan tetap. Untuk menganalisanya dapat dilakukan dengan dua tahap.
Gambar 5.3 Regulator menggunakan zener

1. Menentukan keadaan dioda zener (“on” atau “off”) dengan cara menghilangkan dioda zener
pada rangkaian dan menghitung tegangan rangkaian terbuka.
51
Gambar 5.4 Menentukan kondisi dioda zener
Dengan menghilangkan dioda zener, akan menghasilkan rangkaian seperti pada Gambar 5.4.
Menggunakan aturan pembagi tegangan akan menghasilkan
𝑅𝐿𝑉i
𝑉 = 𝑉𝐿 = (5.4)
𝑅+𝑅 �
Jika 𝑉 ≥ 𝑉Z, dioda zener dalam keadaan “on”.
Jika 𝑉 ≤ 𝑉Z, dioda zener dalam keadaan “off”.
2. Mensubstitusikan rangkaian equivalen dioda zener dan menyelesaikan yang belum diketahui.
Untuk rangkaian pada Gambar 5.3, keadaan “on” akan menghasilkan rangkaian equivalen
seperti pada Gambar 5.5. Semenjak 𝑉𝐿 terhubung secara parallel dengan 𝑉Z maka nilai tegangan
harus sama, maka
𝑉𝐿 = 𝑉Z (5.5)
Gambar 5.5 Mensubstitusikan equivalen zener untuk kondisi “on”

Dengan menggunakan hukum Kirchhoff arus, menghasilkan
𝐼𝑅 = 𝐼Z + 𝐼𝐿 (5.6)
dimana
𝑉𝐿
𝐼𝐿 = (5.7)
�𝐿
dan
𝐼 = 𝑉𝑅 = 𝑉i − 𝑉𝐿 (5.8)
𝑅
𝑅 𝑅
Jika dioda zener dalam keadaan “on”, tegangan dioda tidak 𝑉 atau 𝑉𝐿 melainkan 𝑉Z volt.
52
5.3.2 Sumber Tegangan Tetap dan Beban Bervariasi
Terlalu kecil nilai resistansi beban 𝑅𝐿 akan membuat tegangan 𝑉𝐿 menjadi lebih kecil dari 𝑉Z
dan dioda zener akan dalam keadaan “off”. Saat menentukan nilai resistansi beban minimal pada
Gambar 5.3 saat dioda zener dalam keadaan “on”, nilai 𝑅𝐿 akan menghasilkan tegangan beban
sama dengan tegangan dioda zener (𝑉𝐿 = 𝑉Z).
𝑅𝐿𝑉i
𝑉𝐿 = 𝑉Z =
�𝐿 + 𝑅
Menyelesaikan 𝑅𝐿, akan menjadi
𝑅𝑉Z
𝑅𝐿𝑚i 𝑛 = (5.9)
𝑉i − 𝑉Z
Setiap nilai resistansi beban lebih besar dari 𝑅𝐿 yang dihitung menggunakan Persamaan
(5.9) akan memastikan dioda zener dalam keadaan “on” dan dioda zener dapat digantikan dengan
sumber tegangan 𝑉Z.
Dan maksimal arus pada beban adalah
𝑉𝐿 𝑉Z
𝐼𝐿𝑚i 𝑛 =
𝑅 =𝑅 (5.10)
𝐿 𝐿𝑚i 𝑛
Saat dioda zener keadaan “on”, tegangan 𝑅 akan selalu tetap pada
𝑉𝑅 = 𝑉i − 𝑉Z (5.11)
Dan 𝐼𝑅 juga tetap pada
𝑉𝑅
𝐼 = (5.12)
𝑅
Arus dioda zener adalah 𝑅
𝐼Z = 𝐼𝑅 − 𝐼𝐿 (5.13)
Dari Persamaan (5.13) akan menghasilkan 𝐼Z minimum jika 𝐼𝐿 maksimum, dan 𝐼Z maksimum
jika 𝐼𝐿 minimum, saat 𝐼𝑅 konstan.
Pada datasheet, 𝐼Z dibatasi oleh 𝐼Z𝑀, ini akan berpengaruh terhadap 𝑅𝐿 dan 𝐼𝐿.
Mensubstitusikan 𝐼Z𝑀 untuk 𝐼Z akan menghasilkan 𝐼𝐿 minimum.
𝐼𝐿𝑚i 𝑛 = 𝐼𝑅 − 𝐼Z𝑀 (5.14)
dan maksimum resistansi beban

adalah
𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥 =
𝐼𝑉
Z
(5.15)
𝐿𝑚i 𝑛
53
5.3.3 Sumber Tegangan Bervariasi dan Beban Tetap
Untuk memastikan dioda zener “on”, tegangan intput 𝑉i harus besar, dan minimal tegangan
input 𝑉i𝑚i 𝑛 adalah
𝑅𝐿𝑉i
𝑉𝐿 = 𝑉Z =
�𝐿 + 𝑅
dan
𝑉i𝑚i 𝑛 = (𝑅𝐿 +
𝑅)𝑉Z (5.16)
𝑅𝐿
Nilai maksimum tegangan input 𝑉i𝑚𝑎𝑥 dibatasi oleh maksimum arus dioda zener 𝐼Z𝑀.
𝐼𝑅𝑚𝑎𝑥 = 𝐼Z𝑀 + 𝐼𝐿 (5.17)
Ketika 𝐼𝐿 tetap pada 𝑉Z⁄𝑅𝐿 dan 𝐼Z𝑀 adalah nilai masimum 𝐼Z, maksimum 𝑉i dapat dicari
dengan
𝑉i = 𝑉𝑅 + 𝑉Z
𝑚𝑎𝑥 𝑚𝑎𝑥
𝑉i𝑚𝑎𝑥 = 𝑅𝐼𝑅𝑚𝑎𝑥 + 𝑉Z (5.18)

1) Rangkain regulasi dioda zener seperti pada Gambar 5.6, tentukan 𝑉𝐿, 𝑉𝑅, 𝐼Z, dan 𝑃Z.
2) Ulangi tugas nomer (1) dengan mengganti 𝑅𝐿 = 3 kΩ.
Gambar 5.6 Rangakain regulasi dioda zener

5.5.1 Karakteristik Dioda Zener

2) Ukurlah 𝑉Z dan 𝐼Z mulai dari sumber tegangan dc 0 V, kemudian sumber tegangan dc
dinaikkan secara berlahan dengan step 1 V sampai mencapai 15 V, kemudian tuliskan
datanya pada Tabel 5.1.
54
Gambar 5.7 Rangkaian percobaan karakteristik zener
5.5.2 Regulasi Tegangan
2) Ukurlah arus total 𝐼𝑅, arus zener 𝐼Z, arus beban 𝐼𝐿, dan tegangan output 𝑉𝐿, kemudian
tuliskan datanya pada Tabel 5.2.
3) Ulangi langkah (1) dengan mengganti nilai resistansi beban 𝑅𝐿 = 680 Ω.
4) Ukurlah arus total 𝐼𝑅, arus zener 𝐼Z, arus beban 𝐼𝐿, dan tegangan output 𝑉𝐿, kemudian
tuliskan datanya pada Tabel 5.3.
Gambar 5.8 Rangkaian percobaan regulasi zener

5.6 Data Percobaan
1) Dari data pada Tabel 5.1, gambarkan kurva karakteristik zener untuk kondisi reverse
bias.
2) Dari gambar kurva karakteristik yang telah dibuat, tentukan tegangan knee 𝑉𝐾 = ........
volt.
3) Hitungkan secara teori nilai arus total 𝐼𝑅, arus zener 𝐼Z, arus beban 𝐼𝐿 pada percobaan
regulasi zener denan resistansi beban 𝑅𝐿 = 200 Ω, kemudian tuliskan datanya pada
Tabel 5.2.
4) Hitungkan secara teori nilai arus total 𝐼𝑅, arus zener 𝐼Z, arus beban 𝐼𝐿 pada percobaan
regulasi zener denan resistansi beban 𝑅𝐿 = 680 Ω, kemudian tuliskan datanya pada
Tabel 5.3.
55
Tabel 5.1 Data pengukuran karakteristik zener
𝑉𝑠 (V) 𝑉Z (V) 𝐼Z (mA)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
56
Gambar 5.9 Kurva kerakteristik dioda zener saat bias mundur
Tabel 5.2 Data regulasi zener pada praktik dan teori dengan 𝑅𝐿 = 200 Ω
𝐼𝑅 (mA) 𝐼Z (µA) 𝐼𝐿 (mA) 𝑉𝐿 (V)

Praktik
Teori
Tabel 5.3 Data regulasi zener pada praktik dan teori dengan 𝑅𝐿 = 680 Ω
𝐼𝑅 (mA) 𝐼Z (µA) 𝐼𝐿 (mA) 𝑉𝐿 (V)

Praktik
Teori
57
5.7 Analisa
58
5.8 Kesimpulan
59
6 Karakteristik LED
6.1 Tujuan
1) Mengetahui komponen elektronika LED.
2) Mengetahui karakteristik LED.
6.2 Instrumen Yang Digunakan

5) Power supply
6) Panel percobaan
7) Multimeter
8) Kabel penghubung
6.3 Teori
Sesuai dengan namanya, light emitting diode (LED) adalah salah satu komponen elektronika
yang terbuat dari bahan semikonduktor yang mampu mengeluarkan cahaya baik yang terlihat
maupun yang tidak terlihat (infrared) ketika diberi energi. Strukturnya juga sama dengan dioda,
tetapi pada LED, elektronnya menerjang sambungan PN. Untuk mendapatkan emisi cahaya pada
semikonduktor, doping yang dipakai adalah gallium, arsenik, phosporus. Jenis doping yang
berbeda akan menghasilkan warna cahaya yang berbeda pula. Selain itu, akan menghasilkan
berbagai potensi bias maju yang berbeda, seperti ditunjukkan pada .
Prinsip kerja LED adalah ketika LED diberi bias maju maka LED akan mengalami medan
elektromagnetik sehingga elektron akan rekombinasi dengan hole, rekombinasi ini akan
menghasilkan energi dalam bentuk panas dan sebagian lagi dalam bentuk photon, photon inilah
yang menyebakan LED memancarkan cahaya seperti ditunjukkan pada Gambar 6.1, proses yang
dapat menghasilkan pancaran cahaya ini disebut proses electroluminescence.
60
Gambar 6.1 (a) Proses pembangkitan cahaya pada LED; (b) Simbol skematik
Tabel 6.1 Light-Emitting Diodes
Pada saat bahan semikonduktor jenis P dan N digabungkan maka elektron bebas dari bahan
tipe N akan akan berdefusi menuju bahan tipe P dan berokombinasi dengan hole pada bahan tipe
P. Karena elektron dari bahan tipe N berdifusi ke bahan tipe P, maka akan ada hole di bahan tipe
N. Proses rekombinasi ini akan mengakibatkan adanya muatan positif dan negatif pada daerah
sekitar sambungan PN, daerah ini yang disebut dengan daerah deplesi (depletion region). Cahaya
yang dipancarkan oleh dioda ini adalah hasil dari pelepasan energi oleh elektron saat berpindah
dari pita konduksi (conduction band) ke pita valensi (valence band) seperti ditunjukkan pada
Gambar 6.2, dimana 1 eV = 1.6 × 10−19 J.
Gambar 6.2 Pita konduksi dan valensi pada isolator, semikonduktor, dan konduktor
61
1) Jelaskan definisi dan cara kerja LED!
2) Sebutkan beberapa aplikasi yang menggunakan komponen LED!

2) Rubahlah sumber tegangan dan lakukanlah pengukuran arus pada saat tegangan LED
berada disekitar 0 V, 0.5 V, 1.0 V, 1.5 V, 2.0 V, 2.12 V, dan 2.25 V, tuliskan tegangan
LED (𝑉𝐷) dan arus LED (𝐼𝐷) pada Tabel 6.2.
Gambar 6.3 Rangkaian percobaan karakteristik LED

6.6 Data Percobaan
Tabel 6.2 Data karakteristik LED saat bias maju
𝑉𝐷 (V) 𝐼𝐷 (mA)
Dari data Tabel 6.2, gambarlah grafik arus LED (𝐼𝐷) terhadap tegangan LED (𝑉𝐷) pada Gambar 6.4.
62
Gambar 6.4 Kurva karakteristik LED saat bias maju
63
6.7 Analisa
64
6.8 Kesimpulan
65
7 KARAKTERISTIK KONFIGURASI KOLEKTOR BERSAMA
PADA BJT
7.1 Tujuan
1) Mengetahui karakteristik Bipolar Junction Transistor (BJT).
2) Mengetahui daerah oparasi BJT.

1) Power supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung
7.3 Teori
Selama periode 1904-1947, tabung vakum merupakan piranti elektronik yang sedang
berkembang dan diproduksi secara besar-besaran untuk digunakan dalam radio, TV, amplifier, dll.
Setelah itu, transistor pertama diperkenalakan oleh Bell Telephone Laboratories. Piranti ini lebih
kecil, ringan, tidak butuh daya yang besar, dan dapat bekerja pada tegangan operasi yang rendah,
serta beberapa keuntungan lainnya.
7.3.1 Konstruksi Transistor

Transistor merupakan piranti yang terdiri atas tiga lapisan semikonduktor, yaitu dua buah
lapisan semikonduktor tipe P dan sebuah lapisan semikonduktor tipe N, atau dua lapisan
semikonduktor tipe N dan sebuah lapisan semikonduktor tipe P. Jenis pertama dikenal sebagai
transistor tipe pnp, sedangkan yang kedua dikenal dengan transistor tipe npn. Pada saat
pembiasan seperti pada Gambar 7.1 terminal yang terhubung ke bahan semikonduktor tersebut
dikenal dengan E untuk emitor, C untuk kolektor, dan B untuk basis.
(a) (b)
Gambar 7.1 Tipe transistor: (a) pnp; (b) npn
66
7.3.2 Operasi Transistor
Dasar operasi dari transistor akan dijelaskan dengan menggunakan transistor tipe pnp. Pada
Gambar 7.2a transistor pnp diberi bias maju pada terminal emitor-basis tapi pada terminal basis-
kolektor tidak diberi bias. Daerah deplesi mengecil karena dibias maju, sehingga terjadi aliran arus
pembawa (majority carriers) yang besar dari lapisan tipe P ke lapisan tipe N. Jika bias pada emitor-
basis dihilangkan dan dipasang pada basis-kolektor secara mundur (reverse bias) seperti pada
Gambar 7.2b, maka arus pembawa mayoritas akan hilang dan yang ada hanyalah arus pembawa
minoritas (minority carriers) atau disebut leakage current dan dinotasikan dengan 𝐼𝐶0.
Gambar 7.2 Prategangan pada transistor: (a) bias maju; (b) bias mundur
Sementara itu, jika kedua tegangan bias dipasang seperti pada Gambar 7.3, maka semua
arus pembawa baik pembawa mayoritas maupun minoritas akan muncul dan melintasi daerah
persambungan (junction) dari transistor.
Gambar 7.3 Aliran arus pembawa mayoritas dan minoritas

Karena lapisan tipe N sangat kecil dan mempunyai konduktivitas rendah, sehingga hanya
akan ada sebagian kecil arus pembawa mayoritas yang keluar melewati terminal basis
(kebanyakan dalam orde mikroamper atau nanoamper). Sebagaian besar arus pembawa
mayoritas akan langsung terdifusi melewati junction yang terbias reverse ke dalam material tipe P
yang terhubung ke terminal kolektor.
Jika transistor pada Gambar 7.3 dianggap sebagai titik, maka dengan hukum Kirchhoff arus
dapat diperoleh
67
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 (7.1)
Bagaimanapun juga ada sebagian kecil arus pembawa minoritas yang melewati kolektor,
maka total arus kolektor didapat dengan persamaan sebagai berikut
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑦𝑜ri t𝑎𝑠 + 𝐼𝐶0𝑚i 𝑛𝑜ri t𝑎𝑠 (7.2)
7.3.3 Konfigurasi Common-Base

Pada konfigurasi common-base (CB), basis dari transistor terhubung dengan gound dari
input dan outputnya. Umunya, pada transistor npn, input berada pada emitor, sedangkan
outputnya pada kolektor, untuk lebih jelasnya dapat dilihat pada Gambar 7.4.
(a) (b)
Gambar 7.4 Notasi dan simbol pada common-base: (a) transistor pnp; (b) transistor npn
Karakteristik input yang menggambarkan hubungan antara arus input (𝐼𝐸) dengan tegangan
input (𝑉𝐵𝐸) untuk tegangan output (𝑉𝐶𝐵) yang bervariasi dapat digambarkan sebagai berikut
68
Gambar 7.5 Karakteristik input amplifier konfigurasi CB
Sementara karakteristik output yang menjelaskan hubungan antara arus output (𝐼𝐶) dengan
tegangan output (𝑉𝐶𝐵) terhadap arus input (𝐼𝐸) yang bervariasi dilihatkan pada Gambar 7.6.
Karakteristik ouput memiliki tiga daerah yang dikenal sebagai daerah kerja, yaitu terlihat pada
Gambar 7.6: daerah aktif, saturasi, dan cutoff.
Pada daerah aktif, sambungan basis-emitor diberi bias maju, dan sambungan kolektor-basis
diberi bias mundur. Pada bagian paling bawah pada daerah aktif, arus emitor (𝐼𝐸) samadengan
nol. Dan arus kolektor (𝐼𝐶) akan dalam keadaan saturasi mundur (𝐼𝐶0) seperti ditunjukkan pada
Gambar
7.7. Arus 𝐼𝐶0 (mikroamper atau nanoamper) sangat kecil jika dibandingkan dengan arus 𝐼𝐶
(miliamper) maka dari itu arus 𝐼𝐶0 sangat mendekati dengan arus 𝐼𝐶 = 0. Penulisan notasi arus
kolektor saat arus emitor samadengan nol dapat dituliskan 𝐼𝐶0 atau 𝐼𝐶𝐵0.
Gambar 7.6 Karakteristik outpu amplifier konfigurasi CB
69
Gambar 7.7 Arus saturasi mundur
Pada Gambar 7.6 dapat diambil persamaan pendekatan dari hubungan antara 𝐼𝐶 dan 𝐼𝐸 pada
daerah aktif adalah
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 (7.3)
Pada daerah cutoff, kolektor-basis dan basis-emitor diberi bias mundur, sementara pada
daerah saturasi, kolektor-basis dan basis-emitor diberi bias maju. Jika transistor dalam keadaan
“on”, maka tegangan antara basis dan emitor (𝑉𝐵𝐸) diasumsikan sebagai berikut
𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 V (7.4)
Alpha (α)
Pada mode dc, 𝐼𝐶 dan 𝐼𝐸 mempunyai hubungan yang disebut dengan alpha dan didefinisikan
dengan persamaan sebagai berikut
𝐼
𝐶
(7.5)
𝛼𝑑𝑐 =
�
�
�
Pada kebanyakan divais memilik alpha diantara 0.9 – 0.998. Sejak α telah didefinisikan, maka
Persamaan (7.2) akan menjadi
𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸 + 𝐼𝐶𝐵0 (7.6)
Sedangkan untuk alpha dalam mode ac didefinisikan sebagai berikut
𝛼𝑎𝑐 = ∆𝐼𝐶| (7.7)

∆𝐼𝐸 𝑉
𝐶𝐵=ko𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛
7.3.4 Konfigurasi Common-

Emitter
Konfigurasi transistor yang paling sering digunakan dalam rangkaian adalah konfigurasi
common-emitter (CE). Pada konfigurasi common-emitter, bagian input berada pada rangkaian
basis-emitor sedangkan output pada rangkaian kolektor-emitor, untuk lebih jelasnya dapat dilihat
pada Gambar 7.8.
70
Gambar 7.8 Notasi dan simbol pada common-emitter: (a) transistor npn; (b) transistor pnp
Dalam daerah aktif pada konfigurasi common-emitter yang terlihat dalam Gambar 7.9,
sambungan basis-emitor diberi bias maju, sedangkan pada sambungan kolektor-basis diberi bias
mundur. Karakteritik kolektor pada konfigurasi common-emitter yang terlihat pada Gambar 7.9,
saat arus input (𝐼𝐵) samadengan nol, arus output (𝐼𝐶) tidak samadengan nol. Berbeda dengan
konfigurasi common-base, saat arus masuk (𝐼𝐸) samadengan nol, arus outputnya samadengan
arus saturasi mundur (𝐼𝐶𝐵0) yang hampir mendekati nol.
Perbedaan karakteristik kolektor antara konfigurasi common-base dan common-emitter

dapat dicari dengan menggunakan Persamaan (7.2) dan (7.6). Mensubstitusikan Persamaan (7.2)
ke dalam Persamaan (7.6) akan menjadi seperti berikut
𝐼𝐶 = 𝛼(𝐼𝐶 + 𝐼𝐵) + 𝐼𝐶𝐵0
Menyelesaikan 𝐼𝐶 akan menghasilkan
𝐼 = 𝛼𝐼𝐵 + 𝐼𝐶𝐵0 (7.8)

𝐶
1−𝛼 1−𝛼
Untuk amplifier linier (distorsinya kecil), arus kolektor saat cutoff pada konfigurasi
common- emitter akan didefinisikan sebagai berikut: 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝐸0. Saat arus basis (𝐼𝐵) samadengan
nol, arus kolektornya (𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝐸0) adalah
𝐼𝐶𝐵0
𝐼𝐶𝐸0 = | (7.9)
1−𝛼
𝐼𝐵=0
71
Gambar 7.9 Karakteristik common-emitter: (a) kolektor; (b) basis
Gambar 7.10 Kondisi rankaian saat saat arus basis samadengan nol
Beta (𝖰)
Dalam mode dc, hubungan antara 𝐼𝐵 dan 𝐼𝐶 disebut dengan beta dan dirumuskan dengan
persamaan sebagai berikut
𝐼𝐶
𝛽𝑑𝑐 = (7.10)
�
𝐵
Sedangkan pada mode ac, persamaannya adalah
𝛽𝑎𝑐 = ∆𝐼𝐶 (7.11)

| 𝑉𝐶𝐸
∆𝐼𝐵 =ko𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛
Untuk analis, subscript dc atau ac tidak akan dimasukkan ke beta atau alpha. Hubungan
antara beta dan alpha dapat dibuat menggunakan Persamaan (7.1). Menggunakan 𝛽 = 𝐼𝐶⁄𝐼𝐵 akan
mendapatkan 𝐼𝐵 = 𝐼𝐶⁄𝛽, dan dari 𝛼 = 𝐼𝐶⁄𝐼𝐸 akan mendapatkan 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶⁄𝛼, mensubtitusikan ke
Persamaan (7.1) akan menghasilkan
𝐼𝐶 𝐼𝐶
= 𝐼𝐶 +
𝛼 𝛽
Kemudian membagi kedua sisi dengan 𝐼𝐶 akan menghasilkan
1 1
=1+
𝛼 𝛽
72
maka
𝛽
𝛼= (7.12)
𝛽+1
atau
𝛼
𝛽= (7.13)
1−𝛼
1
Menggunakan persamaan = 𝛽 + 1 dan mensubstitusikan ke Persamaan (7.9) akan
1−𝛼
menghasilkan
𝐼𝐶𝐸0 = (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵0
atau
𝐼𝐶𝐸0 ≅ 𝛽𝐼𝐶𝐵0 (7.14)

Menggunakan persamaan 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 dan mensubstitusikan ke Persamaan (7.1) akan
menghasilkan
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 (7.15)
7.3.5 Konfigurasi Common-Collector

Konfigurasi Common-Collector (CC) atau Kolektor Bersama memiliki sifat dan fungsi yang
berlawan dengan Common-Base (Basis Bersama). Kalau pada Common-Base menghasilkan
penguatan Tegangan tanpa memperkuat Arus, maka Common-Collector ini memiliki fungsi yang
dapat menghasilkan Penguatan Arus namun tidak menghasilkan penguatan Tegangan.
Pada Konfigurasi Common-Collector, Input diumpankan ke Basis Transistor sedangkan

Outputnya diperoleh dari Emitor Transistor sedangkan Kolektor-nya di-ground-kan dan digunakan
bersama untuk INPUT maupun OUTPUT.
Konfigurasi Kolektor bersama (Common Collector) ini sering disebut juga dengan Pengikut
Emitor (Emitter Follower) karena tegangan sinyal Output pada Emitor hampir sama dengan
tegangan Input Basis.
73
Gambar 7.11 Notasi dan simbol pada common-collector: (a) transistor pnp; (b) transistor npn
Dengan menggunakan kurva karakteristik pada Gambar 7.9:
1) Tentukan nilai arus kolektor (𝐼𝐶) jika 𝑉𝐵𝐸 = +750 mV dan 𝑉𝐶𝐸 = +4 V.
2) Tentukan nilai tegangan kolektor-emitor (𝑉𝐶𝐸) dan tegangan basis-emitor (𝑉𝐵𝐸) jika
𝐼𝐶 = 3.5 mA dan 𝐼𝐵 = 30 μA.

2) Atur 𝑅𝑉1 sehingga arus basis bernilai 10 µA.
3) Atur 𝑅𝑉2 dan lakukanlah pengukuran arus kolektor (𝐼𝐶) pada saat tegangan kolektor
(𝑉𝐶𝐸) berada disekitar 0 V, 0.5 V, 1 V, 2 V, 3 V, ... , dan 10V, tuliskan tegangan kolektor
(𝑉𝐶𝐸) dan arus kolektor (𝐼𝐶) pada Tabel 7.1.
5) Ulangi langkah nomer (3).
7) Ulangi langkah nomer (3).
Gambar 7.12 Percobaan karakteristik kolektor bersama
74
7.6 Data Percobaan
Tabel 7.1 Data percobaan karakteristik kolektor bersama
𝐼𝐶 dalam mA 𝐼𝐶 dalam mA 𝐼𝐶 dalam mA
𝑉𝐶𝐸 dalam volt
(𝐼𝐵 = 10 μA) (𝐼𝐵 = 20 μA) (𝐼𝐵 = 30 μA)
0
0.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Dari data Tabel 7.1, gambarlah grafik arus kolektor (𝐼𝐶) terhadap tegangan kolektor (𝑉𝐶𝐸) pada
Gambar 7.13.
Gambar 7.13 Kurva karakteristik kolektor bersama
75
7.7 Ananlisa
76
7.8 Kesimpulan
77
8 TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR ELEKTRONIK
8.1 Tujuan
1) Mengetahui cara menggunakan transistor sebagai saklar elektronik.
2) Mampu merancang rangkaian transistor sebagai saklar elektronik.
3) Mampu menganalisa rangkaian transistor sebagai saklar elektronik.

1) Power supply
2) Panel percobaan
3) Multimeter
4) Kabel penghubung
8.3 Teori
8.3.1 Konfigurasi Prategangan Tetap (Fixed-Bias)
Sebuah rangkaian yang menggunakan transistor harus didesain agar dapat bekerja pada
titik operasi yang diinginkan. Persamaan paling dasar untuk sebuah transistor adalah
𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 V (8.1)

𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 ≅ 𝐼𝐶 (8.2)
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (8.3)
Rangkaian prategangan tetap seperti pada Gambar 8.1a adalah rangkaian prategangan
transistor yang paling sederhana. Untuk menganalisa rangkaian prategangan tetap dibagi menjadi
dua langkah, yaitu (1) meninjau rangkaian dari sisi basis-emitor, (2) meninjau rangkaian dari sisi
kolektor-emitor. Dengan menggunakan hukum Kirchhoff tegangan pada sisi basis-emitor, dapat
dituliskan persamaannya sebagai berikut
+𝑉i − 𝑉𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0

atau
+𝑉i − 𝐼𝐵𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0
Maka akan didapat persamaan untuk mencari arus basis
𝑉i −
𝐼𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 (8.4)
𝑅𝐵
Dengan menggunakan hukum Kirchhoff tegangan pada sisi kolektor-emitor, dapat dituliskan
persamaannya sebagai berikut
+𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐶 = 0
78
atau
+𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐶 = 0
dan
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑅𝐶 (8.5)
8.3.2 Transistor Sebagai Saklar Elektronik
Kegunaan transistor tidak terbatas pada penguatan sinyal saja, transistor dapat juga
digunakan sebagai saklar (switch) untuk komputer dan kontrol berbagai macam aplikasi.
Rangkaian pada Gambar 8.1 dapat dikatakan sebagai inverter pada rangkaian logik di komputer.
Sebagai catatan, tegangan keluaran 𝑉𝐶 terbalik dengan tegangan masukan atau tegangan basis.
Sebagai tambahan, pada sisi input (terminal basis) diberikan pulse, dan pada sisi output atau
kolektor dihubungkan ke sumber tegangan dc, dan untuk kegunaan pada komputer, magnitude
sumber tegangan dc adalah saat “high”, pada kasus ini besaran “high” adalah 5 V. Nilai resistansi
𝑅𝐵 harus dipastikan dapat membuat transistor dalam kondisi “on”.
Agar transistor dapat beroperasi sebagai saklar, maka transistor harus dapat bekerja dari
kondisi cutoff ke saturasi sepanjang garis beban (load line) seperti pada Gambar 8.1b. Untuk
tujuan analisa diasumsikan bahwa 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝐸0 ≅ 0 mA saat 𝐼𝐵 = 0 mA dan 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎t ≅ 0 V
walaupun sebenarnya pada praktiknya tegangan kolektor-emitor samadengan 0.1 V sampai 0.3 V,
seperti ditunjukkan pada Gambar 8.1.
Ketika tegangan masukan 𝑉i = 5 V, transistor akan dalam kondisi “on” dan desain rangkaian
harus dipastikan bahwa transistor dalam keadaan saturasi. Dalam Gambar 8.1b, agar transistor
dapat bekerja pada daerah saturasi 𝐼𝐵 > 50 μA. Arus kolektor pada saat saturasi untuk rangkaian
pada Gambar 8.1a dapat dicari dengan persamaan berikut
𝑉𝐶
𝐶 (8.6)
𝐼𝐶𝑠𝑎t =
�𝐶
Besar arus basis sesaat sebelum saturasi dapat dicari dengan metode pendekatan dengan
persamaan sebagai berikut
𝐼 𝐼≅ (8.7)
𝐵𝑚𝑎𝑥 𝐶𝑠𝑎t
𝛽𝑑𝑐
Saat transistor bekerja pada daerah saturasi dapat dipastikan jika kondisinya memenuhi
persamaan berikut
𝐼𝐵 𝐼>𝐶 (8.8)
𝑠𝑎t
𝛽𝑑𝑐
79
Gambar 8.1 Inverter transistor

Tentukan nilai 𝑅𝐵 dan 𝑅𝐶 untuk rangkaian inverter transistor pada jika 𝐼𝐶𝑠𝑎t = 10 𝑚𝐴.
Gambar 8.2 Rangkaian inverter untuk tugas pendahuluan

1) Susunlah rangkaian seperti pada Gambar 8.3.
80
2) Tutup saklar, ukur arus basis (𝐼𝐵), arus kolektor (𝐼𝐶), tegangan jatuh pada 𝑅1 (𝑉𝑅1 ), dan
tegangan kolektor-emitor (𝑉𝐶𝐸).
3) Buka saklar, dan ganti nilai resistansi 𝑅𝐵 = 𝑅1 = 200 Ω.
4) Tutup saklar, ukur arus basis (𝐼𝐵), arus kolektor (𝐼𝐶), tegangan jatuh pada 𝑅1 (𝑉𝑅1 ), dan
tegangan kolektor-emitor (𝑉𝐶𝐸).
5) Catat semua data pengukuran pada Tabel 8.1.
Gambar 8.3 Percobaan transistor sebagai saklar

8.6 Data Percobaan
Tabel 8.1 Data percobaan transistor sebagai saklar
𝑅𝐵 (Ω) 𝐼𝐵 (mA) 𝐼𝐶 (mA) 𝑉𝑅1 (V) 𝑉𝐶𝐸 (V)

47
200
81
8.7 Ananlisa
82
8.8 Kesimpulan
83

Adoc - Pub - Laporan Praktikum Elektronika Dasar Disusun Oleh N 1

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Adoc - Pub - Laporan Praktikum Elektronika Dasar Disusun Oleh N 1

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

LAPORAN PRAKTIKUM

JURUSAN D3 TEKNIK ELEKTRO

JURUSAN D3 TEKNIK ELEKTRO

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

Telah diperiksa, disetujui, dan disahkan oleh:

Ir. Diding Suhardi, MT Khusnul Hidayat, ST

NAMA : ...................................................................... Foto 3x4

Percobaan Tanggal Catatan Asistensi TTD

Ir. Diding Suhardi, MT

Praktikum elektronika dasar merupakan pengimplementasian praktik untuk menerapkan

Malang, 21 Desember 2015

Tabel 1.1 Nilai warna pada cincin resistor...........................................................................................2

Gambar 1.1 Urutan cincin warna pada resistor..................................................................................1

1.2 Instrumen yang Digunakan

Gambar 1.1 Urutan cincin warna pada resistor

Tabel 1.1 Nilai warna pada cincin resistor

Gambar 1.2 Resistor 4 cincin warna

Gambar 1.3 Resistor 5 cincin warna

1.3.2 Rangkaian Resistor Seri dan Paralel

Gambar 1.4 Rangkaian resistor secara seri

Gambar 1.5 Rangkaian resistor secara paralel

Pada rangkaian resistor paralel berlaku rumus:

Gambar 1.6 Diagram hukum Ohm

dimana 𝑉 = beda potensial, Volt

1.3.4 Hukum Kirchhoff

Gambar 1.7 Ilustrasi KVL pada single-loop

i𝑅2 + i𝑅3 + i𝑅5 = 𝑣1 + 𝑣4 (1.7)

Gambar 1.8 Ilustrasi penerapan hukum Kirchhoff pada rangkaian paralel

𝑉𝑠 = 𝑉𝑅1 = 𝑉𝑅2 = 𝑉𝑅3 (1.11)

Gambar 1.10 Rangkaian resistor seri dan paralel

1.5 Langkah Percobaan

1.5.1 Percobaan Karakteristik Resistor dan Hukum Ohm

1) Buatlah rangkaian seperti Gambar 1.11 dengan R =.........Ω.

Gambar 1.11 Rangkaian percobaan hukum Ohm

1) Susunlah rangkaian seperti Gambar 1.12 dibawah ini.

Gambar 1.12 Rangkaian resistor secara seri

2) Ukurlah nilai resistansi pada masing-masing resistor.

1.5.3 Percobaan Rangkaian Paralel dan Hukum Kirchhoff Arus

1) Susunlah rangkaian seperti Gambar 1.13.

1.6 Data Percobaan

1.6.1 Data Hasil Pengukuran

Tabel 1.2 Percobaan karakteristik resistor dan hukum Ohm

Tabel 1.3 Percobaan rangkaian seri dan hukum Kirchhoff tegangan

Tabel 1.4 Percobaan rangkaian paralel dan hukum Kirchhoff arus

Tabel 1.5 Perhitungan percobaan hukum Ohm

2.2 Instrumen yang Digunakan

2.3.1 Bahan Semikonduktor

2.3.2 Ikatan Kovalen (Covalent Bonding) dan Bahan Intrinsik

Gambar 2.2 Ikatan kovalen pada atom silicon

Gambar 2.3 Ikatan kovalen pada kristal GaAs

Gambar 2.4 Pasangan elektron-lubang (electron-hole pair)

Gambar 2.6 Distribusi muatan saat sambungan PN tidak terbias

Gambar 2.7 Simbol dioda

Gambar 2.10 Bertambahnya forward-bias dari (a) ke (b)

2.3.5 Kurva Karakteristik Dioda

2.4 Tugas Pendahuluan

2.5 Prosedur Percobaan

2.6 Data Percobaan

Gambar 2.14 Kurva karakteristik dioda saat reverse bias

3.2 Instrumen yang Digunakan

3.3.1 Penyearah Setengah Gelombang

Sebuah penyearah adalah merupakan rangkaian yang mengkonversikan sinyal ac (bolak-

Faktor ripple (Ripple Factor), yang mengukur kandungan ripple adalah