Tipos De Memoria

INTRODUCCION La memoria es un bloque fundamental del computador, cuya misin consiste en almacenar los datos y las instrucciones. La memoria principal, es el rgano que almacena los datos e instrucciones de los programas en ejecucin. A veces la memoria principal no tiene la suficiente capacidad para contener todos los datos e instrucciones, en cuyo caso se precisan otras memorias auxiliares o secundarias, que funcionan como perifricos del sistema y cuya informacin se traspasa a la memoria principal cuando se necesita. La memoria solo puede realizar dos operaciones bsicas: lectura y escritura. En la lectura, el dispositivo de memoria debe recibir una direccin de la posicin de la que se quiere extraer la informacin depositada previamente. En la escritura, adems de la direccin, se debe suministrar la informacin que se desea grabar. EVOLUCION DE LAS MEMORIAS En las calculadoras de la dcada de los 30 se emplean tarjetas perforadas como memorias. La direccin de las posiciones quedaba determinada por la posicin de ruedas dentadas. Luego se emplearon rels electromagnticos. El computador ENIAC utilizaba, en 1946, vlvulas electrnicas de vaco para construir sus biestables que actuaban como punto de memoria. Adems, tenia una ROM de 4 bits construida a base de resistencias. Al comienzo de la dcada de los 50, se usaron las lneas de retardo de mercurio con 1 Kbit por lnea, como memoria. Igualmente se empleo el tubo de Williams, que tenia una capacidad de 1200 bits y consista en un tubo de rayos catdicos con memoria. En UNIVAC I introdujo en 1951 la primera unidad comercial de banda magntica, que tenia una capacidad de 1,44 Mbit y una velocidad de 100 pulgadas/s. El primer computador comercial que uso memoria principal al tambor magntico fue el IBM 650 en 1954. Dicho tambor giraba a 12500 r.p.m y tenia una capacidad de 120 Kbits. En 1953, el Mit dispuso de la primera memoria operativa de ferritas, que fue muy popular hasta mediados de los aos 70. Fue IBM, en 1968, quien diseo la primera memoria comercial de semiconductores. Tenia una capacidad de 64 bits. Tambin, el modelo 350 de IBM en 1956 fue quien utilizo el primer disco con brazo mvil y cabeza flotante. Su capacidad era de 40 Mbits y su tiempo de acceso, de 500 ms. Tecnologas nuevas, como la de burbujas magnticas, efecto Josephon, acoplamiento de carga, de tipo ptico y otras, compiten en la actualidad por desplazar a las memorias de semiconductor basadas en silicio, que ya han alcanzado capacidades superiores a 1 Mbit en una pastilla con rapidisimo tiempo de acceso y coste razonable.

MEMORIA DE FERRITA Aunque hoy en da estn en desuso, la practica totalidad de las memorias principales, desde mediados de la dcada de los 50, hasta los aos 70, se han construido con ferritas. Una muestra de su importancia es que es el escudo de las Facultades y Escuelas de Informtica se basa en un toro de ferrita. El punto de memoria es un toro o anillo de ferrita, que presenta dos direcciones de magnetizacin. Las primeras ferritas tenan un dimetro exterior de 0.3 cm y las ultimas de 0.05 cm. La conexin a los transductores se realiza mediante hilos de cobre barnizados, que pasan por el interior de las ferritas. La conexin se hacia con 2, 3 4 hilos. Evidentemente el cosido con menos hilos era ms sencillo, pero complicaba los transductores. Las propiedades fundamentales de estas memorias son las siguientes: Memoria esttica con direccionamiento cableado, tipo RAM. No voltil, pues, si se deja de alimentar, las polarizaciones de las ferritas se mantienen invariables. De lectura destructiva. La escritura exige un borrado previo, pues solamente se puede basar del 0 al 1. Solo se considera el tiempo de ciclo( lectura + escritura)pues los accesos siempre requieren un ciclo. La velocidad de los primeros prototipos era de 20 s y se ha llegado a modelos de 275ns. La capacidad de estas memorias varia de unos pocos K a unos pocos Megas. Se construan con modelos de 4K. Valores tpicos de anchos de palabra han sido 8, 16, 32 y 36.

MEMORIAS DE PELICULA DELGADA Y DE HILO PLATEADO. Ambos tipos de memoria fueron un intento, de poco xito comercial, de sustituir ferritas de dos hilos por una estructura de fabricacin ms sencilla, de menor tamao y, por tanto, de mayor velocidad. En los dispositivos de pelcula delgada se parte de una fina capa magnetizable sobre la que se establece una matriz de hilos conectados a los transductores. La zona proximal al cruce de dos hilos realiza la misma funcin que un toro de ferrita de dos hilos. Dicha capa se deposita sobre un soporte y tiene un espesor de unos 10 -4mm. En los dispositivos de hilo plateado el material magntico se deposita en una fina capa que recubre uno de los dos conductores. La zona de este deposito, prxima al cruce de ambos hilos, forma el equivalente a la ferrita.

MEMORIAS DE SEMICONDUCTORES Este tipo de memoria se emplea actualmente, con carcter universal, como memoria principal de los computadores. Todas las memorias que se van a tratar en este apartado son de direccionamiento cableado, o sea, de acceso aleatorio o RAM. Sin embargo, dentro de estas memorias se ha desarrollado otra terminologa que resulta un poco confusa, pues repite trminos empleados con otro sentido. Se puede establecer la siguiente clasificacin: de lectura y escritura(RAM)

Estticas. Dinmicos o con refresco.

de slo lectura

ROM (Read Only Memory) PROM (Programmable Read Only Memory) EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) EEPROM (Electricaly Erasable Read Only Memory )

Las memorias de semiconductores se presentan en pastillas integradas que contienen una matriz de memoria, un decodificador de direcciones, los transductores correspondientes y el tratamiento lgico de algunas seales de control. Existen muchas configuraciones, pero la mayora de estas memorias manejan los siguientes elementos y seales. Bus de Datos: es un colector o conjunto de lneas triestado que transportan la informacin almacenada en memoria. El bus de datos se puede conectar a las lneas correspondientes de varias pastillas. Bus de Direcciones: cuando se esta completo, es un conjunto de m lneas que transportan la direccin y que permite codificar 2 posiciones de memoria. Pude estar multiplexado, de forma que primero se transmiten m/2 bits y luego, el resto. Seales de control tpicas: OE: activa la salida triestado de la memoria. CS CE: activa la pastilla o chip. WE: seal de escritura. Para realizar una escritura, adems de activarse esta seal, tambin lo estarn CS CE. RAS CAS: las lneas RAS(Row Address Strobe) y CAS(Column Address Strobe) sirven para decodificar las filas y columnas de la RAM dinmicas. d) Ancho de palabra tpico: 1,4 u 8 bits.

MEMORIA RAM Es la memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory). Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la informacin que est en la memoria en cualquier punto sin tener que acceder a la informacin anterior y posterior. Es la memoria que se actualiza constantemente mientras el ordenador est en uso y que pierde sus datos cuando el ordenador se apaga. Hay dos tipos bsicos de RAM: DRAM (Dynamic RAM), RAM dinmica, SRAM (Static RAM), RAM esttica Los dos tipos difieren en la tecnologa que usan para almacenar los datos. La RAM dinmica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM esttica no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace ms rpida, pero tambin ms cara que la RAM dinmica. Ambos tipos son voltiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentacin. En el lenguaje comn, el termino RAM es sinnimo de memoria principal, la memoria disponible para programas. Se refiere a la memoria RAM tanto como memoria de lectura y escritura como as a un tipo de memoria voltil. Tipos de Memoria RAM: 1) DRAM (Dynamic Random Access Memory) Es la memoria de acceso aleatorio dinmica. Est organizada en direcciones de memoria (Addresses) que son reemplazadas muchas veces por segundo. Es la memoria de trabajo, por lo que a mayor cantidad de memoria, ms datos se pueden tener en ella y ms aplicaciones pueden estar funcionando simultneamente, y por supuesto a mayor cantidad mayor velocidad de proceso, pues los programas no necesitan buscar los datos continuamente en el disco duro, el cual es muchsimo ms lento. SRAM (Static Random Access Memory) Memoria esttica de acceso aleatorio es la alternativa a la DRAM. No necesita tanta electricidad para su refresco y reemplazo de las direcciones y funciona ms rpido porque no est reemplazando constantemente las instrucciones y los valores almacenados en ella. La desventaja es su altsimo coste comparado con la DRAM. Puede almacenar y recuperar los datos rpidamente y se conoce normalmente como MEMORIA CACHE. 3) VRAM (video RAM) Memoria de propsito especial usada por los adaptadores de vdeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultnea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador grfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos grficos aunque es ms cara que la una RAM normal. 4) SIMM ( Single In Line Memory Module) Un tipo de encapsulado consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zcalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son

ms fciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits. 5) DIMM (Dual In Line Memory) Un tipo de encapsulado, consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zcalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos. DIP (Dual In Line Package) Un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexin en cada lado. RAM Disk Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces ms rpidos que los discos duros, y son particularmente tiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco. Dado que estn constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez que la computadora es apagada. MEMORIA CACHE O RAM CACHE Un cach es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un rea reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de cach frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria cach y cach de disco. Una memoria cach, llamada tambin a veces almacenamiento cach RAM cach, es una parte de memoria RAM esttica de alta velocidad (SRAM) ms que la lenta y barata RAM dinmica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria cach es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta informacin en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM. Cuando un dato es encontrado en el cach, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un cach juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria cach usan una tecnologa conocida por cach inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. El cach de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cach, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos ms recientes del disco duro a los que se ha accedido se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la cach del disco para ver si los datos ya estn ah. La cach de disco puede mejorar drsticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces ms rpido que acceder a un byte del disco duro.

Tipos de Memoria CACHE De acuerdo con el modo de traduccin de las direcciones de memoria principal a direcciones de memoria cache, estas se clasifican en los siguientes tipos: De correspondencia directa. De asociacin completa. De asociacin de conjuntos. De correspondencia vectorizada. Memoria cache de correspondencia directa. Se establece una correspondencia entre el bloque K de la memoria principal y el bloque k, modulo n, de la cache, siendo n el numero de bloques de la memoria cache. Este tipo simple y econmico, por no requerir comparaciones asociativas en las bsquedas. De todas formas, en sistemas multiprocesador pueden registrarse graves contenciones en el caso de que varios bloques de memoria correspondan concurrentemente en un mismo bloque de la cache. Una direccin de memoria consta de 3 campos: Campo de etiqueta. Campo de bloque. Campo de palabra. Memoria asociativa completa En este modelo se establece una correspondencia entre el bloque k de la memoria y el bloque j de la cache, en la que j puede tomar cualquier valor. No se produce contencin de bloques y es muy flexible, pero su implementacin es cara y muy compleja, ya que el modelo se basa completamente en la comparacin asociativa de etiquetas. Memoria cache de asociacin de conjuntos Se divide la memoria en c conjuntos de n bloques, de forma que al bloque k de memoria corresponde uno cualquiera de los bloques de la memoria del conjunto k, modulo c. La bsqueda se realiza asociativamente por el campo de etiqueta y directamente por el numero del sector. De este modo se reduce el costo frente al modelo anterior, manteniendo gran parte de su flexibilidad y velocidad. Es la Estructura ms utilizada. Memoria cache de correspondencia vectorizada El modelo divide a la memoria principal y a le cache en n bloques. La relacin se establece de cualquier sector a cualquier sector, siendo marcados los bloques no referenciados del sector como no validos. Esta estructura tambin reduce costos, minimizando el ncleo de etiquetas para la comparacin asociativa. SDRAM (Synchronous DRAM)

DRAM sncrona, un tipo de memoria RAM dinmica que es casi un 20% ms rpida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o ms matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se est accediendo a una matriz, la siguiente se est preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnologa SDRAM ms rpida esperada para 1998. Tambin conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bs. FPM (Fats Page Mode) Memoria en modo paginado, el diseo ms comn de chips de RAM dinmica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era ledo pulsando la fila y la columna de las lneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rpido acceso. La memoria en modo paginado tambin es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El trmino "fast" fu aadido cuando los ms nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso ms. 11) EDO (Extended Data Outpout) Un tipo de chip de RAM dinmica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page. Sin embargo, si el controlador de memoria no est diseado para los ms rpidos chips EDO, el rendimiento ser el mismo que en el modo Fast Page. EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo. BEDO (Burst EDO) Es un tipo ms rpido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de direccin para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones. PB SRAM (Pipeline Burst SRAM) Se llama 'pipeline' a una categora de tcnicas que proporcionan un proceso simultneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tubera' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultneamente. Por ejemplo, mientras una instruccin se est ejecutando, la computadora est decodificando la siguiente instruccin. En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultneamente varios pasos de operaciones de coma flotante La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos. TAG RAM Este tipo de memoria almacena las direcciones de cualquier dato de memoria DRAM que hay en la memoria cach. Si el procesador encuentra una direccin en la TAG RAM, va a buscar los datos directamente a la cach, si no, va a buscarlos directamente a la memoria principal. Cuando se habla de la CACHEABLE MEMORY en las placas para Pentium con los chipsets 430FX, 430VX, 430HX y 430TX de Intel, nos referimos a la cantidad de TAG RAM, es decir, la cantidad de datos de memoria que se pueden almacenar en la cach. Una de las desventajas del chipset 430TX frente al chipset 430HX es que solo se pueden almacenar los datos de 64 MB de memoria RAM, con lo cual, en ciertos casos, en las placas con este chipset se produce un descenso del rendimiento de memoria al tener instalados ms de 64 MB de memoria RAM en el equipo. Por ello, a pesar de la modernidad del diseo, en los servidores o las estaciones grficas quizs sera ms conveniente utilizar una placa base con el chipset 430HX de Intel.

MEMORIA ROM Estas letras son las siglas de Read Only Memory (memoria de solo lectura) y eso es exactamente lo que es, una memoria que se graba en el proceso de fabricacin con una informacin que est ah para siempre, para lo bueno y lo malo. No podemos escribir en ella pero podemos leer cada posicin la veces que queramos. Se trata de la memoria interna de la mquina, que el procesador lee para averiguar el qu, el cundo y el cmo de una multitud de tareas diferentes; por ejemplo: lee las diversas instrucciones binarias que se necesitan cada vez que se teclea un carcter por el teclado, o cada vez que se tiene que presentar algo en pantalla. En la ROM est almacenado tambin el programa interno que nos ofrece la posibilidad de hablar con el ordenador en un lenguaje muy similar al ingls sin tener que rompernos la cabeza con el lenguaje de mquina (binario). Todas estas cosas suman tanta informacin que es muy probable que la memoria ROM de un ordenador tenga una capacidad de 8K a 16K, un nmero suficientemente grande para que este justificado asombrarse ante la cantidad de informacin necesaria para llenar tal cantidad de posiciones, especialmente cuando sabemos que los programas ROM estn escritos por expertos en ahorrar memoria. Ello sirve para poner de manifiesto la gran cantidad de cosas que pasan en el interior de un ordenador cuando ste est activo. La memoria ROM presenta algunas variaciones: las memorias PROM, EPROM y EEPROM. MEMORIA PROM Para este tipo de memoria basta decir que es un tipo de memoria ROM que se puede programar mediante un proceso especial, posteriormente a la fabricacin. PROM viene de PROGRAMABLE READ ONLY MEMORY (memoria programable de solo lectura ).Es un dispositivo de almacenamiento solo de lectura que se puede reprogramar despus de su manufactura por medio de equipo externo . Los PROM son generalmente pastillas de circuitos integrados. Caractersticas principales de rom y prom:

Solo permiten la lectura. Son de acceso aleatorio Son permanentes o no voltiles: la informacin no puede borrarse Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.

MEMORIA EPROM La memoria EPROM ( la E viene de ERASABLE -borrable-) es una ROM que se puede borrar totalmente y luego reprogramarse, aunque en condiciones limitadas. Las EPROM son mucho ms econmicas que las PROM porque pueden reutilizarse. MEMORIA EEPROM An mejores que las EPROM son las EEPROM ( EPROM elctricamente borrables) tambin llamadas EAROM (ROM elctricamente alterables), que pueden borrarse mediante impulsos elctricos, sin necesidad de que las introduzcan en un receptculo especial para exponerlos a luz ultravioleta. Las ROM difieren de las memorias RAM en que el tiempo necesario para grabar o borrar un byte es cientos de veces mayor, a pesar de que los tiempos de lectura son muy similares. Caractersticas principales de este tipo de memorias:

Solo permiten la lectura. Son de tipo no voltil, aunque pueden borrarse. Son de acceso aleatorio. Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.

MEMORIA VIRTUAL Es una manera de reducir el acceso constante a memoria por parte del procesador. Cuando se est ejecutando un programa, y especialmente si se tienen varias aplicaciones abiertas, el ordenador tiene que cargar en memoria RAM los valores e instrucciones de dicho/s programa/s. Pero, qu ocurre cuando el programa o programas que se estn ejecutando requieren ms memoria de la que tiene el equipo? En este caso, el procesador toma una parte del disco duro y la convierte en memoria RAM. Es decir, se utiliza el disco duro para almacenar direcciones de memoria, y aunque el disco duro es mucho ms lento que la memoria RAM (10-15 milisegundos para un disco duro moderno frente a 70-10 nanosegundos para la memoria actual), es mucho ms rpido tomar los datos en formato de memoria virtual desde el disco duro que desde las pistas y sectores donde se almacenan los archivos de cada programa. Los distintos modelos de memoria virtual se diferencian por sus polticas de solapamiento y por los mtodos que emplean en la organizacin de la memoria. Los mas importantes son:

Memoria Paginada Memoria Segmentada Memoria de segmentos paginados

Todos estos sistemas encuentran como problema critico que los requerimientos de la memoria de algunos programas especficos son difciles de predecir, y por ello, la fraccin de memoria que debe asignarse a un programa es variable en cada caso. Adems, la poltica de solapamiento y comparticin debe tener en cuenta ciertas caractersticas internas de los programas que, invariablemente, determinan la construccin modular y estructurada de los mismos. Dichas caractersticas son: 1.- Localizacin Temporal: Es la tendencia de un proceso a referirse, en un futuro prximo, a elementos utilizados recientemente. Las variables y los stacks del proceso son ejemplos de elementos que ejercitan esta caracterstica. 2.- Localizacin espacial: es la tendencia que tiene los procesos a referirse a elementos prximos la espacio virtual antes recorrido. 3.- Localizacin Secuencial: tendencia de los procesos a referenciar elementos de la secuencia inmediata. Para decidir que fraccin de memoria principal ha de ser destruida o cargada en disco si ha sido modificada cuando se necesita leer otra, las reglas o criterios mas empleados son: Regla FIFO. Se destruye la fraccin que mas tiempo lleva en la memoria principal para dejar un hueco en esta.

 Regla LRU. La porcin que lleva mas tiempo sin haber sido usada o actualizada. Regla LIFO. El hueco aparece en la memoria principal destruyendo o devolviendo a disco(si se ha modificado) la parte que lleva en memoria el menor tiempo. Regla LFO. Deja hueco la porcin que se ha pedido menos veces desde que comenz el proceso. Regla RAND. Se elige una porcin al azar. Regla CLOCK. Cuando se coloca un bit de uso en cada entrada de una cola FIFO y se establece un puntero que la convierte en circular. Es una aproximacin al algoritmo LRU con una cola FIFO simple. MEMORIA PAGINADA Este mtodo organiza el espacio virtual y el fsico en bloques de tamao fijo, llamados paginas. En un momento determinado la memoria principal contendr algunos de los bloques lgicos. Como las distintas posiciones de un bloque lgico y uno fsico estn ordenadas de forma idntica, simplemente hay que traducir el numero del bloque lgico al correspondiente del bloque fsico. Los mtodos de traduccin son diversos, desde el mas bsico de correspondencia directa al mas complejo de correspondencia asociativa, donde la bsqueda se realiza mediante el contenido de una memoria asociativa que mantiene las correspondencias virtual - fsica mas recientemente utilizadas. En la practica se utiliza una tcnica mixta en la que las paginas mas recientemente empleadas se encuentran en una memoria asociativa y todas ellas en una tabla de correspondencia directa. Mtodo de correspondencia directa: La direccin virtual consta de dos campos: un numero de pagina virtual(npv) y un desplazamiento(d), dentro de la pagina indicada. Con el numero de la pagina virtual se accede a una entrada de una tabla de paginas(TP) que proporciona la direccin fsica de la pagina y una serie de informacin complementaria. Localizada la pagina fsica, el desplazamiento(d) sirve para completar la posicin concreta dentro de ella. En el momento de arranque, cada proceso activo del sistema crea en la memoria principal una Tabla de Paginas(TP) que contiene una entrada por cada posible pagina virtual. La configuracin de las entradas de TP consta de los siguientes campos: 1.- Bit de validacin(V), que, cuando esta activado, indica que la pagina existe. Si V=0, la pagina no existe y se creara cuando haga falta. 2.- Bit de Modificacin(M), que indica si la pagina ha sido modificada en memoria. Este bit se utiliza en los algoritmos de reemplazo y actualizacin de la memoria. 3.- Cdigo de acceso autorizado a la pagina(CAA), que puede ser de lectura, escritura y/o ejecucin; son 2 bits. 4.- Direccin de la Pagina(DP), que contiene la direccin de la pagina en memoria principal o la direccin de la misma en memoria virtual o disco, segn que la pagina este activa o inactiva de acuerdo con el sealizador D. La direccin donde comienza la Tabla de Paginas(TP) esta almacenada en el Registro de Base de la Tabla de Paginas(RBTP). Para acceder, sucesivamente, a las entradas de la TP se incrementa el valor correspondiente al numero de pagina virtual(npv) al que se guarda en RBTP. Para calcular la direccin fsica en memoria se concatena DP(numero de pagina) con el desplazamiento d. Esto, si la pagina se encuentra en la memoria principal.

El problema de este mtodo estriba en el que el numero de entradas a la Tabla de Paginas(TP) ha de coincidir con el numero de paginas virtuales, que es muy grande. Mtodo de correspondencia asociativa En este caso se dispone de una tabla inversa en tecnologa asociativa, esto es, con memoria tipo CAM, que se encarga ella misma de soportar el proceso de bsqueda a muy alta velocidad, suministrando el numero de pagina fsica o indicacin de que la palabra lgica direccionada no se encuentra en memoria, en cuyo caso se elimina una pagina de la memoria principal(si no se ha modificado) y se trae la nueva al hueco que deja. La memoria asociativa es aquella en la que se producen mltiples accesos de forma simultanea. En un simple acceso se pueden direccionar todas las posiciones que satisfacen un criterio de seleccin. Dado el elevado coste de las memorias asociativas, la tabla CAM suele ser incompleta, albergando el conjunto de paginas activas en un momento determinado. Si la CAM origina falta, hay que acudir a la TP para comprobar si esta en la memoria principal y, en su caso, actualizar la CAM. Si da falta la TP, hay que proceder a un cambio de pagina entre memoria principal y CAM. MEMORIA SEGMENTADA Este mtodo explota el concepto de modularidad de los programas construidos estructuralmente. Los mdulos son conjuntos de informaciones que pueden tratarse independientemente y que se relacionan mediante llamadas interprocedimientos, constituyendo programas que se denominan segmentos. La segmentacin es una tcnica que organiza el espacio virtual en bloques de tamao variable, que reciben el nombre de segmentos y que se colocan en memoria mediante algoritmos de localizacin de espacio libre. Los elementos de un segmento se identifican mediante la direccin del segmento al que pertenecen y un desplazamiento dentro del mismo. A semejanza con el modelo anterior, existe un Registro Base de la Tabla de Segmentos(RBTS), que direcciona el comienzo de la Tabla de Segmentos(TS), de las que existe una por cada proceso activo. Cada entrada de la Tabla de Segmentos se compone de los siguientes campos: 1.- Cdigo de Acceso Autorizado(CAA), que indica el modo de acceso permitido al segmento. 2.- Campo de Longitud(L), que indica la longitud del segmento. 3.- Bit de Memoria/Disco(D), que indica si el segmento esta o no en memoria. 4.- Campo de Direccin de Segmento (DS), que contiene la direccin absoluta del segmento en memoria o la posicin del segmento en disco, segn el valor del sealizador D. Dada la naturaleza variable en cuanto a longitud de los segmentos, se precisa algn algoritmo que localice espacio libre para que resida el segmento apropiado, ya que no es corriente encontrar un bloque continuo en la memoria, para colocarlo completo. Estos algoritmos forman parte del mecanismo de interrupcin de falta de pagina y los ms relevantes son: a) De mejor ajuste: Minimiza el desperdicio, seleccionando el mejor agujero o fragmento intil en el que se puede colocar el segmento. b) De peor ajuste: Localiza el agujero que maximiza el desperdicio al colocar el segmento. c) De primer ajuste: Localiza el agujero con una direccin inicial inferior en el que se puede colocar el segmento. d) Algoritmo Buddy: Utiliza tcnicas de compactacin de memoria, fusionando espacios intiles, de forma que se configuran bloques continuos del tamao adecuado.

Evidentemente los segmentos pueden ser compartidos por muchos procesos. Algunos sistemas utilizan tablas auxiliares, que apoyan la bsqueda de segmentos compartidos, como la Tabla de Segmentos Activos(TSA), que indica cuales son los segmentos activos en memoria en cada instante y la Tabla de Segmentos Conocidos(TSC), que contiene en cada entrada un nombre-segmento/numero segmento por cada segmento ya utilizado en el proceso. Uno de los procedimientos mas aceptados para la gestin de la memoria virtual es el que utilizan los minicomputadores PDP-II de Digital Equpiment Corporation. Por ej. la direccin virtual de 16 bits, se divide en un campo de 3 bits, que selecciona uno de los 8 registros basa de 12 bits existentes, y otro campo de 13 bits de desplazamiento. La direccin fsica de 18 bits se calcula sumando el registro base, los 7 bits de mas peso del desplazamiento precedidos de cinco ceros, y concatenando al resultado los 6 bits menos peso del desplazamiento. Se logra variar la longitud de los segmentos entre 64 bytes y 8 Kbytes. MEMORIA CON SEGMENTOS PAGINADOS Esta memoria combina las ventajas de los dos modelos anteriores. Cada segmento se divide en paginas, de forma que, para acceder a cualquier elemento de un segmento, el sistema acude a la Tabla de Paginas(TP) de dicho segmento. Si se aplica la tcnica asociativa, para realizar la traduccin, el tratamiento de las interrupciones de fallo en el acceso debe contemplar los siguientes aspectos: Ausencia en el numero de pagina en la memoria asociativa, en cuyo caso se obtendr la direccin de pagina de la TP correspondiente. Ausencia de l numero de segmento en la memoria asociativa, supone una bsqueda en la Tabla de Segmentos activos(TSA), en el peor de los casos, en el directorio de ficheros del disco, para recuperar el segmento y/o los atributos. En sistemas multiprogramados, la activacin de un nuevo proceso que genera su propio espacio de direccin invalida las entradas anteriores de la memoria asociativa.