M2RdeMicroetNanolectronique

PROPOSITIONDESTAGEPOURL'ANNEE2007/2008
Laboratoire: Adresse: TIMA 46AvenueFlixViallet

Responsableduprojet:LiborRUFER Tl:0476574306 email:Libor.Rufer@imag.fr Sujet:Capteurs intgrs bass sur un substrat AlGaN/GaN Description:
La structure base de matriaux AlGaN/GaN a permis de concevoir le transistor effet de champ htrojonction : le HEMT (High Electron Mobility Transistor) avec des rsultats exceptionnels obtenus dans des applications avec amplificateurs de puissance de large gamme de frquences. Cela est possible grce la concentration importante de porteurs, la restriction du mouvement des porteurs dans un gaz dlectrons bidimensionnel (2DEG pour two Dimensional Electron Gas) cr dans un plan parallle lhtrojonction et la saturation de vitesse leve. Le fait que les porteurs en gaz dlectrons 2DEG sont induits par une polarisation pizolectrique de la couche AlGaN sous dformation et par une polarisation spontane prdtermine les HEMTs base de nitrures tre dexcellents candidats pour des capteurs de pression ainsi que dautres capteurs utilisant leffet pizolectrique. En dehors des proprits pizolectriques exprimes par le coefficient pizolectrique g33 qui est 6 7 fois plus lev que pour GaAs, le GaN est un matriau prometteur grce sa capacit de rsister des tempratures beaucoup plus leves que des semiconducteurs conventionnels. Cet avantage d a la nature des matriaux grand gap devient dcisif dans de nombreuses applications. Le but de ce projet est la modlisation de structures utilisant diffrents effets physiques lis au nitrure de gallium (GaN) pour les fonctions des capteurs. Les types de capteurs envisags sont un capteur de pression et un capteur chimique capable d'identifier des contaminations environnementales et des agents chimiques ou biologiques dans une grande chelle d'applications. Le travail consistera, dans un premier temps, en la modlisation et la conception des structures mcaniques pour ce type de capteurs, et plus tard, les mcanismes pizolectriques et pizorsistifs des structures base de GaN seront tudis. La modlisation de structures mcaniques ainsi que d'effets du couplage lectro-mcanique sera fait par la mthode dlments finis dans lenvironnement ANSYS ou autre logiciel appropri. Les microcapteurs faisant lobjet du projet seront fabriqus par une technologie MEMS (Micro-ElectroMechanical Systems) par dautres partenaires dun projet europen qui est actuellement en prparation. Ce stage est rmunr et pourra se poursuivre dans le cadre dune thse dans le domaine de physique des composants et matriaux.

fax:0476574981

CONCEPTIONDESSYSTEMES INTEGRES

PHYSIQUEDESCOMPOSANTSET MATERIAUX

Fiche retourner avant le 26 OCTOBRE 2007

Administration : Sarah Bennour
Sarah Bennour Secrtariat Master MNE MINATEC - 3 Parvis Louis Nel - BP 257 - 38016 Grenoble cedex Tl. 04-56-52-94-34 Tlcopie : 04-56-52-94-01

email:Sarah.Bennour@ujfgrenoble.fr