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Dedicado a Muriel

Prefcio

A medio eletrnica e o controle ocupam todos os recantos da cincia e da engenharia. A enorme fora e a versatilidade dos dispositivos eletrnicos e , consequentemente, sua vasta aplicao tornam imperativo que os estudantes de engenharia e cincias obtenham familiaridade no trato com a eletrnica. Esta familiaridade, entretanto, no necessita ser to intensa quanto a conseguida no treinamento de engenheiros do ramo eltrico. Este livro foi escrito com o intuito de dqr aos estudantes no diplomados um entendimento bsico dos dispositivos e circuitos eletrnicos, suficiente para capacit1os a avaliar a operao e as caracteristicas dos muitos instrumentos que usaro em suas carreiras profissionais. E dada nfase a anlise dos circuitos, em vez de a seus projetos, visto que, mesmo como profissionais, somente projetaro os circuitos mais simples. A base fsica dos circuitos foi acentuada, mas, deliberadamente, evitada nfase na complexidade matemtica, o que tem o efeito de incrementar as aplicaes dos circuitos eletrnicos em medidas e instrumentos sem reduzir o nvel de sofisticao. Supese que os estudantes possuam um conhecimento geral de eletricidade e das propriedades eltricas dos materiais, ensinadas nos cursos iniciais de fsica. A teoria dos circuitos conduzida, todavia, a partir de correntes contnuas, de modo que partes dos captulos iniciais podem ser usadas para recordao da matria. Como este texto foi escrito sob o ponto de vista de um experimentador, altamente recomendada a experincia concomitante em laboratrio. Quase todos os circuitos analisados apresentam valores reais e podem facilmente servir de base para experincias apropriadas. No foi feita tentativa alguma para sugerir tais experimentos em detalhes, por causa da diversidade de equipamentos que provavelmente sero encontrados nos laboratrios das diferentes universidades. Por outro lado, foram escolhidos problemas que requerem respostas quantitativas e, portanto, podem substituir, de algum modo, os trabalhos de laboratrio onde um curso separado com este fim no seja possvel. Esta terceira edio foi modificada em vrias reas, mas mantm a nfase e a fora do texto original. O tratamento dos dispositivos semicondutores dirigido para a compreenso e o uso dos circuitos integrados, uma vez que so muito versteis e empregados na prtica. Os circuitos a vlvula so discutidos separadamente em apndice, porque muitos instrumentos eletrnicos ainda requerem um estudo de suas caractensticas. E dada bastante nfase eletrnica digital, tendo em vista o campo sempre em expanso do controle e instrumentao digitais. H muitos anos eu venho sentindo que a familiaridade no trabalho com a eletrnica contribui incomensuravelmente para a carreira profissional do engenheiro ou do cientista. Se este texto tornar possvel a outros conseguirem tal familiaridade, ficarei bastante satisfeito. Sou profundamente grato aos vrios colegas que, atravs de suas publicaes, forneceram muito material para este livro. Devo, tambm, expressar meus sinceros agradecimentos aqueles que gentilmente leram e criticaram o manuscrito e aos instrutores e estudantes que tm apresentado sugestes, resultados do uso das edies anteriores. Finalmente, somente atravs da colaborao e encorajamento de Muriel, minha esposa, este projeto pde ser terminado.

James J. Brophy

ndice

I C IR C U I T OS DE C O RR E N T E CONTNUA, 1 Conceitos Introdutrios, 2 Corrente, tenso e resistncialLei de OhmlLei de Joule Elementos de Circuito, 4 Resistores/Baterius Circuitos Simples, 9 Circuitos e m srielCircuitos em paralelolRede~ Anlise de Circuitos, 13 Leis de KirchhoffIPonte de WheatstonelCircuito potenciomtrico Circuitos Equivalentes, 21 Teorema de Thvenin/Teorema de Norton/Mxima transjerncia de potncia Medidas Eltricas, 25 O medidor de d'Arsonval/Ampermetros e voltmetros/Ohmmetros e multmetros Sugestes para Leitura Complementar, 31 Exerccios, 31

2 CORRENTES ALTERNADAS, 35 Sinais Senoidais, 36 Frequncia, amplitude r fase/Valor eficaz/Fator de potncia Capacitncia e Indutncia, 39 Reatncia capacitiva/Capacitores/Reatncia indutiva/lndutores Circuitos Simples, 44 Filtro RL/Filtro RC/Circuitos integradores e dijerenciadores Correntes Transitrias, 50 Constante de Tempo/Transitrios ca/Repique Formas de Onda Complexas, 57 Srie de Fourier/Valor eficaz/Resposta a onda quadrada/Osciloscpio Sugestes para Leitura Complementar, 68 Exerccios, 68

3 ANLISE DE C I R C U I T O S CA , 69 Impedncia, 70 Lei de Ohm para ca/lmpedncia complexa Circuitos RLC, 73 Ressonncia srie/Ressonncia puralela/Fator Q Circuitos em Ponte, 80 Pontes de indutncia e de capacitncia/Ponte de Wien/Circuitos e m ponte-T e T-geminado Transformadores, 88 Indutncia mtua/Relao de transformao/Transformadoresprticos Sugestes para Leitura Complementar, 91 Exerccios, 91
4 CIRCUITOS COM DIODOS, 94 Componentes no Lineares, 95 Caractersticas tenso-corrente10 retificador ideal/O diodo de juno

Circuitos retificadores, 98 Retificador de meia-onda/Retificador de onda-completalRetificador em ponte1 Dobrador de tenso Filtros, 101 Filtro capacifivo/Filtro e m LIFiltro em IT Reguladores e Tenso, 106 Diodos zener/Retificadores controlados Circuitos com Diodos, 112 Limitadores/Grampeadores/Voltimetros calDetectores Sugestes para Leitura Complementar, 118 Exerccios, 118 5 DI S P OS ITI V OS S E M I C O N D ~ T O R E S120 , Semicondutores, 121 Bandas de energialEltrons e, buracos/Semicondutores extrnsecos Diodos Semicondutores, 124 A juno pn/O diodo tnel/Injeo de portadores minoritrios Transistores de Juno, 130 / Caractersticas de coletor/Ret$icador controlado de silciol0 transistor unijuno/Fabricao de transistores Transistores de Efeito de Campo, 139 Caractersticas de dreno/A caracterstica de transferncialIGFET e MOSFET Circuitos Integrados, 146 Princhios dos circuitos integrados/Processos de fabricao/Circuitos prticos Sugestes para Leitura Complementar, 150 Exerccios, 150 6 AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS, 152 O Ponto de Operao, 153 Retas de carga/Polarizao/Parmetros incrernentais Amplificadores com FET, 161 Seguidor de fonte/Voltimetro a FET/Amplificador com MOSFET Amplificador com Transistor de Juno, 165 Circuitos de polarizao/Circuito equivalente TIParmetros hbridos Circuitos com Transistor de Juno, 172 Emissor comumlBnse comum/Seguidor de emissor/Ampl$icador diferencial Amplificadores Especiais, 180 Simetria complementar/Configurao DarlingtonlMOSFET em circuito integrado Sugesto para Leitura Complementar, 183 Exerccios, 183 7 CIRCUITOS AMPLIFICADORES, 186 Amplificadores de Tenso, 187 CascatalGanho em baixa freqncialGanho em alta freqncialDesacoplamento Amplificadores de Potncia, 194 Acoplamento por transformador/Ampl$icador simtrico{Circuitos especiais Amplificadores Sintonizados, 202 Acoplamento sintonizado/Neutralizao Amplificadores de Pulso, 206 Tempo de subida/Decaimento

Amplificadores CC, 209 Acoplamento direto/Amplificadores conversores/Ampl~cador amarrado Sugestes para Leitura Complementar, 218 Exerccios, 218 8 AMPLIFICADORES OPERACIONAIS, 219 Realimentao Negativa, 220 Realimentao de tenso/Realimentao de correntelEstabilidade Realimentao Operacional, 228 A terra virtual/Operaes matemticas/Amplificador simples Amplificadores Operacionais, 232 Amplificadores prticos/Circuito integrador e diferenciador/Amplificador logartmico/Filtro ativolComparador Computadores Analogicos, 244 Simulao/Oscilador harmnico amortecido Sugestes para Leitura Complementar, 246 Exerccios, 246 9 OSCILADORES, 248 Realimentao Positiva, 249 Osciladores RC, 249 Oscilador de deslocamento de fase/Oscilador e m ponte de Wien Osciladores com Circuitos Ressonantes, 253 Osciladores LC/Osciludores a cristal Osciladores de Resistncia Negativa, 260 Anlise da estabilidade/OsciEador a diode tnel Osciladores de Relaxao, 264 Geradores dente-de-serra/Multivibradores Geradores de Sinais, 277 Bomba a diodo/Rampas/Pulsos Sugestes para Leitura Complementar, 282 Exerccios, 282 10 MEDIDAS ELTRICAS, 285 Circuitos de Controle, 286 Reguladores de tensolServos Transdutores, 293 Transdutores mecnicosl0 medidor de pHIFotoclulas Instrumentos Analgicos, 303 Osciloscpios/Analisador de ondaslGravador magntico/Eletrmetro Rudo, 311 Rudo trmicolRudo de correntelRudo e m transistores/Blindagem e aterramento Linhas de Transmisso, 316 Impedncia caractersticalTempo de retardolRef2exes e ressonncias/Guias de onda Sugestes para Leitura Complementar, 324 Exerccios, 324
l i ELETRONICA DIGITAL, 327 Lgica Digital, 328 Nmeros binrios/Portas lgicas/lgebra booleana

Circuitos Lgicos, 337 Sinais Egicos/Lgicas DTL, TTL e ECLISomudores Registradores de Informao, 344 F ip-flops/Contadores/Registradores 1 Indicadores Visuais, 353 C Indicadores de elemento Inico/Indicadores de sete segmentos/Decodificador lgico Circuitos de Memria, 361 Memrias apenas de leituru/Memrias de registradores de deslocamento MOSIMemrias de acesso aleatrio Sugestes para Leitura Complementar, 369 Exerccios, 369 12 MEDIDAS DIGITAIS, 371 Instrumentos Digitais, 372 Medidores de intervalo de tempo/Medidor de frequncia/Voltmetro digital Converso A-D e D-A, 375 Integraao e dupla rampa/Conversor de aproxima6e.s sucessivus/Estruturus escalonadas D-A Processadores Digitais, 380 Filtro digital/Cowelatores de sinais/Registrador de transitrios Computadores Digitais, 385 Organizauo/Microcumputadores/~in~uagens .programauo de Sugestes para Leitura Complementar, 391 Exerccios, 391 A P N D I C E I C IR C U IT O S C O M VLVULAS A VCUO, 393 O Diodo a Vcuo, 394 Emisso ter~~zoifi~zica/LrrChild tle Vlvulas a Vcuo, 396 A gr.atIe/Pentodos/Or~tras l v ~ ~ nzultigratle~ v lu~ O Amplificador com Triodo, 401 Polarizaqo de catodo/Pur6nzetros de pequeno.\ sinai~/Circuifo equivalente do rriodo I N DICE ALFABTICO, 409

CIRCUITOS DE CORRENTE CO N TI N UA

A operao de qualquer dispositivo eletrnico seja ele complicado, como u m receptor de televiso, ou simples, como uma lanterna, pode ser entendida pela determinao da amplitude e d o sentido das correntes eltricas e m todas as partes de sua unidade funcional, o circuito. De fato, no possvel avaliar como u m dado circuito funciona sem u m detalhado conhecimento das correntes e m seus componentes.

Mesmo os circuitos mais complicados podem ser examinados e m estgios fceis, considerando-se, inicialmente, cada parte e m separado e , a seguir, observando-se como os vrios subcircuitos se encaixam. E m conseqncia, a anlise de circuito comea pelo tratamento das configuraes elementares, sob as condies mais simples possveis. Os circuitos nos quais a s correntes so estacionrias e no variam com o tempo so denominados circuitos de corrente contnua. Estes circuitos cc, considerados neste captulo, so importantes e relativamente simples de entender.

CONCEITOS INTRODUTRIOS Corrente, tenso e resistncia


O movimento de cargas eltricas (por exemplo, os eltrons num material condutor) constitui uma corrente eltrica. Especificamente, a corrente I a razo instantnea com a qual a carga Q passa por um determinado ponto, ou seja,

A corrente eltrica medida em coulomb por segundo, unidade que denominada ampre (A), em homenagem ao cientista francs Andr-Marie Ampre. Um grande nmero de materiais, especialmente o cobre e a prata, contm muitos eltrons livres, os quais se movem em conseqncia de campos eltricos originrios de cargas eltricas externas, sendo por isso capazes de conduzir corrente eltrica. Cada eltron livre, num fio de metal que conduza corrente, acelerado pelo campo eltrico at perder sua velocidade devido a uma coliso no interior do metal. Ento, novamente acelerado at que sofra nova coliso. A energia necessria para as sucessivas aceleraes e para o movimento do eltron de um ponto a outro denominada diferena de potencial eltrico entre os dois pontos. A diferena de potencial V medida em termos de trabalho por unidade de carga, ou

Em virtude de a diferena de potencial ser frequentemente utilizada na anlise de circuitos eltricos, o trabalho por unidade de carga chamado de volt (V), em reconhecimento a um dos pioneiros da eletricidade: Alessandro Volta. A resistncia ao movimento de cada eltron livre devido as mltiplas colises num condutor depende de uma propriedade do material denominada resistividade, p . As resistividades tpicas de vrios metais e ligas, a temperatura ambiente, so mostradas na Tabela 1.1. Alm da resistividade, a forma do condutor importante, de modo que
Tabela 1 .I Resistividade de ligas e metais
Material Alumnio Bronze Carvo Constantan (Cu 60, Ni 40) Cobre Manganin (Cu 84, Mn 12, Ni 4) Nicromo Prata Tungstnio Resistividade R.m 2,6 6 3,5 x 50 1,7 44 100 1,5 5,6

a resistncia R de um fio de L metros de comprimento e rea da seo reta de A metros quadrados dada por

CIRCUITOS DE CORRENTE CONTINUA

De acordo com essa expresso, a resistncia de um fio longo e fino maior do que a de um outro, de mesmo material, porm curto e grosso. A unidade de resistncia foi denominada ohm aps Georg Simon Ohrn ter descoberto a relao entre corrente, tenso e resistncia, a ser discutida na prxima seo. O smbolo adotado para a resistncia de um condutor em ohms a letra grega mega, Em geral, mais conveniente descrever a capacidade de conduo de corrente em termos de recproco da resistncia: a condutncia, que medida em recproco de ohms: mho ou siemens.

Lei de Ohm
necessrio mais energia - e da maior diferena de potencial - para manter uma grande corrente do que uma pequena corrente num mesmo condutor. A constante de proporcionalidade entre corrente e diferena de potencial , justamente, a resistncia do condutor, ou

Esta equao conhecida como a lei de Ohm. De acordo com ela, quando passa uma corrente I em um condutor de resistncia R , uma diferena de potencial, ou tenso V, deve aparecer entre os terminais do condutor. Esta relao fundamental em anlise de circuitos e usada repetidamente nas sees subseqentes.

Lei de Joule
A energia cintica dos eltrons, resultante da acelerao pelo campo eltrico, dissipada nas colises inelsticas dentro do condutor e convertida em energia trmica. Em conseqncia, a ternperatura do condutor aumenta ligeiramente, ficando evidente que a potncia gasta com a passagem da corrente atravs da resistncia do condutor. A potncia P que deve ser fornecida ao condutor dada por

onde as definies de diferena de potencial, Eq. (1.2), e corrente, Eq. (1 .1), j foram dadas. Esta expresso pode ser escrita em termos de resistncia do condutor, utilizando-se a lei de Ohm. O resultado,

ficou conhecido como lei de Joule, depois que Sir James Prescott Joule descobriu experimentalmente que a taxa de desenvolvimento de calor numa resistncia proporcional ao quadrado da corrente. De acordo com a lei de Joule, dissipada potncia eltrica num condutor sempre que por ele circule corrente. Esse efeito empregado nas lmpadas incandescentes, onde um filamento metlico aquecido, at o calor branco, pela corrente; e tambm nos fusveis, condutores que se fundem quando a corrente excede um valor predeterminado. Por outro lado, o tamanho dos fios, e conseqentemente sua resistncia, selecionado de modo que a perda de potncia seja pequena e , o aumento de temperatura, desprezvel quando a corrente menor que o mximo permitido em projeto. O

efeito Joule num condutor comumente chamado de perda "R-I ao quadrado". Em geral, a unidade de potncia, de acordo com a Eq. (1.5), o Joule por segundo, sendo denominada watt ( W ) em honra a James Watt, que desenvolveu a mquina a vapor.

ELEMENTOS DE CIRCUITO
Resistores
Um componente eltrico usado com muita freqncia em circuitos eletrnicos o resistor, que o elemento de circuito com um valor de resistncia especificado. Os valores de resistncia comumente encontrados abrangem uma faixa desde uns poucos ohms a milhares de ohms, ou quiloohms (abreviadamente e, at, milhes de ohms, ou megohms (abreviadamente M a ) . As resistncias concentradas que os resistores introduzem no circuito so grandes, comparadas com as dos fios e contatos. De acordo com a lei de Ohm, aparece uma diferena de potencial nos terminais do resistor, como resultado da corrente neste, e no local do circuito onde o resistor est inserido. O smbolo convencional para um resistor num diagrama de circuito uma linha em ziguezague, como est ilustrado na Fig. 1.1.

Fig. 1.1 Smbolos de circuito convencionais para resistores fixos e variveis.

Alguns resistores so construdos com um longo e fino fio enrolado num suporte isolante. Os valores de resistncia podem ser aumentados com a diminuio da rea da seo reta do fio e com o aumento em seu comprimento, como mostra a Eq. (1.3), e, ainda, pela escolha de fios com material de alta resistividade (v. a Tabela 1.1). Esses resistores de fio empregam normalmente fios de liga metlica com resistividades relativamente independentes da temperatura. Os materiais tpicos so o manganin e o constantan. Os resistores de fio so usados onde se fizer necessrio dissipar bastante calor por efeito Joule, de modo que a temperatura no resistor se eleve de maneira significante. Suas resistncias podem ser determinadas com preciso pela escolha apropriada do comprimento do fio, de modo que os resistores de fio so tambm utilizados nas aplicaes em que se desejem valores precisos de resistncia. Os resistores de pelcula fina so fabricados com a deposio de um filme fino de metal num suporte cilndrico isolante. Valores altos de resistncia so conseguidos com a pequena espessura dessa camada. Em virtude da dificuldade em produzir pelculas uniformes, no possvel o controle to preciso da resistncia, como no caso dos resistores de fio. Entretanto, os resistores de filme fino so isentos dos problemas dos efeitos indutivos comuns as unidades de fio (Cap. 2), o que importante em altasfreqncias. Resistores de pelcula fina fabricados com materiais no metlicos, particularmente carvo granulado, so tambm comuns. O carvo, por si s, tem uma

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resistividade muito alta, aumentada pelos pontos de contato entre os gros. De fato, possvel conseguir to altas resistncias com grnulos de carvo que, em muitas situaes, absolutamente desnecessrio o emprego de filmes finos, e o elemento de resistncia um simples tarugo de gros de carvo comprimidos. Essas unidades so conhecidas como resistores de composio. Tanto os resistores de composio quanto os de pelcula fina so providos de isolamento e de terminais de fio para facilitar sua insero nos circuitos. E comum colocar marcas coloridas para indicar o valor da resistncia de cada unidade, de acordo com um cdigo de cores de resistores universal. E mais, o tamanho fsico do resistor uma indicao aproximada da mxima potncia que a unidade capaz de dissipar sem aumento aprecivel na temperatura, causada pelo efeito Joule. Assim, por exemplo, as mximas potncias nos resistores so, normalmente, 1 W, 112 W e 114 W, embora outros valores sejam tambm utilizados. So mostrados, na Fig. 1.2, exemplos tpicos de resistores de pelcula fina e de composio. Frequentemente necessrio variar a resistncia de um resistor enquanto conectado ao circuito. Esses resistores variveis empregam um cursor mecnico ou brao que desliza sobre um elemento resistivo, selecionando, assim, a extenso do elemento includo no circuito. Os elementos de resistncia, tanto nos resistores de fio quanto nos de composio, so normalmente circulares, de modo que a posio do cursor pode ser ajustada por meio de um eixo. Os smbolos de circuito para os resistores variveis so de dois tipos, como se v na Fig. 1 . l , dependendo d a existncia de dois ou de trs terminais para conexes externas. Se um resistor deste tipo apresenta dois terminais, denominado reostato, ao passo que o de trs terminais conhecido como potencimetro. Obviamente, um potencimetro, com seus terminais em cada extremidade e o terceiro terminal ligado ao cursor, pode ser empregado como reostato se um dos terminais da extremidade no for utilizado.

Fig. 1.2 Resistores de composio tpicos (Allen-Bradley C o . ) .

Baterias
De conformidade com a lei de Joule, qualquer condutor dissipa energia eltrica quando por ele circula corrente. Nos circuitos simples cc, a fonte dessa energia, que deve ser fornecida para manter a corrente, amide urna bateria qumica. Outros tipos sero vistos num captulo posterior. Numa bateria, a energia qumica convertida em eltrica e as reaes qumicas mantm uma diferena de potencial entre seus terminais, haja ou no corrente. Esta diferena de potencial chamada de fora eletromotriz, abreviada fem, de modo a distingui-la da diferena de potencial que aparece numa resistncia, de acordo com a lei de Ohm. A medida que a bateria continua a fornecer a

energia necessria para manter a corrente no circuito, os elementos qumicos constituintes eventualmente se esgotam, e diz-se que a bateria est descarregada. Dependendo da natureza qumica e particular da bateria, pode ser possvel carreg-la, isto , restaurar sua composio qumica original, atravessando-a por uma corrente no sentido oposto ao da fem interna. O smbolo utilizado para representar uma bateria num diagrama de circuitos (Fig. 1.3) consiste em uma linha curta e grossa em paralelo com uma outra mais longa e fina. Supe-se sempre, salvo indicao em contrrio, que a linha longa representa o terminal mais elevado, ou positivo, da fem. Como esta uma diferena de potencial, sua unidade o volt. A bateria de carvo-zinco a mais comum e menos dispendiosa fonte de energia eltrica. Embora seja convencionalmente chamada de elemento ou clula seca, ela consiste, de fato, e m uma mistura de cloreto de zinco, cloreto de amnia e dixido de mangans (denominada eletrlito) existente entre um eletrodo de zinco e u m de carvo, que servem de terminais. O funcionamento de um elemento desse tipo explicado sucintamente a seguir. No eletrodo de zinco, os tomos deste material so dissolvidos na soluo como ons de zinco duplamente carregados. O eletrodo de zinco torna-se carregado mais negativamente porque cada tomo dissolvido deixa dois eltrons. No eletrodo de carvo, os ons de amnia, reagindo com o dixido de mangans, retiram eltrons do carvo, que fica carregado positivamente. Se o eletrodo negativo de zinco for ligado externamente ao eletrodo positivo de carvo por meio de um circuito, haver um fluxo de eltrons entre eles para completar a reao qumica.

Fig. 1.3 Smbolo de circuito convencional para bateria.

Observe que, para possibilitar a continuidade da reao, os ons de zinco devem sair do eletrodo negativo, e os produtos da reao junto ao eletrodo de carvo devem, do mesmo modo, deix-lo. A corrente, ento, circula no interior da bateria por meio dos ons que se movimentam no eletrlito, o que se constitui numa fonte de resistncia interna. A passagem de corrente por essa resistncia reduz a tenso nos terminais da bateria, que decresce lentamente com o uso, medida que a resistncia interna aumenta, e m virtude do desaparecimento do dixido de mangans. Essa resistncia pode se tornar to elevada que a bateria fica imprestvel. Se o elemento deixado em repouso por algum tempo, antes de se descarregar completamente, h diminuio gradativa da resistncia interna devido a difuso interna dos ons. Por outro lado, se se permite ao elemento envelhecer por longo tempo (mais de u m ano), a difuso inica aumenta a resistncia de tal modo que ele se torna inoperante, embora possa nunca ter sido usado. A fem de uma clula recm-preparada de 1,5 V . Obtm-se tenses mais elevadas com a associao dos elementos necessrios (Fig. 1.4); de fato, o termo bateria origina-se de tais associaes. As baterias secas de 1,5,9,22,5,45,67,5 e 90 V so as mais comuns de encontrar. A to familiar bateria de acumuladores, usada nos automveis u m exemplo de bateria que pode ser repetidamente recarregada. O eletrodo positivo dessa bateria, carregada completamente, uma camada porosa de dixido de chumbo sobre uma grade metlica de chumbo. O eletrodo negativo de chumbo tambm, e ambos so

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imersos num eletrlito de cido sulfrico com densidade especfica de 1,3 aproximadamente. Durante a descarga, o dixido transformado em sulfato de chumbo, que pouco solvel e adere a placa positiva. Esta reao retira eltrons do eletrodo, carregando-o positivamente. No eletrodo negativo, os ons de sulfato da soluo produzem sulfato de chumbo e liberam eltrons. Novamente o sulfato adere ao eletrodo e, durante a descarga, ambos os eletrodos so quase que inteiramente transformados em sulfato de chumbo. A perda de ons de sulfato pela soluo, durante a descarga, reduz a densidade especfica para cerca de 1,16, de modo que o estado da bateria pode ser determinado atravs da medio da densidade do eletrlito. Tais reaes so facilmente reversveis, e a entrada de corrente pelo terminal positivo age no sentido de restabelecer a composio qumica original do eletrodo. A carga requer uma fonte externa que fornea energia eltrica, aps o que a bateria pode, outra vez, fornecer energia durante a descarga. Em conseqncia, uma bateria desse tipo armazena energia eltrica na forma qumica. Alm disto, tendo resistncia interna muito baixa, a bateria chumbo-cido capaz de fornecer correntes de vrias centenas de ampres por curtos espaos de tempo. Um elemento completamente carregado tem uma fem de cerca de 2,1 V, existindo, comercialmente, baterias de 6, 12 e 24 V. E importante manter uma tal bateria, quando em repouso, completamente carregada, sob pena de os eletrodos se transformarem lentamente num sulfato impossvel de ser regenerado pela corrente de carga. Neste caso, a capacidade energtica da bateria fica reduzida. A resistncia interna da bateria de mercrio, recentemente desenvolvida, no muda de maneira aprecivel durante a descarga. Isto significa que a tenso nos terminais permanece essencialmente constante durante seu tempo de vida til. Ela decresce

Fig. 1.4 Quatro baterias conectadas em srie.

Elemento da bateria seca


C

10

20

30

40

50

Horas de uso continuo

Fig. 1.5 Curva de descarga de um elemento carvo-zinco comparada com a da bateria de mercrio.

Fig. 1.6 Baterias modernas tpicas (Union Carbide Co.).

abruptamente quando a bateria est esgotada, como ilustrado na Fig. 1.5. A tenso constante, caracterstica das baterias de mercrio, importante nas aplicaes eletrnicas, nas quais a operao correta do circuito depende, de modo crtico, da tenso da bateria. Tais situaes no so incomuns nos circuitos transistorizados e valvulares Alm disso, a caracterstica tenso constante significa que a bateria de mercrio pode ser usada como padro de tenso em circuitos de medidas eltricas. Essa bateria tem um eletrodo de amlgama de zinco e outro de xido de mercrio e carvo. Neles, as reaes qumicas so um tanto semelhantes as da clula seca, e a diferena de potencial nos terminais de 1,35 V. Tipos mais recentes incluem as baterias alcalinas e as de nquel-cdmio. A alcalina , quimicamente, bastante parecida com a bateria seca, mas tem um eletrlito bsico muito forte. Isto, juntamente com uma estrutura modificada do eletrodo, diminui a resistncia interna, aumenta a capacidade energtica e a vida til. A de nquelcdmio pode ser recarregada repetidas vezes, como a de acumuladores, mas completamente selada, uma vez que o movimento do gs durante a carga atua como mecanismo auto-regulador, a fim de evitar o aparecimento de uma grande presso pelo prprio gs. Esta caracterstica e o fato de no necessitar de eletrlito lquido compensam seu custo elevado. Baterias modernas tpicas so mostradas na Fig. 1.6.

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CIRCUITOS SIMPLES Circuitos em srie


Se vrios componentes eltricos, como os resistores, so conectados de forma que a corrente seja a mesma em cada um, diz-se que eles formam um circuito em srie. Consideremos o circuito em srie simples, constitudo pela bateria e pelos trs resistores, ilustrado na Fig. 1 . 7 ~A corrente I provoca uma diferena de potencial em cada . ' resistor, dada pela lei de Ohm; isto ,

Claramente, a soma dessas tenses igual a fem da bateria, ou

Fig. 1.7 (a) Circuito em srie simples e (bj seu equivalente.

A Eq. (1.8) constitui um exemplo simples de um princpio utilizado em circuitos eletrnicos e que ser considerado em maiores detalhes na prxima seo. Esta equao mostra que a soma algbrica das diferenas de potencial em torno de qualquer circuito completo igual a zero. Observe a distino de polaridade entre a diferena de potencial nos terminais de um resistor e a fem da fonte: o sentido da corrente para dentro do terminal positivo da resistncia e para fora do terminal positivo da fonte. Alm disto, como a tenso diminui no sentido da corrente atravs da resistncia, a diferena de potencial geralmente chamada de queda de tenso RI no resistor. Se as quedas de tenso da Fig. (1.7)forem substitudas na Eq. (1.8),o resultado

= IR,

+ IR2 + IR3 = I(Rl + R , + R , )

Assim, a corrente no circuito em srie

onde a resistncia equivalente R,, definida como

Fig. 1.8 Circuito divisor de tenso.

Evidentemente, a resistncia equivalente de qualquer nmero de resistores ligados em srie igual soma das resistncias individuais. No que diz respeito corrente, o circuito da Fig. 1.7b que contm um nico resistor R,, equivalente ao da Fig. 1.7a, que tem trs resistores. Um circuito til baseado na conexo em srie de resistores o divisor de tenso (Fig. 1.8), no qual a juno entre cada par de resistores ligada ao terminal de uma chave seletora mltipla. Pela posio da chave em cada uma de suas vrias derivaes, possvel conseguir uma determinada frao da tenso V da bateria nos terminais de sada. A diviso do potencial V entre as vnas.derivaes depende dos valores das resistncias no divisor de tenso. Obviamente, se os resistores so substitudos por um potencimetro, a tenso de sada pode ser qualquer frao de V. Este o princpio do controle de volume dos receptores de rdio e televiso.

Circuitos em paralelo
Uma outra maneira de ligar componentes eltricos, como os resistores, mostrada na Fig. 1.9. Aqui, a diferena de potencial em cada resistor a mesma; esta forma de conexo denominada de circuito ern paralelo. A corrente em cada resistor dada pela lei de Ohm, e

Neste caso, a soma das correntes igual a corrente da bateria

que, substituindo as correntes dadas pela Eq. (1.1 I), transforma-se em

Agora, a fim de determinar a resistncia equivalente aos resistores em paralelo, definimos R,,, usando a lei de Ohm, como

V = IR,,

(1.14)

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Inserindo a Eq. (1.14) na Eq. (1.13),

Fig. 1.9 Associao de resistores em paralelo

De modo que

mostra que, para qualquer nmero de resistores em paralelo, o inverso da resistncia equivalente igual a soma dos inversos de cada resistncia.

Redes
As conexes em rede de resistncias em srie e em paralelo podem ser analisadas com a sucessiva aplicao das Eqs. (1.10) e (1.16). Consideremos, por exemplo, o circuito com os valores de resistncia indicados no diagrama de circuito. A da Fig. 1.10~1, combinao em paralelo de R, e R,, cada uma com 10 R , pode ser substituda por um resistor de 5 a, desde que, de acordo com a Eq. (1.16),

Em conseqncia, o circuito fica reduzido ao que mostrado na Fig. 1.10b. Em seguida, a combinao de R,, com R, (= 10 R ) , pela Eq. (1.10),

R ,= R,, ,

+ R4 = 5 + 10 = 15 C?

(1.18)

. e o circuito , agora, o da Fig. 1 . 1 0 ~R, e R, esto em paralelo, de modo que seu equivalente

Finalmente, a combinao em srie deR:,, R, e R, , simplesmente,

e o circuito completo da Fig. 1 . 1 0 ~ pode, ento, ser substitudo pelo seu equivalente mais simples da Fig. 1.10e, onde R, representa a resistncia total do circuito. A corrente na bateria , por conseguinte,

Fig. 1.10 Reduo de circuito atravs de equivalentes em srie e em paralelo.

CIRCUITOS DE CORRENTE CONTINUA

13

Suponhamos que se deseje determinar a corrente I, em R,. Isto conseguido, primeiro,calculando-se a diferena de potencial V, entre os pontos b e c do diagrama de circuito. A queda de tenso atravs de R, IR, = 2 x 5 = 10V; o mesmo valor existe em R,. De acordo com a Eq. (1.7).

Ento,

A corrente em R, , em conseqncia,

Atravs de raciocnio similar, possvel determinar a corrente em cada resistor.

ANALISE DE CIRCUITOS
Leis de Kirchhoff
No possvel reduzir muitos dos importantes circuitos eletrnicos a simples combinaes srie-paralelas, de modo que se torna necessrio usar mtodos analticos mais poderosos. Duas extenses simples das Eqs. (1.8) e (1.12), conhecidas como leis de Kirchhoff, so bastante teis neste caso. Consideremos inicialmente o circuito paralelo da Fig. 1.9, redesenhado na Fig. 1.11, para ilustrar a idia de interseo de ramos, ou n, de um circuito. Um n o ponto no qual trs (ou mais) condutores se juntam. A primeira lei de Kirchhoff diz que a soma algbrica das correntes em qualquer n zero. Simbolicamente,

Observe que a Eq. (1.25) essencialmente uma assero da continuidade da corrente; pode tambm ser encarada como resultado da conservao da carga eltrica. A segunda lei de Kirchhoff j foi aplicada, implicitamente, ao se usar a Eq. (1.25) para calcular I, na Fig. 1 . 1 0 ~Ela diz que a soma algbrica das diferenas de potencial . em torno de qualquer lao de um circuito zero. Simbolicamente,

Um lao qualquer caminho fechado, como abcda na Fig. 1 .lOal. Outros exemplos de laos no mesmo circuito so befgcb e daefgd. A Equao (1.26) conseqncia da conservao da energia. Quando se aplicam as leis de Kirchhoff a qualquer circuito, o primeiro passo assinalar um sentido arbitrrio de corrente em cada resistncia. A polaridade da tenso em cada resistor marcada, ento, no diagrama de circuito, usando-se a conveno j citada de que a corrente entra pelo terminal positivo da resistncia. As polaridades das
'N. T. - Se o circuito for planar, o lao pode ser chamado de malha, desde que no contenha outro lao em seu interior. (Se for possvel desenhar o diagrama de circuito numa superfcie plana, sem que haja cruzamento de ramos, diz-se que ele planar.)

fontes de tenso, naturalmente, j esto especificadas. As leis de Kirchhoff so, ento, aplicadas aos vrios ns e laos para se obter um nmero suficiente de equaes simultneas, que possibilitam a determinao de todas as correntes desconhecidas.

v
+

Fig. 1.11 Os ns de um circuito em paralelo simples.

verdade que, se o circuito contm rn ns e n correntes a determinar, h m - 1 equaes independentes resultantes da Eq. (1.25). Da mesma forma, h n - (rn - 1) = n - m + 1 equaes independentes originadas da Eq. (1.26). O nmero total dessas equaes obtidas das leis de Kirchhoff aplicadas a qualquer circuito , por consen - (m - 1) = n. Esta justamente a quantidade de correntes guinte, (m - I) desconhecidas e, por isso, a soluo do circuito est completamente determinada. Geralmente possvel escrever mais equaes do que as necessrias, mas s n delas so realmente independentes. A soluo dessas equaes resulta, com frequncia, em que certas correntes sejam negativas. Isto significa que o sentido arbitrado originalmente para a corrente est, de fato, incorreto e que o sentido real o oposto. Assim, no necessrio conhecer, antecipadamente, o sentido. Uma vez calculadas as vrias correntes, a queda de tenso em qualquer parte do circuito pode ser determinada pela lei de Ohm. A tcnica da aplicao das leis de Kirchhoff a um circuito pode ser ilustrada melhor com alguns exemplos. Consideremos, primeiramente, o circuito simples de resistores em paralelo da Fig. 1.12. O sentido da corrente em cada resistor foi escolhido arbitrariamente e, a polaridade das quedas de tenso, marcada de acordo com as direes assinaladas. Observe que este circuito tem apenas dois ns: um em b e o outro em e; em conseqncia, h somente 2 - 1 = 1 equao de n independente. Considerando o n em b, vem, da Eq. (1.25),

Observe que a equao da corrente no n e

A Eq. (1.28) , claramente, o negativo da Eq. (1.27) e, por conseguinte, as duas relaes no so independentes. Ambas podem ser utilizadas para a soluo do circuito. Consideremos agora a malhaabef. De acordo com a Eq. (1.26),

Do mesmo modo, em torno do lao abcdef,

CIRCUITOS DE CORRENTE CONTINUA

V+12R2=0
Como existem trs correntes incgnitas, deve haver 3 - 2 + 1 = 2 equaes de malha independentes, e estas so justamente (1.29) e (1.30). Note, entretanto, que, em torno do lao bcde,

Fig. 1.12

Esta no uma relao independente, como pode ser mostrado subtraindo-se a Eq. (1.29) da 11.30). O resultado a Eq. (1.31). Em vista disso, estas trs equaes de lao no so independentes e quaisquer das duas podem ser usadas para resolver o circuito. A escolha das Eqs. (1.27), (1.29) e (1.31), como as trs independentes, soluciona o problema. A resoluo conseguida iniciando-se com a Eq. (1.29) para se obter I,:

Em seguida, I, determinada de (1.31):

Substituindo (I .33) em (1.27)

Substituindo I, dada por (1.32),

A corrente I , ento,

que bem semelhante a soluo correspondente Eq. (1.13), a qual se chegou considerando-se os resistores em paralelo.

Finalmente, I , determinada substituindo-se I , na Eq. (1.33):

De acordo com o sinal menos na Eq. (1.38), esta corrente est de fato no sentido contrrio ao pressuposto na Fig. 1.12. Similarmente, a queda de tenso em R, tem polaridade oposta a mostrada no diagrama de circuito. Circuitos mais complicados requerem mais de trs equaes, e normalmente convm empregar o mtodo dos determinantes para resolver o conjunto de equaes simultneas. Esta tcnica, ilustrada na seo seguinte, oferece a considervel vantagem de possibilitar obter a soluo apenas das correntes de interesse. Com freqncia, somente uma ou duas das correntes num circuito so de interesse direto e, neste caso, a soluo completa suprflua.

Ponte de Wheatstone
Nesta seo, usaremos as leis de Kirchhoff para analisar o circuito em ponte de Wheatstone ilustrado na Fig. 1.13. Este circuito extremamente til foi desenvolvido, em 1843, por Charles Wheatstone e amplamente usado em instrumentos eltricos para a determinao dos valores de resistncias desconhecidas. O seu modo de emprego pode ser compreendido atravs da anlise do circuito. Aplicando-se a lei de Kirchhoff aos ns a , b e d ,

Como h quatro ns neste circuito, essas trs equaes so independentes, de modo que a quarta, referente ao n c, no ser usada. Aplicando a lei de Kirchhoff aos laos abdefa, acba e bcdb, obtm-se as equaes

Observe com cuidado as polaridades indicadas para as vrias quedas de tenso RI, ao se percorrer cada lao. Uma vez que h seis correntes desconhecidas, so necessrias 6 - 4 + 1 = 3 equaes de malha, sendo redundantes quaisquer outras. As Eqs. (1.39) e (1.40) formam um sistema de'seis equaes a seis incgnitas. Assim, para se aplicar o mtodo dos determinantes a essas equaes, necessrio resolver dois de sexta ordem para se determinar cada corrente. A soluo completa envolve sete determinantes dessa ordem. Embora a resoluo de determinantes de sexta ordem seja correta e existam mtodos comuns para a reduo de ordem antes do

CIRCUITOS DE CORRENTE CONTINUA

Fig. 1.13 Ponte de Wheatstone.

resultado final, a soluo completa fica bastante trabalhosa. Por isso, ainda que a princpio a resoluo do conjunto das Eqs. (1.39) e (1.40) seja correta, til procurar mtodos alternativos. A anlise de circuitos complexos pode, geralmente, ser simplificada com o uso das correntes de malha. Esta tcnica ficou conhecida como mtodo de Maxwell, depois que James Clerk Maxwell aplicou, com efeito, simultaneamente, ambas as leis de Kirchhoff, reduzindo, em conseqncia, o nmero de equaes simultneas necessrias. As correntes de malha so desenhadas em torno de qualquer delas, como as trs ilustradas para o caso da ponte de Wheatstone na Fig. 1.14. Em seguida, as polaridades das quedas de tenso so indicadas de acordo com as direes das correntes, e escrevem-se as equaes das tenses. Assim, em relao a Fig. 1.14,

R 3 ( I c - I,)

+ &(Ic

I,)

=O

Observe novamente, aqui, as polaridades das quedas de tenso e os sentidos das correntes. Rearranjando,

A soluo das Eqs. (1.42) para qualquer corrente, digamos, I,, usando-se determinantes encontrada formando-se uma relao, na qual o denominador o determinante dos coeficientes das correntes e o numerador um determinante similar, com os coeficientes da corrente incgnita substitudos pelo membro direito da equao. Isto , a resoluo para I ,

onde A simboliza o denominador. Semelhantemente, I,

Agora, a corrente em R,, que, na Fig. 1.14, est indicada como 15,

Fig. 1.14 Anlise das correntes de lao da ponte de Wheatstone.

CIRCUITOS DE CORRENTE CONTINUA

19

A Equao (1.45) a relao mais importante da ponte de Wheatstone. Observe que, se

acarreta que I, nula, independentemente da tenso aplicada. Se as resistncias nos ramos da ponte obedecerem as relaes indicadas na Eq. (1.46), diz-se que a ponte est balanceada. Assim, por exemplo, se R,, R, e R, so conhecidas e I, zero, o valor de R, pode ser calculado imediatamente pela condio de balanceamento da Eq. (1.46). Na verso comum de uma ponte de Wheatstone, as resistncias R, e R, so conectadas a uma chave, para possibilitar valores em dcada da relao R,/Rl, e R, um resistor varivel calibrado. Uma vez balanceada a ponte, pelo ajuste de R,, o valor de R, simplesmente (R2/RJR3. Os'valores em dcada da relao (R,/RJ podem abranger de 10-3, 10-' e 1OP' at 1, 10, 10, e 103,de modo que uma faixa bem ampla de resistncias pode ser medida. Na prtica, um medidor de corrente conectado em lugar de R, para indicar o balanceamento. Observe que este medidor no necessita ser calibrado, uma vez que apenas utilizado para indicar a condio de equilbrio, isto , corrente nula. A Eq. (1.45) indica o caso em que a informao til concernente ao circuito deduzida sem se levar a cabo a soluo completa para todas as correntes. Pode-se frequentemente desenhar as correntes de lao de modo a ser necessrio determinar apenas uma corrente. A facilidade em escolher correntes de lao que minimizem o esforo dispendido para a resoluo de um determinado circuito, obtida com a experincia.

Circuito potenciomtrico
Uma maneira mais precisa de comparar duas diferenas de potencial a que utiliza o circuito potenciomtrico, cuja verso simples est ilustrada na Fig. 1.15. Um potencimetrol de preciso ligado em srie com uma resistncia varivel e uma bateria. O cursor do resistor de preciso conectado a um terminal externo, atravs de um medidor de corrente, sendo um dos seus terminais ligado ao outro terminal de sada. Suponhamos que um valor especfico de corrente I = V / ( R + R J selecionado, ajustando-se o resistor varivel R,. Assim, o potencial V' do cursor em R , simplesmente, IR', sendo R' a resistncia entre o terminal e o cursor do potencimetro. Como I e R so conhecidas, a posio do cursor pode ser calibrada, em termos da diferena de 'potencial, em volts. Se uma tenso desconhecida (por exemplo, uma bateria) for ligada aos terminais de sada e o cursor ajustado de modo a ser zero a corrente indicada no medidor M, o valor dessa tenso e igual a IR'. O potencimetro um dispositivo de medida por comparao que determina o valor de uma diferena de potencial desconhecida em termos da tenso de uma bateria-padro. Para saber como isto acontece, observe o circuito prtico da Fig. 1.16. V, a fem de uma bateria-padro, a qual pode ser de mercrio ou, mais usualmente, uma clula de Weston, que uma bateria especial de fem extremamente estvel. Su-

'N. T.: Potencimetro significa tanto o resistor varivel com um cursor central, e que pode servir como divisor de tenso, quanto o instrumento para medir diferenas de potencial descrito nesta seo.

ponha, agora, que R, seja ajustada at que o medidor M , indique corrente nula. Isto significa que

Neste circuito, a resistncia varivel de preciso composta de nove resistores idnticos em srie, de valor R , e uma resistncia varivel R'. A corrente no circuito de sada, indicada por M,, ajustada em zero, com a fonte de tenso desconhecida V, conectada aos terminais. Isto conseguido com a seleo adequada da posio d a chave e do cursor. Quando a corrente em M , nula,

Tenso desconhecida

Fig. 1.15 Circuito potenciomtnco simples para medio de tenses.

I1

+
- - - r ' Ajuste

Tenso desconhecida

v,

Fig. 1.16 Circuito potenciomtnco prtico.

onde n o nmero de derivaes da chave seletora. Substituindo na Eq. (1.48) o valor de I dado pela Eq. (1.47), tem-se:

CIRCUITOS DE CORRENTE CONTINUA

21

De acordo com esta expresso, a tenso desconhecida determinada inteiramente em funo da fem padro e das resistncias do circuito de medio. Observe que nem a corrente I nem a tenso V da bateria necessitam ser conhecidas. A preciso do circuito potenciomtrico depende da preciso com que os vrios resistores so construdos e da estabilidade mecnica do cursor da resistncia varivel. A preciso pode ser melhorada combinando-se resistores fixos, selecionados por uma chave seletora, com o resistor continuamente varivel, como na Fig. 1.16. Isto feito porque a queda de potencial atravs do resistor varivel somente 1/10 da existente no circuito da Fig. 1.15 e os erros de tenso provocados por irregularidades mecnicas.no cursor so reduzidos pelo mesmo fator. A grande virtude do potencimetro a ausncia de fluxo de corrente no circuito de medida balanceado. Isto significa que o potencial desconhecido medido efetivamente sob condies de circuito aberto e que a medio no perturbada pelas quedas de tenso internas. Na prtica pode existir uma pequena corrente, dependendo d a sensibilidade do indicador de nulo, sendo, por isso, frequentemente usados amplificadores eletrnicos, em lugar do medidor, para minimizar a corrente de nulo.

CIRCUITOS EQUIVALENTES
Teorema de Thvenin
Muitas vezes a anlise de circuitos eletrnicos fica facilitada com a substituio total ou parcial destes circuitos por outro equivalente que, para certos propsitos, tem as mesmas caractersticas do original. Um exemplo dessa possibilidade j foi abordado em conexo com a combinao em srie e em paralelo de resistores. Assim, um circuito inteiro de resistncias foi substitudo por uma simples resistncia equivalente, a fim de possibilitar o clculo da corrente. Em outras situaes, particularmente quando se trata de circuitos transistorizados ou valvulares, os circuitos equivalentes podem ser utilizados para representar o comportamento dos dispositivos eletrnicos.

a
Circuito

Fig. 1.17 (a) Circuito de dois t e r h n a i s e (b) seu equivalente Thvenin.

Um dos circuitos equivalentes mais teis o que resulta do teorema de Thvenin. Este teorema estabelece que qualquer circuito de resistores e baterias tendo dois terminais de sada podem ser substitudos pela combinao de um resistor e de uma bateria em srie, como ilustrado na Fig. 1.17. A forma do circuito equivalente Thvenin mostra, de imediato, como os valores de V,, e R,, podem ser determinados sem que se conhea a configurao real do circuito em si. A fem equivalente o potencial nos terminais de sada, quando a corrente de carga nula, ou seja, a tenso de circuito-aberto. A residtncia equivalente a razo entre V,, e a corrente de carga quando R, = 0, isto , a corrente de curto-circuito.

Observe tambm que R,, igual a resistncia de carga quando a queda de tenso nesta metade de V,,. Isto se torna til nas situaes em que a corrente de curtocircuito no pode ser determinada facilmente. A forma do circuito equivalente Thvenin (Fig. 1.17b) tambm mostra que R,, a resistncia vista dos terminais de sada do circuito, quando se considera V,, substituda por um curto-circuito. Esta maneira analtica de determinao de R,, til quando a configurao do circuito conhecida, uma vez que, usualmente, envolve apenas simples redues de circuito. O emprego de um ou outro desses mtodos de determinao da fem e da resistncia interna equivalentes depende apenas da maior facilidade que possam apresentar em cada situao particular. Consideremos, por exemplo, o equivalente Thvenin do circuito simples da Fig. 1.18. A fem equivalente

Fig. 1.18

Substituindo a bateria por um curto-circuito, a resistncia vista dos terminais o paralelo de R, e R,. Desta forma,

A corrente de carga , ento,

O membro da direita da Eq. (1.52) pode ser encontrado atravs da anlise direta da Fig. 1.18. Para ilustrar a fora do mtodo do circuito equivalente, consideremos o circuito A em ponte de Wheatstone da Fig. 1.19~. corrente em R, analisada substituindo-se o restante do circuito pelo seu equivalente Thvenin. Em seguida, a substituio da bateria por um curto-circuito pe R, em paralelo com R , e , esta combinao, em srie com o paralelo de R, e R,, quando se olha dos terminais de sada, como ilustra a Fig. 1.196. Em conseqncia, R,, no circuito equivalente da Fig. 1.19~

CIRCUITOS D E CORRENTE CONTINUA

23

A tenso de circuito-aberto nos terminais de sada simplesmente a diferena de potencial entre a juno de R, com R, e a juno de R, com R,. Esta diferena de potencial encontrada subtraindo-se a queda de tenso em R, da queda em R,. Por conseguinte, a fonte de tenso equivalente

Fig. 1.19 ( a ) Circuito em ponte de Wheatstone convencional; ( 6 ) aps a substituio da fonte por um curto-circuitoa fim de se calcular R,,; ( c ) o equivalente Thvenin.

Finalmente, de acordo com o circuito equivalente da Fig. 1.19c, a corrente l5

A facilidade e a rapidez com que este resultado foi obtido poderiam ser comparadas as que so necessrias quando se aplicam as leis de Kirchhoff. Observe que a condio de balanceamento [Eq. (1.46)] segue-se imediatamente das Eqs. (1.54) e (1.55), uma vez que 1, = O, em equilbrio.
\----

Teorema de Norton

Uma segunda forma de circuito equivalente, til nas situaes em que as fontes de corrente apresentam maior interesse que as de tenso, como, por exemplo, nos circuitos transistorizados, aquela dada pelo teorema de Norton. Este teorema estabelece que qualquer circuito composto de baterias e resistores e que tenha um par de terminais de sada pode ser substitudo pela combinao em paralelo de uma fonte de corrente I,, e uma resistncia R,,. A fonte de corrente I,, a corrente de curto-circuito nos terminais de sada, enquanto a resistncia R,, a mesma do teorema de Thvenin. O circuito equivalente Norton mostrado na Fig. 1.20, onde o tringulo repre-

senta a fonte de corrente I,,. Nenhum componente eltrico simples atua como fonte de corrente do modo como uma bateria atua como fonte de tenso. No obstante, a idia de fonte de corrente , conceitualmente, muito til em anlise de circuitos. J que possvel representar qualquer circuito tanto pelo equivalente Thvenin quanto pelo Norton, deve ser possvel a converso de um circuito equivalente para o outro. Com referncia as Figs. 1 . 2 1 ~ b, a corrente de curto-circuito na carga V,,/ e R,, no equivalente Thvenin, e igual a I,, no Norton. Para que ambos os equivalentes representem o mesmo circuito, deve ser verdade que

Ento, simples a converso de um equivalente no outro. Representar um dado circuito por um outro equivalente questo; apenas, de escolha e convenincia.

Mxima transferncia de potncia


Em muitos circuitos eletrnicos, como um radiotransmissor ou um amplificadoi de gravador de som, importante transferir eficientemente a mxima quantidade de potncia eltrica do circuito para a carga, que pode ser uma antena ou alto-falante. Em conseqncia, de interesse determinar as condies de circuito para as quais poss-

Fig. 1.20 Circuito equivalente Norton.

Fig. 1.21 Relao entre os circuitos (a) equivalente Thvenin(b) equivalente Norton.

vel obter a mxima transferncia de potncia. Suponhamos que o circuito seja representado por seu equivalente Thvenin, mostrado na Fig. 1.22, e que a carga conectada aos terminais de sada seja representada pela resistncia R,. Os ndices da fonte de tenso e resistncia equivalentes foram eliminados por convenincia. Segundo a lei de Joule, a potncia entregue a resistncia de carga

De acordo com a Eq. (1.55), a potncia na carga zero se a resistncia de carga for muito pequena ou muito grande. Ento, deve haver uma resistncia de carga tima para a qual a potncia em RLseja mxima. Para se encontrar a condio de mxima transferncia de potncia, deriva-se a Eq. (1.57) em relao a RLe iguala-se o resultado a zero,

de modo que

Isto significa que a mxima potncia entregue a carga quando a resistncia de carga igual resistncia interna do circuito que est fornecendo a potncia. Quando isto acontece, diz-se que a carga est casada ao circuito. Como o circuito equivalente da Fig. 1.22 representa qualquer circuito, a resistncia aplicvel igualmente a todos eles. O emprego do conceito de circuito equivalente tornou possvel, ento, provar esse resultado genrico com bastante facilidade.

Fig. 1.22 Circuito equivalente Thvenin usado para verificao da mxima potncia transferida a resistnciade carga R,.

MEDIDAS ELTRICAS

O medidor de D'Arsonval
O dispositivo mais comum empregado nos instrumentos de medidas eltricas atravs de corrente o medidor de dlArsonval, nome tomado ao seu inventor. Uma bobina multiespiras, feita de um fio enrolado em torno de um quadro de alumnio, centrada sobre um eixo entre os plos de um m permanente em forma de ferradura (Fig. 1.23). Duas finas molas espirais servem para posicionar a bobina e para conduzir a corrente a ser medida. Um ponteiro preso a bobina indica, numa escala, a intensidade da corrente a medida que a bobina gira em resposta h interao entre a corrente que nela atua e o campo magntico do m. Um pedao de ferro magneticamente mole fixado entre os plos do m, de modo a movimentar a bobina em sentido ortogonal a um campo direcionado radialmente. Com essa construo, a deflexo do ponteiro diretamente proporcional a cor-

Molas de suspenso

Fig. 1.23 Desenho das partes componentes essenciais do medidor de d'Arsonva1.

rente. A sensibilidade do medidor, isto , a deflexo a uma determinada corrente, melhorada pelo aumento do campo magntico do m, da rea da bobina e do nmero de espiras desta, ou pela diminuio do torque das molas. O tamanho da bobina e das molas ditado pela rigidez mecnica, j que uma bobina grande, suspensa por molas fracas, est sujeita a danos por choque mecnico e vibrao. Alm disso, no convm aumentar o nmero de espiras desmesuradamente, num esforo para melhorar a sensibilidade, uma vez que tambm ocorre aumento na resistncia da bobina. Isto pode afetar de maneira adversa a operao do medidor, conforme explicamos numa seo subseqente. O campo magntico limitado ao disponvel nos ms permanentes convencionais. A despeito dessas limitaes prticas, medidores de dlArsonval comuns tm deflexes de fundo de escala para correntes to pequenas quanto 10-% (1 rniliampre, abreviadamente mA), ou ainda 50 x 10-6 A (50 microampres, abreviadamente pA). OS instrumentos de laboratrio dotados de amortecedores de choque e, em conseqncia, projetados para mxima sensibilidade, so capazes de medir 10 x 1OPi2 A (lOpicoampres, abreviadamente pA).

Ampermetros e voltmetros
O medidor de d'Arsonval um dispositivo sensvel corrente ou amperrnetro. Quase sempre, preciso alterar a corrente necessria para deflexo plena, de modo a aumentar a faixa de corrente para a qual o medidor til. Consegue-se isto pelo desvio de parte da corrente do medidor atravs de uma resistncia em paralelo, como ilustrado na Fig. 1.24. Observe que a resistncia interna da bobina do ampermetro, R,, est explicitamente indicada. Segundo as leis de Kirchhoff, I = I , + I, e I, R, = I,R,, de modo que a corrente a ser determinada

Se, por exemplo, a resistncia em paralelo for um nono da resistncia do medidor, 1 + R,/R, = 10, a deflexo a plena escala sofrer uma expanso 10 vezes maior que a sensibilidade prpria do medidor. E sempre necessrio considerar o efeito da resistncia do medidor no circuito. Suponhamos que se deva medir a corrente em R, do equivalente Thvenin da Fig. 1.25

CIRCUITOS DE CORRENTE CONTINUA

27

usando-se um ampermetro com resistncia interna R,. Conectando-se este ampermetro ao circuito, a corrente

Fig. 1.24 Aumento da faixa de medio de um ampenmetro pelo emprego de um resistor em paralelo com a resistncia do medidor.

Fig. 1.25 Efeito da resistncia do ampenmetro na corrente do circuito.

R + R,, a corrente indicada pelo medidor ser diferente da corA menos que R , rente verdadeira. Por esta razo sempre prefervel que a resistncia interna de um ampermetro seja pequena. Por outro lado, quando a resistncia interna no for comparvel as do circuito, possvel corrigir a influncia perturbadora da existncia do medidor e , ento, determinar a verdadeira corrente. Como a deflexo a plena escala de um ampenmetro pode ser atribuda a tenso V, = R, I atravs da sua resistncia R,, um medidor de d'Arsonval tambm um voltmetro. Aqui, pode ser igualmente til alterar a faixa de qualquer voltmetro introduzindo-se uma resistncia em srie com o medidor. Com referncia ao circuito da Fig. 1.26, a tenso a ser medida

V = I,(R,

+ R,)

sendo bvio que a resistncia R, em srie aumenta a tenso mxima de fundo de escala do medidor. Na prtica, costuma-se colocar vrias resistncias multiplicadoras em srie, a fim de permitir a utilizao do medidor numa larga faixa de tenso. Deve-se considerar o efeito da ligao do voltmetro ao circuito da mesma forma que no caso do ampermetro. Isto ocorre por requerer o voltmetro uma pequena cor-

Fg,. 1.26

sene.

Utilizao do medidor de d'Arsonva1 como voltmetro com resistor multiplicador em

rente para defletir o ponteiro, devendo esta ser fornecida pelo circuito. Se a corrente do medidor no for desprezvel em comparao com as correntes normais no circuito, diz-se que o voltmetro est carregando o circuito, e deve-se corrigir a leitura indicada pelo medidor a fim de se determinar a verdadeira tenso existente sem a influncia perturbadora do medidor. Os sensveis medidores de dlArsonval so teis como voltmetros, pois necessitam apenas de correntes muito pequenas para deflexo a plena escala. Costuma-se especificar a sensibilidade de um voltmetro, em funo da resistncia interna para a tenso de fundo de escala, em unidades de ohms por volt. Observe que, segundo a Eq. (1.63), a razo entre R, + R, e a tenso necessria para deflexo plena simplesmente a sensibilidade de corrente do medidor, e, em conseqncia, as duas especificaes se equivalem. Por exemplo, um voltmetro que use um medidor de d'Arsonva1 com sensibilidade de 1 mA especificado como tendo 1/10-3 = 1000 RlV. Isto significa que o voltmetro possui uma resistncia interna de 100 000 R na escala de 100 V, etc. Da mesma forma, um voltmetro de 20 000 R/V (empregando um medidor de 50 pA) tem uma resistncia de 2 megohms (Ma) na escala de 100 V. Uma tcnica conveniente para determinar a resistncia de qualquer parte do circuito medir a corrente e a tenso e aplicar a lei de Ohm. Ha dois modos distintos de conectar o medidor neste mtodo voltmetro-ampermetro (Figs. 1.27 a e b). A escolha entre as duas opes depende dos valores relativos entre as resistncias dos medidores e as do circuito, como pode ser mostrado a seguir. Consideremos, inicialmente, o circuito da Fig. 1 . 2 7 ~Das leis de Kirchhoff, .

onde V e A so as leituras nos medidores. A resistncia desconhecida dada por

que mostra ser a resistncia real menor que a razo VIA indicada. De modo anlogo a corrente A, no circuito da Fig. 1.27b, divide-se entre RV e R , e assim

CIRCUITOS DE CORRENTE CONTINUA

Fig. 1.27 Dois modos de conectar o voltmetro e o ampenmetro para medida da resistnciaR.

Resolvendo para R , e aps alguns ari.anjos, o resultado :

De acordo com as Eqs. (1.65) e (1.67), o primeiro circuito mostra-se mais til quando a resistncia do ampermetro pequena comparada com a desconhecida (ou com VIA), enquanto o segundo se aplica quando a resistncia do voltmetro grande, se comparada a desconhecida. Em ambos os casos, a resistncia a determinar dada, simplesmente, pela razo VIA.

Ohmmetros e multmetros
Numa extenso simples, a configurao d o circuito anterior pode ser usada como ohmmetro, no qual a escala do medidor calibrada diretamente em ohms. No circuito tpico da Fig. 1.28, o mesmo medidor utilizado sucessivamente para medir, a princpio, a tenso sobre o resistor desconhecido e , a seguir, a corrente neste resistor. O modo pelo qual a escala calibrada em ohms pode ser compreendido atravs da seguinte anlise. Primeiramente, suponha que os terminais a e b d a Fig. 1.28 (os quais so em geral conectados a pontas de prova para facilitar a ligao do ohmmetro ao resistor desconhecido) sejam curto-circuitados. O voltmetro medir, ento, a tenso V da bateria. Em seguida, as pontas de prova so conectadas a resistncia que se pretende conhecer. Se a tenso medida sobre R, for V R ,pela lei de Ohm

Resolvendo para R,,

De acordo com a Eq. (1.69), a resistncia pode ser calculada diretamente das duas leituras, mas mais til calibrar a escala diretamente em ohm do modo a seguir.

/Ajuste

de zero ohm

, .
e

R,
+I,-

Pontas de prova

R"
Fig. 1.28 Circuito simplificado do ohmmetro.

v
1'
b

Entrada

Fig. 1.29 Diagrama de circuito de um volt-ohm-miliamperimetro (VOM) simples.

CIRCUITOS DE CORRENTE CONTIN U A

31

A resistncia varivel R, usada para ajustar a indicao do medidor para o fundo da escala, quando as pontas de prova so curto-circuitadas. Este ponto na escala , ento, "zero ohms", sendo, assim, marcado. Suponhamos que, quando as pontas de prova so conectadas ao resistor, o ponteiro se deflexione at a metade da escala. Isto significa que V, = V12 e, de acordo com a Eq. (1.69), R, = R,. Assim, o ponto central da escala pode ser marcado com o valor da resistncia correspondente a R,. Do mesmo modo, observe que a indicao de um quarto de escala, V , = V / 4 ,corresponde a 3R,, enquanto uma leitura zero indica circuito aberto ou resistncia infinita. A escala de um ohmmetro claramente no linear, embora no seja difcil us-la, uma vez que est diretamente calibrada em ohms. De acordo com a Eq. (1.69), a leitura de meio de escala depende de R,; assim, com a seleo de diferentes valores de R,, possvel abranger uma larga faixa de medio. A Eq. (1.69) supe que a corrente no medidor seja desprezvel, o que pode no ser verdade nas faixas de alta-resistncia, onde R, grande. Em conseqncia, os circuitos dos ohmmetros so, na prtica, ligeiramente mais complicados do que o bsico ilustrado na Fig. 1.28, mas o princpio de funcionamento idntico. Observe que o ohmmetro no pode ser utilizado para se determinar valores de resistncias num circuito em funcionamento, pois ocasionar leituras erradas, em virtude das quedas de tenso devidas ao prprio circuito. E conveniente juntar as funes de um voltmetro, de um ampermetro e de um ohmmetro num nico instrumento, uma vez que os trs empregam o mesmo medidor de d'Arsonval bsico. Um instrumento deste tipo, comumente chamado de multmetro ou VOM (volt-ohm-miliampermetro), seleciona, por meio de chaves e terminais, a funo e a faixa a serem utilizadas. O circuito da Fig. 1.29 um exemplo de um instrumento elementar que possui quatro faixas de tenso, duas de corrente e uma nica escala de ohms. Copiando com cuidado, atravs de papel transparente, possvel retirar desse diagrama os circuitos funcionais simples para cada utilizao e , deste modo, subdividir a anlise em estgios fceis. O VOM da Fig. 1.29 emprega uma chave mltipla, com trs sees mecanicamente acopladas para serem movimentadas em conjunto. Multmetros mais elaborados tm chaveamento consideravelmente mais complicado, de modo a possibilitar o acrscimo de faixas adicionais e outras funes.
SUGESTOESPARA LEITURA COMPLEMENTAR

A. M. P. Brookes: "Basic Electric Circuits," The Macmillan Company, New York, 1963. Leigh Page and Norman Ilsley Adams: " Principles of Electricity," D. Van Nostrand Company, Inc., Princeton, N.J., 1931. M. E. Van Valkenburg: " Network Analysis," Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J., 1955.

1.1 Calcule a resistncia de um fio de cobre de 1 m de comprimento e 0,s mm de dimetro. Repita o processo para um fio de nicromo de mesmas dimenses. Resp.: 8,65 x 10-?R;5,1 R 1.2 Qual a corrente mxima num resistor de 1 MR 1 W? E num resistor de 10000 0 112 W? Resp.: 10-3 A; 7,07 x 10-3 A 1.3 Se a capacidade mxima de corrente de uma lanterna de bateria seca 0,s A, qual a resistncia interna da bateria? Compare com a resistncia interna de uma bateria de acumuladores cuja corrente mxima de 500 A. Resp.: 3Cl; 4,2 x 10-3R 1.4 Suponha que a Fig. 1 . 7 ~ represente uma fonte conectada a carga R , por meio de um fio de cobre de resistncias R, e R,. Se V = 10 V, a carga de 5 R e os fios so de 0,s mm de dimetro

e 100 m de comprimento, calcule a corrente, a potncia entregue a carga, a potncia perdida nos fios e a queda de tenso no resistor de carga. Resp.: 1,07A; 5,7 W; 4,9 W; 5,4 V 1.5 Projete um divisor de tenso (Fig. 1.8) no qual sejam possveis tenses de sada de 1,0, 2,0, 5,O e 10,O V, se a bateria tem 10 V de tenso e no h corrente nos terminais de sada. 1.6 Quantos resistores idnticos de 1 W, e de que valor de resistncia, so necessrios para formar um resistor equivalente de 1000 R 10 W? Obtenha duas solues diferentes. Resp.: Dez resistores de 10 KR em paralelo; 10 resistores de 2,5 KR numa combinao srie-paralela. 1.7 Determine a corrente em cada resistor da Fig. 1 . 1 0 ~ Verifique que a perda total PR nos . resistores igual potncia fornecida pela bateria. Resp.: 2 A e m R , e R g ; 1 A e m R , e R , l : 0 . 5 A e m R 5 e R , 1.8 Determine a corrente total fornecida pela bateria na Fig. 1.30, se R, = 2 L R, = 5 C , R, = C, L 2 R , R , = 5 N . R i = 1 0 n e V = IOV. Resp.: 2,18 A

Fig. 1.30
1.9 Determine a resistncia do circuito da Fig. 1.31 vista dos terminais de entrada. Que tenso aplicada entrada ocasiona uma corrente de 1 A no resistor de 4 C ? L

Resp.: 8 R; 72 V

'

Entrada

(6

c
2

I Y V G - - I M , I - , I
2

$
2 2

Salda
O

Fig. 1.31

1.10 Com o auxlio das leis de Kirchhoff, determine a corrente no resistor de 4 R do circuito da Fig. 1.32. Resp.: 0,12 A

Fig. 1.32

CIRCUITOS DE CORRENTE. CONTINUA


1.11 Determine a corrente em cada resistor do circuito da Fig. 1.33. Resp.: 1,15 A; 0,883 A; 0,267 A

f l

+,5V

Fig. 1.33

. 1.12 Observe que, com a ponte de Wheatstone (Fig. 1.13) balanceada, I, = O Usando esta condio, compare as quedas de tenso nos braos da ponte e, em conseqncia, determine a condio de equilibrio, Eq. (1.46). 1.13 Resolva o circuito em ponte de Wheatstone da Fig. 1.14, desenhando as correntes de lao de modo a haver somente uma corrente em R,. Use a expresso para esta corrente a fim de determinar a condio de equilbrio. 1.14 No circuito em ponte de Wheatstone da Fig. 1.13, faa R, = R, = 100 a , R, = 100 a, = V 12 V e R, um resistor varivel calibrado. Faa um grfico da tenso no detetor, R, = 100 a, em funo de R,, na regio prxima do balanceamento. Repita o procedimento para R, = R, = 1000 n. Que configurao mais sensvel? Resp.: A primeira 1.15 Valores experimentais da corrente de carga e da tenso nos terminais do circuito desconhecido da Fig. 1.34 esto relacionados na Tabela 1.2. Determine o circuito equivalente Thvenin a partir desses dados, se um voltmetro de 1000 O/V foi usado na escala de I V. Faa o grfico da potncia VI na carga e da resistncia medida V/[, em funo de V, e compare a resistncia de carga correspondente ao ponto de mxima potncia com R,,. Resp.: 67 0 , 0 , 5 V, 65 0 , 5 5 Q

Tabela 1.2
I , - mA O (R, = w) 1,o 2,o 3,O 48 5,O 6,O 6,4 (R, = O )

V, volts

1.16 Projete uma derivao Ayrton como a da Fig. 1.35 para um medidor de 50 y A com resistncia interna de 1000 R , se as faixas desejadas de corrente so 10 mA, 100 mA, 1 A e 10 A. Resp.: 4,523 R ; 0,4523 R; 4,523 x 10-2 R; 5,025 x 10-3 Cl

Entrada

Fig. 1.35

1.17 Suponha que, no circuito da Fig. 1.25, R = 1000 R , R, = 5000 R e R, = 1000 R. Se a corrente indicada 1,5 mA, qual a corrente real quando o ampermetro no est presente? Resp.: 1,75 mA 1.18 A tenso num circuito, medida com voltmetro de 20 000 R/V na escala de 500 V, 200 V. Na escala de 100 V, a leitura 95 V. Qual a tenso verdadeira? Resp.: 278 V 1.19 Quais so as leituras nos instrumentos, nas duas verses do mtodo do voltmetroampermetro da Fig. 1.27, se o voltmetro de 1000 RIV, a resistncia interna do ampermetro 100 R, a resistncia "desconhecida" 1000 R e a tenso aplicada 10 V? Qual das duas verses mais satisfatria? Resp.: 10 V, 9,l x lOW A; 9,008 V, 9,92 x 10-3A; o circuito b melhor. 1.20 Desenhe a escala de um ohmmetro, supondo que, na Eq. (1.69), R , = 10000 R.

CORRENTES ALTERNADAS

As correntes e tenses, na maioria dos circuitos eletrnicos prticos, no so constantes, mas variam com o tempo. Por exemplo, quando u m circuito usado para medir alguina quantidade fsica, como a temperatura de uma reao qumica, a tenso ou corrente que a representa pode variar de maneira significativa. Da mesma forma, a deteco de desintegraes nucleares resulta numa srie de pulsos de tenso rpidos e de durao muito pequena. Para se compreender esses efeitos, torna-se necessrio o estudo das propriedades das correntes variantes no tempo.
A corrente variante no tempo mais simples alterna o sentido periodicamente, sendo, por isso, denominada corrente alternada, abreviadumente ca. Obviamente u m circuito ca caracterizado pela presenga de correntes ativas alternadas, podendo, no obstante, existir tambm c.orrente.s contnuas. Em sua maior parte, os conceitos desenvolvidos para circuitos cc no captulo anterior so vlidos para circuitos ca. Doi5 novos elementos, alm da resistncia, mostram-se importantes nestes circuitos, e so abordados no presente captulo.

SINAIS SENOIDAIS Freqncia, amplitude e fase


A mais simples forma de onda alternada a tenso ou corrente senoidal, que varia senoidalmente no tempo. Esta forma de onda gerada pela variao da componente vertical de um vetor que gira no sentido anti-horrio com velocidade angular w, como ilustrado na Fig. 2.1. Cada revoluo completa denominada ciclo, e o intervalo de tempo necessrio a um ciclo o perodo T. O nmero de ciclos por segundo a freqncia f , que o inverso do perodo. As freqncias encontradas em circuitos eletrnicos atingem valores to pequenos quanto poucos ciclos por segundo, que so chamados de herts (abreviadamente Hz) em homenagem a Heinrich Hertz, descobridor das ondas de rdi0.A faixa de frequncia estende-se at quilohertz (kHz, 103 Hz) e megahertz (MHz, 106 Hz), subindo a gigahertz (GHz, 109 Hz). Como h 2.rr radianos numa revoluo completa, que requer T segundos, a freqncia angular o 2z-f. Se o comprimento do vetor rotativo for V,, o valor instantneo em qualquer tempo t ser V , sen o t , onde V, a amplitude mxima ou de pico da onda senoidal. Os sinais senoidais de mesma frequncia mas que passam pelo zero em instantes diferentes so ditos defasados, e o ngulo entre os dois vetores rotativos denominado ngulo de fase. Na Fig 2.2, a tenso v, est adiantada em relao tenso senoidal v, porque passa primeiro pelo zero, e a diferena de fase o ngulo 4. Note que s possvel especificar o ngulo de fase entre dois sinais senoidais se ambos tm

Fig. 2.1 Gerao da onda senoidal pela componente vertical do vetor rotativo.

Fig. 2.2 Ilustrao do ngulo de fase (defasagem) entre duas tenses senoidais.

CORRENTES ALTERNADAS

37

a mesma freqncia. Uma tenso senoidal fica completamente descrita por sua freqncia e amplitude, a menos que seja comparada com outro sinal de mesma freqncia. Neste caso, deve-se usar uma equao mais geral para a tenso, incluindo O ngulo de fase.
u=

6 sen ( o t + 4 )

(2.1)

Observe que so utilizadas letras minsculas para indicar as tenses (e correntes) variantes no tempo, enquanto as letras maisculas se referem a valores constantes ou a quantidades cc.

Valor eficaz
Frequentemente se necessita comparar a amplitude de uma corrente senoidal com a de uma contnua. Isto feito comparando-se a dissipao por efeito Joule provocada pelas duas correntes num resistor; isto , o valor eficaz de uma corrente senoidal igual a corrente contnua que produz a mesma dissipao da corrente alternada. Para determinar este valor, o efeito do aquecimento de uma corrente alternada calculado pela mdia das perdas RP num perodo completo; ou seja, a potncia mdia dada por

Como a potncia dissipada num resistor, devida a uma corrente contnua, RI2, O valor eficaz I, da corrente alternada , simplesmente,

De acordo com a Eq. (2.4), o valor eficaz de um sinal senoidal , simplesmente, o valor de pico dividido pela raiz quadrada de dois. Este valor tambm conhecido como valor rms (do ing. root-mean-square). Os voltmetros e ampermetros capazes de medir sinais ca so quase universalmente calibrados,para leituras em valor eficaz, visando facilitar a comparao com os medidores cc. E consenso geral que as tenses e correntes ca so caracterizadas por seus valores eficazes, a menos que especificadas de outra forma.

Fator de potncia
Suponhamos que a tenso e a corrente em alguma parte de um circuito sejam dadas Por

onde o ngulo de fase foi introduzido para levar em conta a possibilidade de os sinais no estarem em fase. A potncia instantnea p , ento,

p = ri = VpI, senot sen(ot

+ q5)

(2.6)

De acordo com a Eq. (2.6), a potncia instantnea nessa parte do circuito varia com o tempo e pode, at, tornar-se negativa, como mostram as formas de onda da Fig. 2.3. A interpretao de potncia negativa na Eq. (2.6) que, durante um trecho do ciclo, essa parte fornece potncia ao resto do circuito. Durante o restante do ciclo o circuito que fornece potncia a essa parte que est sendo observada. A potncia mdia determinada tirando-se a mdia da Eq. (2.6) num perodo completo

Expandindo-se o fator dentro da segunda integral, com auxlio das identidades trigonomtricas,

Ambas as integrais so comuns e podem ser resolvidas diretamente, dando

V P = -P I P cos 4

P = VI cos

(2.10)

onde V e I so valores eficazes. O significado da Eq. (2.10) que a potncia til nos circuitos ca no depende somente da tenso e da corrente no circuito, mas tambm da defasagem entre elas. O termo cos 4 denominado fator de potncia do circuito. Observe que, quando a defasagem de 90, o fator de potncia nulo e nenhuma potncia fornecida. Em virtude

Fig. 2.3 Potncia instantnea em um circuito ca.

disso, possvel haver correntes e tenses grandes e, em conseqncia, potncia instantnea elevada, ainda que a potncia mdia seja zero. Por outro lado, quando corrente e tenso esto em fase, o fator de potncia unitrio e a potncia igual a corrente vezes tenso, como num circuito cc.

CORRENTES ALTERNADAS

39

Reatncia capacitiva
Imagine duas placas metlicas paralelas separadas por um estreito intervalo e conectadas aos terminais de uma bateria. A diferena de potencial da bateria aparece entre as placas, e a carga eltrica positiva da placa ligada ao terminal positivo atrada para a carga negativa da placa ligada ao terminal negativo da bateria. A capacidade das duas placas em manter carga eltrica proporcional a tenso, tal que

onde C uma constante de proporcionalidade denominada capacitncia. Esta um fator geomtrico que depende do tamanho, forma e separao entre dois condutores quaisquer, como as placas. A capacitncia importante nos circuitos ca, porque uma tenso que muda com o tempo d lugar a uma carga variante no tempo, o que equivalente a corrente. Por exemplo, derivando-se ambos os termos da Eq. (2.1 1) em relao ao tempo e usandose a definio de corrente da Eq. (1. I ) , obtm-se

Em particular, se a tenso senoidal, a corrente na capacitncia,

i= C

d (V, sen o t ) = oCV, cos wt = wCVp sen dt

tambm senoidal e adiantada de .ir12 da tenso. Em termos de valores eficazes, a Eq. (2.13) pode ser escrita

mostrando que a corrente ca na capacitncia aumenta com a tenso ca aplicada, como no caso resistivo. Realmente, a forma da Eq. (2.14) similar lei de Ohm, Eq. (1.4). O fator de proporcionalidade entre tenso e corrente, IlwC, denominado reatncia capacitiva. A reatncia capacitiva anloga a resistncia nos circuitos cc, exceto, naturalmente, pelo fato de variar com a freqncia. Observe que a resistncia medida em ohms, uma vez que a relao entre tenso e corrente.

capacitores
Os elementos de circuito que tm valores especificados de capacitncia so conhecidos por capacitores. A maioria dos capacitores usados em circuitos eletrnicos consiste em duas placas condutoras separadas por um pequeno intervalo, no qual pode existir apenas ar ou uma fina camada de material isolante. A capacitncia desses capacitares de placas paralelas aumentada quando se faz a rea das placas grande ou, a separao entre elas, pequena. A unidade de capacitncia o farad, em homenagem a Michael Faraday. Na prtica, os valores dos capacitores utilizados nos circuitos eletrnicos variam de 10V farads (1 rnicrofarad, abreviado pF) at 10-'2 farads (1 picofarad, abreviado pF). Acontece que o material isolante entre as placas aumenta a capacitncia do componente, porque o isolador, com efeito, permite uma carga maior nas placas para uma

mesma tenso aplicada. O aumento da capacitncia explicado pela constante dieltrica do isolador. Por exemplo, a constante dieltrica da mica cerca de 6 e , a do papel, aproximadamente 2, de modo que as capacitncias dos capacitores fabricados com estes materiais so maiores, pelos fatores de 6 e 2, respectivamente, do que um capacitor de placas paralelas com ar entre elas. Os capacitores convencionais so feitos de duas folhas metlicas delgadas separadas por um fino isolador ou dieltrico, como o papel e a mica. Este "sanduche" ento enrolado ou dobrado, compactamente, e coberto com isolante. Um terminal axial de fio ligado a cada folha. A fim de aumentar a capacitncia, o isolador deve ser to fino quanto possvel. Isto s pode ser obtido as expensas do limite mximo da tenso que pode ser aplicada antes da ruptura do isolador pelo intenso campo eltrico. Outro importante fator a resistividade do isolador. Sua forma fina e de larga superfcie aumenta a corrente de fuga entre as placas, degradando, por isso, o capacitor. Os capacitores de mica e de papel so obtenveis na faixa de 0,001 a 1 pF e podem ser empregados nos circuitos cuja tenso mxima seja da ordem de centenas de volts. Os capacitores de cermica ou plstico so tambm usados e, em geral, com placas de pelcula metlica depositadas diretamente no dieltrico. Os dieltncos plsticos tm resistividade muito alta, o que significa corrente de fuga extremamente reduzida. A grande constante dieltrica de muitos materiais cermicos possibilita valores elevados de capacitncia numa embalagem pequena. Em vrias aplicaes, notadamente em circuitos transistorizados, desejam-se valores muito altos de capacitncia, sendo as resistncias de fuga de interesse secundrio. Os capacitores eletrolticos, fabricados com uma folha de metal oxidado imersa numa pasta ou soluo condutora, so usados para se conseguir capacitncias elevadas. A fina pelcula de xido o dieltrico entre a folha metlica e a soluo. Em virtude de a pelcula ser extremamente delgada, a capacitncia bastante alta. Vrios metais, entre eles o tntalo e o alumnio, podem ser utilizados na sua fabricao, e obtm-se valores na faixa de 1 a 104 pF. As capacitncias maiores podem ser teis nos

Fig. 2.4 capacitores tpicos. (Sprague Electric Company).

aumenta com a taxa de variao desta, de acordo com a Eq. (2.15). Isto significa que a indutncia do circuito impede que neste a corrente varie instantaneamente. A indutncia dos circuitos mais simples muito pequena, de modo que a fem induzida pode, normalmente, ser ignorada. Isto verdade, exceto em freqncias muito altas, nas quais a taxa de variao da corrente se torna excessivamente alta. Os circuitos usados nessas frequncias so montados to compactamente quanto possvel, a fim de minimizar os efeitos indutivos. Em contraste, possvel produzir componentes eltricos de indutncia aprecivel, o que se mostra bastante til nos circuitos ca. Consideremos o caso de uma corrente senoidal numa indutncia desse tipo. A fem nela induzida tambm senoidal, pois, de acordo com a Eq. (2.15),

v = L - ( I , sen o t ) = wL1, cos o t = wL1, sen wt

d dt

( + 2)
-

(2.16)

e, neste caso, a corrente se atrasa da tenso de um ngulo de fase de ~ / 2Expressando . a Eq. (2.16) em termos de valores eficazes,

o que mostra que a corrente ca numa indutncia aumenta com a tenso ca aplicada, exatamente como nos casos do resistor e do capacitor. A quantidade wL chamada de reatncia indutiva, sendo medida em ohms. Observe que sua amplitude aumenta com a freqncia, em contraste com a da reatncia capacitiva.

Indutores
Os componentes eltricos com indutncia aprecivel so denominados indutores e, em algumas aplicaes, chokes (palavra inglesa que significa obstruo).' Consistem em vrias espiras de fio, enroladas umas as outras no mesmo suporte. Deste modo, cada espira enlaa o fluxo magntico produzido pela corrente em todas as outras espiras, e o fluxo total interceptado por todas as espiras juntas pode ser bem grande. A unidade de indutncia denominada henry, homenagem a Joseph Henry, um americano pioneiro na investigao dos efeitos indutivos. Circuitos eletrnicos de alta freqncia empregam bastante indutncias da ordem de 10-'j henrys (microhenry, ou pH), que podem ser um enrolamento helicoidal de poucas espiras num suporte de mais ou menos 1 cm de dimetro. Umas poucas dezenas de espiras produzem indutncias na faixa de 10-3 henrys (milihenry, ou mH). As indutncias elevadas, para uso em baixas freqncias, so obtidas com o enrolamento de muitas centenas de espiras de fio em torno de um ncleo de material ferromagntico como o ferro. A propriedade magntica desses materiais so tais que o fluxo magntico aumentado de maneira aprecivel. Desta forma, obtm-se indutncias de vrias centenas de henrys. Alguns indutores tpicos esto desenhados na Fig. 2.6. Os indutores com ncleo de ferro tm estes laminados a fim de impedir as correntes induzidas neste metal pela variao do fluxo magntico. Isso reduz as perdas no ferro ocasionadas pelas chamadas correntes de fuga. As lminas so empilhadas e separadas com verniz isolante, para obteno de um ncleo do tamanho desejado. O smbolo de circuito para o indutor um enrolamento helicoidal, conforme mostrado na Fig. 2.7. As linhas paralelas ao longo do enrolamento, tambm ilustrado na mesma figura, indica a existncia de ncleo magntico.

'N.T. So assim denominados os indutores utilizados num circuito.com a finalidade principal de evitar que sinais de determinadas frequncias circulem por ele.

Fig. 2.6 Indutores tipicos utilizados em circuitos eletrnicos. (J. W . Miller Co. e Essex Intrrnarional, In<.)
h

Fig. 2.7 Smbolos de circuito para ( a )indutor e ( b )indutor com ncleo de ferro.

-% -

---.

Indutncias variveis podem ser obtidas movendo-se uma quantidade de espiras em relao a outra, mas tal procedimento no empregado amplamente e, em sua maioria, os indutores so fixos. E m muitas aplicaes, necessrio levar em conta a resistncia d c fio nos enrolamentos e a capacitncia entre as camadas de espiras, a fim de se determinar o efeito de um chokr no circuito ca. Na prtica, a componente resistiva do indutor pode incluir tambm a perda de potncia no material magntico, resultante da variao rpida do campo magntico no ncleo. Como j foi mencionado anteriormente, ncleos metlicos devem ser lamina-

dos para reduzir as perdas devidas as correntes de fuga, e a espessura da laminao determina a freqncia mxima de utilizao do indutor. Esta tcnica chega ao seu limite prtico nos ncleos de ferro pulverizado, nos quais o ferro existe como finas partculas. Ncleos de fernte, feitos com materiais ferromagnticos de alta resistividade, so usados em altas freqncias porque a alta resistividade torna desprezveis as perdas devidas s correntes de fuga. Esses materiais, em baixas freqncias, no so teis como o ferro porque os efeitos da saturao magntica limitam os nveis de potncia do indutor.

CIRCUITOS SIMPLES
Filtro RL
A associao em srie de um resistor e um indutor forma um circuito ca simples, porm til. Suponhamos que estefiltro RL seja conectado a uma fonte de tenso senoidal, simbolizada no diagrama de circuito da Fig. 2.8 por um crculo contendo um ciclo de onda senoidal em seu interior. A corrente e a tenso no circuito so determinadas da maneira descrita a seguir. De acordo com as leis de Kirchhoff, a soma das
--

4
! j

. .

Fig. 2.8

tenses em torno da malha deve ser igual a zero em cada instante. Isto significa que a fonte de tenso deve ser igual a tenso induzida no indutor mais a queda no resistor,
OU

onde i a corrente; supondo que esta seja senoidal,

i = I, sen wt
a derivada di
-

dt

l = o , cos wt

Substituindo as Eqs. (2.19) e (2.20) na equao do circuito, Eq. (2.18), a tenso dada Por

vi = RI, sen o t

+ oLI, cos wt

II

(2.21)

Esta expresso pode ser colocada numa forma mais ilustrativa, atravs da introduo do ngulo de fase entre a tenso e a corrente, com a ajuda da Fig. 2.9. Expressando os coeficientes de sen wt e cos wt em termos de cos 6 e sen 4, a Eq. (2.21) torna-se

r-

CORRENTES ALTERNADAS

45

oi = I,
(ot + 4) , de modo que

J (cos 4 sen o t + sen 4 cos o t ) w

A expresso entre parntesis , justamente, a identidade trigonomtrica de sen

onde

wL 4 = arctan R

(2.24)

Note que, de acordo com a Eq. (2.24), a corrente se atrasa em relao a tenso, como foi observado anteriormente em conexo com a Eq. (2.16). Observe tambm que a reatncia indutiva e a resistncia so ambas importantes na determinao da corrente neste circuito ca. Suponhamos que a queda de tenso em R seja considerada como a tenso de sada do circuito. Assim, usando a Eq. (2.19),

v,

= RI,

sen wt

(2.25)

Fig. 2.10 Caracterstica de freqncia de um filtro RL passa-baixas.

A razo entre os valores eficazes das tenses de sada e de entrada , das Eqs. (2.23) e (2.251,

De acordo com a Eq. (2.27), em baixas freqncias, onde wL/R + O, a tenso de sada igual a de entrada. Em altas freqncias, a tenso de sada menor que a de entrada, como mostra o grfico da Eq. (2.27) na Fig. 2.10, sendo que, por isso, o circuito conhecido como filtro passa-baixas. Consideremos a freqncia fo, onde

De acordo com a Eq. (2.27), isto acontece onde

I I

II

Como a potncia de sada em R proporcional ao quadrado da tenso, f, denominada freqncia de meia-potncia. Com efeito, sinais de entrada acima desta frequn-. cia- barrados pela indutncia; e s g -so

Filtro RC
Um circuito elementar, mas de muita utilidade, emprega um capacitor e um resistor em srie, como na Fig. 2.11. Estefiltro RC conectado a uma fonte de tenso senoidal

r , = C, sen wr

(2.30)

1
I

Fig. 2.11 FiltroRC.

as quedas de tenso em torno da malha acarretam

onde i a corrente. Derivando cada termo em relao ao tempo e fazendo i Eq. (2.31) transforma-se, depois de arrumada, em

= dQ/dt,

1 di R + - i = w V p cosot dt C
Para resolver esta equao diferencial, suponhamos que a corrente seja dada por
i = Ipsen(wt

+ 4)

(2.33)

onde I , e
I

CJ #

so incgnitas. Derivando a Eq. (2.33),


-

di
dt

= w I p cos

(ot + 4)

i ' , --

CORRENTES ALTERNADAS

47

-(
'

As Eqs. (2.33) e (2.34) so agora substitudas na equao diferencial do circuito, Eq. (2.32). O resultado

RUI, cos (wt

- , ----------

I + 4 ) t 2 sen (wt + 4 ) = Vpw cos wt C

(2.35)

e a equao resolvida escolhendo-se valores para I, e 4 que tornem a Eq. (2.35) verdadeira para"todos -os valores de-t. Esta substituio transformou a equao dife- -----rencial numa tngonomtrica. Os valores de I , e que satisfazem a Eq. (2.35) so encontrados expandindo-se, inicialmente, cada termo e usando-se identidade trigonomtrica. Isto d, depois de dividir por wl,,

-.

R(COSo t cos

4 - s e n wt sen 4)

+
7

1 (senwt cos wc
--

4 + cos o t sen 4) =

I,

cos o t

(2.36)

Reunindo os termos em sen wt e cos w t ,

- - \ Agora, consideremos que t

-4

= 0; ento,

sen ot

=Oe

Rcos

4+-=

-I

wc

sen4-

VP - 0

I"
II

(2.38)
=

Semelhantemente, suponhamos que wt

a/2, de modo que cos wt

O. Ento,

1
- -

-.
h

wc

cos

4 - Rsenqi = O

(2.39)

A fim de que a Eq. (2.37) se verifique para todos os valores de t. tanto a Eq. (2.38) quanto a (2.39) devem ser satisfeitas. Esta ltima pode ser resolvida imediatamente em relao a 4,
- cos

oc

4 =Rsen4

tan
de modo que

1 4 = s e n 4 = -tos 4 RoC

4 = arctan

RwC

(2.40)

A soluo de usada na Eq. (2.38) para encontrar I,. Isto feito exatamente como no caso do filtro RL, Eq. (2.21). A Eq. (2.38) torna-se

Assim, finalmente,

Ento, a corrente no circuito


2
=-

sen (wt v~ ,/R~ + ( I / O C ) ~

+ 4)

(2.43)

onde

Observe que, de acordo com a Eq. (2.38), o ngulo de fase positivo. Isto significa que a corrente se adianta em relao a tenso, o que caractenstico do circuito capacitivo. Quando I/oRC 4 O em altas frequncias, o ngulo de fase nulo e a corrente est em fase com a tenso. Em frequncias muito baixas, o ngulo de fase se aproxima de 7112. A tenso de sada na resistncia

v,

= RI,

sen (wt + 4 )

(2.44)
t

-\

Fig. 2.12 Caracterstica de freqncia de um filtro RC passa-altas.

o que significa que a razo entre os valores eficazes das tenses de sada e de entrada, encontradas das Eqs. (2.30), (2.42) e (2.44),

I-

O grfico da Eq. (2.45), Fig. 2.12, indica que a tenso de sada V, muito pequena em baixas frequncias e igual a de entrada em altas frequncias. Como s as baixas

r'

r-.

CORRENTES ALTERNADAS

49

freqncias so atenuadas, este circuito chamado de filtro RC passa-altas. A freqncia f, em que

denominada freqncia de meia-potncia, como no

Circuitos integradores e diferenciadores


Suponhamos que a resistncia e a capacitncia em s suficientemente pequenas para tornar o R C 1 numa condio, a tenso de sada , das Eqs. (2.44) e (2.45),

v,

= =

V p o R Csen ( o t

+ z/2)

V,oRC cos ot
doi dt

mas observe que a derivada do sinal de entrada em relao ao tempo

- = ovpcos o t
I -

Em conseqncia, combinando as Eqs. (2.47) e (2.48),

2)I
i

* ;

I---

dv u, = RC, dt

(2.49)

fr-

A interpretao da Eq. (2.49) que, quando wRC < 1 , o circuito do filtro RC executa a operao de diferenciao; ou seja, a tenso de sada a derivada, em relao ao tempo, da tenso de entrada. Esta propriedade til extensamente aplicada nos circuitos eletrnicos, mais notadamente nos computadores.

,C -

Fig. 2.13 Filtro RC passa-baixas.

6
-

Da mesma forma, a tenso no capacitor , pela Eq. (2.12), a integral da corrente


I\

c&

Yt-

i = ;

- j I, sen (cor + 4) (ir =


C.

I
wc

cor (wt

+ 4)

(2.50)

--.
P.

Suponhamos, agora, que wRC 1, o que pode ser obtido fazendo-se R e C muito grandes. Ento, I, = V J R , = O, e a Eq. (2.50) torna-se

da/ i
L

Cc =

'$ - - cos wr RCo

/ 4.
i

, ,

Introduzindo a integral da tenso de entrada, resulta em


L< = -

i--, /-I
I

-\

,, !
'

'
"

,
>..

RC.

). r i dr

o que significa que, nessas condies, o circuito RC executa a operao de integrao. A tenso de sada apenas uma pequena frao da tenso de entrada, quando o circuito usado para diferenciar ou integrar, de acordo com as Eqs. (2.49) e (2.52). Isto, no entanto, no constitui sria desvantagem nas aplicaes prticas, uma vez que o sinal de sada pode ter sua amplitude elevada com auxlio dos circuitos amplificadores descritos em captulos posteriores. possvel ignorar os limites de integrao na determinao da Eq. (2.52), porque estamos interessados somente nas condies de estado estacionrio, ou seja, depois de haver desaparecido quaisquer tenses transitrias iniciais capazes de ocorrer ao se excitar o circuito. A possibilidade de efeitos transitrios nos circuitos RC ser considerada na prxima seo. O circuito RC um filtro passa-baixas, quando a tenso de sada tomada sobre o capacitor, como na Fig. 2.13. A freqncia de transio de um domnio para o outro marcada, aproximadamente, pela frequncia de meia-potncia, onde o,RC = 1 , como no caso do filtro passa-altas.

CORRENTES TRANSITRIAS
Constante de tempo
Desde o estudo dos circuitos ca at este ponto, foi suposto, implicitamente, que os valores eficazes das fem senoidais eram constantes. Os efeitos transitrios so associados com variaes rpidas nas tenses aplicadas aos circuitos, como, por exemplo, ao se ligar a fonte de tenso. Essas correntes transitrias desaparecem rapidamente, deixando no circuito apenas as correntes estacionrias, que permanecem enquanto a fem ca est aplicada. Embora o interesse principal seja, com mais frequncia, pelas correntes estacionrias, em muitos casos os efeitos transitrios so importantes tambm. Isto acontece sobretudo na determinao da resposta do circuito a pulsos de tenso isolados. Os transitrios so encontrados atravs da soluo da equao diferencial do circuito, levando-se em conta a amplitude da corrente no instante em que a tenso aplicada muda. A soma da corrente transitria com a estacionria a soluo completa da equao diferencial. Geralmente, basta considerar os dois aspectos da anlise de circuito ca separadamente, porque, na maioria das vezes, o interesse pela resposta do circuito est ligado apenas a fem estacionria ou aos efeitos transitrios, isoladamente. Convm dar incio ao estudo das correntes transitrias pelo circuito srie RC mais simples, ao qual foram incorporadas uma bateria e uma chave de duas posies, como mostra a Fig. 2.14. Suponhamos que a chave seja subitamente conectada ao terminal 1. A equao diferencial do circuito , pela lei de Kirchhoff,

I
I

I
I
I

I
I

Derivando em relao ao tempo e reagrupando,

Para resolver esta equao, reescrevemo-la da seguinte maneira:

--.

CORRENTES ALTERNADAS

51

Os dois lados da igualdade da Eq. (2.55) so diferenciais comuns, de modo que, aps a
' integrao, -

onde K uma constante a ser determinada das condies iniciais. Uma outra forma de escrever a Eq. (2.56)

Fig. 2.14

onde A substitui exp K por simplicidade. A fim de calcularmos A, observemos que a corrente igual a VIR quando a chave fechada, em t = O. Em conseqncia,

De acordo com a Eq. (2.58), a corrente neste circuito decresce exponencialmente, quando a chave ligada a posio 1. A quantidade RC, que tem a dimenso de segundos, denominada de constante de tempo. Ela determina a rapidez com que a corrente diminui. A tenso no capacitor em qualquer instante pode ser encontrada integrando-se a corrente de conformidade com as Eqs. (1.1) e (2.11)

V(1 - e-rIRC

(2.59)

O decaimento da corrente de carga e o crescimento da tenso no capacitor so simtricos, de acordo com as Eqs. (2.58) e (2.59) e como mostra a Fig. 2.15. Observe que a tenso comea em zero e aumenta exponencialmente at a tenso da bateria. Aps o intervalo de tempo correspondente a uma constante de tempo, a tenso igual a 1 e-' = 1 - 0,356 = 63 por cento do valor final. O tempo real necessrio para que essa tenso seja atingida depende dos valores da resistncia e da capacitncia. Um tempo longo necessrio se esses valores forem grandes, e vice-versa. O crescimento da corrente aps a ligao da chave a posio 2, quando o capacitor se descarrega atravs do resistor, o mesmo daquele dado pela Eq. (2.58). Isto pode ser visto escrevendo-se a equao da tenso no circuito para este caso

t, unidades de constantes de tempo

Fig. 2.15 Corrente de carga e tenso no capacitor em um circuitoRC

Derivando e rearranjando

que idntica a Eq. (2.54). Alm do mais, o potencial atravs do capacitor igual a V ao estar completamente carregado, e isto significa que a corrente inicial VIR, exatamente como no caso da corrente de carga. A tenso no capacitor decresce exponencialmente a zero com a constante de tempo RC, como pode ser mostrado pelo clculo da carga restante no capacitor em qualquer instante, usando-se um procedimento similar ao que nos levou Eq. (2.59). O circuito indutivo simples anlogo ao caso RC, como vemos, baseados no circuito da Fig. 2.16. A equao da tenso no circuito com a chave na posio 1

que, aps ser reagrupada, se torna

Esta equao resolvida exatamente como a Eq. (2.61), sendo a corrente dada por

Evidentemente, a corrente num circuito indutivo cresce exponencialmente com a constante de tempo LIR. Isto , valores pequenos de R e grandes de indutncia resultam

CORRENTES ALTERNADAS

53

em correntes transitrias demoradas. Observe que, de acordo com a Eq. (2.64), o valor estacionrio , justamente, a corrente cc VIR. O decaimento da corrente, quando a chave colocada na posio 2, tambm exponencial, j que a equao diferencial do circuito, neste caso, simplesmente

Por analogia com a Eq. (2.54), a corrente dada por

O crescimento e o decrescimento da corrente num circuito indutivo so simtricos, de acordo com as Eqs. (2.64) e (2.66), exatamente como no caso correspondente do circuito RC.

Fig. 2.16

Transitrios CA
Os transitrios tambm aparecem quando se ligam fontes ca. Por exemplo, consideremos o circuito da Fig. 2.17, para o qual a equao diferencial

conveniente expressar a tenso aplicada como


v = V, sen(ot

+ 8)

onde o ngulo de fase 0 foi introduzido para permitir escolher a amplitude da tenso de entrada instantnea em t = O. Como a soluo completa da Eq. (2.67) consiste em uma corrente transitria e uma estacionria de freqncia w , a corrente total

sendo i, a corrente transitria e i, a estacionria. Substituindo a Eq. (2.69) na equao diferencial (2.67) e reagrupando os termos, resultado

Esta equao pode ser resolvida se os dois termos entre parntesis forem iguais a zero.

O primeiro justamente a Eq. (2.54), para o qual a soluo encontrada anteriormente foi a Eq. (2.58). Da mesma maneira, o segundo parntesis a Eq. (2.32) e a soluo a Eq. (2.43). Usando tais expresses, a corrente total pode ser escrita

Ae- 'I'

+J

T/

"P sen ( o C R ~ (I~UC)~ +

+8 + 4)

onde

T =

RC
arctan 1IRoC

<b

e a constante A determinada da tenso de fonte no instante em que a chave fechada. Observe que a Eq. (2.71) consiste em uma parte transitria juntamente com um termo estacionrio, como j visto anteriormente.

Fig. 2.17

Suponhamos que a tenso aplicada esteja em seu pico, isto , v = V,, quando a chave fechada em t = O. Isto significa que escolhemos O = 742, de acordo com a Eq. (2.68), e a corrente inicial V,/R. Assim, a Eq. (2.71) para t = O torna-se

L A + R

c+ (E + 4 )
sen V, ( l / ~ c ) ~ sen wt J R ~ (IIWC)~ +

(2.72)

Resolvida esta equao para a constante A, que ento substituda na Eq. (2.71), temos a soluo final

. I = p

v,
R 1

+ (CORC)~

e - 'I' +

v,

+ 7c + 4
-

(2.73)

Para que o termo transitrio da Eq. (2.73) tenha uma amplitude aprecivel em comparao com o estacionrio, o denominador de seu coeficiente no deve ser muito < grande. Isto significa que ( W R C ) ~ I , ou

De acordo com esta expresso, a constante de tempo da corrente transitria menor do que um perodo da corrente senoidal. Em conseqncia, qualquer transitrio desprezvel depois de uma frao de um ciclo do sinal ca e, por isso, pode ser ignorado. Se, por outro lado, a constante de tempo for muito maior que um perodo, o transitrio existir por muitos ciclos, mas, conforme a Eq. (2.73), com pequena amplitude. Este

CORRENTES ALTERNADAS

55

arrazoado demonstra por que a soluo do estado estacionrio, sozinha, suficientemente precisa para a maior parte dos casos.

Oscilao
_ C L

Mudanas bruscas de tenso num circuito RLC podem ocasionar oscilao, quandouma co-ente ca-decresc te gerada na frequncia caracterstica do circuit~, dc-denominada freqUi",c.h rpssorza&.amPlitude dessa corrente amortece exponencialmente como nos circuitos no re$son$nq. Por exemplo, aps o fechamento da chave no circuito da Fig. 2.18, podeiser gerada-uma corrente ca, que decrescer com relativa lentido. O fenmeno coqparvel a rchrberao de um sino golpeado secamente "* por um martelo, da a o r i g e l do termo.
- . %

Fig. 2.18

Os circuitos ressonantes sero vistos com maiores detalhes no prximo captuio. Para examinarmos a oscilao no circuito da Fig. 2.18, comecemos aplicando as leis de Kirchhoff,

que se torna, aps derivao,

d2i + Rdi + - 1 dt2 Ldt LC

j = o

Para resolvermos esta equao diferencial, suporemos, baseados em anlises anteriores, que exista uma corrente ca cuja amplitude decaia exponencialmente com o tempo. Em conseqncia, a corrente descrita por
i
=

Ae-"' sen ( o t

+4)

(2.77)

onde A, a , w e 4 so constantes. Substituindo a Eq. (2.77) e as suas derivadas na Eq. (2.76), esta se torna, aps alguma manipulao algbrica,

cos ( o t + 4 ) Ae-"'

=O

(2.78)

A fim de que a Eq. (2.77) seja soluo da Eq. (2.76), os coeficientes de ambos os termos da Eq. (2.78) devem ser, separadamente, iguais a zero. Do coeficiente do termo em co-seno,

enquanto o coeficiente do termo em seno d a expresso da freqncia

Assim, a corrente neste circuito senoidal, de freqncia dada por (2.80), e tem amplitude que decresce com uma constante de tempo determinada por (2.79). Um esboo do seu comportamento apresentado na Fig. 2.19. E concebvel que os valores dos elementos de circuito sejam tais que

e, neste caso, a frequncia calculada em (2.80) imaginria. A interpretao desta situao pode ser desenvolvida a partir da expresso matemtica do seno de um ngulo imaginrio,

senjwt = j- (eW' - e-O') 2

t
Fig. 2.19 A corrente transitria num circuitoRLC pode ser uma oscilao decrescente.

Em conseqncia, a Eq. (2.77) reduz-se a uma simples exponencial decrescente, cuja constante de tempo determinada pelos valores de R, C e L no circuito. Com efeito, de acordo com (2.81), quando a resistncia do circuito muito elevada, a corrente ca amortecida pelas perdas nesta resistncia e o circuito dito superamortecido. O ponto de amortecimento crtico aquele em que a freqncia, determinada por (2.80), se anula e a exponencial decrescente governada apenas por (2.79).

CORRENTES ALTERNADAS

FORMAS DE ONDA COMPLEXAS Srie de Fourier


A maior parte dos sinais ca de interesse no so ondas senoidais simples, mas, ao contrrio, quase sempre tm formas mais complexas. No obstante, a anlise baseada em sinais senoidais pode ser aplicada em virtude de as formas de onda complexas poderem ser representadas por um somatrio de senides de diferentes amplitudes e freqncias. Consideremos, por exemplo, a soma das duas senides da Fig. 2.20, uma com o dobro da freqncia da outra. A onda resultante tem formas mais complexas que cada uma de suas componentes. Se esta tenso peridica for aplicada a um circuito, poder-se- determinar a corrente resultante calculando-se a corrente devida a cada componente da tenso senoidal, separadamente. Deste modo, o efeito de qualquer sinal complexo\pode ser investigado. Qualquer forma de onda complexa peridica, de valor nico, pode ser representada por uma srie de Fourier, que o somatrio de uma frequncia fundamental (ou mais baixa) juntamente com seus harmnicos (mltiplos inteiros da fundamental). A prova matemtica desta representao e o procedimento para a construo da prpria srie, a fim de representar qualquer forma de onda, no sero analisados aqui. E interessante observarmos, entretanto, a composio harmnica de vrios sinais de importncia prtica, a fim de mostrarmos as principais caractersticas da representao em srie.

Fig. 2.20 A soma de dois sinais senoidais uma forma de onda complexa.

A srie de Fourier para a onda quadrada de valor de pico V, e frequncia o dada

---.

Por

A fidelidade da representao em srie melhora a medida que o nmero de termos includos na Eq. (2.83) aumentado, conforme est graficamente ilustrado na Fig. 2.21. Isto significa que as freqncias mais altas so necessrias para que se reprodu-

zam as bordas e os cantos da onda quadrada. Um segundo exemplo a onda dentede-serra (Fig. 2.22), que representada por

Novamente aqui os termos de alta frequncia devem ser includos, de modo a se obter as quinas do dente-de-serra. De acordo com as Eqs. (2.83) e (2.84), formas de onda complexas, como a quadrada e a dente-de-serra, so compostas de um largo espectro de frequncias. Se a forma de um dado sinal de entrada aplicado em qualquer circuito deve ser mantida na sada, a atenuao introduzida pelo circuito deve ser independente da frequncia. Por exemplo, uma onda quadrada aplicada a um filtro RC passa-altas s resultar num sinal da mesma forma na sada se a sua freqncia fundamental for maior que a freqncia de corte do filtro. E igualmente importante que as fases relativas dos harmnicos permaneam constantes ao passarem pelo circuito, a fim de se preservar a forma do sinal. Por outro lado, a composio harmnica de uma onda frequentemente alterada de propsito por um circuito, a fim de mudar a forma do sinal. Suponhamos que uma onda quadrada seja aplicada a um diferenciador RC. O sinal de sada uma srie de pulsos aguados, alternadamente positivos e negativos, como desenhado na Fig. 2.23b.

$ (senwt + -

Fig. 2.21 Muitas componentes de frequncia esto presentes numa onda quadrada. A fidelidade da representao melhora com o aumento do nmero de harmnicos.

CORRENTES ALTERNADAS

59

Para o circuito diferenciar a onda quadrada adequadamente, necessrio que o termo de mais alta frequncia na representao em srie de Fourier satisfaa a aproximao 1, que comanda a Eq. (2.49). Isto , de maneira geral, facilmente conseguido oRC na prtica, e o circuito diferenciador simples largamente utilizado para gerar pulsos a partir da onda quadrada. Um segundo exemplo a integrao da onda quadrada usando-se um circuito simples RC. O resultado uma onda triangular (Fig. 2.23~).Neste caso, a freqncia fundamental da onda quadrada deve ser suficientemente alta para satisfazer a aproximao oRC %- 1 que governa a Eq. (2.52).

Fig. 2.22 Onda dente-de-serra.

Fig. 2.23 (a) Onda quadrada, (b) onda quadrada diferenciada, (c) onda quadrada integrada.

Valor eficaz
O valor eficaz de uma forma de onda complexa definido exatamente como no caso do sinal senoidal j discutido. Consideremos, por exemplo, a onda quadrada de perodo T e valor mximo I , ilustrada na Fig. 2.24. A corrente eficaz

Isto significa que o valor eficaz da onda quadrada igual ao seu valor mximo. Como a potncia dissipada num resistor depende do quadrado da corrente, o sentido desta ltima no tem importncia, e a Eq. (2.85) corresponde ao esperado.

Fig. 2 2 Onda quadrada. .4

Fig. 2.25 Onda dente-de-serra.

Consideremos agora a onda dente-de-serra triangular simples da Fig. 2.25. A corrente varia conforme

no intervalo compreendido entre -TI2 e T/2. Em conseqncia, o valor eficaz

Uma outra forma de onda de interesse uma srie de meias-senides (Fig. 2.26). O valor eficaz pode ser encontrado seguindo-se o procedimento adotado acima. Este sinal tem, entretanto, uma componente cc, como pode ser visto calculando-se o seu valor mdio:

41 41 I , s e n o t dt =>=o o T 271

Esta componente cc contribui para a potncia do sinal completo. Na maioria dos casos, o valor eficaz apenas da componente ca o que interessa.

CORRENTES ALTERNADAS

61

Se for conveniente, considera-se a srie de Fourier das formas de onda complexas. Como a contribuio de cada componente para a potncia independente das outras, o valor eficaz de qualquer sinal complexo dado por

1: = Irc

+ 1: + I: + 1: + ...

(2.89)

onde I,, o valor mdio e I,, I,, I,, . . . os valores eficazes de cada componente de freqncia. Na maioria das vezes, basta considerar apenas a fundamental, uma vez que ela predomina. A srie de Fourier da forma de onda da Fig. 2.26

2 41 41 i = I , - -1cos 2wt - --2 4wt cos 3n 15n n


-

Fig. 2.26 Onda semi-senoidal

Observe que o primeiro termo corresponde a Eq. (2.89), em conformidade com a definio de componente cc. O valor eficaz das componentes ca, apenas, , utilizando as Eqs. (2.4) e (2.89),

Os resultados anteriores so utilizados no Cap. 4, em conexo com aplicaes adicionais de filtros indutivos e capacitivos.

Resposta a onda quadrada


E til a investigao da resposta dos circuitos as ondas quadradas de tenso pelos mtodos dos transitrios da seo anterior. Isto possvel porque a onda quadrada pode ser considerada uma tenso cc, que ligada e desligada na frequncia da onda. A anlise da corrente transitoria complementa o mtodo da srie de Fourier e , frequentemente, mais simples. A tcnica do transitrio d diretamente a forma de onda de sada e torna desnecessria a determinao da resposta do circuito a cada um dos harmnicos. Consideremos, inicialmente, o filtro RC passa-altas da Fig. 2.27, ao qual aplicada a onda quadrada de perodo T, como indicado no diagrama. De acordo com a Eq. (2.58), a corrente transitria em cada semiciclo da onda quadrada tem a forma

onde a constante A depende da corrente no circuito, resultante do transitrio anterior. Por exemplo, se T = T/2, a corrente decresce 63 por cento no instante em que a tenso inverte. Isto significa que a tenso no capacitor provoca um transitrio de corrente no sentido inverso, e assim por diante. A tenso de sada (= Ri) uma sucesso de exponenciais transitrias, como est mostrado na Fig. 2.28. Estas formas de onda correspondem a diferentes valores de constantes de tempo RC, comparadas com o perodo da onda quadrada. Observe que, quando a constante de tempo do circuito muito pequena em relao ao perodo do sinal, a forma da sada se aproxima da dgerencial da onda quadrada.

Pd
Fig. 2.27 Sinal d e onda quadrada aplicado entrada d o filtro passaaltas.

t
L

7=3T

1
v

*
t

Fig. 2.28 Uma onda quadrada (em cima) a entrada do filtro passa-altas produz diferentes formas de sinal de sada, dependendo da relao entre o penodo e a constante de tempo do circuito.

CORRENTES ALTERNADAS

63

Este um mtodo alternativo para o estudo dos circuitos diferenciadores vistos na seo anterior. O filtro passa-baixas da Fig. 2.29 pode ser analisado do mesmo modo. A tenso no capacitor uma exponencial, como visto anteriormente, e a forma do sinal de sada (Fig. 2.30) depende tambm do valor da constante de tempo em relao ao penodo. Em particular, note que, quando a constante de tempo grande, a tenso no capacitor se eleva linearmente, durante o tempo do pulso. A tenso de sada , ento, exatamente a integral do sinal de entrada, novamente de acordo com a anlise de circuito pelos harmnicos.

r,

Fig. 2.29 Sinal d e onda quadrada aplicado a entrada de um filtro passabaixas.

-T--,

Fig. 2.30 Uma onda quadrada na entrada do filtro passa-baixas produz diferentes formas de onda na sada, dependendo da relao entre o perodo e a constante de tempo do circuito.

Osciloscpio
Indubitavelmente, o mais til instrumento para o estudo dos sinais complexos o osciloscpio de raios catdicos, capaz de mostrar as formas de onda de tenso visualmente. O corao do osciloscpio o tubo de raios catdicos, no qual a posio de um fino feixe de eltrons eletricamente controlada a fim de "pintar" a forma do sinal numa tela fluorescente. No tubo de raios catdicos (TRC), um canho eletrnico dirige um feixe de eltrons focalizado e de alta velocidade para uma placa de vidro, coberta com material fluorescente, que emite luz quando bombardeada por eltrons. O feixe passa entre um par de placas defletoras horizontais e um par de placas defletoras verticais em seu caminho para a tela, como esboado na Fig. 2.3 1. O feixe produz um ponto de luz no centro da tela quando a tenso nas placas defletoras igual a zero. A posio do ponto na tela facilmente mudada, desviando-se o feixe de eltrons por meio de tenses aplicadas a cada par de placas. O feixe defletido em virtude d a fora lateral exercida nos eltrons pelo campo eltrico entre cada par de placas. Os osciloscpios prticos incluem circuitos auxiliares para aumentar a sua versatilidade, como ser discutido num dos captulos subseqentes. A maneira como o osciloscpio mostra a forma do sinal pode ser entendida observando-se a Fig. 2.32. Suponhamos que uma tenso senoidal, de amplitude suficiente para provocar uma deflexo pico-a-pico de cerca de metade d o dimetro da tela, seja aplicada ao par de placas defletoras verticais. Uma tenso dente-de-serra de mesma freqncia aplicada as placas defletoras horizontais com amplitude suficiente para obrigar o feixe a varrer metade do dimetro da tela nesta direo. Se as duas ondas partirem de zero no mesmo instante, o ponto partir do centro da tela. O dente-de-serra nas placas horizontais faz com que o ponto se mova uniformemente para a direita, ao passo que o movimento vertical depende da tenso senoidal. O resul-

Ii

Fig. 2.31 Esboo do tubo de raios catdicos.

CORRENTES ALTERNADAS

Tela

r.

Fig. 2.32 O osciloscpio, com uma tenso dente-de-serra de deflexo horizontal, mostra a forma de onda da tenso aplicada nas placas verticais.

tado que o ponto traa o desenho d a onda senoidal na tela, como no grfico pontoa-ponto d a Fig. 2.32. Quando a tenso dente-de-serra nas placas horizontais cai a zero, no fim do ciclo, o ponto rapidamente retorna ao local de partida. O mesmo desenho traado a cada ciclo subseqente. Na maioria das freqncias de interesse, o ponto se move com rapidez demasiada para ser visto. e a figura na tela aparece como uma onda senoidal estacionria, por causa da persistncia d a visao. A tenso dente-de-serra e o sinal senoidal devem-se iniciar exatamente no mesmo instante a cada ciclo, pois, de outro modo, o ponto no traa o mesmo desenho a cada vez. E m conseqncia, a tenso de vaureduru sinc~uonizudu com o sinal das placas verticais por intermdio de circuitos auxiliares associados com o osciloscpio. E prtica comum, tambm, apagar o feixe durante o rpido retorno d o ponto ao incio, a fim de eliminar a linha de retrocesso d a figura. A tenso de varredura pode ser feita, convenientemente, submltipla da freqncia do sinal. a fim de ser mostrado mais de um ciclo d a onda. -0osciloscpio til tambm na medio d o ngulo de fase entre sinais senoidais. Isto feito aplicando-se um dos sinais a s placas verticais e , o outro, as horizontais. A figura resultante pode ser uma linha reta, uma elipse ou um crculo, dependendo de o ngulo de fase ser 0, 45 ou 90, respectivamente, como indica a Fig. 2.33. O ngulo d e fase calculado como se segue. Suponhamos que a tenso horizontal seja

vH = Vp senwt

e que o sinal senoidal vertical seja dado por

v, = b sen (wt

+ 4)

(2.95)

Quando t = O, v, = O, o que significa que a deflexo honzontal nula. A deflexo vertical neste ponto pode ser denominada de a ,

Tirando o valor de 4

a arcsen b

(2.97)

A relao alb pode ser determinada diretamente das dimenses da figura na tela, como mostra a Fig. 2.34. Observe que o desenho deve estar centrado nas linhas de referncia horizontal e vertical, afim de que a Eq. (2.97) seja vlida.
>

Fig. 2.33 Figuras de Lissajous para diferenas de fase de 0, 4 5 O e 90 entre as tenses de deflexo horizontal e vertical.

CORRENTES ALTERNADAS

67

Os desenhos da Fig. 2.33 so exemplos especficos das chamadasfiguras de Lissajous, que so utilizadas para a determinao da relao entre as frequncias de dois sinais senoidais. Uma onda senoidal aplicada nas placas de deflexo vertical e, a outra, nas horizontais. Se a razo entre suas frequncias for alguma frao relacionando nmeros inteiros, como, por exemplo, 112, 114 e 213, a figura permanecer estacionria. Essa razo determinada pelo nmero de lbulos da figura que toca uma linha vertical em sua borda. A razo disso que um nmero inteiro de senides completado nas placas horizontais e , simultaneamente, nas placas verticais. Alguns exemplos de figuras de Lissajous so dados na Fig. 2.35 para diferentes relaes de freqncia. Estas figuras so encontradas da mesma maneira que a empregada nas Figs. 2.32 e 2.33.

Fig. 2.34 O ngulo de fase (defasagem) entre tenses senoidais aplicadas nas placas verticais e horizontais determinado pela relao alb.

Fig. 2.35 Figuras de Lissajous parafreqncia com relaes 2: 1, 1:5,5:3 e 6 5 .

Vrias figuras diferentes podem representar a mesma relao entre frequncias, dependendo do intervalo entre os instantes em que as duas senides passam pelo zero. A Fig. 2.33 um exemplo disto para a relao 1:l. Embora as figuras de Lissajous possam, em princpio, ser usadas para a determinao da razo entre sinais no senoidais, na prtica as figuras resultantes so confusas e de difcil interpretao.

68

ELETRONIGA BSICA

SUGESTES PARA LEITURA COMPLEMENTAR

R. M. Kirchner and G. F. Corcoran: "Alternating Current Circuits," 4th ed., John Wiley & Sons, Inc., New York, 1960. F. H. Mitchell and F. H. Mitchell, Jr.: "Essentials of Electronics," Addison-Wesley Publishing Company, Inc., Reading, Mass., 1969. Leigh Page and Norman Isley Adarns: "Principles of Electricity," D. Van Nostrand Company, Inc., Princeton, N.J., 1931.

2.1 Trace a curva de resposta de frequncia de um filtro RC passa-altas, utilizando a Eq. (2.45) com R = 106fl e C = 0,01 yF. Cubra o intervalo correspondente a duas dcadas abaixo e duas acima da frequncia de meia-potncia. 2.2 Desenvolva uma expresso anloga a Eq. (2.45) para o filtro R C passa-baixas. Esboce a curva de resposta de freqncia para R = 106 0 e C = 100 pF. 2.3 Trace a curva de resposta de frequncia de um filtro RL passa-baixas, Eq. (2.27), com L = 10 H e R = 100 0. Projete um circuito R C com as mesmas caractersticas de frequncia. 2.4 Mostre que a representao em srie de Fourier de uma onda dente-de-serra [Eq. (2.84)] torna-se uma reproduao mais fiel deste sinal a medida que os harmnicos de ordem superior so includos, somando dois, trs e quatro termos, como na Fig. 2.21. 2.5 Usando a representao em srie de Fourier da onda quadrada, determine o resultado da sua integrao. Faa isto integrando a Eq. (2.83) termo a termo e traando a curva resultante da srie. Compare a forma da onda com a esboada na Fig. 2.23. 2.6 Usando a representao em srie de Fourier para a onda dente-de-serra, determine o resultado de sua diferenciao. Faa isto diferenciando a Eq. (2.84) termo a termo e fazendo o grfico resultante. 2.7 Mostre como o filtro RC passa-baixas integra a onda quadrada, determinando a amplitude e o ngulo de fase dos trs primeiros termos da representao em srie de Fourier desse sinal [Eq. (2.83)] a sada, sabendo-se que a frequncia fundamental igual a 10 vezes a frequncia de meiapotncia do filtro. Determine graficamente a forma de onda da sada, como na Fig. 2.21. 2.8 Repita o exerccio 2.7 considerando a frequncia fundamental da onda quadrada igual a metade da frequncia de meia-potncia do filtro. 2.9 Determine a forma da onda observada numa tela de osciloscpio, seguindo procedimento anlogo ao usado na confeco da Fig. 2.32, sendo a freqncia da onda dente-de-serra horizontal igual metade da frequncia da onda senoidal vertical. 2.10 Determine, atravs de procedimento anlogo ao empregado na confeco da Fig. 2.23, a forma da onda observada numa tela de osciloscpio, se um sinal senoidal aplicado as placas defletoras horizontais e verticais com uma defasagem de 30. Use a figura resultante para confirmar a Eq. (2.97).

Os princpios dos circuitos ca tratados no Cap. 2 podem ser utilizados para a determinao das correntes e m qualquer circuito. Entretanto, a soluo das equaes dijerenciais concernentes a maioria dos circuitos prticos enfadonha. Tcnicas mais poderosas de anlise de circuitos ca permitem solues para as correntes com u m trabalho muito menor. Essas tcnicas so baseadas, ~aturalmente, mesmas equanas es diferenciais dos circuitos. O procedimento apenas ligeiramente mais complicado, e tanto a lei de Ohm quanto as de Kirchhoffso empregadas, embora numa forma modificada. Todas as tcnicas da anlise cc tratadas no Cap 1 so, realmente, aplicveis.

Lei de Ohm para ca


As solues das equaes diferenciais dos circuitos ca no estado estacionrio, desenvolvidas no captulo anterior, contm, invariavelmente, vrios termos em sen w t e cos w t . Essas expresses podem, em geral, ser simplificadas pela introduo de relaes trigonomtricas apropriadas; mas o mtodo trabalhoso, exceto nos circuitos mais simples. Acontece que a anlise de circuitos fica grandemente facilitada quando as tenses correntes senoidais so representadas por meio de nmeros complexos, tal que

i
e

= I p ( c o s tot

+j

sencut) = I,ejL"'

(3.1)

onde j = -\r-7- O smbolo j , em vez de r , comumente utilizado na anlise de circuitos eletrnicos para significar C a fim de evitar confuso com o smbolo conven., cional de corrente. Com efeito, a representao por nmero complexo simplifica simultaneamente os termos em ~ e r z e cos w t , como indicam as Eqs. (3.1) e (3.2). wt As equaes diferenciais do circuito podem ser resolvidas quase que diretamente quando os sinais so representados por complexos. Consideremos, por exemplo, a equao do circuito RL srie, Eq. (2.8):

r'

,
%

Substituindo-se as Eqs. (3.1) e (3.2) na Eq. (3.3) e admitindo-se defasagem entre a tenso e a corrente,

A quantidade entre parntesis denominada irnpediincia complexa, Z, do circuito. Assim, a equao diferencial se reduz a
que afovma cu da lei de Ohm. Ela relaciona corrente e tenso em funo da impedncia complexa do circuito, que, uma vez determinada, simplifica a soluo dos circuitos ca. Observe que, na ausncia de reatncia, a Eq. (3.6) se reduz a forma comum da lei de Ohm. Isto significa que impedncias em srie e em paralelo se associam da mesma maneira que as resistncias. Assim, a impedncia equivalente a impedncias em srie

/ . -

,,

Do mesmo modo, o equivalente de impedncias em paralelo

ANLISE DE CIRCUITOS CA

71

Aplicando-se as Eqs. (3.7) e (3.8), deve-se considerar devidamente a natureza das impedncias complexas e as regras concernentes ao modo pelo qual os nmeros complexos se combinam. Vrios exemplos ilustrativos sero vistos nas sees subsequentes.

Impedncia complexa
A Eq. (3.5) mostra que a parte real da impedncia est associada com a resistncia, ao passo que a parte imaginria representa a reatncia. De acordo com a representao grfica comumente adotada para nmero complexo (Fig. 3.1), a parte real indicada no eixo horizontal e , a imaginria, no vertical. Em conseqncia, o ngulo da impedncia dado por

xL 4 = arctan R

(3.9)

onde X, a reatncia. O termo impedncia deriva do fato de resistncias e reatncias impedirem a circulao de corrente num circuito. De conformidade com a Eq. (3.6), a unidade da impedncia o ohm. Neste ponto, til recordarmos algumas propriedades dos nmeros complexos, a fim de facilitar seu emprego em anlise de circuitos. Dois nmeros complexos so iguais se e somente se suas partes reais e imaginrias forem iguais entre si, ou seja, se verdade que

ento. devem ser

Desta definio de igualdade, segue-se que a adio de dois complexos efetuada somando-se separadamente as partes reais e as imaginrias, isto ,

Obviamente, as mesmas regras se aplicam a subtrao. Os nmeros complexos so multiplicados segundo a forma convencional.

.- . .-

Fig. 3.1 A impedncia complexa representada graficamente por uma componente resistiva e uma reativa.

De acordo com (3.121, o produto de dois desses nmeros um terceiro complexo de grandeza igual ao produto das magnitudes individuais e de ngulo igual a soma dos ngulos de cada um. Segue-se, imediatamente, que a diviso efetuada segundo a forma

Esta relao estabelece que o resultado da diviso de dois complexos um terceiro complexo, cuja grandeza a razo entre as magnitudes de cada um e cujo ngulo a diferena entre os ngulos individuais. E frequentemente til racionalizar o inverso de um nmero complexo. Assim,
--

Z(cos $

+ j sen 4 )

Esta frao racionalizada muftiplicando-se o numerador e o denominador pelo co;. . plpxo conjugado obtido com a substituio da parte imaginria do nmero em questo pelo seu negativo. Em consequncia, a Eq. (3.14) torna-se
--

- Z(cos

4+

cos 4 - 1 sen 4 - I cos (p - L cos2 4 j sen $) cos $ - 1 sen $,

:sen G,

+ sen2 6

Evidentemente, o recproco de um complexo tambm um nmero complexo, cuja magnitude dada pelo inverso da magnitude daquele nmero e cujo ngulo o seu negativo. Utilizando a forma exponencial,

que poderia ter sido escrita de imediato. As formas equivalentes de representao de uma impedncia,

devem ser observadas. Evidentemente, a soma e a subtrao so mais facilmente executadas na forma retangular, R + j X , ao passo que a multiplicao e a diviso so mais facilmente efetuadas na forma polau, ZeJm.A Eq. (3.17) utilizada para se passar diretamente de uma representao a outra, quando necessrio. Essas operaes, juntamente com a racionalizao, so de utilidade na determinao da impedncia equivalente de circuitos que contenham uma certa quantidade de impedncias individualizadas, como ser ilustrado na prxima seo. Observe tambm que um nmero complexo pode ser escrito em termos de suas partes real e imaginria, da seguinte maneira

Em particular, a magnitude igual a raiz quadrada da soma dos quadrados das componentes real e imaginria.

ANLISE DE CIRCUITOS CA

CIRCUITOS RLC
Ressonncia srie
Como primeiro exemplo de anlise de circuitos ca utilizando o mtodo da impedncia complexa, consideremos o circuito RLC srie da Fig. 3.2. De acordo com a lei de Kirchhoff,

A equao diferencial do circuito , aps derivar em relao a t ,

Note que se trata de uma equao de segunda ordem e pode ser resolvida em relao a -arrente no estado estacionrio i pelo processo usado no Cap. 2. O resultado

onde

A tcnica da impedncia para a soluo do mesmo circuito mostrada a seguir. A impedncia total da associao em srie , conforme a Eq. (3.7),

Usando-se a lei de Ohm para calcular a corrente,

-. -

A Eq. (3.24) a soluo final, obtida em' somente duas etapas simples. A tenso V usualmente dada em valor eficaz, de modo que-o valor de I , tambm, eficaz.

Fig. 3.2 Circuito RLC srie.

Para ilustrar mais claramente a correspondncia entre esta soluo e a dada por (3.21) e (3.22), racionalizemos (3.24)

Com referncia ao diagrama da impedncia do circuito (Fig. 3.3), a Eq. (3.25) pode ser escrita

(cos (b J R ~ (UL - I / W C ) ~

onde

(b = arctan

- -

o L - l/wC R

A correspondncia exata entre a soluo da equao diferencial, Eq. (3.21), e o resultado do mtodo da impedncia, Eq. (3.26), evidente. Nas sees subsequentes, a ltima tcnica usada exclusivamente por causa de sua simplicidade. Consideremos a amplitude da corrente no circuito RLC como uma funo da frequncia da tenso aplicada. De acordo com a Eq. (3.26), a corrente muito pequena em baixas frequncias (w + O), porque a reatncia capacitiva grande. Da mesma a ,porque a reatncia indutiva ) forma, a corrente pequena em altas frequncias (w se torna grande. Entre esses dois extremos, o ngulo de fase nulo quando

qTl,uc)
l/wC Fig. 3.3 Impedncia de um circuito RLC.

ANLISE DE CIRCUITOS CA

75

Nesta frequncia, diz-se que o circuito est em ressonncia, e a corrente mxima e dada por

O circuito se comporta como se fosse puramente resistivo, com a corrente em fase com a tenso aplicada. Isto acontece porque, na ressonncia, a reatncia capacitiva anua a indutiva. A frequncia de ressonncia , da Eq. (3.28),
A - - - __ -

--

Para ilustrar as propriedades do circuito ressonante srie, consideremos a variao de corrente no circuito especfico da Fig. 3.4. Depois de substituir os valores dos componentes do diagrama na Eq. (3.26), verifica-se que a corrente varia com a freqncia, como mostra a Fig. 3.5. A corrente mxima 1 = 10/100 = 0,l A na freqncia de ressonncia

e decresce rapidamente fora desta frequncia, como se pode observar.

Fig. 3.4

..

Fig. 3.5 Curva de ressonncia do circuito da Fig. 3.4.

As quedas de tenso no circuito, na ressonncia, ilustram melhor uma importante caracterstica das correntes alternadas. A queda do resistor

A queda de tenso correspondente no capacitor a corrente vezes a reatncia capacitiva

e , da mesma forma, a tenso no indutor

evidente que a soma das quedas de tenso no circuito no zero. De fato, as tenses nas reatncias elevam-se a valores bastante altos na ressonncia. Observe, entretanto, que a defasagem da tenso no capacitor de +90, em relao corrente, enquanto a defasagem da tenso no indutor de -90. Isto significa que as tenses instantneas nas reatncias se cancelam mutuamente e que a queda na resistncia igual a fem aplicada, fato confirmado pela Eq. (3.32). A lei de Kirchhoff das tenses vlida se considerarmos as fase das correntes e tenses nos circuitos ca. Este assunto mais bem considerado nos exerccios. Um voltmetro conectado, digamos, aos terminais do capacitor da Fig. 3.4 indica uma tenso correspondente a Eq. (3.33) na ressonncia. Em conseqncia, o capacitor (e o indutor) deve ser capaz de suportar altas tenses sem se romper, embora a tenso aplicada esteja bem abaixo dos limites dos componentes. A ressonncia largamente utilizada nos circuitos eletrnicos com o fim de aumentar a corrente na freqncia que a ocasiona.

Ressonncia paralela A ressonncia ocorre, tambm, em um circuito paralelo (Fig. 3.6). A corrente obtida
computando-se, inicialmente, a impedncia complexa total. Como a indutncia e a reatncia esto ligadas em paralelo, a impedncia equivalente determinada com o auxlio da Eq. (3.8),

Fig. 3.6 Circuito ressonante paralelo.

ANLISE DE CIRCUITOS CA

Em conseqncia, a impedncia da associao LC

De acordo com a Eq. (3.36), a impedncia muito grande, tornando-se infinita quando

Esta a mesma relao encontrada no caso da ressonncia srie [Eq. (3.30)]. Observe, no entanto, que, na ressonncia srie, a impedncia mnima, de acordo com a Eq. (3.23), ao passo que mxima na ressonncia paralela, como pode ser visto pela Eq. (3.36). A impedncia total do circuito inclui a associao em srie de R e Z,

de forma que a corrente no circuito

De acordo com a Eq. (3.39), a corrente nula, na ressonncia, quando a impedncia se torna infinita. A tenso V aparece, ento, atravs da associao LC, independentemente do valor de R . Esta caracterstica do circuito ressonante paralelo exaustivamente usada na prtica. A tenso de sada V, simplesmente a corrente vezes a impedncia Z,, ou

Racionalizando,

A amplitude da tenso de sada determinada tomando-se a raiz quadrada da soma dos quadrados das partes real e imaginria. Em conseqncia, a relao entre as tenses de sada e de entrada torna-se

,. r-'

Vejamos o comportamento da Eq. (3.42), utilizando os valores especficos dos componentes do diagrama do circuito paralelo da Fig. 3.7. A tenso de sada sobe at se igualar a de entrada na freqncia de ressonncia, como est mostrado na Fig. 3.8. A ressonncia paralela comumente utilizada nos circuitos eletrnicos a fim de se conseguir uma alta impedncia que produza uma aprecivel tenso de sinal naquela freqncia. A ressonncia tambm importante nos circuitos projetados para realar uma nica freqncia entre todas as demais. Ajustando-se o valor da capacitncia, por exemplo, o circuito pode ser sintonizado em diferentes freqncias. Este o princpio usado para selecionar os diferentes canais nos receptores de rdio e TV. E interessante comparar as correntes nos vrios componentes de um circuito paralelo em ressonncia. De acordo com a Eq. (3.42), toda a tenso de entrada est aplicada no capacitor e no indutor, de modo que as corrente\so, respectivamente,

A7

"-i

Fig. 3.8 Curva de ressonncia do circuito da Fig. 3.7.

ANLISE DE CIRCUITOS CA

79

Todavia, a corrente total do circuito zero, de conformidade com a Eq. (3.39). Esta outra situao na qual se deve considerar a defasagem entre as correntes. Como as reatncias indutiva e capacitiva so iguais, as amplitudes das correntes na indutncia e na capacitncia tambm so iguais. Seus ngulos de fase so tais que, digamos, no n superior da Fig. 3.6 essas duas correntes se cancelam em cada instante, e nenhuma outra circula pelo resistor; mas, dentro desta idia, h uma corrente circulando na associao LC paralela, na ressonncia.

Fator Q
A resistncia de um circuito to importante na determinao da corrente na ressonncia quanto nas freqncias mais afastadas deste ponto. Esta uma considerao importante, uma vez que, por exemplo, a resistncia dos enrolamentos est presente em todos os indutores. O efeito semelhante nos dois tipos de ressonncia, mas o caso da ressonncia srie matematicamente mais simples, podendo ser utilizado para ilustrar todas as caractersticas importantes. Consideremos a amplitude da corrente no circuito srie da Fig. 3.2, dada pela Eq. (3.26):

que pode ser reagrupada, tornando-se

A relao entre a reatncia indutiva e a resistncia denominada de Q do circuito. No caso presente, convm considerarmos o Q na ressonncia.

Substituindo (3.47) e a freqncia de ressonncia dada por (3.30) em (3.46),

onde I , a corrente mxima na ressonncia. Finalmente, uma forma alternativa da Eq. (3.48) , depois de multiplicarmos os dois termos em oloo,

Fig. 3.9 A acuidade da curva de ressonncia maior para circuitos de alto Q.

Esta expresso, posta em grfico na Fig. 3.9 para valores representativos de Q,, mostra que um alto (2, (isto , um pequeno valor de R) leva a uma curva-de ressonncia muito aguda. Nesta condio, a largura da banda do circuito ressonante, isto , o intervalo (ou faixa) de frequncia entre os poptos de meia-potncia, muito pequena. Valores de Q , entre 10 e 100 so comuns em circuitos eletrnicos, mostrando-se teis nos circuitos sintonizados muito seletivos, como iIustram as duas curvas inferiores da Fig. 3.9. Componentes ressonantes especiais podem ter Q's da ordem de vrios milhares, o que resulta, deveras, em seletividade de frequncia muito alta. Por outro lado, necessrio, algumas vezes, alargar a resposta em frequncia de um circuito ressonante, para que ele possa ser empregado numa faixa larga de freqncias em ambos os lados da ressonante. Neste caso, um resistor includo, propositalmente, para produzir um Q mais baixo do que o de um indutor isolado.

CIRCUITOS EM PONTE
A Fig. 3.10 mostra a verso ca da ponte de Wheatstone. Ela tem uma impedncia complexa em cada brao e usa um gerador de sinais senoidais e um detector ca, que pode ser um osciloscpio, por exemplo. A anlise deste circuito idntica a do caso cc considerado no Cap. 1, exceto por envolver impedncias e correntes complexas. Somente a condio de balanceamento vai nos interessar aqui, e podemos obt-la da maneira descrita a seguir. Em equilbrio, a tenso no detector nula, o que significa que a corrente neste ramo zero e, em conseqncia, a corrente em Z, igual aquela em Z,; a corrente em Z, tambm a mesma em Z,. Alm do mais, como a tenso no detector nula, as quedas de tenso em Z, e Z, so iguais, da mesma forma que as quedas em Z, e Z,. Igualmente as quedas de tenso nos braos correspondentes da ponte

ANLISE DE CIRCUITOS CA

Fig. 3.10 A ponte de Wheatstone ca usa gerador senoidal e detector ca, que pode ser um osciloscpio.

Dividindo-se a Eq. (3.50) pela (3.51), chega-se condio de equilbrio

que poderia ser comparada com a condio de balanceamento da ponte de Wheatstone cc [Eq. (1.46)]. De acordo com a Eq. (3.52), essa condio envolve a igualdade de dois nmeros complexos. Isto significa que as partes reais e imaginrias destes devem ser iguais e implica na necessidade de dois ajustes independentes para balanceamento dos circuitos em ponte ca. Sero feitas ilustraes especficas desta situao nas sees seguintes.

Pontes de indutncia e de capacitncia As pontes das Figs. 3.11 e 3.12 podem ser usadas para medir indutncia e capacitncia, da mesma forma que a ponte de Wheatstone utilizada na medio de resistncia. Consideremos a ponte de indutncia da Fig. 3.11, comparando-a com a Fig. 3.10. A impedncia R . + joL, representa a indutncia e a resistncia do indutor desconhecido. A condio de equilbrio [Eq. (3.52)] significa que

Fig. 3.11 A ponte de indutncia, usada para medio da resistncia e da indutncia de um indutor desconhecido.

Fig. 3.12 Ponte de capacitncia.

Realizando o produto cruzado,

R , R,

+ joR, L,,

R, R,

+ joR2L3

(3.54)

Depois de serem igualadas as partes reais e imaginrias, as duas condies de balanceamento podem ser escritas:

ANLISE DE CIRCUITOS CA

83

, -

A primeira condio a mesma da ponte de Wheatstone, e pode ser levantada com instrumentos cc. A segunda equao obtida usando-se excitao ca. Reescrevendo as Eqs. (3.55),

o que mostra o modo pelo qual a razo R J R , atua como fator de multiplicao nas componentes variveis R , e L, para dar a resistncia e a indutncia desconhecidas. Isto sugere que tanto R , como L , deveriam ser variveis, mas, em virtude de ser difcil a construo de indutores variveis, o procedimento seguinte mais satisfatrio. R, .ou R , ajustado at que o balanceamento seja obtido com um determinado valor de L,; em seguida R , ajustado para satisfazer a condio de equilbrio cc. Deste modo, a indutncia desconhecida comparada com a indutncia conhecida L,, e os nicos componentes variveis necessrios so as resistncias. Uma caractenstica interessante das condies de balanceamento [Eqs. (3.56)] serem elas independentes da freqncia, razo pela qual a freqncia do gerador pode ter qualquer valor conveniente. Geralmente melhor escolher uma freqncia na qual a reatncia indutiva seja aproximadamente igual as resistncias. O caso da ponte de capacitncia (Fig. 3.12) anlogo a este e ser analisado no Exerccio 3.8. Como no h caminho cc nos braos inferiores da ponte de capacitncia, os ajustes so feitos com excitao ca (o que tambm pode ser feito na ponte de indutncia). Embora sejam usados capacitores variveis calibrados, pode-se, igualmente, empregar um capacitorpadro fixo junto com resistores variveis. Isto particularmente conveniente, quando o mesmo instrumento utilizado como ponte de indutncia e capacitncia, o que feito substituindo-se o capacitor C, por uma indutncia L,. Como tambm possvel empregar um resistor nesta posio, este instrumento fica bastante verstil, podendo medir resistncia, capacitncia e indutncia.'
-

Ponte de Wien
A ponte que tem uma associao em paralelo num brao e uma em srie no brao adjacente conhecida como ponte de Wien. Analisaremos um exemplo til, que emprega somente resistores e capacitores (Fig. 3.13), calculando inicialmente as impedncias Z, e Z,. Considerando-se primeiramente a associao em paralelo,

A associao em srie

'N. T. Os instrumentos deste tipo so comumente denominados pontes RLC.

L
Fig. 3.13 Ponte de Wien.

Substituindo-se as Eqs. (3.58) e (3.59) na equao de equilbrio (3.52), resulta em

R, - - -R,l(l +joR3C3) R2
Efetuando-se a multiplicao cruzada,

R4 - j ( l / o c 4 )

Igualando-se as partes iguais e imaginrias, as condies de equilbrio tornam-se

Este resultado difere daqueles das pontes de capacitncia e indutncia no sentido de que a frequncia w aparece nas equaes de balanceamento. Em conseqncia, possvel conseguir equilbrio ajustando-se a frequncia e apenas um componente, digamos R,, em vez de utilizar duas impedncias variveis. Alternativamente, ajustando-se duas das componentes, a ponte capaz de determinar a freqncia de uma fonte senoidal. A ponte de Wien til, tambm, como circuito seletivo em freqncia, com propriedades similares as dos circuitos ressonantes. Em virtude de os indutores disponveis para uso numa faixa dupla de freqncias serem caros e de difcil construo, a

, ,
,

'-'

ANALISE DE CIRCUITOS CA

85

ponte de Wien tem vantagens considerveis em muitas aplicaes. Isto particularmente verdadeiro para circuitos de baixa-freqncia, onde os valores elevados de indutncia necessrios so inconvenientes. Frequentemente os resistores e capacitores dos ramos em srie e em paralelo so iguais, como na Fig. 3.14. Isto significa que a freqncia caracterstica do circuito , da Eq. (3.63),

As propriedades de seletividade em frequncia da ponte de Wien podem ser ilustradas calculando-se a tenso de sada do circuito em funo da frequncia da tenso de entrada. A sada obtida subtraindo-se as tenses em Z, e R,. A queda em Z, simplesmente a corrente neste brao vezes a impedncia,

onde foi suposta desprezvel a corrente no circuito de sada, mesmo com a ponte no balanceada. Esta condio fica satisfeita, na prtica, com a conexo de uma carga de alta impedncia aos terminais de sada. A relao entre as impedncias na Eq. (3.65) calculada a partir das Eqs. (3.58) e (3.59), depois de fazer iguais todos os R's e C's. Tambm, introduzindo-se w,,

Observe que, de acordo com a Eq. (3.66), o termo reativo se anula na frequncia caracterstica, quando o = w,. Isto significa que o circuito puramente resistivo nesta frequncia (e somente nesta) e que a tenso de sada est em fase com a de entrada, exatamente como num circuito ressonante. A quedaemR,

Finalmente, a tenso de sada

Fig. 3.14 Ponte de Wien usada como circuito seletivo em frequncia.

wlw,

Fig. 3.15 Caracterstica de freqncia do circuito em ponte de Wien.

A relao v,/v, entre a saida e a entrada pode ser determinada aps a racionalizao. Dois grficos da Eq. (3.68) so apresentados na Fig. 3.15 para diferentes valores da relao R,/R,. Claramente se v que a tenso de sada desce a um mnimo em o = w,, situao bastante anloga a da ressonncia srie. O mnimo muito acentuado e matematicamente descontnuo no caso do equilibrio real R , = 2R,. Em conseqncia, a seletividade em freqncia do circuito muito boa.

Circuitos em ponte-T e T-geminado Embora o chamado filtro em ponte-T no seja verdadeiramente um circuito e m ponte, possui propriedades similares as da ponte de Wien. Em contraste com esta, a ponte-T, mostrada na Fig. 3.16, geralmente no emprega valores iguais de resistncia e capacitncia nas duas posies. Para a determinao da tenso de sada, obtm-se a corrente no resistor superior e , a sada, pela subtrao da queda e m R , da tenso de entrada.

Fig. 3.16 Filtro em ponte-T.

ANLISE DE CIRCUITOS CA

A lei de Kirchhoff, aplicada malha de i, na Fig. 3.16, leva a


-j . -j vi = zl - - i,-oc, w c ,

+ i, R ,

(3.69)

Somando-se as tenses na segunda malha,

Depois da simplificao, determina-se i, a partir de (3.70),

e substitui-se o resultado na Eq. (3.69). Resolvendo-se em relao a i,, pode-se obter a tenso de sada

v = vi - R , i, .

vi -

oC2[R,(1

u i o R 2C , C,/C,) + R,] + j(w2R, C , R2C2 - 1)

A parte imaginria se anula na freqncia crtica

que pode ser comparada com a expresso correspondente a da ponte de Wien [Eq. (3.64)]. Aps a substituio de (3.73) em (3.72), a razo complexa da tenso de sada para a de entrada pode ser escrita

A caracterstica da resposta em frequncia do filtro em ponte-T [Eq. (3.74)] semelhante da ponte de Wien, exceto por no ser o mnimo to agudo na freqncia caracterstica. No obstante, sua relativa simplicidade e o fato de os terminais de entrada e sada terem um ponto comum tornam-no um circuito seletivo em freqncia bastante til. As aplicaes especficas deste circuito sero consideradas num captulo posterior. Algo mais complicado que ele o filtro em T-geminado mostrado na Fig. 3.17, o qual pode ser analisado pela tcnica empregada na seo anterior. Este filtro tem uma caracterstica de resposta equivalente a da ponte de Wien, mas seu mnimo muito mais agudo. Apresenta, tambm, a vantagem do terminal comum entre entrada e sada. A escolha entre a ponte de Wien, a ponte-T e o T-geminado para uma determinada aplicao depende de certos fatores, como faixa de freqncia, desempenho desejado e complexidade; todos os trs circuitos so comumente utilizados.

Fig. 3.17 Filtro em T-geminado.

Indutncia mtua
Suponhamos que o fluxo magnt?co varivel, resultante da corrente num circuito seja interceptado por outro circuito. E induzida, ento, uma fem neste segundo circuito e a indutncia mtua entre os circuitos 1 e 2 definida, por analogia com a Eq. (2.15), como

v,

=M

di,
dt

--

onde v, a fem induzida no circuito 2 devido a corrente i , no circuito 1. Uma aplicao muito importante dessa interao o transformador, com dois indutores multiespiras enrolados no mesmo ncleo de ferro, que torna a indutncia mtua a maior possvel. O transformador pode ser representado esquematicamente, como na Fig. 3.18a, com um enrolamento primrio, que parte de um circuito, e um secundrio, parte do segundo circuito. O smbolo para o transformador o mostrado na Fig. 3.18b. Consideremos um transformador ideal, no qual todo o fluxo magntico do primrio interceptado pelo secundrio. Suponhamos que este esteja em circuito-aberto e, o primrio, conectado a uma fonte de tenso senoidal. A corrente no primrio determinada pela sua indutncia. A tenso v, nele induzida proporcional, de acordo com a lei de Faraday, sua indutncia, a qual depende do nmero de espiras desse enrolaPrimrio Secundrio

(a)

(b)

Fig. 3.18 (a) Esboo de um transformador e (b) smbolo de circuito.

mento. Como todo o fluxo interceptado pelo secundrio, a tenso v, nele induzida depende, do mesmo modo, do nmero de suas espiras, isto ,

/'

ANLISE DE CIRCUITOS CA

Note que possvel obter tanto um transformador elevador como um abaixador, dependendo de que seja n , < n , ou n , > n,, e, assim, a tenso do secundrio maior ou menor, respectivamente, que a do primrio. Suponhamos, agora, que o secundrio esteja conectado a uma carga, por exemplo, a um resistor. A corrente no circuito do secundrio resulta em perdas RI2 no resistor, e esta potncia deve ser fornecida pelo primrio. Isto se processa da seguinte maneira: ambas as correntes, no primrio e no secundrio, estabelecem fluxo magntico no ncleo.0 fluxo causado pela corrente do secundrio age no sentido de se opor ao fluxo devido corrente no primrio. O fluxo magntico enfraquecido significa que a tenso induzida neste enrolamento correspondentemente menor. Em conseqncia, a fonte de tenso conectada a entrada aumenta a corrente at que a soma das quedas de tenso no circuito do primrio seja novamente zero, como impem as leis de Kirchhoff. Assim, a corrente no enrolamento secundrio requer corrente no primrio, e o pico de fluxo magntico permanece constante e em seu valor sem carga. O cancelamento dos fluxos significa, tambm, que as tenses induzidas so essencialmente independentes da freqncia. Como a taxa de variao da corrente aumenta com a freqncia, a Eq. (3.75) sugere que a tenso no secundrio deveria ter o mesmo comportamento. A tenso induzida no primrio aumenta de acordo com a freqncia, mas de tal modo que a amplitude da corrente no mesmo enrolamento reduzida, permanecendo a tenso do secundrio independente da freqncia. Observe que o fluxo magntico total no ncleo no varia com a corrente, porque os fluxos devidos s correntes no primrio e no secundrio so iguais e de sentidos opostos. t o m o as duas indutncias dependem do nmero de espiras, segue-se que

A corrente no primrio, dada pela Eq. (3.77), refere-se, de fato, apenas corrente adicional que acompanha a carga no secundrio. No entanto, a corrente sob condies sem carga , em geral, to pequena que pode ser desprezada.

Relao de transformao
A razo entre o nmero de espiras no secundrio e no primrio, denominada relao de transformao, tem particular importncia quando a impedncia conectada ao secundrio comparada com a impedncia aparente no circuito do primrio. Consideremos a situao da Fig. 3.19, onde a carga do secundrio uma simples resistncia R.

Fig. 3.19 A resistncia aparente, vista dos terminais do primrio do transformador, difere da

resistncia conectada ao secundrio.

O valor de R determina a corrente secundria

Substituindo i, da Eq. (3.76) e v, da Eq. (3.79,


n1
-

11

"'2 'Jl
-

n2

n1R

Vista do lado do primrio, a corrente i, flui numa resistncia equivalente R,, tal que
LI1

11

R,,

Comparando-se (3.79) e (3.80), rece refletida para o primrio c

Isto significa que o transformador pode ser utilizado para casar as resistncias num circuito, a fim de se obter a mxima transferncia de potncia entre a fonte e uma resistncia de carga fixa. Esta propriedade mostra-se til e pode ser aplicada, por exemplo, no acoplamento entre a alta resistncia interna de um amplificador e a baixa resistncia do alto-falante que serve de carga. As impedncias complexas so refletidas pelo transformador da mesma maneira que a resistncia na Eq. (3.81). De acordo com esta equao, o transformador parece ser, do lado primrio, uma resistncia pura. Em particular, a auto-indutncia do enrolamento primrio no evidente. A razo para isto que os fluxos causados pelas correntes nos enrolamentos do primrio e do secundrio se cancelam mutuamente. Isto significa que o transformador atua como um dispositivo que transfere a resistncia efetiva de um circuito para outro, mas que no tem indutncia prpria. Observe, ainda, que os circuitos do primrio e do secundrio no esto conectados eletricamente e, por isso, d o isolados para correntes contnuas.

Transformadores prticos
Em sua maioria, os transformadores so construdos de maneira semelhante aos chokes de ncleo de ferro descritos em seo anterior, exceto, claro, pela existncia de mais de um enrolamento. Para relaes de transformao alta, comum fazer o enrolamento de baixa tenso e alta corrente com fio de grande calibre, para reduzir as perdas neste enrolamento. O outro enrolamento constitudo de grande nmero de espiras de fio fino, uma vez que conduzir pequena corrente. Utilizam-se, normalmente, ncleos laminados para reduzir as perdas por correntes de fuga, porm os transformadores para emprego em freqncias acima de 100.000 Hz geralmente utilizam ncleos de ferrite de alta resistividade. Empregam-se transformadores com um primrio e vrios secundrios separados para fornecerem diferentes tenses de alimentao aos dispositivos valvulares e tran-

ANLISE DE CIRCUITOS CA

91

sistonzados. Estes transformadores de fora podem, por exemplo, ter o enrolamento primrio para ligao a fontes de 115 V160 Hz e, os secundrios, fornecendo 700, 6,3 e 5 V. Em captulo posterior, sero estudadas as aplicaes para esses transformadores. Embora para muitos propsitos os efeitos indutivos inerentes aos enrolamentos sejam desprezveis, necessrio cuidado em explicar as propriedades do transformador com maior exatido. Um circuito equivalente prtico est ilustrado na Fig. 3.20. As indutncias nos circuitos do primrio e do secundrio so causadas pelo fluxo magntico de disperso, que no envolve ambos os enrolamentos, de modo que os fluxos opostos no se cancelam devidamente. As resistncias representam a resistncia dos fios dos enrolamentos. A indutncia L, representa a pequena corrente de magnetizao correspondente corrente primria sem carga. Os capacitores, tanto no lado primrio como no secundrio, so o resultado das capacitncias entre as camadas dos enrolamentos. De acordo com este circuito equivalente, um transformador no eficiente em baixas frequncias, nas quais a reatncia de L, se torna to pequena que a corrente desviada do enrolamento primrio do transformador ideal. O desempenho em altafrequncia prejudicado pelas indutncias do fluxo de disperso e pelas capacitncias dos enrolamentos. A despeito dessas limitaes, os transformadores podem ser projetados para terem um desempenho eficaz nas faixas teis de frequncia. E prtica comum indicar o nvel de impedncia para a qual o primrio e o secundrio so projetados, embora a Eq. (3.81) sugira que apenas a relao de transformao seja de interesse. A especificao indica as condies sob as quais as indutncias e resistncias do

Transformador ideal
Fig. 3.20 Circuito equivalente do transformador prtico.

transformador (Fig. 3.20) so desprezveis em comparao com as impedncias do primrio e do secundrio, e, em conseqncia, o transformador se comporta como se fosse ideal.
SUGESTES PARA LEITURA COMPLEMENTAR

A. M. P. Brookes: "Basic Electric Circuits," The Macmillan Company, New York, 1963. S. Fich and J. L. Potter: "Theory of AC Circuits," Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J., 1959.
"The Radio Amateur's Handbook" (published annually by the American Radio Relay League, West Hartford, Conn.).

3.1 Determine a corrente no circuito RC srie, usando a forma ca da lei de Ohm, e mostre que o resultado idntico a soluo da equao diferencial no Cap. 2.

3.2 Calcule a impedncia equivalente do circuito mostrado na Fig. 3.21. O termo reativo indutivo ou capacitivo? Resp.: Capacitivo

Fig. 3.21

3.3 Determine a corrente eficaz no resistor de 1000 Cl do circuito da Fig. 3.22. A corrente indutiva ou capacitiva? Resp.: 6,5 mA; capacitiva

Fig. 3.22

3.4 Calcule a impedncia equivalente do circuito da Fig. 3.23 na frequncia de 100 Hz. Repita para 1000 Hz. Resp.: 0,198 j2,63 x 106Cl;384 +,j2,47 x 109tl

Fig. 3.23

3.5 Determine a corrente e as tenses eficazes em cada componente do circuito da Fig. 3.4, na frequncia de 900 Hz. Mostre que, considerando-se os ngulos de fase, a lei de Kirchhoff das

,--.

ANLISE' DE CIRCUITOS CA

tenses vlida. , V Resp.: 2,75 x 10W e",29 A; 2,75 p1',29 V. 48 ,fje-'0,27 V ;38,8eJ2,87
3.6 A impedncia de um circuito em paralelo na ressonncia limitada pela resistncia dos enrolamentos do indutor. Determine uma expresso para a impedncia do circuito da Fig. 3.24 e calcule seu valor, na ressonncia, para os componentes dados no diagrama de circuito. Resp.: 4 X 105

Fig. 3.24

3.7 Calcule as correntes nos componentes do circuito da Fig. 3.7 na ressonncia. Repita para a freqncia o = 0 0 / 2 . Em ambos os casos, mostre que, considerando-se os ngulos de fase, a lei de Kirchhoff das correntes vlida. A; 3,16 X 10-, ei1sS7 Resp.: O A; 3,16 X 10-' A; 2 x 10-3 e-j0,04Z A; 2,67 10-3 e-j0,042 A. 6,67 X 10-4 ej3." A.
3.8 Determine as condies de equilibrio da ponte de capacitncia (Fig. 3.12). Resp.:R&, = RlR,,R1/R2 = C,/C, 3.9 Trace as curvas caractersticas de fase e frequncia de um filtro em ponte-T usando a Eq. (3.74). Escolha valores de componentes tais que a frequncia caracterstica seja 1 kHz, enquanto R , = 1000R,,C, = C , e R , = 1 0 4 R . 3.10 Trace as curvas caractersticas de fase e frequncia do filtro em T-geminado (Fig. 3.17) para as quais a caracterstica de resposta

onde a freqncia de ressonncia dada por

quando R,C, = 4R2C2.Faa C , = 2C, e escolha valores de componentes apropriados para que a freqncia caracterstica seja igual a 1 kHz.

CIRCUITOS COM DIODOS i

Os resistores, os capacitares e os indutores so denominados componentes lineares, porque a corrente aumenta na proporo direta da tenso aplicada, de acordo com a lei de Ohm. Os componentes que no mantm essa proporcionalidade so ditos dispositivos no lineares e formam a base de todos os circuitos eletrnicos prticos. Este captulo examina as propriedades de um importante dispositivo no linear: o diodo retificador. O termo "diodo" provm do fato de os retificadores possurtm dois terminais ativos ou eletrodos. U m retificudor no linear porquanto permite a passagem de uma corrente maior para uma determinada polaridade da tenso nele aplicada do que para a polaridade inversa. Se u m retificador for includo num circuito ca, a corrente ser desprezvel sempre que nele a polaridade da tenso estiver no sentido inverso. Em conseqncia, circular corrente apenas num nico sentido, e a corrente alternada estar sendo retificada.

A maior aplicao dos retificadores em fontes de alimentao que convertem a tenso ca da linha de 115 VI60 Hz em potenciais cc adequados para uso com vlvulas a vcuo e transitores. So usados, comumente, dois tipos de retificadores nessas fontes: o diodo a vcuo e o diodo de juno de semicondutor; mas, em virtude de suas propriedades superiores, o segundo vem suplantando amplamente o primeiro.

CIRCUITOS COM DIODOS

COMPONENTES NO LINEARES Caractersticas tenso-corrente


A descrio mais til das propriedades eltricas de um componente no linear a relao entre a sua corrente e a tenso aplicada. Isto , de fato, anlogo a importncia da lei de Ohm para os componentes lineares, pois esta lei constituiu a base de toda a anlise e operao dos circuitos lineares. A referida relao apresentada, convencionalmente, em grfico denominado caracterstica tenso-corrente (ou V I ) do dispositivo. O desempenho de um elemento no linear em qualquer circuito pode ser analisado com auxlio da caracterstica tenso-corrente apropriada. Existe uma grande variedade dessas caractersticas associadas com vrios componentes eltricos prticos, inclusive retificadores, que sero discutidos neste captulo e em outros subsequentes. Em muitos casos, possvel entender a origem dessas relaes no lineares em termos dos princpios fsicos bsicos. Os movimentos dos eltrons no dispositivo, porexemplo, podem nos levar diretamente a variao da corrente com a tenso aplicada. E o caso da lei de Ohm discutida no Cap. 1, onde o deslocamento de eltrons num condutor resulta em uma caracterstica V I linear. Enquanto a compreenso dos princpios fsicos envolvidos , amide, importante no desenvolvimento dos projetos de novos dispositivos que tenham propriedades tenso-corrente favorveis, tal entendimento no necessrio para a anlise do desempenho do componente e o funcionamento do circuito. As caractersticas VI dos dispositivos no lineares prticos so, na realidade, determinadas por medidas empricas, e no por anlises tericas. Isto devido as complexidades inerentes as unidades prticas. As curvas caractersticas dos componentes comerciais so apresentadas pelos fabricantes em compilaes e amplamente difundidas. Todos os princpios da anlise de circuito, em particular as leis de Kirchhoff, si50 aplicveis a circuitos com componentes no lineares. Na maioria das vezes, conveniente o emprego de tcnicas grficas nas anlises, em virtude de a caracterstica VI no poder ser expressa sob forma matemtica manusevel.

O retificador ideal

Uma caracterstica tenso-corrente no linear elementar, mas muito importante, a do retificador ideal (Fig. 4.1). Ela indica que o retificador ideal tem resistncia nula para uma polaridade da tenso aplicada e, infinita, para a polaridade reversa. Ela , com efeito, uma chave sensvel tenso e que fechada quando a polaridade da tenso est no sentido direto, sendo aberta para polaridade inversa. Esta caracterstica ideal uma

Fig. 4.1 Caracterstica tenso-corrente de um retificador ideal.

aproximao para vrios tipos prticos de diodos e a base de muitos circuitos eletrnicos importantes. O diodo a vcuo, discutido no Apndice A, e o diodo de juno so largamente usados, embora este ltimo j tenha quase substitudo o primeiro, exceto em certas aplicaes especiais.

O diodo de juno
A adio de certos tomos diferentes a materiais semicondutores puros, como o germnio e o silcio, produz eltrons livres, responsveis pela conduo de corrente, como ser mostrado no Cap. 5. U m cristal semicondutor que contenha esses tomos de impurezas denominado cristal tipo n, por causa da carga negativa dos eltrons portadores de corrente. Analogamente, com a adio de outros tipos de tomos, passa o semicondutor a conduzir corrente por intermdio de portadores positivos. Este cristal denominado tipo p, porque os portadores tm carga positiva. E possvel mudar a condutividade de um cristal de tipo n para tipo p , por meio de mudana brusca de um tipo de impureza para o outro numa determinada regio do semicondutor. A juno entre a regio tipo n e a tipo p, denominada juno pn, exibe caractersticas eltricas no lineares distintas.

Tenso aplicada, V

Fig. 4.2 Caractensticas tenso-corrente de diodos de juno de germnio e de silcio

De fato, o diodo de juno pn est muito prximo de um retificador ideal para as tenses comumente encontradas nas aplicaes prticas. Isto ilustrado pelas caractersticas tenso-corrente das junes pn tpicas do germnio e do silcio, mostradas na Fig. 4.2. A corrente direta em ambas aumenta muito rapidamente para potenciais maiores que uns poucos dcimos de volt e , ainda que para tenses reversas apreciveis, as correntes so desprezveis. A tenso direta necessria para conduo , aproximadamente, 0,2 V nos diodos de germnio, a temperatura ambiente, e 0,6 V no caso das junes de silcio. Esta diferena pode ser relacionada a diferena nas propriedades eltricas dos dois materiais e ser examinada, posteriormente, no prximo captulo.

CIRCUITOS COM DIODOS

97

A corrente reversa , temperatura ambiente, de vrios microampres nas junes pn de germnio e de apenas alguns picoampres nos diodos de silcio, diferena tambm relacionada com as propriedades bsicas dos dois semicondutores. Esses vasuficientemente pequenos para que a caracterstica tenso-corrente se aprolores F ~ O xime daquela do diodo ideal. A maior preocupao o fato de a corrente reversa a u m r n x p o n e n c i a l m e n t e com a temperatura. Esse rpido crescimento significa que s pode ser tolerada uma pequena e l e s 0 nitmperatura, e os diodos de silcio, por exemplo, tornam-se quase inoperantes a cerca de 200C. As mudanas de temperatura tambm influem na caracterstica direta, como pode ser observado na Fig. 4.3, onde o potencial necessrio para conduo no sentido direto reduzido, nos diodos de silcio, em mais de 0.1 V para uma elevao de apenas 20C na temperatura. Os diodos de juno utilizados em circuitos com nveis de potncia acima de uns poucos watts so refrigerados, com a finalidade de dissipar o calor causado pela corrente no dispositivo. E prtica comum unir firmemente os diodos a dissipadores metlicos com aletas irradiadoras, a fim de facilitar a conduo do calor para fora dos diodos. A despeito de sua sensibilidade a temperatura, caracterstica comum a maioria dos dispositivos semicondudores, os diodos de juno so retificadores extremamente bons. Os comerciais so feitos de silcio ou germnio, por processo similar ao descrito no Cap. 5 , e so encapsulados completamente para proteger de contaminao a superfcie do semicondutor. Isto conseguido colocando-se o diodo numa cpsula metlica com atmosfera inerte. ou embalando-o em ~lstico.Por suas caractersticas eltricas superiores, os diodos de silcio e germnio suplantaram as formas mais antigas de retificadores de semicondutor feitos de xido de cobre ou selnio. E interessante observar que estes ltimos foram os primeiros dispositivos comercialmente teis. O smbolo de circuito para todos os diodos semicondutores, dado na Fig. 4.4, tem uma seta para indicar o sentido convencional da corrente direta no dispositivo.

Tenso aplicada, V Fig. 4.3 Efeito da temperatura nas caractensticas tenso-corrente de um diodo de juno de silcio.

(9
'

Fig. 4 4 Smbolo de circuito para o diodo semicondutor. .

A excelente condutividade direta da juno p n significa que os diodos prticos podem ser bastante pequenos. Em consequncia, as reatncias capacitivas parasitas so tambm pequenas, e, por isso, os diodos de juno so teis em altas freq~incias. Esta caracterstica acentuada nos diodos de contato de ponta, nos quais um estilete metlico colocado em contato com um cristal semicondutor. Durante o processo, uma diminuta juno pn formada imediatamente debaixo da ponta. Esses minsculos dispositivos podem operar em freqncias correspondentes a comprimentos de onda milimtricos e so usados, por exemplo, em radar e circuitos lgicos de altavelocidade. Um tipo primitivo desse diodo mostrado na Fig. 4.5.

, -

F g 4 5 Diodo de contato de ponta. (Ohmite Manufacturing Cornpany .) i. .

CIRCUITOS RETIFICADORES

Retificador de meia-onda
Um circuito retificador elementar (Fig. 4.6) consiste em um diodo em srie com uma fonte ca e uma carga resistiva. Quando a fonte polariza diretamente o diodo, este conduz, permitindo a passagem de corrente para a carga. No meio ciclo inverso, o diodo, polarizado reversamente, no conduz, e a corrente nula. Em conseqncia, a corrente de sada uma sucesso de semiciclos de senides, como est indicado na Fig. 4.6, e o circuito denominado retificador de meia-onda. O valor mdio dessa onda no , evidentemente, zero, de modo que a corrente de sada tem uma compo-

,. .r.

CIRCUITOS COM DIODOS

99

nente cc, ou seja, o sinal senoidal de entrada foi retificado. Na realidade, a tenso de pico na sada , naturalmente, menor que o valor de k pico da tenso da fonte, por causa da queda no diodo. f modo idntico, a corrente, durante o semiciclo negativo, no , de fato, zero, mas igual corrente reversa do diodo. Na maioria das aplicaes, tanto a queda de tenso direta quanto a corrente reversa so suficientemente pequenas, podendo ser desprezadas.

Retificador de onda-completa
O retificador de meia-onda permanece inativo durante um semiciclo do sinal de entrada, no sendo, por isso, to eficiente quanto possvel. O arranjo de dois diodos como mostrado na Fig. 4.7 possibilita que cada um conduza, alternadamente, durante um semiciclo, resultando numa retificao de onda-completa. Isto obtido usando-se um transformador com derivao central. Assim, o diodo D, conduz num semiciclo, enquanto D, est reversamente polarizado. No semiciclo seguinte, as condies so invertidas, de modo que a forma de onda da corrente de sada (Fig. 4.8) tem valores nulos apenas instantneos, em contraste com o circuito de meia-onda. Observe que cada diodo deve suportar a tenso total entre os extremos do transformador. Conseqentemente, a tenso de pico inversa mxima dos diodos deve ser, pelo menos, o dobro do valor de pico da tenso de sada. Isto no se constitui, normalmente, em sria desvantagem, exceto nos circuitos projetados para operao em tenses mais elevadas. A comparao entre as formas de onda na sada dos retificadores de meia-onda e de onda-completa (Figs. 4.6 e 4.8) revela que a frequncia fundamental igual a da fonte de tenso no primeiro retificador e duas vezes a freqlincia da fonte no caso do circuito de onda-completa. Esta considerao importante nos circuitos das fontes de alimentao, como ser demonstrado em seo posterior. O transformador com derivao central fornece corrente em ambos os semiciclos, o que per-

, - -

Fig. 4.6 Circuito do retificador de meia-onda elementar.

Fig. 4.7 Retificador de onda-completa.

Fig. 4.8 Formas de onda no retificador de onda-completa.

mite o projeto de um transformador mais eficiente do que no caso do circuito de meia-onda. Observe, no entanto, que a tenso de sada somente metade da tenso total no secundrio do transformador.

Retificador em ponte
A retificao de onda-completa sem o transformador com derivao central possvel utilizando-se o retificador e m ponte (Fig. 4.9). O funcionamento deste circuito pode ser entendido seguindo-se o caminho percorrido pela corrente em cada semiciclo alter-

Fig. 4.9 O retificador em ponte de onda-completa e no tem o transformador com derivao

central.

CIRCUITOS COM DIODOS

101

nado da tenso de entrada. Suponhamos, por exemplo, que o terminal superior do transformador esteja positivo. Isto significa que o diodo D, est conduzindo, bem como D,, e existe corrente no resistor de carga. No serniciclo seguinte, D, e D, conduzem, e o sentido da corrente na carga o mesmo do anterior. A tenso em R, corresponde a uma retificao de onda completa, com o valor de pico igual a tenso do transformador menos a queda nos diodos. Como existem dois diodos em srie com a carga, a tenso de sada reduzida do dobro da queda de tenso em cada um deles. Por outro lado, a tenso de pico inversa mxima dos diodos necessita somente ser igual a tenso do transformador, ao contrrio do retificador de onda-completa anterior.

Dobrador de tenso
Consideremos o circuito da Fig. 4.10, no qual dois diodos esto conectados a mesma fonte de tenso, mas em sentidos opostos. Durante o semiciclo em que o terminal superior da fonte positivo, D, conduz e o capacitador C , se carrega ao valor de pico da tenso de entrada. No semiciclo contrrio, D, conduz e C, tambm se carrega ao mesmo valor da tenso de entrada. Entrementes, a carga em C , retida e o potencial em D, est no sentido oposto. Assim, tanto C , como C, se carregam ao valor de pico da fonte, e a tenso cc na sada igual ao dobro da tenso de pico da entrada. Por isso, este circuito denominado dobrador de tenso. A anlise acima se aplica ao caso em que no h corrente na carga. Quando uma resistncia de carga conectada aos terminais de sada, a corrente fornecida pela descarga dos capacitores. A cada semiciclo, os capacitores so subseqentemente recarregados. Isto implica, entretanto, em que a tenso de sada com carga no seja apenas cc, mas tenha uma componente ca. Torna-se necessrio fazer as capacitncias de C , e C, suficientemente grandes para minimizar essa variao na tenso de sada, levando-se em conta o dreno de corrente e a freqncia da fonte. A ao de filtragem dos capacitores nesse circuito ser tratada com maiores detalhes na prxima seo.

Fig. 4.10 A tenso de sada cc do retificador dobrador de tenso o dobro do valor de pico do sinal de entrada.

---\

FILTROS
Normalmente necessrio reduzir a componente alternada do sinal retificado, a fim de que a sada seja essencialmente uma tenso cc. Obtm-se isto pormgiodefilt-5 com. postos de c Um filtro de fonte de alimentao es alternadas da onda

retificada mas permite a passagem da componente cc. A medida da eficincia de um filtro dada pelo fator de ondulao r (do ing. ripple), que definido como a relao entre o valor eficaz (ou "rms") da componente ca e o valor mdio ou cc; isto ,
y

Vef = --

v,,

De acordo com essa definio, deve-se procurar diminuir o fator de ondulao tanto quanto possvel. Embora a onda retificada contenha muitos harmnicos da frequncia do sinal de entrada, geralmente satisfatno determinar o fator de ondulao apenas na frequncia fundamental. Isto porque a fundamental predominante e tambm devido aos harmnicos de ordem superior serem mais atenuados pelo filtro passabaixas do que ela.

Filtro capacitiwo
O circuito do filtro mais simples consiste em um capacitor conectado em paralelo com a resistncia de carga, como na fonte de alimentao de baixa tenso com retificador em ponte, tpica, mostrada na Fig. 4.11. Se a reatncia do capacitor na frequncia da rede for pequena, comparada com a carga R,, a componente ca ser desviada, permanecendo apenas a corrente cc no resistor. -

Fig. 4.11 Fonte de alimentao de baixa tenso prtica empregando filtro capacitivo.

As caractersticas dofiltro capacitivo so determinadas pelo exame das formas de onda no circuito (Fig. 4.12). O capacitor carrega-se ao valor de pico da tenso retificada V, e inicia a descarga atravs de R, aps a tenso comear a decrescer., a partir do seu valor mximo. Esse decrscimo da tenso no capacitor entre os pulsos de carga depende dos valores da constante de tempo RC e do perodo do sinal de entrada. Uma constante de tempo pequena resulta num decrescimento grande e numa tenso de ondulao tambm grande. Por outro lado, uma constante de tempo grande acarreta uma' ondulao pequena. Os diodos conduzem somente durante a parte do ciclo em que o capacitor est se carregando, porque, apenas durante este intervalo, a soma das tenses da fonte e do capacitor tal que o potencial nos diodos est no sentido direto. Quando a constante de tempo grande, comparada ao perodo (R, C T), a tenso de ondulao , aproximadamente, uma onda triangular. Neste caso, o decai-

--

mento exponencial da tenso no capacitor durante um perodo dado, aproximadamente, por V x TIR, C. O valor eficaz de uma onda triangular est calculado no Cap. , 2 [Eq. (2.87)], de modo que o fator de ondulao do filtro capacitivo

onde a tenso de sada cc foi feita igual a V, por simplicidade. Este resultado mostra que a ondulao se reduz com o aumento do valor do capacitor do filtro. Quando a corrente de carga igual a zero (RL + m), o fator de ondulao se anula, o que significa que a tenso de sada puramente cc. A medida que a corrente aumenta (menores valores de R,), esse fator tambm aumenta. Substituindose na equao anterior os valores dos componentes do diagrama de circuito da Fig. 4.11, encontra-se um fator de ondulao igual a 0,05, isto , a tenso de ondulao cerca de 5 por cento da sada cc. Observe que a tenso de ondulao de um retificador de onda-completa aproximadamente metade daquela do retificador de meia-onda, em virtude de a freqncia da componente retificada ser duas vezes maior.

Carga
\

Descarga
/

rT-I

, /-

,.

Corrente no diodo

, -

Fig. 4.12 A sada do filtro capacitivo uma tenso cc, com ondulao triangular pequena.

-.
A tenso de sada cc real d o filtro capacitivo igual tenso do capacitor menos a ondulao mdia:

onde, mais uma vez, a aproximao Icc = VJR, foi usada para simplicidade. De acordo com a Eq. (4.3), a tenso de sada cc decresce linearmente a medida que a corrente cc drenada pela carga aumenta. A constncia da tenso de sada com a solicitao de corrente denominada regulao da fonte de alimentao; a Eq. (4.3) mostra que um valor grande de capacitncia do filtro melhora a regulao. Deve ser observado que o decrescimento da tenso d e sada, dado por esta equao se refere apenas a variao que acompanha o aumento da componente de ondulao ca. As quedas R I associadas com as resistncias do diodo e do enrolamento do transformador reduzem mais a tenso de sada com o aumento da corrente de carga.

O filtro capacitivo simples possibilita filtragem muito boa em baixas correntes e costuma ser utilizado nas fontes de alimentao de baixa-corrente e alta-tenso. Por causa de sua simplicidade, o circuito tambm encontrado nas fontes de alta-corrente em que o fator de ondulao seja relativamente menos importante. A tenso cc na sada alta, igual ao valor de pico da fonte. As desvantagens do filtro capacitivo so a regulao pobre e o aumento da ondulao com cargas grandes.

Filtro em L
Vejamos a utilidade em adicionar um indutor em srie com o filtro capacitivo, como no circuito da Fig. 4.13. A indutncia em srie neste filtro com seo em L , ou com entrada indutiva, ope-se a rpidas variaes na corrente, contribuindo assim para a filtragem. O fator de ondulao pode ser calculado, observando-se que as componentes de tenso ca do sinal retificado se dividem entre a indutncia e a impedncia Z da associao capacitor-resistor, enquanto a tenso cc na sada simplesmente igual a componente cc da onda retificada. Em conseqncia, o fator de ondulao do filtro em L escrito

Substituindo-se os valores eficaz e cc apropriados ao sinal retificado em ondacompleta [Eqs. (2.92) e (2.88)],

Para o retificador

fc

7%

Fig. 4.13 Filtro em L.

' I
I

I
I
I

onde a aproximao vlida para R, C 1 , como sempre acontece na prtica. Note que o fator de ondulao independente da c a g a , em contraposio ao caso do filtro capacitivo, e que valores grandes de L e C melhoram aatuao do filtro. A indutncia bloqueia as componentes alternadas do sinal retificado, e a sada simplesmente o seu valor mdio ou cc, ou seja, para uma srie de semi-senides, 2V,/x ou, aproximadamente, 0,6 V,. Em conseqncia, a tenso de sada do filtro em L consideravelmente menor que a do filtro capacitivo. De acordo com a Eq. (4.5), a ondulao independente da corrente de carga. Isto significa que a tenso de sada no diminui com o decrscimo da ao de filtragem em altas correntes, como na Eq. (4.3). Conseqentemente, ela no depende da carga, exceto pelas quedas nos diodos e no enrolamento do transformador. Por esta razo esse filtro usado nas aplicaes em que se esperam grandes variaes na corrente de

CIRCUITOS COM DIODOS

105

carga. A vantagem da boa regulao contrape-se a comparativamente baixa tenso de sada, e isto deve ser considerado quando de sua aplicao. Quando a corrente de carga nula, o capacitor se carrega ao valor de pico do sinal de entrada como no filtro capacitivo. A sada , ento, igual a V,, e a regulao pobre. De acordo com a discusso efetuada quando do estudo do filtro capacitivo, os diodos, nestas circunstncias, conduzem somente durante uma parte do ciclo da tenso aplicada. A transio entre este desempenho e a d o filtro em L real ocorre na corrente de carga para a qual os diodos conduzem durante todo o ciclo e a tenso no capacitor permanece na componente cc da onda retificada. Uma comparao das curvas de regulao de tenso do filtro capacitivo e do filtro em L (Fig. 4.14) mostra a regulao pobre e a alta tenso do primeiro, e a boa regulao e tenso mais baixa do ltimo. A corrente mnima necessria para assegurar boa regulao no caso do filtro em L est evidente.

7%

Seo em L

Fig. 4.14 Caractensticas de regulao de tenso do filtro capacitivo e do filtro em L.

Filtro em .ir
A combinao de um filtro capacitivo com um filtro em L, como indicado nodiagrama da fonte de alimentao da Fig. 4.15, um circuito muito popular. A tenso de sada deste filtro com seo em .rr aproximadamente igual a do filtro capacitivo, bem como as caractersticas de regulao. A ondulao, no entanto, bastante reduzida pela dupla filtragem. De fato, o fator de ondulao total , essencialmente, o produto do fator de ondulao do filtro capacitivo vezes a relao de impedncia do filtro em L. A despeito de suas propriedades inferiores de regulao, o filtro em .rr largamente utilizado em virtude de sua excelente ao de filtragem. Outras associaes de tipos de filtro so tambm usadas. Os dois filtros em L da Fig. 4.16a, por exemplo, possibilitam a boa regulao do filtro em L juntamente com a ondulao muito baixa. O fator de ondulao em qualquer projeto de filtro calculado, considerando-se cada filtro simples separadamente, como no caso do filtro em .rr descrito acima. Uma variante til deste ltimo, particularmente em circuitos de baixa-corrente, substitui a indutncia por um resistor (Fig. 4.166). Este circuito de utilidade somente se a corrente for suficientemente pequena, de modo que a queda de tenso no resistor no seja excessiva, e tambm se a regulao for de'interesse secundrio. Sujeito a

Fig. 4.15 Uma fonte de alimentao de 100 V prtica.

Fig. 4.16 ( a ) Filtro com dupla seo em L e (b) filtro RC em a.

, essas restries, o circuito possibilita melhor filtragem que um filtro capacitivo simples.

REGULADORES DE TENSAO
Frequentemente se deseja que a fonte de tenso permanea fixa, independente da corrente de carga. Embora a regulao do filtro com entrada indutiva seja boa, mesmo neste circuito a sada diminui com o aumento da corrente, por causa das quedas de tenso nas resistncias dos enrolamentos do transformador e do indutor do filtro. Outras variveis, tais como mudanas na tenso da linha e envelhecimento de componentes, podem tambm contribuir para vanaoes na tenso da fonte de alimentao. A fim de manter a sada constante, dispositivos reguladores d e tenso so incorporados a fonte. Estes dispositivos so circuitos eletrnicos cuidadosamente elaborados, quando se necessita de regulao precisa, como ser discutido em captulo adiante. Em outros casos, utilizam-se componentes especiais que mantm apenas uma modesta estabilidade de tenso.

Diodos zener
Em alguma tenso de polarizao reversa particular, a corrente numa juno p n aumenta muito rapidamente. Isto acontece quando eltrons so acelerados at altas velocidades pelo campo eltrico na juno e produzem outros eltrons livres por ionizao, devido as colises com os tomos. Estes eltrons so acelerados da mesma forma pelo campo e, por sua vez, causam outras ionizaes. Este processo de avalancha leva a correntes muito altas, e diz-se que a juno sofreu ruptura. A ruptura no destrutiva, entretanto, a menos que se permita que a dissipao de potncia eleve a temperatura a ponto de a fuso local destruir o semicondutor. A tenso na juno permanece, quase

CIRCUITOS COM DIODOS

107

constante para uma ampla faixa de corrente na regio de ruptura. Este efeito pode ser utilizado para estabilizar a sada de uma fonte de alimentao na tenso de ruptura. As junes pn desse tipo so denominadas diodos zrner, em virtude de ter sido Clarence Zener o primeiro a sugerir uma explicao para o rpido aumento da corrente na ruptura. A curva tenso-corrente do diodo zener (Fig. 4.17) tem um potencial de transio abrupto e uma regio plana de corrente acima da ruptura. Podem-se obter diodos zener com tenses de ruptura numa faixa de cerca de dois volts a vrias centenas e com correntes mximas de uns poucos miliampres a muitos ampres. LA maneira pela qual se emprega o diodo zener para regular a tenso de sada de uma fonte encontra-se ilustrada na Fig. 4.18. A sada no regulada da fonte V, deve ser maior que a tenso de zener do diodo. Assim, a queda em R,, provocada pela corrente no diodo, mais o potencial de ruptura, somados so iguais ao potencial da fonte. A medida que a corrente de carga aumenta, a do diodo diminui, de modo que a queda em R, sempre a diferena entre a tenso da fonte e a de zener. Mesmo que a tenso da fonte varie sob carga, a tenso de sada regulada permanece constante no potencial de ruptura do diodo. O regulador de tenso a diodo zener analisado traando-se a caracterstica tenso-corrente pertinente a R, no mesmo plano que a do diodo. A lei de Kirchhoff aplicada ao circuito da Fig. 4.18

v,-IR,-V=0
Resolvendo em relao a 1,

I = - v, I / 1 -1

- =
,

f
C-

(4.6)
i

.,

R,

R,

3 (4r
c

Fig. 4.17 Caracterstica tenso-corrente do diodo zener.

Fig. 4.18

Diodo zener usado como regulador de tenso.

que a equao da reta de inclinao - 1/R, e interseo e m I = V,/R,. Usando-se os valores numricos dados no diagrama de circuito, a Eq. (4.7) intercepta a caracterstica tenso-corrente do diodo no ponto A da Fig. 4.17. Este ponto d a corrente em R,. A corrente de carga jcistamente VB/RL, onde VB a tenso de ruptura do diodo. Torna-se til traar a caracterstica VI da carga,

I L --v RL

7C -t

-, i
< ,

(4.8)

na Fig. 4.17. A corrente de carga dada pela interseo da Eq. (4.8) com a caracterstica do diodo (ponto B). Observe que esta corrente deve ser menor do que a corrente e m R,, pois, de outro modo, a queda e m R, ser muito grande para manter V , no diodo e a ao de regulao cessa. Enquanto o ponto B estiver numa corrente menor que A , o circuito funcionar adequadamente. Os diodos zener tambm possibilitam alguma filtragem, j que mantm a tenso de sada constante apesar das variaes na tenso da fonte, incluindo a ondulao. Por este motivo, normalmente possvel empregar apenas o filtro capacitivo rudimentar associado aos reguladores de tenso.

Retificadores controlados
Frequentemente, h necessidade de controlar a potncia entregue a alguma carga, seja um motor eltrico, seja um elemento aquecedor de um forno. Resistncias em srie ou potencimetros dissipam potncia, o que uma sria desvantagem nos circuitos de alta potncia. J se desenvolveram retificadores controlados capazes de controlar a potncia transmitida com pouca perda. O mais satisfatrio o retificador controlado de silcio ou SCR (do ingls silicon controlled rectifier). Este componente contm quatro junes pn e m paralelo e ser descrito com detalhes no Cap. 5. Para os nossos propsitos atuais, suficiente notar que ele similar a um retificador de juno no qual a conduo direta comandada pela corrente num eletrodo de controle denominado porta. A incluso desta mostrada no smbolo do S C R ( F i g . 4.19). A caracterstica tenso-corrente de um S C R tpico (Fig. 4.20) idntica do retificador de juno no sentido inverso. No sentido direto existem dois estados: um "ligado", equivalente conduo normal neste sentido no diodo de juno, e outro "desligado", de baixa corrente. Enquanto o potencial direto anodo-catodo permanecer abaixo de um determinado valor crtico (na realidade, a corrente correspondente que crtica), a corrente direta ser pequena. Acima deste valor, o S C R est na condio ligado de baixa-tenso e alta-corrente. A corrente crtica suprida pela porta, o que significa que o S C R pode ser comutado para a posio ligado por uma pequena corrente (to baixa quanto 100 pA) fornecida aquele terminal. Se o S C R estiver conduzindo, no h necessidade de manter a corrente de porta, pois ele permanecer nesta

Anodo

CIRCUITOS COM DO O IDS

Catodo

Fig. 4.19 Smbolo de circuito para o retificador controlado de silcio.

--.
1

*-.

Estado ligado

" " .

Estado desligado

I,= o

Polarizao inversa

Polarizao direta

%t

Fig. 4.20 Caracterstica tenso-corrente do SCR. Este pode ser comutado para o estado ligado pela corrente da porta. Aqui, neste exemplo, I,, > I,, > 0.

<

"

situao at que o potencial do anodo seja reduzido a zero. Consideremos o circuito simples da Fig. 4.21, no qual a velocidade do motor controlada pela potncia entregue a ele. A tenso de pico V,, do transformador menor que o valor crtico, de modo que, a menos que o SCR seja disparado por uma corrente de porta, a corrente de carga nula. Suponhamos que a porta seja alimentada com um pulso de corrente em cada ciclo, atrasado de um ngulo a em relao a tenso do transformador, como est ilustrado na Fig. 4.22. A conduo no sentido direto, em cada ciclo, retardada at este ponto, e o sinal retificado na sada semelhante ao do retificador de meia-onda, exceto pela falta de uma parte da onda em cada ciclo. O valor mdio ou cc da corrente no motor pode ser encontrado integrando-se a corrente de sada no intervalo de um ciclo completo, ou

+ . -

onde I, o valor de pico. Integrando,

I,,

I "(1 + cos a ) 2n

De acordo com a Eq. (4.10), a corrente no motor pode ser ajustada entre um1mximo (a = 0) e zero ( a = r),simplesmente alterando-se o ngulo de fase dos pulsos na

Fig. 4.21 Circuito simples com SCR para controlar a velocidade de um motor cc.

porta. Existem circuitos simples que geram tais pulsos, como ser descrito em captulo posterior. No necessrio usar pulsos no circuito da porta, embora se deva tomar cuidado em manter o limite da potncia dissipada pelo eletrodo de controle abaixo do valor que poderia danificar o SCR. Consideremos o circuito de controle por desvio de .fase da Fig. 4.23, no qual a corrente de porta est defasada em relao a tenso de anodo. Como a tenso de porta a soma da tenso v, do secundrio e da queda em R , tem-se, ento,

Fig. 4.22 A forma da corrente de sada depende do ngulo de fase entre a tenso do transformador e o pulso de corrrente da porta.

CIRCUITOS COM 010008

Fig. 4.23 Controle por desvio de fase realizado com SCR.

Fig. 4.24 Formas de onda no circuito de controle por deslocamento de fase com SCR.

Esta equao pode ser resolvida facilmente em relao ao ngulo de fase entre as tenses de porta e de anodo, que tem a mesma fase que v,. O resultado

&, = arctan

2RoC = - 2 arctan RoC ( R W C )- 1 ~

mostra que a tenso de porta pode ser posta em fase com o potencial de anodo ( R = 0) ou defasada de aproximadamente 180 (R = E). As formas de onda da Fig. 4.24 mostram como a variao de 4, altera o instante em que o diodo conduz em cada ciclo, a medida que a tenso na porta se torna maior que o valor crtico. Observe que o sinal de porta permanece mesmo durante o semiciclo inverso, embora isto no tenha efeito sobre a caracterstica reversa. O propsito do resistor R , e do diodo D, no circuito (Fig. 4.23) limitar a corrente de porta a valores seguros e nela evitar corrente reversa, o que seria deletrio para o SCR.

CIRCUITOS COM DIODOS


Os diodos tambm se mostram teis em outros circuitos que no sejam de fontes de alimentao. A maior aplicao naqueles projetados para operar com pulsos de onda-quadrada, como ser visto em captulo posterior. As caractersticas de retificao dos diodos so tambm utilizadas em circuitos que trabalham com sinais senoidais. Nestas aplicaes, o diodo no linear modifica o sinal senoidal de uma maneira determinada.

Limitadores
Consideremos o circuito limitador a diodo da Fig. 4.25, no qual dois diodos so conectados em paralelo com a fonte de tenso ca. As baterias V , e V , polarizam-os reversamente. Quando o sinal de entrada maior que V , , o diodo D , conduz e causa uma queda de tenso no resistor em srie R. Da mesma forma, cada vez que a entrada se torna mais negativa que V,, o diodo D, conduz. Assim, o sinal de sada limitado ou trijudo nos valores ditados pelas tenses reversas V , e V,. A ao de ceifamento mais eficiente quando a resistncia em srie muito maior que a impedncia de carga. Os circuitos limitadores produzem ondas quadradas a partir de um gerador de ondas senoidais, como pode ser visto na ilustrao da Fig. 4.26. Se V , = V , e a amplitude do sinal de entrada consideravelmente maior que as tenses de polarizao, a forma da sada muito prxima a da onda quadrada. Note que se, digamos, V , = O, a sada nunca poder ter excurso negativa, de modo que a sua forma a de um trem de pulsos quadrados positivos. O ceifamento ocorre em qualquer sinal de entrada e pode ser ajustado alterando-se as tenses de polarizao reversa V , e V,. O circuito ceifador , alm disso, um dispositivo de proteo til que limita as tenses de entrada a valores seguros ditados pela tenso de polarizao. Utilizam-se frequentemente os limitadores em circuitos de rdio-recepo, a fim de reduzir o efeito dos pulsos de rudo fortes, limitando suas amplitudes a do sinal desejado. A forma de onda do sinal transmitida sem distoro enquanto a amplitude instantnea permanecer menor que as tenses de polarizao.

Fig. 4.25 Limitador a diodo.

CIRCUITOS COM DIODOS

Fig. 4.26 As amplitudes mximas do sinal de sada do ceifador so limitadas aos valores das tenses de polarizao.

Grampeadores
O circuito grampeador a diodo est mostrado na Fig. 4.27. Consideremos, inicialmente, a situao em que a tenso de polarizao V-seja igual a zero. O diodo conduz em cada ciclo negativo do sinal de entrada e carrega o capacitor a tenso igual ao valor

Fig. 4.27 Grampeador a diodo.

Fig. 4.28 O pico negativo do sinal de sada grampeado em zero, quando V grarnpeador da Fig. 4.27.

O, no circuito

de pico negativo deste sinal. Se a corrente de carga nula, o capacitor retm sua carga durante o semiciclo positivo, uma vez que a tenso no'diodo est no sentido reverso. Assim. a sada

onde V, o valor de pico negativo da tenso de entrada. De acordo com a Eq. (4.13), a forma da sada segue a do sinal de entrada a menos de um deslocamento igual a tenso cc no capacitor.

A forma de onda na sada, correspondente a entrada senoidal (Fig. 4.28), tem os picos negativos grampeados na tenso zero. Acontece sempre isso, independentemente da amplitude do sinal de entrada. Alm do mais, estes picos esto sempre grampeados em zero volts, no importa que forma tenha a entrada. Se os terminais do diodo forem invertidos, ainda assim a anlise vlida, s que os picos positivos da sada que sero grampeados em zero. Se a tenso de polarizao V da Fig. 4.27 no nula, o capacitor se carrega a uma tenso igual a V, + V. Em consequncia, os picos negativos so grampeados na tenso V. Da mesma forma, quando a polarizao -V, os picos negativos so grampeados neste potencial. A inverso da polaridade do diodo torna possvel grampear os picos positivos do sinal de entrada na tenso de polarizao. O grampeador a diodo usado em circuitos que necessitem de tenses, em determinados pontos, com valores de pico fixos. Isto importante, por exemplo, se o sinal for, em seguida, limitado num dado nvel de tenso. Torna-se til, na maioria dos circuitos ceifadores, conectar uma resistncia elevada aos terminais de sada, de modo que a carga no capacitor possa, eventualmente, ser drenada. Esta providncia possibilita ao circuito ajustar-se a variaes lentas na amplitude do sinal de entrada.

Voltmetros CA
A ao retificadora dos diodos torna possvel a medio de tenses ca com um voltmetro cc do tipo do medidor de d'Arsonval discutido no Cap. I . Duas maneiras em que isso realizado nos medidores VOM esto ilustradas na Fig. 4.29. Na Fig. 4.29~1, o diodo D , um retificador de meia-onda e a componnte cc da onda retificada registrada no voltmetro cc. O diodo D , foi includo para retificar o ciclo negativo do sinal de entrada. Embora nenhuma corrente de medio resulte da ao de D,, ele est includo, de modo que as duas metades da tenso ca so retificadas. Isto assegura ao voltmetro carregar igualmente o circuito em ambos os semiciclos e evita possveis distores na forma do sinal. O circuito em ponte da Fig. 4.29b tem maior sensibilidade que o de meia-onda porque um retificador de onda completa. A deflexo do medidor de d'Arsonval proporcional corrente mdia, de modo que os voltmetros da Fig. 4.29 medem o valor mdio da tenso ca. A escala do medidor , no entanto, normalmente calibrada para indicar valores eficazes, a fim de facilitar a comparao com os valores cc. Esta calibrao supe que a onda seja senoidal e ,

Fig. 4.29 Voltmetros ca (a) de meia-onda e (b) de onda-completa.

CIRCUITOS COM DIODOS

115

se no for este o caso, as leituras do medidor devem ser interpretadas em termos da forma de onda realmente medida. Resistores multiplicadores em srie so utilizados com o voltmetro ca para ampliar a faixa, exatamente como no caso dos medidores cc. O retificador de meia-onda (Fig. 4.30) torna-se um til voltmetro detector de pico se a corrente drenada pelo circuito do medidor for pequena. Neste caso, o capacitor se carrega ao valor de pico do sinal de entrada em cada ciclo, e a deflexo do medidor cc corresponde a este valor. Mais uma vez, aqui, prtica comum a calibrao do instrumento em valores eficazes, na suposio de que a tenso desconhecida seja senoidal. Obtm-se isso projetando-se a escala para indicar o valor de pico dividido por fi. No caso em que a tenso no seja senoidal, o valor de pico obtido multiplicando-se a A leitura da escala por fi. dificuldade com este circuito que o sistema a ser medido deve conter um caminho cc. Se no for assim e se existir um capacitor em srie, a tenso em C depender dos valores relativos dos dois capacitores, uma vez que ambos esto efetivamente em srie durante o ciclo positivo. Isto ocasiona leituras erradas. O grampeador a diodo um circuito detector de pico que no apresenta este problema. Costuma-se incluir um filtro R C (Fig. 4.31) para eliminar a componente do sinal grampeado. Com relao a forma de onda da Fig. 4.28, o valor mdio igual ao pico negativo da tenso de entrada, assim a leitura do medidor cc corresponde a tenso de pico negativa. Observe que um capacitor em srie no circuito sob medida torna-se, com efeito, parte da ao de grampeamento e no provoca indicao falsa no instrumento. Se o filtro da Fig. 4.31 for substitudo por um detector de pico (Fig. 4.30), essa combinao indicar o valor pico-a-pico do sinal de entrada (Exerccio 4.9). Embora seja usualmente calibrado em valores eficazes da onda senoidal, um voltmetro picoa-pico muito til na medio de formas de onda complexas.

Detectores
As propriedades no lineares do diodo so teis de outras maneiras, no se limitando apenas aquelas relativas exatamente a retificao. Suponhamos que as amplitudes das

Fig. 4.30 Voltmetro ca de leitura de pico.

-.

k ~ r a r n p e a d o r L ~ i l t r o - 4

--.

Fig. 4.31 Diodo grampeador usado como voltmetro de leitura de pico.

tenses ca aplicadas sejam muito pequenas, de modo que a caracterstica tensocorrente do diodo possa ser representada pela expresso

onde a, e a, so constantes. Uma expresso desta forma aproximao satisfatria da caracterstica do diodo para valores suficientemente pequenos de tenso aplicada. De acordo com a Eq. (4.14), uma parte da corrente proporcional ao quadrado da tenso de entrada.

Fig. 4.32 O misturador utiliza as propriedades no lineares do diodo.

Consideremos o circuito mostrado na Fig. 4.32, na qual dois sinais senoidais de freqncias algo diferentes, w, e o,,so aplicados a um diodo. A tenso total do diodo a soma dos dois sinais,

onde V, e V so os valores de pico. A corrente pode ser encontrada substituindo-se a , Eq. (4.15) na Eq. (4.14), supondo, por um momento, que a impedncia do diodo seja maior que as outras impedncias do circuito.

= a,

V, sen w , t

+ a, V2 s e n o 2 t + a, V: sen2 w, t + a, V: sen2 o, t + 2a2 V, V, sen o, r sen o, t

(4.16)

instrutivo colocar a Eq. (4.16) na forma de uma expresso do tipo srie de Fourier, na qual cada termo representa uma determinada freqncia da forma de onda completa. Isto obtido substituindo-se as expresses trigonomtricas de sen2 e sen w,t sen w2te reagrupando,

a2 i = - (V: 2

+ V i ) + al(V, sen o, t +
-

sen o, t )

a2 (V? cos 2 0 , t 2

+ v: cos 2 0 , t )

CIRCUITOS COM DIODOS

117

O primeiro termo da Eq. (4.17) uma corrente contnua, enquanto o segundo corresponde as tenses de entrada. Os dois ltimos esto em freqncias que no existem nas entradas originais. Suponhamos que o, e o, no sejam muito diferentes: o termo relativo a o, - w, , ento, uma frequncia comparativamente baixa. No circuito misturador da Fig. 4.32, o circuito de sada L,C, sintonizado na freqncia o, - o,; assim, apenas esta componente tem amplitude aprecivel nos terminais de sada. Com efeito, um sinal de entrada de frequncia o , misturado com uma onda senoidal de amplitude constante e frequncia o,, sendo convertido numa freqncia o, - o, na sada. Este processo denominado heterodinagem, e de considervel importncia em receptores de rdio, por exemplo. O sinal de alta frequncia convertido num de baixa frequncia, que mais fcil de amplificar. Alm do mais, variando-se o,, faz-se com que o receptor seja sintonizado em outra w , , de modo que w , - o, constante. Isto importante porque a amplificao do sinal w , - w, feita com circuitos sintonizados fixos, que so baratos e fceis de serem mantidos ajustados, embora o receptor possa ser sintonizado em diferentes frequncias de entrada. Usado desta maneira, o circuito da Fig. 4.32 denominado primeiro detector, porque afreqncia do sinal modificada nos primeiros estgios do receptor. Este circuito tem outro importante emprego, que pode ser ilustrado com um novo reagrupamento da Eq. (4.17) e utilizando-se a equivalncia trigonomtrica 2 sen a sen b = cos (a-)-cos (a+b)

a 1 i = A ( v : + V z ) + a , V 2 s e n o 2 t - - (V: c o s 2 w 1 t + V: c o s 2 u 2 t ) 2 2

Suponhamos que o, seja muito menor que o, e que o circuito de sada L,C, seja sintonizado na frequncia w,. Ento, somente os dois ltimos termos da Eq. (4.18) tm amplitude aprecivel na sada. O primeiro deles simplesmente a corrente resultante da tenso de entrada na frequncia w,. Uma inspeo cuidadosa do ltimo termo mostra que uma onda senoidal de frequncia w,, mas cuja amplitude varia senoidalmente na frequncia correspondente a o,. A forma de onda deste termo, mostrada na Fig. 4.33, revela como a amplitude varia. Diz-se que a freqiincia o, est modulada pela o,. Esta a base da comunicao por rdio e televiso, onde uma portadora o, de alta frequncia modulada por um sinal o, de baixa frequncia, correspondente ao som ou a imagem a ser transmitida. A tenso de alta frequncia irradiada de uma estao transmissora para um receptor, onde a forma de onda do sinal recuperada. O sinal recuperado por demodulao, efetuada num detector de pico, que um

Fig. 4.33 Forma da onda modulada.

A+
Fig. 4.34 Diodo detector de pico usado para demodular um sinal modulado.

-.

Fig. 4.35 Forma da onda modulante recuperada na sada do segundo detector.

diodo retificador. Como a sada do retificador igual ao valor de pico da tenso de entrada, a forma de onda no capacitor de sada corresponde a do sinal modulante, como na Fig. 4.35. Esta aplicao do retificador denominada segundo detector, porque a forma de onda alterada pela segunda vez no receptor. O circuito do segundo detector (Fig. 4.34) largamente usado em receptores de rdio e televiso.
SUGESTOES PARA LEITURA COMPLEMENTAR

Paul M. Chirlian and Armen H. Zemanian: "Electronics," McGraw-Hill Book Company, New York,
1961. W. Ryland Hill: "Electronics in Engineering," McGraw-Hill Book Company, New York, 1961. Jacob Millman and Samuel Seely: "Electronics," McGraw-Hill Book Company, New York, 1951.

4.1 Determine a corrente de sada cc do circuito retificador de meia-onda da Fig. 4.6, se v = 10 V, R , = 100 0 e o diodo de silcio. Repita para o retificador de onda completa da Fig. 4.7. Resp.: 0,45 A, 0,90 A 4.2 No circuito dobrador de tenso da Fig. 4.10, a tenso de entrada 115 V eficazes na frequncia de 60 Hz. Se a resistncia de carga 10.000 0, qual o valor mnimo dos capacitores necessnos para garantir que a queda de tenso entre os pulsos de carga seja menor que 10 por cento da tenso de sada? Resp.: 4,2 x 10V F 4.3 'Calcule a tenso de sada e o fator de ondulao do circuito da Fig. 4.1 1 aps a retirada dos diodos D,e D,. Resp.: 12,9 V ;0,048 4.4 Esboce a sada cc e a tenso de ondulao do circuito retificador de onda-completa dado na Fig. 4.15 at uma corrente de 200 mA. 4.5 Determine o fator de ondulao de um filtro em L constitudo por um indutor de 10 H e um capacitor de 8 y F e usado com um retificador de onda-completa. Compare-o com um filtro capa-

CIRCUITOS COM DIODOS

119

citivo simples de 8 p F numa corrente de carga de 50 mA, bem como na de 150 mA, supondo uma sada de 50 V. Resp.: 0,0104; 0,300; 0,900 4.6 No regulador de tenso a diodo zener da Fig. 4.18, determine a faixa de resistncia de carga na qual o circuito de utilidade, se R, = 1.500 R e a fonte de tenso V = 150 V ; a tenso de ruptura do diodo 100 V e a corrente mxima 100 mA. Para um valor fixo de R, = 10.000 O , em que faixa de tenso de entrada o circuito regula? Resp.: Maior que 3 kn; 115 a 265 V 4.7 Esboce a tenso de sada cc do regulador de tenso a diodo zener da Fig. 4.18 em funo da corrente de carga, desde 0 a 75 mA. Em que faixa de corrente h regulao efetiva? Resp.: 0 a 50 mA 4.8 Usando o circuito retificador controlado por deslocamento de fase (Fig. 4.231, esboce a corrente de carga cc em funo da resistncia de controle R , se a tenso do secundrio do transformador 100 V eficazes, a resistncia de carga 10 R e C = 0,1 pF. Suponha que o SCR conduza sempre que a tenso de porta apresentar-se positiva em relao ao catodo. 4.9 Analise o circuito do voltmetro pico-a-pico (Fig. 4.361, esboando as formas de onda de tenso nos pontos A, B e C, supondo que a tenso de entrada em A seja senoidal. Observe que o circuito um grampeador a diodo seguido por um detector de pico.

Fig. 4.36

4.10 A leitura da sada no voltmetro pico-a-pico da Fig. 4.36, medindo uma onda dente-de-serra, 1,4 V. Qual a tenso do sinal? Resp .: 1,15 V (4 V pico-a-pico)

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
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6 G4"

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A versatilidade inerente aos componentes eletrnicos no lineares realada incomensuravelmente pela capacidade de variao da corrente do dispositivo, de acordo com os sinais injetados num eletrodo de controle. Tanto o antigo triodo a vcuo (assim chamado por causa do terceiro eletrodo) como o moderno transistor apresentam essa caracterstica. Eles so considerados elementos ativos, ao invs de componentes passivos, porque o eletrodo de controle permite interao ativa com as correntes de sinal no dispositivo. A s propriedades eltricas desses dispositivos so descritas pelas caractersticas tenso-corrente, do mesmo modo que para outros componentes no lineares. Com freqncia h utilidade em se desenvolver uma apreciao destas caractersticas em termos de processos fisicos bsicos. Desta forma, possvel otimizar o desempenho do elemento no linear em qualquer aplicao e, tambm, projetar componentes melhorados que tenham as caractersticas eltricas desejadas. As caractersticas tenso-corrente dos dispositivos eletrnicos dependem basicamente dos movimentos dos eltrons livres nestes dispositivos. As funes eletrnicas dos transistores acontecem dentro de materiais slidos denominados semicondutores. Em concordncia com isto, as propriedades dos transistores e de outros componentes, como o diodo de juno, por exemplo, dependem diretamente do comportamento dos eltrons nos cristais. Uma grande variedade desses dispositivos tem sido desenvolvida desde a descoberta do transistor, e s possvel devido a versatilidade dos materiais semicondutores.

SEMICONDUTORES Bandas de energia

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

As propriedades de qualquer material slido, inclusive semicondutores, dependem da natureza dos tomos que os constituem e do modo pelo qual tais tomos so agrupados, ou seja, so funo tanto da estrutura atmica como da estrutura cristalina do slido. As experincias tm mostrado que um tomo consiste em um ncleo carregado positivamente, cercado por eltrons localizados em rbitas discretas. Na realidade, os eltrons podem permanecer em rbitas estveis nas vizinhanas do ncleo mas em certos valores discretos de energia denominados nveis de energia do tomo. As energias que os eltrons de um tomo podem apresentar so representadas por linhas horizontais num diagrama de nveis de energia (Fig. 5 . 1 ~ ) .As linhas curvas representam a energia potencial de um eltron prximo ao ncleo. Em consequncia do princi'pio de excluso de Pauli, somente um certo nmero mximo de eltrons pode ocupar um determinado nvel de energia, o que resulta no fato de que, em qualquer tomo, os eltrons ocupam por completo, inicialmente, os nveis mais baixos possveis. Quando os tomos se agrupam para formar um cristal slido, os eltrons dos nveis superiores dos tomos adjacentes interagem para lig-los entre si. Em virtude da forte interao desses eltrons exteriores ou de valncia, os nveis superiores de energia so alterados drasticamente. Isto pode ser ilustrado por um diagrama de nveis de energia do cristal inteiro. Consideremos, primeiramente, dois tomos isolados, cada qual com um diagrama concernente aos eltrons exteriores, como ilustrado na Fig. Quando colocado juntos (Fig. 5.lb), os eltrons de valncia so atrados por 5.1~. ambos os ncleos, ocasionando a reduo da energia necessria para afastar o eltron de um ncleo e coloc-lo no outro. Isto significa que o eltron exterior est igualmente apto a ser colocado perto de qualquer um dos ncleos. O diagrama apropriado para a combinao de dois tomos tem dois nveis de energia prximos do centro de cada tomo. Os mais altos, desocupados, esto divididos da mesma forma, indicando que podem tambm conter dois eltrons em cada um. Quando so trs os tomos grupados (Fig. 5.1b), os eltrons exteriores de todos eles podem ser associados com qualquer dos trs ncleos. Conseqentemente, dispe-se de trs nveis de energia. At o mais delgado cristal contm muitas centenas de milhes de tomos, de modo que muitos nveis de energia so associados com cada ncleo, e o diagrama apropriado para o cristal inteiro uma banda de nveis. A mais baixa banda de energia, denominada banda de valncia (Fig. 5.1c), est completamente preenchida, de modo que h um eltron para cada nvel de energia disponvel. Reciprocamente, a banda superior est vazia porque corresponde aos nveis mais altos desocupados no tomo isolado. Ela denominada banda de conduo, pelas razes expostas abaixo. A regio de energia entre as bandas de valncia e de conduo chamada de intervalo de energia proibida, j que no existem eltrons com essas energias no cristal. Este intervalo corresponde regio existente entre os nveis de energia do tomo isolado, como pode ser visto comparando-se os diagramas da Fig. 5.1. Este desenho dos nveis de energia eletrnica num cristal conhecido como mode10 de bandas de energia. A determinao das propriedades eltricas de qualquer slido muito til, uma vez que mostra como os eltrons se movem no cristal. Embora as caractensticas gerais do modelo de bandas de energia de qualquer slido sejam como as descritas, muitos detalhes importantes dependem das estruturas especficas do tomo e do cristal; particularmente, as diferenas entre metais, semicondutores e isolantes so refletidas nos seus modelos. As estruturas atmica e cristalina dos metais so tais que as bandas de valncia e de conduo se superpem, como indicado no modelo convencional da Fig. 5 . 2 ~ .

Banda de conduae vaz~a

--

-- -

Fig. 5.1 Diagrama de nveis de energia para ( a ) tomo isolado, ( b ) dois e trs tomos juntos e ( c )

cristal slido. No cristal, os nveis de energia so ampliados, formando bandas.

Como no existe intervalo de energia proibida num metal, quaisquer dos eltrons de valncia esto livres para vaguear atravs do slido e movimentar-se em resposta a um campo eltrico. Em conseqncia, os metais so excelentes condutores eltricos. Um cristal isolante tem um largo intervalo de energia proibida (Fig. 5 2 ) . A banda de valncia completamente preenchida pelos eltrons e , a de conduo, completamente vazia. Obviamente, a banda superior no pode contribuir para a condutividade eltrica, j que no existem eltrons para agir como portadores. De incio pode parecer paradoxal, mas os eltrons de uma banda de valncia completa tambm no podem conduzir eletricidade. Quando um eltron se move em resposta a um campo eltrico, deve faz-lo ligeiramente mais rpido do que antes. Em conseqncia, possui maior energia e deve encontrar um nvel vazio de energia ligeiramente maior. Cada nvel adjacente est, no entanto, preenchido, de modo que impossvel qualquer el-

(a)

(b)

(C)

Fig. 5.2 Modelos de banda de energia do ( a ) metal, (b) semicondutor e (c) isolante

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

Tabela 5.1 Intervalos de energia proibida de semicondutores tpicos

Nome
8"' Silcio

Smbolo qumico Si Ge GaAs InSb CdS ZnO

Intervalos de energia proibida, eV

Germnio Arsenieto de glio Antimonieto de ndio Sulfeto de cdmio Oxido de zinco

tron de uma banda de valncia completa ser acelerado pelo campo eltrico e, por isso, o cristal isolante. O modelo de bandas de energia de um semicondutor (Fig. 5.2b) similar ao do isolante, exceto por ser comparativamente estreito o intervalo de energia proibida. Uns poucos eltrons podem, atravs desse intervalo, ser promovidos da banda de valncia para a de conduo, em virtude da energia trmica do cristal a temperatura ambiente. Os eltrons promovidos podem conduzir eletricidade. As lacunas correspondentes a estes eltrons, na banda de valncia, possibilitam que eltrons desta banda contribuam, da mesma forma, para a condutividade. Como a quantidade de portadores muito menor que no caso dos metais, os semicondutores so piores condutores que estes, mas melhores que os isolantes. A largura do intervalo de energia proibida dos semicondutores da ordem de 1 eltron-volt, como est indicado na Tabela 5.1 para diversos cristais semicondutores tpicos. O eltron-volt, abreviado por eV, igual ener$ia cintica ganha por um eltron ao transpor uma diferena de potencial de 1 V. E uma unidade de energia conveniente no estudo dos semicondutores. Em geral, os materiais que tm grande intervalo de energia proibida so desejveis como dispositivos semicondutores. O nmero de eltrons levados a banda de conduo em altas temperaturas pequeno, e a variao nas caractersticas do dispositivo com a temperatura menos severa quando o intervalo grande. Por esta razo, os cristais de silcio so mais utilizados que os de germnio.

Eltrons e buracos
De acordo com a discusso anterior, a corrente lquida resultante dos eltrons numa , banda de valncia completa nula. E n t r e t a ~ t oos eltrons da banda de valncia de um semicondutor podem conduzir corrente temperatura ambiente por causa dos poucos nveis de lacunas deixados pelos eltrons excitados para a banda de conduo. As lacunas da banda de valncia so denominadas buracos e podem ser tratadas como portadoras de carga positiva de maneira inteiramente anloga aos eltrons carregados negativamente na banda de conduo. O modelo de bandas de energia (Fig. 5 2 ) refere-se a uma estrutura perfeita de cristal, que no contenha impurezas qumicas e na qual no haja tomos fora de seus devidos lugares. As propriedades do slido so, portanto, caractersticas de uma estrutura ideal, e o cristal denominado semicondutor intrnseco. Embora no seja possvel obter estruturas perfeitas em cristais reais, pode-se aproximar desse ideal e ser observado um comportamento intrnseco experimentalmente.

Semicondutores extrnsecos
As propriedades eltricas de um semicondutor so drasticamente alteradas quando tomos estranhos ou impurezas so incorporados ao cristal. Como as propriedades

agora dependem fortemente do contedo de impurezas, o slido denominado semicondutor extrnseco. Consideremos, por exemplo, um nico cristal de importante material semicondutor que o silcio. Cada tomo de silcio possui quatro eltrons de valncia que participam da banda de valncia completa do cristal. Suponhamos agora que um tomo pentavalente, como o de fsforo, arsnico ou antimnio, substitua um de silcio no cristal. Quatro dos eltrons do tomo de impureza fazem o mesmo papel dos quatro eltrons de valncia do tomo de silcio substitudo, tornando-se parte integrante da banda de valncia. O quinto facilmente libertado por energia trmica, e move-se livremente na banda de conduo. Os tomos das impurezas doam os eltrons para a banda de conduo, sendo por isso chamados de impureza doadoras. Existe um eltron nessa banda para cada tomo doador no cristal; observe que no h uma quantidade equivalente de buracos na banda de valncia. O cristal conduz eletricidade sobretudo em virtude dos eltrons -.. existentes na banda de conduo, sendo assim denominado semicondutor tipo--n (devido a carga negativa dos portadores de corrente). Por comparao, um tomo trivalente, como o de boro, alumnio, glio ou ndio, produz, ao substituir um tomo de silcio, um buraco na banda de valncia. Como existem apenas trs eltrons, um dos pertencentes a um tomo adjacente de silcio se transfere para o de impureza. Diz-se, ento, que o tomo estranho aceitou um eltron de valncia, e assim essas impurezas so denominadas aceitadoras. Os aceitadores criam buracos na banda de valncia, no cristal, e produzem um semicondutor tipo p, devido a carga positiva efetiva de cada buraco. Um cristal que contenha impurezas doadoras e aceitadoras pode ser tipo n ou tipo p, dependendo da concentrao de impurezas que for maior, porque eltrons dos tomos doadores completam todos os nveis aceitadores existentes. Cristais intrnsecos podem ser produzidos, incluindo-se concentraes iguais de doadores e aceitadores; esses cristais so ditos compensados. Observe que existem poucos buracos na banda de valncia de um cristal tipo n, uma vez que alguns eltrons so excitados e transpem o intervalo de energia proibida. Estes buracos so chamados de portadores minoritrios e , os eltrons, de majoritrios, em virtude de suas concentraes relativas. Reciprocamente, os buracos so portadores majoritrios no semicondutor tipop, enquanto os eltrons, na banda de conduo, so minoritrios. A introduo intencional de tomos de impurezas em semicondutores para a obteno de uma desejada concentrao de portadores majoritrios denominada dopagem.

DIODOS SEMICONDUTORES A junopn


A juno entre uma regio tipo p e uma tipo n no mesmo cristal semicondutor, que uma estrutura bsica em muitos dispositivos, denominada juno pn. Diversas tcnicas diferentes para produzir junes pn sero descritas numa seo posterior. Todas resultam na transio de impurezas aceitadoras para doadoras num determinado lugar do cristal. Os eltrons da regio n tendem a se difundir para a regio p atravs da juno. Em equilbrio, isto compensado por um fluxo idntico de eltrons no sentido inverso. No entanto, a concentrao de eltrons muito maior no material n , e a corrente eletrnica originria desta regio seria maior, se no fosse uma elevao do potencial na juno que a reduz. Argumento idntico aplica-se as correntes de buracos que se difundem atravs da juno. A magnitude e a polaridade do potencial interno resultante na juno igualam as duas correntes, e esta barreira de potencial proporciona excelentes propriedades de retificao a juno pn, como j foi observado no Cap. 4. Note que a polaridade da barreira de potencial mostrada no modelo de bandas de

Fig. 5.3 Modelo de bandas de energia da juno pn.

,--.

_I

-.

energia de uma junopn (Fig. 5.3) tende a mdnter os eltrons na regio n e os buracos na regio p, como visto anteriormente. A altura da barreira, V,, depende da quantidade de eltrons dos doadores, na juno, que se transferem para os aceitadores vizinhos, isto , depende das concentraes de impurezas, sendo aproximadamente igual ao intervalo de energia proibida. A largura d da regio da juno est relacionada a concentrao de impurezas e a tenso na juno,

onde A uma constante e, N,,a concentrao de aceitadores. Para se chegar 2 Eq. (5.I), sups-se a concentrao no lado tipo n muito maior que aquela no tipop. De acordo com a Eq. (5.1 I), a juno estreita para concentraes altas de impurezas. Este princpio usado para situar a tenso de ruptura dos diodos zener no potencial desejado. O processo da ruptura por avalancha, discutido no Cap. 4, depende do campo eltrico na juno. Em conseqncia, a tenso na,qual a ruptura ocorre pequena nas junes estreitas e grande nas junes largas. Quando a juno pn est em equilbrio, a corrente I, resultante de eltrons que se difundem do lado n igual corrente I , ocasionada pelos eltrons que deixam o lado p (Fig. 5 . 4 ~ ~Suponhamos agora que um potencial externo seja aplicado a juno, de ). modo a aumentar a barreira interna, como na Fig. 5.46. O nmero de eltrons que se difundem atravs da juno muito reduzido, uma vez que muitos poucos tm energia suficiente para vencer a barreira de potencial maior. Por outro lado, a quantidade que se move do lado p para o n no afetada porque estes no encontram barreira. Assim, existe uma corrente lquida, mas esta limitada pelo pequeno nmero de eltrons na regio p . Se a polaridade do potencial externo for invertida (Fig. 5.4c), a barreira ser reduzida e I, ser grande, em virtude de a quantidade de eltrons na regio n ser muito

( a ) Equilbrio

(bi Polarizao reversa

(C)

Polarizao direta

' ~ i 5.4 . ( a ) A corrente na juno p n depende da altura da barreira de potencial na juno que, ~ em (b), foi aumentada pela polarizao reversa e, em ( c ) , diminuda pela polarizao direta.

elevada. Mais uma vez a corrente eletrnica I,, do tipo p para o tipo n, permanecer inalterada. A corrente lquida, neste caso, ser grande e corresponder ao sentido direto. Na determinao da caracterstica tenso-corrente do diodo de juno, as mesmas consideraes se aplicam a corrente devida aos buracos, bem como a de eltrons, e a corrente total a soma das duas. Focalizando a ateno nos eltrons, inicialmente, a corrente eletrnica da regio n para a regio p controlada pela elevao do potencial na juno, de acordo com a lei de Boltzmann,

onde k a constante de Boltzmann, T a temperatura absoluta e C, uma constante determinada pela rea da juno e pelas propriedades do semicondutor. Observe que, em equilbrio, quando a tenso aplicada V igual a zero, I, = I,, de modo que a corrente lquida de eltrons pode ser escrita como

Uma expresso similar se aplica s correntes de buracos, o que significa que a corrente total na juno

> -

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

.-

onde 1, denominadacorrente de saturao

A Eq. (5.4) conhecida como a equao do retificador.


Y

Fig. 5.5 Caracterstica tenso-corrente da juno pn, de acordo com a equao do retificador.

A polaridade do potencial aplicado tal que a regio p positiva para a polarizao direta. De acordo com a Eq. (5.4), a corrente aumenta exponencialmente no sentido direto. Em contraste, a corrente inversa essencialmente igual a l o e independente de potenciais reversos maiores que uns poucos dcimos de volt. Um grfico da equao do retificador para pequenos valores de tenso aplicada mostrado na Fig. 5.5. As - caractersticas tenso-corrente experimentais dos diodos de juno prticos (Fig. 4.2) concordam bastante com essa equao.

O diodo tnel
Um efeito til ocorre nas junes pn em que as concentraes de impurezas em ambos os lados p -e n so muito grandes. O modelo de bandas de ene7EiTm ju@ao dessas mostrado na Fig. 5 . 6 ~para o caso de polarizao nula aplicada. Concentraes muito grandes significam juno muito estreita, de acordo com a Eq. (5.1). Larguras da ordem de 10 a 100 dimetros atmicos so facilmente encontra- das nos diodos de germnio e dispositivos similares. Nesta situao, possvel que um eltron da banda de conduo no lado n pule para a banda de valncia no lado p por um processo denominado efeito tnel. Este efeito acontece sem variao na energia do -. eltron. A capacidade de um eltron em atravessar a barreira de potencial da juno efeito tnel resultado da sua natureza a probabilidade deste - por penetrar na barreira pode ser calculada ondulante, e princpios da mecnicaeltron em a partir dos quntica. A corrente de tnel depende da largura da juno, do nmero de eltrons capazes de penetrar no tnel e da quantidade de nveis de energia vazios para os quais possam - se transferir. Em equilibrio (Fig. 5.6a), as correntes de tnel que atravessam a juno nos dois sentidos so iguais, e , assim, a corrente lquida nula. Para um pequeno potencial de polarizao direta, os eltrons, por efeito tnel, vo

(b) Pequena polarizao direta

I
(c) Maior polarizao direta
-

Fig. 5.6 Modelo de bandas de energia do diodo tnel (a) em equilbrio, (b) sob pequena polarizao direta e ( c ) sob maior polarizao direta. Observe que a corrente maior em (b) que em ( c ) por causa do efeito tnel.

/
\

da banda de conduo no lado n para nveis vazios na banda de valncia do lado p , acarretando corrente direta, que aumenta com a tenso at que os eltrons do lado n estejam em linha com os buracos do lado p (Fig. 5.G). A medida que a polarizao aumentada alm desse ponto, os eltrons da banda de conduo so elevados acima dos estados da banda de valncia e, a corrente de tnel, reduzida. Nesta faixa de polarizao direta, cada incremento na tenso provoca um decrscimo na corrente. Finalmente, na Fig. 5.6c, os eltrons e os buracos esto completamente desalinhados, e a corrente na juno corresponde a corrente normal direta numa junopn . A caractenstica tenso-corrente de um diodo tnel (tambm chamado de diodo Esaki, por causa de seu descobridor) mostra (Fig. 5.7) como a corrente sobe a um mximo, correspondente a condio da Fig. 5 . G , e da decresce, a medida que a polarizao direta aumenta. O intervalo entre o pico e o vale da curva caractenstica uma regio de resistncia negativa, pois cada acrscimo de tenso reduz a corrente. A utilidade deste efeito provm do fato de os componentes de circuito eletrnicos con-

--

--

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129

vencionais possurem resistncia positiva e , portanto, dissiparem potncia. Se um diodo tnel por colocado num circuito ressonante, de modo que a resistncia lquida seja nula, no haver perda de potncia. O circuito, ento, oscilar na sua freqncia de ressonncia, como analisado no Cap. 9.

Caracterstica -L/ direta normal

-- -

02 01 . Polarizao direta, V

Fig. 5.7 Caracterstica tenso-corrente experimental do diodo tnel. Existe uma regio de resistncia negativa entre as correntes de pico e de vale.

-.
,

*
Distancia, x

Fig. 5.8 Concentrao de buracos nas proximidades da juno p n diretamente polarizada.

Injeo de portadores minoritrios


-- -- -A barreira de potencial interna em uma juno pn reduzida quando a juno polanzada diretamente. A corrente direta consequnc.ia de buracos originrios do lado tipo p e de eltrons do lado tipo n se difundindo atravs da juno. O resultado que so injetados buracos na regio n e eltrons na p, onde, em cada caso, so portadores minoritrios. Esta injeo de portadores minoritrios a base dos transistores de juno, como ser visto na prxima seo. E usualmente desejvel que a corrente direta seja devida predominantemente aos buracos ou aos eltrons, a fim de aumentar O efeito da injeo. Se a regio n for fracamente dopada e, a regio p, fortemente, a corrente direta
-

130

ELETRONICA BSICA

ser devida sobretudo aos buracos e, em conseqncia, uma grande concentrao de buracos em excesso ser injetada na regio n. Invertendo-se a dopagem, a situao contrria ser verdadeira, ou seja, eltrons sero injetados na regio p. Os buracos injetados se difundem, afastando-se da juno, em virtude do gradiente de concentrao. A medida que se difundem, Yecombinam-se com portadores majoritrios (eltrons), de modo que, longe da juno, a concentrao de buracos a caracterstica do semicondutor tipo n em equilbrio. A concentrao de buracos nas diversas regies est indicada, esquematicamente, na Fig. 5.8.

TRANSISTORES DE JUNAO
Caractersticas de coletor
O transistor de juno consiste em duas junes pn, paralelas, justapostas no mesmo cristal. Existem dois tipos possveis: o transistor pnp e o npn, dependendo do tipo de condutividade da regio comum. O funcionamento dos dois conceitualmente idntico, exceto pela troca do tipo de portadores majoritrios e minoritrios e pelos sentidos de polarizao, de modo que suficiente a discusso do transistorpnp. Exemplos de estruturas com esta disposio de juno dupla sero analisados na seo seguinte. O modelo de bandas de energia de uma estrutura pnp sem tenso de polarizao aplicada (Fig. 5.9a) simplesmente a de duas junes colocadas em oposio. Em funcionamento, uma juno, denominada do emissor, polarizada diretamente e, a outra, a do coletor, reversamente, como na Fig. 5.9b. Os buracos injetados na regio

p Junao do

\emikor

Juno do co~etor

Fig. 5.9 ( a ) Diagrama de bandas de energia do transistor p n p em equilbrio e (b) sob polarizao para operao; ( c ) concentrao de buracos no caso (b).

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tipo n da base, atravs da juno do emissor, difundem-se at a outra juno, onde so coletados pelo campo eltrico a existente. A concentrao de buracos nas diversas regies est esboada na Fig. 5 . 9 ~ . Variaes na tenso de polarizao emissor-base alteram a corrente injetada da mesma forma, e este sinal observado na juno do coletor. O emissor diretamente polarizado apresenta pequena resistncia, e o coletor, inversamente, resistncia elevada. Como a corrente em ambos aproximadamente a mesma, isto resulta num ganho de potncia elevado. Para amplificao mxima, desejvel que a razo entre as correntes de coletor e emissor seja to grande quanto possvel. A corrente na juno do emissor deveria ser basicamente devida a buracos, uma vez que eltrons injetados da base para o emissor no podem influenciar na corrente de coletor. Isto pode ser obtido se a regio tipo n da base for dopada fracamente. Em segundo lugar, a base deve ser fina, a fim de que pou,cos buracos sejam perdidos por recombinao antes de atingirem a juno de coletor. E conveniente dopar a regio de coletor levemente, para aumentar a largura da juno. Isto reduz a capacitncia e aumenta a tenso de ruptura inversa. Uma figura de mrito do transistor o fator ganho de corrente a , que a relao entreiGiT@da corrente de coletor F'aYanao da corrente de emissor para uma - - " - *__I_ tensao de EoIZor EoG3nte~"iC-SFFrrentesex'istentes diversas regies de um trannas sistor so mostradas na Fig. 5.10, usando-se a corrente de emissor 1,-como referncia. Esta corrente na juno do emisso- acarreta uma corrente de coletor d e . diferena A entre as duas, (1 - ay,, aparece na ligao externa da base. Obviamente, quando o ganho de corrente unitrio, toda a corrente de emissor surge no circuito do coletor, e a corrente de base nula. Na realidade, a muito prxima da unidade na maioria dos dispositivos, de modo que o ganho de corrente coletor base P uma medida mais sensvel da qualidade do trans-A relao entre sXis-Etfes', de acordo com a Fig. 5.10,
_^

,-. --

Fig. 5.10 Correntes no transistor pnp expressas em termos da corrente de emissor e do fator ganho de corrente.

O ganho de corrente coletor base aumentado quando a tende para a unidade. Os valores tpicos de ,3, na prtica, situam-se na faixa de 20 a 103. Os portadores minoritnos injetados na base deslocam-se para o coletor por difuso, e o tempo finito que levam para cruzar a base limita a utilizao dos transistores em altas freqncias. Atravs de tcnicas de fabricao engenhosas possvel obter bases muito estreitas (- 5 x 10-7 m) e, assim, amplificao em frequncias de 109Hz. E tambm necessrio reduzir a rea das junes nos transistores de alta-freqncia, a fim de minimizar os efeitos adversos das capacitncias dessas junes. Uma maneira conveniente de representar as caractersticas tenso-corrente de um transistor atravs da caractenstica de coletor (Fig. 5.11), para diferentes valores da corrente de emissor.' Quando I, = O, a caractenstica simplesmente a curva de saturao reversa da juno do coletor. A corrente de emissor translada a curva ao longo do eixo das correntes, ou seja, I, um parmetro. Estas caractersticas procedem diretamente da discusso anterior e referem-se a configurao de circuito base comum, j considerada na Fig. 5.10. Nesta configurao, o terminal de base comum aos circuitos de entrada e de sada. Como ser visto com maiores detalhes no prximo captulo, a configurao emissor comum, na qual o eletrodo emissor comum aos circuitos de entrada e sada, apresenta propriedades mais favorveis. A qualidade dos transistores , na prtica, to satisfatria, que o ganho de corrente de base comum a muito prximo da unidade e a corrente de fuga reversa na juno do coletor desprezvel para todos os efeitos. Conseqentemente, as caractersticas de coletor em base comum so bastante planas, retas e uniformemente espaadas. Na verdade, essas curvas apresentam pouquissima informao, de modo que quase nunca so medidas. As caractersticas de coletor em emissor comum (Fig. 5.12)
Corrente de emissor, mA

2 1 J i
OO

I-fn_
4
8
12
16

Potencial de coletor, V

Fig. 5.11 Caractenstica de coletor em base comum experimental do transistor pnp.

'N.T. As caractersticas que relacionam a tenso e a corrente na sada, tendo como parmetro a corrente (ou tenso) na entrada, so denominadascaractersticas de sada.

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Fig. 5.12 Caractensticas de coletor em emissor comum do transistor de silcio npn 2N3521.

Fig. 5.13 Caractensticas de coletor de emissor comum do transistor 2N3521 na temperatura de 125OC.

so bem mais ilustrativas. Em particular, o valor do ganho de corrente B.em emissor comum pode ser estimado diretamente das curvas, observando-se a corrente de coletor para uma determinada corrente de base. O funcionamento do transistor de juno resulta das propriedades da juno de emissor sob polarizao direta e da de coletor reversamente polarizada. As propriedades destas junes dependem sensivelmente da temperatura, como indicam as Eqs. (5.4) e (5.5). Comparando-se as caractersticas de coletor numa temperatura elevada (Fig. 5.13) com aquelas do mesmo transistor na temperatura ambiente (Fig. 5.12), v-se que as correntes aumentam de modo considervel. A forma geral das curvas , no entanto, preservada, tomando possvel, ainda assim, a ao do transistor.

Retificador controlado de silcio


conveniente, agora, descrever com maiores detalhes o retificador controlado de silcio '(SCR), discutido anteriormente no Cap. 4. O desempenho deste componente, que de bastante utilidade, obtido adicionando-se uma terceira juno pn estrutura do transistor de juno. O dispositivo przpn (de quatro camadas) resultante (Fig. 5 . 1 4 ~ ) tambm chamado de diodo de quatro camadas, quando se utilizam apenas os terminais das camadas externas. Um potencial positivo aplicado ao terminal tipo p polariza a juno pn central reversamente, enquanto as duas junes externas so polarizadas diretamente. 9 dispositivo pode ser visto como uma combinao de um transistorpnp e um npn, em oposio (Fig. 5.14b), sendo a juno do coletor comum a ambos. Observe que I, a corrente de emissor no transistor pnp e ai, I, a de coletor. Analogamente, I, a corrente de emissor do npn e a , I 2 a de coletor. Aplicando-se a lei de Kirchhoff das correntes najuno de coletor,

I,

= a l I 1 ia,l,

Considerando-se a corrente total de entrada no dispositivo,

I 2 = I p + II (5.8) onde I , a corrente entrando no terminal da porta. Substituindo-se o valor de I , na Eq. (5.7) e resolvendo em relao aI,, d

Porta

Fig. 5.14 ( a ) Esboo do SCR e (h) sua interpretao em termos de transistor pnp acoplado a transistor npn.

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135

De acordo com a Eq. (5.9), se a soma dos ganhos de corrente a , + a, for quase unitaria, a corrente I , poder ser muito grande, ainda que a corrente de porta seja pequena. De fato, se a , + a, = 1 , a corrente elevada e limitada apenas pela resistncia hmica do semicondutor, embora no haja corrente na porta. As caractersticas tenso-corrente do SCR (Fig. 4.20) so interpretadas da seguinte maneira: quando I , nula, o transistor pnp da Fig. 5.14b no tem polarizao entre base e emissor e , conseqentemente, no conduz. Numa determinada tenso critica, a ruptura por avalancha na juno do coletor provoca o aumento da corrente, e isto faz com que ambos os transistores conduzam. Este estado atingido, em baixos valores de tenso aplicada, aumentando-se I , para forar o transistorpnp a conduo, o que, por sua vez, polariza o transistor npn de modo a conduzir. Uma vez levado conduo, a corrente de porta pode ser reduzida a zero, j que a do dispositivo, por si s, mantm a corrente de polarizao em ambos os transistores. As caractersticas tenso-corrente do SCR indicam propriedades de resistncia negativa, pois a diminuio da tenso ocasiona um aumento na corrente, quando da transio do estado desligado para o ligado. Este efeito de resistncia negativa diferente daquele do diodo tnel da Fig. 5.7. A diferena entre os dois pode ser identificada, observando-se que uma reta paralela ao eixo das tenses, traada na regio de resistncia negativa da Fig. 5.7, intercepta a curva caracterstica em outro ponto. Ao contrrio, na Fig. 4.20, a reta deve ser paralela ao eixo das correntes, para que possa interceptar a curva outra vez. A forma da curva do diodo tnel frequentemente chamada de caracterstica de resistncia negativa tipo N e , a do SCR, tipo S, por causa das formas relativas dos dois tipos.

O transistor unijuno
Uma caracterstica de resistncia negativa tipo S algo similar a do SCR produzida . pelo transistor unijuno. O smbolo de circuito deste transistor (Fig. 5.15) mostra, esquematicamente, que o dispositivo consiste em uma barra semicondutora com dois contatos hmicos e uma nica juno pn de emissor, de pequena rea, posicionada entre eles. No existindo corrente de emissor, uma parcela da tenso V , aplicada entre os contatos de base aparece na juno de emissor, devido a ao de divisor de tenso da barra. Enquanto a tenso de emissor for menor que essa paicela, haver apenas corrente reversa no mesmo e a juno estar polarizada inversamente. Se, entretanto, a tenso V , na juno for aumentada, de modo que o emissor se torne polarizado diretamente, a corrente no mesmo tambm aumentar, e haver injeo de portadores na regio entre o emissor e 3,. A resistncia desta regio diminui e a atuao do divisor de tenso reduz a parcela de V, na juno. Assim, a corrente no emissor aumenta, mesmo que a tenso a diminua. Isto resulta numa caracterstica de resistncia

Fig. 5.15 Smbolo de circuito do transistor unijuno.

2N492

4-

1O

15

20

v,,v
Fig. 5.16 Caractensticas.tenso-correntedo transistor u~juno 2N492.

negativa muito estvel, e que mostrada na Fig. 5.16. As aplicaes do transistor unijuno sero vistas num captulo subsequente.

Fabricao de transistores
Dentre os vrios modos de produzir cristais semicondutores contendo duas junes pn, quatro se tornaram mais populares: as tcnicas planar, mesa difundida, liga e cultura (Fig 5.17). Muitas modificaes desses quatro tipos foram idealizadas, mas diferem das citadas somente em pequenos detalhes. O transistor de juno cultivada foi, historicamente, o primeiro tipo de juno fabricada e j foi suplantado. E preparado durante a recristalizao, aps fuso, alterando-se o contedo de impurezas do material fundido. O cristal tpico pode ter 1 a 2 cm de dimetro, ao passo que o transistor tem apenas cerca de 1 mm2, sendo que, assim, vrios transistores podem ser obtidos cortando-se o cristal original. Soldam-se conexes as regies do emissor, base e coletor. A solda contm uma pequena quantidade de impurezas correspondentes ao tipo de condutividade do material soldado, a fim de se obterem bons contatos eltricos. Assim, coloca-se ndio na solda dos contatos ligados as regiesp e antimnio na de base. Isto se torna particularmente importante ao se fazer a ligao a bases muito estreitas, por.que a impureza tipo n faz bom contato eltrico com a base, que de mesma natureza; mas, ao mesmo tempo, forma uma juno pn com as regies tipo p. Logo, o contato soldado base fica de fato isolado eletricamente do emissor e do coletor, mesmo que se estenda alm dessa fina regio. O transistor de juno de ligapnp, hoje em dia tambm largamente suplantado por outros processos, produzido a partir de uma fina pastilha d e cristal tipo n, na qual se colocam pelotas de ndio nas faces opostas e se aquecem. A medida que o ndio se funde, dissolve o germnio sob si. Durante o resfriamento subseqente, o germnio derretido se recristaliza no cristal bsico, incorporando muitos tomos de ndio em sua estrutura. O material recristalizado , portanto, tipo p, e est formada, assim, a estrutura do transistor. E conveniente fazer a pelota do coletor maior que a do emissor, pois, deste modo, os portadores injetados na juno do emissor so coletados mais eficientemente. Desta forma, a juno de liga , inerentemente, uma geometria de transistor mais satisfatria do que a forma juno cultivada. Como vimos anteriormente, necessrio que as regies do transistor sejam to

- -

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0,01 rnrn
+ -

I
1 mm
t

(a) Juno cultivada


L ,

(b) Juno de liga

(c) Mesa difundida

ld

( d ) Planar

Fig. 5.17 Estrutura dos transistores de juno.

pequenas quanto possvel, a fim de que haja desempenho satisfatrio em altafreqncia. Isto difcil de ser obtido no caso do transistor de juno de liga, embora muitas variaes engenhosas deste processo tenham sido desenvolvidas para se conseguir esse objetivo. A tcnica de mesa difundida (Fig. 5.17c), entretanto, muito mais adaptvel aos transistores de alta-freqnciaporque o processo de fabricao da juno pode ser controlado. A juno do coletor formada coin a colocao de uma pastilha de cristal tipo p em vapor contendo impurezas de, digamos, antirnnio. A medida que a pastilha aquecida, os tomos de antimnio se difundem para o interior do cristal, numa profundidade de aproximadamente 10-3 mm. Este , em seguida, encoberto e quimicamente corrodo, a fim de se obter uma regio pequena e elevada (a mesa) com cerca de 2 rnm de dimetro. O topo da mesa , ento, convenientemente coberto com uma mscara, de modo que fiquem expostas duas regies de 0,3 rnm de dimetro onde so depositados metais apropriados por evaporao em alto vcuo. A

seguir, a lmina mantida em alta temperatura, enquanto os dis depsitos de metal se difundem para dentro da regio n . O resultado a formao de uma regio de emissor tipo p por um dos depsitos de metal, enquanto o outro forma o contato para a regio de base. A rea da juno de coletor definida exatamente pela tamanho da mesa, ao passo que a de emissor fixada pela rea do metal depositado por vapor. Ambos os processos podem ser controlados com preciso e se obtm um volume extremamente pequeno. A largura da base determinada pelo processo de difuso gasosa e subsequente difuso do metal depositado. Os dois processos podem ser ajustados facilmente pela temperatura da pastilha, para a obteno de uma regio de base muito fina, mas precisamente definida. O processo todo de fabricao proporciona, portanto, um controle preciso da geometria do transistor. As regies ativas, muito finas, so produzidas numa pastilha suficientemente grande para ser manipulada. O transistor de mesa, bem como os de juno cultivada e de liga, construdo de tal modo que as junes de coletor e de emissor ficam expostas na superfcie do semicondutor. As propriedades eltricas da juno so extremamente sensveis s impurezas qumicas da atmosfera circunvizinha, em virtude dos campos eltricos elevados existentes na juno. Quantidades diminutas de tomos estranhos na superfcie da regio da juno degradam enormemente o funcionamento dos transistores reais, comparando-se com as previses tericas. Por este motivo, eles so hermeticamente lacrados em invlucros metlicos cuidadosamente purificados aps afabricao. Uma soluo mais satisfatria para o problema da contaminao da superfcie o desenvolvimento de uma fina pelcula de xido na superfcie do semicondutor, atravs de aquecimento em atmosfera oxidante. Esta tcnica, aplicvel basicamente ao silcio por causa das propriedades favorveis do xido de silcio, possibilita a obteno de componentes protegidos por completo da contaminao atmosfrica. Alm do mais, a pelcula de xido uma barreira contra a difuso gasosa de impurezas, de modo que ela, por si s, atua como mscara durante a fabricao. Esta tcnica possibilita a construo do transistor planar (Fig. .5.17d), que assim denominado em virtude de assemelhar-se a uma simples pastilha plana de silcio.

Fig. 5.18 Fotomicrografia de um transistor planar. (Raytheon Semiconductor.)

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139

A construo do transistor planar npn inicia-se com uma pastilha de cristal de silcio tipo n. Uma fina camada de xido produzida na supe.rfcie superior por aque-- cimento em atmosfera de oxignio. O xido quimicamente retirado numa regio circular de dimetro a . A pastilha , ento, exposta em atmosfera de gs de boro aque- cido. Os tomos desta impureza se difundem para o interior do silcio exposto, formando a regio de base tipo p e a juno do coletor. Os tomos de boro tambm se difundem lateralmente sob a pelcula de xido, de modo que a base fica um pouco maior que o dimetro a , e a juno do coletor protegida na superfcie pela camada de _ xido. A seguir, a pastilha oxidada novamente, a fim de ser produzida uma outra pelcula sobre toda a sua rea. Aps isso, o xido retirado numa rea de dimetro b aquecido de que desta vez e, a pastilha, mais uma vez exposta - fsforo. Estes tomos de impureza tipoan gs difundem para impureza, silcio, formando se dentro do - a regio de emissor e a respectiva juno. A difuso lateral do fsforo sob a camada de xido assegura tambm proteo por essa pelcula a juno do emissor. .. Finalmente, os contatos eltricos so feitos por deposio do vapor e mistura, como no caso do transmissor de mesa. O resultado um transistor npn inteiramente contido numa pastilha plana e completamente coberto por uma camada impermevel de xido. O posicionamento geomtrico das junes e a largura da base so extremamente precisos. por ser a tcnica de dopagem por difuso gasosa facilmente controlvel. Vrias centenas de transistores podem ser fabricadas simultaneamente em uma nica pastilha da ordem de um centmetro de dimetro. A pastilha serrada seguidamente, a fim de serem retirados os transistores. A microfotografia de um transistor planar tpico est reproduzida na Fig. 5.18. So perfeitamente visveis as conexes para as regies de emissor e base.
-

TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO


Caractersticas do dreno

rA

L : .-i I

,1

>k j

*-

Uma ao de controle muito eficaz obtida no tmnsistor de efeito de campo, ou FET,' no qual o fluxo de portadores majoritrios controlado por tenses de sinal aplicadas a uma juno pn polarizada reversamente. Consideremos a barra semicondutora tipo n (frequentemente de silcio) da Fig. 5.19, que possui um contato hmico, a fonte, em uma extremidade, e um contato similar, o dreno, na outra. Os eltrons que se movem da fonte para o dreno, em virtude da tenso de dreno V,, passam atravs de um canal entre duas regies p . Esta juno pn denominada de porta, porque sua largura, quando polarizada reversamente, determina a largura do canal e, em consequncia, a amplitude da corrente da fonte para o dreno. As tenses de sinal aplicadas na porta provocam variaes correspondentes nesta corrente. O FET , de fato, um resistor varivel controlado pelos campos eltricos associados as junes pn, donde o seu nome, bastante sugestivo, alis. Pouqussima potncia dispendida pelo sinal, em virtude da pequena corrente reversa na juno. Observe que o transistor descrito um F E T canal n. E claro que se pode, igualmente, ter um FET canaip, e, neste caso, os potenciais qlicados 2c dreno e porta tm polaridades contrrias, de modo que a juno da porta fica, ainda, reversamente polarizada. O smbolo de circuito para o FET canal n est indicado na Fig. 5.20. O smbolo correspondente ao de canal p tem a seta representativa da juno da porta apontando no sentido oposto. Note que o seu sentido consistente com o sentido do fluxo de corrente convencional num diodo de juno.
'N.T. Abreviatura do ingl. field-effect transistor, aqui mantida por ser de uso corrente, como o a do SCR. Este procedimento adotado ao longo de todo o livro.

.
--

Dreno,

+ t

Porta,

1
Fig. 5.19 FET de juno canal n.

Fonte

Fig. 5.20 Smbolo de circuito do FET canal n.

A caracterstica tenso-corrente do FET extrada da anlise do fluxo de corrente no canal. De acordo com a Fig. 5.19, a largura de juno maior nas proximidades do dreno, porque a polarizao reversa ali a soma dos potenciais de porta e de dreno. A juno mais estreita nas proximidades da fonte, porque a queda de tenso ao longo do canal faz com que a polarizao inversa seja devida, apenas e essencialmente, ao potencial da porta. A soma de V , e tTd pode ser suficientemente grande para que a juno estrangule o canal. Acontece que, na realidade, esta a condio normal de operao, sendo designada por V , a polarizao reversa necessria para isto. A queda de tenso no linear ao longo do canal e a variao, tambm no linear, na largura deste combinam-se para tornar a anlise exata mais complicada. Pode-se fazer um estudo simplificado, observando-se que a corrente atravs da resistncia do canal proporcional a V d , de acordo com a lei de Ohm, e a V , - V , , em virtude do estrangiilamento. A tenso de dreno, finitzj, resulta numa polarizao reversa adicional, variando desde zero, na fonte, at - V d , no dreno. Como aproximao, pode-se considerar que esta polarizao adicional seja, simplesmente, a mdia - V d / 2 . A corrente de dreno , ento,

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onde K uma constante.

Fig. -5.21 Caractersticas tenso-corrente do FET canal p 2N2499.

No estrangulamento, a soma das tenses de porta e de dreno igual a tenso de estrangulamento, ou seja, V, = V, + V d .Em conseqncia, a Eq. (5.10) se torna

onde I,, uma constante que depende basicamente da geometria do FET. evidente que a corrente de dreno no depena? da tenso de dreno acima do estrangulamento. As Eqs. (5.10) e (5.11) constituem uma boa representao das caractersticas de dreno dos F E T prticos, como est ilustrado na Fig. 5.21 para o caso do transistor canal p. A tenso dreno-fonte mxima limitada pela ruptura na juno da porta.

Fig. 5.22 Caractersticas de transferncia do FET canal n.

A caracterstica de transferncia
As variaes na corrente de dreno correspondentes as variaes da tenso no eletrodo da porta, descritas pela Eq. (5.11), so mais claramente observadas num grfico da corrente de dreno em funo da tenso de porta, denominado caracterstica de transferncia, porque relaciona variaes no circuito de sada provocadas pelo sinal de entrada. A caracterstica tpica da Fig. 5.22 mostra a dependncia, segundo a lei quadrtica, dada pela Eq. (5. l l). Esta caractersfica uma alternativa na descrio das propriedades eltricas no lineares do FET. E um complemento das caractersticas de dreno e mostra diretamente a variao da corrente de dreno por variao unitria da tenso de porta. Esta relao uma medida da capacidade de controle do dispositivo, sendo que valores grandes indicam propriedades de amplificao favorveis. Deve-se notar que as caractersticas de controle do FET so fundamentalmente diferentes das do transistor de juno, pois o sinal de entrada tenso, em vez de corrente. As conseqncias desta diferena so exploradas de vrias maneiras nos captulos subseqentes. Na realidade, os dois tipos de controle proporcionam ao amplificadora bastante eficaz, mas as configuraes de circuito e as propriedades de operao do F E T diferem daquelas do

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Fig. 5.23 Caractersticas de transferncia do FET canal p 2N5267 em trs temperaturas diferen-

tes. transistor de juno. Como o fluxo de corrente no F E T devido aos portadores majoritrios, ao contrrio do transistor de juno, suas propriedades eltricas tendem a ser menos sensveis a temperatura. No obstante, a mudana na caracterstica de transferncia com a temperatura, ilustrada na Fig. 5.23, kostra que o efeito no desprezvel. Configuraes de circuito adequadas foram i&&lizadas para minimizar as variaes de desempenho com a temperatura, de modo q& os dois tipos de transistores so operveis nas faixas prticas de temperatura. 5 -1 r ;r

c~
-

-9

,i

possvel um controle bem parecidksobre os portadores de corrente num semicondude porta metlico apropriado, isolado do ter, sem junopn, utilizando-se um campo de porta isolada so conhecidos semicondutor. Esses transistores de como'ZGFET. Os melhores so os fei'bs de silcio,-que empregam uma fina camada de xido de silcio como isolante. A te? inologia descritiva do transistor de efeito de campo de metal-xido-sernicondutor OSFET. O MOSFET ilustrado na Fig. 5 . 2 4 ~ tem as regies de fonte e dreno tipo n assentadas no interior de um cristal tipo p. O eletrodo metlico da porta depositado em cima de uma fina camada de xido na superfcie. Normalmente, o substrato p conectado fonte e, um potencial negativo, aplicado a porta. Este potencial negativo repele os eltrons do canal tipo n, e forma-se uma camada

'N.T. Abreviaturado ingl. insulated-gatefield-effect transistor.

de depleo isenta de portadores. Esta camada bem semelhante a regio existente entre os lados tipo n e tipo p de uma juno pn. A criao da camada de depleo pela tenso de porta diminui a condutividade do canal n e reduz a corrente de dreno. O estrangulamento ocorre quando essa camada se estende inteiramente pela camada n ; as caractersticas de dreno do MOSFET de depleo assemelham-se muito com a do FET de juno. Se o canal n entre fonte e dreno eliminado (Fig. 5.24b), ainda assim se obtm funcionamento adequado, quando a tenso de porta positiva em relao a fonte e ao substrato tipo p. A corrente de dreno nula, sem polarizao de porta, por causa das junes pn existentes nas extremidades da fonte e do dreno. A medida que o potencial de porta se eleva, a partir de zero, os buracos do substrato p imediatamente abaixo d a porta so repelidos, e a camada superficial tende a se tornar tipo n . No limiar da tenso de porta V,, forma-se um canal n, e a corrente circula entre fonte e dreno. Tenso de porta maior aumenta ainda mais a corrente de dreno. Como a tenso de porta aumenta a condutividade do canal, este dispositivo denominado MOSFET de rqforanzento.
Fonte Porta Dreno Fonte Porta Dreno

?
t

P
Camada de 6xidoh

(a) MOSFET de depleo

(b) MOSFET de reforamento


r

Fig. 5.24 MOSFET canal n. Modos de ( a ) depleo e (b) reforamento.

Na realidade, um MOSFET de depleo pode operar tambm no modo de reforamento, uma vez que o canal pode ser dilatado ou reduzido pelo potencial de porta. Uma comparao conveniente entre os diversos tipos de F E T possveis dada por suas caractersticas de transferncia (Fig. 5.25). O FET de juno emprega o modo de depleo (Fig. 5.25a), j que a juno pn da porta no pode ser polarizada diretamente. O MOSFET de depleo pode ser usado com qualquer polaridade de porta (Fig. 5.25b), enquanto o de reforamento requer polarizao positiva (Fig. 5 . 2 5 ~ ) .Observese, entretanto, que, a no ser por um deslocamento lateral, todas as trs caractersticas de transferncia so muito semelhantes. Na prtica, as caractersticas de dreno do MOSFET so bem parecidas com as do FET de juno, como se observa na Fig. 5.26, exceto por serem operativas tanto a tenso de porta positiva quanto a negativa. O smbolo de circuito para o MOSFET de canal n (Fig. 5.27) lembra a estrutura de porta isolada. Os MOSFET de canalp so indicados, invertendo-se a ponta da seta indicativa do sentido convencional da corrente no canal. Maior evidncia da versatilidade desse transistor o MOSFET de dupla-porta, que tem dois eletrodos de porta dispostos ao longo do canal. Uma grande regio tipo n similar a fonte colocada entre as duas portas, mas no conectada externamente. -A porta mais prxima do dreno isola-o da porta de controle, reduzindo a capacitncia dreno-porta. Obtm-se, assim, melhor desempenho em altas freqncias.

Fig.

CIRCUITOS INTEGRADOS
Princpios dos circuitos integrados

fl"

As propriedades dos semicondutores, principalmente do silcio, tornam possvel a fabricao de um circuito eletrnico inteiro dentro de um simples cristal. Estes circuitos, denonfinados circuitos integrados (CI), miniaturizam a eletrnica e reduzem a quantidade de componentes nos circuitos mais complexos. Assim acontece porque, na realidade, o circuito integrado completo constitui apenas um componente. A base do desenvolvimento dos integrados que muitos dos componentes eletrnicos, tais como transistores, diodos e resistores, podem ser feitos de silcio, dispondo-se adequadamente as regies tipo n e tipo p. Resta somente posicionar os diversos componentes em um arranjo judicioso, a fim de combin-los, todos, no interior de uma pastilha de cristal. A justaposio desses componentes no interior de uma pastilha ocasiona acoplamento eltrico entre eles. No entanto, possvel isol-los por meio de disposio conveniente das regies tipo p e tipo n. Consideremos, por exemplo, o caso de um resistor de silcio tipo n num cristal tipo p . Obviamente, o resistor fica isolado do cristal pela juno pn que se forma entre ele e a pastilha. O isolamento mais eficiente em cc, devido a capacitncia da juno, que introduz acoplamento de fuga, como, alis, acontece em todas as junespn, mas que levado em considerao no projeto do circuito. Na realidade, essa capacitncia pode tambm servir como capacitor. E possvel, ainda, a obteno de indutores, de pequena indutncia, formados por condutores espiralados; mas, geralmente, o circuito integrado, em si, composto de transistores, diodos e resistores. Os capacitores e indutores necessrios so componentes discretos, conectados separadamente.

Processos de fabricao
Os C1 de silcio so fabricados por processos similares aos utilizados nos transistores planares. A configurao adequada produzida na camada de xido, antes da difuso das impurezas, revestindo-se ela com material fotopolmero especial, que se torna resistente a gravao qumica quando exposto a luz forte. Assim, quando o fotopolmero exposto a luz atravs de uma mscara adequada, as partes no expostas so removidas por dissoluo, deixando a mostra o modelo correspondente no xido, retirado por processo qumico diferente, o que, por sua vez, expe o silcio. Aps a difuso gasosa de impurezas tipos n ou p, a pastilha pode ser reoxidada e, o processo, repetido para o desenvolvimento de uma camada adicional de regies dopadas. O processo fotogrfico produz circuitos integrados extremamente pequenos. A preciso obtida atravs da reduo tica de mscaras, em uma escala ampliada, para

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v,

o
(a) Depleo

(b) Depleo-reforamento

(c) Reforamento
i "

2 (c) reforpmento.
. i

Fig. 5.24~aractersticasde transferncia do FET de (a) depleo, (b) depleo-reforarnento e

<

.
.

&

ig. 5.26 Caractersticas de dreno do MOSFET canal n 2N3797

Pelcula de xido

Camada epitaxial tt

( a ) Cultura epitaxial

( b )Difuso do isolamento

(C)

Difuso da base

( d ) Difuso do emissor

Terra a+b+c

+
?

Resitor

Diodos Transistor ( e ) Metalizao

Resistor

?+

b
Terra

( f ) Diagrama de clrcuito

Fig. 5.28 As etapas de ( a ) a ( e ) do processo de fabricao resultam no circuito integrado completo V).

dimenses microscpicas. Isto significa, tambm, que vrios C1 podem ser fabricados simultaneamente na mesma pastilha de silcio, simplesmente construindo-se uma mscara que tenha o circuito desejado repetidas vezes. Aps a ltima difuso de impurezas, deposita-se uma fina camada metlica (tambm atravs de uma camada de fotopoImero) a fim de interligar os vrios componentes e prover os terminais para as conexes externas. Este processo mais bem entendido seguindo-se as etapas da fabricao de um circuito simples (Fig. 5.28). De incio, uma barra de cristal tipo p exposta a vapor de silcio, contendo tomos de impurezas tipo n . O resultado (Fig. 5 . 2 8 ~ ) uma camada epitaxial tipo n. Epitaxial significa que a camada tipo n tem a mesma estrutura do cristal, como o substrato tipo p . A superfcie oxidada, mascarada e demarcada, e uma difuso tipo p isola as vrias regies n (Fig. 5.28b). Estas etapas esto nas Figs. 5 . 2 8 ~ 5.28. Finalmente, as interligaes so acrescentadas (Fig. 5.28e). e Este processo resulta no circuito cujo diagrama est na Fig. 5.28f, o que pode ser observado atravs da comparao cuidadosa com a Fig. 5.28e. Observe, particularmente, como os resistores e diodos so isolados do substrato tipo p, em cada modelo, pela juno p n . Veja tambm que o smbolo de circuito convencional do transistor npn utilizado no diagrama de circuito. O circuito deste exemplo denominado porta NAO-E (ou NE) DTL,' que ser estudada em detalhe no Cap. 11.

Fig. 5.29 Circuito integrado do amplificador diferencial da Fig. 5.30. (Motorola Semiconductor Products, Znc.)

'N.T. DTL significa lgica diodo-transistor (abrevituara do ingl. diode transistor logic).

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Circuitos prticos
E possvel reconhecer os diversos componentes na micrografia de um circuito integrado prtico (Fig. 5.29). O circuito desta figura, denominado amplificador diferencial, est representado na Fig. 5 . 3 0 ~e~ser analisado no prximo captulo. Observe que as interligaes metlicas aparecem mais claras na micrografia e que, frequentemente, necessrio fazer ziguezagues com os resistores, a fim de se obter a resistncia desejada. Embora esse circuito seja relativamente simples, digno de nota o fato de todos os 12 componentes estarem contidos num pequeno invlucro do tamanho aproximado de um simples transistor (Fig. 5.30b). Existem circuitos muito mais complicados sob a forma de CI, que sero discutidos nas sees subseqentes. Cada circuito desses pode ser, normalmente, empregado

(a) Diagrama de circuito

Fig. 5.30 (a) Circuito do amplificador diferencial e (b) o componente, na prtica.

de vrias maneiras. inclusive associado com outros circuitos integrados para desempenhar funes bastante complexas. E m algumas ocasies, notadamente e m computadores digitais, a associao de vrios circuitos integrados pode s e r feita num nico C I . Tal processo, denominado integrao e m larga escala, ou LSI,' miniaturiza ainda mais o s circuitos eletrnicos e proporciona a vantagem adicional d e ser muito rpida a propagao d o sinal atravs d o circuito. Existe possibilidade d e fabricao d e circuitos L S I contendo mais d e 1000 transistores. A s vantagens d o L S I so mais prontamente conseguidas nos circuitos integrados com M O S F E T , e m virtude de os processos'de fabricao serem mais fceis que no caso d e C1 baseados e m transistores d e juno. Isto se deve estrutura mais simples d o M O S F E T , comparada a desse transistor, e por causa d a versatilidade inerente a s referidas estruturas. E m particular, a simetria complementar d o s C1 com M O S F E T mostram-se muito vantajosas nas aplicaes e m L S I d a eletrnica digital, como ser visto nos captulos seguintes. SUGESTESPARA LEITURA COMPLEMENTAR Leonid V. Azaroff and James J. Brophy: "Electronic Processes in Materials," McGraw-Hill Book Company, New York, 1963. James J. Brophy: "Semiconductor Devices," McGraw-Hill Book Company, New York, 1964. Edwin R. Jones: " Solid-State Electronics," Intext Educational Publishers, Scranton, Penn., 1974. Rodney Bruce Sorkin: "Electronics," McGraw-Hill Book Company, New York, 1970.

5.1 Trace as curvas caractensticas ,diretas das junes pn de germnio e silcio at a corrente de 10 mA. UJilize a equao do retificador e faa I , = 10-% para o germnio e I , = 10-l2 A para O silcio. Que polarizao direta a mais necessria no caso do diodo de silcio para atingir a corrente de 10 mA? Repita para 1 mA. Resp.: 0,4 V; 0,4 V 5.2 Por diferenciao da equao do retificador de diodo de juno, Eq. (5.4), determine uma expresso para a resistncia da juno R = (dI/dV)-'. Se e/kT = 38 V-' na temperatura ambiente, calcule a relao de retificao no potencial de 1 V. Resp.: 5.3 Desenhe o modelo de bandas de energia de um transistor npn em equilbrio e polarizado convenientemente para operao como transistor. 5.4 Calcule e trace as curvas caractersticas de dreno do FET 2N2499, utilizando as Eqs. (5.10) e (5.11). Faa-o calculando I,, e V, a partir da curva V, = O da Fig. 5.21. Compare com a Fig. 5.21. Resp.: 9 mA; 6,6 V 5.5 Calcule e trace as curvas caractensticas de coletor em base comum de um transistor de silcio na temperatura ambiente e para potenciais de coletor at o mximo de 0,5 V. Suponha que O ganho de corrente seja unitrio e que I , = 1 p A . 5.6 Repita o Exerccio 5.5 para.a temperatura de 150C. Suponha que I , aumente de acordo com aEq. (5.5) efaaV, = 0,7 V. 5.7 Calcule a caracterstica de transferncia do FET 2N2499, utilizando a Eq. (5.11). Faa-o usando os valores de I,,, e V, do Exerccio 5.4. Compare com a curva experimental deduzida da Fig. 5.21 com potencial de dreno de 15 V. 5.8 Trace as curvas caractersticas de transferncia experimentais de todos os transistores cujas caractensticas tenso-corrente so dadas nas Figs. 5.11, 5.12, 5.13, 5.21, 5.26, 6.14, 6.28, 7.12 e 7.13. Observe as faixas de tenso e corrente mostradas nesses dados. .
-

'N.T. Abreviatura do ingl. large-scale integration.

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

151

5.9 Para cada dispositivo do Exerccio 5.8, calcule a relao entre a variao na corrente de sada e a variao no sinal de entrada, nas proximidades do meio da faixa. Observe o compromisso da variao da magnitude dessa razo em relao capacidade de fornecer potncia. Resp.: Menor para potncias maiores. 5.10 Compare a razo entre a variao na corrente de sada e a variao na tenso de entrada para o transistor de juno da Fig. 5.12 e para o FET da Fig. 5.21. Faa-o, dividindo o ganho de corrente do transistor de juno pela resistncia da juno de emissor, para converter a corrente de entrada em tenso. Resp.: 41 S; 2,6 + l O P S

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
T
&. \

R [

:,c,,

-c-cq7\

Considera-se o advento da ektrnica a partir da descoberta de que a corrente no diodo a vcuo poderia ser controlada com a introduo de um terceiro eletrodo capaz de tornar o triodo, assim formado, um amplificador sumamente eficaz. As possibilidades dos circuitos eletrnicos foram enormemente expandidas com a inveno do transistor em 1948. Desde ento, uma grande variedade de dispositivos semicondutores tem suplantado, amplamente, as vlvulas a vcuo na maioria das aplicaes. Tanto as vlvulas, que sero estudadas no Apndice A , como os transistores so dispositivos no lineares, e o funcionamento de ambos, em qualquer circuito, determinado por meio de anlise grfica, auxiliada pelas caractersticas tenso-corrente, que descrevem suas propriedades eltricas. A analise dos dispositivos controlados por tenso, tais como o triodo e o transistor de efeito de campo, difere apenas e m detalhes da anlise dos controlados por corrente, como o transistor de jurzo; o principio, no entanto, o mesmo. Alm do mais, em ambos os casos, possvel o desenvolvimento de circuitos equivalentes teis que melhor os representem em analise de circuito.

e-

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

Retas de carga O funcionamento do FET como amplificador pode ser examinado mais facilmente com
auxlio do circuito amplificador elementar, empregando um F E T canal p, mostrado na Fig. 6.1. Nele, o dreno mantido em um potencial negatiGe'iiiTel50 fonte pela bateria V d d ,ao passo que a porta polarizada positivamente pela bateria V,,. As variaes na tenso da porta, resultantes de um sinal de entrada AV,, produzem variaes na corrente de dreno, que so observadas como uma tenso de sinal AV, no resistor de carga R,. O circuito analisado utilizando-se as leis de Kirchhoff de maneira normal, exceto que, em virtude de as propriedades tenso-corrente do F E T no serem lineares, a soluo deve ser obtida graficamente. A equao da tenso no circuito de sada

que pode ser colocada na forma

A Eq. (6.2) determina uma linha reta nas caractersticas de dreno do FET a qual intercepta o eixo das tenses em V d f= V d d O das correntes em I, = Vdd/RI,. , de e Ela fato, a caracterstica tenso-corrente de R , , e denominada retu de cargu.' A reta de carga, juntamente com as caractersticas de dreno, representa duas relaes a duas incgnitas: V, e I , Superpondo-se a reta de carga as caractersticas, como na Fig. 6.2, a corrente de dreno relativa a cada tenso de porta dada pela interseo da reta com a curva correspondente.

~. . . . 4 ~ ~ 4 cat-,k
,

Fig. 6.1 Amplificador simples com FET de canalp.


-ti

Cxs

A &,CL

I ~ I=&--~As,

'N.T. Observe que a inclinao dessa reta

- l/R,.

Reta de carga

02

-n,

,#

I I

to ae; \

. ,.

porta.

Fig. 6.2 O ponto de operao a interseo da reta de carga com a curva de poiarizao de

O p o n t o de operao a interseo da reta de carga com curva caracterstica correspondente a tenso de polarizao de porta. A medida que a tenso de porta varia, acompanhando o sinal de entrada aplicado, observa-se uma excurso para cima e para baixo, ao longo da reta de carga, ocasionando uma variao na corrente I, e na tenso V de modo que a Eq. (6.2) satisfeita a cada instante. Na Fig. 6.2, por exemplo, um , sinal de entrada de 0,4 V provoca uma variao de aproximadamente 0,6 mA na corrente de dreno, o que resulta num sinal de cerca de 6 V na sada, isto , o circuito

amplifica o sinal de entrada -- 15vezes 0.4 Observe que a potncia de entrada muito pequena, devido a corrente de porta ser desprezvel. Ao contrrio, a potncia de sada, que igual ao produto da vanao na corrente pela vanao na tenso de dreno, pode ser aprecivel. Esta potncia fornecida pela bateria que alimenta o dreno (V,,) e controlada pela ao tipo vlvula da porta.
-

Polarizao
O uso de uma bateria para polarizar a porta economicamente impraticvel na maioria dos circuitos. Em vez disso, pode-se obter o mesmo efeito por intermdio de um resistor R, em srie com a fonte (Fig. 6.3), sendo o potencial da porta dado pelo divisor resistivo conectado a fonte de tenso Vdd.Assim, a corrente no resistor R, provoca uma queda de tenso com amplitude e polaridade apropriadas para polarizar reversamente a juno da porta, que mantida a um potencial negativo. Uma das caractersticas deste circuito que, por exemplo, se uma mudana na temperatura ambiente aumentar a corrente de dreno, a queda de tenso sobre o resistor de fonte aumenta a polarizao de porta, que tende a fazer a corrente de dreno retornar ao seu valor

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

Fig. 6.3 Amplificador prtico com FET de canal n , usando polarizao de fonte.

original. Este circuito, portanto, estabiliza a corrente de dreno e o ponto de operao contra influncias externas. Observe que um capacitor de grande valor desvia, do resistor de fonte R,, os sinais devidos as correntes de dreno ca, evitando que eles apaream no circuito da porta. Os capacitores includos na entrada e na sada isolam o amplificador das tenses externas cc que poderiam alterar o ponto de operao. Este ponto determinado atravs da reta de carga, obtida pelo equacionamento das quedas de tenso no circuito de sada,

V,,

I d R L- V d f- Id R,

=O

(6.3)

Uma vez, entretanto, que a tenso de polarizao de porta no conhecida, ao contrrio do circuito mais simples analisado anteriormente, necessria uma outra relao, que pode ser encontrada equacionando-se as quedas de tenso no circuito de entrada,

As duas equaes acima podem ser postas sob as mesma forma. A reta de carga , da Eq. (6.31,

e a reta de polarizao , da Eq. (6.4),

Observe que a Eq. (6.5) similar a (6.2) e que a Eq. (6.6) tem a mesma forma. Estas expresses, juntamente com as caractersticas de dreno, representam trs relaes a trs incgnitas ( V d f ,Id e V P f )e so resolvidas graficamente. A reta de polanzao dada pela Eq. (6.6), superposta a caracterstica de transferncia (Fig. 6.4), determina imediatamente a corrente de dreno e a tenso de porta. A tenso de dreno , ento, encontrada da interseo da curva de polarizao de porta com a reta de carga. Assim, o ponto de operao fica completamente determinado. Um sinal de entrada aplicado porta acarreta variaes correspondentes na corrente de dreno, conforme indica a curva de transferncia da Fig. 6.4. Do mesmo modo que no circuito anterior, essa corrente, atravs do resistor de carga, produz um sinal na sada. Isto est ilustrado graficamente na Fig. 6.4, onde foi traada a reta de carga ca sobre as caractersticas de dreno. Esta reta simplesmente a reta de carga cc da Eq. (6.5) com o resistor de fonte igual a zero, para que seja levada em considerao a ao de curto-circuito do capacitor de desvio nas freqncias do sinal. Observe que um sinal de entrada senoidal resulta em um sinal de sada tambm senoidal e de amplitude maior. A forma deste sinal no exatamente a rplica amplificada da entrada, por causa da curvatura na caracterstica de transferncia. Esta distoro pode ser minimizada por um projeto adequado do circuito e pela escolha apropriada do ponto de operao. Note tambm, na Fig. 6.4, que um acrscimo na tenso

Fig. 6.4 A interseo da reta de polanzao com a caracterstica de transferncia d o ponto de operao do amplificador com polarizao de fonte.

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

de porta provoca um decrscimo na tenso de sada, o que significa a introduo de uma defasagem de 180 entre os sinais de entrada e de sada. Na verso mais simples do circuito da Fig. 6.3, sem o resistor R,, consegue-se um funcionamento bastante satisfatrio. No entanto, como o resistor de fonte deve ser normalmente pequeno para se obter a polarizao de porta correta, o circuito no to bem estabilizado contra variaes no ponto de operao devido a variaes na temperatura ambiente ou no potencial da fonte de tenso. Neste circuito, muitas vezes mais conveniente encontrar o ponto de operao pelo mtodo da "tentativa e erro" do que recorrer ao processo grfico. Isto feito escolhendo-se inicialmente um valor razovel para a polarizao de porta, V,,, e calculando-se Id das caractersticas de dreno. Este valor usado para determinar V,, da caracterstica de polarizao dada pela Eq. (5.6), a fim de comparar com a estimativa original. Se os dois valores concordarem, O ponto de operao estar determinado; caso contrrio, deve-se fazer nova estimativa para V p fe repetir o processo. Normalmente, duas ou trs tentativas so suficientes. E conveniente a medio das tenses nos eletrodos em relao a fonte nos circuitos que empregam polarizao de fonte. Isto particularmente necessrio quando se utiliza mais de um transistor no circuito. E prtica usual referir-se todos os potenciais a um ponto comum denominado terra e considerado eletricamente neutro, de modo que os pontos de terra de dois circuitos distintos podem ser conectados entre si sem influncia na sua operao. O uso tpico do smbolo de circuito para o ponto de terra mostrado na Fig. 6.3, na juno dos terminais inferiores de entrada e sada com O resistor de fonte.

Parmetros incrementais
As amplitudes dos sinais aplicados aos amplificadores com F E T so frequentemente pequenas, em comparao com a faixa total de tenso abrangida pelas caractersticas de dreno. Neste caso, a anlise grfica do desempenho do F E T no precisa, pois as caractensticas citadas no so apresentadas com exatido suficiente. Um procedimento mais satisfatrio substituir o transistor por um circuito equivalente, que pode ser estudado por meio da anlise de circuito convencional. Aps a determinao grfica do ponto de operao, os pequenos desvios ao seu redor, provocados pelos sinais, so tratados como lineares. De acordo com as caractensticas de sada, a corrente de dreno depende tanto da tenso de porta como da tenso de dreno. Uma pequena variao AI, na corrente, em torno do ponto de operao, pode, portanto, ser escrita como

onde AVpf e AVdf so pequenas variaes nos potenciais dos eletrodos, e k, e k,, constantes. A relao AId/Av, pode ser interpretada como a recproca de uma resistncia equivalente denominada resistncia de dreno,

Da mesma forma, a relao hld/AV,, d a variao na corrente de dreno em decorrncia de uma variao da tenso no circuito da porta; tem a dimenso de condutncia, sendo por isto denominada transcondutncia mtua,

158

ELETRONICA BSICA

A variao total na corrente de dreno , das Eqs. (6,7), (63) e (6,9),

Considerando-se, agora, que esses pequenos desvios em torno do ponto de operao sejam sinais ca, a Eq. (6.10) torna-se

Esta expresso pode ser interpretada como a equao do circuito de um gerador de corrente em paralelo com um resistor, como na Fig. 6.5, de modo que a soma das correntes no n superior d a expresso diretamente. A Fig. 6.5 o circuito equivalente ca do FET. Observe que ele tem a configurao de um equivalente Norton, discutido no Cap. 1, o que est em concordncia com as propriedades de corrente constante das caractersticas de dreno desse transistor. A transcondutncia mtua e a resistncia de dreno so denominadas parmetros incrementais ou de pequenos sinais. A transcondutncia mtua a inclinao da caracterstica de transferncia no ponto de operao, e a resistncia de dreno a recproca da caractenstica de dreno no mesmo ponto. Alguns valores tpicos desses parmetros esto relacionados na Tabela 6.1, podendo-se comparar os tipos de F E T apresentados. No entanto, possvel a obteno de uma faixa de parmetros um tanto ampla, projetando-se adequadamente o circuito, pois, na realidade, como o F E T um dispositivo no linear, os valores dos parmetros incrementais dependem da corrente de dreno cc (Fig. 6.6). Por esta razo, necessrio, normalmente, a determinao de g, e r, no ponto de operao. De acordo com a Fig. 6.6, podem-se obter variaes bastante significativas nesses parmetros, escolhendo-se o ponto de operao. Este importante no projeto de circuitos com FET, onde houver necessidade de desempenhos especficos. E ilustrativo analisar o amplificador simples da Fig. 6.3 por meio da tcnica do modelo incremental equivalente. De acordo com a Fig. 6.5, o circuito equivalente do amplificador obtido substituindo-se o F E T por um gerador de corrente constante em

g.-v
id

v.
1

Fig. 6.5 Circuito equivalente ca (modelo incremental) do FET.

paralelo com um resistor (Fig. 6 . 7 ~ ) Observe que o terminal da porta no conectado . ao restante do circuito equivalente. Isto decorre da resistncia de entrada muit alta da juno da porta polarizada inversamente. Neste circuit&,'no entanto, no est sendo considerada a capacitncia da juno, e, assim, o modelo s vlido em freqncias

--

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

Tabela 6.1 Parmetros incrementais do FET


Tipo 2N5484 2N5268 2N3797 3N157 FET de canal n F E T de canal p MOSFET de canal n (depleo) MOSFET de canalp (reforamento) 2.000 1.700 2.300 2.000 50.000 15.000 40.000 17.000

/-.
e

suficientemente baixas para que sua reatncia possa ser desprezada. Este assunto ser tratado mais exaustivamente no Cap. 7. Da mesma forma, normalmente se supe que as reatncias dos capacitores de acoplamento e do capacitor de desacoplamento da fonte sejam desprezveis nas freqncias do sinal de interesse. O circuito equivalente mais simples da Fig. 6.7b baseado nessas suposies. A despeito das aproximaes feitas, mostra-se um modelo til do amplificador real para muitas finalidades.

i,, mA
:

.
corrente de

Fig. 6.6 Variao dos parmetr&sincrementais do FET de canalp tipo 2N5268 com dreno.

Fig. 6.7 (a) Circuito equivalente ca do amplificador com FET da Fig. 6.3 e (b) versa0 simplificada, supondo as reatncias capacitivas desprezveis.

A queda de tenso na associao em paralelo das resistncias de carga e de dreno nos fornece, imediatamente, o sinal de sada

A relao entre os sinais de sada e de entrada denominada ganho do amplificador.


Como a tenso de porta igual ao sinal de entrada, o ganho

Caso a resistncia de dreno seja muito maior que o resistor de carga, o que acontece com muita freqncia, a Eq. (6.13) se reduz a

De acordo com a Tabela 6.1, pode-se esperar um ganho de 7.000 x 2.000 x 10-6 =14, aproximadamente. O valor mais preciso calculado aps determinao da

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

161

transcondutncia mtua no ponto de operao. O sinal negativo na Eq. (6.14) representa a defasagem de 180 entre os sinais de entrada e de sada, como j foi discutido anteriormente. Uma caracterstica importante do amplificador com F E T a elevada impedncia de entrada, que, na Fig. 6.7b, essencialmente igual a R,,. E tambm de interesse a impedncia de sada, que igual ao resistor de carga se a resistncia de dreno for grande, como suposto na deduo da Eq. (6.14).

AMPLIFICADORES COM FET Seguidor de fonte


No circuito amplificador simples, a fonte comum aos terminais de entrada e de sada, para os sinais ca. Esta configurao, a mais comum, denominada fonte comum. Outra configurao possvel a do amplificador de dreno comum da Fig. 6.8. O resistor de carga de dreno foi omitido e , agora, o sinal de sada a tenso no resistor de fonte. Observe que, neste arranjo, o dreno est no potencial de terra para os sinais a, S sendo comum ~ O circuitos de entrada e de sada; no entanto, o dreno permanece em um potencial cc em relao a fonte e a terra. A polarizao de porta feita atravs de R,, sendo o ponto de operao determinado da mesma maneira que no amplificador de fonte comum. O circuito normalmente denominado seguidor de fonte, porque o sinal de sada, na fonte, segue de perto o sinal na porta. O circuito equivalente do seguidor de fonte est mostrado na Fig. 6.9a, para comparao com a Fig. 6.8, e rearranjado, para maior clareza, na Fig. 6.96. A sada dada

Fig. 6.8 Amplificador seguidor de fonte.

pela queda de tenso na associao em paralelo de r , com R, e R, em srie

Fig. 6.9 (a) Circuito equivalente do amplificador seguidor de fonte e (b) o mesmo circuito em outra disposio.

onde a aproximao se justifica em virtude de, na prtica, a resistncia de dreno ser muito maior que R, + R, e de R, ser, por sua vez, muito maior que R,. O sinal na porta igual ao de entrada menos a tenso no resistor de fonte

onde v, , mais uma vez, considerado grande, em comparao com R, + R, Resolvendo-se a Eq. (6.16) em relao a v,e substituindo-se na Eq. (6.15), resulta em

a aproximao se aplica para g , R, P 1 , o que geralmente acontece. De acordo com a Eq. (6.17), o sinal de sada segue o de entrada, de modo que o nome seguidor dr fonte realmente apropriado. Embora o ganho de tenso seja apenas unitrio, o ganho de potncia elevado, pois a tenso de fonte reproduz o sinal de entrada num circuito de resistncia mais baixa. A potncia do sinal ca proporcional ao quadrado da tenso dividido pela resistncia, de modo que a amplificao grande, podendo o circuito fornecer potncia aprecivel carga. Como a tenso de sada est includa no circuito de entrada e nele se ope ao

--~

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

163

sinal, a impedncia de entrada efetiva muito grande; muito maior que, digamos, R,. Acontece, tambm, que a impedncia de sada muito baixa; muito menor que R, + R,. Assim, o seguidor de fonte um amplificador casador de impedncia, com alta impedncia de entrada e baixa impedncia de sada, e, por este motivo, bastante til, tanto na entrada como na sada dos circuitos amplificadores multiestgios. Este aspecto ser explorado quantitativamente no Cap. 8. Alm disso, a Eq. (6.17) mostra que o desempenho do circuito relativamente insensvel a variaes em seus parmetros ou nos incrementais do FET, contanto que a resistncia de dreno e a transcondutncia mtua sejam suficientemente grandes para que as aproximaes permaneam vlidas.

Voltmetro a FET
A amplificao e a elevada impedncia de entrada do F E T resultam em um voltmetro eletrnico sensvel, quando usado com um miliampermetro de dlArsonval comum. O seguidor de catodo balanceado, com o medidor conectado entre os terminais de fonte, mostrado na Fig. 6.10, um circuito bastante empregado. A tenso a ser medida aplicada em uma das portas, enquanto a outra, no utilizada, aterrada. Observe que esto sendo usados FET canal p, embora seja igualmente possvel a utilizao de transistores canal n. Em Grtude de o seguidor de fonte apresentar alta impedncia na entrada e baixa na sada, este circuito particularmente til como voltmetro.

Fig. 6.10 Voltmetro eletrnico a FET

-. quiescente
-

O balanceado possibilita conveniente para o medidor - sonval circuitoresulta em deflexo nulaconexosinal de entrada, ainda que a de d'Arsem corrente e que em cada FET seja diferente de zero. Alm do mais, a simetria do circuito mantm a estabilidade de desempenho contra variaes nos componentes causadas por envelhecimento. Na realidade, o circuito pode ser visto como uma ponte contendo um FET em cada um dos dois braos e com os resistores de fonte nos outros dois. Uma tenso cc aplicada a porta altera a resistncia do F E T e desequilibra a ponte. O circuito pode ser analisado, usando-se circuitos equivalentes, da maneira usual. O resistor ajustvel R, em srie com o medidor um resistor de calibrao e , o potencimetro R,, o ajuste de balanceamento, que corrige as menores assimetrias no

, i

--

FET ou nos outros componentes. O circuito balanceado ajustando-se R, para corrente zero no medidor, com tenso nula na porta. Nos instrumentos comerciais, a porta de entrada conectada a resistores multiplicadores, a fim de se obter desempenho em faixas mltiplas, como no caso do V O M . No entanto, os resistores so de maior valor nos instrumentos eletrnicos, por causa da maior sensibilidade destes. Uma caracterstica de interesse a mais que a corrente mxima no medidor, que ocorre quando um dos FET est completamente cortado, no danifica o instrumento. Em conseqncia, o movimento do medidor no prejudicado, mesmo que a entrada seja inadvertidamente conectada a fontes de tenso muito maiores que o valor de fundo de escala. Os instrumentos comuns possibilitam medio ca, com a incluso de um circuito retificador a diodo, discutido em captulo anterior. A alta impedncia de entrada do seguidor de fonte ideal para medir a sada do retificador. Alm de tenses ca e cc, a maioria dos instrumentos tambm mede resistncia com u m circuito de ohmmetro similar ao discutido no Cap. 1 . Mais uma vez, o voltmetro a FET utilizado como indicador, permitindo uma faixa de operao bastante ampla. Por exemplo, instrumentos razoavelmente baratos so capazes de medir resistncias de 1 a 100 M a . A verso anterior deste circuito, empregando um duplo triodo, denominada voltmetro a vlvula ou VTVM.'

Amplificador com MOSFET As configuraes de circuito dos amplificadores com MOSFET so bem semelhantes as dos FET de juno, particularmente no caso dos MOSFET de depleo, uma vez que o sentido da polarizao da porta , frequentemente, o mesmo do FET. Circuitos similares se aplicam a MOSFET de reforamento, contanto que os parmetros de circuito sejam tais que a polarizao de porta tenha a mesma polaridade que o dreno e . a amplitude exceda o limiar da tenso de porta. As propriedades do MOSFET modo de reforamento permitem que o circuito amplificador particularmente simples da Fig. 6.11 seja til em muitas aplicaes. A polarizao de porta obtida conectando-se a porta ao dreno por meio de um resistor de grande valor. O ponto de operao determinado observando-se o ponto da reta de

Fig. 6.11 Amplificador simples com M O S F E T modo de reforamento.


'N.T. Abreviatura do ingl. vaccuum-tube voltmeter.

I-

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

carga em que as tenses cc de dreno e porta so iguais. A anlise do circuito, e m seguida, utilizando-se o equivalente ca, o prximo passo. O resistor de polarizao de porta conectado ao dreno, e no a fonte de tenso, a fim de estabilizar o ponto de operao contra variaes externas. Se, por exemplo, a corrente de dreno cair ligeiramente, a queda de tenso no resistor de dreno diminuir, aumentando a polarizao de porta, o que, uma vez, tende a fazer a corrente retornar ao seu valor original. Esta estabilizao semelhante a conseguida pelo resistor de polarizao de dreno na configurao de polarizao convencional pela fonte. As tenses de sinal do circuito de dreno so realimentadas para a entrada atravs do resistor de polarizao de porta. Esta caracterstica desfavorvel normalmente pode ser desprezada, porque as impedncias das fontes de sinal so pequenas em comparao com o referido resistor. de modo que os sinais realimentados a entrada so reduzidos na mesma proporo.

AMPLIFICADOR COM TRANSISTOR DE JUNO Circuitos de polarizao A juno de emissor de u m transistor necessita ser polarizada diretamente e , a de coletor, inversamente. Consideremos, por exemplo, o amplificador simples de emissor comum da Fig. 6.12, no qual a corrente de polarizao de base fornecida atravs do resistor R, e dada por V.,/R,, em virtude de a resistncia direta da juno do emissor ser muito pequena. Como a corrente de coletor , aproximadamente, P I O , o ponto de operao fica completamente determinado. No entanto, o ganho de corrente depende do ponto de operao, e , assim, deve-se, para maior preciso, traar a reta de carga correspondente a R, sobre as caractersticas de coletor apropriadas, como, por exemplo, as da Fig. 5.12. A interseo da reta de carga com a curva da corrente de base, calculada de I , = V,,/RB, o ponto de operao. Este circuito de polarizao simples no , em geral, satisfatrio, pois o ponto de operao varia drasticamente com a temperatura. A comparao entre as caractersticas de coletor e m temperatura elevada (Fig. 5.13) e aquelas temperatura ambiente (Fig. 5.12) revela que a corrente de coletor muito maior em temperaturas mais eleva-

Entrada

E ,
1

Sada

Fig. 6.12 Amplificador de emissor comum simples.

das. Como, neste circuito, a corrente de base fixa, h possibilidade de o ponto de operao se deslocar para uma regio inaproveitvel das caractersticas do transistor. Obtm-se um circuito de polarizao mais satisfatrio com a incluso de um resistor de emissor, conforme est indicado na Fig. 6.13a. A queda de tenso em R, tende a polarizar inversamente a juno de emissor, e o divisor de tenso composto por R, e R, fixa a tenso de base, de modo que o potencial base-emissor a polariza diretamente. A vantagem deste circuito que um aumento na corrente de coletor aumenta, por sua vez, a queda em R,, de modo que a corrente de base reduzida, como no caso do FET. O p ~ t g - d e o p _ r ~ gquiescente obtido da seguinte maneira: primeiramente, determina-se a reta de ,czrga, a partir do equacionamento do circuito de sada, com a aplicao da lei de Kil-chhoff das tenses.

, ,

7v v ,= 12: ,

I,

2N338

Sada

, -

Fig. 6.13 ( a ) Circuito prtico de polarizao de transistor. Note que est sendo usado o transistor npn tipo 2N338. O circuito aplica-se igualmente ao tipo pnp se a polaridade de V,, for invertida. (b) Circuito equivalente cc usado para a determinao do ponto de operao.

Em seguida, obtm-se a reta de polarizao, equacionando-se, da mesma forma, o circuito de entrada,

Na determinao das Eqs. (6.18) e (6.19), foi suposto, por simplicidade, que I, = I,. Traando-se a reta de polarizao sobre a caracterstica de transferncia, o ponto de operao fica determinado, pois, como no FET, a interseo delas. Na realidade, as caracteristicas de transferncia do transistor de juno so to lineares que mais fcil usar uma expresso analtica simples para a sua obteno,

/-

/-

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

167

onde h,,, denominado gunho de corrente cc, geralmente especificado pelo fabricante, mas, em todo caso, pode ser estimado diretamente das caractersticas de coletor. Substituindo-se a Eq. (6.20) na (6.19) e resolvendo-se a expresso em relao corrente de base.

I,

T/eq
R,,

&e

+~FERE

Conhecendo-se I, e I,., o valor de V,, pode, ento, ser calculado a partir da Eq. (6.18), ficando o ponto de operao completamente determinado. Observe que V,, pode ser considerado constante e igual a 0,2 V para os transistores de germnio e igual a 0,6 V para os de silcio, como pode ser observado nas caractersticas diretas das junes p n da Fig. 4.2. O ponto de operao do amplificador em emissor comum da Fig. 6.13, determinado atravs deste processo, est indicado nas caractersticas da Fig. 6.14.

Fig. 6.14 Ponto de opera@-o do circuito da Fig. 6.13, usando as caractersticas de coletor de

emissor comum.

\.
Para se projetar um circuito abjificador transistorizado, como,o da Fig. 6.13, necessrio, inicialmente, escolher o pxto de operao desejado. E melhor faz-lo aps consulta as folhas de especificaes para ekcolha do tipo de transisobter o ganho necessrio (v. a tor. Em seguida, o valor de RL anlise na prxima seo) e atender as considera s sobre a impedncia de sada. Para o divisor resistivo de R, e R, no reduzir s e r i a 3 t e a amplificao, R,, deve ser maior que a impedncia de entrada do transistor por ur$ Tator de 5 ou 10. O resistor de emissor deve ser escolhido de modo gua R, = R,,/5, Ia'ara assegurar estabilidade satisfatria ao ponto de operao. Portanto, ai'fsn~e_k,fk'nso cc necessria V,, = Ic(RL

R,) + V,,. O valor de R,, escolhido acima, juntamente com as Eqs. (6.18) e (6.19), d um conjunto de equaes simultneas que permitem a obteno de R, e R,, o que completa o projeto. Deve ter ficado claro, aps esta descrio sucinta, que o projeto de um circuito com transistor no fica completamente determinado pelas necessidades usuais especificadas adiante. Por este motivo, foram desenvolvidos muitos circuitos diferentes, cada um para otimizar uma determinada necessidade caracterstica: ganho, corrente mnima, estabilidade do ponto de operao etc.

Circuito equivalente T
As caractersticas eltricas do transistor de juno podem ser representadas por um circuito equivalente T (Fig. 6.15), que corresponde a configurao base comum j ilustrada na Fig. 5.10. Neste equivalente, o gerador de corrente constante ai, est em paralelo com a resistncia da juno de coletor r,, que o inverso da inclinao das curvas caractersticas de coletor e , na prtica, da ordem de 1 a 10 M a . A resistncia de emissor r, a resistncia direta da juno, que igual a 26 0, para corrente de polarizao de 1 mA. A resistncia de base devida a duas fontes: a resistncia hmica da regio de base (que pode ser aprecivel, j que a base bastante fina) e ao efeito de realimentao entre coletor e base. A origem deste efeito a diminuio da regio de base com o alargamento da juno de coletor, devido a tenso neste ltimo. O valor tpico para essa resistncia 500 a. O equivalente T dos transistores utilizado em anlise de circuito de maneira anloga a do equivalente ca do FET. O equivalente T particularmente apropriado em virtude de seus parmetros serem diretamente relacionados com a estrutura fsica

Fig. 6.15 Circuito equivalente T do transistor.

bsica do transistor. Observe que ele envolve uma ligao direta, entre os terminais de entrada e de sada, que difere do FET, podendo ser ilustrado explicitamente a o se resolver o circuito da Fig. 6.15 em relao as vrias tenses e correntes. Aplicando-se as leis de Kirchhoff,

Resolvendo-se em relao a i, e v,,,

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

169

u,b = [ r ,

+ ( 1 - a)rb]ie+ rb ucb r,
-

onde foi utilizada a aproximao r, r,. Assim, so necessrias duas equaes para descrever o funcionamento do transistor, ao passo que apenas uma suficiente para o FET. Na realidade, a Eq. (6.23) bastante anloga a expresso correspondente do FET, podendo ser comparada com a Eq. (6.11). A outra relao, Eq. (6.24),indica que a tenso de entrada depende da tenso de sada v,,, bem como da corrente de entrada i,. Isto resultado direto da conexo entre a entrada e a sada no transistor.

r4

Parmetros hbridos
Embora o circuito equivalente T seja um modelo satisfatrio para o transistor, um pouco difcil a determinao dos diversos parmetros-resistncia por meio de medidas diretas nos transistores reais. Por esta razo, o circuito equivalente formado com parmetros hbridos mais comumente utilizado em anlise de circuitos. Esta representao pode ser ilustrada escrevendo-se as Eqs. (6.23)e (6.24)na forma

onde os diversos h so os parmetros hbridos. O significado dos ndices nos parmetros h o seguinte: as letras i, r, f'e o referem-se, respectivamente, aos termos entrada (input), reverso, direto ( f o r ~ 7 a r d e sada ( o u t p u t ) , e podem ser compreendidas ) examinando-se o significado de cada coeficiente nas Eqs. (6.25) e (6.26). A letra b indica a configurao base comum, para a qual estas equaes foram desenvolvidas. Esta designao distingue esses parmetros, discutidos abaixo, dos referentes a emissor e coletor comuns. A Tabela 6.2 apresenta um sumrio dessas notaes.
Tabela 6.2 Notao dos ndices dos parmetros h
ndice
I

Significado Parrnetro de entrada Parrnetro inverso Parmetro direto Parmetro de sada Emissor comum Base comum Coletor comum

f
o

e b
C

De acordo com a Eq. (6.26), possvel determinar h,, da relao entre a tenso emissor-base e a corrente de emissor, ~ , , / i , ,com o coletor em curto para a terra, de modo que v,, L O. Da mesma forma. utilizando-se a Eq. (6.25), a relao entre as correntes de coletor e de emissor, i,/&, com o coletor em curto, d h,. Quando o

I u ~ emissor est em circuito-aberto, i, = O, de modo que h,, = u ~ ~ e ho6=i~c / ~ e b . Observe que as condies v,, = O e i, = O se referem a sinais ca; os potenciais cc so mantidos, a fim de polarizarem adequadamente o transistor. Em virtude da pequena resistncia de emissor e da elevada resistncia de coletor do transistor, fcil conseguir um emissor em circuito-aberto ou um coletor em curto-circuito para sinais ca, enquanto se mantm as tenses cc desejadas. Deste modo, os parmetros incrementais h podem ser medidos usando-se pontes ca. A grande virtude dos parmetros hbridos o fato de poderem ser medidos diretamente com relativa facilidade. O circuito equivalente hbrido, representando a confgurao base comum, est mostrado na Fig. 6.16 e foi construdo a partir da inspeo das Eqs. (6.25) e (6.26). Aplicando-se a lei de Kirchhoff a malha de entrada, obtm-se diretamente a Eq. (6.26). O equacionamento da malha de sada d

.
Resolvendo-se em relao a i,, a Eq. (6.25) obtida. Em conseqncia, este circuito equivalente modela a operao do transistor de acordo com as Eqs. (6.25) e (6.26), que so, por sua vez, baseadas nos processos fundamentais associados com as junes p n na estrutura dos transistores.
C

+
1

Fig. 6.16 Circuito equivalente hbrido (modelo incremental) de base comum.

__

A ligao direta entre a entrada e a sada no assim to evidente no modelo hbrido como no equivalente T. Observe, no entanto, que o gerador de tenso h,,v,, no circuito de entrada depende da tenso coletor-base e que o gerador de corrente h$, no circuito de sada inclui a corrente de emissor. Ento, a entrada e a sada esto realmente acopladas. De acordo com a Fig. 6.16, h,, representa uma resistncia e h,,, uma condutncia, ao passo que h,, e hfbso adimensionais. Estes parmetros representam entidades fsicas diferentes e, por isso, so chamados de hbridos. As relaes entre os parmetros h e os do equivalente T podem ser determinadas diretamente comparando-se a Eq. (6.25) com a (6.23) e a Eq. (6.26) com a (6.24), e esto condensadas na Tabela 6.3, juntamente com os valores tpicos dos parmetros. A configurao emissor comum mais amplamente utilizada do que a base comum. Embora seja possvel reformular o circuito equivalente apropriado base comum para que se aplique ao caso emissor comum, mais conveniente empregar a mesma forma e ajustar os parmetros do circuito para esta configurao. As relaes entre os parmetros h em emissor comum e os correspondentes em base comum sero desenvolvidas na prxima seo. Os parmetros hbridos dependem do ponto de operao, bem como do tipo particular de transistor. As folhas de especificao do fabricante normalmente especificam os parmetros h para a confgurao emissor comum ou base comum. As relaes da

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

Tabela 6.3 podem ser usadas para determinar os outros parmetros, se necessrio. Alm do mais, a variao destes com o ponto de operao tambm, usualmente, especificada, de modo que podem ser feitas as correes devidas.
Tabela 6.3 Relaes entre os parmetros dos transistores
Emissor comum Emissor comum
h,, = h,? =
I , =

Base comum
h,bl(l + h ~ h ) hib h,b/(l + h,b) - hrb - hJh/(l + hJh) h o b / ( l+ hfb) 31
- h,,

Coletor comum
h,, 1 - hrr - ( I + hJc) h,,
- h,,lhfi h,c - - h , c h o c / h ~ c - (1 + hJC)ihfc - hec/hJc

Equivalente T
rh + r e / ( l - a ) r , / ( l - 47, a/(l - a ) l / ( l - a)rc

hn, =

1400 ohms 3 , 4 x 10-4 44 27 x 10W siemens h z e i ( l+ h,?) h,,ho,/(i +h,,)

Base comum

h,, = h,, =
=

ohms siemens

+
h O e l ( l+ h,<) h,, I - hre - (1 !iJe)

10-~ -0,98

L
Coletar -- comum

0,6 x 10P

re + (1 - u)rb rh/rc -a l/r,


rb + T A a ) I - rJ(1 - a)rc -l/(l - a ) l / ( l - a)rc

h,< = h,, = h,, =

L
Equivalente T

hCh/(l+ llJh) 1 - b ( 1 + hlh) ' ~ h / ( '+

1400 ohms 1,o -45 27 x 1 0 F siemens

a = r, =
r, =
?h

h ~ ~ /+ h,') ( l (hle + l ) / h o e h,C lho, hic - hre(l + hle)/hOe

(1 + hfC)/hfc -hfi/h,, hib - ( I + h ~ h ) ~ ~ b (1 - hrz)/hoc l~~b hCc h,(l - h,,)/h,, h,blhoh


-'~h)/~~h

- hfb

0,98
1,7 x 106 ohms 13 ohms 830 ohms

Corrente de emissor, rnA

Fig. 6.17 Variao dos parmetros hbridos com a corrente de emissor.

Na Fig. 6.17 so apresentados valores ilustrativos dos parmetros h de emissor comum e a variao destes valores com a corrente de emissor. Observe que o ganho direto de corrente hfe e o fator h,, de amplificao de tenso reversa so sensivelmente constantes, ao passo que a resistncia de entrada h,, e a condutncia de sada h,, variam consideravelmente. As duas medidas mais indicativas da qualidade do transistor so o ganho de corrente em emissor comum h,, e a condutncia de sada em base comum hob.E desejvel que os valores do ganho de corrente sejam grandes, a fim de se conseguir amplificao mxima. Observe que hfe e P , da maneira como foram definidos anteriormente, so dois smbolos comumente utilizados para representar as mesmas quantidades. Os valores de hObdevem ser pequenos, pois a resistncia de sada ser grande e, o efeito de realimentao, pequeno. Um pequeno h,, implica em grande valor de resistncia de coletor (compare na Tabela 6.3). Assim, os dois parmetros mais importantes, h, e h,,, revelam a qualidade da juno de emissor, da regio de base e da juno de coletor.

CIRCUITOS COM TRANSISTOR DE JUNAO Emissor comum


O circuito completo de um amplificador prtico em emissor comum, utilizando um transistor npn, mostrado na Fig. 6.18. Os capacitores C, e C2 de acoplamento de entrada e sada deixam passar os sinais ca e asseguram ao ponto de operao cc manter-se independente das condies da fonte de sinal e da carga. O capacitor de desacoplamento CE desvia os sinais ca do resistor R, de polarizao de emissor.

.I
e

L
I

<
/

.->

\\

.$
i

Fig. 6.18 Amplificador prtico de emissor comum, usando o transistor npn tipo 2N930.

Supondo-se que a reatncia de todos os trs seja desprezvel, o modelo incremental, para o circuito da Fig. 6.18, utilizando-se os parmetros hbridos, o da Fig. 6.19. Observe que tem a mesma forma que o da configurao base comum da Fig. 6.16. As relaes entre os parmetros h desta configurao e os de emissor comum podem ser desenvolvidas escrevendo-se, inicialmente, as equaes de circuito referentes a Fig. 6.19,

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

173

i,

= h f eib

+ h,, v,,

Obe = hie

onde os ndices dos parmetros h so os da Tabela 6.2. As relaes correspondentes de base comum, Eqs. (6.25) e (6.26), podem ser colocadas nesta forma com auxlio das seguintes relaes gerais:
Vbe

+ + vcb= 0 i, + i, + i, = O
V,,

(6.30) (6.31)

Fig. 6.19 Circuito equivalente hbrido do amplificador da Fig. 6.18.

!
L

que se aplicam a todas as configuraes. Utilizando-se (6.30) e (6.31) para eliminar i, e v,,, (6.25) e (6.26) podem ser postas na forma
1,

-h,b . I,+ I+h,,

hob 1+h,,
-

'c r

Ube =

h,, + h,, i, + (

hrb)vce

Na determinao dessas duas equaes, foi feita a suposio de que hTbe hOb fossem pequenos. Comparando-as com as Eqs. (6.28) e (6.29), pode-se verificar a validade do circuito equivalente da Fig. 6.19 e , tambm, obter as relaes entre os parmetros h de emissor comum e os de base comum, que esto condensadas na Tabela 6.3 O desempenho do amplificador pode ser examinado analisando-se o modelo incremental. A tenso de sada obtida diretamente, pois a queda devida a corrente na associao em paralelo de llh,, e R,

A aplicao da lei de Kirchhoff ao circuito de entrada acarreta

v, = h;, ib

+ h,, v,

Resolvendo-se esta equao em relao a i,, e substituindo-se este valor na Eq. (6.34), obtm-se o ganho de tenso

Comparando-se os parmetros h com os do equivalente T da Tabela 6.3, pode-se ver que h,, pequeno e h,, RL e 1. Portanto, a Eq. (6.36) pode ser aproximada por

De acordo com a Eq. (6.37), o ganho de tenso , aproximadamente, igual ao ganho direto de corrente do transistor versus a relao entre as resistncias de carga e de entrada. Logo, o ganho de tenso do amplificador em emissor comum elevado, pois esses fatores so grandes. O sinal negativo significa que os sinais de entrada e de sada esto defasados de 180. O transistor um dispositivo controlado por corrente, e o ganho de corrente, que a relao entre a corrente de sada e a de entrada, tambm importante. A corrente de sada determinada da Eq. (6.34).

O efeito de R,, do circuito de polarizao foi suposto desprezvel por simplicidade, de modo que o ganho de corrente

Mais uma vez, aqui, hOrRL 1 ;assim, o ganho aproximado justamente h,. A resistncia de entrada a relao entre a tenso e a corrente nos terminais de entrada,

Empregando-se a Eq. (6.34),

Para se chegar Eq. (6.40), usou-se a Eq. (6.35), e , novamente, o efeito de R,, foi desprezado; mas, se necessrio, pode ser considerado, calculando-se sua associao em paralelo com R,. O segundo termo da Eq. (6.40) , normalmente, desprezvel, de modo que a resistncia de entrada aproximadamente h,,. Note, entretanto. que o seu valor exato depende da carga R,. Isto mostra o acoplamento entre os terminais de entrada e sada, inerente aos transistores. Devido a este acoplamento, a resistncia de sada do amplificador inclui a resis-

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

175

tncia interna da fonte (gerador) de sinais. A resistncia interna efetiva do amplificador, vista dos terminais de sada, pode ser determinada usando-se o circuito equivalente Thvenin. A resistncia interna equivalente neste circuito a relao entre a tenso de circuito aberto (RL = m) e a corrente de curto-circuito (RL = O). Assim,'

O numerador a Eq. (6.34), com R, = m , e o denominador vem da malha de sada da Fig. 6.19. A lei de Kirchhoff aplicada malha de entrada d

onde v, e R, so, respectivamente, a tenso e a resistncia interna do gerador de sinais. A Eq. (6.42), resolvida em relao a i,. pode ser usada para o clculo de (i,),,, com a substituio de v, dado pela Eq. (6.34). Analogamente, fazendo-se v, = O na Eq. (6.42), obtm-se (i,),,. Substituindo-se estes valores na Eq. (6.41), o resultado a expresso da resistncia de sada do amplificador:

Com o mesmo grau de aproximao anterior, a resistncia de sada Ilh,,, que um valor normalmente elevado.
Tabela 6.4 Valores aproximados dos parmetros dos amplificadores transistorizados*

--

Configurao de circuito Emissor comum Base comum Coletor comum

Ganho de tenso
280 280 1
=

Ganho de corrente
-

Resistncia de entrada, R
-

Resistncia de sada, R 4 x lo4 1,9 x 106 22

47 0,98 48
=

1.700 35 5 x lo5

*Usando a Fig. 6.17 com I,

2 mA; R,

104 R.

Em suma, o amplificador de emissor comum tem ganho de tenso e de corrente, resistncia de entrada pouco elevada e resistncia de sada grande. Em virtude destes valores favorveis, o circuito mais comumente utilizado. Na Tabela 6.4 so mostrados os valores desses importantes parmetros, calculados a partir da Fig. 6.17 com a corrente de emissor igual a 2 mA. As diversas aproximaes feitas anteriormente foram usadas na preparao da tabela acima.

Base comum
i

A Fig. 6.20 mostra um circuito amplificador de base comum tpico, utilizando transistor npn. A comparao cuidadosa desta configurao com a de emissor comum (Fig. 6.18) revela que a topologia de polarizao idntica. Em conseqncia, as considera'N.T. A fim de se evitar confuso, sero mantidos os smbolos oc (do ingl. open-circuit) e sc (do ingl. shortcircuit) para circuito-aberto e curto-circuito, respectivamente.

es sobre a polarizao e as tcnicas de determinao do ponto de operao anteriores tambm se aplicam aqui. O capacitor C, desacopla o resistor de base R,, e a baixa impedncia da bateria desvia os sinais ca do resistor R,. Conseqentemente, estes resistores no so representados no circuito incremental, no qual deve ser empregado o modelo da Fig. 6.16. As propriedades deste circuito podem ser obtidas diretamente por comparao da Fig. 6.16 com o equivalente hbrido de emissor comum da Fig. 6.19. Os dois so idnticos em forma, de modo que os resultados encontrados anteriormente para os ganhos de tenso e corrente [Eqs. (6.36) e (6.39)] e para as resistncias de entrada e de sada [Eqs. (6.40) e (6.43)] so aplicveis, bastando substituir os parmetros h pelos de base comum. Observe, tambm, que R, e i, devem substituir, respectivamente, R,, e i, na converso daquelas equaes para as da configurao base comum.

Fig. 6.20 Amplificador de base comum. Observe que o circuito de polarizao idntico ao de emissor comum.

O ganho de tenso aproximado , neste caso, -h&,/h,,, que pode ser elevado, mas somente se R, for muito grande, pois o ganho de corrente -h,, que aproximadamente unitrio. Note que h, uma quantidade negativa (Tabela 6.3), de modo que os sinais de entrada e sada esto em fase. A resistncia de entrada h,, aproximada muito baixa porque , essencialmente, a resistncia da juno do emissor polarizada diretamente. Ao contrrio, a resistncia de sada llh,,, por ser a resistncia da juno do coletor polarizada inversamente, muito alta. Esta grande disparidade entre as resistncias de entrada e de sada faz com que o circuito de base comum seja menos popular que o de emissor comum, exceto em aplicaes especiais. Um resumo das propriedades do amplificador de base comum est apresentado na Tabela 6.4.

Seguidor de emissor
O amplificador de coletor comum da Fig. 6.21 mais frequenteme-e chamado de seguidor de emissor, em virtude da sua semelhana com o seguidor de fonte. Aqui, tambm, as consideraes sobre polarizao so idnticas as discutidas anteriormente, e o modelo incremental tem a mesma forma dos circuitos equivalentes hbridos de emissor e base comuns. As relaes entre os parmetros h de coletor comum e os das outras configuraes so encontradas atravs de anlise de circuito idntica a usada acima e esto compiladas na Tabela 6.3. As propriedades do circuito so obtidas diretamente das relaes anteriores, aps as substituies devidas. Os valores dos parmetros hbridos de coletor comum so tais que o ganho de tenso unitrio. Alm do mais, o sinal de sada est em fase com

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

177

---

a entrada. O ganho de corrente aproximado, -hfc, elevado. Se o efeito de R,, puder ser desprezado, a resistncia de entrada ser simplesmente -h, R,, e , em consequncia, a impedncia de entrada muito grande. A impedncia de sada aproximada se reduz a -(rb + R,)/h,, podendo-se ver que a parcela devida ao amplificador propriamente dito muito pequena, j que R , est associada com a fonte de sinal.

.-

Fig. 6.21 Amplificador dk coletor comum. Este circuito tambm denominado seguidor de emis-

sor.

Amplificador diferencial
-

* .

Um circuito verstil e muito popular, frequentemente usado como estgio de entrada em instrumentos de laboratrio, o amplificador diferencial (Fig. 6.22), assim denominado porque seu sinal de sada proporcional diferena entre as duas tenses de entrada. Os dois sinais so aplicados aos terminais de base de um par de transistores idnticos, acoplados por um resistor de emissor comum. O sinal de sada retirado entre os terminais de coletor. As propriedades teis deste amplificador podem ser vistas analisando-se o circuito equivalente da Fig. 6.23. A lei de Kirchhoff das tenses aplicada aos laos de ambos os coletores acarreta

i,, R,

+ (i,,

h f e i b l ) + &(icl h,,

+ ic2)= O

Observe que, para se chegar a Eq. (6.44), foi suposto, por simplicidade, que as correntes de emissor e de coletor fossem iguais em cada transistor, isto , as correntes de base so desprezveis em comparao com as de coletor. Em particular, isto significa que a corrente no resistor de emissor exatamentei., + i,,.

Fig. 6.22 Amplificador diferencial com transistor de juno

Fig. 6.23 Circuito equivalente do amplificador diferencial.

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

O equacionamento das tenses nas malhas das bases d

v1 - ibl hie - h,,vecl - R,(icl


V2

- ib2hi,- h , , ~ , , ~ R,(icl -

+ i,,) + i,,)

=O =O

Note que o sinal de sada a soma das tenses nos resistores de carga,

v,

= - RL(icl -

i,,)

(6.46)

O sinal d e sada pode ser expresso tambm como a diferena entre a s tenses emissor-coletor. pois os emissores esto conectados entre si,

Estas equaes de circuito so resolvidas subtraindo-se inicialmente as relaes d a E q . (6.441,

e. analogamente, subtraindo-se as da Eq. (6.45),

Substituindo-se a Eq. (6.47) na (6.49) e utilizando-se o resultado juntamente com a Eq. (6.48), para eliminar (i,, - i,,), obtm-se
= -. .

U2

-VI

hie[(l + hoeRL)IR, hrel - h,,

Esta expresso idntica a Eq. (6.36), referente ao amplificador simples de emissor comum. Utilizando-se as aproximaes usuais para os parmetros de pequenos sinais,

De acordo com a Eq. (6.51), o amplificador diferencial rejeita qualquer sinal comum aos dois terminais, d e modo que v, = v,. Ao mesmo tempo, um sinal aplicado entre os terminais de entrada amplificado normalmente, pois neste caso v, = v,/2 e v, = -v,/2,

O resultado permanece se o sinal aplicado entre apenas um terminal de entrada e a terra, de modo que, por exemplo, v, = v, e v,= O. Como o circuito rejeita sinais d e modo comum, resultantes de, digamos, campos eltricos provocados pela rede d e alimentao de 60 Hz, ele til como estgio de entrada de amplificadores sensveis. E mais, a entrada pode ser conectada a geradores de sinais que no tenham qualquer

terminal aterrado, o que , muitas vezes, conveniente. A capacidade de o amplificador diferencial rejeitar sinais de modo comum depende da exata simetria entre as duas metades do circuito. Como isto raramente conseguido na prtica, conveniente um exame do efeito de pequenas assimetrias. Suponhamos, por exemplo, que os parmetros ganho de corrente direta sejam ligeiramente diferentes, isto , h,, f h,,. A subtrao das expresses da Eq. (6.44) d

.
-

Esta equao, resolvida juntamente com as Eqs. (6.45) e (6.46), determina o sinal de sada semelhante ao da Eq. (6.51):

Para se chegar Eq. (6.54), foi suposto que h,, e h,, no so diferentes muito do valor nominal h,. Suponhamos agora que v, = v, = vi;ento

Isto , existe um sinal de sada se o circuito no estiver balanceado. A relao entre o sinal diferena de sada [Eq. (6.52)]e o de modo comum [Eq. (6.55)],

denominada razo de rejeio de modo comum. O valor desta relao, e da a capacidade do amplificador diferencial em rejeitar sinais de modo comum, aumentada

com resistores de emissorR, de alto valor.

AMPLIFICADORES ESPECIAIS Simetria complementar


Uma das mais intrigantes aplicaes de circuitos transistorizados baseada na associao de transistores npn epnp, com as polaridades de suas fontes de sinal e polarizao simetricamente invertidas. Consideremos, por exemplo, o circuito de simetria complementar da Fig. 6.24, empregando amplificadores de emissor comum npn e pnp e tendo conexes de entrada e sada comuns. A tenso na base dos dois transistores nula, de modo que, na ausncia de sinal, eles estaro cortados. Portando, neles existe corrente s quando o sinal de entrada polariza diretamente as junes de emissor. Isto acontece nos semiciclos alternados da tenso de entrada, em virtude das polaridades opostas dos dois transistores. Assim, o npn entrega corrente a carga quando opnp est cortado, e vice-versa. O sinal de sada tem a mesma forma que o de entrada, embora cada transistor funcione apenas durante metade de cada ciclo. Este circuito particularmente simples um eficiente amplificador de potncia,

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

181

uma vez que a corrente q u i e z g e nula e cada transistor opera em toda a extenso de suas caractersticas. AEm disso, as perdas so pequenas porque a corrente cc no resistor de carga nula durante todo o tempo. Infelizmente, no fcil fabricar transistores npn e pnp com caractersticas idnticas, e usar uma fonte de alimentao de coletor com derivao central e sem terminal aterrado complicado e desastroso. No Cap. 7 ser analisado um amplificador prtico com simetria complementar.

Configurao Darlington
A associao de dois transistores semelhantes na denominada configurao Darlington mostrada na Fig. 6.25 tem muitas propriedades favorveis. Observe que Q , est diretamente ligado a Q , e que o potencial entre base e coletor de Q , a tenso emissor-coletor de Q , . Alm disso, a corrente de emissor na sada de Q , a corrente de base de Q,.

Entrada

Sada

Fig. 6.24 Amplificador de simetria complementar empregando transistores npn e pnp.

Fig. 6.25 Amplificador em configurao Darlington.

- amplificador de emissor comum (Q,). A associao acarreta um ganho de corrente muito grande (-h, x h , = p2). O circuito tambm possui o ganho de tenso do emis-

O circuito pode ser encarado como um seguidor de emissor (Q,) seguido por um

sor comum e a alta impedncia de entrada do seguidor de emissor, que so caractersticas desejveis. Para a maioria das finalidades, esta combinao pode ser considerada um nico dispositivo. Em verdade, existem, comercialmente, a venda, unidades contendo os

dois transistores. Polarizaes adequadas so aplicadas por meio de um circuito de polarizao convencional, como o da Fig. 6.13, no qual a associao de Q, e Q , substitui o transistor nico de emissor comum.

MOSFET em circuito integrado


O emprego de um transistor como resistor de carga de outro as vezes vantajoso em um circuito amplificador. Isto acontece particularmente com MOSFET em circuitos integrados, porque assim possvel construir um amplificador completo a partir de um conjunto de MOSFET apenas. o que permite considervel flexibilidade no projeto sem acrscimo nos custos de fabricao. Exemplo til desta tcnica o amplificador com MOSFET de enriquecimento mostrado na Fig. 6.26. Neste circuito, Q,, cuja porta conectada diretamente ao dreno, age como resistncia de carga de dreno para Q , . Tanto V,, quanto Vi so suficientemente grandes para que a tenso de porta em cada caso esteja acima do limiar. A corrente de dreno , da Eq. (5.1 I ) ,

Extraindo-se a raiz quadrada de ambos os lados da equao e resolvendo-se em relao a V,,

Fig. 6.26 Amplificador com MOSFET modo de reforamento.

De acordo com a Eq. (6.58), a tenso de sada funo linerar do sinal de entrada e o ganho dado por

I ?

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

183

Q2,

O ganho pode exceder a unidade, fabricando-se Q , com um canal mais !argo que o de de modo que I,,,, seja maior que Zdssl. Observe que a Eq. (6.58) linear numa faixa que , essencialmente, a de operao do MOSFET, isto , a linearidade entre os sinais de entrada e de sada no est restrita a pequenos sinais. Esta propriedade til resultado da compensao das no linearidades no amplificador com MOSFET e no MOSFET que serve de resistncia de carga. Os amplificadores em circuito integrado desta configurao so particularmente adequados em aplicaes na eletrnica digital, como ser visto no Cap. 11.
SUGESTES PARA LEITURA COMPLEMENTAR

E. J. Angelo, Jr.: "Electronics: BJT's, FET's, and Microcircuits." McGraw-Hill Book Company, New York, 1969.
"General Electric Transistor Manual," latest edition, General Electric Company, Semiconductor Products Department. Syracuse, N.Y. Joseph A. Walston and John R Miller (eds.): "Transistor Cucuit Design," McGraw-Hill Book Companq. New York, 1963.

6.1 Determipe o ponto de operao do amplificador de fonte comum da Fig. 6.27. Utilize as caractensticas de dreno dadas na Fig. 5.21. Resp.: -6 V ;4,5 mA; 1,8 V

6.2 Determine os parmetros incrementais no ponto de operao do amplificador do Exerccio 6. I . Calcule o ganho do amplificador. Resp.: 2,5 x lOW S; 1,5 x 104S; 2,5 6.3 Trace as caractersticas de transferncia dos transistores de juno cujas caractersticas de coletor so dadas nas Figs. 5.12,6.14 e 6.28. Calcule o valor de h,, em cada caso. Resp.: 500,50,300

Y
O

10

15

20

25

v,,, v
Fig. 6.28 6.4 Determine o ponto de operao do amplificador de emissor comum npn da Fig. 6.13, usando o transistor 2N338, se R , = 470 R , R , = 16.000 R , R , = 6.200 R R , = 700 R e V,, = 12 V . Utilize as curvas caractersticas da Fig. 6.14. Resp.: 75 p A , 4 mA 6.5 Determine o ponto de operao do amplificador de emissor comum com transistor 2N930 da Fig. 6.18. As curvas caractersticas deste transistor esto na Fig. 6.28. Resp.: 4 p A , 4 mA 6.6 Calcule os ganhos de tenso e de corrente e as impedncias de entrada e de sada do amplificador do Exerccio 6.5. Os parmetros h so h,, = 3600 R , h , = 3 X 10-3, h , = 150 e h,, = 1,4 X 10-4 S. Suponha que as reatncias de todos os capacitores do circuito sejam desprezveis e que a resistncia da fonte seja 1000 R . Compare os valores calculados com as aproximaes introduzidas no texto. Resp.: 362,416; 62,4, 150; 1700R, 3600 R ; 2,4 x 104R,7,1 x 103R 6.7 Determine o ponto de operao d o amplificador de base comum com transistor 2N930 da Fig. 6.20. Supondo os mesmos parmetros hbridos dados no Exerccio 6.6, calcule os ganhos de tenso e de corrente e a impedncia de entrada deste circuito. Compare-os com as aproximaes do texto. FaaR, = 100 R . Resp.: 200,413; 0,99,0,994; 27,5 R , 24 R 6.8 Determine o ponto de operao do amplificador seguidor de emissor com transistor 2N930 da Fig. 6.21. Utilizando os parmetros h do Exerccio 6.6, calcule os ganhos de tenso e de corrente e as impedncias de entrada e de sada deste circuito. Compare estes resultados com as aproximaes introduzidas no texto. A resistncia da fonte 10.000 a. Resp.:l,1;63,151;6,3x 10jR,1,5x 106R;90R 6.9 Determine o ponto de operao do amplificador de emissor comum, usando o transistor 2N3521, se R , = 90 k R , R , = 45 k f l , R , = 10 k R , R , = 6 k R e V,, = 36 V . Utilize as caractersticas de coletor do 2N3521 dadas na Fig. 5.12. Repita para a temperatura ambiente de 12SC, utilizando as caractersticas da Fig. 5.13. Calcule o ganho de tenso em ambos os casos. Este circuito est estabilizado contra variaes na temperatura? Resp.: 5,9 V , 1,9 mA; 5,9 V , 1,9 mA; 750,750; sim

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

185

6.10 Arranje o circuito do Exerccio 6.9 na configurao seguidor de emissor e calcule as impedncias de entrada e sada. Suponha que o transistor 2N930 tenha sido inadvertidamente usado neste circuito. Determine o ponto de operao utilizando as caractersticas de coletor da Fig. 6.28 e calcule as impedncias de entrada e de sada. O desempenho deste circuito sensvel a mudanas nos transistores? -% e i b C Resp.:7,2 x 106R, 13 R;5,5 V, 1,9mA; 5,l X 106R, 18R;no -

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CIRCUITOS AMPLIFICADORES

As principais aplicaes do transistor so baseadas na sua capacidade de ampll$car sinais eltricos. Alguns circuitos amplijicam tenses diminutas milhes de vezes, enquanto outros aumentam a potgncia de u m sinal a fim de operarem dispositivos mecnicos, como o motor eltrico. Outros circuitos amplificum correntes. A faixa de freqncia do sinal de entrada e importante e m cada uma dessas aplicaes. Dijeretztes circuitos tm sido desenvolvidos para ampliJicao cc e para uso e m radiofrequncias elevadas. Frequentemente, o nvel de sinal aumentado atravs de diversos estgios sucessivos para atingir a amplitude desejada na sada. Neste caso, deve-se considerar a interao dos estgios amplificadores, embora circuitos razoavelmente complicados estejam envolvidos. Felizmente, as tcnicas de anlise de circuitos desenvolvidas nos captulos anteriores, enz particular a dos circuitos equivalentes ca dos transistores, so suficientes para uma compreenso satisfatriu dos circuitos amplificadores completos.

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

AMPLIFICADORES DE TENSO

Cascata
Os circuitos transistorizados discutidos nos captulos anteriores so adequados para amplificar tenses com um mnimo de distoro na forma de onda. Ganhos maiores que os possveis com o amplificador de um estgio so obtidos acoplando-se diversos estgios em cascata, ou seja, a sada de um estgio amplificada pelo seguinte at que se atinja o nvel de tenso desejado. Consideremos, por exemplo, o amplificador transistorizado de duplo estgio em cascata da Fig. 7.1. no qual dois circuitos, semelhantes aos discutidos no Cap. 6, esto conectados atravs do capacitor de acopiamento C,.,. Este capacitor permite a passa2. gem do sinal ca amplificado por Q, para a base de ( , Ao mesmo tempo, impede que a tenso cc no coletor de Q , chegue a base do segundo transistor. Da mesma forma, os capacitores C,, e C,., isolam os circuitos de entrada e de sada quanto a potenciais cc. Os amplificadores de tenso transistorizados em cascata normalmente so realizados na configurao emissor comum, devido combinao dos ganhos de tenso e de corrente desse circuito. Nem a configurao base comum nem a seguidor de emissor conseguem amplificao total de tenso to elevada quando associadas em cascata, em conseqncia do grande descasamento de impedncia entre a sada de um estgio e a entrada do seguinte. Observe que os resistores de polarizao do segundo estgio da Fig. 7.1 so diferentes daqueles do primeiro, embora os dois transistores sejam idnticos. Os pontos de operao esto localizados em lugares diferentes, a fim de serem obtidos valores mais favorveis para os parmetros h em cada estgio. O circuito equivalente ca completo desse amplificador pode ser desenhado, usando-se os princpios discutidos no Cap. 6; o desempenho do sistema determinado atravs da anlise de circuito ca. Na realidade, este procedimento impraticvel em virtude do nmero de laos no circuito e raramente tentado. Em vez disso, a anlise feita em vrias etapas distintas. cada uma com o mnimo de complexidade matemtica, o que oferece a vantagem adicional de os efeitos importantes poderem ser isolados e mais claramente examinados. Por exemplo, as reatncias dos capacitores de emissor so supostas suficientemente pequenas, podendo ser desprezadas. e , assim, estes componentes no so representados no circuito incremental do amplificador (Fig. 7.2). Da mesma forma, as

Fig. 7.1 Amplificador transistonzado com duplo estgio em cascata.

Primeiro estgioS

o" estdgio

Fig. 7.2 Circuito equivalente do amplificador de dois estgios da Fig. 7.1.

reatncias dos capacitores de acoplamento tambm so desprezadas. A tenso de sada pode ser escrita imediatamente como

onde a , e a, so os ganhos do primeiro e do segundo estgios, respectivamente. bvio que o ganho total do amplificador igual ao produto dos ganhos de cada estgio. Observe que, no clculo dos ganhos, a impedncia de entrada do segundo estgio carga para o anterior, significando que ela deve ser determinada primeiro. Como a impedncia de entrada de um amplificador transistorizado depende da carga, necessrio trabalhar de trs para a frente, comeando dos terminais de sada. Com a carga na sada especificada, o ganho e a impedncia de entrada do segundo estgio podem ser calculados usando-se os resultados obtidos no captulo precedente. Esta impedncia uma parte da carga do estgio anterior, cujo ganho e cuja impedncia de entrada so calculados da mesma maneira. No h necessidade de ser seguido este procedimento no caso de estgios de F E T em cascata, por caus da impedncia muito elevada, caracterstica deste tipo de transistor, que no carrega o estgio anterior. Assim, o ganho total de um amplificador com FET exatamente o produto dos ganhos de cada estgio. Em ambos os casos, o resultado denominado ganho rza faixa mdia, porque as reatncias dos capacitores so consideradas desprezveis. Esta aproximao se aplica as freqncias de sinal que no sejam to baixas a ponto de as reatncias no poderem ser ignoradas, nem to altas para que outros efeitos reduzam o ganho.

Ganho em baixa freqncia


Em frequncias suficientemente baixas, as reatncias capacitivas no podem ser mais ignoradas. O efeito dos capacitores de acoplamento tem normalmente maior importncia que o dos capacitores de desvio do emissor ou da fonte, embora ambos tendam a reduzir o ganho nas frequncias baixas. No prtico o emprego de capacitores de acoplamento excessivamente grandes, porque capacitncias elevadas implicam em aumento da corrente de fuga, que tende a prejudicar a polarizao da base ou da porta. A baixa impedncia de entrada dos transistores permite a utilizao de capacitores de algumas dezenas de microfarads, enquanto que os capacitores de acoplamento prticos so limitados a valores abaixo de 0,s p F , aproximadamente, no caso de circuitos com FET. Os capacitores de desvio de emissor e de fonte podem ser muito maiores, 100 p F OU mais, porque as correntes de fuga so menos crticas nesta parte do circuito. Como o ganho total de estgios em cascata o produto dos ganhos de cada um, necessrio examinar apenas o efeito da reatncia do capacitor de acoplamento de um estgio isolado. De acordo com o circuito equivalente ca (Fig. 7.2), este efeito pode

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

Fig. 7.3

, -

"

ser analisado, considerando-se o circuito RC simples que inclui o capacitor e a impedncia de entrada do amplificador. Esta parte mostrada separadamente na Fig. 7.3 para maior clareza. R, simplesmente o resistor de porta no caso de amplificador com FET, mas inclui, nos estgios com transistor de juno, a impedncia de entrada deste. Em todo caso, a Fig. 7.3 um filtro RC passa-altas j estudado no Cap. 2. O ganho deste estgio, incluindo-se o efeito do filtro, dado por
'

- (2.45)],e f, a frequncia de meia potncia. Note que o ganho fica reduzido em rela-

onde foi usada a caracterstica de resposta em frequncia do filtro passa-altas [Eq.

co ao da faixa mdia (a), quando a freqncia do sinal menor do que a de meia potncia. Ao mesmo tempo, h uma defasagem entre os sinais de entrada e de sada, que tambm tem importncia na determinao da distoro introduzida pelo amplificador na forma de onda. Lembremo-nos de que, na anlise de Fourier de um sinal complexo, tanto as amplitudes como as fases relativas de todas as componentes de frequncia devem ser preservadas, a fim de que a forma de onda na sada seja uma reproduo amplificada do sinal de entrada. E importante tambm reconhecer que a Eq. (7.2) se aplica, separadamente, a cada estgio. A resposta de baixa freqncia do amplificador inteiro sempre pior que a de qualquer dos estgios, em virtude de o ganho ser o produto dos ganhos individuais.

_
'

Ganho em alta frequncia


O ganho de qualquer amplificador em alta freqncia reduzido pelos efeitos capacitivos parasitrios, que nSo so colocados de propsito no circuito. Com relao ao amplificador da Fig. 7.4, estes efeitos so as capacitncias porta-fonte ( C , ) , portadreno (C,) e dreno-fonte (C,) do FET. Em C , e C, incluem-se as capacitncias parasitas entre os fios e componentes ligados aos terminais da porta e do dreno. Todas essas trs capacitncias desviam o sinal nas frequncias suficientemente altas para que as reatncias se tornem pequenas. O efeito da capacitncia porta-dreno particularmente importante. Consideremos o circuito equivalente da Fig. 7.5, no qual C , est conectado entre porta e dreno e , as outras capacitncias, ignoradas. A impedncia de entrada do estgio amplificador pode ser calculada supondo-se que a reatncia de C , seja o fator dominante:

Fig. 7.4 ~a;acjtncias parasitas em um amplificador com FET.

, .
Fig. 7.5

Este resultado indica que o efeito de C , o de uma capacitncia maior, de valor + u)C,, ligando a porta terra. O aumento da capacitncia efetiva de desvio em rparalelo com a entrada, denominado cyeitci Miller, o fator dominante na determina--' o da resposta em alta freqncia dos amplificadores com transistores de juno e FET. , O circuito equivalente adequado para altas freqncias inclui uma capacitncia de desvio
(1

da porta ou base para a terra. Pode-se verificar o efeito de C, isolando-se o circuito de entrada (Fig. 7 . 6 ) , no qual R,, representa a resistncia total para a terra, compreendendo a resistncia de sada do estgio precedente e a de entrada do transistor, bem como as resistncias equivalentes dos resistores de polarizao. A Fig. 7.6 um filtro R C passa-baixas. de modo que o ganho , da Eq. 2.27.

, -

-r-

u a ( f ) = " =au' = vi vi

J w

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

Fig. 7.6

r -0'v,-fie
w n

AL$p-e-usLi-

&

. T u t M ~ i L

onde fO a frequncia de meia-potncia e a o ganho na faixa mdia. De acordo com a Eq. ( 7 3 , o ganho diminui mais quando a frequncia do sinal maior que a de meiapotncia. Na realidade, a amplificao de alta frequncia dos transistores de juno limitada pelo tempo de trnsito dos portadores que cruzam, por difuso, a regio da base. Este efeito acarreta que, na expresso do ganho, idntica a Eq. ( 7 3 , J, determinada pelas constantes fsicas do transistor, tais como a largura da base. Esta frequncia caracterstica usualmente especificada pelo fabricante. Nos transistores especialmente projetados para uso numa faixa mais elevada, a frequncia de cortp alfa suficientemente alta para que o ganho seja limitado pelos parmetros do circuito, como discutido acima. A uesposta em Jreqiincia de qualquer amplificador de tenso semelhante ilustrada na Fig. 7.70. A,freqi?nciu de corte inferior de cada estgio determinada pela Eq. (7.3). e, ade corte superior, pela Eq. (7.5). Aj'uixu de passcrgem do amplificador o intervalo de frequncia compreendido entre os pontos onde o ganho cai a l / f l d o seu valor na faixa mdia. O emprego de escalas logartmicas em ambos os eixos das carac) tersticas de resposta em frequncia (Fig. 7 . 7 ~ convencional, pois as faixas de ganho e de frequncia so muito grandes. A escala vertical igdicada normalmente em bel, unidade assim denominada em homenagem a Alexandre Graham Bell, o inventor do telefone. Na realidade, uma unidade um dcimo menor, o dc.c,ibel (dB), mais conveniente na prtica. O decibel definido como

dB = 20 log a ( f )
a

Semelhantemente, o ganho na faixa mdia indicado em decibis, usando-se a definio

dB

20 log L"

(7.7)

A vantagem desta unidade que o ganho total de vrios estgios, em dB, simplesmente a soma dos ganhos de cada um, tambm especificados em decibis. Note que, de acordo com a Ey. (7.7), o ganho do amplificador est, nos pontos de meia-potncia, 3 dB abaixo do seu valor mximo. As caractersticas de desvio de fase de um amplificador monoestgio esta0 ilustradas na Fig. 7.7b. O sinal de sada adianta-se, em relao ao de entrada, nas freqncias abaixo da de corte inferior, e atrasa-se naquelas acima da de corte superior. As caractersticas de fase do amplificador so determinadas somando-se as contribuies de cada estgio. A fim de minimizar a distoro na forma do sinal, deve-se usar um amplificador de banda larga, e, para isso, so necessrias algumas pequenas alteraes no circuito. Por exemplo, os capacitores de desvio de emissor ou de fonte devem ser propositalmente

a O,I

0,Ol

4 1o

Faixa de passagem do a 1 amplificador Freqncia ~reqncia4 de corte de corte , inferior superior

\\

\
10

1 ,o

0,l

0,l

,o

folf

(a)

f/fo--

Fig. 7.7 (a) Caracterstica de resposta em frequncia de um amplificador com um estgio. A caracterstica do amplificador de duplo estgio est mostrada em linha tracejada. (b) Caracterstica de desvio de fase do amplificador de um estgio.
1 7

pequenos, de modo que suas reatncias sejam desprezveis apenas nas frequncias prximas de corte superior. Isto reduz o ganho na faixa mdia, mas aumenta o das freqncias altas, onde as reatncias se tornam pequenas. O resultado lquido a ampliao da resposta nestas frequncias, embora s expensas de menor ganho total. Se necessrio, esta perda pode ser recuperada adicionando-se outro estgio. A segunda maneira de estender a resposta em altas frequncias incluir uma pequena indutncia na carga (Fig. 7.8). A impedncia de carga aumenta aquelas freqncias e o ganho fica maior, de acordo com a Eq. (6.14). Esta tcnica denominada compensao com crista, pois as caractersticas da resposta em frequncia tendem a ser superelevadas no extremo das altas frequncias. Consegue-se melhor resposta em baixa frequncia, acrescentando-se um capacitor e um resistor em srie ao circuito de sada (R, e C, na Fig. 7.9). O ganho, nas freqncias em que a reatncia de C , pequena, inclui o efeito de R , na carga ca. Nas freqncias baixas, medida que a reatncia do capacitor aumenta, R, retirado do circuito, e o ganho cresce. O resultado a expanso da resposta em baixas freqncias, s expensas do ganho na faixa mdia.

-r . -

.
/

, -,

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

Fig. 7.8 A pequena indutncia melhora a resposta em alta-freqncia, porque o ganho aumentado pela impedncia de carga maior.

Fig. 7.9 A associao R, C , melhora a resposta em baixa-freqncia do amplificador, porque a reatncia de C , torna-se elevada.

Desacoplamento
Quando h trs ou mais estgios em cascata, a fonte de alimentao do estgio de entrada deve ser desacoplada do restante do amplificador. O motivo disto que a tenso da fonte varia com a corrente, por causa da sua impedncia interna efetiva, e qualquer variao, mesmo pequena, altera a polarizao do primeiro estgio, que amplifica esta variao da mesma forma que o faz com um sinal de entrada. Se a alterao na polarizao provoca aumento da corrente, no estgio inicial, a corrente, no segundo, diminuda, em virtude da defasagem de 180 e, semelhantemente, aumentada no terceiro. Devido ao ganho do amplificador, a variao no terceiro estgio muito maior que o distrbio original. Esta carga adicional provoca um decrscimo na tenso

Fig. 7.10 O filtro RC simples elimina a instabilidade no amplificador pela reduo do efeito de realimentao resultante da fonte de alimentao comum.

da fonte que, por sua vez, altera mais ainda a polarizao do primeiro estgio, num processo cumulativo. As mudanas continuaro at que um transistor seja levado ao corte ou a saturao, o que reduz o ganho a zero, fazendo com que a tenso da fonte retorne ao seu valor normal e o processo se repita. O resultado dessa realimentao da sada para a entrada que o amplificador oscila rapidamente do corte para a saturao numa taxa que funo dos componentes do circuito. Um filtro passa-baixas, inserido entre a fonte de alimentao e o primeiro estgio (Fig. 7.10), evita este problema. A constante de tempo deste filtro de desacoplamento deve ser selecionada de modo que as variaes na tenso sejam suficientemente atenuadas e , a realimentao, eliminada. Na realidade, a freqncia caracterstica do filtro deve estar abaixo da freqncia de corte inferior do amplificador, onde o ganho insuficiente para manter as oscilaes devidas a realimentao.

AMPLIFICADORES DE POTNCIA Acoplamento por transformador


Quando os amplificadores esto fornecendo potncias mais elevadas, no possvel a utilizao de resistores no circuito do coletor, pois as perdas RI2 se tornam significatiRelao de transformao 10 : 1

- o o, 1v-

Fig. 7.11 Os amplificadores de potncia usam transformadores para acoplamento entre transistor e carga, a fim de reduzir a perda de potncia cc na resistncia.

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

195

vas, em virtude das altas correntes associadas a essas potncias. Em vez disso, o acoplamento entre o circuito e a carga feito por meio de um transformador, como indica a Fig. 7-1 1. A corrente cc de coletor introduz perdas pequenas na resistncia do enrolamento, sendo que a resistncia refletida de R, para o circuito do primrio proporciona a impedncia de carga ca para o amplificador. Alm do mais, a impedncia de sada deste casada com a carga por intermdio do transformador, podendo, ento, a resistncia de carga real ter o valor conveniente. A reta de carga cc, traada sobre as curvas caractersticas do coletor, essencialmente vertical (Fig. 7.12), pois a resistncia do enrolamento primrio do transformador pequena. O ponto de operao quiescente determinado exatamente como foi preconizado no Cap. 6. A reta de carga ca, correspondente a resistncia de carga refletida R;, vista do primrio, passa no ponto de operao e tem inclinao -1/Rt, como mostra a Fig. 7.12. O ponto de operao de um amplificador de potncia escolhido de modo a maximizar a eficincia deste e minimizar a possibilidade do aquecimento cumulativo. A dissipao de potncia no transistor, devida a corrente, limitada pela elevao de temperatura permitida na juno do coletor. A faixa de operao permissvel para a tenso e a corrente de coletor a regio a esquerda da hiprbole de potncia mxzma (Fig. 7.13). Os transistores de potncia so montados, frequentemente, num bom dissipador de calor, objetivando afastar a hiprbole da origem e permitir estender a faixa de operao da tenso e da corrente. Alm disso, os dissipadores so providos de aletas para maximizar a conduo de calor para fora do transistor. O ponto de operao localizado de modo que se possa obter os maiores sinais ca possveis, a fim de maximizar a potncia de sada, sem distoro. O potencial instantneo mximo do coletor limitado pela ruptura inversa na juno deste. Analoga-

50

40

<

30

20

10

5
"C,'

10

15

20

Fig. 7.12 Localizao do ponto de operao e das retas de carga cc e ca do amplificador da Fig. 7.11.

10

Saturao do coletor

10

20

30

40

50

v,, v
Excurso da tenso -I de pico de coletor Excurso da tenso-de pico de coletor

Fig. 7.13 A localizao tima do ponto de operaao do amplificador de potncia determinada pela saturao e pela ruptura do coletor.

mente, a corrente instantnea mxima do transistor corresponde saturao do coletor, e nesta situao ela no aumenta mais com a corrente da juno de emissor. A forma de onda, na sada, distorcida gravemente, quando qualquer desses limites for ultrapassado, porque os picos do sinal so cortados. A posio tima do ponto de operao , portanto, no centro do retngulo limitado pelos estados do coletor: ruptura, saturao e tenso e corrente nulas (Fig. 7.13). Neste caso, as excurses da corrente e da tenso de coletor em torno do ponto quiescente so maximizadas sem distoro. A eficincia de um amplificador igual a razo entre a potncia do sinal e a ~otncia mdia ou cc da fonte de alimentao. A potncia mdia simplesmente o produto dos valores quiescentes da corrente versus tenso de coletor, I,V,, que so os valores de pico da corrente e da tenso do sinal de sada, com o ponto de operao localizado na posio tima. Conseqentemente, a eficincia mxima deste amplificador de potncia de 50 por cento. Na prtica, os amplificadores transistorizados aproximam-se bastante do ideal, conseguindo-se eficincias da ordem de 48 por cento, embora, para distoro mnima, as excurses do sinal devam ser algo menores que no caso ideal.

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

....

--.
A

" r -

*-.

Fig. 7.14 A caracterstica de transferncia dinmica usada para a determinao da forma de onda na sada do amplificador de potncia com o transistor 2N2016. Note a distoro causada pela caracterstica de transferncia no linear.

No possvel representar amplificadores de potncia por modelos, em virtude das grandes excurses de tenso. Por isto, todas as anlises so realizadas graficamente. E muito til a determinao da caracterstica de transferncia dinmica do amplificador, que um traado da corrente de sada em funo da corrente de entrada (Fig. 7.14). E construda a partir das intersees das curvas caractersticas (Fig. 7.13) com a reta de carga dinmica. Para que haja distoro mnima, necessrio que a caracterstica de transferncia seja uma linha reta, pois qualquer curvatura introduz irregularidades na forma do sinal de sada.

Amplificador simtrico
Na Fig. 7.15, o amplificador simtrico com dois transistores apresenta, em relao ao circuito com apenas um transistor, potncia de sada e eficincia maiores, e menor distoro. O transformador com derivao central a kntrada alimenta cada um dos transistores com sinais defasados de 180, da o nome do circuito. As correntes de coletor, amplificadas, combinam-se no transformador com derivao central a sada, produzindo uma forma de onda de corrente de carga que rplica do sinal de entrada. O transformador de sada tambm casa o estgio excitador com a impedncia de entrada do amplificador. O aumento na eficincia acontece quando o amplificador simtrico polarizado

10 k!! 2N408

I,
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5,6

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1

+- 10 k! '

2N408

L-,

Fig. 7.15 Amplificador de potncia simtrico

L---. Excurso da tenso de pico de coletor

Fig. 7.16 O ponto quiescente para operao simtrica em classe B permite a mxima excurso da tenso sobre as caractensticas de coletor.

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

199

prximo ao corte, passando a operar, ento, em clussr B. Este nome tem a finalidade de distinguir o funcionamento do presente circuito daquele descrito anteriormente, em que existe corrente no transistor durante todo o ciclo do sinal de entrada. Em virtude de cada transistor estar polarizado nas proximidades do corte, a corrente quiescente muito pequena, de modo que as excurses do sinal podem ser iguais ao mximo permitido a corrente e a tenso de coletor (Fig. 7.16). Cada elemento ativo fornece metade do sinal senoidal ao transformador de sada, de maneira que a forma de onda preservada, mesmo com as correntes em cada transistor representando apenas metade do sinal de entrada. Esta ao j foi vista no amplificador simtrico complementar estudado no Cap. 6. Na operao simtrica, a tenso de pico na sada pode ser igual ao potencial mximo de coletor, que o mesmo da tenso cc no coletor (v. Fig. 7.16). Da mesma forma, o pico de corrente de sinal igual a corrente mxima de coletor. A potncia mdia do estgio a potncia da semi-senide, pois somente um transistor conduz de cada vez. A eficincia mxima do amplificador simtrico em classe B de 78 por cento, uma considervel melhora em relao ao estgio com um transistor. A pequena corrente de polarizao quiescente de base minimiza a distoro de cruzamento resultante da no linearidade das caractersticas de transferncia dos transistores em pequenas correntes. Isto est ilustrado na Fig. 7.17, onde as caractersticas

Transistor

Corrente de sinal na base, A

k/ /

Caracterstica de transferncia composta

Fig. 7.17 A caracterstica de transferncia composta do amplificador de potncia simtrico mais linear que a associada a cada transistor. Compare a amplitude da corrente do sinal de sada com a forma de onda no caso de apenas um transistor da Fig. 7.14.

dos dois componentes esto traadas em quadrantes opostos, correspondentes as suas polaridades de sinal reversas. A composio das duas a caracterstica de todo o amplificador, muito mais linear que cada uma delas, pois representa a sua mdia. E m particular. as no linearidades se cancelam perto d a origem, onde os dois transistores atuam ao mesmo tempo. O efeito deste cancelamento que o circuito simtrico tem muito menor distoro que o estgio com terminao singela.

Circuitos especiais
A resposta em freqiincia dos amplificadores de potncia seriamente limitada pelas caractersticas d o transformador. Em particular, uma boa resposta em baixa freqncia requer transformadores grandes (e dispendiosos), implicando em operao falha em altas freqncias, por causa das inevitveis capacitncias de fuga. A pequena impedncia de sada d a configurao seguidor de emissor pode ser utilizada, com freqncia e vantajosamente, para eliminar o transformador e atingir desempenho satisfatrio numa ampla faixa d e frequncias. O circuito tpico d a Fig. 7.18 ilustra a flexibilidade inerente aos projetos com transistores. O transistor Q, o estgio de entrada de emissor comum e est acoplado diretaEste par est polarizado para operamente ao par de simetria complementar Q, e co em classe B. e. assim. a sada d e cada transistor uma metade alternada do sinal de entrada. como j foi visto anteriormente, por ocasio d a discuss2o da Fig. 6.24. Na realidade, Q, e Q, tm polarizao quiescente pequena para minimizar a distoro de criizamento, que dada pela queda de tenso no diodo de silcio 1 N536 diretamente polarizado. A resistncia de emissor de um transistor diminui significati-

s,.

Fig. 7.18 Amplificador de potncia simtrico com terminao singela.

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

201

vamente com o aumento da temperatura, e isto que acontece com a resistncia direta do diodo, reduzindo a polarizao de base de Q , e Q, quando a temperatura aumenta. A corrente quiescente nestes transistores est, portanto, compensada para variaes na temperatura.

i-,

Fig. 7.19 (a) Diagrama eltrico do amplificador em circuito integrado tipo CA3020 e (b) amplificador de potncia prtico.

O par de simetria complementar est na configurao Darlington, em relao aos transistores de sada Q4 e Q,, o que proporciona ganho de corrente elevado, como descrito em captulo anterior. Tanto Q , quanto Q 5 operam em classe B, embora haja uma pequena polarizao dada pela queda de tenso nos resistores de 390 R para minimizar a distoro de cruzamento. Observe que os sinais de Q , e Q , ativam Q , e Q , em semiciclos alternados do sinal de entrada. Isto pode ser visto mais claramente, supondo-se seja a entrada uma onda quadrada de modo que, quando est no ciclo positivo, Q , fica prximo do corte. Nesta situao, Q , e Q , conduzem, enquanto Q , e Q5 esto cortados; o sinal de sada negativo, e C , carregado atravs de R,. No semiciclo seguinte, Q , e Q , descarregam C , atravs da carga, enquanto Q , e Q4 so cortados. Como cada transistor de sada atua independentemente do outro, o circuito , de fato, uma configurao simtrica em classe B com terminao singela. A Fig. 7.19 representa um amplificador de potncia em circuito integrado com ganho de 58 dB e potncia de sada de 112 W. Como j foi dito no Cap. 5, todo o amplificador montado dentro de um pequeno bloco monoltico de silcio. No circuito da Fig. 7-19a, h um amplificador diferencial na entrada, composto por Q , e Q,; os sinais de sada destes so adequadamente defasados, a fim de alimentar Q3 e Q4 em simetria. Estes dois transistores esto diretamente conectados aos de sada, (2, e Q F .Q , uma unidade separada que pode ou no, conforme se deseje, ser ligada ao restante do amplificador. A associao de R,, e R,, e os trs diodos formam um regulador de tenso compensado em temperatura para o estgio de entrada. Como a queda de tenso num diodo diretamente polarizado cerca de 0.6 V , a polarizao total de base de Q , e Q , de 1.2 V , ao passo que a tenso de coletor 1,8 V. Alm do mais, as amplitudes destas fontes de tenso variam com a temperatura para compensar as variaes correspondentes nas propriedades dos transistores. Note que R , e R , polarizam Q , e Q , a partir dos potenciais de base de Q , e Q,. Assim, se a tenso na base de Q5 aumentar em virtude, por exemplo, da temperatura, a de Q , tambm aumentar, produzindo um decrscimo na tenso de base de Q , e, por conseguinte, na de Q 5 . Haver, ento, uma compensao parcial na variao original. Essa realimentap?~ajuda a estabilizar os pontos de operao dos transistores contra desvios provocados pelas mudanas na temperatura e variaes lentas nas caractersticas dos componentes. Um amplificador de potncia prtico que utiliza esse circuito integrado visto na Fig. 7.19h. Nesta configurao, Q , est sendo empregado como seguidor de emissor, para possibilitar alta impedncia de entrada e , o potencimetro de 10 kfl, como controle varivel de ganho. A base de Q , est aterrada para sinais ca atravs do capacitor de 5 pF, e um transformador de sada simtrico comum acopla Q , e Q , a carga. Observe como so necessrios pouqussimos componentes, quando se usa circuito integrado, em comparao com a quantidade requerida se o circuito completo fosse montado empregando-se componentes discretos.

AMPLIFICADORES SINTONIZADOS Acoplamento sintonizado


Quando se deseja amplificar apenas uma frequncia ou uma estreita faixa de frequncias, o acoplamento entre a sada de um estgio e a entrada do seguinte feito por intermdio de circuitos ressonantes. A impedncia destes circuitos em paralelo muito grande na ressonncia, como j vimos no Cap. 3. Em conseqncia, o ganho conseguido nesta situao, quando o circuito sirztonizado a impedncia de carga do amplificador, aprecivel. O amplificador sintonizado tambm atenua sinais afastados da freqncia de ressonncia, o que representa uma vantagem considervel. Alm do mais, as capacitncias parasitas do circuito so acrescidas ao circuito ressonante, dei-

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

* I

100 k !

Fig. 7.20 Amplificador sintonizado de duplo estgio.

xando de atenuar o sinal em altas freqncias. Na Fig. 7.20, o amplificador sintonizado elementar de duplo estgio utiliza circuitos ressonantes paralelos na,entrada e como carga de cada transistor. O capacitor de acoplamento C,. acopla o sinal entre os estgios. O ponto de operao de cada transistor determinado segundo o procedimento usual. E prtica comum utilizar, para C , , C,, C , e C,, capacitores ajustveis, de modo que cada circuito possa ser sintonizado na mesma freqncia, incluindo o efeito de todas as capacitncias parasitas de cada estgio. Os circuitos ressonantes so puramente resistivos na ressonncia, o que significa que o amplificador pode ser analisado pelos mtodos desenvolvidos anteriormente. As capacitncias parasitas podem ser ignoradas, devendo-se usar os valores apropriados dos parmetros h na freqncia de interesse. A anlise em outras freqncias mais complicada, em virtude dos efeitos das reatncias, mas pode ser perfeitamente realizada usando-se os circuitos equivalentes ca. Se todos os quatro circuitos ressonantes forem sintonizados na mesma freqncia, a caracterstica de resposta ser bastante aguada, e isto empregado quando se deseja amplificar apenas uma freqncia especfica de sinal. Por outro lado, pode-se sintonizar cada circuito numa freqncia ligeiramente diferente (Fig. 7.21), de modo que a curva de resposta se torna plana no topo, permitindo amplificao numa faixa de freqncias, tal como para a onda senoidal modulada estudada no Cap. 4. O ganho deste amplificador de sintonia escalonada na faixa de interesse menor do que o do anterior, pois a amplificao mxima de cada estgio ocorre em freqncias diferentes. Se L , e L, forem enrolados no mesmo ncleo, a curva de resposta pode ter um pico duplo e aproximar-se da resposta plana da Fig. 7.21, embora os enrolamentos primrio e secundrio estejam sintonizados na freqncia central. Isto se deve a indutncik mtua entre os enrolamentos, que so, por conseguinte, ditos superacoplados. A indutncia mtua alterada pela variao da distncia entre os dois indutores, e, desta forma, a curva da resposta em freqncia tanto pode ser aguada como relativamente plana. O superacoplamento til sobretudo porque a curva sobe muito mais na vertical, demodo que o circuito rejeita as freqncias imediatamente fora da faixa de passagem. Observe que o capacitador de acoplamento no mais necessrio, pois o sinal acoplado, de um estgio para o seguinte, pela indutncia mtua. A associao L, C, e L, C , encarada, de fato, como um transformador sintonizado.

1 '

Resposta global

-,

Fig. 7.21 O amplificador com sintonia escalonada tem caracterstica de resposta com o topo rela-

tivamente plano.

Neutralizao
A capacitncia da juno do coletor de muitos transistores suficientemente grande para provocar realimentao indesejvel entre coletor e base. Em altas frequncias, a reatncia capacitiva torna-se pequena e o amplificador oscila, porque o sinal amplificado no coletor realimentado para a entrada, onde novamente amplificado etc. Quando isto ocorre, o circuito deixa de ser um amplificador. O efeito da capacitncia alimentando-se a base com um sinal de mesma amplido coletor pode ser n~utralizado tude que o produzido pela capacitncia de realimentao, mas defasado de 180, de modo que os dois sinais se cancelem mutuamente. A Fig. 7.22 ilustra uma tcnica para isto, na qual uma parte do sinal de sada levada de volta para a entrada pelo capacitor de neutralizao C,l. A amplitude deste sinal determinada pelos valores relativos d a pequena indutncia em srie L , e do capacitor C,, bem como por C,. O sinal de retorno est defasado de 180 em relao ao da capacitncia do coletor, em virtude do deslocamento de fase introduzido pela indutncia em srie. Outras configuraes de circuito so tambm utilizadas. Todo esforo feito, no projeto de fabricao do transistor, para minimizar a capacitncia de coletor, de modo que seja desnecessrio neutralizao. Efeito anlogo ocorre nos transistores de efeito de campo, devido capacitncia entre porta e dreno. Pode-se reduzir acentuadamente o seu valor, nos MOSFET, interpondo-se uma segunda porta entre a de controle e o dreno (Fig. 7.23), de modo que se torna desnecessria a neutralizao. A segunda porta aterrada para os sinais ca, afim de possibilitar o efeito de blindagem. A realimentao nos amplificadores com transistor pode ser evitada empregandose a configurao base comum, como na Fig. 7.24, onde a capacitncia de coletor para emissor to pequena que no h necessidade de neutralizao. Alm do mais, os parmetros h de base comum so relativamente independentes d a frequncia, podendo ser, o transistor, um amplificador de utilidade mesmo nas freqncias muito prximas a de corte a . A baixa impedncia de entrada desse estgio pode ser casada com a

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

Fig. 7.22 O efeito da capacitncia coletor-base neutralizado pelo retorno do sinal do circuito de sada atravs de C,.

Fig. 7.23 Amplificador com MOSFET de porta dupla.

utilizao de um transformador sintonizado. O enrolamento L, tem poucas espiras, e, normalmente, no vantajosa a ressonncia no secundrio do transformador. No circuito da Fig. 7.24, o coletor conectado numa derivao apropriada da indutncia do circuito ressonante L, C,. Isto reduz o carregamento da impedncia de sada do transistor no circuito ressonante, aumentando o Q e tornando a curva de ressonncia mais aguda. Alm disso, a capacitncia de coletor pesa muito menos na

Fig. 7.24 Amplificador de base comum sintonizado.

determinao da freqlincia ressonante, fato importante pela variao da capacitncia com a temperatura. Se o coletor fosse conectado ao terminal do circuito ressonante, sua capacitncia estaria em paralelo com o capacitor de sintonia C,, provocando a variao da frequncia com a temperatura.

AMPLIFICADORES DE PULSO
Os sinais que consistem de uma srie de transies rpidas de um nvel de tenso para outro (ondas quadradas, por exemplo) mostram-se to importantes quanto os senoidais. Embora essas ondas em forma de pulsos possam ser tratadas, em termos de suas componentes harmnicas senoidais, com a utilizao da anlise de Fourier, mais conveniente, na prtica, consider-las como pulsos em si. O amplificador de pulso ideal no introduz modificao alguma na forma do sinal, a no ser aumentar sua amplitude; os circuitos reais podem chegar muito perto deste desempenho.

Tempo de subida
As caractersticas importantes dos amplificadores de pulso (ganho, resposta em frequncia, estabilidade e distoro) so semelhantes aquelas j discutidas quando do estudo dos amplificadores convencionais. Para ilustrar sobretudo a importncia da resposta em frequncia, consideremos o pulso quadrado ideal da Fig. 7.25 e a forma no ideal resultante de sua passagem por um amplificador prtico. Note que o pulso amplificado no sobe instantaneamente para o seu valor mximo. Isto decorre da frequncia de corte superior do circuito, determinada pela capacitncia em paralelo. Consideremos o caso do amplificador de um estgio, transistorizado ou valvular, que pode ser representado, para efeito desta anlise, pelo circuito de entrada da Fig. 7.26, no qual C, representa a capacitncia total em paralelo (compare com a Fig. 7.6), R, a impedncia de entrada e R,, a de sada do estgio anterior. A forma de onda do pulso de sada v,, devida ao pulso quadrado de tenso v , comeando em t =O, determinada pela tcnica de anlise de circuito de transitrio descrita no Cap. 2. De acordo com a Eq. (2.54), o sinal de sada aumenta exponencialmente numa taxa dada pela constante de tempo do circuito.
r

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

--. 7.25 Comparao entre o pulso de tenso quadrado ideal e o pulso no ideal amplificado. Fig.

Fig. 7.26

A constante de tempo deve ser to pequena quanto possvel, a fim de minirnizar a distorco na borda anterior do nulso. Ao trmino do pulso de entrada, o sinal de sada cai exponencialmente a zero numa taxa outra vez determinada pela mesma constante de tempo. Observe, entretanto, que o estgio anterior pode ser completamente cortado ao trmino do pulso, de modo que R, se torna suficientemente grande para ser desprezado na Eq. (7.8). Isto significa que as bordas anterior e posterior do pulso tm, em geral, constantes de tempo diferentes: o tempo de subida usualmente mais rpido. Essa disparidade minimizada nos amplificadores com transistores de juno, em virtude de a baixa impedncia de entrada desses componentes ser preponderante na Eq. (7.8). O tempo de subida t , de um pulso definido como o tempo necessrio para a tenso variar de 10 a 90 por cento de seu valor final, como indicado na Fig. 7.25. Uma expresso til aproximada parat, pode ser deduzida a partir da Eq. (2.59), fazendo-se

Resolvendo em relao a t, e introduzindo a freqncia de corte superior ( 2 6 do amplificador, o resultado , da Eq. (2.46),

117)

De acordo com a Eq. (7.10), para que o tempo de subida seja pequeno, o amplificador deve apresentar uma boa resposta em frequncia. Por exemplo, se o tempo de subida do pulso for de 1 p s , a faixa de passagem deve se estender at 370 kHz. E bom lembrar que a faixa de passagem de um amplificador multiestgio sempre menor que a de qualquer de seus estgios.

Decaimento
A segunda forma de distoro do pulso, denominada decaimento, o afastamento do seu topo de um valor constante, como mostra a Fig. 7.25. Essa distoro resulta da frequncia de corte inferior do amplificador. O comprimento do pulso representa, com efeito, um sinal cc de curta durao, e, portanto, o circuito equivalente de um estgio (Fig. 7.27) inclui o capacitor de acoplamento interestgio C,, como na Fig. 7.3. Este circuito um filtro passa-altas e, o transitrio, uma exponencial caracterizada pela constante de tempo

Obviamente, a constante de tempo r do circuito deve ser grande para que a queda de tenso de sada durante o pulso seja mnima, isto , o valor de C, tambm deve ser grande. O decaimento pequeno na maioria das situaes prticas, de modo que a exponencial pode ser aproximada pelos dois termos iniciais da expanso em srie,

,
-

O decaimento percentual P

= Av,/v, ao trmino

da durao t , do pulso , ento,

Utilizando-se afrequnciade corte inferior 2 6 = 1/r da Eq. (7.4).

Note que um pulso longo requer um amplificador com excelente resposta em baixa frequncia. Por exemplo, suponhamos que o decaimento deva ser menor que 1 por cento. Neste caso, a frequncia de corte inferior de um amplificador de pulsos at 1 ms deve ser menor que 1,6 Hz.

Fig. 7.27

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

209

Os resultados dessas duas sees possibilitam uma tcnica conveniente para a determinao da resposta em frequncia do amplificador. Uma onda quadrada aplicada a entrada, observando-se a forma do sinal de sada num osciloscpio. Reduz-se a frequncia da onda at que o decaimento seja mensurvel e, a frequncia de corte inferior, determinada com auxlio da Eq. (7.14). Analogamente, aumentando-se a freqncia da onda at que o tempo de subida seja observado no osciloscpio, obtm-se a freqncia de corte superior por meio da Eq. (7.10). Naturalmente, supe-se que tanto a forma de onda do gerador quanto as caractersticas de resposta do osciloscpio sejam suficientemente boas, para que as distores devidas a eles sejam desprezveis. O teste da onda quadrada particularmente vantajoso no ajuste de amplificadores para resposta tima, porque as conseqncias de quaisquer variaes aparecem imediatamente na forma do pulso de sada. Isto torna desnecessria a trabalhosa e repetitiva determinao da resposta em frequncia por onda senoidal. Formas de onda semelhantes s das Figs. 2.28 e 2.30 so vistas frequentemente, dependendo dos valores relativos das freqncias de corte inferior e da onda quadrada.

AMPLIFICADORES CC
b -

Acoplamento direto
Todos os amplificadores discutidos at agora tm ganho nulo para sinais cc, em virA amplifitude da reatncia infinita dos circuitos de acoplamento na frequncicao de sinais cc ou que variem muito lentamente conseguida eliminando-se inteiramente esses circuitos. Alm da resposta cc, o desempenho em alta frequncia do amplificador de acoplamento direto melhorado tambm. Isto acontece porque as capacitncias parasitas associadas com os circuitos de acoplamento so eliminadas juntamente com eles.

Fig. 7.28 Amplificador cc de trs estgios.

A configurao Darlington, j discutida, um amplificador cc elementar de dois estgios. So necessrios circuitos mais elaborados para se obterem ganhos de tenso mais elevados. Consideremos, por exemplo, o amplificador de acoplamento direto de trs estgios da Fig. 7.28, que consiste em dois transistores de emissor comum precedidos de um estgio de entrada com FET. Observe que os estgios em emissor comum usam simetria complementar para simplificar as interconexes e manter os nveis de tenso cc em cada estgio em valores razoveis. A maior dificuldade dos amplificadotes cc em cascata a d ~ r i v u provocada pelas pequenas variaes nas caractersticas do transistor com o tempo ou com a temperatura e no potencial da fonte de alimentao. O transistor de entrada particularmente susceptvel a isto, porque quaisquer variaes,,mesmo pequenas, so amplificadas pelos estgios seguintes. E prtica comum a estabilizao do ponto quiescente dos amplificadores de acoplamento direto por meio da realimentao de uma parte da tenso de sada para o estgio de entrada, de modo que a deriva seja compensada. Na Fig. 7.29, isto feito pelo resistor R , , que polariza a base do transistor de entrada. Note que, se a tenso de emissor do segundo estgio, V , , aumentar por alguma razo, a corrente de base do primeiro aumentar em correspondncia, resultando numa diminuio da corrente de base do segundo transistor, que tende a fazer V, retornar ao seu valor original. A ao estabilizadora de R , pode ser mais bem examinada com auxlio do circuito equivalente do circuito de base do estgio de entrada, semelhante ao da Fig. 6-13b. As quedas de tenso no circuito equivalente so

I-

, , \

, ,
r. .

-vR2 R,

+ R2

R - 1 -R - L L v,, b ~ i Rz

onde V,, a tenso entre base e emissor. Resolvendo-se em relao a V,,

Agora V,, uma quantidade relativamente constante. Se o circuito for constitudo de

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

21 1

modo que o primeiro termo da Eq. (7.15) seja muito maior que o segundo, V , ser constante e, o amplificador, estabilizado. Aps o clculo de V , por meio da Eq. (7.15), podem-se determinar as correntes de cada transistor a partir das suas caractersticas, bem como o ponto quiescente do amplificador. Note, entretanto, que, obtendo-se estabilidade contra deriva, o amplificador no responde a sinais cc. Se o segundo termo da Eq. (7.15) for desprezvel, um sinal de entrada I , no causa qualquer variao em V,; da, o sinal de sada zero. Isto no acontece para sinais ca, pois o capacitor de 100 g F , no emissor, elimina V,, e, assim, nenhum sinal realimentado para a entrada, de modo que o circuito efetivamente um amplificador ca. A deriva causada pelas variaes nas caractersticas dos dispositivos semicondutores e nas tenses de alimentao minimizada, usando-se um amplificador diferencial balanceado (Fig. 7.30). As variaes, num lado do circuito, tendem a ser compensadas por variaes semelhantes no outro. Alm disso, os terminais de sada ficam no mesmo potencial quando o sinal de entrada zero. Observe a semelhana entre as Figs. 7.30,5.29a e 6.22. A finalidade do transistor Q 3 servir como fonte de corrente constante para o amplificador diferencial, a fim de reduzir as tendncias a deriva. Alm disso, a impedncia ca de coletor de Q , muito elevada, essencialmente igual a llh,,, o que, de acordo com a Eq. (6.56), reduz enormemente o efeito da assimetna do circuito. Esta soluo mais conveniente do que um grande resistor de emissor, uma vez que a queda de tenso em Q3 muito menor do que a associada com uma resistncia igual a

Sada

Entrada

1 { 1 " r
I

loo

100 R

Fig. 7.30 O amplificador diferencial amplificador cc balanceado

Ilh,,. Note que os resistores de polarizao de base de Q, e Q, esto ligados a coletores opostos. Isto tende a estabilizar o ponto de operao sem reduzir o ganho, pois os potenciais dos coletores variam em sentidos opostos, em resposta a um sinal de entrada. O sinal de sada deste amplificador , usando-se a Eq. (6.51),

Com auxlio da Eq. (5.4) do retificador, pode-se calcular a transcondutncia do transistor

"

= 2=

dl

dE

2= -1

dl dK

cie
O

eeVe'kT

=-

cie

kT

k~ Ie

O circuito balanceado, de modo que 21, = I , e, o sinal de sada,


uo = --I,R,(v,
cie

2kT

- v,)

f
8,2 kl

39

3,D kl

8,2 k l

FIMQ
1 Ml

' T ''
3,3 kR
3,3 kl

Fig. 7.31 Milivoltmetro balanceado com FET

- , 7

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

213

r-.

De acordo com a Eq. (7.18), o ganho do amplificador dado pela corrente em Q,, que, por sua vez, determinada pela polarizao na base deste transistor e pode ser ajustada para atender s necessidades de ganho. A estabilidade e o balanceamento do amplificador diferencial so tais que vrios estgios podem ser conectados em cascata para a obteno de valores elevados de amplificao, como ser visto no prximo captulo. Um til amplificador de dois estgios e que tambm um prtico milivoltmetro encontra-se ilustrado na Fig. 7.31. Um ' , estgio com F E T seguido por um estgio com transistor de juno em emissor comum. O amplificador com F E T possibilita elevada impedncia de entrada e estabili, - . zado contra variaes de tenso no emissor do transistor 2N726 e no diodo zener 651-C4, e tambm contra variaes na temperatura, em virtude do diodo 1N461 no circuito de polarizao de base. O ganho total do amplificador tal que a deflexo de - , plena escala do medidor obtida com um sinal de entrada de 50 x lO-, V, de modo que a sensibilidade equivalente 40 MOIV. Por outro lado, o circuito pode ser considerado um microampermetro com corrente de (50 x l0-,)/(2 x 106) = 25 nA para a deflexo de plena escala.

--_
-

rl

--

--

Aglificadores conversores - . ---.

--

Para evitar a deriva e as instabilidades inerentes aos amplificadores de acoplamento direto,-deve-se converter o sinal de entrada cc numa tenso ca, que pode ser amplificada por um circuito com acoplamento ca comum e , em seguida, retificada para a obteno do sinal cc amplificado. As caractersticas superiores de estabilidade dos amplificadores com acoplamento ca possibilitam ganhos muito maiores e , assim, tornam-se prticos para utilizao com amplificadores cc. Uma tcnica conveniente para a converso de tenso cc em sinal ca com o emprego de um vibrador mecnico, que uma chave que vibra rapidamente por efeito de um eletrom (Fig. 7.32). A medida que a chave se abre e se fecha, alternadamente, produz uma onda quadrada de amplitude igual ao sinal cc. A freqncia dessa onda corresponde de chaveamento, em geral de 60 Hz, pois mais conveniente alimentar o vibrador atravs da rede eltrica. O sinal ca amplificado na sada reconvertido em sinal cc, usando-se um circuito detector de pico semelhante ao da Fig. 4.31. A sensibilidade dos amplificadores conversores a sinais cc de nvel muito baixo limitada pelos efeitos do rudo de chaveamento nos contatos. O vibrador mecnico tem resistncia muito pequena quando o contato fechado e, muito grande, quando aberto, sendo, portanto, bastante eficiente. A resistncia do vibrador, associada a resistncia em srie R, na Fig. 7.32, representa, efetivamente, um divisor de tenso alternado. A grande variao na relao do divisor, ocasionada pela abertura e fechamento d a

Fig. 7.32 Amplificador conversor usando chave comandada eletromagneticamente para conver-

ter a tenso de entrada cc em sinal ca.

chave, significa que mesmo os mais tnues sinais de entrada podem se superpor a : o efeitos do rudo dos contatos. Em muitas aplicaes, o conversor deve refletir precisamente as variaes no sinal de entrada. Como regra prtica, a freqncia limite superior cerca de um quarto da de chaveamento. Os vibradores mecnicos so limitados em 60 Hz, embora ocasionalmente sejam usados componentes de 400 Hz. Para a obteno de freqncias de chaveamento mais elevadas, utilizam-se, em vrios circuitos, vibradores no mecnicos que empregam diodos, transistores, fotocondutores etc. E possvel, por exemplo, substituir o vibrador da Fig. 7.32 por um MOSFET levado alternadamente ao corte ou saturao por uma onda quadrada. Tcnica mais satisfatria utiliza o vibrador em circuito integrado da Fig. 7.33, onde Q , e Q , so dois elementos do divisor de tenso a entrada. A finalidade de Q , introduzir uma defasagem de 180 no sinal de chaveamento aplicado a Q , , de modo que, quando Q , est conduzindo, Q , est cortado, e vice-versa. Em consequncia, pois, de ambos os ramos do divisor de tenso serem trocados simultaneamente, a ao de chaveamento melhorada. A maior vantagem dos amplificadores conversores o nvel muito baixo de rudo interno, o que significa que mesmo sinais pequenssimos podem ser amplificados. Como ser discutido no Cap. 10, a interferncia causada por rudos aleatrios proporcional a faixa de passagem do amplificador, de modo que vantajoso o emprego das menores faixas possveis, No caso do amplificador objeto da presente seo, a faixa de passagem efetiva determinada pela frequncia caracterstica do filtro RC do voltmetro de leitura de pico na sada. A largura total da banda passante, . efetiva~ mente, igual ao intervalo de frequncias desde cc (zero Hz) a 1 / 2 RC. Se. por exemplo, a constante de tempo RC for 10 s, a banda efetiva ser 0,016 Hz, um valor realmente pequeno. Naturalmente, quando a constante de tempo tem esse valor, necessrio um intervalo de tempo de quase 30 s para que o sinal de sada atinja seu valor final. Assim, o amplificador responde muito lentamente a variaes no sinal de entrada. Essa reciprocidade entre faixa de passagem e tempo de resposta uma propriedade geral de todos os sistemas de medida.

Sinal de chaveamento

Fig. 7.33 Vibrador eletrnico em circuito integrado com MOSFET.

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

Fig. 7.34 O conversor sncrono preserva a polaridade do sinal de entrada.

(e)
Fig. 7.35 Formas de onda no conversor sncrono.

A dificuldade com esse amplificador que o sinal de sada independente da polaridade do sinal de entrada, pois o amplificador ca d sada ca qualquer que seja a polaridade da tenso de entrada. Este defeito pode ser corrigido com o emprego de um segundo contato para retificar a sada (Fig. 7.34). Como o vibrador mecnico fecha alternadamente os contatos A e B, o sinal de entrada convertido numa onda quadrada (Figs. 7.3% e b), e o sinal ca amplificado (Fig. 7 . 3 5 ~ ) reconvertido em sinal cc (Figs. 7.35d ee). Uma comparao entre as formas de onda da Fig. 7.35 mostra que, se v, for positivo, v, tambm o ser. Analogamente, se for negativo, a sada tambm ter essa polaridade. Uma verso eletrnica deste retificador sncrono ser analisada na prxima seo.

Amplificador amarrado
Os princpios do amplificador conversor sncrono so empregados em um circuito eletrnico amplamente utilizado em sistemas de instrumentao. A verso ilustrada na Fig. 7.36 usa um modulador a diodo para converter o sinal de entrada numa forma adequada para o amplificador e , um demodulador, para recuperar o sinal amplificado. Para generalizar, consideremos o sinal de entrada como um sinal varivel lentamente; se os sinais cc forem importantes, pode-se substituir o transformador de entrada por um divisor resistivo de razo 112. Podemos analisar o circuito de entrada, utilizando as tcnicas discutidas no Cap. 4. Supondo-se que a caracterstica do diodo possa ser representada por uma expresso quadrtica, a corrente em D , ser, de acordo com a Eq. (4.16),

i,

= a,

c(t)

+ a , V, sen o, t + a , r 2 ( t ) ; : + a , I'

sen' o,t

+ 2a, z,(t)V2sen 0 2 t

(7.19)

onde: a , e a, so constantes relacionadas com a caracterstica desse dispositivo, v, = V, sen o, t corresponde ao sinal de chaveamento e v(t) o sinal de entrada. Idntica expresso aplica-se a corrente em D,, no ser pela inverso da polaridade de a

n LI D ~
A

- Amplifia

cador ca "b sintonizado -

i
Sinal de chaveamento

Fig. 7.36 Conversor sncrono eletrnico.

CIRCUITOS AMPLIFICADORES

v(t) em relao a v,. A tenso de sinal aplicada ao amplificador

Substituindo-se as expresses de i, e i Q , muitos termos se cancelam em virtude da inverso da polaridade de v(t) em D,. O resultado

v, = 2Ra1 v ( t ) + 4Ra2v(t)V2sen o, t

(7.21)

O primeiro termo da equao acima no transmitido pelo amplificador, pois supe-se que o, seja muito maior que quaisquer componentes de freqncia associados com ~(t). Observe que o segundo termo simplesmente um sinal senoidal modulado de freqncia o,: as variaes na amplitude correspondem ao sinal de entrada. Ignorando-se, por um momento, os capacitores C, a corrente em D,, fazendo-se uso mais uma vez da Eq. (4.16),

i , = a l v,

+ a i V2 sen 0 2 t + a2 v; + a2 V: sen2 0 2 t + 2a2vbV2 sen w 2 t


+ 16a; kR2v(t)Vg sen2 0 2 t
=

(7.22)

A corrente em D, semelhante, a no ser pela inverso da polaridade de v b com respeito a v,. Conseqentemente, a tenso de sada torna-se

v, = R(i3 - i,) = 2al Rv,

(7.23)

Inserindo-se a identidade tngonomtrica 2 sen2o t

cos 2wt, (7.24)

v,

= 2a, Rv,

+ 8a; kR2V i u(t)(l - cos 2 0 , t )

Os capacitores de filtro eliminam os termos de alta-freqncia em o, e 20,; portanto, o sinal de sada simplesmente

De acordo com a Eq. (7.25), a tenso de sada uma rplica amplificada da entrada. O amplificador passa-faixa tem o pico da curva de resposta convenientemente situado em o,,a fim de minimizar os efeitos do rudo. Na realidade, entretanto, o circuito de filtro na sada que determina a faixa de passagem efetiva, do mesmo modo que no caso do amplificador conversor; e, assim, consegue-se um desempenho de muito baixo rudo. Em instrumentao, pode-se frequentemente produzir a modulao inicial associada, de alguma maneira, com a quantidade fsica a ser medida. Por exemplo, o feixe de um espectrmetro infravermelho chaveado por meio de um obturador rotativo antes de atingir o detector de infravermelho. O sinal amplificado do detector demodulado por um circuito semelhante ao da Fig. 7.36, usando-se uma tenso v, tirada do eixo do obturador rotativo. O desempenho de baixo rudo do circuito permite que sejam detectados sinais infravermelhos extremamente fracos. Desta forma, o circuito usualmente denominado amplificador amarrado, pois o detector fica sincronizado com o sinal de entrada. O sistema tambm chamado de detector sensvel a fase, porque o circuito pode "reconhecer" a fase do sinal de entrada.

SUGESTES PARA LEITURA COMPLEMENTAR E. J. Angelo, Jr.: "Electronic Circuits," McGraw-Hill Book Company, New York, 1964. Edwin R. Jones: " Solid-State Electronics," Intext Educational Publishers, Scranton, Penn., 1974. Jack J. Studer: "Electronic Circuits and Instrumentation Systems," John Wiley & Sons, Inc., New York. 1963.

7.1 Trace as caractersticas de resposta em freqncia do amplificador de duplo estgio da Fig. 7.1. Suponha que a resistncia de carga na sada seja 5.000 a. parmetros h de base comum de Os S; Q~ so: hib = 50 n,h,, = 300 x IOW, f i = -0,99, hOb= 0,2 x 1 0 - ~ de Q,: h , = I I n,h,, = 600 h x 10V, h f i = -0,99, hOb 0,72 x 10-6S. SuponhaC, + C, = 5 0 p F e C, = 8 pF. = 7.2 Trace a resposta em alta-freqncia e na faixa mdia do amplificador com F E T da Fig. 7.8. Compare com a resposta do amplificador sem a indutncia. Suponha C, + C, = 10 p F e g, = 8 x 10-, S. 7.3 Trace a resposta em baixa-freqncia do amplificador da Fig. 7.9. Compare com a resposta semR, e C,. Use os valores dos parmetros h dados no Exerccio 6.6. 7.4 Considere o amplificador de potncia da Fig. 7.1 1. Calcule a mxima potncia entregue as resistncias de 5, 10, 20 e 40 n na sada, usando as curvas caractersticas da Fig. 7.12. Calcule a eficincia do amplificador para cada carga. Resp.: 0,08/0,05/0,025/0,013W; 0,41/0,25/0,13/0,06 7.5 Trace a curva de transferncia dinmica para cada resistncia de carga do amplificador de potncia estudado no Exerccio 7.4. Que carga acarreta distoro mnima? Resp.: 5 0. 7.6 Determine a impedncia de carga refletida R; necessria para um amplificador de potncia simtrico em classe B , usando transistores tipo 2N1415, se a potncia de sada 0,3 W e V,, = 6

Resp.: 60 n 7.7 Trace a caracterstica de transferncia composta do amplificador do Exerccio 7.6. Repita o exerccio, considerando cada transistor polarizado com a corrente quiescente de base de 0,2 mA. 7.8 Desenhe o circuito equivalente do amplificador sintonizado da Fig. 7.20. Calcule o ganho de pico (mximo), supondo que as reatncias do circuito sintonizado sejam infinitas na ressonncia. Use os parmetros h dados no Exerccio 6.6. Resp.: 3.7 x 105 7.9 Desenhe o circuito equivalente do amplificador sintonizado com MOSFET da Fig. 7.23. Calcule o ganho de pico, supondo que a reatncia do circuito sintonizado seja infinita na ressonncia. Considereg, = 9.500 p S e r d = 5 x 105a. R P S ~ .4,75 x 10, : 7.10 Selecione as freqncias de teste de onda quadrada apropriadas para confirmar que um amplificador tem faixa de passagem de 20 a 20.000 Hz. Esboce as formas de onda esperadas na sada em ambas as frequncias. Resp.: 314 Hz; 3 kHz

v.

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

O desempenho dos amplificadores transistorizados melhorado, e m muitos aspectos, pelo retorno de uma parte do sinal de sada aos terminais de entrada. Este processo denominado realimentao. O sinal de realimentao tanto pode aumentar o de entrada como tender a cancel-lo. O escopo do presente captulo este ltimo caso, chamado de realirnentao negativa e que melhora as caractersticas de resposta e m freqncia e reduz a distoro na forma de onda. Alm disso, o desempenho fica muito menos dependente das variaes nos parmetros dos transistores, ocasionados por envelhecimento ou efeitos da temperatura.
Uma forma particular de realimentao negativa, conhecida como realimentao operacional, utilizada e m amplificadores que realizam operaes matemticas tais como a adio ou a integrao do sinal de entrada. Esses tipos, com acoplamento cc e alto desempenho, comercialmente disponveis, vieram a ser denominados amplij7cadores operacionais e so amplamente utilizados e m controle, medidas e computadores analgicos.

REALIMENTAO NEGATIVA

Realimentao de tenso
As alteraes no circuito de um amplificador comum, que retorne uma parte do sinal de sada para a entrada, podem ser analisadas com auxlio das tcnicas desenvolvidas nos captulos anteriores. E mais interessante, no entanto, isolar a parte de realimentao do circuito e trat-la separadamente. Consideremos o amplificador realimentado da Fig. 8.1, composto de um amplificador comum com ganho a e um circuito de realimentao, indicado pelo retngulo marcado como /3. De acordo com esse diagrama, uma tenso pv, somada ao sinal de entrada v,, de modo que o sinal total
v, =vi

,-,
A

, -

+ pv, + apv,

Considerando que v,

av,,
v. = a v ,

assim.

De acordo com a Eq. (8.3), o ganho total do amplificador realimentado,

, -

pode ser maior ou menor que o do amplificador sozinho, dependendo do sinal algbrico de ,i3a. A condio de maior interesse neste captulo a realimentao negativa, que ocorre quando fia uma quantidade menor que zero. Neste caso, a Eq. (8.4) indica que o ganho total fica reduzido, pois, na realidade, a tenso de realimentao cancela uma parte do sinal de entrada. Se o ganho do amplificador for muito grande, de modo que -@ S- 1 , aquela equao se reduz a

<

"

4
v,

' 4 r-a

o o Amplificador

i
uo

Fig. 8.1 Diagrama em bloco de amplificador realimentado.

a
I

o-

>

"t

OU,

Realimentao

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

221

Isto mostra que o ganho depende apenas das propriedades do circuito de realimentao. Este circuito , na maioria das vezes, uma simples associao de resistores elou capacitares. O ganho , portanto, independente de variaes nos parmetros dos transistores. Alm dessa melhoria na estabilidade, o ganho pode ser calculado com os valores do circuito de realimentao apenas, no sendo necessrio conhecer, por exemplo, os parmetros h de todos os elementos ativos. A realimentao negativa tambm eficaz na reduo da distoro na forma de onda, resultante da caracterstica de transferncia no linear e que pode ser interpretada como ganho menor, onde a declividade da caracterstica menor, e ganho maior onde a inclinao mais acentuada. De acordo com a Eq. (8.5), contudo, o ganho de um amplificador realimentado essencialmente independente de variaes causadas pelas no linearidades das caractersticas de transistores e vlvulas. Em conseqncia, a caracterstica de transferncia mais linear e a distoro, reduzida. Os benefcios da realimentao negativa so obtidos as expensas de ganho, o que, afinal, no representa uma perda sria, pois possvel obter amplificaes elevadas, com facilidade, nos amplificadores transistorizados. O ganho mximo, conforme ser visto no Cap. 10, limitado, de qualquer modo, pelos efeitos do rudo aleatrio, e , assim, no difcil obter a mxima amplificao, que pode ser efetivamente usada mesmo com realimentao. Quando uma parte da tenso de sada retorna entrada, estamos em presena da condio de realimentao de tenso. O amplificador da Fig. 8.2 emprega este tipo de realimentao, obtido por meio da conexo do resistor RF entre os terminais de sada e entrada do primeiro estgio. A tenso de realimentao introduzida no circuito do primeiro estgio porque a tenso de sada de um amplificador de duplo estgio est em fase com o sinal de entrada. O fator de realimentao o resultado do divisor de

Fig. 8.2 Amplificador realimentado de dois estgios. A realimentao determinada pela relao RIIR,.

tenso dado por R, e R,, de modo que

O capacitor C, isola as componentes cc dos dois estgios. Observe, tambm, que est sendo utilizado acoplamento cc entre eles, o que independente das consideraes de realimentao negativa. O resistor R, possibilita a polarizao do primeiro estgio e realimentao cc, que ajuda a estabilizar o amplificador diretamente acoplado contra a deriva, discutida no captulo precedente; no faz parte do circuito de realimentao ca. O efeito da razo de realimentao na caracterstica de resposta em frequncia est ilustrado na Fig. 8.3. Sem realimentao (retirado o resistor R,), o ganho na faixa mdia de 1.000,' e a frequncia de corte superior 100 kHz. A medida que a realimentao aumentada com o uso de valores menores de R,, o ganho reduzido e a faixa de passagem expandida nos dois sentidos. Com um resistor de 1.200 fL, o ganho de 10 e, a frequncia de corte superior, estendida a 15 MHz. Sob esta condio, /3 = 120/1.200 = 0,l e a p = 100. De acordo com a Eq. (8.5), o ganho na faixa mdia 1/P, em concordncia com as curvas de resposta experimentais. Assim, obtm-se um amplificador de faixa larga muito estvel com o uso de realimentao. Observe que, na Fig. 8.3, o ganho aumenta no extremo da curva de resposta quando se utiliza uma elevada razo de realimentao. Isto consequncia do desvio de fase do amplificador nessas frequncias. Com efeito, a realimentao reduzida, uma vez que a tenso na sada no est mais defasada de exatamente 180 em relao ao sinal de entrada. A caracterstica de fase de amplificadores realimentados nas frequncias fora da faixa de passagem muito importante. Essas irregularidades na curva

realimentao

01
100 Hz

1 kHz

10 kHz

100 kHz

1 MHz

1 0 MHz

100 M z H;
a

Freqncia

Fig. 8.3 Efeito da realimentao na resposta em frequncia do amplificador da Fig. 8.2.

'N.T. Observe que a escala vertical da Fig. 8.3 est em dB; assim, 20 log 1 .O00 = 60 dB.

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

223

de resposta devem ser pequenas, sobretudo quando se empregam razes de realimentao elevadas. H possibilidade de que os desvios de fase se tornem suficientemente grandes para causar realimentao positiva nas freqncias extremas, o que deve ser evitado para que o amplificador permanea estvel. Este assunto ser objeto de maiores consideraes numa seo posterior. Se o circuito de realimentao for seletivo em freqncia, possvel desenvolver uma caracterstica de resposta especfica para o amplificador. Consideremos, por exemplo, um que tenha um circuito de realimentao em ponte T em um estgio, como na Fig. 8.4, onde esto sendo utilizados seguidores de fonte para a obteno de impedncia alta na entrada e baixa na sada, a fim de que o estgio seletivo em freqncia seja isolado de influncias perturbadoras das cargas de entrada e de sada. Ainda est sendo usado um amplificador diferencial nos dois estgios iniciais, para simplificar o acoplamento interestgios na presena do circuito de realimentao. Como o filtro em ponte T est conectado entre dreno e porta, a tenso de realimentao est defasada de 180 do sinal de entrada, o que necessrio para a realimentao negativa. De acordo com a curva de resposta do filtro, a tenso de realimentao mnima na sua freqncia caracterstica, e, concomitantemente, o ganho do amplificador mximo; o resultado um amplificador sintonizado. A razo de realimentao 3 funo da frequncia, em virtude das caractersticas do filtro, e o efeito , da realimentao melhora consideravelmente a sua seletividade, como mostra a Fig. 8.5. Amplificadores sintonizados realimentados so utilizados comumente na faixa de audiofrequncias, onde difcil a construo de indutores com alto Q , por causa dos elevados valores de indutncia necessrios. Alm do mais, simples sintonizar o amplificador por meio de resistores variveis. Este enfoque til tambm em circuitos integrados, devido a dificuldade de produo de indutncias. Outros circuitos seletivos

Sada.

Fig. 8.4 Amplificador sintonizado com circuito de realimentao seletivo em frequncia, consistindo de filtro em ponte T.

Freqncia, Hz

Fig. 8.5 Caracterstica de resposta em freqncia do amplificador sintonizado da Fig. 8.4.

em freqncia, como a ponte de Wien ou o T geminado, so teis tambm para realimentar amplificadores sintonizados. A realimentao negativa altera as impedncias de entrada e de sada do amplificador. Para a visualizao disso, vamos substitu-10 pelo seu equivalente Thvenin, conforme a Fig. 8.6. A tenso de sada e o sinal de entrada so, assim,

Substituindo-se a Eq. (8.8) na (8.7),

Resolvendo-se em relao a v,,

A Eq. (8.9) a expresso de Thvenin para o amplificador realimentado negativamente. Observe que o coeficiente de v, o ganho, o que est de acordo com a Eq. (8.3), e o de i, a impedncia de sada efetiva. De acordo com a Eq. (8.9), a impedncia de sada reduzida e pode se tornar muito pequena se -aB for grande. A impedncia efetiva de entrada encontrada substituindo-se v, por R , i , e v, por r, i, nas Eqs. (8.7) e (8.8). O resultado da relao v,/i, a impedncia de entrada

De conformidade com a equao acima, a impedncia de entrada aumentada pela realimentao negativa. Tanto a reduo da impedncia de sada quanto o aumento da

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

Fig. 8.6 Circuito para determinar as impedncias efetivas de entrada e de sada de amplificador com realimentao de tenso.

de entrada so caractersticas favorveis nos amplificadores, como discutido nos captulos anteriores.

Realimentao de corrente
possvel obter um sinal de realimentao proporcional a corrente de sada, em vez da tenso, acarretando realimentao de corrente. Tanto a realimentao de tenso como a de corrente podem ser empregadas no mesmo amplificador (Fig. 8.7). O equacionamento da malha de sada nos d
v. = av,

- i,(r,

+ R,)

(8.11)

Da mesma forma, a aplicao da lei de Kirchhoff das tenses ao circuito de entrada acarreta

Fig. 8.7 Realimentao combinada de tenso e corrente.

Substituindo-se a Eq. (8.12) na (8.11) e resolvendo-se em relao tenso de sada,

Note que esta expresso engloba a Eq. (8.9), quando P, = 0. A combinao da realimentao de tenso com a de corrente permite um ajuste nico da impedncia de sada do amplificador, que dada pelo coeficiente de i, na Eq. (8.13) e pode ser reduzida a zero se

Se a Eq. (8.15) for satisfeita, o amplificador ter impedncia interna nula e, portanto, poder fornecer a mxima potncia a qualquer carga. Observe que isto requer realimentao positiva de corrente, de acordo com a Eq. (8.15), o que permitido, neste caso, por causa do efeito estabilizador da realimentao negativa de tenso, que tambm est presente. O ganho n e o fator P so caracteristicamente nmeros complexos. Os desvios de fase associados com os caoacitores de aco~lamento com os efeitos das ca~acitne cias parasitas se fazem presentes, em particular, nas freqncias fora da faixa de passagem do amplificador. Esses deslocamentos de fase fazem com que a defasagem de 180, necessria para que a tenso de realimentao negativa atue eficazmente sobre o sinal de entrada, se afaste desse valor. Pode ser at que a defasagem total se torne nula (isto , 360), acarretando um produto a p positivo, e, assim, a tenso de realimentao aumenta o sinal de entrada, ao invs de diminu-10. Isto denominado realimentao positiva, que acarreta srios problemas de instabilidade nos amplificadores realime?tados. Observe, particularmente, que, se a p = + I , a tenso de sada, dada pela Eq. (8.3), torna-se muito elevada, mesmo sem a presena de sinal de entrada. Isto significa que a realimentao positiva pode fazer com que o amplificador oscile, como no caso j discutido, de realimentao provocada pela capacitncia de coletor dos transistores. A oscilao indesejvel nos amplificadores, pois a tenso de sada deixa de ser uma rplica do sinal de entrada. Este tipo de realimentao , no entanto, uma condio bastante til aos circuitos osciladores, a serem discutidos no prximo captulo. Deve-se tomar muito cuidado durante o projeto dos amplificadores realimentados, a fim de estabiliz-los convenientemente, em face dos desvios de fase que provocam realimentao positiva nas freqncias extremas da faixa de passagem. Felizmente, existe um critrio bastante correto e que pode ser aplicado na determinao da estabilidade. De acordo com a Eq. (8.4), a instabilidade ocorre quando a p positivo e unitrio. Segue-se que, se o valor absoluto de a p caiu abajxo da unidade, antes de a defasagem ter atingido -360, o amplificador ser estvel. E conveniente traar o grfico da amplitude e da fase de a p em funo da freqncia (Fig. 8.8), a fim de que fiquem estabelecidas as posies relativas nas quais aB = I e a defasagem nula. De acordo com este mtodo, o amplificador com as caractersticas apresentadas na Fig. 8.8 estvel.

Estabilidade

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

Fig. 8.8 Caractersticas de amplitude e fase de um amplificador estvel.

Para ser possvel aplicar esse critrio, o amplificador deve ser estvel quando no realimentado. Existem, tambm, certas situaes nas quais o amplificador realimentado pode ser condicionalmente estvel, isto , estvel sob certas condies de, digamos, carregamento, e no sob outras. Na maioria dos casos prticos, no entanto, a condio estabelecida suficiente. E conveniente uma considerao sobre as caractersticas a/3 de alguns tipos de amplificador a luz desta condio de estabilidade. Como, na maioria dos casos, a razo de realimentao independente da freqncia, basta um exame das caractersticas de amplitude e fase do ganho, separadamente. No caso de um nico estgio com acoplamento R C (Fig. 8 . 9 ~ a defasagem nunca excede 90. Isto significa que a fase de a/3 ) sempre menor que 90 + 180 = 270. Logo, como sempre menor que 360, um amplificador de estgio singelo realimentado negativamente no pode ser instvel. Dois estgios idnticos em cascata, com acoplamento RC, tm a caracterstica ideal esboada na Fig. 8.9b. O desvio de fase chega a 180 nas frequncias muito baixas e muito altas, mas o ganho muito pequeno nesses extremos. Por conseguinte, indiferente que a/3 possa ser unitrio nessas freqncias em que a defasagem total 180 + 180 = 360. Os amplificadores prticos sempre tm, entretanto, capacitncias parasitas que podem introduzir desvios de fase adicionais em altas freqncias. E possvel que isto acarrete condies de instabilidade, se o ganho for elevado. As caractersticas de trs estgios idnticos com coplamento RC (Fig. 8 . 9 ~ indi) cam que, nos extremos, o deslocamento de fase se aproxima de 270. A defasagem de 180 encontrada, portanto, tanto em baixas como em altas frequncias. e, assim, um amplificador de trs estgios ser, com certeza, instvel, se o ganho na faixa mdia for suficientemente alto. Pode-se mostrar que o valor mximo permitido a a p nesta faixa 8 , embora este valor ainda situe o amplificador nos limites da oscilao. Existem muitos meios de remover esta dificuldade, alm da minimizao do ganho. Por exemplo, pode-se fazer a largura da banda de dois dos estgios muito maior que a do terceiro. Isto significa que as caractersticas de fase so determinadas basicamente por este estgio, que incondicionalmente estvel. E possvel, tambm, utilizar acoplamento cc entre doisestgios a fim de se eliminar a defasagem associada com um circuito de acoplamento. E prtica comum alterar as caractersticas de ganho e de realimentao, particularmente em altas freqncias, com a incluso de pequenas capacitncias, de modo a melhorar a estabilidade. Normalmente, essas alteraes devem

Fig. 8.9 Caractersticas de ganho e fase de amplificador de ( a ) estgio singelo, ( b ) duplo estgio e (c) trs estgios.

ser feitas empiricamente nos amplificadores reais, por causa das inevitveis e desconhecidas capacitncias parasitas da fiao.

REALIMENTAAO OPERACIONAL A terra virtual


Uma ligao para realimentao negativa particularmente verstil denominada realimentao operacional porque o circuito capaz de executar determinadas operaes matemticas no sinal de entrada. Amplificadores de alto ganho com acoplamento cc

, -

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

Fig. 8.10 Diagrama em bloco do amplificador operacional.

so universalmente utilizados nesta aplicao. Estes amplificadores operacionais apresentam alta impedncia de entrada, baixa impedncia de sada e , convencionalmente, introduzem uma defasagem de 180 entre o sinal de entrada e o de sada. Para ilustrar as caractersticas do amplificador operacional, consideremos o circuito de realimentao da Fig. 8.10, no qual a realimentao negativa de tenso dada pelo resistor R, conectado entre a sada e a entrada. Observe que a realimentao negativa devido a inverso de fase no amplificador. A razo de realimentao operacional pode variar desde a unidade, para uma fonte de alta impedncia, at R/(R + R,), para uma de baixa impedncia, uma vez que a tenso de realimentao est, efetivamente, em paralelo com a fonte do sinal de entrada. E conveniente, na anlise do circuito de realimentao, a aplicao da lei de Kirchhoff das correntes no n S. Como a impedncia de entrada do amplificador elevada, nele a corrente desprezvel, o que significa que as correntes emR e Rf so iguais, ou

Substituindo-se v,

v,/a e reagrupando-se,

Como o ganho muito grande.

ou seja, a tenso de sada exatamente a de entrada multiplicada pelo fator constante -RJR. Se forem utilizados resistores de preciso, este, clculo de multiplicao ser realizado com bastante exatido. O n S tem um significado especial nos amplificadores operacionais. Isto pode ser ilustrado, determinando-se a impedncia efetiva entre S e a terra, que dada pela relao entre v, e a corrente de entrada,

Fig. 8.11 Smbolo de circuito para o amplificador operacional.

onde o valor utilizado para a corrente de entrada foi aquele dado pela Eq. (8.16). De acordo com a Eq. (8.19), a impedncia entre S e a terra ser muito baixa se o ganho for elevado. Valores tpicos de R, = 10j Cl e a = 104proporcionam uma impedncia de 10 0. A baixa impedncia consequncia da tenso de realimentao negativa, que cancela o sinal de entrada em S e tende a manter este n no potencial de terra. Por este motivo, o ponto S denominado terra virtual e , embora seja mantido nesse potencial por ao da realimentao, no h fluxo de corrente para a terra neste ponto. Observa-se imediatamente, devido a terra virtual, que a impedncia vista dos terminais de entrada igual a R.

Operaes matemticas
O circuito de realimentao operacional (Fig. 8.10) multiplica o sinal de entrada pela constante -Rf/R. A simplificao do diagrama de circuito para a maneira apresentada na Fig. 8.11, na qual os terminais de terra no so mostrados especificamente, convencional. O amplificador operacional indicado por um tringulo apontando para o terminal de sada. Subentende-se que o diagrama simplificado da Fig. 8.1 1 representa realmente o circuito completo da Fig. 8.10. Se R, = R no circuito multiplicador, o sinal ser, simplesmente, multiplicado por - 1. Isto utilizado frequentemente para se obter um sinal multiplicado por uma constante positiva, quando este amplificador operaciona1 precede o que determina o multiplicador. Fatores multiplicativos variando de -0,l a 10 so possveis, e a exatido determinada principalmente pela preciso dos resistores. O amplificador operacional pode ser usado tambm para somar vrios sinais, quando se conectam resistores separados ao n S, conforme indicado na Fig. 8.12. Neste circuito, a soma das correntes em R,, R , e R , igual a corrente em R,, pois no existe corrente entre S e a terra. Alm do mais, este ponto est no potencial de terra, de modo que [compare com a Eq. (8.16)],

Muitos sinais podem ser somados desta maneira. No existe interao das fontes de sinal, uma vez que S uma terra virtual. Em virtude de a adio ser executada neste ponto, ele comumente denominado de ponto de soma. Observe que cada sinal pode ser multiplicado pelo mesmo fator (ou - I ) , se R , = R , = R , etc., ou por fatores diferentes, como for conveniente. Se o resistor de realimentao for substitudo por um capacitor (Fig. 8.13), o cir-

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

Fig. 8.12 Circuito somador empregando amplificador operacional.

Fig. 8.13 Circuito integrador.

Fig. 8.14 Circuito diferenciador.

cuito realiza a operao de integrao. Utilizando-se o fato de S ser um potencial de terra,

o,='C-

C!,

.'i d t =

1 RC

1, c, d t

.'

De acordo com a Eq. (8.22), a tenso de sada a integral do sinal de entrada. Note que no h restries quanto aos componentes de frequncia, como no caso do integrador RC simples discutido no Cap. 2. E necessrio apenas que a faixa de passagem do amplificador seja suficientemente larga para conter todas as freqncias do sinal. A integral da soma de vrios sinais obtida adicionando-se diversos resistores de entrada, como na Fig. 8.12. A inverso das posies de R e C (Fig. 8.14) resulta num circuito diferenciador que deriva, em relao ao tempo, o sinal de entrada. Equacionando-se mais uma vez as correntes no ponto de soma,
-

d " - ! ! = c [.,= c d c , -

dt

dt

Li

.
-

O circuito diferenciador tambm independente de restries de freqncia, supondo-se apenas que o ganho do amplificador seja suficientemente elevado em todas as frequncias do sinal.

Amplificador simples
O amplificador operacional eficaz e de alto ganho para emprego com pequenos sinais. Se, contudo, a impedncia de entrada R (Fig. 8.10) for 105 R e for desejado um

Fig. 8.15 Amplificador operacional de alto ganho.

ganho de 103,o resistor de realimentao dever ser de 10s R. Resistores estveis com este valor no so facilmente encontrados, de modo que se utiliza uma conexo alternativa (Fig. 8.15). O divisor de tenso formado por R , e R , retorna somente uma frao do sinal de sada para a entrada e ainda mantm a conexo de realimentao operacional. O circuito pode ser analisado equacionando-se as quedas de tenso e m torno das malhas de realimentaao, lembrando-se que S est no potencial de terra

v, - ( R ,

+ R,)il + R, i, = O

Em virtude de no haver fluxo de corrente para a terra e m S , vi/R = -i2. Substituindo-se este valor nas Eqs. (8.25) e aplicando-se o resultado em relao a volvi,

R , e R, R , , e , assim, a Eq. (8.27) se reduz a Frequentemente, ocorre que R, expresso, j obtida na Eq. (8.18), para o ganho do amplificador, multiplicada pela relao R2/R,. Pode-se, ento, conseguir o ganho de 103 com a impedncia de entrada de 105 R e o resistor de realimentao de R, = 106 a , fazendo-se, por exemplo, R, = 104 e R , = 102 R.

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS Amplificadores prticos


O circuito do til, porm relativamente simples, amplificador operacional da Fig. 8.16 inclui um amplificador diferencial com FET no estgio de entrada, empregando-se um transistor como fonte de corrente constante para melhorar o balanceamento, como j foi discutido antes. O segundo estgio um amplificador com transistor n p n na configurao emissor comum, tendo um p n p como resistor de carga no coletor, e est diretamente acoplado ao estgio de sada, um seguidor de emissor. A tenso de realimentao negativa dada pelo resistor de 680 kfl, conectado entre a sada e o emissor do segundo estgio. Alm disso, a realimentao positiva de corrente obtida ligando-se O resistor de emissor da sada a uma parte do resistor de emissor do transistor de carga do coletor. Este circuito tem ganho elevado (105), bem como alta impedncia de entrada (aproximadamente 5 Ma),em virtude do FET no estgio de entrada. Alm disso, a

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

233

impedncia de sada baixa, por causa do seguidor de emissor e do efeito da realimentao negativa. A realimentao positiva de corrente empregada para a obteno de algum ganho no terceiro estgio e para aumentar a excurso mxima permitida tenso de sada sem distoro. Observe que os terminais de entrada do diferencial esto com polaridades marcadas. O terminal negativo, normalmente denominado de entrada inversora, determina um sinal de sada de polaridade oposta ao de entrada. O positivo, chamado de entrada no inversora, produz um sinal de sada em fase com o deste terminal. A entrada normal a inversora, uma vez que h necessidade da defasagem de 180 para realimentao operacional. Os amplificadores operacionais em circuito integrado so muito eficientes, devido s suas teis propriedades e ao reduzido tamanho. O circuito de uma unidade tpica, mostrado na Fig. 8.17a, integrado numa pastilha de silcio (Fig. 8.17b) e, a unidade completa, montada num pequeno invlucro (como os das Figs. 8.17~ou 5.30). O circuito, de cinco estgios, contm um amplificador diferencial na configurao Darlington com um transistor no emissor para compensao de temperatura. Este estgio seguido de um segundo amplificador diferencial acoplado a um seguidor de emissor que utiliza outro transistor como resistor de emissor. Em seguida, um amplificador em emissor comum alimenta o seguidor de emissor na sada. Este tambm emprega um transistor como resistor de emissor. Observe que a compensao de temperatura obtida, tanto no estgio inicial como no intermedirio e no final, por meio de diodos nos circuitos de polarizao de base dos transistores que atuam como resistores de emissor. Conforme est indicado na Fig. 8.17, o circuito dotado de acessos aos coletores dos transistores da entrada e do circuito de realimentao negativa interna no terceiro estgio, alm dos terminais de entrada, de sada e da fonte de alimentao. Os terminais 7 , 8 , 9 e 10 permitem o acrscimo de circuitos externos de compensao de fase

-I

+12

Fig. 8.16 Amplificador operacional com FET no estgio de entrada.

para evitar realimentao positiva nas extremidades da faixa de passagem do amplificador. A compensao necessria depende, em parte, da aplicao particular do operacional e , por isso, no fabricada juntamente com o circuito integrado. Exemplos de circuitos de compensao de fase sero dados posteriormente. Mesmo com um projeto muito cuidadoso e o emprego de fontes de tenso bem estabilizadas, difcil evitar flutuaes nos amplificadores cc. Quando isto acontece na tenso do amplificador de sada, significa que a realimentao operacional no mantm mais o n S na terra virtual. e o erro neste potencial chamado de ajastamento. As tenses de afastamento so, tipicamente, da ordem de 1 mV, podendo representar um problema srio nas aplicaes crticas. Consegue-se melhorar o desempenho com a utilizao de um amplificador conversor para estabilizar a tenso da terra virtual, como indicado na Fig. 8.18. Nesta, o amplificador conversor, que isento de flutuao, por causa do acoplamento ca, mede a tenso de afastamento em S e fornece um sinal de erro amplificado a entrada positiva do operacional. Este sinal neutraliza as flutuaes no operacional, e , na prtica, o afastamento pode ser reduzido para 10 p V . Note que o capacitor est colocado entre S e o amplificador operacional, de modo

5
___O

>

Sads'

Fig. 8.17 ( a )Amplificador operacional em circuito integrado.

--

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

Fig. 8.17 (b) Pastilha de silcio real e ( c ) embalagem plana. (Motorola Semiconductor Products, Inc.)

que o afastamento controlado apenas pelo amplificador conversor. Isto evita que o operacional responda, por si, aos sinais cc, porm o conversor o faz e, por alimentar o operacional, torna-se parte do seu circuito de realimentao. Com efeito, este amplificador no diretamente acoplado e opera com sinais de alta-freqncia, enquanto o conversor o faz com sinais cc e de frequncia muito baixa. O ganho cc muito grande, pois o produto dos ganhos de cada amplificador, o que significa que a curva de resposta global no uniforme e o ganho em baixa-freqncia maior que em alta. De acordo com a Eq. (8.18), tal fato no importante, pois o ganho, devido realimentao, no aparece na expresso do sinal de sada, contanto que permanea elevado em todas as freqncias de interesse. A combinao de um operacional estabilizado por um conversor frequentemente denominada apenas de amplificador operacional. Assim, a linha tracejada na Fig. 8.18

L-------------Fig. 8.18 Amplificador operacional estabilizado com conversor.

circunda uma dessas combinaes. Existem amplificadores conversores para estabilizar operacionais tambm em unidades separadas. Um circuito tpico, mostrado na Fig. 8.19, um amplificador convencional com acoplamento ca, usando um conversor sncrono para recuperar o sinal cc. Observe que os resistores de emissor no desviados possibilitam realimentao por corrente para melhorar as caractersticas de fase, de modo que a sada sincronicamente alternada est em fase com o sinal de entrada. De fato, utilizado acoplamento cc, por convenincia e pela mesma razo. Os capacitores na entrada e na sada fazem com que o amplificador seja, na realidade, de acoplamento ca. Amplificadores operacionais estabilizados desta forma so disponveis comercialmente em circuitos integrados, empregando vibradores com MOSFET similares ao da Fig. 7.33. As propriedades necessrias aos amplificadores operacionais dependem da aplicao particular que se tenha em vista. Certos parmetros, contudo, so caractersticos de muitas aplicaes e servem de base para comparao entre as diferentes unidades.

Fig. 8.19 Amplificador conversar tpico.

/,

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

237

Consideremos as caractersticas dos vrios tipos resumidas na Tabela 8.1, que confronta dois amplificadores transistorizados tpicos com componentes discretos (um de entrada com FET, similar ao da Fig. 8.16), dois em circuito integrado, semelhantes ao da Fig. 8.17, e um estabilizado com conversor. Muitas variaes desses tipos bsicos so tambm disponveis para diferentes aplicaes, mas a faixa de parmetros apresentada na tabela bastante representativa. A principal caracterstica de um amplificador operacional , naturalmente, o ganho. Este parmetro usualmente especificado como ganho de tenso de malha aberta, significando o ganho do amplificador, sem qualquer conexo de realimentao operacional. E desejvel um valor elevado, a fim de que a Eq. (8.18) se aplique com exatido. De acordo com a segunda coluna da Tabela 8.1, so tpicos valores acima de 1000, atingindo at mais de 10 milhes. A banda passante tambm significativa, pois especifica a faixa de frequncia na qual o ganho disponvel aprecivel. Note que no h necessidade de a resposta em frequncia ser uniforme, uma vez que o valor real do ganho no aparece na expresso da realimentao operacional. Por este motivo, no apropriado dizer que a faixa de passagem est limitada pelas freqncias de meia potncia, como no Cap. 7. Uma base de comparao a largura da faixa de passagem de malha aberta com ganho unitrio, que o intervalo compreendido entre a origem e a frequncia na qual o ganho cai a um. Embora este parmetro seja de utilidade aos propsitos comparativos, o amplificador no utilizvel em toda esta faixa, pois o ganho prximo a frequncia extrema no suficiente para um desempenho satisfatrio. A terceira coluna indica, no entanto, que podem ser utilizados sinais de freqncia bastante elevada. A impedncia de entrada do amplificador operacional deve ser suficientemente grande para que a corrente de entrada seja desprezvel, de acordo com a anlise que nos conduziu a Eq. (8.18). Isto pode ser conseguido facilmente por meio de um estgio com FET, sendo frequentemente empregada a configurao Darlington pela mesma

Tabela 8.1 Propriedades dos amplificadores operacionais


Ganho de tenso de malha aberta Faixa de passagem, ganho unitrio, MHz Impedncia de entrada, Tenso de afastamento de entrada, mV Flutuao do afastamento, /.LV/"C

Tipo Componente discreto (transistor) Componente discreto (FET) Circuito integrado (MC 1431) Circuito integrado (wA702A) Estabilizado por conversor

--

3 x 1o4 106

1 10

2 x 105 1012

Ajustvel Ajustvel

25 2

3500

20

6 x 105

1O

3600 3 x 10'

30 15

4 x 104
5 x 105

0,s 0,01

2,s 02

razo. Embora a impedncia de entrada de um amplificador diferencial em emissor comum seja menor que nas alternativas apresentadas na tabela (quarta coluna), ela suficientemente alta para a maioria das aplicaes. Se a entrada deste ltimo amplificador no for perfeitamente balanceada, haver tenso de sada, mesmo na ausncia de sinal externo. Essa tenso espria pode se tornar problemtica; isto acontece, por exemplo, no circuito integrador, pois, de acordo com a Eq. (8.22), uma tenso constante acarreta um sinal sempre crescente na sada, o qual, eventualmente, pode levar o amplificador a saturao. Embora, como j foi observado, um transistor de corrente constante no circuito de emissor ou de fonte minimize o efeito do desequilbrio, quase sempre necessrio, nos amplificadores com componentes discretos, um controle de equilbrio ajustvel (reporte-se a Fig. 8.16). Este controle pode requerer ajustes peridicos, a medida que os componentes envelhecem. Os amplificadores em circuitos integrados so suficientemente bem balanceados, de modo que no h necessidade de adotar essa soluo, mas deve-se conhecer a extenso de qualquer assimetria residual. A tenso a ser aplicada a entrada para a obtenco de tenso de sada nula, o afastamento, deve ser medida. Valores na faixa demilivolts ou menores so comuns, de acordo com a Tabela 8.1. Aflutuao da tenso de afastamento de entrada, em especial com a temperatura, significativa, pois uma variao lenta nela no distinguvel de um sinal lentamente varivel. Conforme a ltima coluna daquela tabela, permissvel variaes de dezenas de graus na temperatura antes que a flutuao do sinal seja comparvel ao sinal de afastamento. As propriedades superiores do amplificador operacional estabilizado por conversor esto evidentes nos parmetros relacionados na Tabela 8.1. Certas aplicaes podem necessitar da altssima impedncia de entrada do FET, enquanto, em outras, o pequeno tamanho e o baixo custo do projeto com circuito integrado podem ser mais importantes. Desta forma, os diversos tipos de amplificadores so complementares, em vez de rivais. Em complemento aos relacionados na tabela, h outros parmetros comumente utilizados na especificao desses amplificadores, alguns dos quais so: impedncia de sada, corrente de polarizao de entrada e de afastamento, razo de rejeio de modo comum e rudo interno. Para uma determinada aplicao, qualquer um destes, ou ainda outros, pode ser mais importante do que os contidos na Tabela 8.1.

Circuito integrador e diferenciador


Na Fig. 8.20 est ilustrado um circuito integrador e diferenciador prtico. Neste, o amplificador operacional em circuito integrado similar ao da Fig. 8.17. A chave na entrada troca as posies do capacitor e do resistor de integrao, como pode ser observado desenhando-se os circuitos resultantes para comparao com as Figs. 8.13 e 8.14. Desta maneira, o mesmo circuito pode ser usado tanto para integrar como para diferenciar o sinal de entrada. Formas de onda de sada tpicas so mostradas na Fig. 8.21, para o caso de uma onda quadrada. A finalidade do resistor de 390 kR em paralelo com o capacitor, na Fig. 8.20, eliminar o efeito da integrao da tenso de afastamento de entrada, pois o resistor mantm efetivamente o capacitor descarregado para variaes lentas no sinal, e, em conseqncia, o integrador no opera adequadamente em freqncias abaixo de ,f = lI2xRC = 20 Hz, aproximadamente. As duas associaes em srie dos dois pequenos resistores e capacitores formam circuitos de compensao de fase para garantir que, como discutido anteriormente, os desvios de fase totais no provoquem realimentao positiva nos limites superiores de freqncia da banda de passagem do amplificador.

.-

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

c 4

Entrada

Sada

Fig. 8.20 Circuito integrador e diferenciador prtico.

Fig. 8.21 ( a ) Onda quadrada de entrada (b) integrada e ( c ) diferenciada pelo amplificador operacional da Fig. 8.20.

Amplificador logartmico
Usam-se tambm componentes no lineares de realimentao, nos circuitos operacionais, que possibilitam a obteno de caractersticas entrada-sada especiais. Consideremos, por exemplo, o circuito da Fig. 8.22, que utiliza um transistor em base comum como elemento de realimentao, resultando num amplificador no qual a tenso de sada o logaritmo do sinal de entrada. Esta configurao opera com sinais bastante elevados, sem saturar. A caracterstica logartmica surge da maneira descrita a seguir. A corrente de coletor no transistor a de emissor vezes o ganho, de acordo com a Fig. 5.10, e esta dada pela equao do retificador. Desprezando-se a unidade na Eq. (5.4) em presena do termo exponencial dominante,

Na realimentao operacional da Fig. 8.22, a corrente de coletor pode ser expressa em termos do sinal de entrada

onde o sinal de sada v,, a tenso base-emissor. Reagrupando-se e tomando-se o logaritmo de ambos os lados desta equao,

As caractersticas experimentais da Fig. 8.23 ilustram as propriedades logartmicas estabelecidas pela Eq. (8.30) e a faixa extremamente grande de sinais de entrada com os quais o amplificador opera. Nos circuitos prticos, normalmente necessrio suplementar o circuito elementar da Fig. 8.22, com a incluso de uma fonte de polarizao de coletor, e compens-lo contra tenses de afastamento, usando-se a entrada no inversora a fim de que seja obtida a caracterstica logartmica em toda a faixa de tenso. A par de sua capacidade em operar com sinais simples, este amplificador pode ser usado para multiplicar dois sinais arbitrrios. As sadas de dois amplificadores logartmicos so somadas e o resultado passado num amplificador logartmico inverso. A sada deste proporcional ao produto dos dois sinais.

Fig. 8.22 Amplificador logartmico elementar.

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

10-~

10-~

1o-Z

Io-' 1 Sinal de entrada, V

10

100

Fig. 8.23 Caracterstica de transferncia do amplificador logantmico.

Filtro ativo
Consideremos o circuito da Fig. 8.24, no qual tanto a entrada inversora quanto a no inversora esto com realimentao operacional. Devido a elevada impedncia de entrada, a corrente que entra nos terminais do amplificador desprezvel, de modo que

que significa

Aplicando-se a lei de Kirchhoff das tenses no lao de sada.

Substituindo-se a Eq. (8.32), a relao entre as tenses de entrada e de sada se reduz a

Consideremos agora a impedncia de entrada aparente do circuito, quando uma impedncia Z, conectada aos terminais de sada. Para melhor entendimento da transformao de impedncia, deve-se usar o diagrama em bloco da Fig. 8.25, no qual o retngulo tracejado da Fig. 8.24 foi denominado de CNZ, pelas razes justificadas

Fig. 8.24 Amplificador operacional conectado como conversor negativo de impedncia.

, -

abaixo. De acordo com a Fig. 8.25, a impedncia Z, dada por

A impedncia de entrada

onde se fez uso das Eqs. (8.32) e (8.34). A Eq. (8.36) mostra que o circuito possui a interessante propriedade de a impedncia de entrada aparente ser o negativo daquela conectada aos terminais de sada; ou seja: o circuito um convrrsor negativo de i m p dncia. Se, por exemplo, a impedncia de sada for capacitiva, a de entrada ser indutiva. Alm disso. sua amplitude depender do fator de escalar,/r,. Uma aplicao simples deste circuito o Jlltro utii~o (Fig. 8.26), no qual o capacitor C, na sada refletido como uma indutncia, de modo a formar com C, um circuito

Fig. 8.25 Diagrama em bloco de um conversor negativo de impedncia.

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

CJL?

CNZ
ui

Fig. 8.26 Filtro ativo.

ressonante. A caracterstica de transferncia do circuito

tendo-se utilizado a Eq. (8.34). Substituindo-se a Eq. (8.36),

A relao Z,/Z,

O circuito ressonante quando a parte imaginria se anula

Aps a substituio das Eqs. (8.39) e (8.40) na (8.38), o resultado

Esta expresso deve ser comparada com a Eq. (8.49) do circuito RLC. Quando R , = R , e C , = C,, a caracterstica

Observe quk o Q equivalente do circuito exatamente r,/r,, e isto significa ser possvel ajust-lo independentemente da freqncia de ressonncia. Por outro lado, possvel

Sada

Fig. 8.27 Comparador empregando amplificadoroperacional.

ajustar esta freqncia mudando-se R , (e R,) ou C, (e Cz), sem alterar o Q. O sinal de sada pode exceder o de entrada na ressonncia, se o termo real na Eq. (8.42) for menor que a unidade, de modo que um filtro ativo pode tambm ter ganho.

Comparador Os amplificadores operacionais so utilizados tambm para comparao das amplitudes de dois sinais. Se um sinal for aplicado a entrada inversora e o outro a no inversora, a sada ser nula apenas quando os dois sinais forem iguais. O c,omparador prtico da Fig. 8.27, que emprega u m operacional e m circuito integrado, d tenso zero na sada sempre que o sinal instantneo na entrada igual a V . A elevada razo de rejeio de modo comum e a excelente caracterstica de equilbrio do estgio de entrada so importantes nesta aplicao.

COMPUTADORES ANALGICOS Simulao Os circuitos de realimentao operacional podem ser reunidos e m computadores analgicos, em que os sinais so anlogos a variveis nos sistemas fsicos, muitos dos quais podem ser descritos por equaes matemticas baseadas nas leis da natureza. Os computadores analgicos so utilizados para resolver tais equaes e , e m consequncia, mostrar o comportamento do sistema. As tenses e outros parmetros do circuito de u m computador desse tipo correspondem a variveis e propriedades do sistema real. Os parmetros do computador so, entretanto, facilmente alterados e ajustados, de modo que o comportamento do sistema pode ser examinado numa ampla faixa de condies. O computador , de fato, encarado como simulador do sistema fsico, e sua resposta aos estmulos externos corresponde ao sistema real at onde a descrio matemtica mostrar-se precisa. Oscilador harmnico amortecido U m grande nmero de sistemas fsicos descrito por equaes diferenciais - por exemplo, os movimentos mecnicos, de acordo com as leis de Newton. Consideremos O oscilador harmnico amortecido, que a vibrao mecnica de u m corpo de massa rn na extremidade de uma mola com fora constante k , na presena de amortecimento viscoso descrito pela constante de amortecimento b e excitado por uma fora arbitrria F(t). A equao diferencial da posio x do corpo

1
I

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

Reagrupando
--

d2x dt2 -

-----

bdx mdt

k x m

1 + m F(t)
-

O projeto de um computador analgico para resolver esta equao se inicia com a suposio de que existe uma tenso correspondente a d2x/dt2,a qual integrada para dar - d x / d t , onde, por convenincia, a constante de tempo da Eq. (8.22) feita igual a unidade. Em seguida, este sinal integrado novamente para se ter x . Uma frao b l m de -dx/dt obtida por intermdio de um potencimetro divisor de tenso na sada do primeiro integrador, invertida e somada a frao k / m de x na sada do segundo: este subtotal, aps nova inverso, somado a uma tenso correspondente a ( l / m ) F ( t )(Fig. 8.28). O resultado, igual a d2x/dt2,conforme a Eq. (8.44), retorna entrada, onde foi suposto estar originalmente o sinal correspondente a segunda derivada. Este computador resolve, portanto, continuamente, a equao diferencial original (8.43). As tenses correspondentes a x , e , se desejado, dxldt, podem ser medidas nos pontos adequados do circuito. E necessrio o ajuste das tenses correspondentes a dxldt e a x em seus valores iniciais, no instante em que a soluo se inicia, como na resoluo de qualquer equao diferencial. Isto obtido, com maior eficincia, abrindo-se as chaves s , e s 2 em t = O. As tenses nos capacitores de integrao representam a velocidade e o deslocamento a qualquer tempo, como pode ser visto por estarem os pontos de soma no potencial de terra. Estas chaves devem ser abertas simultaneamente ao incio de F(t), o que, na prtica, realizado normalmente com chaves eletrnicas, tais como os diodos.

Fig. 8.28 Computador analgico para o problema da massa oscilante.

Observe que a Eq. (8.43) tem a mesma forma da Eq. (3.20) da corrente num circuito RLC, e isto significa ser possvel utilizar o computador analgico da Fig. 8.28 tambm para investigar, digamos, os efeitos da ressonncia neste circuito simples. Embora o computador seja muito mais complexo que o circuito que simula, o estudo deste fica amenizado pela facilidade com que podem ser alterados os parmetros. Alm do mais, o computador pode ter suas conexes mudadas para simular outros circuitos, na medida das necessidades.
SUGESTES PARA LEITURA COMPLEMENTAR

Jerald Graeme "Applications of Operational Amplifiers," McGraw-H111Book Company. New York. 1973 Brian Jones "Circuit Electronics for Scientists," Addison-Wesley Publishing Company, Inc Reading, Mass, 1974 R D Middlebrook "Differential Amplifiers," John Wlley & Sons, Inc, New York 1963

8.1 Desenhe o circuito equivalente do amplificador realimentado em ponte T da Fig. 8.4. Trace somente a curva caracterstica do filtro, isto , a variao em frequncia de p, e determine a S para todos os FET. curva de resposta do amplificador realimentado. Suponhag, = 5 x 8.2 Analise o seguidor de fonte da Fig. 6.8 como um amplificador realimentado e desenvolva expresses para o ganho e para as impedncias de entrada e de sada. Resp.: a / ( l+ a ) ; (R,+R,) (I + a ) ;R , / ( ]+ a )

Fig. 8.29 Computador analgico para resolver equaes lineares simultneas.

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

247

8.3 Calcule as impedncias de entrada e de sada do amplificador transistorizado com realimentaodaFig.8.2. Osparmetroshsoh,,=3.600R,hf,= 150,h,,=3 X 10-3,h,,= 1,4X 10-4S. Resp.: 1,61 x 106R, 12R 8.4 Analise o circuito da Fig. 6.18 como um amplificador com realimentao de corrente, se o capacitor de desvio for omitido. Calcule B e o ganho. R e s p . : 1; 3,3 8.5 Deduza uma exvresso vara imvedncia de entrada de um amplificador realimentado simultaneamente por tenso e corrente. Use essa expresso para mostrar que tanto a realimentao negativa de corrente como a de tenso aumentam aquela impedncia. Utilizando a Eq. (8.15), encontre a expresso da impedncia de entrada quando a de sada zero. 8.6 Calcule as razes de realimentao de corrente e tenso B, e P, nos estgios de sada do amplificador com realimentao operacional da Fig. 8.16. Resp.: 10P, 1 8.7 Empregue a Eq. 8.23 para desenvolver uma expresso numrica correspondente a Eq. (8.30). Qual o valor aproximado de I, para o transisto'utilizado no circuito da- Fig. 8.22? Cnsidere elkt = 38 V - ' . Resp.: 3,8 x 10-13A 8.8Utilizando os princpios empregados na Fig. 8.22, desenhe um circuito para o qual a sada seja o quadrado ou o cubo do sinal de entrada. 8.9 Projete um computador analgico para resolver o problema de um corpo em queda, cuja equao

onde g a acelerao da gravidade. 8.10 Escreva as duas equaes simultneas em x e y para cuja resoluo foi projetado o circuito do computador analgico da Fig. 8.29. Resp.:a,x+b,y = c,;u,x + b,y = c ,

/--.
/ '

9
2 00%.

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I
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-3 rj

OSCILADORES

220

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i

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L&

<!O. Fctanr'.

5:.

. :

G
\

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Os circuitos eletrnicos podem gerar variadas formas de sinais ca numa extensa faixa de freqncias. Os osciladores valvulares ou transistorizados so, de fato, o nico e de conveniente modo de ge~ao tenses de alta-freqncia. So amplamente utilizados e m transmissores e receptores de rdio e TV, para aquecimento dieltrico e por induo e , nos instrumentos eletrnicos, objetivando teste e regulao. U m oscilador, efetivamente, converte a potncia fornecida pelas fontes de alimentao cc em potncia ca com as caractersticas desejadas. Alm da freqncia e da forma de onda das oscilaes, a eficincia na converso e a estabilidade da freqncia tambm so importantes no projeto dos circuitos osciladores.

OSCILADORES

REALIMENTAAO POSITIVA
A oscilao obtida atravs de realimentao positiva, o que produz um sinal de sada sem qualquer sinal de entrada. De acordo com a Eq. (8.4), o ganho de um amplificador realimentado, fornecido por

Se as condies do circuito forem feitas de forma que

a Eq. (9.1) indica que o ganho tornar-se- infinito. A interpretao fsica deste fato que sempre existir um sinal de sada, mesmo quando o de entrada for nulo. No caso de oscilaes senoidais, a estrutura de realimentao projetada de modo que a Eq. (9.2), denominada critkrio Barkhausen, seja satisfeita, apenas, numa nica freqncia, na qual o circuito oscilar. Este critrio requer que a defasagem total do sinal realimentado seja de 360, e este o fator primordial na determinao da frequncia de oscilao. Alm disso, o ganho do amplificador deve ser suficientemente elevado para assegurar um produto a@unitrio, afim de que a oscilao se mantenha. A amplitude da oscilao determinada indiretamente pela Eq. (9.2). O ganho de qualquer amplificador degradado quando as amplitudes do sinal se tornam grandes, por causa do comeo das condies de corte ou saturao. Da mesma forma, a amplitude quiescente tal que o valor absoluto do ganho I/@.Em virtude de a estrutura de realimentao ser, na maioria das vezes, um circuito passivo, a amplitude depende basicamente das caractersticas do amplificador. No h necessidade de alimentao de sinal na entrada para que as oscilaes se iniciem. As tenses de rudo aleatrio ou os transistrios devidos a aplicao das tenses de alimentao so suficientes para dar incio ao processo. Como a amplitude do sinal de realimentao depende do ganho do amplificador, a rapidez com que a oscilao atinge seu valor no estado estacionrio aumenta quando o ganho elevado. E conveniente, de maneira geral, que o ganho de pequenos sinais seja bem maior que o imposto pelo critrio de Barkhausen. Isto produz oscilaes estveis, independentes das variaes secundrias que possam ocorrer no circuito. Por outro lado, se o ganho for muito grande, pode provocar oscilaes no-senoidais, resultantes das nolinearidades associadas as amplitudes dos grandes sinais.

OSCILADORES RC Osciiador de deslocamento de fase


Um circuito oscilador simples, porm bastante til, e que emprega um estgio amplificador convencional e uma estrutura de realimentao RC o oscilador de deslocamento de fase mostrado na Fig. 9.1. O estgio em emissor-comum tem uma defasagem prpria de 180, e os trs circuitos RC em cascata introduzem um desvio adicional de 180, a fim de que o critrio de Barkhausen seja satisfeito. Em alguma frequncia especfica, a defasagem em cada seo RC de 60, de modo que o deslocamento de fase total na estrutura de realimentao de 1800; o circuito oscilar nessa frequncia, se o ganho for suficientemente grande. Observe que a defasagem mxima numa seo RC est limitada em 90. Isto significa que no h possibilidade de empregar uma estrutura de duas sees, em virtude da conseqente necessidade de haver ganho infi-

/-

nito para se contrapor a atenuao da estrutura quando a defasagem de 180. Reciprocamente, no h vantagem em ter mais de trs sees, embora isto seja possvel. A anlise do oscilador de deslocamento de fase pode ser realizada ignorando-se inicialmente o efeito d o carregamento d o amplificador sobre a estrutura. Considerando-se que a tenso v, esteja aplicada ao circuito de realimentao, pode-se calcular o sinal v, aplicado ao transistor atravs de anlise de circuito precisa. O resultado

,A fim de que a defasagem da estrutura de realimentao seja de 180, a parte imaginria da Eq. (9.3) deve-se anular, ou

1 6 (o, RC)3- o, RC

(9.4)

, " i ,

A frequncia de oscilao determinada resolvendo-se a equao acima em relao a fo = o0/2.rr,

.
<.

"

ii
C

e
.9

1 ,----1C -0:; - ZZ,/~R


/

"3

-I a i i ,
>

/4 i r

>

--+?-"

(9.5)

' l

,.

:
i

'

Substituindo-se a Eq. (9.5) na (9.3), obtm-se /3 significa que o ganho deve ser

1/(1 - 5 x 6 )

= -

1/29, o que

-\

r-

, -

OSCILADORES

251

a fim de satisfazer o critrio Barkhausen. De acordo com este resultado, a amplificao deve ser, no mnimo, 29, ou o circuito no oscilar. Na realidade, o ganho do amplificador deve ser algo maior) que 29, para assegurar oscilaes estveis em face das perdas no circuito e dos efeitos de envelhecimento dos componentes. A amplitude das oscilaes aumenta at ser limitada ao valor 29 pelas no-linearidades do transistor. Geralmente, o incio do corte no pico da onda o fator limitador, e, por isso, a amplitude de pico do sinal dever ser aproximadamente igual ao potencial quiescente de coletor. A simplicidade do oscilador de deslocamento de fase torna-o atraente em aplicaes no-crticas, especialmente em mdias e baixas freqncias, at cerca de 1 Hz. A estabilidade de frequncia, no entanto, no to boa quanto a obtida em outros tipos de osciladores RC. Alm do mais, para mudar a frequncia necessrio variar todos os trs capacitadores (ou os trs resistores), o que inconveniente.

Oscilador em ponte de Wien


A

As propriedades de seletividade em frequncia da ponte de Wien, discutida no Cap. 3, so bastante propcias a estrutura de realimentao de osciladores. Realmente, o oscilador em ponte de Wien, mostrado na Fig. 9.2, amplamente utilizado nos instrumentos de freqncia varivel, denominados geradores de sinais, para laboratrios. Na Fig. 9.2, um amplificador convencional em circuito integrado possibilita a realimentao positiva na freqncia de ressonncia da ponte, onde, de acordo com a Eq. (3.68), a defasagem na estrutura de realimentao nula. A frequncia caractenstica , da Eq. (3.641,

Fig. 9.2 Oscilador em ponte de Wien em circuito integrado.

A tenso de sada da ponte de Wien zero, quando h balanceamento exato, ou seja, quando R, = 2 R , (observe a Fig. 3.19, de modo que necessrio desbalance-la ligeiramente, ajustando-se a relao R,/R,. Isto proporciona tenso de realimentao suficiente para manter as oscilaes estveis, uma vez que a razo de realimentao determinada pelos valores relativos de R , e R,. A combinao dos dois diodos 1N914 e do resistor de 47 kfl em paralelo com R, proporciona estabilidade de amplitude, ajustando automaticamente a razo de realimentao. Suponhamos que o sinal de sada seja pequeno, de modo que a tenso ca nos diodos seja menor que a queda de tenso direta caracterstica deles (aproximadamente 0,6 V). Assim sendo, nenhum dos diodos conduz, e o brao em paralelo encontra-se aberto. Se o sinal de sada for suficientemente grande para que os diodos conduzam, o resistor de 47 kfl ficar, efetivamente, em paralelo com R, e a realimentao ser reduzida. Em conseqncia, a amplitude de sada ser estabilizada no nvel em que os diodos conduzem, justamente nos picos do sinal. A excelente estabilidade em frequncia do oscilador em ponte de Wien, comparada a do oscilador de deslocamento de fase, resultado da rpida mudana de fase da tenso de realimentao com a freqncia. A razo de realimentao , da Eq. (3.68),

A defasagem pode ser determinada racionalizando-se a Eq. (9.8) e computando-se a tangente do ngulo de fase. Para frequncias prximas da ressonncia, o resultado

tan 0 E

9 - 3(1

+ RZIR,)

Se, por exemplo, R, = 1,9 R,, o coeficiente do termo relativo as freqncias ser igual a 9,7. Por comparao, a expresso correspondente para o oscilador de deslocamento de fase ser, aps racionalizao da Eq. (9.3),

tendo sido utilizada a Eq. (9.5) para introduzir o,. O fator numrico na Eq. (9.10) apenas 0,49, menor, portanto, por um fator de 20 do que no caso da ponte de Wien. Esta comparao ilustrada mais claramente na Fig. 9.3, onde o ngulo de fase do sinal de realimentao est traado em funo de olmo para os dois osciladores. O ngulo de fase varia muito mais rapidamente com a frequncia no circuito de realimentao da ponte de Wien, significando que a frequncia de oscilao bastante estvel, pois apenas sinais de realimentao com ngulo de fase prximo de zero so eficazes. A excelente estabilidade em frequncia, juntamente com a relativa facilidade com que pode ser mudada (apenas os dois capacitares necessitam ser variveis), faz a popularidade do oscilador em ponte de Wien. Na maioria dos circuitos prticos, os capacitores variveis possibilitam uma faixa de frequncia de 10 para 1. Alm disso, valores de resistores mltiplos de 10 (em dcadas) so selecionados por chave de maneira a poder ser coberta uma ampla faixa de frequncias por um nico instrumento. Um oscilador comercial tpico pode ter uma gama de freqncias se estendendo de 5 Hz a 1 MHz, em passos miltiplos de 10.

OSCILADORES

1-20

Oscilador de deslocamento de fase

Fig. 9.3 Caractensticas de fase de dois osciladores RC nas proximidades da ressonncia.

OSCILADORES COM CIRCUITOS RESSONANTES Osciladores LC


s " . circuitos ressonantes L C so usados frequentemente nas estruturas de realimentao dos osciladores para a seleo da freqncia de oscilao. Consideremos o conhecido oscilador Hartley, mostrado na Fig. 9.4, no qual um circuito ressonante paralelo conectado entre porta e d r e n o k ~ indutncia possui uma derivao, de modo que, efetivamente, a parcela L, compe a carga do dreno, enquanto a L , restante est no circuito da porta. A frequncia de ressonncia envolve a indutncia de L, e L , em srie, tal que, como no Cap. 3,

A razo de realimentao pode ser determinada calculando-se, inicialmente, a tenso de realimentao sobre L,,

Substituindo-se a condio de ressonncia, o d L ,

+ Lz) = l/woC,

de modo que a razo de realimentao

Observe que a razo negativa, indicando que a defasagem adicional de 180 introduzida pelo amplificador produz a realimentao positiva necessria. A Eq. (9.14) e O critrio de Barkhausen especificam o ganho necessrio para manter as oscilaes.

Fig. 9.4 Oscilador Hartley.

#-As condies de polanzao no oscilador Hartley so dignas de nota. A polarizao necessria fornecida pela combinao R,C, ?o circuito da porta. Ao se iniciarem as oscilaes, a porta est com polanzao zero. A medida que as oscilaes crescem, o diodo formado pela juno porta-fonte retifica o sinal de realimentao, carregando C, at um valor prximo ao de pico do sinal de entrada. A constante de tempo R,C, muito maior que o perodo de oscilao, de modo que a tenso sobre C , constante e representa a polarizao cc necessria na porta. Com efeito, esta grampeada no potencial de terra (compare as Figs. 4.27 e 4.28). A polanzao de porta, em conseqncia, ajusta-se automaticamente a amplitude do sinal de realimentao, e esta ao estabiliza a amplitude da oscilao.)i Esta forma de polarizao mantm o transistor cortado durante a maior parte do ciclo, acarretando a denominada operao em classe C. A tenso de porta produz corrente de dreno no pico do ciclo da tenso de realimentao. A elevada impedncia do circuito ressonante permite, entretanto, que apenas a componente fundamental do sinal de sada tenha amplitude aprecivel, de maneira que a forma de onda neste ponto senoidal. Outro modo de explicar a ao do circuito ressonante dizer que ele excitado por pulsos peridicos do amplificador classe C e que a onda contnua produzida pelo repique no seu circuito. Estas duas explicaes so equivalentes. O oscilador Colpitts da Fig. 9.5 similar ao yartley, exceto por ser a razo de realimentao determinada pelos valores relativos de C, e C,. A polarizao de base

1 cm dim.

,
7

. . z

-,
I
I
J
rl

neste circuito tal que o transistor opera em clasuse A, embora seja possvel a operao em classe C , equivalente do oscilador Hartley. A carga de sada acoplada ao " circuito ressonante por meio do enrolamento secundrio L,, que de particular utilidade na alimentao de cargas de baixa impedncia. ' Uma outra maneira de desenvolver tenso de realimentao incluir um enrola-,, mento secundrio, tambm denominado enrolamento de realimentao, acoplado a indutncia. Consideremos, por exemplo, o oscilador em base-comum da Fig. 9.Q. A indutncia mtua entre L e o enrolamento induz um sinal de realimentao de ampli7; tude e fase apropriadas para manter as oscilaes. Da definio de indutncia mtua vista no Cap. 3, a tenso de realimentao justamente a razo da indutncia mtua M entre os enrolamentos para a indutncia total L, vezes a tenso sobre esta. Em conseqncia,
v, = - v,

M L

ou

O circuito equivalente do oscilador est representado na Fig. 9.6b e analisado da maneira descrita a seguir. A impedncia do circuito ressonante paralelo muito grande na freqncia de ressonncia, de modo que o ganho do amplificador em base-comum , da Eq. (6.36),

Aplicando-se o critrio de Barkhausen, a condio para oscilao obtida atravs da comparao entre as Eqs. (9.17) e (9.16),

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256
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ELETR~NICABASICA

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M hrb = L

(9.18)

. L

A " .

Num transistor de boa qualidade, hrb da ordem de 10-4,o que significa que a indu- n tncia mtua pode ser bem pequena. Da mesma forma, um enrolamento de realimenr tao de apenas poucas espiras suficiente. '5. A maior vantagem do circuito de realimentao com este enrolamento que a ' 7 amplitude da tenso de realimentao pode &r facilmente ajustada, escolhendo-se o . -5 P c nmero de espiras no circuito. <

%&<,

r
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c
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Fig. 9.6 (a) Oscilador em base comum com enrolamento de realimentao e ( b ) circuito equivalente.

A fase apropriada obtida invertendo-se os terminais do enrolamento. se necessrio. ; ---------para ~ o s s i b i i t a r realimentao positiva. =embora a a Fig. 9.6 seja um c i ~ m t 6 - - -" e n i - G - c o m u m , as configUraes emissor-comum e coletor-comum vodem ser empregadas com resultados semelhantes. Alm disso, pode-se utilizar o-circuito ressonante nas malhas da base ou do emissor. A configurao especfica ilustrada na Fig. , 9.6 particularmente adequada a uma boa estabilidade de freqncia, como veremos c abaixo. A operao de osciladores a transistor em classe C usada frequentemente em
7

/-

OSCILADORES

257

circuitos projetados para desenvolver potncia aprecivel em altas freqncias. Na Fig. 9.7 est5 o diagrama de circuito de um oscilador de potncia tpico. Eficincias globais da ordem de 70 por cento em potncia so perfeitamente possveis. Neste ,_. circuito, a polarizao de base dada pela associao resistor-capacitor na base, analogamente ao caso do oscilador Hartley.

Osciladores a cristal
A estabilidade de frequncia dos osciladores LC determinada basicamente pelo fator Q do circuito ressonante. A curva de ressonncia bastante aguada, e a taxa de variao da fase com a frequncia rpida quando o Q elevado; ambos os fatores contribuem para a estabilidade do oscilador. Nesta configurao, qualquer resistncia paralelo com o circuito ressonante abaixa o Q efetivo. E m consequncarregamento no circuito deve ser minimizado para melhorar a estabilid
Z

-.
v

, -

Yp,

+28v

,
-

-.

Sada

e Fig. 9.7 Oscilador de potncia de ~ w 100 kHz.

dade. De acordo com a discusso efetuada no Cap. 6, a impedncia de sada do amplificador em base-comum maior que a de qualquer outra configurao. Este o motivo pelo qual esta, com a associao ressonante no circuito do coletor, a mais satisfatria h para um oscilador transistorizado. Correspondentemente, os osciladores com FET tm, na maioria das vezes, o circuito ressonante na porta. E m qualquer caso, podemse obter valores prticos de Q de 100 a 500, resultando em oscilaes bastante estveis. Muitas aplicaes requerem estabilidade de frequncias muito maiores que as " possveis de obter com circuitos LC; neste caso, os osciladores a cristal so larga- mente usados para preencher essa necessidade. Certos materiais cristalinos, principalmente o quartzo, exibem propriedades piezoeltricas, isto , deformam-se mecani- camente quando sujeitos a um campo eltrico. A piezoeletricidade tambm implica em - ser o inverso verdadeiro: quando o cristal energicamente deformado, um potencial eltrico desenvolvido entre suas faces opostas. Como resultado desta propriedade, - uma fina lmina de quartzo, provida de eletrodos condutores, vibra mecanicamente quando a estes eletrodos ligada uma fonte de tenso alternada. As vibraes, por sua - vez, produzem sinais eltricos que interagem com a fonte de tenso. As vibraes e os

sinais eltricos so mximos na freqncia de ressonncia mecnica natural do cristal. A equao do movimento de um corpo vibratno, j escrita como a Eq. (8.43),

onde 'no presente caso, m a massa do cristal, b o coeficiente de perda mecnica interna e k a constante elstica. Como j foi observado, esta expresso idntica, em forma, a da corrente num circuito ressonante em srie, dado pela Eq. (3.20),

Comparando as Eqs. (9.19) e (9.20), pode-se ver que a massa oscilatna anloga indutncia, as perdas mecnicas so equivalentes a resistncia e a elasticidade corresponde ao inverso da capacitncia. Em virtude da forma idntica das duas equaes, pode-se esperar a ocorrncia de ressonncia mecnica; , pois, conveniente definir um , fator Q mecnico, por analogia com a Eq. (3.47).

--

Acontece que as perdas internas nos cristais de quartzo so muito pequenas, podendo-se conseguir valores de Q bastante elevados, da ordem de 100.000. Alm disto, as constantes elsticas so tais que possvel obter freqncias abrangendo uma faixa desde 10 kHz at vrias dezenas de megahertz, dependendo do tamanho e da forma do cristal. As propriedades piezoeltricas do quartzo produzem potenciais nos eletrodos, cok-espondentes s oscilaes mecnicas. Isto sugere que as caracten'sticas eltricas podem ser representadas por um circuito equivalente. A comparao das Eqs. (9.19) e (9.20) nos mostra que o circuito apropriado a associao em srie de uma resistncia, uma indutncia e uma capacitncia. A isto se deve acrescentar a capacitncia eltrica resultante das placas paralelas dos eletrodos, tendo o cnstal como dieltrico. O circuito equivalente completo de um cristal de quartzo , portanto, a associao srieparalela mostrada na Fig. 9 . 8 ~ . Neie, L , C e R esto relacionadas s propriedades do cristal e C' a capacitncia eletrosttica dos eletrodos. Os valores adequados para um cristal de 90 kHz so L = 137 H, C = 0,0235 pF, R = 15.000 Cl e C' = 3,5 pF. O smbolo de circuito convencional um capacitor de placas paralelas com o cristal entre elas, como na Fig. 9.8b. O circuito equivalente do cristal de quartzo mostra que haver uma freqncia de ressonncia srie (impedncia zero) e uma paralela (impedncia infinita). A freqncia de ressonncia srie o, = l / v Z . A ressonncia paralela ocorre quando a reatn, cia de C' se iguala a reaincia indutiva lquida da combinao de L e C, e o = + ~ I / L ( I / c 1/Cr).Em conseqncia, a freqncia de ressonncia paralela sempre maior que a srie, embora por ser C' C, as duas estejam muito prximas. A reatncia capacitiva tanto abaixo como acima das freqncias de ressonncia, como mostra a Fig. 9.9. Um ressonador de quartzo possibilita circuitos osciladores extremamente estveis e com alto Q, podendo ser projetada uma variedade deles. Tanto a freqncia de res-

'

'

--

Fig. 9.8 (a) Circuito equivalente do cristal de quartzo e (b) smbolo de circuito.

sonncia srie quanto a paralela podem ser usadas, embora esta ltima seja mais comum. Consideremos, por exemplo, o oscilador Pierce da Fig. 9.10, no qual o cristal conectado entre a base e o coletor. Este circuito idntico ao oscilador Colpitts da Fig. 9.5, com o cristal substituindo o circuito ressonante. A razo de realimentao determinada pelos valores relativos de C, e C 2 . A indutncia RFC (do ingl. vadio frequency choke, significando reator de radiofrequncia) no terminal do coletor uma maneira conveniente de polariz-lo sem que ele esteja curto-circuitado a terra para os sinais. Ele pode ser substitudo por um resistor de 10.000 R, introduzindo, no entanto, alguma perda no desempenho do circuito. Uma associao ressonante LC'paralela pode tambm ser usada com ganho no seu desempenho. Neste ltimo caso, o circuito ressonante apenas uma impedncia de carga conveniente, no determinando a fre-

Fig. 9.9 Impedncia do cristal de quartzo.

--.

9,1kQ

RFC
100 pF

Itd
2N1491

Sada
680

7q20 pF
T
O

c1

Fig. 9.10 Oscilador a cristal de quartzo.

qncia de oscilao. O quartzo quase universalmente utilizado em osciladores a cristal porque nstico, de razovel resistncia, e possui um pequeno coeficiente de expanso com a temperatura. A orientao adequada das faces planas com respeito a estrutura cristalina torna a freqncia de ressonncia independente da temperatura numa faixa razovel. Em conseqncia, consegue-se estabilidade de freqncia da ordem de 100 ppm. Obtm-se maior preciso, ainda, colocando-se o cristal numa cmara trmica controlada e fazendo-se vcuo no seu encapsulamento, a fim de reduzir as foras de amortecimento do ar na vibrao do cristal. E prtica comum, tambm, estabilizar a temperatura do restante do circuito e empregar uma fonte de alimentao regulada para o oscilador. Utilizam-se estgios amplificadores para isolar o oscilador de variaes na carga. Esses osciladores a cristal, to cuidadosamente projetados, produzem padres de tempo extremamente precisos (preciso at uma parte em 100 milhes).

Anlise da estabilidade
As caractersticas tenso-corrente de diversos dispositivos, sobretudo o diodo tnel e o transistor unijuno, exibem propriedades de resistncia negativa, isto , numa parte da caracterstica a corrente diminui a medida que a tenso aplicada aumenta. Os mecanismos fsicos que levam a essas propriedades, j discutidas no Cap. 5, mostram-se bastante teis numa variedade de circuitos osciladores. A anlise da oscilao sobre resistncia negativa mais bem feita por meio da impedncia complexa do circuito incremental, linear, do oscilador. Consideremos, por exemplo, o circuito ressonante srie da Fig. 9.11, onde r representa a resistncia negativa de um diodo tnel no ponto de operao. A impedncia do circuito

e-

OSCILADORES

Fig. 9.11 Circuito equivalente do oscilador de resistncia negativa

Como usual, a corrente do circuito dada pela lei de Ohm

A Eq. (9.23) prediz corrente infinita nas condies para as quais a impedncia se anula. Esta situao anloga a da Eq. (9.2) e implica na oscilao do circuito. A anlise desta situao efetuada, em conseqncia, simplesmente pesquisando-se os zeros da funo impedncia. . Esta funo se anula quando tanto a parte real quanto a imaginria da Eq. (9.22) so iguais a zero,

Resolvendo-se estas expresses em relao a freqncia angular,

onde o, a freqncia de ressonncia. Como ambas as expresses devem ter o mesmo valor de frequncia de oscilao,

Resolvendo-se em relao a r, obtm-se o valor de resistncia negativa necessrio para manter as oscilaes:

Substituindo-se este valor na Eq. (9.25), afreqncia de oscilao

Esta expresso muito semelhante a da freqncia natural de um circuito ressonante srie. Com efeito, a resistncia negativa do diodo cancela as resistncias positivas no circuito, e este oscila continuamente em sua freqncia natural. De acordo com a Eq. (9.27), a resistncia do diodo no ponto de operao negativa, como era de se esperar. Observe, tambm, que o valor absoluto de r deve ser maior que a resistncia R do circuito, a fim de que a freqiincia, calculada pela Eq. (9.25), tenha valor real. A operao conveniente do circuito', entretanto, tambm r obtida quando I1 < R, mas o fato de esta equao indicar que a frequncia imaginria nessas condies sugere que a anlise linear de pequenos sinais no aplicada. O desempenho do circuito nos-dois casos mais bem comparado com auxlio das retas de carga traadas sobre a caracterstica tenso-corrente do diodo tnel, como na Fig. 9.12. Quando I1 > R, a reta de carga intercepta a curva apenas no ponto de r operao, situado na parte de resistncia negativa, e o circuito oscila nesta frequncia ressonante, como analisado acima. Por comparao, quando I1 < R, ocorrem trs r

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2-

>R

/oscilao

'

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1 --

VDDO,2

Fig. 9.12 Retas de carga para oscilador a diodo tnel e circuito de comutao.

intercepes. Neste caso, tanto o ponto 1 quanto o 2 representam condies de circuito estvel (no-oscilatrio). O ponto 3 uma condio de equilbrio instvel de tal forma que, se o circuito for levado a este ponto, a corrente imediatamente comear a variar, indo fixar-se no ponto 1 ou no 2. O circuito tem, efetivamente, dois estados estveis, podendo ser comutado de um para outro pela aplicao temporria de tenses. Suponhamos, por exemplo, que o circuito esteja no ponto 1 e que um aumento temporlio na tenso leve a corrente ao valor de pico. Quando a tenso temporariamente maior for removida, o circuito atravessar a caracterstica VI e terminar no ponto 2. Analogamente, o circuito poder ser chaveado do ponto 2 para o 1 pela remoo temporria da tenso aplicada. Quando esta for reaplicada, a corrente aumentar, a partir da origem, e parar no ponto 1. Estas propriedades de comutao ou chaveamento mostram-se bastante teis, por exemplo, em computadores digitais. A variedade de condies de operao no esgotada por esses dois casos, especificados pela reta de carga cc. A condio oscilatria, I1 > R, tem, na realidade, r vrios diferentes modos de operao que dependem da reta de carga ca. Se, por exem-

OSCILADORES
, -

263

plo, a indutncia L for elevada, a freqncia calculada pela Eq. (9.24) ser imaginria, ainda que o valor da resistncia negativa do diodo seja apropriada para oscilao. Esta condio leva a oscilaes de relaxao no-senoidais, que sero tratadas posteriorA mente neste captulo. Por outro lado, se a capacitncia C for grande, a freqncia ser nula, de acordo, ainda, com a Eq. (9.24), significando que as oscilaes do circuito sero completamente amortecidas. T A relao entre as condies do circuito para oscilao senoidal, de relaxao e amortecimento podem ser apreciadas analisando-se a caracterstica tenso-corrente da , , Fig. 9.13 e as retas de carga ca. De acordo com esta anlise, as oscilaes senoidais na frequncia natural do circuito so obtidas quando o valor da resistncia negativa, no ponto de operao, est adequadamente casado com os parmetros do circuito, conforme a Eq. (9.37). Um valor grande de indutncia e um pequeno de capacitncia
ri. h
h

--

Fig. 9.13 A combinao das retas de carga cc e ca determina o modo de oscilao do oscilador a diodo tnel.

-- levam a oscilaes de relaxao; grande C e pequeno L produzem amortecimento


_

completo. Esta ltima condio apresenta utilidade no traado experimental da caracterstica tenso-corrente completa, a qual, obviamente, no pode ser executada com o circuito oscilando.

Oscilador a diodo tnel

Na Fig. 9.14 encontra-se desenhado o circuito de um oscilador prtico a diodo tnel. Nesta configurao, o diodo est efetivamente em paralelo com o circuito ressonante, mas o princpio de operao anlogo ao da anlise da seo precedente. O divisor de

ELETR~NICABSICA
270

. - o - -

1,s V ?

r"
Fig. 9.14 Oscilador a diodo tnel.

n
A

tenso resistivo polariza o diodo num ponto de operao situado na parte de resistncia negativa da caracterstica tenso-corrente. A condio dada pela Eq. (9.27) pode parecer to restritiva a ponto de as oscilaes senoidais serem de difcil obteno. Este no o caso, no entanto, pois r a inclinao da caracterstica VI no ponto de operao e , e m consequncia, varia consideravelmente com a localizao deste ponto, desde o pico at o vale. Alm do mais, o circuito tende a ajustar-se a um valor prprio, uma vez que a amplitude da oscilao varia para admitir um valor mdio de r num ciclo completo, e m concordncia com a Eq. (9.27). O diodo tnel u m excelente dispositivo de alta freqncia, podendo-se obter oscilaes at 1011 Hz. Na realidade, esta virtude traz alguns problemas em circunstncias experimentais, pos mesmo as menores capacitncias e indutncias parasitas so suficientes para provocar oscilaes e m freqncias muito altas. De acordo com as caractersticas tenso-corrente tpicas das Figs. 9.12 e 9.13, os diodos tneis podem operar e m nveis de potncia muito baixos. Correspondentemente, entretanto, a amplitude mxima de sinal e a potncia de sada ca so limitadas.

OSCILADORES DE RELAXAO

Os osciladores considerados at aqui podem ser analisados em termos de elementos lineares. Os circuitos que empregam elementos ativos altamente no lineares so de- , nominados osciladores de relaxao por razes que se tornaro claras na discusso seguinte. Estes osciladores so baseados, com muita freqncia, nas propriedades de resistncia negativa do elemento ativo. Embora, como j foi discutido na seo ante- ' rior, seja possvel gerar formas de onda senoidais por meio das caractersticas de resistncia negativa, os osciladores deste tipo produzem, caracteristicamente, sinais nosenoidais. -

Geradores dente-de-serra
Consideremos o circuito oscilador de relaxao a unijuno da Fig. 9.15. Pode-se entender o seu funcionamento aps u m exame da caracterstica tenso-corrente do transistor unijuno, apresentada na Fig. 9.16. Ela exibe uma regio de resistncia nega' tiva entre a tenso de pico V , e o ponto de vale V,, como j visto no Cap. 5. O oscilador a unijuno funciona da seguinte maneira: o capacitor C se carrega, atravs do resistor R, e a tenso no capacitor aumenta exponencialmente at que o potencial V , seja atingido. Neste ponto, a juno do emissor se torna diretamente polarizada, e o capacitor se descarrega rapidamente atravs dela. Quando o potencial no capacitor cai um valor baixo (essencialmente igual a V,), a juno do emissor fica

,. -

OSCILADORES

265

"
C '
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outra vez reversamente polarizada, e o capacitor reinicia o seu carregamento. A forma do sinal no terminal 1 , mostrada na Fig. 9.17, uma srie de curvas de carregamento - RC com amplitude pico-a-pico igual a V , - V,. Note que, em seguida a cada penodo de carga, o circuito "relaxa", retornando ao ponto de partida. Esta a origem da i terminologia para este tipo de oscilador. A forma de onda do sinal no terminal 2 uma - srie de pulsos positivos agudos, e tambm est mostrada na Fig. 9.17.
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O perodo de oscilao determinado a partir da expresso da tenso no capacitor de um circuito RC simples, -_

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A tenso atinge V , no instante t,,

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Resolvendo-se em relao a t,,
-

(9.29)

t, =

-RC ln ( 1 - % / V )

(9.30)

Analogamente, a tenso atinge V , no instante t , , de modo que

O perodo de oscilao exatamgnte t , . -

t,, .ou

5 ,v
Fig. 9.16 Caracterstica tenso-corrente do transistor unijuno.

Fig. 9.17 Formas de onda do oscilador a unijuno (a) no terrninai de sada 1 e (b) no terminal de sada 2.

OSCILADORES

267

De acordo com a Eq. (9.32), a frequncia de oscilao depende das propriedades do transistor unijuno e do valor da fonte de alimentao, bem como da constante de tempo do circuito. Esta equao supe que o tempo de descarga seja nulo, o que no real, na prtica. Devido ao tempo de descarga finito, os osciladores de relaxao a unijuno so limitados a freqncias abaixo de 100 kHz, aproximadamente. A estabilidade de frequencia dos osciladores de relaxao , inerente e caracteristicamente, muito pobre. O incio da descarga um fenmeno probabilstico, e isto significa que este fenmeno no ocorre sempre exatamente no potencial V,. Alm do mais, a taxa de variaqo da tenso no capacitor comparativamente baixa, significando que o instante exato em que a descarga se inicia varia ligeiramente de ciclo para ciclo. Em muitas aplicaes, no entanto, a pouca estabilidade de freqncia representa uma vantagem, pois as oscilaes podem ser disparadas, ou sincronizadas, por um sinal externo. Suponhamos, por exemplo, que um sinal de sincronismo, composto de uma srie de estreitos pulsos de tenso, seja aplicado no capacitor, como indica a Fig. 9.18. A forma desses pulsos faz com que a tenso do capacitor ultrapasse V, em algum ponto e
-

"

/Pulsos de sincronisrno

__
, .

Fig. 9.18 Sincronizao da frequncia do oscilador de relaxao.

o transistor seja disparado (levado conduo). Isto se repete sucessivamente nos ciclos seguintes, e o resultado que a freqncia de oscilao sincronizada com a do , pulso. Observe que o perodo do oscilador de relaxao mltiplo ou submltiplo do perodo dos pulsos. Desta forma, o oscilador atua como um multiplicador ou divisor h de freqncia, sendo facilmente possvel divises por 10 ou mais. A frequncia natural do oscilador deve estar razoavelmente prxima de um mlti-' plo ou submltiplo da frequncia de sincronismo. Como, no entanto, o oscilador no , - apresenta boa estabilidade, a diferena pode ser at de 20 por cento, ou mais, sem perda de sincronismo. O disparo por meio de uma tenso de sincronismo senoidal tambm possvel, mas os pulsos estreitos so mais eficazes, pois o tempo necessrio para atingir a tenso de ruptura mais definido. A caracterstica tenso-corrente de um SCR, j mostrada na Fig. 4.20, seme--. Ihante, em forma, a do unijuno. No entanto, a tenso de ruptura facilmente ajustada variando-se a corrente de porta. Isto significa que a amplitude e a frequncia de oscilao podem ser variadas com facilidade num oscilador de relaxao a SCR. Ainda mais, os sinais de sincronismo podem ser introduzidos no circuito da porta, para se beneficiar da amplificao natural desse semicondutor. Um oscilador deste tipo, de bastante utilidade, est mostrado na Fig. 9.19. O potencial de porta determinado pelo divisor de tenso varivel composto por R, e R,. - Inicialmente, quando C est sem carga, o catodo do SCR est no potencial de 20 V em

Fig. 9.19 Gerador dente-de-serra.

relao terra, de modo que a porta est reversamente polarizada. A medida que a tenso no capacitor aumenta, o retificador permanece aberto at que o catodo se torne ligeiramente menos positivo que a porta. Neste ponto, o S C R dispara, o capacitor descarregado e o ciclo se repete. A finalidade do resistor de 5 0 em srie com o catodo limitar a corrente de descarga em um valor .seguro para o retificador. Isto necessrio porque a resistncia interna do S C R no estado de conduo muito pequena, podendo o pico de corrente ser destrutivo. Uma onda dente-de-serra linear produzida pelo transistor que atua como fonte de corrente constante. Como a corrente de carga constante, a tenso no capacitor aumenta linearmente com o tempo, de acordo com

onde I a intensidade da corrente e t o tempo medido desde quando a tenso no capacitor nula. r O transistor uma tima fonte de corrente constante, uma vez que a corrente de coletor essencialmente igual de emissor, independentemente do potencial no coletor. A corrente de emissor determinada pelo resistor de polarizao de base R,, que pode ser ajustvel, a fim de possibilitar a variao da corrente e , assim, do perodo de ' oscilao. A amplitude do pico da dente-de-serra pode ser quase to grande quanto a , tenso de alimentao cc, o que vantajoso em muitas aplicaes.

r-

fl

Multivibradores Os circuitos realimentados com dois transistores, denominados rnultivibradores, so osciladores de relaxao importantes. Adicionalmente, verses modificadas adequa' damente possuem outras propriedades, alm da oscilao, tornando-se bastante versteis. , E mais fcil iniciar o estudo pelo chamado multivibrador astvel, mostrado na Fig. r 9.20; essa terminologia tornar-se- clara mais tarde. Este circuito pode ser reconhecido como um amplificador de duplo estgio com a sada acoplada capacitivamente de volta entrada. A razo de realimentao unitria e positiva, devido a defasagem de 180' em cada estgio;por isto,

Fig. 9.20 Multivibrador astvel.

i?

o circuito oscila. Em virtude de os sinais de realimentao serem muito fortes, os transistores so levados, alternadamente, ao corte e saturao, gerando oscilaes no-senoidais. Suponhamos a tenso de realimentao corte V , ; isto - implica em que V , que, em algum instante,defasagem relativa entre os dois estgios. A conduza, em virtude da - queda de tenso no resistor de coletor de V , pe este terminal num potencial prximo ao de terra, e C, se carrega atravs de R,, no sentido do potencial de alimentao. - Quando a tenso em C , aumenta suficientemente para polarizar diretamente a juno de emissor de V,, este comea a conduzir. A tenso em seu coletor cai, e V , cortado atravs do capacitor de acoplamento C,, que, em seguida, se carrega atravs de R,, at que este transistor fique diretamente polarizado e o ciclo se repita. Observe que o circuito alterna entre o estado no qual V , est conduzindo e, simultaneamente, em que V , est cortado e aquele no qual V , est cortado e V , conduzindo. A transio entre estes dois estados rpida, devido forte realimentao? O tempo de permanncia em cada um depende da constante de tempo do capacitor de acoplamento com o resistor de polariz~o. Como cada transistor levado alternadamente ao corte e a saturao, a tenso em ambos os coletores essencialmente uma onda quadrada com amplitude igual a tenso da fonte de alimentao. Isto confirmado pelas formas de onda reais da tenso de coletor mostradas na Fig. 9.21. As formas triangulares das tenses de base ilustram a carga e descarga alternadas dos capacitores de acoplamento. De particular interesse so a baixssima queda de tenso nos transistores, quando saturados (= 0,l V), e o fato de que a transio de um estado para outro iniciada quando a tenso na base do transistor cortado ultrapassa, ligeiramente, a zero. Existe um pequeno pico, ou sobrecrista, na tenso de base na transio de um estado para o outro. A razo disto pode ser notada focalizando-se a ateno no capacitor C , quando V , vai da conduo ao corte. Consideremos a parte do circuito mostrada na Fig. 9.22a, na qual essa transio est representada por uma chave. O circuito pode ser mais simplificado se desprezarmos R,, pois R , 6 R,; e mais, a juno de emissor de V,, diretamente polarizada, pode ser representada aproximadamente por um simples resistor r, como na Fig. 9.2%. De acordo com a formas de onda da Fig. 9.21, V , comuta da saturao para o corte na transio B, quando a base de V , (e, da, a tenso em C,) est essencialmente em zero. Assim, quando a chave no circuito da Fig. 9.2% se abre, C , comea a se carregar por R , e r, e a corrente de carga, atravs da resistncia da juno de emissor, acarreta a tenso de sobrecnsta.

Coletor de

Base de

Coletor de

v,

Pig. 9.21 Formas de onda da tenso no coletor e na base dos transistores do multivibrador.

Esta corrente, atravessando R , tambm evita que a tenso de coletor de V , suba imediatamente para V,,. Esta a causa do arredondamento da borda do pulso no coletor, mostrada na Fig. 9.21. Um valor tpico para r 200 fl, de modo que o pico de

T.

(a)

S> .. -

& -

(b)

, r,

Fig. 9.22 Circuitos equivalentes~arciaisde V,, referentes a Fig. 9.20, mostrando a origem da sobrecrista.

I -

OSCILADORES

271

sobrecrista no multivibrador na Fig. 9.20 10(200/10.200) = 0,2 V. Este pequeno valor, mais a relativamente pequena constante de tempo, indicam que a sobrecrisfa introduz apenas uma pequena diferena na forma da onda quadrada de coletor. A largura do pulso do multivibrador depende da constante de tempo de C , (ou C,) carregando-se atravs de R , (ou R,). O valor de t , pode ser deduzido imediatamente da expresso do perodo de relaxao do oscilador, dado pela Eq. (9.32). Comparando-se as formas de onda das Figs. 9.21 e 9.17,

t,

= R,C,

In 2

(9.34)

Quando R , = R, e C, = C,, a onda quadrada e de frequnciaf = 112 t,. igualmente possvel a gerao de formas de onda assimtricas, escolhendo-se valores diferentes para, digamos, os capacitores de acoplamento. O resultado so pulsos alternados de larguras dadas pela Eq. (9.34) para cada constante de tempo. Como os astveis sao osciladores de relaxao, podem ser sincronizados pela aplicao de sinais externos. Por exemplo, pulsos positivos aplicados na base d o transistor que est conduzindo levam o outro a conduo. Os multivibradores so amide usados desta maneira como divisores de freqncia. O circuito tambm um til gerador de onda quadrada e , associada a um diferenciador, produz sinais em forma de pontiagudos espiges. Um multivibrador com acoplamento cc pode permanecer indefinidamente em qualquer de seus dois estados, sendo necessria, para haver transio de um estado para o outro, a aplicao de um pulso de disparo. Devido aos seus dois estados estveis, esse tipo de multivibrador chamado de binrio e , comumente, tambm de
' 'Jlip-jlop"

Consideremos o binrio tpico da Fig. 9.23, construdo Com transistores. Observe que est sendo utilizado acoplamento cc convencional por meio dos resistores R , e R,: nos outros aspectos, o circuito semelhante ao multivibrador astvel, com acoplamento ca. Os pulsos de comando so introduzidos atravs do resistor de emissor R,. A finalidade dos capacitores C , melhorar a ao de disparo, como ser visto em seguida. A sada convencionalmente tomada em cada um dos coletores ou em ambos. importante verificar que h um estado estvel quando um transistor est cortado e , o outro, saturado. Para comear, suponhamos que V , esteja cortado, de modo que sua corrente de coletor seja desprezvel. Pode-se determinar a corrente de coletor do transistor V , , que est saturado, traando-se a reta de carga correspondente a resistncia total de carga R, + R , sobre as caractersticas de sada. A interseco da reta com o eixo das correntes d a corrente de coletor (9,3 mA) e tambm mostra que necessria uma corrente de base de 125 p A para satur-lo. Pode-se, agora, calcular a polanzao de V , , com auxlio da parte do circuito mostrada na Fig. 9.247, onde a tenso de emissor V , = ia, = 9,3 x x 220 = 2,l V. A tenso entre o coletor e o emissor de V , considerada como 0,1 V na saturao. Na realidade, pode-se obter um valor mais preciso desta tenso nas folhas de especificaes do fabricante do transistor, mas, ainda assim, ela bastante pequena, podendo ser desprezada. De acordo com a Fig. 9.241, a tenso base-emissor de V ,

ELETRONICA BSICA

/-.

Sada

Disparo

Fig. 9.23 O binrio um multivibrador com acoplamento cc.

Este valor de polarizao inversa na juno do emissor muito maior do que o necessrio para manter V , cortado, como era de se supor. A fim de se mostrar que V , est polarizado na saturao, deve-se atentar para a parte do circuito mostrada na Fig. 9.24b. Pode-se desprezar R, em presena da resistncia d a juno do emissor, bem como a corrente em V , , porque est no corte. E m conseqncia,
lb

V,, - V , - 22,s - 2 , l 10-'


R,

+ RI

2,2

+ 42

= 460 pA

Esta corrente muito maior do que os 125 pA necessrios para manter V , na saturao. Assim, verifica-se que V , est cortado e V , saturado. Em virtude da simetria do circuito, bvio que o outro estado estvel aquele no qual V, est saturado e V ,

Fig. 9.24 Circuitos equivalentes do binrio transistorizado, usados para mostrar que o flip-j7op

possui apenas dois estados estveis.

OSCILADORES

273

cortado. Quando o binrio comuta de uma configurao para a outra, a tenso de coletor varia desde o valor dado pelo potencial do emissor na condio de saturao at V,, menos a queda em R , resultante da corrente de polarizao de base. Por conseguinte, o sinal de sada

Comanda-se a comutao do circuito de um estado para outro por meio de um pulso positivo aplicado atravs do resistor de emissor. Isto tira o transistor saturado desta condio e tambm tende a levar o transistor cortado a conduo. A medida que a corrente no transistor saturado diminui, o sinal do coletor transmitido ao transistor cortado, obrigando-o a conduzir mais. Uma vez iniciado o processo, o circuito o completa por si s, devido a forte realimentao regenerativa. Cada pulso de comando sucessivo obriga o binrio a assumir, alternadamente, novo estado. A amplitude desse pulso deve ser um pouco maior do que a tenso quiescente em R,, a fim de iniciar a transferncia; no circuito da Fig. 9.23, um pulso positivo de 2,5 V suficiente. Seria interessante perguntar se o binrio possui quaisquer outros estados estveis alm dos dois considerados anteriormente. De acordo com a anlise precedente, no h possibilidade de ambos os transistores estarem cortados simultaneamente, pois, neste caso, as condies da polarizao da base de um deles estaria inadequada. De modo anlogo, os dois transistores no podem ser saturados ao mesmo tempo. Em princpio, possvel existir um estado em que haja correntes iguais, porm diferentes das de saturao, em cada transistor. Todavia, um estado de equilbrio instvel, e qualquer ligeiro afastamento da situao de balanceamento desfaz o equilbrio, com o circuito revertendo a um dos estados estveis. Suponhamos, por exemplo, que uma tenso de rudo faa a corrente em V , decrescer ligeiramente. O sinal em seu coletor tende a aumentar a corrente em V,, e o sinal no coletor deste reduz mais ainda a corrente em V,. Essa ao regenerativa continua at que V , esteja no corte e V , na saturao. Conclumos que os dois nicos estados estveis do binrio so com um transistor cortado e o outro saturado, e vice-versa. Observe que as pequenas tenses de rudo no podem ocasionar a sada de uma dessas situaes, pois, devido aos estados dos transistores, o ganho do amplificador muito pequeno e a regenerao no suficiente. A velocidade com que o binrio efetua a transio de um para outro estado limita a taxa de pulsos de comando para que a comutao seja confivel. Capacitncias parasitas de desvio reduzem a velocidade de transio, aplicando-se, aqui, as mesmas importantes consideraes tecidas para a resposta em alta-freqncia dos amplificadores. Isto no chega a constituir surpresa, pois, durante a transio, o circuito funciona, na realidade, como amplificador realimentado. Em particular, a capacitncia total de desvio de base para terra o fator limitativo, em virtude de ter de ser carregada atravs da relativamente alta resistncia de R , , a fim de variar a tenso de base entre os estados. O tempo necessrio para esse carregamento pode ser reduzido, colocando-se, em paralelo com os resistores R,, os pequenos capacitores C,, denominados capacitores de acelerao. Quando estes so usados, o tempo interestados reduzido ao que C, essencialmente requer para se carregar atravs da associao de R , e R , em paralelo. Assim, o tempo de resoluo do binrio da Fig. 9.23

Isto significa que oJlip-Jlop pode responder confiavelmente a pulsos sequenciais de comando somente se estes estiverem separados cerca de 5 ps. Com projeto especial e

circuitaria adicional mais complicada, possvel obter binrios com tempos de resoluo da ordem de 0,01 ps. A versatilidade de umflip-jlop melhorada pela variedade de entradas que podem provocar mudana de estado. Um arranjo particularmente flexvel e popular est mostrado na Fig. 9.25 e emprega trs entradas separadas (R, S e TI1 e quatro diodos para levar os pulsos de entrada ao transistor desejado. Suponhamos, por exemplo, que a entrada S esteja no potencial de terra, a entrada R em + 5V e que o pulso positivo seja aplicado ao terminal T. As bordas anterior e posterior do pulso so diferenciadas pelos capacitores de 47 pF. A borda anterior, positiva, bloqueada por D , e D,,e desviada

r,

"

Fig. 9.25 Flip-jlop RS/T.

para a terra por D,; assim, nada acontece. A borda posterior, negativa, passa por D, e corta o transistor V,. O pulso negativo no transmitido por D , por causa do potencial positivo em R . O resultado que V , est cortado e V , conduzindo, e diz-se que o binrio est armado. Se as entradas R e S forem invertidas, de modo que R esteja no potencial de terra e S em + 5V, um pulso positivo aplicado ao terminal T resultar num estado no qual V, estar cortado e V , conduzindo. Diz-se, ento, que o binrio est desarmado, zerado ou limpo. Q b m e que um potencial positivo em S acarreta que um pulso na entrada arma oflip-flop, e n q u g t o um potencial positivo em R faz com que o p u l ~ o ~ o .e % Esses pofZ3sde controle levam os pulsos de entrada em T ao transistor correspondente e cortam-no. As transies entre os estados so comandadas, no
1.N.T. Abreviatura das palavras inglesas reset, ser e toggle.

OSCILADORES
, -

tempo, pelo sinal em T. Por isso, tal entrada algumas vezes chamada relgio; a configurao da Fig. 9.25 conhecida comojlip-flop RSIT. Em muitas aplicaes, conveniente que o binrio mude de estado nos sucessivos pulsos de entrada no terminal T. Consegue-se isto facilmente com a ligao de S sada Q e R a sada Q na Fig. 9.25. Suponhamos, por exemplo, que V , esteja conduzindo e V , cortado; assim, S est essencialmente no potencial de terra, enquanto R em + 5V. De acordo com a discusso precedente, a borda posterior negativa de um pulso positivo aplicado em T ser dirigida para V,, cortando-o, e, assim, o binrio muda de estado. Agora, S est em + 5V e R aterrado, de modo que o pulso seguinte guiado para V , e , o estado original, restaurado. Esta situao muito parecida com a de uma chave mecnica inversora, e , por esta razo, T tambm denominado entrada inversora ou complementadora.

Fig. 9.26 O disparador Schmitt emprega realimentao negativa.

Pode-se construir um circuito binrio de bastante utilidade, denominado disparador Schmitt (em homenagem a seu inventor), suprimindo-se um acoplamento coletorbase e substituindo-o pela realimentao atravs de um resistor de emissor, como na Fig. 9.26. Este circuito tem dois estados estveis, determinados pela amplitude da tenso de entrada. Suponhamos que esta tenso seja zero e que V , esteja cortado, ao passo que V, se encontra conduzindo, mas no saturado. Em virtude de V , estar cortado, a tenso quiescente de V , obtida determinando-se o ponto de operao. No circuito da Fig. 9.26, por exemplo, a polarizao de emissor de 6,6 V. Suponhamos agora que a tenso de entrada desta figura seja aumentada. Nada acontecer at que a tenso na base exceda os 6,6 V, quando ento V , comea a conduzir. A polarizao em V , reduzida e a tenso de emissor decresce; isto, por sua vez, aumenta a corrente em V,. A ao regenerativa continua, at que V , esteja conduzindo e V ?cortado. Tal estado ser mantido enquanto a tenso de entrada for maior que 6,6 V. A medida que a entrzda diminui, o circuito s recobrar o estado original quando a tenso for consideravelmente menor que 6,6 V. A razo que a polarizao

de base em V , muito menor neste estado do que no anterior, pois o coletor de V , encontra-se num potencial mais baixo. Portanto, a corrente em V , deve ser reduzida consideravelmente antes que a menor tenso de emissor e o potencial de coletor mais alto em V , se combinem para aumentar a corrente de base de V , e comear a faz-lo conduzir. No circuito da Fig. 9.26, necessrio reduzir a tenso de entrada para 5,2 V antes que a regenerao faa o circuito retornar ao estado original. Uma aplicao interessante do disparador Schmitt como regenerador de pulso ou circuito quadrador, e est ilustrada na Fig. 9.27. O sinal de entrada, uma srie de pulsos degradados, reconvertido em pulso quadrado sada, medida que o circuito disparado de um para outro estado pela entrada. Observe que mesmo a onda senoida1 pode ser convertida em quadrada desta maneira.

Entrada

Fig. 9.27 Formas de onda no disparador Schmitt usado como circuito quadrador.

O disparador Schmitt til tambm como discriminador de altura de pulso, a fim de medir as amplitudes dos pulsos de tenso a sua entrada. Cada vez que o pulso de entrada ultrapassa o limiar de disparo, o circuito gera um pulso na sada. Assim, pela variao de, digamos, uma tenso em srie com o sinal de excitao, pode-se determinar a faixa de tamanhos de pulso. Neste circuito, obtm-se uma preciso da ordem de 0,l V. Note que todos os pulsos de sada tm amplitude uniforme, independentemente do pulso.de disparo, e til nos circuitos subseqentes que no necessite da capacidade de manipular uma larga faixa de tamanhos de pulso. Uma forma final de multivibrador a combinao parcial de um astvel com um binrio, mostrada na Fig. 9.28. Como era de se esperar, este circuito tem apenas um estado estvel: com V , cortado e V , saturado. Quando comandado para sair deste estado por um pulso negativo aplicado base de V,, V , entra em conduo e V , corta. Este estado permanece durante um tempo, determinado pela constante de tempo R,C,, aps o qual o circuito retorna espontaneamente configurao estvel. Por causa disto, o circuito denominado de multivibrador monoestvel ou monopulso. Est, assim, completa a lista de tipos de multivibradores: o binrio, que possui dois estados estveis e , portanto, biestvel; o monoestvel, com um estado estvel; e o astvel, que um oscilador sem estados estveis. O verstil amplificador operacional torna-se um multivibrador eficaz e, vantajosamente, permite a construo de circuitos simples, particularmente na forma integrada. A anlise do astvel da Fig. 9 . 2 9 ~pode ser efetuada supondo-se um sinal de sada positivo. A realimentao gara a entrada no-inversora suficientemente grande para assegurar que a sada est saturada. O capacitor C carrega-se positivamente atravs de R at que o potencial positivo na entrada inversora ultrapasse o sinal de reali-

OSCILADORES

Disparo

qO*

l v

Pig. 9.28 O multivibrador rnonoestvel utiliza tanto acoplamento ca quanto cc entre os estgios.

mentao da no-inversora. Esta diferena positiva de sinal obriga a sada a ser negativa, e, novamente, o sinal de realimentao leva o amplificador a saturao. O capacitor comea, ento, a carregar-se negativamente at que o sinal da sada inversora seja mais negativo que o da no-inversora. Assim, a diferena no sinal de entrada, negativa, acarreta uma sada positiva, e o ciclo se repete. O resultado uma onda quadrada cuja freqncia determinada pela constante de tempo RC. Colocando-se um diodo em paralelo com o capacitor, como na Fig. 9.29b, obtmse um monoestvel. Quando a sada saturada positivamente, o capacitor no pode se carregar a um potencial maior que o da queda de tenso direta no diodo (digamos, 0,6 V). O circuito permanece estvel nesta condio, at que um sinal negativo aplicado a entrada no-inversora ocasione uma sada negativa. A realimentao leva o amplificador a saturao, e o capacitor se carrega negativamente atravs de R. Como o diodo est reversamente polarizado, a tenso no terminal inversor ultrapassa, eventualmente, o sinal de realimentao, e a diferena torna a sada novamente positiva. O circuito permanece, ento, na saturao positiva at ser comandado negativamente por um sinal na entrada. A durao do estado negativo determinada pela constante de tempo RC. A realimentao da entrada no-inversora do multivibrador biestvel, como indica a Fig. 9.29c, mantm o circuito tanto saturado positiva como negativamente. Suponhamos que a sada seja positiva. Um pulso positivo aplicado entrada no-inversora torna, neste caso, a sada negativa e a satura. S um pulso negativo subseqente pode fazer o circuito retornar a condio original. Assim, o circuito possui dois estados estveis, determinados pela polaridade do sinal de entrada.

GERADORES DE SINAIS
Formas de onda no-senoidais podem ser geradas pelos osciladores de relaxao e pelos multivibradores. Os sinais de sada desses geradores ainda podem ser modificados atravs da utilizao de grampeadores e ceifadores a diodo para selecionar uma

Pig. 9.29 Multivibradores com amplificadores operacionais: (a) astvel, (b) monoestvel e (c) biestvel.

T--

OSCILADORES

Fig. 9.30 Bomba a diodo.

parte ou determinar o nvel cc de uma forma de onda. Circuitos diferenciadores e integradores tambm podem ser empregados para modificar os sinais de maneira especfica. Nesta seo sero descritas mais algumas formas de onda.

Bomba a diodo
Consideremos a resposta a pulsos negativos do circuito denominado bomba a diodo, mostrado na Fig. 9.30. Em cada um desses pulsos, o diodo D , conduz e C , se carrkga ao valor de pico do pulso de entrada. Como este polariza D , reversamente, C , no se carrega. A carga em C , , ento,

Durante o tempo em que a tenso de entrada zero, a tenso em C , polariza D , diretamente, e C , se carrega. Os dois capacitores esto, de fato, em paralelo; logo, a carga em C ,

Se C , C 1 ,Q 2 = Q l , e ocorreu bombeamento efetivo da carga da fonte para C , e , da, para C,. Observe que, nestas condies, C , est essencialmente descarregado e o processo pode ser repetido no ciclo seguinte. A tenso de sada aps o primeiro ciclo , usando-se as Eqs. (9.35) e (9.36),

Em cada ciclo subseqente, um incremento de tenso, dado pela Eq. (9.37), aparece sobre C,, enquanto a tenso total permanece pequena comparada com a amplitude do pulso de entrada. O resultado a onda em forma em escada da Fig. 9.31. Na maioria das aplicaes, a capacitncia C , descarregada rapidamente por um circuito auxiliar, aps um nmero finito de degraus, repetindo-se, em seguida, a escada.

Rampas
Uma tenso denominada rampa e que aumenta linearmente com o tempo largamente utilizada para a varredura horizontal nos osciloscpios. Rampas peridicas, como as produzidas pelos osciladores de relaxao, so chamadas ondas dente-de-serra. Outros geradores so projetados para produzir uma nica rampa quando disparados por um

Entrada

Sada

Fig. 9.31 Forma de onda em escada produzida pela bomba a diodo quando a entrada uma onda quadrada negativa.

sinal externo. A Fig. 9.32 o diagrama de circuito de um gerador de rampa, denominado gerador de varredura Miller, que produz uma rampa linear cuja amplitude de pico aproximadamente igual ao potencial da fonte de alimentao cc. Na condio quiescente, o transistor de disparo Q , est saturado e, o transistor Q , de varredura Miller, cortado, de modo que a tenso de sada igual a V,, e o capacitor C encontra-se carregado. Um pulso negativo na entrada cdrta Q,, permitindo que Q , opere como amplifica-

i . -

---

,--h

Fig. 9.32 Gerador de rampa de varredura Miiler.

alnal de -1trada a d~odo


i ^

CRT

t
Controle d e amplitdde de disparo Estabil~dade de varredura

Velocidade
da varredura

Fig. 9.33 Diagrama em bloco e formas de onda tpicas do circuito de varredura sincronizada utilizado em osciloscpio.
--,

dor. Assim, C se carrega atravs de R , e Q,, e a tenso de sada diminui at zero. O decrescimento linear devido a realimentao entre coletor e base dada pelo capacitor. Ao trmino do pulso de entrada, Q , satura, Q , corta e o capacitor se carrega rapidamente, at V,,, atravs de R,. O circuito fica, assim, pronto para outro pulso de entrada. Na realidade, o circuito de varredura Miller pode ser considerado como um integrador realizado com amplificador operacional (Fig. 8.13) em que Q, o amplificador. O sinal de entrada a tenso constante V,,, aplicada por meio de R,. Uma vez que a integral de um valor constante aumenta linearmente, o sinal de sada uma rampa. A funo de Q , iniciar e interromper o intervalo de integrao. Circuitos semelhantes so empregados frequentemente nos osciloscpios de varredura sincronizada, que so, sobretudo, teis no exame de sinais transitrios. O diagrama em blocos tpicos do circuito de varredura desse tipo d e osciloscpio (Fig. 9.33) tem um disparador Schmitt ativado pelo sinal de entrada aplicado ao amplificador de deflexo vertical. A sada do disparador diferenciada e ceifada para produzir um pulso negativo adequado para disparar o multivibrador monoestvel. Este, por sua vez, gera um pulso quadrado de entrada no integrador Miller. A rampa de sada grampeada num nvel de tenso tal que a varredura se inicia no ponto desejado da tela do osciloscpio. So includos controles ajustveis para aumentar a flexibilidade do circuito. Por exemplo, a polarizao do disparador Schmitt pode ser ajustada a fim de permitir-lhe o funcionamento com sinais de diferentes amplitudes (controle de amplitude de disparo na Fig. 9.33). Da mesma forma, varia-se a polarizao do multivibrador (estabilidade da varredura) de modo que possa ser operado como um astvel sincronizado, a fim de produzir varreduras peridicas. A velocidade da varredura alterada pela troca do capacitor de carga (elou do resistor) no circuito Miller. Ao mesmo tempo, necessrio variar a constante de tempo do multivibrador (comutando-se capacitores) de modo a tornar a durao da varredura adequada a sua velocidade.

Pulsos

--

Uma variedade infinita de formas de pulso pode ser gerada com a combinao de circuitos multivibradores. Consideremos os dois monoestveis em cascata da Fig. 9.34. Um pulso de disparo negativo provoca um positivo, na sada, com durao TI. A transio negativa deste dispara o segundo monoestvel, cuja sada um pulso quadrado de durao T,. Assim, esta associao gera um pulso d e sada de forma padroni-

4yHyF
Monoestvel U 1 Monoestvel

ul'

+T,+T,~

Fig. 9.34 Multivibradores monoestveis em cascata.

zada, retardado de um determinado intervalo em relao ao pulso de entrada. Um binrio simples comandado por sinais peridicos produz, na sada, uma onda quadrada cujos semiciclos so to precisamente regulares quanto a freqncia do sinal de entrada. Isto acontece porque oflp-flop muda de estado a cada excurso negativa do sinal na entrada e porque a preciso da onda quadrada da sada depende apenas da exatido dessas sucessivas excurses. O sincronismo do binrio pode ser conseguido com pulsos alimentados diretamente em apenas uma das bases dos transistores. Neste caso, um pulso negativo somente induz uma transio quando o transistor est conduzindo. Este sincronismo assimtrico conveniente quando oflip-flop comandado por duas fontes diferentes, uma em cada base. A sada deste binrio um pulso quadrado de durao igual ao intervalo de tempo entre os de entrada. --

John Markus: "Electronic Circuits Manual," McGraw-H111Book Company, New York, 1971. Joseph A. Walston and John R. Miller (eds.): "Transistor Circuit Design," McGraw-H111 Book Company, New York, 1963 "The Radio Amateur's Handbook" (published annually by the American Radio Relay League, West Hartford, Conn.).

EXERCICIOS
9.1 Deduza a Eq. (9.3) para o circuito de realimentao do oscilador d e deslocamento de fase.

Sugesto: empregue a tcnica das correntes de malha e resolva em relao corrente no ltimo
resistor, usando determinantes. 9.2 Desenhe o circuito equivalente com parmetros h do oscilador de deslocamento de fase da Fig. 9.1 e deduza uma expresso para a razo de realimentao em termos dos parmetros h e da impedncia de entrada Z, do circuito de realimentao. Resp.: P = h , - [(Z, hiJ I hfe] + PIRL+ 1/23 (h,, 9.3 Usando os resultados do exerccio anterior, mostre que o circuito da Fig. 9.1 oscila. Os parmetros h do 2N1414 so h , = 1260 Cl, h , = 3 x lOW4, hs = 60 e h,, = 2,7 x 10-5S. Qual a freqncia de oscilao? Resp.: 1,28 x 104 Hz

OSCILADORES

283

9.4 Trace a curva da tenso de sinal no terminal 2 e do inverso da razo de realimentao em funo do sinal de sada para o oscilador em ponte de Wien em circuito integrado da Fig. 9.2. Qual a amplitude estabilizada do sinal de sada? Resp.: 1,7 V pico-a-pico 9.5 Determine, por inspeo, a tenso de sada do oscilador de potncia da Fig. 9.7. Resp.: 19,8 V 9.6 Desenvolva uma expresso anloga a Eq. (9.10) para a fase da tenso de realimentao em funo da frequncia no oscilador LC com enrolamento de realimentao. Mostre que um circuito ressonante com Q elevado necessrio para a mxima estabilidade de frequncia. Resp.: tan O = Q, (w,lw - w/w,) 9.7 Obtenha uma expresso para o ngulo de fase da impedncia de um cristal de quartzo nas proximidades da frequncia de ressonncia. Trace a curva do ngulo de fase em funo da frequncia e compare com o grfico de um circuito ressonante LC com Q de 200. Use os resultados do exerccio anterior. 9.8 Determine o penodo e a amplitude do sinal de sada do oscilador de relaxao a SCR da Fig. 9.19, se h, = 20 e se a tenso de porta necessria para dispar-lo' de 3 V. Trace a curva da forma de onda da tenso de sada. Resp.: 0,3 V; 17 V; 1,18 x 104 Hz; 6,67 x 105Hz 9.9 Os multivibradores astveis so usados frequentemente como lampejadores (alertadores luminosos) para indicar barricadas nas rodovias, obras etc. Descreva qualitativamente a operao do circuito tpico da Fig. 9.35, comeando pelo instante em que VI e V, esto cortados e V, inicia .. a conduo. C
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Fig. 9.35 Circuito lampejador analisado no Exerccio 9.9.

9.10 Desenhe a forma de onda na sada do circuito da Fig. 9.36 com o potencimetro de 50 no centro. Repita para o potencimetro a um quarto do curso, a partir do terminal 20 V. Suponha

que as caractersticas do 2N491 sejam as mesmas do 2N2646 da Fig. 9.16.

+20 v

Sada

Fig. 9.36

Tcnicas eltricas so usadas para medio de uma variedade enorme de fenmenos fsicos tanto em pesquisas de laboratrio quanto em aplicaes de controle industrial. Sem dvida, prtica comum de medida moderna o desenvolvimento de u m sinal eltrico anlogo ao fenmeno de interesse, logo na primeira oportunidade, a fim de que o processo subseqente possa ser executado eletronicamente. A grande versatilidade dos circuitos eletrnicos na amplificao, modificao, gravao e deteco de sinais eltricos o principal motivo de desfrutarem de to largo emprego. Os circuitos utilizados para medir e processar tais sinais analgicos e os usados para fins de controle sero analisados neste captulo. Alm disso, sero consideradas as tcnicas de transmisso de sinais de um ponto para outro e sua gravao para anlise subseqente.

CIRCUITOS DE CONTROLE Reguladores de tenso


Circuitos especiais so amplamente usados para estabilizar a tenso de sada dos retificadores das fontes de alimentao mais do que possvel com o circuito simples a diodo zener, descrito no Cap. 4. Um dispositivo com essa finalidade denominado regulador de tenso, constituindo um exemplo importante e til de medida e controle com circuitos eletrnicos. O circuito mede a tenso de sada, compara-a com o valor desejado e ajusta as condies de modo que a diferena entre os dois seja zero. Desta maneira, mantido o controle sobre a tenso cc de sada em face das variaes na carga e , tambm, na tenso ca da rede. A sada de uma fonte de alimentao controlada adequadamente com a introduo de um,transistor de potncia em srie com o filtro retificador e a carga, como na Fig. 10.1. E conveniente analisar este circuito como um amplificador realimentado, no qual a tenso de referncia V a entrada e V , a sada. Como a razo de realimentao -R,/(R, f R J , a tenso de sada controlada pelo transistor de potncia e amplificador, e , de acordo com a Eq. (8.3),

Com efeito, o regulador compara uma parte da tenso de sada com a de referncia e ajusta o transistor de controle, a fim de manter a diferena igual a zero; portanto, V , constante. O efeito estabilizador do regulador mais bem determinado analisando-se o transistor de controle separadamente do amplificador cc. As variaes na fonte de alimentao so supostas originadas num gerador ca v,, como na Fig. 10.1, resultando numa variao v, na tenso de sada. O elemento de controle essencialmente um amplificador seguidor de emissor, e o circuito equivalente adequado encontra-se na Fig. 10.2. A anlise comea escrevendo-se a expresso da corrente de sada. Considerando-se as correntes no n e e desprezando-se o dreno mnimo de corrente no divisor de realimentao R ,R,,

MEDIDAS ANALGICAS

Fig. 10.2 Circuito equivalente do transistor de controle da Fig. 10.1.


1

onde o terceiro termo a corrente em Ilh,,. A corrente de base determinada considerando-se as tenses no circuito de entrada:

sendo a tenso de, entrada voe igual a v, menos a de realimentao amplificada -a/3vo, como pode ser visto melhor na Fig. 10.1. Finalmente, v,, determinada aplicando-se a lei de Kirchhoff a malha de sada,
v,, - v,

+ vi = 0

(10.3)

Substituindo-se as Eqs. (10.2) e (10.3) na Eq. (10. I),

'

A resoluo em relao a tenso de sada fornece

Esta expresso tem a forma daquela do equivalente Thvenin da fonte de alimentao regulada, na qual o primeiro termo o gerador interno e, o segundo, a queda de tenso resultante da corrente de carga na resistncia interna equivalente. Antes d e s e analisar melhor a Eq. (10.4), conveniente simplific-la, considerando-se os valores relativos dos parmetros h. Quando isto feito, ela se reduz a

que suficientemente precisa para todos os efeitos prticos. De acordo com esta equao, as variaes na tenso de entrada so reduzidas de um elevado fator, atravs da ao realimentadora do regulador. Os valores tpicos para os parmetros do transis-

tor de potncia na Eq. (10.5) so h,, = 1.000 a, = 10.000 a, = 50 e P = 0,3, de r, a modo que as variaes na tenso de entrada so reduzidas de um fator de 160 nos terminais de sada. E mais, a impedncia interna efetiva da fonte regulada, que o coeficiente de i, na Eq. (10.5), muito pequena. Supondo-se 1 - a = 0,05, a resistncia interna apenas Significa isto que variaes na corrente de carga acarretam apenas mudanas 3,l a. mnimas na tenso regulada. E bvio que este regulador simples eficaz tanto contra variaes na tenso de entrada quanto na corrente de carga. Note que o fator de reduo das variaes na tenso de sada e m relao a entrada se aplica tambm as tenses de ondulao ou outras mudanas quaisquer. A ondulao na sada , portanto, muito pequena numa fonte de alimentao regulada. Tanto o fator de reduo quanto a resistncia interna efetiva podem ser melhorados aumentando-se o ganho do amplificador cc, de acordo com a Eq. (10.5). Em muitas aplicaes crticas, este ganho feito suficientemente elevado para que as variaes residuais na tenso regulada reflitam a estabilidade do potencial de referncia. O transistor de controle em srie deve ser capaz de dissipar o calor gerado pela corrente de carga total, sem superaquecimento. Utilizam-se, para isso, transistores de potncia, sendo praticvel o emprego de duas ou mais unidades idnticas em paralelo, se for necessrio drenar a mxima corrente de carga. Embora o regulador srie seja mais popular, possvel, tambm, a conexo do transistor de controle e m paralelo com a carga, como no caso do regulador zener simples, conforme indica a Fig. 10.3. A corrente atravs do transistor controlada de modo que a queda de tenso no resistor em srie independente de variaes na corrente de carga. Efetiva estabilizao da tenso conseguida com esse regulador paralelo, mas o circuito perde potncia adicional no resistor em srie. Por outro lado, o transistor de controle necessita operar apenas com parte da corrente de carga total, o que uma vantagem considervel nas fontes de elevada corrente. Uma fonte de alimentao regulada completa est ilustrada na Fig. 10.4. O amplificador cc um nico estgio com transistor em emissor-comum, e a tenso de referncia fornecida pelo zener de 18 V . Este diodo est colocado no circuito do emissor, em vez de situado e m srie com o sinal de realimentao; assim, um de seus terminais pode ser aterrado. O resistor de 33 k 0 possibilita a polarizao reversa do zener. Note que a razo de realimentao ajustvel, permitindo que a tenso de sada seja ajustada no valor desejado, dentro dos limites ditados pelas condies de operao dos transistores. Neste circuito, a sada pode ser ajustada dentro da faixa de 40 a 50 V , mantendo boa regulao. O capacitor de 1.500 pF entre os terminais de sada oferece uma impedncia interna efetiva muito baixa para os sinais ca. Podem ser obtidas tenses reguladas com maior preciso, empregando-se verses mais elaboradas deste circuito. O ganho pode ser aumentado com o uso de um amplificador cc multiestgio. Em particular, os amplificadores operacionais mostram-se con-

Fig. 10.3 Regulador paralelo.

MEDIDAS ANALGICAS

Fig. 10.4 Fonte de alimentao regulada completa, de 40 v ' e 500 mA.

venientes em virtude de possurem ganho elevado e entradas duplas, que facilitam a comparao da tenso de sada com a de referncia. Os circuitos deste tipo podem manter a tenso de sada dentro de 0,l por cento sobre a faixa total de corrente de carga. De fato, estabilidades to boas quanto uma parte em 105 so conseguidas em aplicaes especiais. Os componentes discretos do regulador de tenso completo podem ser convenientemente incorporados num nico circuito integrado (Fig. 10.5a). Neste circuito, a queda de tenso em R,, denominado resistor interruptor, atua no sentido de abrir o circuito quando a capacidade de corrente ultrapassada, como, por exemplo, por um inadvertido curto-circuito nos terminais de sada. Assim, o regulador autoprotegido contra sobrecargas de corrente. Um transistor de controle pode ser includo, em separado, como na Fig. 10.5b, para aumentar a capacidade de corrente. Deste modo, o transistor de potncia fica efetivamente em conexo Darlington com o de controle no interior do circuito integrado (CI) para obteno de maior ganho de corrente. E conveniente montar o transistor externo num dissipador trmico para aumentar a dissipao de potncia.

Servos
E frequentemente til o controle de posio ou movimento mecnico em conformidade com um sinal eltrico. Para garantir que o movimento desejado se efetue, produzida uma tenso de realimentao, correspondente ao deslocamento, que comparada com o sinal de entrada. Quando os dois so iguais, o movimento cessa, pois o mecanismo respondeu ao sinal estimulador. Os sistemas realimentados, que incorporam um elo mecnico na estrutura de realimentao, so denominados servomecanismos ou servos, termos originrios do latim e significando "escravos", em virtude do movimento mecnico ser escravo do sinal de entrada. Os servos so largamente usados em controle, desde registradores de laboratrio a sistemas de navegao automtica. Consideremos o sistema de servo esboado na forma de diagrama em blocos da Fig. 10.6. O amplificador alimenta um excitador mecnico, como, por exemplo, um motor cc. Suponhamos que este movimente um brao mecnico para a posio x e que

150 mA max

5 A max

5-15V
24 V

-\

Fig. 10.5 (a) Regulador de tenso em circuito integrado e (b) com transistor de potncia para aumentar a capacidade de corrente.

Sinal de erro

entrada I onexo mecnica

Sensor de Sinal de realimentao v. kx ,

Fig. 10.6 Diagrama em blocos de sistema servo.

MEDIDAS ANALGICAS

291

a tenso de realimentao seja proporcional posio deste brao e igual a kx. Enquanto o sinal d e erro - que a diferena entre a tenso de entrada e a de realimentao - no for igual a zero, ser amplificado e continuar a comandar o motor. Quando o sinal de realimentao se iguala ao de excitao, o erro nulo e o movimento cessa. Assim,

de modo que

De acordo com a equao acima, a posio de equilbrio x, diretamente proporcional ao sinal de entrada. O servo no pode responder instantaneamente a variaes rpidas no sinal de entrada por causa da inrcia mecnica e do atrito. De acordo com a discusso acima, a fora motriz proporcional ao sinal de erro e oposta as foras de inrcia e de atrito, e , se esta for pequena em comparao com a fora de comando, aparecer uma oscilao amortecida, como na Fig. 10.7. Por outro lado, se a fora de atrito for grande, o sistema, superamortecido, necessitar de um tempo muito longo para atingir a posio de equilbrio. A maioria dos sistemas de servo projetada para que sejam ligeiramente subamortecidos pois isto minimiza o tempo de resposta, resultando em pequena ultrapassagem, como na Fig. 10.7. Pode ser introduzido amortecimento adicional, se desejado, com a incluso de um filtro RC na entrada. Desta maneira, o servo nunca ficar sujeito a variaes de sinal mais rpidas que a constante de tempo do filtro.

11

Superamortecido

Fig. 10.7 Respostas caractersticas do servo a sinais de entrada abruptos.

Um instrumento de laboratrio comum, baseado nos princpios do servomecanismo, o registrador grfico, que um potencimetro cc autobalanceado, no qual a posio de equilbrio marcada numa tira de papel ou carta mvel, produzindo um registro contnuo da tenso de entrada. O corao do sistema (Fig. 10.8) o potencimetro R,, no qual circula uma corrente calibrada, fornecida pela bateria V,, atravs do

I Conexo 4
mecnica

I I I I

Fig. 10.8 Servo potencimetro registrador.

resistor varivel R,. A corrente aferida por comparao com uma bateria-padro, como descrito no Cap. 1. Se for satisfatna uma preciso menor, V, poder ser uma bateria de mercrio, que fornece corrente relativamente constante. Os potencimetros em paralelo formam um circuito em ponte, que est balanceado quando, de acordo com a Eq. (1.46), R,,/R,, = Rsl/Rs,. Com esta condio, a tenso de realimentao vf zero. Na ausncia de sinal de entrada, o contato ajustvel (cursor) do potencimetro movido pelo servomotor at que o equilbrio seja atingido. A pena registradora, mecanicamente acoplada ao cursor, grava a posio de balanceamento na carta. Isto significa que a posio do zero (v, = 0) pode ser localizada em qualquer ponto da carta, ajustando-se R,. Quando a tenso de entrada aplicada, um sinal v, - vf introduzido no amplificador. O servomotor leva o cursor para nova posio de equilbrio, onde a tenso da ponte, desbalanceada, se iguala a de entrada, e v, - vf = 0. O deslocamento deste contato deslizante funo linear da tenso de entrada, o que pode ser mostrado da maneira a seguir. Usando-se a Eq. (1.54), a tenso de desequilbrio da ponte

onde V a tenso na ponte. Se o potencimetro for uniforme e a posio zero (x for tomada no centro,

0)

MEDIDAS ANALGICAS

293

sendo m uma constante do potencimetro. Substituindo-se a Eq. (10.9) na Eq. (10.8) e observando-se que Rcl = R,,, pois a posia zero est no centro,

1 v f = v(2 -

Rs/2 - mx v - - mx R,/2 - mx Rs/2 + mx) - Rs

Portanto, de acordo com a Eq. (10.7),

onde I, = VIRs a corrente aferida no potencimetro. A Fig. (10.1 1) mostra que a deflexo do cursor, e, portanto, da pena, proporcional ao sinal de entrada. E prtica comum escolher m e a corrente I, de tal forma que a largura total da carta seja um valor inteiro de tenso (100 mV, por exemplo). Os resistores R , a R , da Fig. 10.8 constituem um divisor de tenso para mudar a sensibilidade do instrumento. Quando o divisor est atuando, apenas uma frao da tenso de desequilbrio fica disponvel como sinal de realimentao, sendo a sensibilidade correspondentemente aumentada. R , e C , formam um filtro de amortecimento na entrada para otimizar o tempo de resposta do registrador. Este instrumento bastante verstil nos trabalhos de laboratrio, combinando a alta sensibilidade a sinais cc e, a inerentemente elevada impedncia de entrada do circuito potenciomtrico, com a operao automtica e gravao permanente. E largamente empregado como parte de outros instrumentos, tais como espectrmetros ticos, difratmetros de raios X e cromatgrafos a gs, ou isoladamente.

TRANSDUTORES
Os dispositivos que produzem sinais eltricos de acordo com as variaes em algum efeito fsico so chamados de transdutores. Um exemplo tpico o microfone que gera uma tenso de sinal correspondente s variaes da presso exercida pelo som num diafragma. Outros dispositivos, como os extensmetros, operam mudando algum parmetro de circuito (p. ex., resistncia), em vez de gerarem uma tenso. Grande variedade de transdutores tem sido desenvolvida, de modo que frequentemente possvel a gerao de um sinal de mais de uma maneira. O fator decisivo em qualquer situao a preciso com que a sada do transdutor representa o parmetro fsico que est sendo medido.

Transdutores mecnicos
-

O transdutor conveniente para sentir posio ou movimento mecnico o transformador diferencial da Fig. 10.9. Este dispositivo um transformador com dois secundrios e um ncleo magntico mvel. A corrente senoidal no primrio produz uma tenso igual em cada secundrio quando o ncleo est posicionado exatamente no meio, entre eles. Em virtude dos enrolamentos estarem ligados em srie e em oposio, a tenso de sada nula. O deslocamento do ncleo para a esquerda acarreta um maior fluxo magntico enlaando o secundrio esquerdo, e a tenso de sada aumenta. Semelhantemente, um deslocamento para a direita produz sada com fase oposta, pois a tenso do secundrio da direita excede a do esquerdo. Atravs de projeto mecnico adequado, a tenso de sada pode ser funo linear do deslocamento numa distncia razovel, digamos, 0,25 cm (1110 de polegada). Um detector sensvel fase usado comumente para captar o sentido do deslocamento,

,4d&~aaB~~m8a& &t~~zssM'z74 awdf2& apmzs pmddnz~zshi s / .SW d c


um sentido, pode-se usar um simples voltmetro ca.

Sada

Desl

Ncleo mvel Secundrio+-Secundrio

Fig. 10.9 Esboo do transformador diferencial em corte.

Diafragma

Som

Presso

Fig. 10.10 Esboo do microfone capacitivo.

Um outro transdutor, sensvel a posio, mede a separao entre uma placa fixa e uma mvel, atravs da capacitncia entre elas, cuja variao, que acompanha a mudana da separao das placas, detectada com uma ponte de capacitncia. Alternativamente, o capacitor pode fazer parte do circuito ressonante de um oscilador, fazendo com que os deslocamentos de uma em relao a outra se reflitam como variaes em sua freqncia. Se for necessrio detectar apenas afastamentos de uma posio de equilbrio, a simples conexo do capacitor em srie com um resistor e uma tenso cc suficiente, como no caso do microfone capacitivo da Fig. 10.10. As variaes na presso do som fazem o diafragma deflexionar-se, mudando, assim, a capacitncia C e gerando uma corrente no circuito externo dada por

MEDIDAS ANALGICAS

O sinal de sada

v, = RV-

dC dt

O transdutor de capacitncia pode ser adaptado para medir fora mecnica, como na Fig. 10.11, na qual a posio de um brao em que a fora aplicada detectada pela capacitncia entre este e a face (plo) de um eletrom. Qualquer fora aplicada desloca o brao, fazendo com que a variao na capacitncia seja detectada pela ponte, que, desbalanceada, d uma tenso de sinal para o amplificador que alimenta os enrolamentos do eletrom. A fora magntica empurra o brao de volta a posio de equilbrio, atuando contra a fora externa. Assim a corrente do m uma medida direta da fora aplicada.

capacitncia de 'Onte

+( v
Amplificador de pot6ncia

Fig. 10.11 Transdutor de capacitncia, usado em sistema realimentado para medir fora mecnica.

, -

Um sistema que busca o retorno a posio de equilbrio ou de nulo comumente utilizado em circuitos de medio e de controle. Dois comentrios so dignos de nota: primeiro, o sistema basicamente uma estrutura realimentada, podendo ser analisada como tal; segundo, ele retoma sempre a posio de equilbrio, e, assim, no necessrio que o transdutor tenha relao linear entre a ao na entrada e o sinal de sada. Na realidade, nem mesmo essencial que seja conhecida a calibrao do transdutor, uma vez que no sofre deflexo na posio de equilbrio. A tenso mecnica em materiais e partes estruturais medida convenientemente

A
Esforo

Fig. 10.12 Extensmetro resistivo.

por meio de um extensmetro resistivo, sendo comum um tipo feito com um fio metlico de 0,0254 mm de dimetro1 dobrado e ligado a uma fina proteo de papel, como na Fig. 10.12. Este conjunto cimentado diretamente a superfcie da parte estrutural em teste, de modo que as variaes no comprimento so detectadas pelas variaes na resistncia do medidor. A intensidade dessas variaes pode ser determinada por

"

onde L o comprimento total. A a rea da seo reta e p a resistividade do fio. A sensibilidade do instrumento, medida pelo fator do medidor, que a relao entre as variaes relativas na resistncia e no comprimento, ou K = ( A R / R ) / ( L / L ) , dada por

.
-

sendo u a razo de Poisson para o material do fio. De acordo com a Eq. (10.14), a variao na resistncia devida as variaes nas dimenses'do fio, ocasionadas pelo esforo mecnico, mais a possibilidade de variao na resistividade. No caso de medidores de fio metlico, o terceiro termo da Eq. (10.14) desprez2. A resistncia do instrumento pode ser aproximadamente 100 R e , os vel e K esforos de interesse, da ordem de 10-3, de modo que a variao total da resistncia de cerca de 0,2 R. Extensmetros de silcio tm fatores muito maiores (da ordem de 150). A razo disto que a quantidade de portadores num semicondutor sensvel a tenses mecnicas. A condutividade, portanto, muda significativamente em resposta deformao elstica. Em virtude desta maior sensibilidade, os extensmetros de silcio esto se tornando cada vez mais populares. Este tipo , no entanto, sensvel a mudanas de temperatura, por causa da caracterstica exponencial da variao da resistividade com a temperatura, prpria dos semicondutores. Na realidade, os efeitos da temperatura so tambm importantes nos metlicos. Embora a variao na resistividade de um metal com a temperatura seja bastante pequena, as alteraes causadas pelas tenses mecnicas tambm o so. Circuitos em ponte so universalmente usados para medir a variao na resistncia dos extensmetros porque as pequenas variaes~podemser detectadas e , a compensao de tem~eratura. facilmente efetuada. Com maior freauncia, usam-se dois extensmetros idnticos na ponte, como indicado na Fig. 10.13. Um est sujeito a esforo, enquanto o outro est isento deste, mas posicionado de modo que as condies ambientais sejam as mesmas que as do extensmetro detector. Assim, as mudanas de temperatura influenciam cada um deles igualmente, 5 a ponte permanece balanceada. Para mxima sensibilidade da ponte, R , = R, = R; a sada nula e a tenso na resistncia R , V / 2 na condio sem esforo. A resistncia do medidor torna-se, sob deformao, R + A R, e o sinal de sada resultante, neste caso,

-*

, .

v,

V(R + AR) - V AR 2R+AR 2 - 4 ~ + 2 ~ ~ '


-

'N.T. Em ingls, este valor de dimetro indicado como 1 mil, que equivale a um milsimo da polegada.

MEDIDAS ANALGICAS

Amplificador registrador

Fig. 10.13 O circuito extensmetro em ponte utiliza um segundo medidor para compensao de temperatura.

Desprezando-se AR em comparao com2R e substituindo-se o fator do medidor,


=--O

KVAL 4 L

o que mostra que o sinal de sada uma medida direta da tenso mecnica. 10-3, este sinal da ordem de 10 mV ou menos, de modo que, Como ALIL normalmente, necessrio amplific-lo. A ponte pode ser excitada por um oscilador, sendo possvel, portanto, usar amplificador ca, a fim de que sejam evitados os problemas de flutuao do amplificador cc. A deteco sncrona possibilita operao em baixo nvel de rudo e, tambm, identificar esforos positivos e negativos. Vibraes mecnicas em estruturas e mquinas so determinadas com transdutores denominados acelerrnetros. Um tipo de acelermetro mede as foras numa pequena massa, provocadas pelas aceleraes do objeto ao qual ele se encontra ligado. A fora de inrcia F = ma contrabalanada pela de restaurao d a mola que suporta a massa, e as deflexes so detectadas por meio da tenso gerada num material cristalino piezoeltrico, como os sais de rochelle ou o titanato de brio. Como j vimos no Cap. 9, os materiais piezoeltricos geram uma tenso proporcional a tenso mecnica no cristal. O elemento piezoeltrico , na realidade, formado por duas lminas paralelas (Fig. 10.14), de modo que, por exemplo, uma deflexo vertical da massa coloca a lmina superior sob compresso e , a inferior, sob tenso. Os terminais de sada nas duas faces planas so conectados em paralelo. O resultado desta construo bimorfa o mais sensvel transdutor que se pode obter com apenas um elemento. A faixa de frequncia til de um acelermetro vai at a frequncia de ressonncia da associao massa-mola suporte. Um limite superior tpico 2 kHz. Pode-se obter desempenho melhor, custa de sensibilidade, com a eliminao conjunta da massa e da mola. Neste caso, so usadas apenas a massa e a constante de elasticidade do elemento piezoeltrico bimorfo, sendo o limite superior dado pela ressonncia mecnica da geometria da viga engastada do prprio elemento. A tenso de sada do acelermetro pode ser eletronicamente integrada para produzir um sinal proporcional a velocidade. Uma segunda integrao d o deslocamento. Esses instrumentos constituem parte importante da orientao por inrcia dos sistemas

Elemento bimorfo piezoeltrico

$
O medidor de pM

Mola,

Fig. 10.14 Acelermetro piezoeltnco elementar.

de navegao dos avies. So dispostos trs acelermetros, mutuamente perpendiculares, para a medida do afastamento da aeronave de um ponto inicial conhecido. A acidez ou alcalinidade de uma soluo determinada medindo-se a concentrao de ons de hidrognio no lquido, com auxlio do medidor de pH.' Este instrumento baseado no potencial desenvolvido pela soluo em relao a um eletrodo-padro, que dado por

sendo R a constante universal do gs, T a temperatura absoluta, F , a quantidade de carga eltrica denominada o faraday e a , a atividade dos ons de hidrognio que , efetivamente, igual a sua concentrao. Na realidade, a quantidade definida pela expresso

que utilizada na prtica, porque os valores numricos assim obtidos so de mais conveniente manipulao. O pH de uma soluo neutra, por exemplo, igual a 7, quando a , = 10-7. As condies do eletrodo-padro concernentes a Eq. (10.17) so inconvenientes na prtica, de forma que o medidor usual emprega o esquema desenhado na Fig. 10.15. O potencial de um lquido desconhecido comparado com o da soluo conhecida e de pH constante. O contato eltrico com ambos os lquidos obtido com eletrodos padronizados e denominados eletrodos de calomelano. As propriedades eletroqumicas destes eletrodos (uma mistura de Hg, HgCI e KC1) so muito estveis e facilmente reproduzidas em laboratrio. A soluo de pH conhecido normalmente uma mistura de Ag, AgCl e HCI contida num recipiente de vidro de paredes delgadas. Estas paredes permitem que apenas os ons de hidrognio da soluo desconhecida emigrem atravs do sistema. Em consequncia, o potencial desenvolvido resultado somente da concentrao desses ons, mesmo que outros estejam, tambm, presentes. A associao do eletrodo de calomelano com a soluo-padro conhecida comercialmente como eletrodo de vidro. A conexo eltrica entre o outro eletrodo e a soluo desconhecida realizada por um pequeno orifcio, como pode ser observado na Fig. 10.15.
'N.T. Este instrumento tambm chamado de potencimetro.

MEDIDAS ANALGICAS

Eletrodo "de vidro"

Fig. 10.15 Sistema eletrdico de um medidor de pH. O potencial V medida direta da concentrao de ons de hidrognio no lquido examinado.

Em termos de tenso produzida por esta disposio-padro, o pH da soluo desconhecida, das Eqs. (10.17) e (10.18),

onde a constante 0,106 V se refere a diferena de potencial entre a soluo-padro e o calomelano e o denominador a quantidade RTIF, calculada temperatura ambiente. Note que o pH funo linear da diferena de potencial entre os eletrodos e que o potencial de uma soluo neutra 7 x 0,0592 - 0,106 0,3 V. A medida desta tenso deve ser feita com um instrumento que tenha impedncia de entrada extremamente elevada para evitar carregar a clula e , com isso, reduzir a tenso nos terminais. Mesmo os pequenos ons de hidrognio emigram atravs das paredes de vidro com considervel dificuldade, o que produz uma resistncia interna muito alta. Voltmetros que possuem a elevada impedncia de entrada conveniente, denominados eletrmetros, sero descritos em seo posterior.

Fotoclulas
A energia luminosa proveniente de ondas de comprimento desde o infravermelho at o ultravioleta detectada e medida com vrios tipos de fotoclulas. Uma fotoclula simples, porm extensivamente usada, constituda de um pequeno pedao de semicondutor provido de dois contatos eltricos. A resistncia deste pedao, entre os contatos, depende da intensidade da energia da luz que incide sobre a superfcie. Os ftons absorvidos produzem eltrons e buracos que atuam como portadores de corrente. A resposta de uma fotoclula semicondutora nula para energias de ftons menores que a largura do intervalo de energia proibida, pois, neste caso, a energia insuficiente

para levar os eltrons da banda de valncia para a de conduo. A resposta tambm pequena em comprimentos de onda pequenos (elevadas energias dos ftons), porque os ftons so densamente absorvidos nas camadas da superfcie nas quais a maioria dos semicondutores inativa. A resposta, portanto, mxima para energias correspondentes largura do intervalo de energia proibida, como esta ilustrado na Fig. 10.16, para os mais comuns materiais fotocondutores: CdS, CdSe e CdTe. Observe que as fotoclulas de CdS so teis na regio visvel do espectro, as de CdSe so mais sensveis luz vermelha e as de CdTe respondem radiao prxima ao infravermelho. Outros semicondutores comumente usados como detectores de infravermelho sfio o PbS e o PbSe, teis em 3,O e 4,5 mcrons, respectivamente, correspondendo a intervalos energticos de 0,37 e 0,27 eV. E mais, o InSb, com um intervalo de apenas 0,18 eV, responde radiao em comprimentos de onda bem maiores, da ordem de 7 mcrons.

Comprimento d e onda, A
Fig. 10.16 Resposta espectral das fotoclulas de CdS, CdSe e CdTe. A resposta mxima obtida para energias de ftons iguais a largura do intervalo de energia proibida.

Uma medida conveniente da sensibilidade da fotoclula o ganho G, tomado no pico da curva de resposta espectral. O ganho a relao entre o nmero de portadores gerados pela iluminao e o nmero de ftons absorvidos por segundo. O resultado que o ganho pode ser expresso como a razo entre o tempo de trnsito T dos portadores de corrente entre os eletrodos e o tempo mdio T que um eltron fotogerado gasta na banda de conduo antes de se recombinar com um buraco na banda de valncia, ou

De acordo com a Eq. (10.20), alta sensibilidade implica em resposta lenta, isto , obtm-se ganho elevado aumentando-se a constante de tempo T, a qual tambm deter-

MEDIDAS ANALGICAS

301

mina a velocidade da resposta a variaes sbitas na intensidade da luz. Os fotocondutores simples so largamente utilizados quando a velocidade de importncia secundria, porque so bastante sensveis. Mais frequentemente, a variao na resistncia da fotoclula, que acompanha a iluminao incidente, medida conectando-se a fotoclula em srie com uma fonte de tenso cc e um resistor de carga. A queda no resistor corresponde as variaes na resistncia do semicondutor, resultantes da absoro de ftons.

0,1 P F

Sada

Fig. 10.17 Estrutura interna e circuito tpico da vlvula fotomultiplicadora.

Uma alta sensibilidade, juntamente com rpido tempo de resposta, obtida numa fotoclula valvular a vcuo, denominadafotomultiplicador, que consiste em um catodo fotossensvel e alguns eletrodos adicionais denominados dinodos (Fig. 10.17). Os dinodos ficam com tenses sucessivamente mais elevadas, de modo que os eltrons emitidos pelo fotocatodo, ou pelo dinodo anterior, so atrados pelo dinodo seguinte com energia suficiente para desalojarem eltrons da superfcie. As superfcies dos dinodos so especialmente processadas, de forma que mais de um eltron emitido para cada um incidente, e, assim, a quantidade vai sendo multiplicada medida que prosseguem de dinodo em dinodo. Eles so, finalmente, coletados pelo anodo, constituindo a corrente de sada. Ganhos da ordem de 106 so conseguidos com fotomultiplicadores, de modo que possvel detectar a emisso de apenas um nico eltron pelo fotocatodo. Alm do mais, o tempo de resposta depende do tempo de trnsito dos eltrons, que correspondentemente mais rpido. Com essas fotoclulas, pode-se obter resposta til em freqncias da ordem de centenas de megahertz. Tanto os fotocondutores quanto os fotomultiplicadores tm a desvantagem da resposta espectral no uniforme, pois as energias dos ftons devem ser suficientes para gerar pares eltron-buraco em um caso e provocar emisso fotoeltrica no outro. Isto significa, em particular, que a resposta radiao afastada do infravermelho, onde a energia do fton pequena, desprezvel. O bolmetro a termistor, detector que mede a variao de temperatura produzida pela radiao incidente, tem resposta uniforme, embora comparativamente pequena, em todos os comwimentos de onda. Os termistores convencionais (o nome vem d a com~osicode "resistores termicamente sensveis") so compostos de materiais semicondutores xidos e possuem rpida variao exponencial da resistncia com a temperatura, caracterstica dos semicondutores. O detector consiste em um termistor isolado termicamente das circunvizinhanas, de modo que a radiao incidente aumenta a temperatura apenas no elemento sensvel. Como este aumento funo apenas da quantidade de energia absorvida, independentemente da energia individual do fton, a resposta obtida em todos os comprimentos de onda. Realmente, os bolmetros a termistor so usados at nas freqncias de microondas. A variao da resistncia deste instrumento mais frequentemente medida com uma ponte cc, semeIhante quela do extensmetro, ilustrada na Fig. 10.13. E prtica comum a incluso de um segundo termistor para compensar mudanas na temperatura ambiente, ainda como no caso do extensmetro. Este elemento de compensao usualmente montado no mesmo alojamento que o detector, mas blindado contra a radiao incidente. Embora no seja to sensvel quanto as outras fotoclulas estudadas anteriormente, o bolmetro a termistor pode detectar uma mudana na radiao infravermelha de um objeto, correspondente a uma variao, em sua temperatura, to pequena quanto um grau centgrado. Alm disso, os termistores so usados frequentemente como termmetros eltricos, sendo capazes de medir diferenas de temperatura pequenas, como 1OP6OC. Muitas fotoclulas semicondutoras, que possuem resposta rpida e boa sensibilidade, so baseadas na juno pn reversarnente polarizada. Os ftons absorvidos na regio da juno criam eltrons e buracos, que so varridos para o lado oposto, como na Fig. 10.18. Os portadores coletados so observados como um aumento na corrente reversa. Como a juno pn muito estreita, o tempo de trnsito T da Eq. (10.20) muito pequeno, podendo ser obtido um razovel valor para G, mesmo para tempos de resposta rpidos. A estrutura da juno tem a vantagem adicional de a corrente inversa no escuro ser muito pequena, comparada com a de um simples pedao de semicondutor com a mesma tenso aplicada. Isto significa que os portadores adicionais produzidos pela absoro de ftons podem ser detectados com maior sensibilidade. Por esta razo, os detectores de infravermelho com InSb so universalmente do tipo juno
A

MEDIDAS ANAL6GlCAS

-.

Fig. 10.18 Modelo de bandas de energia da fotoclula de juno.

pn. E mais, prtica comum resfri-los a fim de que seja reduzida a corrente inversa no escuro e obtida a mxima sensibilidade. Note que os eltrons e os buracos gerados na regio da juno so coletados mesmo na ausncia de tenso aplicada, por causa da elevao do potencial interno na juno, como mostra a Fig. 10.18. Isto significa que uma juno pn iluminada pode agir como bateria, aparecendo uma tenso de circuito-aberto, igual barreira de potencial interna, entre os terminais ligados as regies tipo n e tipo p. A corrente de curto-circuito da bateria depende da intensidade luminosa na juno. Este o princpio da bateria solar usada como fonte de energia nos satlites espaciais. As de silcio so mais utilizadas porque a largura do intervalo de energia proibida neste material tem correspondncia favorvel com a distribuio espectral da energia irradiada pelo sol. Fotoclulas similares so tambm usadas em mquinas fotogrficas de ris automtica e em medidores de exposio. As radiaes altamente ionizantes, do tipo raios B e raios a , so detectadas pela junopn. Se uma partcula a atinge a juno, sua energia consumida na gerao de eltrons e buracos que so, em seguida, coletados pelo campo naquela regio. O pulso de corrente de sada correspondente a este evento uma medida da energia da partcula incidente. Portanto, um detector de radiao de juno no apenas assinala a presena de radiao nuclear, como tambm mede a energia das partculas isoladamente. Deseja-se, com mais freqncia, empregar detectores que tenham juno larga, para se ter certeza de que a partcula ser absorvida nesta regio. Alm do mais, a juno deve estar bem prxima da superfcie do semicondutor, de modo que seja perdida pouca energia na gerao de portadores longe da juno, onde no podem ser coletados. Estes requisitos conduziram a processos especiais de fabricao de detectores de radiao de juno, diferentes daqueles normalmente usados na produo de transistores.

INSTRUMENTOS ANALGICOS Osciloscpios


Vrias vezes j tocamos em circuitos e aplicaes do mais verstil instrumento: o osciloscpio de raios catdicos. O diagrama em blocos completo de uma unidade tpica est mostrado na Fig. 10.19 e inclui os amplificadores horizontal e vertical acoplados

E ta a nr d , vertical

Amplificador vertical
i

Sensibilidade do sincronismo e velocidade de

'

Sincronismo externo

Varredura sincronizada

Entrada horizontal

Amplificador horizontal

Ganho horizontal

Fig. 10.19 Diagrama em blocos do osciloscpio.

as placas defletoras horizontais e verticais do tubo de raios catdicos, um gerador de rampa, ou dente-de-serra, sincronizado para produzir a varredura horizontal linear, e circuitos de fonte de alimentao adequados. No modo mais comum de operao, a forma de onda de interesse aplicada aos terminais da entrada vertical. O amplificador eleva suficientemente a amplitude para provocar uma deflexo vertical aprecivel do feixe eletrnico. Uma parte do sinal amplificado usada para produzir um pulso de comando para o gerador de varredura, a fim de sincroniz-la com o sinal de entrada. A sada do gerador amplificada e aplicada as placas de deflexo horizontal. Este gerador ainda d um pulso para o canho eletrnico do tubo de raios catdicos (CRT), que apaga o feixe durante o retrocesso, de modo que o ponto pode retornar a origem sem deixar traos espreos na tela. Algumas vezes vantajoso sincronizar o gerador de varredura com um sinal externo, como, por exemplo, no caso de ser necessrio iniciar a varredura antes que a amplitude do sinal vertical seja grande. Com esta finalidade, existe uma entrada de sincronismo externo, a qual o gerador pode ser conectado. Quando no desejada varredura linear, como no caso das figuras de Lissajous (Cap. 2), a entrada do amplificador horizontal ligada aos terminais d a entrada horizontal, podendo os sinais externos serem colocados em ambas as placas defletoras, horizontais e verticais. Pode-se tambm modular a intensidade do feixe de eltrons, alterando-se o potencial d a grade no canho eletrnico; este terminal externo convencionalmente chamado de entrada do eixo z, para distingui-la d a horizontal (eixo x) e da vertical (eixo y). Os amplificadores horizontal e vertical so, com bastante freqncia, do tipo diferencial de acoplamento cc. Os controles de ganho do divisor de tenso ajustam a amplitude da deflexo na tela. Muitos circuitos de varredura diferentes so de uso COmum; uma verso tpica foi descrita no captulo anterior. Os controles de velocidade de varredura e sensibilidade de sincronismo so necessrios a fim de se ajustar a var-

MEDIDAS ANAL~GICAS

305

"

redura para a melhor exposio da forma de onda. A fonte de alimentao do CRT projetada de modo que os potenciais cc aplicados aos elementos do canho eletrnico possam ser ajustados para a obteno da focalizao e intensidade do trao timas. De modo anlogo, a posio quiescente do ponto na face do tubo ajustada alternando-se as tenses cc nas -placas de deflexo horizontal e vertical. A capacidade de um osciloscpio convencional mostrar sinais de freqncia muita alta limitada pela frequncia de corte superior do amplificador vertical e pela eficincia luminosa d a tela do tubo de raios catdicos nas altas velocidades do ponto. Como exemplo da versatilidade dos instrumentos com CRT, consideremos o osciloscpio de amostragem, que pode exibir formas de onda peridicas em freqncias bem superiores as dos instrumentos convencionais. A amplitude do sinal de entrada amostrada em pontos sucessivamente retardados de seu ciclo e, ento, recomposta, numa rplica da entrada, na tela. Como o sinal peridico, a amostragem pode ser feita a cada 10 ciclos, conforme ilustrado na Fig. 10.20, o que significa que os circuitos de amostragem e exposio operam em apenas 1/10 da frequncia de entrada. O diagrama de circuito bsico de um osciloscpio de amostragem (Fig. 10.21) emprega um gerador de pulso para produzir uma srie de pulsos sucessivamente retardados e um circuito de porta que fica ativa somente durante a existncia do pulso. A sada da porta, aps atravessar um filtro passa-baixas, aplicada ao CRT. Observe que, embora no seja necessrio maior parte do circuito ser capaz de operar na freqncia do sinal, o gerador de pulsos deve produzir pulsos bem estreitos. H vrios circuitos diferentes capazes de realizar essa funo, sendo mais fcil gerar tais pulsos sumamente estreitos do que projetar um amplificador com ganho suficiente na mesma freqncia. Nmero do pulso

dt,

fL l f l f l f l
t3 1234

Fig. 10.20 Amestrando-se o sinal peridico de entrada a cada 10 ciclos, a forma de

onda pode ser recomposta por circuitos cuja mxima frequncia de resposta seja apenas 1/10 da frequncia de entrada.

Analisadores de ondas
Sinais de forma complexa podem ser vistos como combinaes de ondas senoidais harmonicamente relacionadas, de acordo com o mtodo de anlise de Fourier discutido no Cap. 2. Os instrumentos capazes de determinar a amplitude das componentes de frequncia do sinal, denominados analisadores de ondas, executam a anlise experimentalmente. Como tal, eles so instrumentos de medio de freqncia.

MEDIDAS ANALGICAS

307

Gravador magntico
Um dos mais teis sistemas de gravao de sinais baseado no principio do gravador magntico, no qual um sinal eltrico registrado sob a forma de magnetizao numa fita magntica. Depois da gravao, a fita repassada pelo instrumento, obtendo-se uma tenso correspondente entrada original. Isto possibilita a observao repetida do sinal, se preciso, para anlise da forma de onda por um nmero de tcnicas diferentes to grande quanto necessrio. A fita magntica, frequentemente sob a forma de uma camada de xido ferromagntico povilhado sobre uma fita plstica, magnetizada, de acordo com o sinal, pelo campo magntico da cabea gravadora (Fig. 10.23~).A corrente de sinal produz um campo numa abertura (entreferro) bem definida no ncleo da cabea gravadora, que magnetiza permanentemente a fita medida que passa pela abertura. Um sinal de polarizao ca de alta-freqncia tambm aplicado cabea para melhorar a linearidade do processo de gravao. Na reproduo (Fig. 10.236), a fita movimentada, passando novamente pela cabea, e seu campo magntico induz uma tenso nos enrolamentos desta. Como a magnetizao da fita corresponde s variaes do sinal original, as tenses induzidas na cabea reproduzem a onda de entrada. A reproduo no altera a magnetizao da fita, de modo que este processo pode ser repetido quantas vezes se. desejar. A ao da freqncia de polarizao ca pode ser compreendida considerando-se as propriedades no lineares tpicas da fita magntica, conforme est ilustrado pelo lao de histerese na Fig. 10.24. Na ausncia dessa polarizao, a magnetizao gravada no funo linear do campo gerado pelo sinal, e a reproduo fica fortemente distorcida. A polarizao obriga a magnetizao do material a atravessar laos de histerese menores, como indicado. A medida que um elemento de fita se move para fora do entreferro de gravao, o tamanho dos laos decrescem a zero. Assim, sem sinal, a magnetizao resultante nula. O campo gerado pelo sinal desloca o lao menor, de modo que a magnetizao remanente tem valor finito. Em virtude dos lados retos do lao de histerese maior, a relao entre a magnetizao remanente e o campo do sinal linear. A freqncia do sinal de polarizao ca da ordem de cinco vezes a do sinal mximo e , a amplitude de pico, aproximadamente igual fora coercitiva da fita. A freqncia mais elevada que se pode gravar depende da velocidade da fita e da largura do entreferro na cabea gravadora-reprodutora. A tenso eficaz de reproduo V, resultante da freqncia senoidal de gravao w,

V=MNo

sen (w1/2u)

wl/2v
Salda

Entrada Amplificador Amplificador

Cabea magntica

Fig. 10.23 (a) Gravao e (b) reproduo de sinais eltricos usando-se as tcnicas do gravador magntico.

Polarizao

+ sinal

Polarizao somente

Fig. 10.24 O efeito da polarizao ca obrigar o material da fita magntica a atravessar menores laos de histerese a medida que passa sob a cabea gravadora. A magnetizao remanente , neste caso, funo linear do campo gerado pelo sinal.

onde M o valor eficaz do fluxo magntico de sinal na fita, N o nmero de espiras do enrolamento da cabea gravadora, i o entreferro e v a velocidade da fita. De acordo com a Eq. (10.22), a tenso de reproduo pequena em baixas freqncias, sobe a um mximo e cai abruptamente a zero, onde

Como f

VIA, a equao acima pode ser escrita do seguinte modo:

O significado da Eq. (10.24) que o comprimento de onda mnimo passvel de reproduo igual extenso do entreferro. Isto , a frequncia mxima depende da velocidade da fita, de acordo com a Eq. (10.23). Os resultados experimentais, mostrados na Fig. 10.25, concordam, em geral, com a Eq. (10.22). A diminuio do sinal reproduzido em baixas frequncias resultante da pequena taxa de variao do fluxo para grandes comprimentos de onda na fita. Obtm-se resposta de frequncia uniforme com um amplificador reprodutor compensado, cujo ganho, que elevado em baixas frequncias, diminui nas altas. A resposta em altafrequncia depende da extenso da abertura da cabea gravadora e da velocidade d a fita. Por meio da escolha adequada dos parmetros, podem-se registrar frequncias at 10 MHz. Embora o maior emprego dos gravadores magnticos seja na reproduo fiel das caractersticas de frequncia e amplitude, existem muitas outras aplicaes tambm possveis. Por exemplo, conforme indica a Eq. (10.23), as frequncias reproduzidas

MEDIDAS ANAL~GICAS
Freqncia, Hz

Fig. 10.25 Resposta em freqncia experimental caracterstica da cabea reprodutora do gravador magntico. A queda em altas freqncias determinada pelo tamanho da abertura na cabea.

dependem d a velocidade da fita. Em conseqncia, pode-se reproduzir, em alta velocidade, uma gravao de baixa-freqncia e durao muito longa. O sinal resultante, de alta-frequncia, pode ser analisado num espao de tempo muito menor do que o requerido para a gravao original. Ao contrrio, uma gravao de alta-frequncia pode ser reproduzida em baixa velocidade, com a correspondente reduo nas componentes de frequncia do sinal. Deste modo, possvel analis-lo com instrumentos que possuam capacidade de resposta apenas em baixa-freqncia. Podem-se obter razes de expanso ou compresso maiores que 1.000.

Eletrmetro
O eletrmetro de lmina vibrtil utiliza um capacitor vibrtil, comandado eletromagneticamente, para medir correntes eltricas de pequena intensidade. O capacitor desenvolve um sinal ca que amplificado, retificado e realimentado ao circuito de entrada. O sistema exatamente anlogo ao amplificador amarrado discutido no Cap. 7, possuindo as vantagens da sensibilidade e estabilidade deste circuito. Frequentemente, o capacitor vibrtil C, (Fig. 10.26) uma pequena palheta metlica vibrada eletromagneticamente por ema tenso senoidal obtida de um oscilador, o qual tambm prpduz

Oscilador

7
R.

I
I b<ce

c, I/

I
Amplificador
- L .

- 1
Entrada

Detectar sncrono

v0

Capacitor de lmina vibrtil

, .

Fig. 10.26 Diagrama em blocos do eletrmetro de lmina vibrtil.

um sinal para o detector sncrono desenvolver uma tenso de sada cc concordante com o sinal de entrada. A vibrao mecnica da palheta resulta numa variao senoida1 da capacitncia entre a lmina e um eletrodo estacionrio adjacente. A carga Q , armazenada produz uma tenso ca

existente na entrada do amplificador. O funcionamento desse eletrmetro analisado da maneira descrita a seguir, tendo-se por referncia a Fig. 10.26. Uma carga Q aplicada aos terminais de entrada divide-se entre a capacitncia da lmina e a de acoplamento C,, de forma que a carga em C ,

O sinal ca do capacitor vibrtil amplificado e retificado, aparecendo como uma tenso v, na sada, sobre o resistor de realimentao Rf Esta tenso tambm acarreta uma carga em C,,

Portanto, a carga total em C, a soma das Eqs. (10.26) e (10.27), ou

O ganho total A do sistema a relao entre a tenso de sada e a tenso cc no capacitor vibrtil, de modo que

O ganho envolve a variao efetiva na capacitncia da palheta, dada pela Eq. (10.25), juntamente com o ganho do amplificador e a eficincia do retificador. Substituindo-se Q,, dado pela Eq. (10.29), na Eq. (10.28) e resolvendo-se em relao a tenso de sada, tem-se para resultado

o que verdadeiro quandoA elevado, como nos amplificadores realimentados. De acordo com a Eq. (10.30), a tenso de sada constitui uma medida direta da carga a entrada, e avaliada por um medidor de d'Arsonva1 convencional. Eletrmetros cuidadosamente projetados podem medir cargas at 10-16C, equivalentes a poucas centenas de eltrons. Diminutas correntes podem ser avaliadas medindo-se a taxa com que C, se carrega ou colocando-se, entre os terminais de entrada, uma resistncia co-

MEDI DAS ANALOGICAS

31 1

nhecida de grande valor. Podem ser detectadas correntes da ordem de 10-"A, umas poucas centenas de eltrons por segundo. O resistor de entrada R, existe para isolar o instrumento da capacitncia da fonte. Isto necessrio porque qualquer capacitncia fixa, em paralelo com C,, efetivamente reduz o sinal ca produzido pela lmina, uma vez que a variao lquida na capacitncia fica reduzida. A constante de tempo R,C, feita maior do que o perodo de oscilao da lmina, para que seja conseguido este isolamento. Observe tambm que a tenso de realimentao essencialmente igual a de entrada, e, portanto, o terminal de proteo (Fig. 10.26) pode ser usado para reduo das correntes de fuga, indesejveis, entre o terminal superior de entrada e os outros pontos do circuito. Quando tais pontos so conectados ao terminal de proteo, a diferena de potencial torna-se desprezvel, eliminando as correntes parasitrias de fuga.

Qualquer corrente esprea ou tenso estranha ao sinal de interesse denominada rudo, pois interfere no sinal. Tenses de rudo surgem na operao bsica dos,dispositivos eletrnicos ou so o resultado de projeto de circuito e uso inadequados. E importante minimizar os efeitos do rudo, a fim de que os sinais sejam caracterizados com a maior preciso possvel e se possa permitir a amplificao dos mais fracos. Uma medida conveniente da influncia do rudo em qualquer sinal a relao sinal/rudo, razo entre a potncia de sinal e a de rudo em qualquer ponto do circuito.

Rudo trmico
Quando estgios amplificadores so conectados em cascata, aparece nos terminais de sada uma tenso de rudo aleatria, mesmo sem sinal de entrada, que causada por uma tenso, tambm aleatria, gerada no resistor de entrada. Esse rudo que aparece nos terminais de qualquer resistor atribudo ao movimento errante dos eltrons livres no material da resistncia. Os eltrons de um condutor esto livres para vagar erraticamente em virtude da energia trmica que possuem, e, num dado instante, podem estar se dirigindo mais eltrons para um terminal do resistor do que para o outro. O resultado uma pequena diferena de potencial instantnea entre os terminais. A intensidade do potencial flutua rapidamente, medida que a quantidade de eltrons numa determinada direo varia de instante a instante. Como a tenso de mdo no resistor flutua aleatoriamenfe, possui componentes, segundo Fourier, cobrindo uma vasta gama de freqncias. E conveniente, portanto, especific-la em termos de valor mdio quadrtico por unidade de banda passante. Para um resistor R , esta quantidade

em que k a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta. A tenso dada pela Eq. (10.31) , as vezes, chamada de rudo Nyquist, em homenagem ao fsico que a deduziu, de rudo trmico, uma vez que se origina da agitao trmica dos eltrons livres, ou, tambm, de rudo Johnson, devido ao engenheiro que primeiro a mediu. O significado da Eq. (10.31) o seguinte: a tenso de rudo que aparece entre os terminais de qualquer resistncia tem uma amplitude que, medida realmente com um instrumento, depende da faixa de resposta em freqncia deste instrumento. Por l exemplo, o valor eficaz da tenso de rudo de um resistor de 1.000 f a temperatura ambiente, medido com um voltmetro cuja faixa de passagem de 10.000 Hz, , conforme a Eq. (10.31),

Esta tenso, um tanto pequena, no sem importncia, pois acarretar, na sada de um amplificador com banda passante de 10 kHz e ganho de 106, quase '/2 V, se o resistor de entrada for de 1.O00 fl. Esta tenso existe mesmo quando no h sinal de entrada. O rudo trmico independente da freqncia e , por isto, chamado de rudo "branco", por analogia com a distribuio espectral uniforme de energia d a luz branca. A presena desse rudo num circuito levada em conta incluindo-se um gerador de rudo, de valor dado pela Eq. (10.31), em srie com um resistor no ruidoso. Na prtica, necessrio considerar o rudo apenas nos resistores do circuito de entrada do amplificador. O ganho do primeiro estgio torna o rudo amplificado dos resistores de entrada maior do que o dos estgios seguintes. O rudo trmico uma propriedade fundamental e inevitvel de qualquer resistncia. Um amplificador deve ter a faixa de passagem da largura estritamente necessria para amplifcar adequadamente todas as componentes do sinal, a fim de minimizar as sempre presentes tenses de rudo. Se for necessria a amplificao de uma nica frequncia, por exemplo, a sua curva de resposta dever ser vivamente aguada nessa freqncia. A tenso total de rudo na sada fica, portanto, reduzida, pois apenas as componentes cujas frequncias estejam dentro da banda passante so amplificadas. A relao sinal/rudo melhora, e os sinais fracos podem tambm ser amplificados convenientemente.

Rudo de corrente Existem tenses de rudo, alm do trmico, observadas experimentalmente em certas resistncias, quando por elas circula corrente. Embora as origens fsicas ainda no estejam explicadas, muitos experimentos mostraram que este rudo maior em baixas freqncias e que aumenta com o quadrado da corrente. Uma expresso emprica para este efeito

onde K uma constante que envolve a geometria do resistor, o tipo de material resistivo e outros fatores, I a corrente cc e f a freqncia. De acordo com a Eq. (10.32), o valor mdio quadrtico da tenso de rudo por unidade de banda passante depende inversamente da frequncia, e, por isso, o fenmeno denominado rudo IE. Como ele depende tambm deI, chamado, ainda, derudo de corrente. A sua intensidade varia acentuadamente com o material e com a forma fsica do condutor. Encontra-se ausente por completo dos materiais inteirios, de modo que apenas o rudo trmico observado nos resistores de fio. Os de composio, por outro lado, geram um elevado nvel de rudo llf (Fig. 10.27), que est associado com os contatos intergranulares. Embora os contatos sejam reconhecidamente importantes, este rudo tambm observado nos semicondutores de um nico cristal, nos quais os efeitos dos contatos so desprezveis. Para minimizar o nvel de rudo em baixa-freqncia, escolhem-se resistores nos quais o rudo llf seja pequeno, COTO os de fio. Felizmente, nas altas frequncias, onde eles so inadequados em virtude de suas indutncias, o rudo de corrente nos resistores de composio usualmente desprezvel, comparado ao trmico. Em outras situaes, a corrente contnua nos componentes ruidosos minimizada, a fim de reduzir o rudo gerado por ela. O rudo de corrente total em qualquer circuito determinado

MEDIDAS ANALGICAS

-4 I01 1 1

10

1 O0
Freqncia, Hz

1 .O00

10.000

Fig. 10.27 Tenso de rudo experimental do resistor de composio de 2,2 M a. Note que o espectro llf, quando existe corrente cc, e rudo branco de Nyquist, quando no h corrente.

pela integrao da Eq. (10.32) sobre a caracterstica de resposta em freqncia do amplificador. O rudo llf de baixa-freqncia existe tambm nas vlvulas a vcuo e nos transistores. Nas primeiras, frequentemente conhecido como rudo de cintilaiio e originase no material do catodo em semiconduo, particularmente na superfcie emissora. Nos transistores resultante das propriedades do semicondutor, nos quais as condies da superfcie so muito importantes.

Rudo em transistores
Existem outros rudos, tambm, nos transistores. O rudo shot resultante da emisso aleatria de eltrons atravs de uma juno pn. Como cada eltron representa um incremento de corrente, a corrente de coletor flutua ligeiramente em torno do valor cc. Este efeito se assemelha ao rudo de pingos de chuva sobre um telhado de zinco. O motivo fundamental desse rudo que o eltron uma unidade discreta de carga eltrica. As flutuaes de corrente devidas ao rudo shot so

A quantidade (Ai2) anloga (Av2) na expresso do rudo trmico dada pela Eq. (10.31), exceto que, aqui, ele vem expresso em termos de flutuaes de corrente. Note que este tambm um rudo branco, pois o lado direito na Eq. (10.33) independente da freqncia. As tenses de rudo so representadas por geradores de rudo nos circuitos equivalentes. O efeito da faixa de passagem do amplificador, que pode ser determinada pela capacitncia parasita de desvio ou por circuitos sintonizados, includo na obteno das amplitudes dessas tenses. O rudo resultante de cada gerador pode ser tratado separadamente, uma vez que so independentes. O rudo total na sada , portanto, simplesmente a soma de todos os efeitos. O sinal de entrada de qualquer circuito tem, associado a si, uma dada relao sinal/mdo, pois ao menos o rudo trmico correspondente a resistncia da fonte est presente. Um amplificador ideal eleva igualmente os nveis, tanto do sinal como do

rudo, sua entrada, sem introduzir distoro. Em consequncia, a relao sinal/ rudo preservada na sada. Os amplificadores prticos no so ideais, devido ao rudo de corrente no primeiro estgio e ao trmico no circuito de entrada. Uma figura de mrito til em qualquer circuito afigura de ruido, abreviadamente N F (do ingls noise figure), que definida como a relao sinal/rudo da entrada dividida pela da sada. O amplificador ideal tem figura de rudo unitria, e muitos circuitos prticos se aproximam bastante deste valor. O rudo dos transistores resultante do rudo trmico na resistncia do semicondutor, do rudo llf causado pela corrente no cnstal e do rudo shot dos portadores que cruzam as junes. Alm desses, um outro fenmeno ruidoso tem sido observado nos semicondutores. Os eltrons so levados aleatoriamente da banda de valncia para a de conduo e tambm retornam aleatoriamente a banda de valncia, mantendo o nmero mdio adequado de portadores em cada uma delas. A gerao e a recombinao aleatrias de portadores so provocadas pelas energias trmicas e acarretam flutuao na condutividade do semicondutor. Isto gera tenso de rudo quando existe corrente contnua; este segundo tipo de rudo de corrente denominado rudo g-r ou de gerao-recombinao.

Freqncia

Fig. 10.28 Nvel de rudo interno experimental de um transistor tipo 2N929, com resistncia de fonte de 10.000 R.

A anlise do fenmeno ruidoso em transistores complicada devido a esses vrios fatores e ao inerente acoplamento da entrada com a sada. Resulta que, nas frequncias intermedirias, a figura de rudo de um transistor pode ser expressa como

N F = 1 + - + +
Rs 2Rs

rb

r,

(R,

+ rb.+ r,)'
e

2hfereRs

onde R, a resistncia da fonte e os outros smbolos tm seus significados usuais. De acordo com a equao acima, a figura de rudo tende para a unidade se as resistncias de emissor e de base forem pequenas em relao a da fonte, e se o ganho de corrente h , for elevado. Note que o rudo interno do transistor depende do ponto de operao. A Eq. (10.34) despreza o rudo llf, que aumenta o nvel de rudo em baixas frequncias (Fig. 10.28). Adicionalmente, observa-se um aumento de rudo em frequncias prximas das de corte a . O ltimo efeito, visvel tambm na Fig. 10.28, pode ser muito bem explicado com base na influncia do ganho de corrente e da freqncia de corte a sobre o rudog-r. O rudo interno nos transistores de efeito de campo resultante do rudo trmico

, .

MEDIDAS ANALGICAS

315

no canal. Em conseqncia, nas freqncias intermedirias, o rudo de dreno muito bem representado por

onde g, a transcondutncia do FET. notria a analogia entre as Eqs. (10.35) e (10.31); note que a resistncia equivalente de rudo no circuito do dreno exatamente l / g , e, portanto, depende do ponto de operao. O rudo aumenta nas baixas frequncias, devido ao rudo 18, e tambm nas altas, devido ao acoplamento capacitivo do rudo do canal para o eletrodo da porta. Por meio de projeto cuidadoso, o F E T pode ter a menor figura de rudo dentre todos os dispositivos, particularmente em nveis elevados de impedncia. Capacitncias

, -

4
1

-parasitrias

7-

r-

Fig. 10.29 (a) O acoplamento pelas capacitncias parasitrias introduz captao de rudo nos circuitos sensveis.(b) O condutor aterrado blinda o circuito contra os efeitos circunvizinhos.

Blindagem e aterramento
O rudo frequentemente introduzido nos circuitos prticos pelos sinais estranhos circunvizinhos acoplados a estes circuitos. As fontes mais comuns desses rudos so os campos eltricos e magnticos produzidos pela rede eltrica. O sinal de 60 Hz induzido por esses campos denominado zumbido, por ser audvel como um tom de baixa-frequncia nos amplificadores conectados a alto-falantes. Outras captaes espreas podem surgir devido aos campos eltricos gerados por equipamentos eletrnicos, motores eltricos, descargas de lmpadas etc., nas proximidades. E --- -- -- partes do circuito onde o nvel de sinal seja pequeno e, - conveniente blindar as . consequentemente, mais problemtico o'rudo. Os campos eltrico; induzem as ten-ses de rudo capacitivamente, de modo que apenas necessrio envolver o circuito com uma blindagem condutora aterrada, a fim de reduzir as captaes. Isto est ilustrado esquematicamente na Fig. 10.29, sendo que, na Fig. 10.29b, o acoplamento capacitivo para as fontes externas, existente na Fig. 10.29a, est interrompido pela interposio de um condutor aterrado. Essa blindagem eficiente tambm na reduo da diafonia entre' diferentes estgios de um mesmo circuito, como, por exemplo, entre a entrada e o estgio de potncia na sada de um amplificador completo. Alm de tudo, conveniente blindar o circuito para minimizar as correntes induzidas pelos campos magnticos espreos, o que conseguido com invlucros ferroL

magnticos de alta permeabilidade, que reduzem a intensidade do campo em seu interior. Essa blindagem nunca perfeita por causa das propriedades de tais materiais. E sempre vantajosa a minimizao da rea do circuito com o uso de ligaes as mais curtas possvel, pois a tenso induzida pelos campos magnticos variveis diminui se a rea fechada do circuito for reduzida. Os transformadores so particularmente susceptveis de problemas de captao indutiva devido as inmeras espiras. Devem ser mantidos bem afastados dos transformadores de fora por causa dos fortes campos gerados por estes. Em geral, boa prtica manter todos os circuitos fisicamente concentrados, a fim de que sejam minimizadas a captao esprea, a diafonia e a capacitncia parasita. Todos os componentes aterrados - como os capacitores de desvio - pertencentes a um determinado estgio devem ser retornados a um nico ponto. Isto reduz os laos de terra, que so caminhos de corrente atravs da armao metlica na qual os circuitos eletrnicos so frequentemente montados. Se todos os componentes de um estgio no estiverem aterrados no mesmo ponto, as correntes podero provocar acoplamento indesejvel de sinal entre os estgios. Quando unidades eletrnicas distintas so conectadas entre si, usa-se cabo blindado para todas as ligaes entre elas. A blindagem utilizada como ligao de terra, conforme est ilustrado na Fig. 10.30. E importante que todo o sistema seja aterrado num nico ponto, usualmente o terminal de entrada. Se cada unidade for aterrada separadamente, como indicam as linhas tracgadas da Fig. 10.30, podero ser induzidas intensas correntes de 60 Hz, em virtude da grande rea circundada. A corrente induzida no lao A pelos campos magnticos espreos de 60 Hz introduz um grande sinal parasita no amplificador.

-0

!!

-----

r----.
! !

Entrada

---

*3
Sada

Fig. 10.30 Quando diversos dispositivos eletrnicos so interligados, o sistema deve ser aterrado num nico ponto, de preferncia na entrada. Aterramentos mltiplos podem levar a grandes correntes de lao de terra.

Observe que a capacitncia entre o condutor central e sua blindagem tende a desviar o sinal em altas freqncias. Por esta razo, tais cabos so mantidos to curtos quanto possvel. A impedncia de sada do circuito tambm deve ser pequena para reduzir o efeito da capacitncia de desvio. Em conseqncia, o estgio de sada de muitos circuitos eletrnicos um seguidor de emissor ou de fonte.

LINHAS DE TRANSMISSAO
Em geral, os componentes de um sistema de medida apresentam-se fisicamente separados uns dos outros. Por exemplo, vrios instrumentos eletrnicos distintos podem ser conectados em cascata para a tomada de uma medida. O sinal deve, ento, ser transportado da sada de uma unidade para a entrada d a seguinte. Isto feito conectando-se os diversos circuitos por meio de linhas de transmisso. No caso mais

MEDIDAS ANALGICAS

317

simples, apenas dois fios constituem a linha, como foi implicitamente suposto nos captulos anteriores. Uma linha de transmisso deve, contudo, transmitir fielmente o sinal entre os instrumentos com um mnimo de distoro na amplitude ou na forma de onda; caso contrrio, a sada final do sistema pode estar errada. Em sistemas cc e de baixa-freqncia, basta considerar a resistividade dos condutores na linha de transmisso, bem como, talvez, a resistncia paralela entre eles. Estes efeitos podem ser examinados atravs de uma anlise de circuito correta, como no Cap. 1 . Mesmo um pedao reto de fio tem, associado a si, uma pequena indutncia; tambm existe uma pequena capacitncia entre os dois condutores. Em frequncias elevadas, as reatncias dessas inevitveis indutncias e capacitncias tornam-se significativas e influenciam a propagao do sinal ao longo da linha. Isto particularmente importante em circuitos de pulsos, devido s altas freqncias associadas s formas destes. Em muitos circuitos prticos nessas freqncias, linhas de transmisso de apenas poucos centmetros de comprimento introduzem distores indesejveis na forma de onda, se usadas inadequadamente.

Fig. 10.31 Representao de uma linha de transmisso em termos de impedncias por comprimento incremental, em srie e em paralelo.

Impedncia caracterstica
E til a representao das impedncias incrementais de uma curta seo de linha de transmisso por uma resistncia r, e uma indutncia 1 por unidade d e comprimento em srie, juntamente com uma resistncia r, e uma capacitncia c por unidade de comprimento em paralelo, como na Fig. 10.31. Assim, as impedncias complexas srie e paralela de uma pequena seo Ax d a linha so
z, Ax = (r,

+ jwl) Ax

Variaes de tenso e de corrente aparecem ao longo d a linha, em resposta a um sinal de entrada. Consideremos uma seo Ax, na qual a tenso de entrada v e a de sada, incrementalmente diferente, v + Av. De modo anlogo, as correntes de entrada e sada do elemento de linha so i e i + Ai, respectivamente. Do equacionamento das tenses na parte externa deste circuito resulta

Dividindo-se por h, aps simplificao,

No limite, quando A -t O, Av/& x direita da Eq. (10.38) se anula:

torna-se a derivada dvldx, e o segundo termo a

Analogamente, o equacionamento das tenses, incluindo-se o ramo paralelo,

x No limite, A -+ 0, e a Eq. (10.41) se reduz a

Derivando-se a Eq. (10.39) em relao a x e usando-se a Eq. (10.42), tem-se:

De modo anlogo, derivando-se a Eq. (10.42) em relao a x e fazendo-se uso da (10.39), obtm-se uma equao em i apenas:

As Eqs. (10.43) e (10.44) so chamadas de equaes da linha de transmisso, e suas solues fornecem a corrente e a tenso em qualquer ponto ao longo da linha. A soluo geral d a Eq. (10.43)

= Ae-iX

+ BeYX

(10.45)

onde A e B so constantes dependentes das condies de entrada e sada d a linha e y

denominada constante de propagao. Esta constante um nmero complexo, com uma parte real a e uma imaginria p, dado por

como pode-se verificar substituindo-se as.Eqs. (10.45) e (10.46) na d a linha de transmisso [Eq. (10.43)l. Como, parai, a equao diferencial (10.44) , em forma, idntica da tenso [Eq. (10.43)], a soluo tambm tem a mesma forma. Podem-se calcular as constantes arbi-

Fig. 10.32 Linha de transmisso terminada na prpria impedncia caracterstica.

trrias em termos de A e B usando-se a Eq. (10.42). O resultado

onde

Z c = G
a denominada irnpedncia caracterstica da linha. As Eqs. (10.45) e (10.47) do a variao da tenso e d a corrente com a distncia ao longo da linha. Adiaremos o exame de seus significados para considerarmos o d a impedncia caracterstica. Suponhamos uma linha de transmisso com d metros de comprimento terminada em sua impedncia caracterstica, como na Fig. 10.32. Usando-se as Eqs. (10.45) e (10.47), a tenso de sada v, pode ser escrita

o que significa que B = -B = O. Na extremidade de entrada, x = O, de modo que v i= A . Em conseqncia, .as equaes da tenso e da corrente se transformam em:

Em particular, a impedncia de entrada da linha

Isto significa que a impedncia de entrada de uma linha de transmisso terminada em sua impedncia caracterstica simplesmente igual a prpria impedncia caracterstica, seja qual for o seu comprimento. Por este motivo, bem como por outro igualmente importante discutido posteriormente, uma linha de transmisso , com freqncia, terminada em sua impedncia caracterstica. Na maioria das aplicaes, as resistncias srie e paralela da linha podem ser desprezadas, em comparao com as reatncias. Assim, se r , < o e l/rz< wc, a Eq. 1 (10.48) se reduz a

o que indica que a impedncia caracterstica puramente resistiva. O valor de Z, depende da geometria da linha, pois 1 e c so funes do tamanho e da forma dos fios, da separao entre eles etc. Em particular, a impedncia cracterstica da linha de transmisso constituda por dois condutores paralelos dada por

onde D a separao entre os fios e a o raio de cada condutor. Uma linha comumente usada na ligao entre as antenas e os receptores de televiso tem D/a = 10, de modo que Z, = 276 R. Na realidade, essa ''linha geminada" tem impedncia mais prxima de 300 R. A diferena atribuda constante dieltrica do material isolante que separa os condutores. A Eq. (10.53) aplica-se ao caso da linha aberta (o dieltrico o ar, cuja constante unitria). As linhas coaxiais so tambm comumente empregadas, possuindo impedncias caractersticas dadas por

onde b o raio do condutor externo e a do central. Um valor comum para a impedncia caracterstica do cabo coaxial 72 R, embora outros valores sejam tambm comercialmente disponveis.

Tempo de retardo
De acordo com a Eq. (10.50), a tenso ao longo de uma linha de transmisso terminada em sua impedncia caracterstica dada por

se as resistncias srie e paralela puderem ser desprezadas. Suponhamos que o sinal de entrada seja senoidal. Ento, a Eq. (10.55) pode ser escrita

MEDIDAS ANAL~GICAS

321

v=

6 sen wt(cos Bx - j sen Bx) = sen (ot- px)

(10.56)

Fig. 10.33 Propagao do sinal senoidal ao longo da linha de transmisso.

A Eq. (10.56) representa uma onda peridica no tempo e no espao. O grfico da Eq. (10.56) para um ciclo, quando t = 0 , est ilustrado na Fig. 10.33. Igualmente, os grficos da mesma equao, quando t = T/4 e t = T/2 (sendo T o penodo do sinal de entrada), mostram que o sinal se afasta da entrada da linha. O comprimento de ondah do sinal e m qualquer tempo a distncia, ao longo da linha, que a tenso percorreu num ciclo completo de 2m radianos. Em conseqncia, segundo a Eq. (10.56),h= 2m/P. Observe que, de acordo com a Fig. 10.33, o sinal de entrada percorre a distncia dei14 num tempo T / 4 , a distncia dei12 num tempo de V 2 etc. A velocidade com que o sinal se propaga atravs da linha , portanto,

--

em que a freqncia do sinal de entrada f . A Eq. (10.57) uma relao fundamental entre comprimento de onda, freqncia e velocidade. de qualquer fenmeno de propagao. O tempo necessrio para que o sinal seja transmitido da entrada para a sada , usando-se a Eq. (10.57), dado por

--= td - d - =d- T d
v

nf

onde d o comprimento da linha. De acordo com a Eq. (10.58), o tempo de retardo, e m termos do perodo do sinal de entrada, depende do comprimento da linha e do

comprimento de onda, e funo dos parmetros da linha, pois h = 2 ~ / / 3 depende de sua geometria. As caractersticas de propagao das linhas de transmisso so frequentemente usadas para a introduo de um determinado tempo de retardo entre os sinais de entrada e de sada. Tais linhas de retardo so tambm construdas com indutncias e capacitncias reais, conectadas de acordo com a Fig. 10.31. Isto se torna necessrio quando h requisitos de longos atrasos, pois estes aumentam quando I e c so grandes.

Reflexes e ressonncia
No h necessidade de uma linha de transmisso terminar numa impedncia igual sua impedncia caracterstica. Como ilustrao til, consideremos o caso em que a extremidade de sada est curto-circuitada, de modo que v, = O. Assim, em x = d, sendo d o comprimento da linha,

Analogamente, d a Eq. (10.47),

Resolvendo-se (10.59) e (10.60) em relao aA e B,

Usando-se a Eq. (10.45), a tenso na linha

Semelhantemente, a corrente , segundo a Eq. (10.47),

Comparando as Eqs. (10.62) e (10.63) com a (10.50), podemos interpretar o segundo termo das duas primeiras como uma onda que se propaga do terminal de recepo para o de entrada, isto , a onda incidente refletida na sada da linha por causa da terminao inadequada na extremidade de recepo. As reflexes devem ser evitadas, sobretudo no caso de pulsos, pois estes, quando refletidos repetidamente entre entrada e sada, mascaram completamente o verdadeiro sinal. Este o segundo maior motivo pelo qual a linha normalmente terminada em sua impedncia caracterstica. Uma linha de transmisso curto-circuitada possui, contudo, propriedades teis, como pode ser ilustrado determinando-se a impedncia de entrada. Usando-se as Eqs. (10.62) e (10.63), a impedncia complexa de entrada

'

MEDIDAS ANAL~GICAS

323

z i =Vi- a

cos fld + j sen fld - cos pd + j sen pd - Z c e j ~ d + e - j f l d = z c ~ d + j s e n B d + c o s -jsenBd fld 11


ejPd

- e-jpd

(10.64)

= jZc

d tan pd = jZc tan 27t -

(10.65)

De acordo com a Eq. (10.65), a impedncia de entrada de uma linha de transmisso em curto-circuito igual a zero quando o seu comprimento tal que d = h/2, porque tan .rr = O. De particular importncia o caso em que d = X/4, para o qual Zi -+ m, isto , a linha atua como um circuito ressonante paralelo na freqncia correspondente a d = h/4. Essas linhas de quarto-de-onda so frequentemente empregadas com este propsito em freqncias muito elevadas. Isto til, uma vez que os circuitos ressonantes paralelos constitudos de indutncias e capacitncias discretas so de construo impossvel nas frequncias extremas, em virtude dos valores muito pequenos de indutncia e capacitncia necessrios. Resultados anlogos podem ser obtidos com linhas de transmisso abertas na extremidade d e recepo.

Guias de onda
Em frequncias muito altas, em que o comprimento de onda do sinal da mesma ordem de grandeza do espaamento entre os condutores, as linhas de transmisso paralelas e coaxiais no so eficientes. Por isso so usados, para a transmisso de sinais nessas freqncias, condutores ocos denominados guias de onda. A anlise das propriedades dos guias pode ser efetuada atentando-se para os campos eletromagnticos existentes em seu interior, e no para as correntes no condutor em si. Efetivamente, o sinal transmitido pelas ondas dos campos eletromagnticos, sendo a funo do condutor oco gui-las do terminal de transmisso para o de recepo. Consegue-se avaliar a configurao do campo eltrico num guia circular considerando-se a situao do cabo coaxial em que o condutor central diminudo at desaparecer, como na Fig. 10.34. Quando o condutor central grosso, o campo entre os condutores essencialmente radial (Fig. 10.34~) existe corrente em ambos. Um e condutor central fino acarreta uma configurao de campo eltrico que se origina e termina no mesmo condutor (Fig. 10.34b). Isto sugere que o fio central pode ser totalmente eliminado; a configurao resultante est mostrada na Fig. 10.34~.Uma razo para o aumento da eficincia do guia em relao a da linha de dois condutores o fato de serem eliminadas as perdas na resistncia do fio central. Os guias de onda de seo retangular so mais comumente empregados do que os circulares, pois as configuraes de campo eltrico so um pouco menos complicadas. Isto significa que as terminaes da entrada e da sada so mais simples. Em ambos os tipos, a configurao de campo eltrico tal que apenas sinais de freqncia superior a uma certa freqncia de corte podem propagar-se; isto , o guia se comporta como um filtro passa-altas. Por exemplo, o maior comprimento de onda que pode ser transmitido atravs de um guia retangular, cuja maior dimenso da seo reta seja a , dado por X = 2a. Conseguem-se perdas mnimas se as dimenses da seo reta forem exa, tamente as necessrias para deixar passar a menor freqncia de interesse. Por este motivo, o tamanho do guia uma boa indicao da freqncia para a qual foi projetado. Se o lado de recepo for curto-circuitado, observar-se- um efeito ressonante idntico, em princpio, ao da linha de transmisso em curto. Com maior freqncia, ambas as extremidades do guia de onda so fechadas, produzindo-se uma cavidade ressonante til como circuito ressonante nas freqncias de microondas.

Fig. 10.34 Configuraes de campo eltrico nos cabos coaxiais (a e b) e no guia de onda circular (c).

SUGESTES PARA LEITURA COMPLEMENTAR C. F. G. Delaney: " Electronics for the Physicist." Penguin Books, Inc., Baltimore, 1969.
A. James Diefenderfer: "Principies of Electronic Instrumentation," W. B. Saunders Company, Phil-

adelphia. 1972. Franklin Offner: '.Electronics for Biologists," McGraw-Hill Book Company. New York, 1967. A. van der Ziel: " Noise." Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J.. 1954.

10.1 Determine o fator de regulao e a resistncia interna da fonte de alimentao regulada da Fig. 10.4. Suponha que as propriedades do transistor de controle sejam as dadas no texto e que os parmetros h do 2N2049 sejam os mesmos do Exerccio 6.6. Resp.: 4,5 x 10-4; 2,3 R 10.2 Analise o regulador paralelo simples da Fig. 10.3 buscando determinar a resistncia interna efetiva e o fator de regulao. Os parmetros h so: h,, = 100 R, h,, = 10-4, hfe = 60 e h,, = 175 x 10-'jS. Resp.: 5,9 x 10-=; 1,6 R

MEDIDAS ANALGI CAS

325

10.3 Determine a vanao percentual na tenso de sada do regulador de tenso da Fig. 10.35, de vazio para com corrente, a plena carga, de 10 A. Repita para uma variao na tenso de entrada de 40 para 50 V, com a corrente de carga de 5 A. Calcule a faixa de tenses de entrada na qual o regulador eficaz. Tome os parmetros de pequenos sinais do 2N1613 como sendo os mesmos do 2N1415 da Fig. 7.12 e o valor de P do 2N1479 como 50. As caractersticas do 2N1489 so similares s do 2N2016 da Fig. 7.13. Resp.: 0,46%, 0,35%,18 a36 V

+
Entrada 50 V

Sada
25 V 10 A

Fig. 10.35 Regulador de tenso.

10.4 Dado que um termistor tpico tem 6 por cento de variao na resistncia por grau centgrado temperatura ambiente, qual a menor vanao de temperatura detectvel por um termistor de 1.000 R, se o fator de limitao o rudo trmico em sua resistncia? Suponha que sejam aplicados 10 V ao termistor e que a banda passante seja de 10 Hz. Resp.: 2,2 x 10-s O C 10.5 Qual a menor velocidade de fita necessria, se um gravador magntico usado para gravao de sinais at 1 MHz? Suponha que o entreferro de gravao tenha a extenso de 1 pm. Resp.: 1 m/s 10.6 Suponha que um amplificador com faixa de passagem de 10 Hz a 100 kHz e ganho de 105 emprega um resistor de entrada de 1 MR. Qual a tenso eficaz de rudo na sada? Resp.: 4,l V 10.7 Repita o exerccio anterior no caso de o resistor de entrada ser o de carvo da Fig. 10.27 e existir a corrente contnua indicada. Resp. 7,3 V 10.8 Qual a menor tenso de sinal de entrada detectvel no amplificador conversor da Fig. 7.32, supondo-se que o rudo de converso seja desprezvel? Resp.: 1,6 x 10-7 V

uma linha de 10 m de tais, que nela o comse a extremidade de sada paralela com aquela correspondente
Resp.:
-jZ,cot

/C

. "

(2rdlh);h/2

--

Dgitos numricos podem ser representados por sinais eltricos que possuam somente dois valores possveis, digamos zero e algum valorfinito. Neste caso, apenas a existncia de um ou outro estado do sinal significativa, no tendo relativamente importncia a amplitude real. Portanto, os circuitos digitais necessitam ter apenas duas condies estveis, representadas por um transistor em conduo plena ou cortado. Esses circuitos so inerentemente mais confiaveis que os circuitos analgicos convencionais, que devem operar numa faixa contnua de nveis de sinal. Qualquer nmero pode ser representado por um sinal digital, e a preciso no limitada pela estabilidade dos parmetros do circuito. Os sinais digitais so manipulados pelos circuitos de acordo com proposies lgicas especijricas, que tornam possvel um processamento de informao poderoso e muitssimo flexvel.

LGICA DIGITAL

Nmeros binrios
Sinais de tenso so utilizados para representar os dgitos dos nmeros, a fim de que operaes lgicas matemticas, tais como a adio e a subtrao, possam ser efetuadas pelos circuitos eletrnicos. As vantagens da estabilidade dos circuitos digitais so obtidas com maior facilidade se os sinais tiverem somente duas amplitudes, denominadas estado O e estado 1, ou no operado e operado. Isto acontece porque um transistor, por exemplo, necessita ento apenas estar completamente cortado ou conduzindo. Como esto disponveis apenas dois dgitos, o sistema numrico usado o binrio, e no o decimal, mais familiar, baseado no uso de 10 algarismos. E natural que seja surpreendente o fato de o sistema que possumos, baseado na quantidade de dedos das mos, no ser o mais eficiente para os circuitos eletrnicos. Embora o sistema binrio seja menos familiar, no h diferena, em princpio, entre os dois. Consideremos, por exemplo, o significado do nmero decimal 528. Este conjunto de dgitos uma notao taquigrfica posicional para as potncias crescentes de 10 do nmero. Assim,

Analogamente, os dgitos O e 1 no sistema binrio indicam a quantidade de potncias crescentes de 2 no nmero. O binrio 10110, por exemplo, significa

isto , ele representa a mesma quantidade que o decimal 22. A Tabela 11.1 mostra a equivalncia entre os nmeros binrios e decimais de O a 16. As manipulaes aritmticas com nmeros binrios envolvem a lgica matemtica, bastante familiar, dos decimais. As operaes de adio e subtrao compreendem dgitos que so transportados e emprestados de modo anlogo. E conveniente formular a lgica matemtica contida na soma de dois binrios A e B por intermdio da tabela-verdade (Tabela 11.2) que explica todas as combinaes possveis de A e B. Transporta-se um dgito, como na quarta entrada na Tabela 11.2, deslocando-o para a posio seguinte mais alta, isto , para a esquerda. Por exemplo, a soma de 0110 e 0101 efetuada assim:

Os nmeros binrios podem ser representados por pulsos de tenso de amplitude uniforme regularmente espaados. Por conveno, os pulsos correspondentes a potncias crescentes de 2 aparecem em seqncia no tempo, comeando com 2O. As formas de onda dos nmeros 1011 e 001 1 esto ilustradas na Fig. 11.1, juntamente com a soma destes nmeros, 1110. Note que os comprimentos dos pulsos, tanto do dgito O como

ELETRNICA DIGITAL

Tabela 11 .I Nmeros binrios e decimais

? '

Nmero decimal

Nmero binrio
0000
0001 0010 0011 o100 0101 0110 o111 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111 10000

o
1 2 3 4

5 6 7 8 9
10 11 12 13 14 15 16

do 1 , so iguais. Um dgito, seja ele O ou 1, denominado bit, que a contrao das palavras inglesas "binary digit". Deve ser observado de passagem que a forma do sinal soma no apresenta relao direta com as formas de onda dos dois nmeros, isto , o sinal soma no obtido simplesmente adicionando-se as tenses dos sinais representativos de cada um deles. Isto mostra que as formas de onda nos circuitos digitais so representaes codificadas dos nmeros e as suas tenses, em si, no tm significado.
Tabela 11.2 Tabela-verdade. para adio
A

Soma

Transporte

-Portas lgicas As vrias operaes executadas nos sinais digitais so obtidas por meio de circuitos denominados portas lgicas, que possuem duas ou mais entradas e uma sada. A forma de onda na sada depende das formas de onda de entrada e da caracterstica entrada-sada do circuito descrita em termos de lgica matemtica. Consideremos a formulao lgica "se A existe e B existe, ento T existe", que escrita simbolicamente como

Fig. 11.1 Formas de onda dos nmeros binrios 1011 e 001 1 e de sua soma, 1 110.

Este conceito chamado de E , sendo indicado pelo ponto entre as quantidades A e B na Eq. (1 1 .I). Convencionalmente, a condio existe identificada pelo estado 1 e, a condio oposta nao existe, pelo estado O, nos circuitos digitais. Desta maneira, a tabela-verdade para a operao E pode ser arquitetada como na Tabela 11.3. Por extenso, a tabela-verdade correspondente a mais de duas quantidades na entrada facilmente obtida aplicando-se a lgica da Tabela 11.3, vrias vezes, a cada par de entradas. De acordo com esta tabela, obtm-se uma sada (isto , T existe) somente quando A E B existem. Uma porta E simples de trs entradas, com diodos, que realiza a lgica da Tabela . 11.3 est ilustrada na Fig. 1 1 . 2 ~ Os diodos esto polarizados diretamente e , devido as suas baixas resistncias, a tenso de sada nula, o que significa que ela est no estado O. Se sinais de tenso positiva, algo maior que V,, so aplicados simultaneamente as trs entradas, os diodos ficam reversamente polarizados e a tenso de sada sobe para V,, que o estado I . Contudo, note que, se uma nica entrada permanecer no estado

Tabela 11.3 Tabela-verdade para E


A B T

ELETRNICA DIGITAL

Fig. 11.2 (a) Porta E com diodos e (b) smbolo de circuito.

O, o diodo correspondente estar polarizado no sentido direto, e a sada continuar em O. Este efeito descrito logicamente dizendo-se que ser obtido um sinal na sada somente quando existirem sinais nas entradas A E B E C. A porta E tambm chamada de circuito de coincidncia em medio de radiao nuclear, pois, com efeito, detecta a coincidncia de pulsos presentes nas entradas. A operao de uma porta E no deve ser confundida com a operao matemtica de adio, isto , a sada desta porta no a soma dos sinais de entrada, como pode ser verificado observando-se as diferenas entre as tabelas-verdade. As portas E so to extensivamente usadas nos circuitos eletrnicos digitais que se torna conveniente utilizar o smbolo especial da Fig. 11.2b. A formulao lgica OU "se A ou B existe, ento T existe" escrita como

onde o smbolo + indica o conceito OU. A tabela-verdade correspondente a Tabela11.4; ela mostra que obtida uma sada sempre que existir qualquer entrada. Uma porta OU com diodo e seu smbolo de circuito esto mostrados na Fig. 1 1 . 3 ~ e b , respectivamente. Note que um sinal positivo em qualquer entrada polariza o diodo correspondente no sentido direto, e aparece na sada. Ao mesmo tempo, os outros diodos esto polarizados inversamente, de modo que os sinais que retornam para as outras entradas so desprezveis. Efetivamente, a porta OU um simples circuito misturador que leva diversos sinais de entrada a uma sada comum com o mnimo de interao entre as fontes de sinal. Em lgica binria, a operao NO inverte a polaridade de um sinal de entrada, como est indicado esquematicamente na Fig. 11.4. Como o sinal digital possui apenas
Tabela 11.4 Tabela-verdade para OU
A B T

Fig. 11.3 (a) Porta OU com diodos e (b) smbolo de circilito.

os estados O e 1, quando ele, num dererminado instante, est no estado- 1, pode-se igualmente dizer que est no estado N A 0 O. O smbolo para indicar o N A 0 representado por uma barra sobre a quantidade,

e a tabela-verdade, bastante simples, a Tabela 11.5. Um mero amplificador em emissor-comum realiza a lgica desta tabela, em virtude da defasagem de 180 enJre entrada e sada. Desta forma, o smbolo de circuito apropriado para uma porta N A 0 ou inversora semelhante ao usado anteriormente para o amplificador, e est indicado na Fig. 11.5. O pequeno crculo no vrtice do tringulo (algumas vezes colocado na entrada) indica especificamente a inverso. E prtica comum a combinao da funo NAO com as de outras portas, resultando em amplificao dos sinais na prpria porta, o que, conseqentemente, preserva as amplitudes dos sinais em um circuito de mltiplas portas em cascata. Consideremos o amplificador de um nico transistor da Fig. 11.&, com trs entradas equivalentes, de modo que cada uma delas possa aparecer no terminal de sada. Como a lgica a mesma da Tabela 11.4, este circuito uma porta NAO-OU ou NOU, cujo smbolo, mostrado na Fig. 11 .b, inclui um pequeno crculo para indicar a inverso. A realizao de um NO-E ou NE igualmente possvel; o circuito tpico ser visto numa seo posterior, mas o smbolo est na Fig. 11.7. As tabelas-verdade para as portas

Fig. 11.4 Formas de onda dos nmeros binrios A e NO A

Fig. 11.5 Smbolo de circuito inversor para operao NO.

--

ELETR(~NICADIGITAL

Tabela 11.5 Tabela-vecdade para N A 0

NOU e NE so obtidas com a simples aplicao d a operao NO s ltimas colunas das tabelas-verdade para o OU (Tabela 11.4) e para o E (Tabela 11.3). A porta lgica relativa ao NE a combinao de um E com um NOU, mostrada na Fig. 11.8. A operao deste circuito mais bem examinada por meio do desenvolvimento da tabela-verdade apropriada, como na Tabela 11.6. A sada B da portaNOU obtida com a ajuda da Tabela 11.5, e a sada A . utiliza as colunas A e B em conexo com a Tabela 11.3. De acordo com a tabela-verdade, no haver sada sempre que existir B, isto , a entrada B inibe a sada A ; este circuito chamado de circuito de anticoincidncia, por analogia com o de coincidncia. Uma outra formulao lgica tambm simples a funo OU-exclusivo. Usar sempre ou causa ambigidade, pois pode significar "um ou outro ou ambos", ou,
Tabela 11.6 Tabela-verdade para o circuito de anticoincidncia
A

A.B

Fig. 11.6 ( a ) A simples porta NOU realiza a operao combinada NO-OU; (b) smbolo de

circuito.

ELETRONICA BSICA

Fig. 11.7 Porta NE.

Fig. 11.8 combinao de unia porta E com uma NOU para produzir o circuito de anticoincidncia.

ainda, "um ou outro, mas no ambos". A funo lgica OU definida anteriormente a situao "um ou outro ou ambos" conforme a Tabela 11.4, e poderia ser corretamente chamada de OU-inclusivo. A formulao OU-exclusivo

que pode ser implementada pelo conjunto de portas lgicas da Fig. 11.9. Mais uma vez conveniente o exame da tabela-verdade (Tabela 11.7), construda com a ajuda das Tabelas 11.3, 11.4 e 11.5. De acordo com sua ltima coluna, h sada no circuito OU-exclusivo somente quandoA ou B est presente, mas no ambos, como esperado.

lgebra booleana A anlise das estruturas lgicas grandemente auxiliada pela lgebra desenvolvida no
ltimo sculo por George Boole, matemtico ingls. Os teoremas da lgebra booleana Tabela 11.7 Tabela-verdadepara O U-exclusivo

/-

A*B+B~A
R
Fig. 11.9 Lgica OU-exclusivo.

w
ELETRONICA DIGITAL

335

so utilizados para simplificar as estruturas lgicas digitais de modo muito semelhante aquele pelo qual a lgica matemtica usada na manipulao das expresses algbricas ordinrias. A maior diferena, obviamente, que as variveis booleanas podem assumir apenas dois estados. Uma lista de teoremas da lgebra de Boole apresentada na Tabela 11.8. Os quatro primeiros podem ser reconhecidos como a lgica OU, sendo possvel prov-los se for usada a tabela-verdade correspondente (Tabela 11.4). Analogamente, os teoremas de 5 a 8 so baseados no conceito E da Tabela 11.3. O nono definio formal da funo NAO. Os teoremas da comutatividade, associatividade, distributividade e absoro podem ser provados quase diretamente por meio das tabelas-verdade. Os teoremas de De Morgan, os de nmeros 18 e 19, so particularmente interessantes, pois mostram um relacionamento til entre as funes E e OU. O Teorema 18 provado na Tabela 11.9, primeiro encontrando-se (A + B) e, ento, separadamente, determinando-se . B . O resultado que as duas tabelas-verdade so iguais, e o teorema fica provado. Processo similar pode ser usado para o estabelecimento do TeoTabela 11.8 Teoremas da lgebra booleana
Funo OU

Funo E

Funo N AO Comutatividade Associatividade Distributividade

ent nte

~
Absoro Teoremas de De Morgan

Tabela 11.9 Prova do teorema de De Morgan


A B A+B

(A)

B
1 0
'1

A.B
1

o
O
1 1

o
1

o
1
1 1

o
1

o o

1 1

o
O

o o

rema 19. A dualidade bsica da lgebra booleana expressa por esses teoremas, podendo tambm ser observada em pares de outras expresses na Tabela 11.8. Compare, por exemplo, os dois teoremas da associatividade e, tambm, o Teorema 1 com o 6 . Em cada um dos casos, as funes O U e E esto relacionadas pela dualidade. Um exemplo elementar do uso da lgebra de Boole na simplificao dos circuitos lgicos dado pela Fig. 1 1 . 0 , e v-se que contm trs portas NOU. As sadas das duas portas de entrada so A e B, respectivamente, de modo que a sada do circuito total pode ser escrita e seguidamente simplificada por meio do teorema de De Morgan (o de nmero 18)

O Teorema 9 foi tambm usado na deduo da Eq. ( 1 1.5). De acordo com este resultado, a combinao de trs NOU pode ser simplificada para apenas um E. Um segundo exemplo de minimizao o circuito OU-exclusivo ilustrado na Fig. 11.9 e repetido na Fig. 1 1 .l l u . Observe que a lgica da sada pode ser escrita sob a forma

tendo sido usados os Teoremas 9 e 18. A ltima formulao lgica pode ser obtidazom asubstituio da porta OU de sada por uma NE, se as entradas forem ( A . B) e (B . A). Estas funes so facilmente produzidas se dois NE substiturem os dois E . O resultado o circuito da Fig. 11.1 l b , que pode ser ainda simplificado para o d a Fig. 1 1 . I l c , se for notado que um NE substitui os dois inversores. Isto provado determinando-se a sada da porta NE superior,

Teoremas 8 e 18 Teorema 6
-

Uma anlise semelhante mostra que a sada da porta inferior NE (B . A). Em conseqncia, o circuito da Fig. 1 1 . 1 1 ~ exatamente equivalente, em lgica, ao OUexclusivo da Fig. 1 1 .l l u . Os resultados dos dois pargrafos anteriores ilustram uma importante caracterstica dos circuitos booleanos. E que qualquer funo lgica pode ser realizada apenas

Fig.

Trs portas NOU produzem uma porta E.

ELETRONICA DIGITAL

Fig. 11.11 Reduo da lgica OU-exclusivo.

com portas NOU ou somente com NE. Embora possa parecer desperdcio o emprego de trs NOU para obteno da Igica E, como na Fig. 11.10, da maior convenincia poder agrupar estruturas grandes, de centenas de portas do mesmo tipo. Isto simplifica enormemente o projeto, a produo e a manuteno. Alm do mais, resulta em que, como discutido numa seo posterior, as caractersticas de operao das portas NE e NOU de um projeto especfico so mais favorveis que as de outros tipos. Conseguese, portanto, considervel vantagem empregando-se somente a forma mais favorvel. Escolher qual utilizar apenas uma questo de convenincia, sendo que as formulaes lgicas podem ser convertidas de uma forma para outra por meio dos teoremas da lgebra booleana da Tabela 11.8.

CIRCUITOS LGICOS Sinais lgicos


Nas sees anteriores foi suposto que as formas de onda dos sinais correspondentes ao estado 1 esto num pequeno potencial positivo, enquanto o estado O representado pelo potencial de terra. Isto mantido na prtica, onde a tenso do bit 1 aproximadamente + 5 V e , a do bit 0, quase OV. Esta escolha completamente arbitrria, naturalmente, pois a lgebra booleana no depende da escolha especfica dos sinais usados, mas apenas da presena de dois estados distintos. E interessante notar o efeito da inverso da designao dos nveis lgicos nos circuitos reais, isto , suponhamos que o estado 1 seja representado por OV, e, o estado 0, por + 5V. Estaremos ento operando com lgica negativa, porque o estado 1 mais negativo que o O. Consideremos a ao da porta E com diodos da Fig. 11.21 em lgica negativa. Os diodos esto polarizados no sentido direto, de modo que a sada ser 1 quando qualquer uma das entradas estiver no potencial de terra ou estado 1. A sada ser positiva (estado 0) somente quando todas as entradas estiverem no estado O (positivo). A tabela-verdade para esta lgica est na Tabela 11.10 para o caso

de duas entradas apenas. Esta tabela idntica da funo O U (Tabela 1114). De acordo com esta anlise, uma porta E em Igica positiva torna-se uma O U em lgica negativa. Isto significa tambm que uma porta OU transforma-se numa E, se ocorrer a mesma inverso lgica. E til imaginar uma porta inversora como um transformddor de nvel, uma vez que o estado 1 na entrada acarreta um estado O na sada, de acordo com a Tabela 11.5. Assim, por exemplo, a funo E pode ser produzida usando-se um OU em lgica positiva, invertendo-se inicialmente os sinais para lgica negativa. Estes sinais atuam no sentido de que o O U em lgica positiva d o E na negativa. Em seguida, os sinais podem ser reconvertidos lgica positiva por outro inversor. Os passos desse processo podem ser simbolizados da seguinte maneira:
1. Sinais de lgica positiva 2. Sinais de lgica negativa 3. Porta OU Gsitivau 4. Teorema 19 5. Sinal lgico positivo A, B . B +B A A .B

Isto ilustra como a combinao de lgica positiva com negativa pode ser analisada por meio dos teoremas bsicos da lgebra de Boole.
Tabela 11.10 Tabela-verdade para a porta E de lgica negativa
A B T

1
Fonte

JI --

( a ) Seauencial

( b ) Paralela

Fig. 11.12 Representao de nmeros binrios: (a) sequencial e (6) paralela.

ELETRNICA DIGITAL

339

H dois modos fundamentalmente diferentes de transmisso de sinais que representam os diversos bits de um nmero binrio completo. O primeiro, j encontrado em conexo com a Fig. 1 1 . l , emprega um sequenciamento no tempo dos pulsos correspondentes s potncias crescentes de 2 do nmero. Esta a chamada representao sequencial e aparece esquematicamente na Fig. 11.12~~. mtodo alternativo, igualO mente possvel, ilustrado na Fig. 1 1.12b, a representao paralela. Na transmisso por este mtodo, os pulsos representativos das potncias crescentes de 2 do nmero aparecem, todos, simultaneamente. Tanto a representao sequencial como a paralela so comumente usadas na mesma circuitaria digital, como ser visto nas sees subseqentes. Naturalmente, a transmisso sequencial tem algumas vantagens, pois necessita de apenas um caminho de sinal, enquanto necessrio um para cada bit no caso da paralela. Por outro lado, com esta ltima representao, preciso um intervalo de tempo de apenas um bit para a transmisso de todo o nmero, ao passo que, na sequencial, o intervalo de tempo, que depende da quantidade de dgitos do nmero, muito maior. O mtodo selecionado em qualquer instante depende de qual deles seja mais vantajoso.

Lgicas DTL, TTL e ECL


Vrios projetos diferentes de circuitos eletrnicos so usados como portas lgicas. Os mais simples, ilustrados nas Figs. 1 1 .h e 11.3a, empregam diodos e , por conseguinte, so conhecidos como portas de lgica a diodo ou D L (abreviatura das palavras inglesas correspondentes, como nas demais lgicas). Tais circuitos executam a funo 1gica desejada satisfatoriamente, mas no so facilmente acopladas em cascata para a realizao de funes complicadas. A razo disto a inevitvel perda de sinal ao longo do circuito e descasamento de impedncias entre a sada de uma porta e a entrada da seguinte. Muito mais satisfatna a esse respeito a lgica resistor-transistor (RTL), j mostrada na Fig. 11.6~como porta NOU. Na realidade este projeto utilizado apenas na forma de NOU, mas suficiente para a execuo de todas as funes lgicas, como indicado anteriormente. O transistor produz ganho, de modo que os sinais no so degradados ao atravessarem a porta, e , tambm, reduz significativamente o efeito da impedncia de carga sobre o circuito de entrada. Uma medida conveniente deste efeito a caracterstica feixe-de-sada. O feixe-de-sada refere-se quantidade de portas

-5

Fig. 11.13 Porta NE DTL.

lgicas idnticas que podem ser conectadas a sada sem comprometer seriamente o funcionamento do circuito. Naturalmente, um elevado feixe-de-sada vantajoso, pois pode-se ter estruturas lgicas complexas. Portas RTL possuem, caracteristicamente, feixes-de-sada d e 5, aproximadamente, mas conseguem-se outros melhores, bem como operao um pouco mais rpida, desviando-se os resistores de soma por meio de capacitores, semelhantemente aos capacitores de acelerao no binrio. Esta nova configurao denominada RCTL: lgica resistor-capacitor-transistor. A combinao de um E a diodo com um inversor, como na Fig. 11.13, produz uma porta NE muito til. Os diodos D,, D , e D , realizam a funo lgica e o transistor inverte e amplifica o sinal. Este circuito capaz de operar em velocidades maiores que as da porta RTL e tem interao entrada-sada ainda mais reduzida, em virtude do diodo de acoplamentc D , (que, entretanto, pode ser omitido com alguma degradao no desempenho). Portas DTL (lgica diodo-transistor) podem ter feixes-de-sada da ordem de 10. Embora nesta lgica seja possvel o emprego de porta NOU, normalmente se utiliza apenas NE. Todas as portas lgicas seguintes so disponveis em circuitos integrados, mas, bvio, componentes discretos podem tambm ser usados. A versatilidade de fabricao de C1 permite a lgica transistor-transistor (TTL), na qual um transistor de emissor mltiplo o elemento lgico (Fig. 11.14). O funcionamento do circuito pode ser encarado como o de uma porta DTL com os anodos dos diodos em comum. Quando qualquer um dos emissores est no potencial de terra (estado O), o coletor est essencialmente aterrado e, o transistor de sada, cortado, uma vez que no flui corrente na sua juno base-emissor. Com este transistor cortado, a sada est no estado 1. Se todos os trs emissores estiverem neste estado, os dois transistores conduziro e a sada ir para 0. Isto logicamente equivalente a uma porta NE. A lgica TTL possui feixes-de-sada da ordem de 15, no sendo incomuns oito ou mais emissores de entrada. Alm disso, a velocidade de operao maior que nos outros tipos de porta e as propriedades de imunidade ao rudo so melhores. A velocidade lgica usualmente estabelecida em termos de retardo de propagao da porta, isto , o tempo entre a introduo de uma mudana de estado na entrada e a obteno da mudana na sada. Este retardo de cerca de 10 x 10-9s = 10 ns (nanossegundos) nas portas TTL, em comparao com valores de 50 ns nas portas DTL e RTL. A imunidade ao rudo um parmetro importante, que especifica quo bem uma porta permanece num determinado estado, em face de sinais esprios devidos, por exemplo, a variaes na fonte de alimentao etc. Esta imunidade a diferena entre o

+
Fig. 11.14 Porta NE TTL em circuito integrado.

<-

ELETRONICA DIGITAL

Fig. 11.15 Porta N O U ECL em circuito integrado.

mnimo sinal de entrada efetivo no estado 1 e o mximo sinal de sada no estado 0. Um grande valor implica em que a porta,. muito provavelmente, permanecer num dado estado. A imunidade ao rudo ultrapassa 1V em portas TTL, cerca de 0,75 V em DTL e pode ser to pequena quanto 0,2 V em RTL. Retardos de propagao sumamente pequenos so obtidos com portas ECL (Igica emissor-acoplado), que esto apresentadas na Fig. 11.15, em que os transistores de entrada Q,, Q, e Q , esto acoplados juntos por meio de um resistor nos emissores. Quando estes transistores esto todos cortados (estado O), a base de Q , est em OV e o sinal de sada do NOU a tenso base-emissor (estado 1). Se uma ou mais entradas subirem para 1, os transistores de entrada correspondentes conduzem, obrigando Q , tambm a conduzir e colocando a sada em O.
Tabela 11 .I1 Caractersticas das portas lgicas
Tipo de porta Retardo de propagao nslporta
500 200 50 1O 1

Dissipao de potncia mWlporta

DL FET DTL TTL ECL

A polarizao em Q , ajustada de modo que os transistores da porta no fiquem saturados quando no estado 1, o que reduz o tempo necessrio para cort-los. Esta caracterstica, junto com a relativamente pequena excurso de tenso entre os estados, responsvel pelp pequeno retardo de propagao das portas ECL. Deve ser assinalado que, em lgica ECL, o estado O em -1,5V, enquanto o 1 em -0,75V. Embora isto seja lgica positiva, os nveis de tenso no so compatveis com os dos demais circuitos de porta.

Circuitos de porta usando F E T so particularmente apropriados para arranjos 1gicos em circuitos integrados. como ser visto em sees subseqentes. Na realidade, os circuitos digitais prticos baseados inteiramente em portas lgicas fiam-se na tecnologia de CI, para obteno de caractersticas operacionais teis em unidades de tamanho razovel. Em relao a isto, de convenincia que sejam observados o retardo de propagao e a dissipao de potncia das diversas portas, porque o tempo de retardo total, bem como a dissipao total, mostram-se fatores de limitao nas configuraes extensas. De acordo com a Tabela 11.11, pequenos retardos de propagao implicam em elevada dissipao de potncia, de modo que as portas ECL so teis quando a velocidade no importante, sendo as portas com F E T mais apropriadas quando a dissipao tiver de ser minimizada.

Somadores
E pertinente o exame da soma de nmeros binrios, j que a adio uma operao aritmtica bsica a computao numrica. A multiplicao, por exemplo, pode ser obtida por simples adio repetitiva. Analogamente, a diviso pode ser executada pelo inverso da soma, ou seja, pela subtrao. As portas lgicas so utilizadas para a consecuo da adio binria em dois passos, descritos a seguir. Inicialmente os dgitos de cada coluna so somados, e, ento, os dgitos de transporte so acrescentados 2s colunas representativas da mais alta potncia de 2 seguinte. Este procedimento idntico a adio convencional, ilustrada na seo anterior. A tabela-verdade para a adio de bits (Tabela 11.2) mostra que a soma S de dois deles exatamente a lgica OU-exclusivo da Tabela 11.7, enquanto o transporte C a lgica E da Tabela 11.3. Em consequncia, a soma do bit A com o B estabelecida pela seguinte lgica:

O circuito que a realiza denominado meio-somador; uma forma est ilustrada na Fig. 11.16. Note que a Eq. (1 1.10) fica imediatamente evidente, enquanto a sada soma

S = ( A + B ) i- ( A . B ) = ( A + B ) . ( A . B )
=

Teorema 18 Teoremas 9 e 19

(A

+ B ) . ( A+ B )

Teorema 8 a qual estabelece a Eq. (1 1.9). O meio-somador executa o primeiro passo d a adio, isto , a soma dos bits. Dois deles combinados formam um somador-inteiro (Fig. 11.17), a fim de adicionar os bits de transporte ao bit soma. E necessria a porta O U para incluir a possibilidade de a adio do bit de transporte soma gerar um novo transporte. O modo pelo qual este somador usado para adicionar nmeros binrios depende de estarem estes disponveis na representao seqencial ou paralela. Na primeira (Fig. 11.I&), as formas de onda dos dois nmeros so introduzidas no somador e cada bit adicionado em seqncia. Qualquer bit de transporte produzido retorna entrada

ELETRNICA DIGITAL

Fig. 11.16 Circuito meio-somador.

c i0 -i

sornador

0s

Fig. 11.17 Somador-inteiro.

inteiro J

4 ia)
Somadorinteiro
I

,
8

(b)

Fig. 11.18 (a) Adio sequencial e ( b ) paralela.

transporte, retardado de um intervalo de tempo igual ao existente entre bits sucessivos. Este retardo tem o efeito de somar o bit de transporte ao da coluna seguinte. Um retardo conveniente de 1 bit pode ser dado pela associao de dois binrios em cascata, discutida no Cap. 9. Na representao paralela a adio semelhante, mas necessrio um somadorinteiro para cada bit, como indica a Fig. 1 1 .I%. Neste caso o transporte de adio do bit menos significativo introduzido no somador do bit mais significativo seguinte etc. Embora possa parecer que a adio paralela requer circuitaria muito elaborada, uma vez que so necessrias 28 portas lgicas para somar os nmeros de quatro dgitos da Fig. 11.18b, bom lembrar que os processos de fabricao em circuito integrado so capazes de produzir facilmente estruturas elaboradas. Assim, um somador-inteiro completo e& C1 no fisicamente maior do que o encapsulamento necessrio para prov-lo de terminais.

REGISTRADORES DE INFORMAAO
Flip-flops
Se duas portas inversoras forem conectadas cruzadamente, como no caso das duas NE da Fig. 11.19, a combinao ter dois estados estveis. Suponhamos, por exemplo, que a entrada S (do ingls "set": armar) esteja no estado nm como a R (do ingls "reset" ou "clear": desarmar, zerar ou limpar). Se a porta superior estiver com a outra entrada tambm em 1, a sada Q estar em O. Com este estado e o 1 na entrada da portajnferior, a sada Q ' 1 , como foi suposto anteriormente na porta superior, isto , Q e Q s e m p i tm estados opostos. Note que, se S estiver em 1 e R em O , Q tornar-se- O e Q o seu complemento. Na realidade, esta porta de acoplamento cmzado, ou entrelao, equivalente ao binrio discutido no Cap. 9 , como pode ser verificado atravs da comparao do diagrama lgico da Fig. 11.19 com o circuito da Fig. 9.23, no caso da lgica RTL (Fig. 11.6b).

Fig. 11.19 Binrio de portas com acoplamento cruzado ou entrelao N E .

A tabela-verdade do binrio NE est apresentada na Fig. 11.12. Quando S est em 0 , diz-se que o flip-flop est armado, pois Q = 1. Semelhantemente, um-O-eKR l?m~-~o~-,coIoi~Q-em O.-Observe qu 0 3 E n o - efetivamente, um circuito de memria, pois indica a entrada que por ltimo estava em O. Entradas simultneas 1 em R e S deixam o circuito em seu estado original, ao passo que duas entradas O do resultado indeterminado, pois a Igica do circuito no satisteita~ estado final, aps o a retirada desses dois sinais>%apenas uma questo de sorte. Um binrio semelhante resulta do entrelao de portas NOU; a tabela-verdade correspondente relacionada, mas no idntica, Tabela 11.12. Se forem adicionadas portas de entrada ao flip-flop NE, como na Fig. 11.20, o circuito responder - somente quando a entrada T ou de relgio estiver no estado 1 . A

ELETRNICA DIGITAL

345

razo disto que, quando ela est em 0, ambas 9 portas de entrada devem estar com sadas 1 (independentemente dos sinais em R e S ) . De acordo com a Tabela 11.12, o binrio, nestas condies, fica em seu estado original. Quando T est em 1, os sinais em R e S po&m provocar transies no circuito, c o m ~ e s c r i t o pela Tabela 11.13. Note que esta lgica est invertida, em comparao com a do flip-flop NE simples, por causa da inverso nas portas de entrada. Efetivamente, este circuito controlado, ou comandado, pelos sinais em T, j que sinais em R e S somente so eficazes quando a entrada T est em 1. Observe a semelhana desta configurao com o flip-flop RSIT discutido no Cap. 9. O presente binrio comandado tem, contudo, acoplamento 'cc respondendo a sinais lgicos, mesmo que no sejam pulsos. A conexo dos terminais de sada de um flip-flop com porta de controle aos terminais de entrada, como no RSIT, a fim de torn-lo um circuito complementador (toggle), no possvel. A razo disto que a sada no pode mudar de estado enquanto estiver com sinais de entrada. Podem ser utilizados, no entanto, dois flip-flops em cascata, a fim de se obter complementao enquanto se mantm as vantagens do acoplamento cc. A estrutura lgica do flip-flop R S mestre-escravo da Fig. 11.21 ilustra esta tcnica. Note que o circuito tem dois flip-flops comandados, controlados pela mesma entrada de relgio. O flip-flop escravo , no entanto, comandado por um sinal de relgio invertido e. devido ao resistor de 220 R na linha de relgio. ativado num instante ligeiramente diferente do que o mFstre. Quando o relgio est no estado zero, os sinais nas entradas R e S so inoperantes, como num flipzflp com'porta de controle normal. Dsinal de relgio invertido , contudo, est em 1 no escravo, e este assume o mesmo estado do mestre. Quando o sinal de relgio vai para 1, a'entrada de relgio do inversor chega a 0 antes que as portas de entrada do mestre cheguem a '1. Portanto, as portas de entrada do escravo isolam-no do mestre, armazenando o ltimo estado deste. Em seguida, as entradas do mestre recebem o pulso de relgio no estado 1, e os
u

r-

Tabela 11.12 Tabela-verdade para binrio NE


R
O

S
O 1 0 1

Q
Indeterminado

o
1 1

Fig.

comandado.

sinais lgicos em R e S determinam o se,u estado, de acordo com a Tabela 11.13. Ao trmino d o pulso, suas portas de entrada o isolam das entradas R e S . Com o retorno do relgio a 0, este sinal, invertido para o escravo, obriga-o a assumir o estado do mestre. Assim, a sada reflete os sinais lgicos em R e S , mas isto no conseguido at o trmino do pulso de relgio. Observe que existem terminais mltiplos nas entradas R e S . De acordo com a Tabela 11.13, um estado O em qualquer entrada S pe Q em O) e o mesmo estado em R coloca aquela sada em 1. Este flip-flop tamb5m provido de entradas armar e desarmar diretas. Um sinal O na entrada armar sobrepuja todos os outros sinais e produz Q = 1. Da mesma forma, um Sinal O na-entrada desarmar faz Q = 0, limpando (zerando) o flip-flop. A ao de complementar conseguida- ---------- - - P -- - conectando-se 0, na Fig. 11.21, a uma das -- -.--entradas S , e a uma das entradas R. 0 s terminais S restantes so reba?izad<de .entradas J e, os terminais R livres, Z eiitradaS'K A configurao, conhecida como &p-flop JK mstre-escravo e cuia tabela-verdade. dada na Tabela 11.14. similar a do flk-floi NE comandado, a no ser pelo fato de que o circuito complementa, como indica a ltima entrada. Formulada em palavras, a lgica de um flip-flop JK : um estado O em qualquer entrada J impede um estado 1 em Q; um O em qualquer K impede
&

-*-L-

Tabela 11.13 Tabela-verdade para Jip-flop N E comandado

o o
1 1

o o
1

Q
o
1
Indeterminado

Armar

r - - - - - - - - --- - - - - I I
I

1
I

Entradas 0

I 8 :
I

Entradas R
I

L - - - - - - - - - Mestre - - i -----

L-IiE0'5--

Limpar

-------J

Fig. 11.21 Flip-flop RS mestre-escravo.

ELETRONICA DIGITAL

347

um O em Q, e o circuito se complementar se no estiver inibido por um O em J ou em K. Observe tambm que a ao complementadora conseqncia dos sinais em T, sejam eles pulsos ou no. Esses elaborados flip-flops so prticos somente sob a forma de CI. Um flip-flop JK mestre-escravo tpico em lgica TTL usa um total de 18 transistores, embora caiba numa embalagem de tamanho convencional, mostrada na Fig. 11.22. Uma modificao til de um flip-flop com porta de c-trole tem um nico terminal de entrada conectado a S e utiliza um inversor para ligar S a R, como na Fig. 11.23. A tabela-verdade apropriada (Tabela 11.15) indica que este flip-flop tipo --v-----D (do inglls "data lacth") armazena o sinal lgico no terminal de entrada durante o ltimo interv'alide tempo em que o relgio estava em 1. Uma aplicao deste circuito ser considerada na prxima seo.

Tabela 11.14 Tabela-verdade para flip-flop J K mestre-escravo N E

DO@-EQ
-

Fig. 11.22 Flip-flop JK qestre-escravo em circuito integrado. (Motorola Se-

rninconductor Products, Znc.)

Fig. 11.23 Flip-flop tipoD.

Tabela 11.15 Tabela-verdade para flip-flop tipo D

Contadores
Um flip-flop J K produz um pulso de sada para cada dois aplicados a entrada de relgio. Acontece isto porque os dois pulsos obrigam o circuito a se deslocar de um estado estvel para o outro e, em Seguida, retornar novamente ao inicial, como no caso do binrio complementador RSIT discutido no Cap. 9. Se a sada Q de um binrio estiver conectada a entrada T de um segundo, um total de quatro pulsos de entrada produzir um nico pulso de sada, isto , uma srie de binrios em cascata um contador eletrnico que enumera continuamente os pulsos de entrada, sendo a quantidade deles, em qualquer instante, dada pelos estados dos binrios. Consideremos o contador de quatro binrios da Fig. 11.24 e suponhamos que, inicialmente, todos eles estejam zerados, de modo que Q = O em cada estgio. As formas de onda na sada de cada flip-flop, resultantes de uma srie normal de pulsos na entrada, esto mostradas na Fig. 11.25. O primeiro pulso obriga o FFA a mudar de estado, enquanto os outros permanecem em O. No segundo pulso o FFA retorna ao estado 0, e seu sinal de sada comanda o FFB para I . O resultado lquido dos dois pulsos que o FFB est no estado 1 enquanto os outros trs esto em O. Este processo continua com os pulsos seguintes, como ilustrado na Fig. 11.25, at que, no 16.O, ocorre a transio negativa do nico pulso de

J
Entrada +

-J

FFA
I

K C I
Limpar o

FFB K C
I

Q FFC ,K C Q
T I

J
T
L~

Q v Sada FFD C Q
I

Fig. 11.24 Flip-flops em cascata formam um contador binrio.

Nmero do pulso

r
Entrada

9 1 0 1 1 1 2 1 3 1 4 1 5 1 6

FFA

FFB

'p-I

T I

11 r L -

Fig. 11.25 Formas de onda do contador divisor-por-16.

, -

ELETRNICA DIGITAL

349

sada. A associao em cascata de quatro binrios , por isso, chamada de contador divisor-por-16. A maior aplicao dos flip-flops RSIT em cascata reduzir ou dividir a taxa de pulsos, produzidos, por exemplo, pelos detectores de radiao nuclear, at um valor em que possam ser gravados por um registrador eletromecnico. O fator de escala desse divisor pode ser aumentado com o acrscimo de estgios binrios adicionais. Flip-flops em cascata, denominados registradores, so tambm largamente empregados para contar, armazenar e manipular sinais lgicos digitais e sinais representativos de nmeros binrios. O uso do registrador na configurao simples em cascata da Fig. 11.24 apresenta o problema de retardo de propagao associado com o tempo de transio de cada estado. Nos oitavo e 16.O pulsos de entrada, por exemplo, todos os quatro flip-flops mudam de estado em seqncia, de modo que necessrio um tempo total, igual ao tempo de transio de cada estgio vezes o nmero de estgios, para a ocorrncia da ltima transio. Com taxas de pulsos elevadas, o primeiro flip-flop pode j ter respondido a sucessivos pulsos de entrada antes que o ltimo chegue ao seu estado final. Assim, o estado do contador em um determinado instante no representa um nmero exato. Esta dificuldade eliminada no contador binrio sncrono da Fig. 11.26, no qual todos os quatro flip-flops mudam de estado simultaneamente. Note tambm que, nesta figura, o terminal de entrada est colocado a direita, de modo que um nmero digital armazenado no registrador apresentado com seu dgito mais significativo esquerda, como normalmente lido. Cada flip-flop complementado por pulsos de entrada aplicados em todas as entradas de relgio. As interconexes dos flip-flops inibem as transies at que a contagem adequada se apresente. Observe, por exemplo, que o FFA complementa a cada pulso de entrada, enquanto o FFD fica inibido at o oitavo (e 16.O), quando todas as suas entradas J e K esto em 1. As formas de onda so idnticas quelas do contador binrio assncrono da Fig. 11.25, pois o estado final de cada flip-flop J K alcanado na transio negativa do pulso de relgio. Esta configurao de formas de onda pode ser verificada usando-se a tabela-verdade correspondente (Tabela 1 1 .l4). E usualmente desejvel apresentar a informao na forma decimal, sendo, portanto, necessria a converso do sistema numrico binrio para o decimal. A lgica decodificadora para a consecuo desta mudana torna-se muito complicada quando esto envolvidos mais de 4 ou 5 bits. Ao invs disso, quase sempre mais conveniente

FFB

FFA

Q
1

Q T K
o Entrada

I
Fig. 11.26 Contador binrio sncrono.

o armazenamento de cada dgito do nmero decimal na forma binria separadamente. Assim, cada dgito representado por um registrador de quatro flip-flops contando de O a 9, e, por exemplo, cinco registradores podem armazenar nmeros decimais de O a 99999. Na decodificao necessria, portanto, a manipulao de nmeros de O a 9 somente, sendo os nmeros grandes facilmente acomodados adicionando-se um registrador para cada dcada. Um registrador de 4 flip-flops capaz de contar at 16, mas o ideal no contador decimal codificado em binrio, ou BCD, a contagem at 10. Isto pode ser facilmente conseguido interligando-se os flip-flops como na Fig. 11.27. Os pulsos de entrada obrigam o FFA a complementar e este, por sua vez, faz o mesmo com o FFB at o oitavo pulso, quando a sada Q do FFD fica inibindo. Semelhantemente, o FFD fica inibido pelas sadas Q do FFB e do FFC em suas entradas J, uma ou outra das quais permanece em O at a contagem de sete. O FFD sobe no oitavo pulso. O nono complementa somente o FFA e, no lO.O, tanto o FFA como o FFD sobem, de modo que todos os Q esto em O e o ciclo se completa. Isto mais bem ilustrado pela Tabela 11.16, que mostra o estado de cada flip-flop em funo da contagem de entrada. Note que esta configurao idntica a das formas de onda do contador binrio da Fig. 11.25, isto , a configurao de contagem deste contador BCD a mesma, para os nove estados iniciais, de um contador divisor-por-16. E o chamado cdigo natural 8421, um dos mais utilizados. O ciclo, ou mdulo, de um contador BCD 10, j que todos os flip-flops so zerados a cada 10 contagens. Analogamente, o mdulo do contador binrio de quatro

FFD T
-

-8

J4Q FFC T Q K

J J - Q
FFA
-

FFB T

T
K

Entrada

Fig. 11.27 Contador decimal codificado em binrio assncrono.

Tabela 11.16 Estados do contador BCD


Contagem
FFD FFC FFB FFA

ELETR~NICA DIGITAL
I

351

flip-flops 16. Note por exemplo que a associao do FFB com o FFC e o FFD do contador BCD ser um contador mdulo 5 se a entrada for em T do FFB. Alternativamente, um contador binrio simples pode ser convertido em um de mdulo desejado usando-se as entradas desarmar diretas e um circuito lgico para zerar todos os flipflops na contagem apropriada. Esta tcnica est ilustrada na Fig. 11.28 para o caso do contador mdulo 7 zerado diretamente. O circuito conta como um binrio normal at o stimo pulso, quando todas as sadas Q esto em 1 (reporte-se a Tabela 11.16) na primeira vez. A sada da porta NE vai para 0, todos os flip-flops so limpos e o ciclo de contagem se repete.

-8
FFC
-

-Q
FFB

-8
FFA

J T
o Entrada
-

T K

T -

Q
-

Q
, i

K
o Limpar

Fig. 11.28 Contador mdulo 7 usando entradas desarmar diretas.

Q
T D
-

Q
T D
I

Q
-

T D

Q
T D
I
i

o Transferncia

C
Contador BCD

A
o Entrada

o Limpar

Fig. 11.29 Contador B C D e registrador de arrnazenamento.

frequentemente desejvel o armazenamento do total num registrador, com finalidades de visualizao, por exemplo, enquanto o contador procede a contagem de um novo sinal. Uma maneira de conseguir isto por meio de um flip-flop tipo D conectado a cada contador, como na Fig. 11.29. Um pulso 1 no terminal de transferncia de memria obriga cada flip-flop D a assumir o estado de seu respectivo contador, de acordo com a Tabela 11.15. Portanto, o nmero que estiver no contador BCD na ocorrncia do pulso de transferncia armazenado no registrador de memria, enquanto o contador limpo para nova contagem. A sada do registrador pode ser usada para a ativao de um mostrador visual que permanece constante at o pulso de transferncia seguinte. Observe que esta configurao tambm converte representao sequencial de nmero binrio em paralela.

Registradores
O conjunto de flip-flops combinados para armazenar sinais lgicos denominado de registrador, cujo exemplo tpico so os quatro flip-flops tipo D, assim agrupados, da Fig. 11.29. Na realidade, como bvio, um conjunto de binrios em cascata tambm um registrador, pois armazena informao. E, com freqncia, conveniente mover a informao armazenada ao longo da srie de flip-flops sem alterar a forma de onda

Relgio

ia)

Fig. 11.30 (a) Registrador de deslocamento de quatro bits e (6) formas de onda tpicas.

ELETRNICA DIGITAL

Relgio
o

Fig. 11.31 Registrador circulador.

.
^

. -

relativa do sinal lgico; tal dispositivo chamado de registrador de deslocamento. Consideremos o registrador de 4 bits constitudo de flip-flops J K da Fig. 11.30a, juntamente com as formas de onda tpicas correspondentes da Fig. 11.30b. Os sinais I e so aplicados as entradas J e K, respectivamente. Sempre que I est no estado 1, a mesma lgica aparece em Q de FFA, na borda posterior do pulso de relgio. Isto, por sua vez, resulta no estado 1 na sada Q de FFB, no trmino do pulso de relgio seguinte, e assim por diante. Ou seja, a informao apresentada na entrada aparece em cada sada sucessiva de flip-flop, retardada de um pulso de relgio. Em conseqncia, a configurao de informao deslocada intacta ao longo do registrador, como indicado pelas formas de onda tpicas na Fig. 11.3Ob. Se a sada do registrador de deslocamento retornar a entrada, os sinais lgicos circularo continuamente. Uma disposio conveniente de tal registrador circulador est mostrada na Fig. 11.31. Com a entrada de controle em 1, os sinais na sada do registrador so realimentados a entrada, reaparecendo na sada a cada rn pulsos, sendo m o nmero de flip-flops no registrador. Novos sinais lgicos podem ser introduzidos por um sinal O no terminal de controle. Existem registradores circuladores, em CI, de muitas centenas de bits. Um registrador conexo com teis propriedades obtido com a ligao das sadas do registrador d e deslocamento d a Fig. 11.30 aos terminais d e entrada e considerando-se a entrada de relgio como a de sinal. Inicialmente, colocado um sinal 1 no FFA e O em todos os outros, usando-se as entradas de armar e desarmar diretas de cada um. De acordo com as formas de onda da Fig. 11.30, este nico 1 circula em torno do registrador em resposta aos pulsos de entrada no terminal de relgio. Os estados sucessivos deste contador e m anel de 4 bits so mostrados na Tabela 11.17. Note que esta operao efetivamente a de um contador mdulo 4 e que a contagem decimal total prontamente perceptvel pela, digamos, ligao de um indicador a cada sada de flip-flop, isto , o contador em anel possui autodecodificao. Esta til caracterstica compensa o fato de que s pode ser acomodado um bit por flip-flop.

INDICADORES VISUAIS
Torna-se til, com freqncia, mostrar a informao armazenada num registrador por meio de um indicador (mostrador) visual. Indicadores simples para o estado lgico de cada flip-flop do registrador podem ser suficientes, porm mostradores mais elaborados, que apresentam a informao armazenada em termos de dgitos decimais so usualmente mais convenientes.

Indicadores de elemento nico O estado de cada flip-flop pode ser ser indicado diretamente por uma pequena lmpada
incandescente, como ilustrado na Fig. 11.32. Quando Q = 1, a base do transistor fica polarizada no sentido direto e a lmpada acende. Ao contrrio, o transistor est cortado e a lmpada apagada quando o flip-flop est no estado Q = O. Uma chave transistorizada prefervel, em vez da colocao pura e simples da lmpada em srie com uma carga de coletor do prprio flip-flop, em virtude de a corrente necessria para acend-la, aproximadamente 50 mA, poder interromper facilmente a operao normal do circuito. Pode-se indicar o estado de cada binrio do contador com uma lmpada em separado e, a qualquer tempo, a contagem total pode ser determinada pela observao das lmpadas que esto acesas. As que esto conectadas a cada binrio do contador divisor-por-16 da Fig. 11.24 so designadas como 1, 2, 4 e 8, respectivamente, de acordo com as formas de onda da Fig. 11.25. A contagem total obtida somando-se os nmeros associados com as lmpadas que estejam acesas. Este mostrador simples obviamente apresenta a informao no sistema numrico binrio. A fim de prover indicadores visuais no sistema decimal, necessria, antes de mais nada, a converso dos sinais binrios nos correspondentes aos dgitos decimais. Consideremos, por exemplo, o contador B C D da Fig. 11.26. A formulao lgica, isto , o estado do contador correspondente a cada nmero decimal para ele, est mostrada na Tabela 11.18 e justamente uma reformulao da representao da Tabela 11.16, que mostra o estado de cada flip-flop resultante dos sucessivos pulsos de entrada.
Tabela 11.1 7 Estados do contador em anel de 4 bits

Pulso
de entrada
FFD

FFC

FFB

FFA

Fig. 11.32 Circuito com lmpada incandescente que indica o estado lgico do flip-flop.

ELETRONICA DIGITAL

355

_
-

Todas as formulaes binrias da Tabela 11.18 so de lgica E, que pode ser realizada pela matriz de portas E a diodo da Fig. 11.33. Isto ilustrado mais facilmente kolando-se o circuito associado com a lmpada 0, como na Fig. 11.34. Note que, se E, C e existirem, todos os diodos estaro reversamente polarizados e a base do transistor ficar polarizada no sentido direto. Se, ento, o emissor for aterrado (isto , ), a lmpada acender-se-. Anlise semelhante pode ser feita para cada uma das outras formulaes de entrada em lgica BCD. Este circuito, efetivamente, converte a informao de entrada de cdigo BCD para sinais de sada em cdigo decimal, sendo por isso denominado decodificador. Os transistores alimentadores so necessrios para prover as correntes drenadas pelas lmpadas, conforme a discusso efetuada em relao a Fig. 11.32.

D
4

A
C

Entrada BCD
Fig. 11.33 Decodificador BCD-para-decimal e alimentador.

- - - -

A.B.C.D

Lmpada

Fig. 11.34 Porta E separadora do decodificador BCD para Impada 0.

Para se chegar a configurao deste decodificador, foram consideradas certas simplificaes na lgica BCD. Observe, por exemplo, que o e D somente distinguem ' os estados O e 1 dos estados 8 e 9 na Tabela 11.18, ou seja, D no necessita realmente desc-ver os estados de 2 a 7. Correspondentemente, nenhuma ligao para as linhas D e D feita para estes dgitos na matriz decodificadora. Tambm A e A podem ser estabelecidas em conexo com os transistores alimentadores, em vez de o serem como linhas lgicas verticais separadas, o que, embora igualmente possvel, poderia resultar . em um circuito mais complicado. Uma vez estabelecida a lgica do decodificador pelas formulaes lgicas, a ope- , . rao de converso de binrio em decimal pode ser considerada da maneira descrita a seguir. Cada palavra binria de 4 bits que descreve o estado do contador decodificada para um nmero decimal especfico que indicado por uma Impada a ele associada. Esta indicao , obviamente, mais conveniente e informativa do que aquela que simplesmente indica o estado de cada flip-flop do contador. Vrios modelos de indicadores foram desenvolvidos para mostrar o nmero real correspondente a contagem num registrador em dcada. Um deles, chamado de vl- vula N x e basicamente uma vlvula a neon com 10 catodos de fio, cada um em ii, forma de um dos algarismos de O a 9, que so conectados ao decodificador-alimentador de maneira similar a usada para as 10 lmpadas isoladas, de modo que apenas um catodo acende de cada vez. A incandescncia caracteristicamente vermelha do neon cobre por completo o fio do catodo, cujo nmero aparece na face da vlvula, como na Fig. 11.35. Uma Nixie associada a cada registrador em dcada, e , quando as vlvulas correspondentes as dcadas em cascata so enfileiradas, a contagem total aparece diretamente indicada como um nmero decimal. ,
fl

Indicadores de sete segmentos


Um mostrador numrico muito popular utiliza o indicador de sete segmentos ilustrado na Fig. 11.36. Cada segmento iluminado por uma pequena lmpada, e sua combinao adequada forma os nmeros de O a 9. Um circuito lgico decodificador-

ELETRONICA DIGITAL

alimentador para o indicador de sete segmentos anlogo ao da Fig. 11.33 ser discutido na seo seguinte. Um segundo tipo de indicador de sete segmentos baseado na propriedade de algumas junes pn emitirem luz visvel quando polarizadas diretamente. Nas junes de certos semicondutores, mais notadamente nas de arsenieto de glio e fosfeto de glio, os portadores minoritrios injetados se recombinam rapidamente na regio da juno. Cada recombinao acompanhada de emisso de energia luminosa de comprimento correspondente a largura do intervalo de energia proibida, conforme a ilustrao do modelo de bandas de energia da Fig. 11.37. Este efeito justamente o inverso da fotocondutividade discutida em conjuno com o modelo das fotoclulas de juno da Fig. 10.18. Tais diodos enzissores de luz, ou LED, so, com mais freqncia, emissores de luz vermelha, embora existam tambm L E D verdes e amarelos. Um indicador de sete segmentos produzido com a fabricao de uma forma de juno linear para cada segmento (Fig. 11.38), que pode ser bem compactada para aplicaes de dgitos mltiplos. Alm deste til atributo, o mostrador de LED caracterizado por um tempo de vida excepcionalmente longo. Outros indicadores de sete segmentos incluem as vlvulas fluorescentes e as Impadas incandescentes de filamento mltiplo. O primeiro tipo uma vlvula a vcuo que contm sete alvos fluorescentes arranjados conforme a configurao da Fig. 11.36. O bombardeamento eletrnico dos alvos segmentados torna-os positivos em relao ao

Tabela 11.18 Cdigo binn'o para decimal


Nmero decimal Formulao lgica binria

Fig. 11.35 Indicador numrico de vlvula Nixie. (Burroughs Corporation.)

Fig. 11.36 Indicador decimal de sete segmentos.

visvel
O

Fig. 11.37 Modelo de bandas de energia do diodo emissor de luz ou LED.

catodo e com fluorescncia verde-azulada. Esta forma de mostrador possui rpido tempo de resposta e requer pouqussima corrente por segmento. Os diversos filamentos incandescentes do mostrador de lmpada de filamento mltiplo so feitos lineares e colocados na configurao de sete segmentos. Este indicador pode ser encarado como uma verso mais conveniente e compacta do tipo lmpada-segmento individual, em que todos os elementos visveis do dgito esto contidos em um nico invlucro a vcuo.

Decodificador lgico
Cada um dos indicadores de sete segmentos requer um circuito lgico decodificador para ativar os segmentos apropriados do mostrador correspondente palavra BCD de entrada que descreve cada nmero decimal. Uma tabela-verdade especificando os segmentos acesos para cada nmero facilmente estabelecida (Tabela 11.9). Isto signi-

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Fig. 11.38 Mostrador de sete segmentos com LED (Dialight Corporation).

Tabela 11.19 Tabela-verdade para indicador de sete segmentos


Segmento Nmero decimal
O 1 2 3 4 5

Palavra BCD
A B . C D A.B.C.6 .B.C.6 A.B C . 6 A.B.C.6 A B . C . 6 2.B.C.D A.B.C.6 .B.C.D A.B.C.D

a
1 O 1 O O O 1
O 1

b
1 O
O

c
1 1 1 1 1 O O 1 1 1

d
1 1 O 1 1 1 1 1 1 1

e
1 O 1 1 O 1 1 1 1 1

f
O

g
1 O 1 1
O 1 1 O 1 1

6 7 8 9

O 1 1 1 O 1 1

O 1 1 1 1 1 O 1 1

fica, por exemplo, que a lgica necessria para acender o segmento a, que ativado nos nmeros 0 , 2 , 6 e 8,

Esta expresso pode ser simplificada usando-se o Teorema 14 da Tabela 11.8, de modo que

Expresses lgicas semelhantes podem ser escritas para os outr9s seis segmentos. Para alguns deles, tais como o d e o e, formulao lgica para N A 0 aceso menor, pois estes segmentos so ativados em todos, exceto um ou dois, dos 10 algarismos. Em cada caso, o resultado similar a Eq. (11.12) e pode ser implementada por matrizes lgicas E e O U anlogas da Fig. 11.33. Neste ponto deve ser notado que a lgica OU obtida, em tal matriz DL, simplesmente invertendo-se os diodos. As matrizes decodificadoras so, com mais freqncia, mais bem implementadas

Registradores BCD

Fig. 11.39 Circuito de multiplexao para mostrador digital.

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361

em circuitos integrados por causa da repetida complexidade envolvida. Desta forma, um nico C1 decodificador aceita os quatro sinais de entrada correspondentes a palavra BC D e fornece os sinais adequados a cada um de seus sete terminais de sada. Certos instrumentos digitais podem empregar mostradores envolvendo seis, oito ou at 12 nmeros decimais. Isto significa que necessrio um nmero equivalente de conjuntos decodificadores-alimentadores, o que implica em extensa circuitaria. Alternativamente, demonstra-se que possvel o uso de um nico decodificador. alimentador, num mostrador de mltiplos dgitos, chaveando-se rapidamente cada um destes em sucesso. Neste caso, a persistncia da viso faz parecer que todo o indicador est continuamente aceso. A tcnica de comutao rpida, chamada multiplexao, est ilustrada na Fig. 11.39. Todos os segmentos comuns do indicador so conectados entre si e ao terminal de sada apropriado do decodificador. A palavra de entrada deste entregue pelos registradores BCD, atravs de uma combinao de portas NOU e NE, tal que apenas - um registrador fica conectado em cada momento. No mesmo instante, somente o nmero decimal correspondente ativado pela porta ativadora de dgito. Cada conjunto de NE e sua respectiva porta ativadora de dgito so ativados seqencialmente pelo estado 1 circulante no contador em anel (Tabela 11.17). O resultado lquido deste multiplexador que cada nmero provido de seu prprio cdigo de sete segmentos e aceso uma vez a cada ciclo do contador. A freqncia do oscilador que excita o contador em anel suficientemente grande para eliminar o cintilamento no mostrador. Alm de uma significativa reduo na complexidade do circuito, a multiplexao tambm diminui a potncia total necessria para iluminar o indicador, uma vez que, efetivamente, apenas um dgito aceso de cada vez.

CIRCUITOS DE MEMRIA

Memrias apenas de leitura


As matrizes decodificadoras indicadoras discutidas na seo anterior so exemplos simples do que veio a ser chamado de memria apenas de leitura ou ROM (abreviatura do ingls "read-only memory"). Uma ROM associa um sinal de sada especfico a cada sinal de entrada, de acordo com sua lgica interna, fixa. Esta relao fixa entre entrada e sada distingue-a dos outros circuitos de memria descritos a seguir. Consideremos a configurao de uma ROM de 256 bits, arranjada num formato de 8 bits e 32 palavras, como na Fig. 11.40. Por ser fabricada segundo as tcnicas de circuito integrado, cada linha de palavra o coletor de um transistor que tem o emissor conectado a todas as oito linhas de bit. Um estado 1 no terminal da base do transistor da palavra escolhida leva os transistores alimentadores conduo, isto , acarreta estado O nas sadas de bit. Durante os estgios finais de fabricao, certas conexes do emissor entre os transistores das palavras e as linhas de bit so desfeitas quimicamente para corresponder estrutura lgica desejada. Desta forma, as linhas de bit desconectadas de um determinado transistor de palavra acarretam sada 1 quando este transistor ativado. A configurao de transistores conectados e inativos nas intersees das linhas de palavras e de bits a maneira pela qual a ROM se lembra da relao entre as palavras de entrada e os sinais de sada. Os nmeros binrios de 00000 a 11111 especificam as 32 palavras diferentes na Fig. 11.40; a matriz decodificadora de endereo seleciona uma das 32 palavras de transistores, de acordo com cada palavra de 5 bits na entrada. Assim, a operao total desta ROM armazenar, permanentemente, 256 bits de informao acessveis as palavras binrias de 5 bits e apresentados como uma de 8 bits. Note que a presena ou ausncia de um transistor na interseo das linhas de palavras e de bits especificam a lgica na posio. Isto exatamente o que acontece

--c

Bit 8

--o Bit 7

--a Bit 6

Bit 5

--C

Bit 4

-43

Bit 3

-0

Bit 2

--c Bit 1
32 palavras

Fig. 11.40 Configuraode circuito da ROM de 256 bits.

com os diodos usados na ROM do decodificador-alimentador da Fig. 11.33. Semelhantemente, uma ROM de MOSFET fabricada de maneira que a presena ou ausncia de um eletrodo porta na interseo determinam a lgica. Todos os trs tipos de conexes lgicas so utilizados na prtica. Existem ROM capazes de armazenar at 214 (16384) bits. A maior aplicao dessas memrias nos circuitos digitais como tabelas de consulta de funes matemticas, tais como a trigonomtrica, a exponencial, a da raiz quadrada e a logartmica. No caso da tabela de senos, por exemplo, o sinal de entrada corresponde a um determinado ngulo e a sada representa o seno deste ngulo. Uma nica ROM de 1024 bits pode armazenar 128 incrementos angulares, o que corresponde a uma resoluo de 0,7 grau, e pode gerar um sinal de sada de 8 bits com erro menor que 0,l por cento do valor dado pelas tabelas dos manuais. Obviamente, a preciso melhorada com o aumento da capacidade de armazenamento de bits da memria. Muitas vezes mais eficiente o emprego de tabelas de multiplicao de ROM do que a execuo do clculo da operao propriamente dita, que envolve uma

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363

seqncia de adies e deslocamentos de bits. Como no caso das outras funes matemticas, a capacidade de memria necessria para a tabela de multiplicao aumenta exponencialmente com a preciso requerida. Enquanto, por exemplo, uma ROM de 2048 bits adequada para conter as tabelas multiplicativas para nmeros binrios de 4 bits, no caso de nmeros de 8 bits, a capacidade deve ultrapassar 106. Este problema pode ser contornado representando-se cada um dos nmeros, que devem ser multiplicados entre si, como a soma de dois binrios menores,

onde m , e m , so os bits mais significativos, e n , e n , os menos significativos de cada nmero. O produto a soma dos quatro termos,

Cada termo da equao acima pode ser acomodado por uma ROM de menor capacidade que a requerida por MIM,. Se, por exemplo, M 1 e M 2 forem nmeros de 8 dgitos, m , , n , e m , e n, sero todos de quatro algarismos, significando que cada termo da Eq. ( 1 1.14) requer uma ROM de 2048 bits. Assim, necessria uma capacidade de memria total de somente 4 x 2048 = 8,2 x 103 bits. Mesmo considerando-se os diversos somadores-inteiros usados para a implementao d a equao, este resultado uma reduo significativa na complexidade do circuito. Abordagem semelhante aplicvel s tabelas das demais funes matemticas.

Memrias de registradoresde deslocamento MOS


Em muitas aplicaes, conveniente o armazenamento temporrio de sinais digitais para posterior utilizao. Isto nada mais do que uma memria, na qual a informao pode ser impressa, mudada e tambm exposta, distintamente do caso da ROM. Os registradores de deslocamento so adequados e eficazes como circuitos de memria com esta finalidade. So fabricados universalmente na forma de circuitos integrados, a fim de ser obtida grande capacidade de memria til, sendo particularmente vantajosos os que empregam MOSFET, devido a pequena dissipao de potncia por porta, como indica a Tabela 11.11. O binrio simples com MOSFET da Fig. 11.41 tem estgios inversores com acoplamento cruzado que usam transistores como resistores de carga de coletor, de acordo com o estudo efetuado no Cap. 6. Os alimentadores de entrada Q 5 e Q 6 so usados para isolar o binrio do estgio anterior. Um sinal negativo aplicado em Q , leva-o a conduo, cortando Q,, o que, por sua vez, faz Q l conduzir, devido a realimentao entre o coletor de Q , e a porta de Q , . Um pulso negativo~ubsequente Q6 em pode cortar Q , e colocar o binrio em seu outro estado estvel. E notvel o fato de este binrio ser constitudo inteiramente de FET, cuja fabricao obtida facilmente com a tecnologia dos circuitos integrados. Isto, juntamente com a caractenstica de dissipao de potncia mnima nas portas desses transistores, se mostra particularmente vantajoso nos circuitos de memria, onde uma grande quantidade de portas forma uma nica unidade. A menor dissipao de potncia possvel por porta obtida nos circuitos de MOS complementar ou CMOS, que empregam os dois tipos de MOSFET: canal n e canal p. Consideremos a porta inversora CMOS da Fig. 11.42, que simplesmente um MOSFET de canal n, Q,, em srie com um de canalp, Qz. Quando o terminal de entrada est no potencial de terra (estado O ) , a porta de Q , no est polarizada e , assim, este est cortado enquanto Q, est conduzindo, pois sua porta est positiva em relao a fonte. Nesta situao, o terminal de sada est em V d d (estado I), como esperado numa porta inversora. Ao contrrio, quando o terminal de

Fig. 11.41 Binrio de MOSFET de canalp.

"dd

~ n t r a d a d

Sada

Fig. 11.42 Inversor MOS complementar.

, entrada vai para o estado 1 (isto , V d d )Ql fica polarizado e conduzindo, enquanto Q 2 , com sua porta no polarizada. cortado. Em conseqncia, o terminal de sada fica na terra (ou estado 0). Observe que, em ambos os casos, Q , ou Q , est cortado e sem corrente. Logo, a dissipao de potncia da porta CMOS nula. Portas inversoras CMOS de acoplamento cruzado, anlogas as da Fig. 11.41, formam um binrio que permanece em qualquer estado sem consumir potncia, permitindo, assim, extensos arranjos lgicos com a menor dissipao possvel. Esta vantagem bastante positiva compensa a considervel complexidade envolvida na fabricao

ELETRNICA DIGITAL

365

de circuitos integrados constitudos de dispositivos de canal n e de canal p na mesma unidade. Deve-se notar, entretanto, que h necessidade de potncia para a comutao das portas lgicas CMOS de um estado para o outro. Isto significa que a vantagem da dissipao nula de potncia sob condies estticas anulada em parte pela operao, pois h consumo quando as portas comutam em resposta aos sinais lgicos, particularmente em circuitos de alta velocidade, cujas taxas de pulsos de relgio so muito elevadas. O funcionamento de muitos circuitos digitais , de fato, dinmico por natureza, de modo que as portas lgicas da estrutura so ativadas repetitivamente pelos pulsos de relgio, o que , por exemplo, o caso do registrador circulador da Fig. 11.31. Nesta situao no necessrio que um estgio armazenador de bits no registrador tenha os dois estados estticos estveis, caractersticos do flip-flop. Consideremos tal estgio do registrador d e deslocamento dinmico da Fig. 11.43, que composto de duas portas inversoras. Neste circuito, o inversor formado por Q , e Q , acoplado ao formado por Q4 e Q j atravs de Q,, enquanto Q , serve para isolar o estgio do precedente. Os capacitares C,, C , e C , so capacitncias parasitas que, entretanto, so importantes para a operao dinmica do circuito. Note que so necessrios dois pulsos de relgio, v, e v,, mas eles substituem o potencial cc de alimentao de dreno. A operao dinmica deste circuito consiste na seguinte srie de etapas sequenciais: quando v, est no estado 1, Q , e Q3 conduzem, de modo que C , se carrega, atravs de Q,, at o nvel do estado da entrada (O ou I), ao passo que C , se carrega atravs de Q , at o estado 1. Quando v , retorna ao estado 0, Q , est conduzindo ou cortado, dependendo da carga em C,, isto , do nvel do estado da entrada durante o tempo que v, esteve em 1. Se o nvel da entrada fosse 1, C , estaria carregado e Q z conduzindo, o que descarregaria C,. Ao contrrio, se o nvel da entrada fosse 0, C , estaria descarregado e Q , cortado, permanecendo o estado 1 em C,. Observe que a consequncia de v, mudar de 1 para O fazer com que C , fique no estado inverso ao da

Entrada

Sada

Fig. 11.43 Dois inversores MOS comportam um bit de um registrador de deslocamento dinmico.

entrada, isto , Q,e Q,(juntamente com Q,) formam umaporta inversora dinmica.. Durante o tempo em que v, est no estado 0, v, vai para 1 e retorna a O . O inversor dinmico composto de Q4, 5e Q, atua de forma semelhante em relao a Q porta de entrada. O resultado lquido que C, se carrega ao mesmo estado de C,, e Q4 fica conduzindo ou cortado, dependendo da carga em C,. Assim, o par de pulsos de relgio v, e v, fez com que o circuito armazenasse o bit de entrada dinamicamente durante o par de pulsos e o apresentasse no terminal de sada. Uma cascata desses estgios implica em que o sinal de entrada seja deslocado sucessivamente de estgio em estgio, como no registrador de deslocamento convencional composto por flip-flops. E claro que os pulsos de relgio devem continuar, a fim de que a informao armazenada no registrador seja preservada. Isto implica tambm em que os registradores dinmicos sejam mais frequentemente usados como registradores circuladores, porque os dados que chegam aos terminais de sada so preservados pela sua reintroduo na entrada. A vantagem da operao dinmica a simplici-

Registrador de deslocamento de n bits

Portas de sada, registro e leitura

Entrada bit O

deslocamento de n bits

Portas de e leitura

:v,

v2

Registrador de deslocamento de n bits

Portas de sada, registro e leitura

1
Bit b

t Relgio Controle de modo Entrada lgica de controle

Entrada bit b

Fig. 11.44 Memria de registradores de deslocamento de b bits e n palavras.

ELETR~NICA DIGITAL

367

dade do circuito (compare a Fig. 11.43 com a 11.41 com base no flip-flop mestreescravo da Fig. 1 1.21) e o consumo mnimo de potncia. A organizao de uma memria de registradores de deslocamento baseada nos princpios do registrador circulador est mostrada na Fig. 11.44. Cada registrador armazena um bit de cada palavra digital e as palavras so deslocadas atravs dos registradores em sincronismo, pois estes so todos ativados pelos mesmos sinais de relgio. As portas de leitura, registro e sada, anlogas quelas da Fig. 11.31, determinam se os sinais de sada so circulados ou abandonados, lidos como sada e circulados ou substitudos por novos sinais de entrada. Estas portas so ativadas em unssono pela circuitaria de controle de modo, e, assim, todos os bits de uma palavras so registrados e lidos sincronicamente. Com relao a isto, o controle de modo tambm executa a lgica de endereamento, acompanhando a posio das palavras medida que elas circulam pela memria. A capacidade da memria pode ser aumentada com a colocao, em paralelo, de registradores de deslocamento adicionais para aumentar o nmero de bits de cada palavra. Alternativamente, a quantidade de palavras pode ser aumentada com registradores de deslocamento adicionais em cascata. Isto apresenta a desvantagem de o tempo

Vdd

S..

.J
\

Endereo x

Q3

Q7

, , I

... ...

: Endereo y

-*-

- ---_

---

Bit

Bit

Fig. 11.45 Clula de memria MOS para RAM.

de acesso, isto , o tempo necessrio para a exposio de uma determinada palavra, aumentar proporcionalmente, pois o tempo total necessrio para que a informao circule pela memria depende do nmero de bits de cada registrador.

Memrias de acesso aleatrio


O tempo de acesso de uma memria de registradores de deslocamento depende do endereo da palavra e da capacidade de armazenamento da memria, uma vez que a informao disponvel apenas sequencialmente nas sadas dos registradores. Na memria de acesso aleatrio ou RAM (abreviatura de random-acess memory) o tempo de acesso independente da posio da informao e a lgica de enderearnento permite o acesso imediato a qualquer informao armazenada na memria. A RAM organizada em linhas de palavras e de bits de maneira bastante parecida com a ROM, exceto por ser a informao armazenada em cada interseo pelo estado de uma clula de memria de flip-flop. Consideremos uma nica clula de memria MOS (Fig. 11.49, similar ao binrio de MOSFET (Fig. 11.41), a no ser pelo fato de que esto sendo utilizados quatro FET de controle. Quando tanto a linha de endereo x como a de endereo y esto no estado 0, os quatro transistores de controle Q,, Q,, Q , e Q , esto cortados e , a clula de memria, eletricamente isolada das circunvizinhanas. O acesso a clula feito colocando-se ambas as linhas de endereo no estado 1, pois isto faz todos os quatro tra~sistores controle conduzirem de modo que os nveis lgicos das linhas de bit e de NAO-bit correspondam ao estado do binrio. Alternativamente, este estado pode ser dado pelos nveis lgicos apresentados externadamente pelas linhas de bit e NAO-bit. Esta clula de memria esttica prdiga de espao, pois so necessrios oito

Entrada p/ registro

Sada p/ leitura

Fig. 11.46 RAM de 16 bits.

-.

ELETRNICA DIGITAL

369

_
-

transistores por bit, bem como de potncia, pois a corrente circula em um ou nos outros transistores d o binrio. O consumo d e potncia pode ser reduzido, comandando-se as portas dos transistores de carga (V,$ com os pulsos de relgio, de modo que Qz e Q6 fiquem cortados, exceto quando a clula endereada. Isto faz com que a corrente seja nula e a informao da memria retida pelas cargas das capacitncias parasitrias nas portas de Q , e Q5, de maneira muito parecida com a situao dos inversores dinmicos da Fig. 11.43. Neste caso, necessrio restaurar as cargas daquelas capacitncias, fazendo-se com que Q , e Q6 conduzam periodicamente, de modo que as inevitveis correntes de fuga no ocasionem perda de informao. As clulas de memria dinmica podem tambm ser projetadas usando-se apenas trs transistores por bit, o que aumenta consideravelmente a capacidade de memria da RAM. Uma RAM de 16 bits mostrada na Fig. 11.46. Os decodificadores de endereo selecionam as linhas x e y apropriadas, correspondentes entrada lgica de endereo, e o estado do binrio na interseo selecionada aparece nos terminais de sada. A informao em qualquer interseo dada pela introduo dos estados dos bits desejados na entrada de registro. Existem RAM que, na prtica, possuem capacidades de memria at 212 (4096) bits e com tempos de acesso d a ordem de 10 ns.
SUGESTES PARA LEITURA COMPLEMENTAR

Arpad Barna and Dan I. Porat: "Integrated Circuits in Digital Eler?ronics," John Wiley & Sons, Inc., New York, 1973. H. V. Malmstadt and C. G. Enke: "Digital Electronics for Scientists," W. A. Benjamin, Inc., New York, 1969. Basil H. Vassos and Galen W. Ewing: "Analog and Digital Electronics for Scientists," John Wiley & Sons, Inc., New York, 1972.

EXERCICIOS
11.1 Efetue as adies binrias de 20 + 14, 15 + 34 e 56 + 25. Verifique os resultados, formando os nmeros binrios das somas em decimal. Desenhe as formas de onda de cada nmero e de suas somas.
Resp.: 100010; 110001; 1010001 11.2 Efetue as subtraes binrias de 25 - 14, 35 - 16 e 12 - 3. Verifique os resultados, for-

mando os nmeros binrios das subtraes em decimal. Desenhe as formas de onda de cada nmero e de suas diferenas.
Resp.: 1011; 10011; 1001 11.3 Desenhe as formas de onda dos nmeros binrios 1101 e 1001 e de sua soma. Compare a forma do sinal de soma com a do sinal de sada de uma porta E que tenha tais nmeros como

sinais de entrada. 11.4 Usando o teorema de De Morgan, simplifique a expresso lgica do NO OU-exclusivo. Por que este algumas~ezg chamado de comparador de igualdade ?
Resp.: A . B + A . B 11.5 Desenvolva a tabela-verdade do somador-inteiro da Fig. 11.17. 11.6 Desenhe as formas de onda da sada de cada porta de um somador-inteiro sequencial usando as Figs. 11.18a, 1 1 .I6 e 11.17, se os sinais de entrada forem os nmeros binrios 1101 e 1001.

Verifique que a forma do sinal de sada representa a soma das entradas. 11.7 Desenvolva as tabelas-verdade para o binrio NOU e para o NOU comandado e compareascomas Tabelas 11.12e 11.13. 11.8 Especifique os estados do contador em anel de 4 bits similar ao da Tabela 11.17 se as sadas Q e Q do FFD estiverem conectadas respectivamente s entradas J e K do FFA. Suponha que o estado inicial deste contador switch-tail seja com todos os flip-flopszerados. 11.9 Determine a sada do decodificador BCD-para-decimal da Fig. 11.33 para um estado da

entrada especificado p o r m C D . Repita p a r a ~ ~ c ~ . Resp.: 4 e 8 ; 3 e 9 11.10 Qual a quantidade mxima de lmpadas que pode ser ligada usando-se qualquer estado da entrada do decodificador BCD-para-decimal da Fig. 11.33? H algum estado da entrada para o qual nenhuma lmpada acesa? Resp.: duas; no

"

MEDIDAS DIGITAIS

Os instrumetztos digitais usam os circuitos e as tcnicas descritas nos captulos anteriores para a efetivao das medidas e o processamento dos dados. A vantagem significativa desses instrumentos sobre os analgicos que o dado digital decisivo. O bit menos significativo deve ser 1 OU O , de modo que a preciso aumentada simplesnzente empregando-se dgitos adicionais. Alm disso, os sinais digitais podem ser amplificados indefinidamente e armazenados com preciso. E m virtude da caracterstica sim-no dos circuitos digitais, os problemas de deriva e estabilidade so inerentemente desprezveis. Por outro lado, os instrumentos digitais tendem a ser mais complexos que seus correspondentes analgicos. A s vantagens da confiabilidade, preciso e flexibilidade daqueles circuitos foram realizadas inicialnzente nos computadores digitais, mas atualmente so aplicgveis a uma vasta gama de circuitos de instrumentao e medida.

INSTRUMENTOS DIGITAIS
Medidores de intervalo de tempo O intervalo de tempo entre dois eventos pode ser precisamente medido contando-se o
nmero de ciclos de um oscilador estvel entre a ocorrncia dos pulsos que assinalam tais eventos. Isto realizado, conforme mostra a Fig. 12.1, disparando-se um binrio com pulsos de entrada para a obteno de uma porta de durao igual ao intervalo entre os pulsos. Se a frequncia do oscilador for de 1.O00 Hz, os contadores decimais em cascata indicam o intervalo de tempo diretamente em milissegundos. A preciso da medida funo d a estabilidade do oscilador e est sujeita incerteza de um ciclo, dependendo de quando a porta aberta em relao aos pulsos do oscilador. Poder ser registrada uma contagem a mais se a porta for aberta durante um pulso do oscilador, em comparao com a registrada se ela for aberta entre os pulsos, como ilustrado na Fig. 12.2. Por causa desta incerteza de 1 bit, desejvel que a frequncia do oscilador seja suficientemente alta para garantir uma contagem total elevada.

Medidor de frequncia
Tcnicas similares so usadas para a medio da frequncia de um oscilador. O nmero de ciclos do sinal desconhecido contado durante um intervalo de tempo conhecido com preciso. Com esta finalidade, o sinal de entrada primeiramente convertido em uma srie de pulsos, um por ciclo, por meio de um disparador Shmitt seguido de um diferenciador e limitador, como est indicado na Fig. 12.3. A quantidade de pulsos de entrada contada durante um determinado intervalo de tempo. Se, por exemplo, o interyalo for de ls, a frequncia medida ser indicada diretamente em hertz. E conveniente a determinao do intervalo de tempo dividindo-se a sada de um oscilador a cristal estvel e usando-se o pulso de sada do ltimo flip-flop do divisor

I
Entrada Mostrador

Contadores

Fig. 12.1 Diagrama em blocos e formas de onda d o medidor de intervalo de tempo.

MEDIDAS DIGITAIS

Fig. 12.2

para controlar diretamente a porta. Note que a faixa de freqncia do instrumento pode ser mudada facilmente pela troca do fator de escala do contador oscilador. O instrumento compara efetivamente a freqncia desconhecida do sinal de entrada com a do oscilador a cristal, que conhecida. O medidor de frequncia acionado fechando-se a chave de partida e, subsequentemente, abrindo-a, aps um intervalo de contagem. Nos instrumentos prticos existem circuitos de controle que executam esta operao, bem como a transferncia da contagem para os registros da memria e a limpeza do registrador de contagem de frequncia. Deste modo, o instrumento amostra repetidamente a frequncia de entrada

Mostrador

Memria Disparador Schmitt

Entrada

Diferenciao e ceifamento

1
Chave de Oscilador

\
\

Contadores BCD
(

E?'+

Fig. 12.3 Medidor digital de frequncia.

e pode, por exemplo, detectar e indicar variaes lentas que ocorram nela. Os circuitos de controle empregam as mesmas portas e estruturas lgicas usadas nas partes do instrumento que manipulam os sinais. A medio de freqncia est sujeita a mesma incerteza de 1 bit que a de intervalo de tempo. O efeito minimizado com a escolha de um fator de escala para o contador oscilador que maximize o nmero de pulsos de entrada durante a abertura da porta. Alternativamente, sinais de baixa-freqnciapodem ser medidos, obtendo-se a porta a partir de um perodo do sinal de entrada e contando-se o nmero de pulsos do oscilador durante este tempo, exatamente como no medidor de intervalo de tempo.

Voltmetro digital A caracterstica bsica dos instrumentos digitais a converso dos sinais de entrada em dados digitais. Os discutidos na seo anterior empregam circuitos de pulsos bastante simples para a realizao desta converso anloga-digital ou A-D. Uma quantidade de tcnicas diferentes tem sido idealizada para converter outros sinais analgicos em digitais. U m exemplo tpico de interesse usado em um tipo de voltimetro digital, instrumento que d indicao numrica, de leitura direta, da tenso medida. Consideremos o diagrama em blocos simplificado do voltmetro esquematizado na Fig. 12.4. A tenso cc desconhecida aplicada aos terminais de entrada comparada com uma onda em escada produzida por um circuito bomba a diodo alimentado por um oscilador de 10 kHz. Quando o sinal em escada igual a tenso de entrada, o comparador interrompe a transmisso de pulsos do oscilador. Os parmetros da bomba a diodo so selecionados de modo que a altura de cada degrau seja de 1 mV. Em conseqncia, o nmero de degraus igual a tenso desconhecida em milivolts, e eles so contados e mostrados pelo contador de trs dcadas, registro de memria e indicador decimal. Os circuitos de controle subseqentemente executam a transferncia da memria para o mostrador e descarregam o capacitor da bomba a diodo de forma que o ciclo se repita. Nova leitura obtida em menos de 1s. Na realidade, o circuito de controle dos instrumentos prticos tem outras funes tambm. E possvel, por exemplo, a mudana dos resistores do multiplicador de entrada automaticamente, de modo que tenses de 100 mV a 999 V podem ser medidas com a mesma preciso de 1 dgito. E mais, o circuito pode ajustar-se automaticamente a qualquer polaridade da tenso de entrada.
Entrada

Memria

Contadores BCD Controle

Fig. 12.4 Diagrama em blocos simplificado do voltmetro digital. (Princeton Applied Reseurch Corp .)

MEDIDAS DIGITAIS

CONVERSAO A-D E D-A


A converso d e sinais analgicos em seus correspondentes digitais caracterizada pela velocidade e preciso com que as equivalncias podem ser estabelecidas. O processo inverso, a converso digital-analgica ou D-A, de igual interesse e geralmente de mais fcil obteno do que aquela. Qualquer uma delas pode ser conseguida de vrias maneiras diferentes e variveis em complexidade e eficcia. A simples converso A-D do sinal em escada, discutido na seo anterior, tem sua preciso limitada por aquela com que cada degrau pode ser gerado. Alm disso, existe a possibilidade de erros de leitura caso a entrada no seja estritamente um sinal cc. Suponhamos, por exemplo, que o sinal de entrada contenha pulsos de rudo ou componente de 60 Hz da rede eltrica. Assim, possvel que a escada se torne igual ao sinal somado ao rudo, acarretando leitura falsa. Isto leva a flutuaes incmodas no indicador numrico nos sucessivos ciclos de medida.

Integrao de dupla rampa


A dificuldade acima superada no integrador de dupla rampa da Fig. 12.5, que um conversor A-D simples e popular. Neste tipo, o sinal de entrada integrado durante um intervalo de tempo fixo, determinado pelo tempo necessrio para que o contador se encha completamente. Na ltima contagem, o pulso de excesso obriga a lgica de controle a comutar a entrada do integrador para uma tenso de referncia fixa negativa. A integrao da tenso de referncia ocasiona o decrescimento linear da tenso de sada do integrador at zero. Neste ponto, o comparador detector de nulo ativa a lgica de controle para transferir a contagem nos contadores BC D para o s registros de sada e iniciar o ciclo seguinte de medida. Efetivamente, o sistema compara a carga colocada no capacitor de integrao pelo sinal de entrada desconhecido, durante um intervalo de tempo fixo, com a carga retirada pela tenso de referncia conhecida, durante o intervalo de tempo medido. Como so os mesmos o amplificador operacional integrador e o oscilador usados em ambas as medidas, os erros do circuito so minimizados e, a preciso, limitada basicamente pela estabilidade da tenso de referncia. Uma vez que o sinal de entrada integrado durante o perodo de entrada inicial, os rudos aleatrios e as componentes alternadas, de valor mdio nulo, no so consi-

, -

Sada Palavras BCD


ABCDABCDABCD ABCD

Entrada

Fig. 12.5 lntegrador de dupla rampa.

derados. O integrador de dupla rampa tem capacidade de 15 leituras de 5 dgitos por segundo em comparao com as nicas duas leituras de 3 dgitos por segundo no caso do conversor A-D em escada. A tcnica da dupla rampa usada em voltmetros digitais bem como em outras aplicaes da converso A- D.

Conversor de aproxima0es sucessivas


O conversor de aproximaes sucessivas da Fig. 12.6 opera com muita rapidez. Nesta tcnica, uma seqncia de tenses ponderada com cdigo BCD 8421 sucessivamente comparada com o sinal de entrada. Cada nvel de tenso sucessivo armazenado, quando menor que o do sinal de entrada, ou rejeitado, quando maior. Depois que o dgito mais significativo do sinal assim aproximado, uma segunda srie de tenses na configurao 8421, mas com fator 10 vezes menor, adicionada ao valor armazenado, e as somas sucessivas so novamente comparadas ao sinal de entrada. O processo repetido, dgito por dgito, at que a preciso desejada seja obtida. O processo das aproximaes sucessivas est indicado esquematicamente na Fig. 12.7 para o caso especfico da converso de um sinal de 113.5 V em seu equivalente binrio. No INICIO, a lgica de controle (Fig. 12.6) gera a palavra binria 1000 e a introduz no registrador BCD. O conversor D-A, que pode ser similar aqueles estudados na prxima seo, converte-a em seu sinal analgico 8,00 V. Este valor comparado com a entrada e armazenado, por ser menor que ela. Em seguida, o controle gera o binrio 1100, cujo equivalente analgico 8,00 + 4,00 = 12,OO V. Como este valor ultrapassa o da entrada, a segunda aproximao, 0100 = 4,00 V, rejeitada. A terceira aproximao 1000 + 0010 = 1010 = 8,00 + 2,00 = 10,OO V que, sendo menor que a entrada, armazenada. A aproximao final, 1010 + 0001 = 10,OO + 1,O0 = 11,O0 V tambm menor e , por isso, guardada. O resultado destes quatro passos a primeira aproximao do sinal de entrada, isto , o primeiro dgito, que 1011 ou 11. Este processo repet$s para o segundo dgito, como ilustrado na Fig. 12.7, sendo os equivalentes analgicos das palavras binrias de ensaio reduzidos para 0,80, 0,40, 0,20 e 0,10 V pela lgica de controle. O resultado, 0101 = 5, o segundo dgito. O processo , ento, repetido para o dgito seguinte e para os demais, at que a preciso desejada seja alcanada. No caso especfico considerado, o equivalente BCD de 11,55 V 1011.0101 0101. A velocidade das aproximaes sucessivas limitada apenas pelos retardos de propagao nos circuitos lgicos digitais, sendo o conversor capaz de executar mil
Sada de palavras BCD
-4

*
D

Lgica de Registro BCD Nvel Conversor D-A


I

Fig. 12.6 Diagrama em blocos simplificado do conversor A-D de aproximaes sucessivas.

MEDIDAS DIGITAIS

1 9
-3
--\

Palavras BCD:

-8
O

V 1011= 11

= g n o , , o

%
Y

,...
)I+-.

O101 = 5
I
I

, l r i m e i r o dgito

Segundo dgito

..

Fig. 12.7 Uso de aproximaes sucessivas para converter 11,55 V em seu equivalente BC D.

>

leituras de 4 dgitos por segundo. Alm do mais, o tempo de converso independente da amplitude do sinal, ao contrrio das aproximaes do sinal em escada e da integrao em dupla rampa. O conversor de aproximaes sucessivas no , contudo, integrador, de modo que o sinal de entrada geralmente injetado atravs de um filtro passa-baixas, a fim de que os sinais de rudo esprios sejam atenuados.

Estruturas escalonadas D-A


Com freqncia mostra-se conveniente a converso dos sinais de sada binrios em seus equivalentes analgicos, de modo que, por exemplo, em aplicaes de controle digital, possam ser usados para ajuste do sistema sob controle. Outro exemplo a converso D-A empregada no conversor analisado na seo anterior. Geralmente, os conversores D-A utilizam resistores dispostos em formas denominadas estruturas escalonadas. Consideremos a estrutura escalonada ponderada com resistor e o amplificador operacional da Fig. 12.8. Como foi discutido no Cap. 8, a sada deste amplificador a soma dos sinais de entrada, sendo cada um multiplicado pela razo entre a resistncia de realimentao e o respectivo resistor, ou seja, o sinal de sada analgico

onde V a amplitude do estado 1 lgico para quaisquer dos bits de entrada ABCD. Observe que esta estrutura est ponderada no cdigo BCD 8421 usual. A Tabela 12.1 relaciona a sada analgica calculada pela Eq. (12.1) para as palavras BCD correspondentes aos dgitos decimais. Obviamente, a tenso de sada anloga aos valores decimais. Para boa exatido na converso, devem ser usados resistores de preciso na estrutura escalonada. Os valores de resistncia devem, tambm, abranger uma larga faixa, sobretudo se forem convertidas palavras binrias acima de 4 bits. Estas duas dificuldades so superadas pela chamada estrutura escalonada binria da Fig. 12.9. Neste circuito so necessrios somente dois valores de resistncia, independentemente do nmero de bits das palavras binrias de entrada. Observe tambm que no preciso um amplificador operacional para somar estes bits. O sinal analgico de sada correspondente s palavras BC D de entrada pode ser determinado, a partir da Fig. 12.9, por meio de anlise de circuito correta. Supe-se que todos os bits de I lgico estejam no mesmo potencial e que todos os O estejam no de terra. O resultado que as tenses analgicas de sada so exatamente um tero daquelas relacionadas na Tabela 12.1. Em qualquer estrutura escalonada, a preciso da sada analgica depende da amplitude da tenso de cada bit do sinal de entrada. Em virtude de esta quantidade no ser, geralmente, muito controlada nos circuitos lgicos binrios, o conversor D-A pr-

Entrada de palavras BCD

1
B W

Sadaylya

,
4

A 8

va =-v

( I

-+-+-+2

Fig. 12.8 Conversor D-A de 4 bits ponderado com resistor.

Tabela 12.1 Sada analgica do conversor D-A ponderado com resistor


Decimal Palavra B C D DCBA

*Supondo que o estado 1 lgico seja +4,0 V.

MEDIDAS DIGITAIS
2R
Sada analgica

Entrada de palavras BCD

Bo---

Fig. 12.9 Conversor D-A de 4 bits com escalonamento binrio.

Entrada de palavras BCD

Fig. 12.10 Conversor D-A de 4 bits prtico.

tico pode aplicar limitao a diodo em cada bit, a fim de fixar precisamente os nveis de tenso, como na Fig. 12.10. Isto traz a vantagem adicional de o sinal total que entra no amplificador de soma ter menor probabilidade de satur-lo. Com a limitao a diodo, o nvel de tenso de cada bit 1 0,6 V, em vez de 4,O V ou mais, como no caso normal. Note tambm que necessrio um circuito semelhante ao da Fig. 12.10 para a

palavra BCD de entrada correspondente a cada dgito decimal. Normalmente possvel a minimizao da complexidade do circuito por meio de multiplexao do conversor D-A de maneira semelhante discutida no captulo anterior em conjuno com os decodificadores de indicador ROM.

PROCESSADORES DIGITAIS
Os circuitos lgicos digitais permitem o processamento de sinal de maneira inteiramente diferente da que possvel com o uso de instrumentos analgicos. Uma quantidade de instrumentos digitais, que so, com efeito, pequenos computadores, tem sido projetada para a execuo de clculos altamente especializados. Embora os sinais de entrada e sada usados em tais instrumentos sejam, com mais freqncia, de natureza analgica, a superioridade e a flexibilidade dos circuitos lgicos digitais resultam em desempenho extremamente verstil e flexvel.

Filtro digital
O denominadofiltro digital executa a mesma funo que, por exemplo, um filtro LC, mas o faz de modo a impossibilitar a obteno de seus parmetros com os valores dos componentes convencionais. O funcionamento de um filtro digital baseia-se na mesma dualidade entre freqncia e tempo j observada na representao em srie de Fourier de formas de onda complexas. Isto , o espectro de freqncias de um sinal uma descrio to vlida quanto a sua variao no tempo, dada pela forma da onda. Correspondentemente, embora um filtro seja mais comumente descrito por meio de sua caracterstica de resposta em freqncia, possvel uma descrio igualmente til usando-se as propriedades transitrias do circuito. Note que a citada caracterstica dada pela relao entre o sinal de sada v,(J) e o de entrada v,(f), numa determinada freqncia,

Existe uma relao de transferncia similar no domnio do tempo, com a diferena de que os sinais so observados em instantes distintos

Tanto Fj) quanto T(t, t') so descries satisfatrias das propriedades do filtro. E possvel o desenvolvimento d e uma expresso para T(t, t'), no caso d a caracterstica de resposta em freqncia ser conhecida, parecida em muitos aspectos com a maneira como as componentes de Fourier de um sinal complexo so encontradas. Os detalhes desta transformao no apresentam interesse aqui. E importante observar, contudo, que a representao no tempo permite o clculo direto do desempenho do filtro por intermdio das tcnicas digitais do modo descrito a seguir. A sada do filtro digital em qualquer instante, em termos do sinal de entrada em diversos instantes anteriores,

MEDIDAS DIGITAIS

381

onde os coeficientes a so a representao da caracterstica T(t, t') do filtro. Os clculos indicados na Eq. (12.4) so efetuados pelo circuito mostrado na Fig. 12.11. Inicialmente, o sinal de entrada amostrado em intervalos discretos e digitalizado. Cada amostra atrasada de um intervalo de tempo adequado, multiplicada pela constante caracterstica da ao de filtragem desejada, com os resultados sendo somados para dar o sinal de sada, que pode ser convertido aforma analgica, se for o caso. O filtro digital, com efeito, calcula continuamente a sada devida aos sinais de entrada. Como a ao de filtragem descrita pelos coeficientes a , os quais so facilmente ajustveis, o mesmo filtro pode ser usado para sintetizao de uma variedade de caracteristicas de resposta em freqncia. No h necessidade de indutncias, o que geralmente vantajoso em baixa-freqncia e nas aplicaes em circuitos integrados. Alm disso, em virtude da descontinuidade dos dados digitais, obtm-se desempenho preciso, tal como atenuao muito grande em freqncias especficas. A resposta em freqncia de um filtro digital passa-baixas simples, mostrada na Fig. 12.12, indica que podem ser obtidas atenuao bastante acentuada e excelentes propriedades de baixa-freqncia. Observe que os coeficientes a da Fig. 12.11 se referem Eq. (12.4) e que a taxa de amostragem 116 = 100 Hz. A simples mudana dos coeficientes, conseguida alterando-se os ganhos dos amplificadores, produz caracterstica de resposta completamente diferente, com o mesmo circuito bsico. Este aspecto ser explorado mais tarde, nos Exerccios.

Correlatores de sinais
Sinais peridicos, fortemente mascarados pelo rudo, podem, quase sempre, ser recuperados pela tcnica de obteno do valor mdio, que tira partido da diferena bsica entre estes dois sinais, pois o valor mdio de um sinal de rudo aleatrio igual a zero. Os instrumentos denominados processadores de mdia de sinal eliminam, por este motivo, o rudo, de modo que apenas o sinal de interesse permanece. De acordo com o diagrama em blocos de um processador de mdia de sinal (Fig. 12.13), o sinal de entrada com rudo amostrado sucessivamente por cada uma das 100 portas a FET, ativadas em seqncia por um contador em anel. A mdia do nvel de tenso de cada amostra tirada e armazenada nos capacitores das memrias RC. Depois de muitos ciclos terem sido amostrados, o rudo eliminado, na mdia, e a tenso em cada capacitor representa o sinal em um ponto especfico. A forma de onda completa pode ser apresentada nos terminais de sada, ativando-se sucessivamente as por-

.
Fig. 12.11 Diagrama em blocos do filtro digital.

Fig. 12.12 Caracterstica de resposta em freqncia do filtro digital.

L
Sinal de entrada ruidoso sinal

.......

I Contador em anel

Sincronismoo

Relgio
I

C"i
rampa

,Sada de varredura

''

Fig. 12.13 Diagrama em plied Research Corp.)

blocos simplificado do processador de mdia de sinal. (Princeton Ap-

tas em sincronismo com o sinal de varredura. O sinal de sincronismo mantm a amostragem sincronizada com o sinal de entrada, de modo que, a cada vez, amostrado sempre o mesmo ponto da forma de onda. No normalmente possvel obter o sincronismo a partir do prprio sinal de entrada por causa d a influncia perturbadora do rudo. Observe tambm que a apresentao do sinal na sada pode ser feita na mesma taxa do sinal de entrada ou, alternativamente, numa taxa mais alta ou mais baixa. Isto toma possvel, por exemplo, conservar a forma de onda de sada num registrador grfico, se desejado. A Fig. 12.14 mostra um exemplo de recuperao da forma de onda de um sinal ruidoso. Uma outra verso desta tcnica o chamado integrador "boxcar", no qual uma nica porta e um nico capacitor de memria so utilizados. Os pontos sobre a forma

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Fig. 12.14 ( a ) Sinal mascarado por rudo e (b) forma de onda recuperada pelo processador de mdia de sinal. (Princeton Applied Research Corp.)

_
-

de onda que est sendo amostrada so varridos lentamente ao longo dela. tirada a mdia do sinal em cada posio e apresentada imediatamente, antes do movimento para o ponto seguinte. Em virtude da circuitaria inerentemente mais simples, estes integradores podem ser usados para sinais com duraes da ordem de 10-9s, ao passo que os tipos multicanais so limitados a duraes maiores que l0Ws. Por outro lado, os primeiros requerem 100 vezes mais tempo para recuperar completamente o sinal, devido ao uso de apenas um canal. Uma tcnica de processamento de sinal mais sofisticada, relacionada com o processador de mdia de sinal, baseada na correlao entre dois sinais dependentes no tempo. A denominada funo correlao cruzada entre dois sinais fA(t) e f d t ) definida como

Entrada A

Conv. A- D

Registrador de deslocamento

EntradaB
I

R
Sada Varredor

I c
-

....
rampa Salda de varredura

Fig. 12.15 Diagrama em blocos simplificado do correlator de sinais. (Princeton Applied Research Corp .j

r Entrada C -

conv
A-D

1
Portas

de = entrada

=
-

Registrador bits e 128 palavras dinmico de 6 de deslocamento

'Ortas

de sada

= ,--

Sinal de sada

A A

1
Fig. 12.16 Registrador de transitrios baseado no registrador de deslocamento dinmico.

Sada de varredura

No caso especial em que fA(t) = f d t ) , CAA(7) chamada de funo autocorrelao, e , devido ao tempo mdio envolvido na Eq. (12.5), obtm-se atenuaes no rudo similares as conseguidas com a tomada do valor mdio do sinal. A funo autocorrelao contm muita informao adicional, no entanto, e pode ser usada, por exemplo, na determinao das componentes de Fourier de um sinal. Analogamente, a funo correlao cruzada basicamente mede o grau de correspondncia entre dois sinais, possibilitando, portanto, um discernimento mais profundo do fenmeno representado por eles do que qualquer anlise de suas propriedades, separadamente. O clculo correspondente Eq. (12.5) efetuado pelo correlator de sinais da Fig. 12.5. Um sinal de entrada digitalizado e apresentado a um registrador de deslocamento de 100 canais. A sada de cada estgio do registrador multiplicada pelo segundo sinal e , do resultado, tirada a mdia e armazenada em cada memria RC. O deslocamento do primeiro sinal ao longo do registrador d o tempo de retardo T da Eq. (12.5). A funo correlao apresentada varrendo-se o banco de capacitores das memrias em sincronismo com o sinal de varredura. Embora as muitas aplicaes da correlao de sinais no sejam de interesse aqui, est claro, destes exemplos, que as tcnicas digitais fornecem diversificados e poderosos instrumentos de processamento de sinais.

Registrador de transitrios
O registrador de deslocamento dinmico um modo til e conveniente de armazenar sinais analgicos transitrios para subseqente apresentao ou anlise. Uma unidade tpica, baseada no registrador de deslocamento de 6 bits e 128 palavras e mostrada na Fig. 12.16, capaz de armazenar transitrios to curtos quanto lOF s ou to longos quanto Ss, e reproduzi-los a taxas apropriadas para serem mostrados em osciloscpios ou em registradores grficos. O conversor A-D entrada executa a amostragem em taxas ajustveis de lO+ a 5 X 1OP2s por palavra, enquanto o registrador dinmico opera a uma taxa constante de 10 MHz. As portas de entrada so acionadas pela lgica de controle, para que as palavras digitais sejam introduzidas no registrador nos instantes adequados, e assim a gravao completa das 128 palavras pode ser feita com sinais de longa ou curta durao. Os transitrios armazenados circulam pela memria at que sejam substitudos por novos sinais ou intencionalmente apagados durante a leitura subseqente. Durante a reproduo, os sinais de sada podem ser obtidos a mesma taxa que durante a gravao. Mais frequentemente, contudo, a sada entregue a uma taxa selecionada, para ser compatvel com a circuitaria de apresentao ou de anlise. Esta

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-,
-\

flexibilidade possvel devido ao uso de tcnicas de amostragem, nas portas de sada, similares aquelas do osciloscpio descrito no Cap. 10. A medida que o sinal transitrio circula na memria, ele se torna, com efeito, peridico, podendo ser amostrado em sucessivas partes do ciclo. A circuitaria lgica tambm gera uma rampa linear para varredura, compatvel com a durao do sinal de sada. E possvel produzir rampas com durao desde 10-3s, apropriadas para apresentao oscilogrfica, a 5s, adequadas para registradores grficos.

COMPUTADORES DIGITAIS Organizao


O computador digital um conjunto complexo de portas lgicas e circuitaria associada, organizado para executar clculos lgicos pela manipulao de formas de onda representativas de nmeros digitais. A grande fora do processamento digital eletrnico provm da variedade de fenmenos que podem ser representados e analisados logicamente. Exemplos tpicos se estendem desde os clculos aritmticos simples as computaes cientficas que obedecem a alguma lei fsica, e as atividades de escriturao mercantil que seguem os princpios da contabilidade. Em virtude de a velocidade dos circuitos eletrnicos ser muito grande, os computadores podem completar clculos extremamente complexos e extensos em intervalos de tempos realsticos. Seus circuitos so projetados para efetuar operaes numricas de todas as espcies. Em conseqncia, a mquina provida de instrues especficas concernentes a computao desejada, alm de todos os nmeros digitais envolvidos. Estas instrues so representadas por pulsos similares aqueles que representam os nmeros. Ao conjunto completo de instrues, juntamente com os nmeros associados a um dado problema, d-se o nome deprograma. Um computador digital compreende cinco partes principais: as unidades de entrada, sada, memria, controle e aritmtica, mostradas na Fig. 12.17. As unidades de entrada e de sada apresentam o programa mquina e recuperam os resultados. A memria armazena cada instruo e nmero do programa at que sejam requisitados durante o curso da computao. As instrues do programa so armazenadas separadamente dos nmeros, pois os dois so empregados de modos fundamentalmente diferentes no clculo. A localizao de cada nmero especificada por um endereo, usado para se dizer a mquina onde um nmero particular est armazenado na memria. A unidade aritmtica contm circuitos lgicos, tais como SOMADORES, que executam na realidade os clculos especificados pelo programa. Esta unidade tnmbm inclui registros para armazenamento temporrio de nmeros digitais. A razo disto que, normalmente, apenas um nmero de cada vez chamado da memria. Se h dois nmeros a somar, o primeiro deve ser armazenado at que o segundo esteja dispon-

Entrada

Memria

Sada

thkl
Controle Aritmtica

I 4

I 4

Fig. 12.17 Organizao do computador digital.

vel, antes que possam ser apresentados simultaneamente ao SOMADOR. A funo da unidade de cont;ole interpretar cada instruo e dispor os circuitos do computador adequadamente. E a parte mais heterognea, sendo composta de portas lgicas, registradores e um circuito de relgio que regula a velocidade bsica na qual a mquina opera. O relgio fornece um trem contnuo de pulsos, usado em conexo com as diversas portas lgicas, para orientar os sinais digitais atravs das diferentes partes do computador. Em virtude de as unidades de controle e aritmtica exercerem funes centrais no desempenho do computador, as duas, juntas, so chamadas de unidade central de processamento ou CPU.

Microcomputadores
Os circuitos de um computador digital podem ser exemplificados pelo mais recente desenvolvimento neste campo: a calculadora de bolso, ou rnicrocornputador, da Fig. 12.18. Os microcomputadores usam os princpios e os circuitos do computador digital para a efetuao dos clculos aritmticos, desde simples adies e subtraes aos de funes transcendentais. Esta gama de possibilidades exibida no teclado, visvel na Fig. 12.18. Na realidade, o teclado representa a unidade de entrada do microcomputador, ao passo que o indicador numrico, que normalmente do tipo de sete segmentos com LED, a unidade de sada. O teclado usado para a introduo dos nperos na memria e para selecionar o programa interno adequado a execuo do clculo desejado. Os nmeros introduzidos via teclado so indicados pelo mostrador digital, bem como os resultados das computaes. O funcionamento de um microcomputador pode ser descrito com a ajuda do diagrama em blocos interno da Fig. 12.19. O teclado e o indicador so multiplexados pelo

Fig. 12.18 Microcomputador tpico. (Texas Instruments, Inc.)

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circuito de verificao do teclado que, sequencialmente, verifica cada tecla. As teclas representativas dos nmeros so conectadas ao circuito alimentador de dgitos que ativa os algarismos do mostrador, de maneira muito parecida com a da Fig. 11.39 do captulo anterior. Os segmentos do indicador so ativados em sincronismo pelo circuito alimentador. A compresso da tecla faz com que o codificador de teclado gere uma palavra digital correspondente ao nmero ou instruo representada por aquela tecla. Esta palavra passada para o registro de sub-rotina, onde pode ser modificada pelo resultado do clculo anterior e dali para o registrador de endereo de uma ROM de 13000 bits, que contm as instrues e tabelas de consulta necessrias a execuo dos clculos. As palavras de instruo da ROM so interpretadas pelo decodificador de instrues e pela lgica de controle de ativao que, na realidade, dispe os circuitos digitais para realizar os clculos. Sob o comando da lgica de controle, as palavras de instruo podem ser reintroduzidas na ROM, de modo que uma srie inteira de instrues pode ser gerada a fim de calcular, por exemplo, uma funo matemtica por aproximao em srie. Os clculos reais so executados pela unidade aritmtica que consiste nos registros de A a E, juntamente com o somador-inteiro. As palavras de pares de registros selecionados podem ser somadas, permutadas ou comparadas e, os resultados, armazenados num terceiro registro. O registro A conectado a um decodificador indicador de segmento, e seu contedo apresentado ao trmino do ciclo de computao. Os registros F e C , utilizados para armazenagem de resultados parciais, tambm fazem parte da unidade aritmtica, bem como a ROM de 1000 bits, que contm 16 constantes
Mostrador de 14 dgitos

t
Registro A
-rRegistra B Regtstro C

-t

+
-C

Registro D
Registro E

+
+$

Fig. 12.19 Diagrama em blocos simplificado do microcomputador de bolso. (Texas Instrurnenrs,


Inc.)

+ g

inietro

Matnz de teclado

Venficador de teclado

Lglca de controle

numricas usadas nos clculos. Exemplo tpico a constante l n 10 = 2,302585092994, empregada para calcular funes logartmicas. Os microcomputadores so realizveis por causa da integrao em larga escala, possvel com tecnologia MOS. O das Figs. 12.18 e 12.19, por exemplo, possui 25000 transistores, embora caiba inteiramente em um pequeno encapsulamento, e funciona com uma pequena bateria interna. Na realidade, o circuito inteiro de um microcomputador de capacidade algo menor pode ser fabricado como um nico C1 (Fig. 12.20). O acoplamento deste circuito integrado com um teclado, um indicador visual e um alimentador de indicador apropriado, forma uma calculadora de bolso muito til. Esta calculadora exemplo especfico de um instrumento digital organizado em torno de uma CPU e que veio a ser chamado de microprocrssador. Circuitos lgicos
DECODIFICADOR LGICO DE SAIDA

ROM de 3520 bits

RAM de 182 bits

LGICA DE ENTRADA

LGICA DE CONTROLE

Fig. 12.20 Calculadora MOS em circuito integrado. (Texas Instrurnents, Inc.)

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digitais muito extensos com capacidade para uma ampla gama de aplicaes de medio e controle tm sido projetados, usando-se microprocessadores associados a ROM especficas contendo programas e dados adequados as tarefas designadas. O projeto de um microprocessador, algumas vezes chamado simplesmente de micro, pode realar um ou outro aspecto particular para maximizar a eficincia. Por exemplo, um projeto pode acentuar a facilidade das operaes aritmticas enquanto outro facilita a transferncia de dados de entrada e sada. Embora ambos os tipos tenham todos os componentes usuais de uma CPU, o primeiro usado para anlise numrica prolongada e, o ltimo, para aplicaes de controle.

Linguagens de programao
Os computadores digitais tm, em geral, muito mais flexibilidade do que os microcomputadores, em virtude do programa no ser parte inerente da mquina. Ao contrrio, para cada tarefa computacional inserido um programa diferente na memria, de modo que podem ser empregados programas elaborados e bastante sofisticados. Um computador operado introduzindo-se, inicialmente, o programa na memria por meio, por exemplo, de um conjunto de cartes perfurados. Quando a mquina acionada, a unidade de controle l a primeira instruo, prepara convenientemente os circuitos e faz com que o nmero apropriado seja lido na memria, conforme especificado pelo endereo na instruo. Ao trmino da operao indicada, o resultado retorna memria no endereo tambm especificado no programa. A unidade de controle passa, ento, a instruo seguinte. A mquina prossegue sequencialmente pelas instrues, colocando os resultados finais na unidade de sada, at chegar instruo pare. Neste ponto a computao encerrada e , o resultado, localizado na unidade de sada, E conveniente ilustrar, por meio de um exemplo rudimentar, como a unidade de controle prepara os circuitos da mquina de acordo com as instrues. Consideremos o diagrama em blocos parcial da Fig. 12.21, no qual cada um dos dois nmeros pode ser manipulado e reintroduzido na memria, dependendo da instruo. Suponhamos que a instruo 10101, como est indicado, seja abstrada da memria e armazenada no registro conectado as diversas portas E . Isto significa que o nmero A passa atravs do circuito, emerge como NAO-A e retorna a memria. O B no usado, pois no passa pela primeira porta E. Outras instrues acarretam a execuo de operaes

Nmeros da, memoria

Para a memria

Instrues da, mernoria

1 ~ 0 ~ 1 ~ 0 ~ 1

Registrador

Fig. 12.21 Ilustrao de como uma instruo determina o trajeto do nmero atravs do computador digital.

r-

diferentes, como pode ser visto seguindo-se o trajeto, atravs do circuito, em cada caso:

Instruo
10101 10010 O1101 O1010

Interpretao Tire A e ponha NO-A na memria TireA e ponhad na memria Tire B e ponha NO-B na memria Tire B e ponhaB na memria

Com efeito, as instrues especificam os trajetos dos sinais atravs do computador pela ativao das portas lgicas da unidade de controle. No praticvel, ou necessrio, traar o trajeto do sinal para cada instruo atravs do circuito completo do computador, quando da preparao do programa. Ao contrrio, desenvolvida, no projeto da mquina, uma disposio tabular de instrues para a execuo das diversas operaes, correspondentes aos circuitos lgicos de controle. Este dicionrio de linguagem de mquina usado para escrever programas e evita a necessidade de referncia aos circuitos do computador em si. No obstante, em virtude de cada passo dever ser detalhado nas instrues, a preparao do programa em linguagem de mquina uma longa e rdua tarefa, sendo frequentes os erros de programao. Por exemplo, a troca de um O por um 1 em qualquer instruo pode resultar num passo sem sentido ou, o que mais srio, numa instruo falsa, sendo difcil a localizao de tais erros. Para melhorar esta situao, foram desenvolvidas linguagens de programao simblicas, nas quais smbolos facilmente reconhecveis so utilizados para representar instrues ou grupos de instrues na linguagem de mquina. O fabricante do computador fornece programas de transformao que usam o prprio computador para converter os programas simblicos em linguagem de mquina. A linguagem simblica mais simples a linguagem assembly, e o programa para convert-la em instrues codificadas em binrio denominado de montador simblico ("assembler"). As declaraes simblicas em assembly tm correspondncia biunvoca com as instrues em linguagem de mquina. Consideremos, por exemplo, o simples programa para a adio conjunta dos nmeros Z, B e C representado pelas instrues binrias na coluna do centro da Tabela 12.2. As declaraes correspondentes em assembly, na coluna da esquerda, so bastante mnemnicas, podendo ser facilmente lidas da seguinte maneira: "Carregue (load) o nmero do endereo (address) Z no registro A; adicione o nmero do endereo B ao do registro A; adicione o do endereo
Tabela 12.2 Comparao da linguagem assemblye da declarao Fortran com as instrues em linguagem de mquina
Linguagem assrrnbly LDA ADA ADA STA Z B C D
O O O O

Linguagem de mquina
110 100 100 111 001 001 001 O01 100 100 100 100 100 100 100 100 O01 O10 O11 100

Declarao Fortran D=Z+B+C

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C ao do registro A; armazene (store) o do registro A no endereo D". Assim, esta srie de declaraes em linguagem assembly executa a rotina desejada. O montador simblico converte as declaraes em assembly, humanamente interpretveis, nas correspondentes declaraes em linguagem de mquina, codificadas em binrio. A programao em assembly muito enfadonha, pois cada instruo deve ser includa detalhadamente. Foram desenvolvidas linguagens de alto nvel, nas quais declaraes simples podem ser convertidas em grandes grupos de instrues em linguagem de mquina. Neste caso, o programa de converso chamado de compilador, porque, com efeito, o computador compila seu prprio programa seguindo instrues bastante gerais. A linguagem mais amplamente utilizada, denominada Fortran (contrao das palavras inglesas "formula translator"), emprega smbolos algbricos estilizados e frmulas como declaraes de programa. A familiar expresso algbrica da terceira coluna da Tabela 12.2, por exemplo, a declarao Fortran que se converte no conjunto de instrues em linguagem de mquina da coluna do centro. Naturalmente, muito mais simples programar em Fortran do que em assembly ou em linguagem de mquina. Frequentemente acontece, no entanto, que um programa em linguagem de mquina, compilado deste modo, ineficaz devido a capacidade de memria do computador ou ao tempo total necessrio para execut-lo. Isto acontece por causa das generalidades inerentes ao compilador. Assim, embora a Fortran e outras linguagens de alto nvel sejam largamente empregadas, a assembly necessria para utilizar as capacidades mximas de qualquer computador.
SUGESTES PARA LEITURA COMPLEMENTAR Thomas C Bartee "Digital Computer Fundamentals," 2d ed , McGraw-H111 Book Company, New York, 1966 G G Bell and A Newell "Computer Structures Readings and Examples," McGraw-H111 Book Company, New York. 1971 Sam P Perone and David O Jones "Digital Computers in Scientific Instrumentation," McGraw-H111 Book Company, New York, 1973

12.1 Projete um circuito de controle adequado, na forma de diagrama em blocos, para o voltmetro digital da Fig. 12.4. Disponha o controle, de modo que um novo ciclo de medida seja iniciado imediatamente aps a obteno de cada leitura. 12.2 Suponha que o sinal de entrada do voltmetro digital do exerccio anterior seja 0,5 V cc juntamente com um dente-de-serra de 0,5 V pico-a-pico e perodo de 2s. Determine graficamente as primeiras cinco leituras indicadas se acontecer de o voltmetro iniciar o ciclo de medida quando o sinal de entrada 0,5 V. Resp.: 0,67; 0,89; 0,52; 0,68; 0,92 V 12.3 O conversor A-D de integrao em dupla rampa da Fig. 12.5 gera 10 leituras de 4 dgitos por segundo. Qual a freqncia do oscilador? Suponha que as tenses de entrada e de referncia sejam iguais. Resp.: 200 kHz 12.4 Determine o ganho mnimo necessrio ao comparador detector de nulo do integrador de dupla rampa do Exerccio 12.3. Resp.: 104 12.5 No denominado conversor A-D tenso-freqncia da Fig. 12.22, o gerador de pulsos descarrega completamente o capacitor de integrao a cada vez que o comparador sente a igualdade entre o sinal de entrada e a tenso de referncia. Quais so as freqncias de sada para sinais de 10,s e 1 V? Resp.: 104Hz,5 x 103Hz, 103Hz

104
Entrada

) I Tenso de referncia

Para o medidor ci~l;;qncia

Fig. 12.22 Conversor A- D tenso-freqncia.

12.6 Quantas tentativas rejeitadas ocorrem no conversor A-D de aproximaes sucessivas da Fig. 12.6, se o sinal de entrada de 8,08 V? Repita para 0,62 V. Se cada comparao leva 10-4s, determine quanto tempo ser gasto para a obteno da converso em cada caso. Resp.: 10, 9; 1,2 X 10-3s, 1,2 X lO-% 12.7 Usando a anlise de circuito do conversor D-A com escalonamento binrio da Fig. 12.9, desenvolva uma disposio tabular de nmeros decimais, palavras de entrada BCD e sinais de sada analgicos semelhante a Tabela 12.1. Resp.: 1,0001, 1/24; 2,0011,2/24; etc 12.8 No conversor D-A prtico da Fig. 12.10, quais so os sinais de sada analgicos correspondentes as palavras de entrada 0010,0100,0110 e 1000? Resp.: 0,15,0,30,0,45,0,60 V 12.9 Determine a caracterstica de resposta em frequncia do filtro digital correspondente a Eq. (12.4) usando os coeficientes relacionados na Tabela 12.3. Faa-o introduzindo sinais senoidais de freqncias diferentes na entrada. Amostre cada um na taxa de 100 Hz para um ciclo completo e calcule os sinais de sada usando a Eq. (12.4). Utilize estes valores para determinar o valor rms da sada em cada frequncia. Trace a curva de resposta abrangendo o intervalo de 0,l a 50 Hz. Qual a razo do sinal de sada para o de entrada na frequncia de 10 Hz? Resp.: 0,l

Tabela 12.3 Coeficientes de filtro digital para o s) exerccio 12.9 (6 =

12.10 Repita o Exerccio 12.9 para o caso do sinal de entrada ser uma onda quadrada de 1 HZ e 2 V pico-a-pico. Devido forma de onda na sada, qual o nome deste filtro? Resp.: Filtro diferenciador

Apndice A

A base de todos os circuitos eletrnicos anteriormente a inveno do transistor era a vulvula eletrnica a vcuo. A enorme diversificao nos projetos de fabricao de vlvulas permitili aplicaes que abrangiam desde detectores bastante sensiveis a amplz~cadores altissima potncia. Devido ao pequeno tamanho e ao consumo de de potncia mnimo, os transistores vm substituindo largamente as vlvulas a vcuo, mas existem, ainda, muitas aplicaes nas quais estas Lltirnas se mostram Lteis.

O DIODO A VCUO Emisso termoinica


O diodo a vcuo constitudo de um catodo aquecido. envolvido por um anodo metlico, no interior de um invlucro, usualmente de vidro, com vcuo, como esboado na Fig. Al-1. Em temperaturas suficientemente elevadas, os eltrons so emitidos pelo catodo e atrados pelo anodo positivo. O fluxo de eltrons do catodo para o anodo constitui uma corrente e existe quando este est positivo em relao aquele. Quando o anodo est negativo. os eltrons so repelidos por ele e a corrente reversa nula. No espao intereletrdico existe vcuo, de modo que os eltrons podem se deslocar sem problemas de coliso com molculas de gs. Os catodos dos diodos a vcuo podem apresentar diversas formas. Os eltrons livres em qualquer condutor, adquirindo suficiente energia por aquecimento. escapam do slido. Alguns materiais so, contudo, muito mais satisfatrios a este respeito do que outros. seja por causa da relativa facilidade com que os eltrons se libertam. seja porque o material suporta seguramente temperaturas elevadas. O tungstnio. por exemplo, til como material de catodo, pois mantm sua resistncia mecnica em temperaturas extremas. Uma fina pelcula de trio sobre a superfcie do catodo filamentar de tungstnio aumenta a emisso eletrnica. obtendo-se corrente aprecivel a temperaturas em torno de 1900K. Este' tipo de catodo diretamente aquecido por corrente eltrica, semelhantemente ao fhamento das lmpadas incandescentes. E utilizado em diodos apropriados as aplicaes de alta tenso. O smbolo convencional deste tipo de diodo a vcuo est mostrado na Fig. A 1 . h . O moderno catodo revestido de xido, que consiste em uma luva metlica recoberta com uma mistura de xidos de brio e de estrncio, o mais eficaz emissor eletrnico at hoje desenvolvido. Desta forma obtm-se emisso eletrnica abundante em temperaturas prximas de 1000K, o que significa que a potncia necessria muito menor que para o tungstnio. Usualmente, o catodo de xido indiretamente aquecido por um filamento localizado dentro da luva metlica, como na Fig. A1 . l . Isto isola eletricamente o filamento aquecedor do catodo, o que representa uma considervel vantagem nos circuitos eletrnicos. Pode, tambm, ser usada corrente ca de fila-

- Catodo

Anodo Filamento

Fig. A l . l Esboo de um diodo a vcuo

CIRCUITOS COM VALVULA A VACUO

Fig. A1.2 Smbolos de circuito dos diodos a vcuo dos tipos de ( a ) catodo de aquecimento direto e (b) catodo aquecido por filamento.

mento sem introduo de variaes de temperatura indesejveis no catodo. Os catodos de xido so empregados na grande maioria das vlvulas a vcuo. O filamento frequentemente omitido no smbolo convencional de circuito, ilustrado na Fig. A1.2b, em virtude de no constituir, diretamente, parte ativa do retificador.

Lei de Child
Quando o anodo est negativo em relao ao catodo, a corrente eletrnica nula e , a caracterstica reversa, essencialmente a mesma de um diodo ideal. A caracterstica direta determinada pelo movimento dos eltrons no espao compreendido entre os dois eletrodos, quando o catodo tem potencial positivo. O nmero de eltrons por ele emitido , normalmente, to grande que os campos eltricos devidos as cargas eletrnicas alteram drasticamente aquele, entre os eletrodos, produzido pelo potencial do anodo. Nestas condies, a corrente real dada pela lei de Child,

onde V, a tenso intereletrdica e A uma constante relacionada com a geometria da vlvula. De acordo com a Eq. (A1 . I ) , a corrente aumenta na razo da potncia trsmeios da tenso aplicada. ou seja, o diodo a vcuo no linear. A corrente depende da separao entre os eletrodos e da rea do catodo. Assim, possvel obter diferentes caractersticas tenso-corrente alterando-se a forma geomtrica do catodo ou a do anodo. So dados, na Fig. AI .3, dois exemplos de caractersticas de diodos reais. O diodo tipo 5 U A um retificador de mdia potncia; o tipo I V2 projetado para fontes de alimentao de alta tenso e baixa corrente. A separao entre anodo e catodo considervel na IV2, a fim de minimizar a possibilidade de descarga entre eles, na parte inversa do ciclo de tenso. Conseqentemente, a corrente no sentido direto menor do que na 5UA. que projetada para uso em tenses mais baixas e que, por isto, tem menor separao entre os eletrodos. A corrente direta desta . correspondentemente. maior para a mesma tenso. Em alguns diodos a vcuo prticos, a corrente reversa no verdadeiramente nula, por causa das correntes de fuga sobre as superfcies dos isoladores de vidro e de efeitos secundrios similares. Tipicamente. a resistncia reversa da ordem de 10 MO. Como a direta pode ser da ordem de 100O em um potencial de operao adequado. a relao entre a resistncia reversa e a direta, ou razo dr retificao, aprecivel. A capacitncia intereletr'dica limita a freqncia mxima de utilizao do diodo. A reatncia capacitiva de catodo para anodo fica efetivamente em paralelo com a corrente eletrnica e tende a pr a resistncia reversa em curto-circuito nas altas freqncias.

Fig. A1.3 As caractersticas diretas experimentais de dois diodos a vcuo prticos so muito diferentes por causa da contruo geometricamente diferente.

A corrente em um diodo a vcuo pode ser controlada introduzindo-se um terceiro eletrodo. a grade. entre o anodo e o catodo. As variaes na tenso da grade alteram a corrente, independentemente do potencial do anodo. Este efeito faz da vlvula triodo a vcuo um til amplificador.

A grade
A grade de um triodo consiste usualmente em um fio helicoidal que circunda o catodo. como na Fig. A 1 . 4 ~ . o potencial da grade for sempre negativo: os eltrons sero Se repelidos e a sua corrente ser desprezvel. Isto significa que a potncia despendida no circuito da grade para controlar a corrente do anodo muito pequena. Deve-se minimizar a sua rea, a fim de que a quantidade de eltrons interceptados em seu percurso para o anodo seja desprezvel. Por outro lado. se os fios forem muito espaados, a capacidade da grade em controlar a corrente do anodo ser reduzida. Os triodos prticos so projetados de modo a haver um compromisso til entre estes requisitos conflitantes. O anodo geralmente chamado de placa, por causa de sua forma nas vlvulas originais. O smbolo de circuito convencional do tnodo o mostrado na Fig. A1.4b. O potencial da grade altera a configurao de campo eltrico no espao intereletrdico, em relao ao correspondente no diodo a vcuo. Como a grade est muito mais prxima do catodo, seu potencial e relativamente mais eficiente no controle da corrente do que o potencial de placa. Em conseqncia, usando-se a lei de Child, a corrente na vlvula pode ser escrita:'

?Tem sido comumente aceito associar-se os ndices p e b ao circuito da placa, e g e c ao da grade, nas vlvulas a vcuo. Do mesmo modo, o ndice k se refere ao catodo.

CIRCUITOS COM VALVULA A VCUO

Catodo Grade Placa

Fig. A1.4 ( a ) Triodo a vcuo e (b) smbolo de circuito.

onde A uma constante relacionada com a geometria da vlvula, V, a tenso de grade, V , a de placa e p uma constante denominadafator de arnpl$icao, que resulta do maior efeito da tenso de grade em relao a de placa. Esta equao concorda razoavelmente bem com as caractersticas tenso-corrente experimentais dos triodos prticos. E difcil, contudo, o clculo de A a partir dos primeiros princpios, e o expoente em geral no exatamente trs-meios. Em conseqncia, comum indicar-se as caractersticas das vlvulas graficamente, em vez de se tentar uma representao matemtica precisa. A ao de V,. na Eq. (A1.2) oposta a da tenso de placa V,, uma vez que o potencial da grade negativo. Obtem-se uma expresso para o fator de amplificao observando-se que estas aes contrrias se cancelam se a carga eltrica induzida pelo potencial da grade no catodo for igual e oposta a produzida pela tenso da placa. ou

onde C,, a capacitncia entre grade e catodo. Resolvendo-se em relao ao fator de amplificao,

De acordo com a Eq. (AI .4). o fator de amplificao aumenta quando a grade est prxima do catodo, pois a capacitncia grade-catodo aumenta. A placa. mais afastada. fica protegida do catodo pela grade, de modo que p sempre maior que a unidade. Na realidade. existem. no comrcio, triodos com fatores de amplificao variando de 10 a 100. Das vrias formas grficas de representao das caractersticas tenso-corrente do triodo, a mais til o grfico da corrente de placa em funo da tenso de placa para valores constantes da tenso de grade. As curvas. denominadas caractersticas de pluc.u, so fornecidas em conjunto para alguns valores da tenso de grade pelo fabri-

Potencial de placa, V

Fig. A1.5 Caractersticas de placa do tnodo tipo 6SN7. A curva relativa a tenso de grade nula concorda aproximadamente com a lei de Child.

cante da vlvula. como ilustrado na Fig. A1 .S. Observe que cada curva similar a curva tenso-corrente d o diodo a vcuo. Alm disso, a corrente. para uma dada tenso de placa, reduzida a medida que a grade se torna mais negativa. As curvas so deslocadas para a direita. com pequena mudana de forma para cada incremento negativo no potencial da grade, de acordo com a Eq. (A1.2). A comparaco desta equao com as curvas experimentais mostra por que necessrio o emprego de dados grficos: embora a lei de Child represente o comportamento geral das caractersticas d e placa, ela no suficientemente precisa para oferecer resultados q~iantitativos satisfatrios. De acordo com a Fig. A I S , a corrente de placa essencialmente nula para valores suficientemente negativos de potencial de grade. cujo valor necessrio para levar a vlvula a o corte depende d a tenso de placa. A vlvula , com efeito, um circuito aberto quando no corte. Estando a grade num potencial positivo, h corrente de grade aprecivel; este eletrodo . ento. o anodo de um diodo polarizado diretamente e representa uma resistncia muito mais baixa d o que no caso de estar com potencial negativo. Na maioria dos circuitos, este efeito impede que a grade se torne cada vez mais positiva. E m conseqncia, diz-se que, com tenso de grade nula, a vlvula est saturada, pois est com sua conduco mxima. A faixa entre o corte e a saturao a faixa de tenso de grade normal.

Pentodos
A capacitncia entre grade e placa introduz srias dificuldades quando a vlvula usada como amplificadora em altas freqncias. O sinal ca de placa introduzido no

CIRCUITOS COM VLVULA A VCUO

399

circuito de grade atravs desta capacitncia interfere no funcionamento adequado do circuito. Uma outra grade interposta no espao entre grade e placa para evitar o problema. Esta grade d e blindagem uma blindagem eletrosttica eficaz que reduz a capacitncia grade-placa de um fator de 1000 ou mais. Fica num potencial positivo em relao ao catodo, mantendo a corrente de eltrons oriunda deste para a placa. Seu enrolamento helicoidal muito mais aberto que o da grade de controle, de modo que sua corrente muito menor que a de placa. As vlvulas de quatro eletrodos. dos quais dois so grades, denominam-se trtrodos e esto virtualmente obsoletas, exceto para certas aplicaes especiais. O motivo disto que os eltrons, atingindo a placa, desprendem outros eltrons, que podem ser atrados pela grade de blindagem, particularmente quando o potencial desta maior que o potencial instantneo da placa. Isto introduz srias irregularidades nas caractersticas de placa para baixas tenses de placa. Uma grade Supressora introduzida entre a de blindagem e a placa, a fim de eliminar este efeito. E mantida no potencial de catodo , efetivamente, evita que todos os eltrons emitidos pela placa atinjam a grade de blindagem. O passo da hlice da grade supressora ainda maior do que o da grade de blindagem. Em conseqncia, a supressora no interfere com os eltrons que se dirigem para a placa. A vlvula de trs grades chamada de pentodo, pois h um total de cinco eletrodos. Seu smbolo de circuito convencional est indicado na Fig. A1.6. Em operao normal, as grades de blindagem e supressora so mantidas em potenciais cc constantes. A influncia do potencial da placa sobre o campo eltrico prximo ao catodo praticamente nula nos pentodos, em virtude da ao de blindagem destas duas grades. Isto significa que as variaes na tenso de placa causam pouca ou nenhuma mudana na corrente de placa. Como esta corrente quase independente daquela tenso, as caractersticas de placa so aproximadamente linhas retas paralelas ao eixo das tenses. A ao da grade de controle , no entanto, essencialmente a mesma que no triodo. Na Fig. A1.7 esto ilustradas as caractersticas de placa tpicas de um pentodo para um dado potencial positivo de grade de blindagem e com a supressora conectada ao catodo. Observe que a corrente de placa de certa forma independente da tenso neste eletrodo, como foi antecipado acima. Na realidade, contudo, estas caractersticas dependem tambm do potencial de blindagem constante. Tenses de blindagem mais elevadas deslocam as curvas da Fig. A1.7 para cima, no sentido de correntes de placa maiores, com pouqussima variao nas suas formas. E comum especificar-se as caractersticas dos pentodos em dois ou trs valores definidos de potencial de blindagem. Esta tenso mantida abaixo da de placa na maioria dos circuitos, o que resulta em corrente de grade de blindagem de aproximadamente 0.2 a 0,4 da corrente de placa.
Placa

Grade supressora Grade de controle

Grade de blindagem

Catodo

Fig. A1.6 Smbolo de circuito do pentodo.

Potencial de grade, V = O

-0.5

Potencial de placa, V

Fig. A1.7 Caractersticas de placa do pentodo tipo 6AU6.

Como foi mencionado acima, quase universal a conexo da supressora ao catodo; em muitas vlvulas isto j feito internamente. O pentodo extensivamente usado em circuitos amplificadores por causa de seu fator de amplificao bastante elevado. Ele sobrepuja o triodo como amplificador de alta-freqncia. onde a capacitncia grade-placa pequena importante. As excurses da tenso de placa podem ser quase to grandes quanto a tenso de alimentao de placa. sem introduzir excessiva distoro, de modo que tambm possvel a operao em alta potncia.

Outras vlvulas multigrades


Foram desenvolvidas muitas outras vlvulas a vcuo apropriadas para aplicaes em circuitos especiais. Um pentodo, cuja grade de controle enrolada helicoidalmente com passo varivel. possui fator de amplificao que depende acentuadamente da polarizao da grade. Isto acontece porque os eltrons so mais bem controlados na regio da grade onde o espao pequeno. Para valores suficientemente negativos da polarizao, o fluxo de eltrons cortado nesta parte da grade. O fator de amplificao corresponde, portanto, ao de uma vlvula com fios da grade bastante espaados. Para polarizao menos negativa, o fator de amplificao maior. Estas vlvulas de p varivel so empregadas em circuitos de controle automtico de volume. onde a amplificao automaticamente ajustada controlando-se a tenso cc de grade, a fim de manter o sinal de sada constante, apesar das variaes no sinal de entrada. Elas so tambm denominadas vl~~mlas corte remoto, j que preciso uma enorme tenso negade tiva de grade para reduzir a corrente de placa a um pequeno valor. Mais de uma estrutura eletrdica pode ser colocada dentro de um nico invlucro, formando dois tipos de vlvulas que so usadas juntas nos circuitos. Exemplo disto o duplo diodo a vcuo para retificadores de onda completa. Outras estruturas comuns so o duplo triodo e o duplo diodo-triodo. Muitas outras combinaes podem ser feitas . e tm sido construdas. O smbolo para o duplo triodo est indicado na Fig. A 1 . 8 ~ Ele tambm ilustra o mtodo comumente empregado para indicar as conexes dos pinos da base da vlvula aos diversos eletrodos. Estes pinos so numerados 110 sentido horrio, quando vistos por baixo; esta conveno facilita a identificao dos eletrodos quando o

CIRCUITOS COM VLVULA A VCUO

Grades de
82, g4

Grade de controle

Grade de controle g ,

(b)

- pentagrade 6BE6.

Fig. A1.8 ( a ) Diagrama da base do duplo triodo 12AX7; (bj diagrama da base da conversora

pedestal da vlvula examinado num circuito real. Vlvulas com mais de trs grades foram projetadas para fins especiais. Um exemplo o conversou pc~ntagradeda Fig. A1.8b, que tem duas grades de controle, g , e g,, blindadas uma da outra pelas duas grades de blindagem, g , e g,. A quinta grade a supressora g,. Esta vlvula empregada em circuitos conversores de freq~incia,onde dois sinais de frequncias diferentes so aplicados as grades de controle. As nolinearidades das caractersticas resultam nas frequncias soma e diferena. de maneira semelhante a do primeiro detector a diodo descrito no Cap. 4. Na realidade, o conversor pentagrade pode ser usado tambm para gerar um dos sinais no interior da prpria vlvula, de modo que preciso injetar externamente apenas um sinal. Em certas vlvulas de potncia a feixe dirigido, principalmente no tipo 6L6, os fios da grade de blindagem so alinhados com os da grade de controle. Isto forma um fluxo eletrnico laminar e reduz a corrente de blindagem de um fator de 5, mais ou menos, abaixo daquela dos pentodos convencionais. No h grade supressora, mas as placas formadoras do feixe eletrnico. no potencial de catodo, reforam ainda mais a forma deste feixe. Esta construo especfica de eletrodos obriga as cargas eletrnicas do feixe a produzir ao supressora eficiente. O resultado que as caractersticas de placa so mais retilneas e prximas do eixo V, = O do que no caso do pentodo comum. Assim, esta vlvula til como amplificadora de potncia, pois a faixa de tenso de placa permissvel aproximadamente to grande quanto a sua tenso de alimentao. Alm disso, elas so quase sempre construdas com catodos e anodos reforados, permitindo operao em alta corrente.

O AMPLIFICADOR COM TRIODO Polarizao de catodo


Os potenciais de eletrodos apropriados para permitir que o triodo a vcuo seja usado como um amplificador simples so fornecidos pela fonte de alimentao de placa, V,,. e por um resistor em srie com o catodo, conforme a Fig. A1.9. A queda de tenso neste resistor polariza a grade negativamente em relao ao catodo. O ponto de operao determinado traando-se a reta de carga sobre as caractersticas de placa, como

Fig. A1.9 Diagrama de circuito de um amplificador prtico com triodo, usando polarizao de catodo.

est mostrado na Fig. A I . 10. Por definio, este ponto deve estar localizado em algum lugar sobre a reta de carga. Como a polarizao de grade depende da corrente de placa, uma segunda reta traada ligando os pontos I , = -V,./R, em cada curva das caractersticas. A interseo desta linha com a reta de carga o ponto de operao. O capacitor C , em paralelo com o resistor de polarizao de catodo R k na Fig. A1.9 impede que os sinais ca causados pela corrente ca de placa no resistor de catodo apaream no circuito de grade. E vantajoso obter o potencial de blindagem para o pentodo a partir da prpria tenso de alimentao de placa. Isto pode ser conseguido por meio de-um divisor de tenso resistivo. No entanto, um simples resistor de queda em srie, como na Fig. A l . 11, ainda mais conveniente. O valor de R , selecionado de modo a dar a tenso de blindagem desejada, com a corrente nesta grade e o potencial de alimentao da placa determinados, sendo tpicos valores de 0,05 a 1,O M a . O resistor de blindagem

6C4
30

Ponto de operao

a
O

<
4-

20

,Curva

de polarizao

a u a
a,

2
L

10

S
o
O 100 200 300 400 500

Potencial de placa, V

Fig. A1.10 Determinao do ponto de operao da amplificadora 6C4

CIRCUITOS COM VLVULA A VCUO

403

Fig. A l . l l Circuito amplificador prtico com pentodo.

desviado com o capacitor C, para manter a tenso na grade constante, independentemente de variaes causadas pelo sinal. A determinao do ponto de operao nos pentodos com polarizao de catodo ligeiramente mais complicada do que nos triodos, porque a tenso,de polarizao depende tanto da corrente de blindagem como da corrente de placa. E usualmente.satisfatno supor que a corrente de blindagem uma frao constante da de placa e proceder como no caso do triodo. A frao correta a ser escolhida depende um pouco do tipo de vlvula em questo, podendo ser estimada a partir das caractersticas de corrente de blindagem. Para a maioria dos pentodos, a corrente total de catodo aproximadamente 1.31, no ponto de operao. Este valor d usualmente uma determinao suficientemente precisa da condio quiescente. Em muitos casos, mais simples recorrer ao seguinte mtodo de "tentativa e erro" para a determinao do ponto de operao. Escolha um ponto sobre a reta de carga correspondente a uma tenso de polarizao de grade e corrente de placa arbftrrias. A corrente de blindagem ento determinada das caractersticas de blindagem para estes valores de V , e V,. O produto -(Io + I J R , comparado com o valor escolhido para V , . Se forem iguais, a escolha original estar satisfatria. Caso contrrio. o processo repetido at que a preciso desejada seja obtida. Alm da evidente economia con-guida ao se obterem os potenciais de grade. de placa e de blindagem de uma nica fonte de tenso, estas tcnicas de polarizao tambm proporcionam operao quiescente mais estvel do que a da polarizao fixa. Suponhamos, por exemplo, que a corrente de placa tenda a aumentar devido ao envelhecimento da vlvula. Isto faz com que a polarizao de grade se torne mais negativa, o que, por sua vez, tende a diminuir a corrente de placa. A variao lquida no ponto de operao muito menor do que no caso da polarizao fixa. A mesma situao existe em relao tenso de blindagem.

Parmetros de pequenos sinais


Muito frequentemente. as amplitudes dos sinais aplicados a vlvula a vcuo so pequenas em comparao com a faixa total de tenses cobertas pelas caractersticas de placa. Torna-se ento possvel a representao das caractersticas da vlvula usandose uma aproximao da lei Child bastante precisa para pequenos sinais. Uma vez estabelecido graficamente o ponto de operao, pequenos afastamentos em torno dele. ocasionados pelos pequenos sinais ca. so tratados supondo-se que o tnodo seja um dispositivo linear. Este enfoque pode ser ilustrado do seguinte modo: de acordo com a

lei de Child, a mudana na corrente de placa causada por uma variao na tenso deste eletrodo , fazendo-se uso da Eq. (A1.2).

A relao AIb/AVbpode ser identificada como o inverso de uma resistncia equivalente denominada resistncia de placa

A corrente de placa tambm varia com a tenso de grade.

AI,

= --

3A ( p V , + &)'lip AV, = A2/31613 AV, 2 2

3e

A relao Ab/AV, a condutncia~mtua

A variao total na corrente de placa . das Eqs. (A1.7) e (A1.9).

AIb=-Aq,+gm

AV,

Uma relao til entre r, e g , obtida notando-se que, quando a variao lquida na corrente de placa nula. a Eq. ( A I . 10) torna-se

A razo -AVb/AV, justamente a definio do fator de amplificao. O sinal negativo significa que a tenso de placa diminui quando o potencial de grade aumenta. como discutido anteriormente. Em conseqncia, a Eq. (Al.11). em termos deste fator,

Esta relao til na obteno de um dos trs parmetros. quando os outros dois so conhecidos. De acordo com a Eq. ( A I . 10). pequenas variaes na corrente de placa em torno do ponto de operao, ocasionadas por variaes nas tenses de grade e de placa, podem ser calculadas se os valores convenientes dos parmetros de pequenos sinais, p, r, e g,, apropriados ao ponto de operao, forem conhecidos. A resistncia de placa justamente o inverso da inclinao da caracterstica de placa no ponto de ope-

CIRCUITOS COM VLVULA A VCUO

Tabela AI .I Parmetros de pequenos sinais do triodo


Tipo
CL
r,, 103 fl

g,,

10-3 S

rao e g , a inclinao da caracterstica de transferncia no mesmo ponto, de modo que os valores quantitativos podem ser obtidos das caractersticas tenso-corrente da vlvula. Os valores tpicos dos parmetros incrementais de diversas vlvulas so dados na Tabela A I . 1. Os valores destes parmetros dependem do ponto de operao. Por este motivo, usualmente necessrio calcular p, r, e g, graficamente no ponto determinado pelos potenciais cc e pelas caractersticas da vlvula. Em uma primeira aproximao, o fator de amplificao independente do ponto de operao, pois depende somente da relao entre as capacitncias intereletrdicas, dada pela Eq. (A1.4). A resistncia de placa depende da corrente de placa, conforme (A1.7) e (A1.6),

Da mesma forma. a transcondutncia mtua, usando-se (A1.8) e (A1.9),

Corrente de placa, mA

Fig. A1.12 Variao dos parmetros de pequenos sinais do triodo com a corrente de placa.

De acordo com (A1.13) e (A.1.14), a resistncia de placa decresce ligeiramente a medida que a corrente de placa aumenta, ao passo que a transcondutncia aumenta. Como a lei de Child no til como descrio quantitativa do comportamento do triodo, no se deve tambm esperar que as Eqs. (AI. 13) e ( A I . 14) representem exatamente a variao dos parmetros de pequenos sinais com a corrente da vlvula. No obstante, os dados experimentais de um triodo prtico (Fig. A I . 12) esto surpreendetemente bem de acordo com os resultados analticos. Observe que o fator de amplificao sensivelmente constante, exceto para as correntes de placa menores, enquanto g , e r, aumentam e diminuem, respectivamente, com o aumento da corrente de placa. De acordo com a Fig. A1.12, possvel obter considervel variao nos parmetros incrementais escolhendo-se pontos de operao diferentes.

Circuito equivalente do triodo


Os parmetros de pequenos sinais do triodo so utilizados no clculo do desempenho da vlvula em qualquer circuito, contanto que as correntes e tenses de sinal sejam pequenas, comparadas aos valores cc quiescentes. De acordo com a Eq. (A1.lO). a componente ca da corrente de placa funo das tenses ca de grade e de placa, de forma que

Daqui por diante, os ndicesg e p indicam as componentes ca das tenses (e correntes) de grade e placa, respectivamente. E preciso no se esquecer que a corrente ou tenso total do eletrodo possui, alm disso, uma componente cc correspondente ao ponto de operao. Depois da multiplicao da Eq. (A1.15) por u , e do uso da Eq. (A1.12), a tenso ca de placa dada por

Esta equao pode ser interpretada como a combinao de um gerador - p u , em srie com um resistor r,. O circuito equivalente do amplificador da Fig. A 1 . 1 3 ~ obtido substituindo-se o triodo pelo gerador em srie com o resistor, como na Fig. A1.13b. No h ligao eltrica direta entre o circuito de entrada e o de sada. Isto ilustra a ao de vlvula da grade no controle da corrente de placa com dispndio essencialmente nulo de potncia. Note que o sinal negativo associado com o gerador indica a defasagem de 180 entre a tenso de grade e a de placa. A tenso de sada do circuito amplificador pode ser calculada imediatamente do circuito equivalente.

O ganho do amplificador

De acordo com a Eq. (A1.18), o ganho mximo igual ao fator de amplificao do triodo. Este valor obtido quando a resistncia de carga muito maior do que a resistncia de placa.

CIRCUITOS COM VALVULA A VACUO

Fig. A1.13 (a) Amplificador com tnodo e (b) seu circuito equivalente ca.

No sempre que ocorre isto nos amplificadores prticos. Uma resistncia de carga elevada introduz considervel perda de potncia cc e requer fonte de alimentao V,, de grande valor para colocar a vlvula em seu ponto de operao timo. O fator de amplificao da maioria das vlvulas suficientemente grande para produzir ganhos apreciveis com baixos valores de resistncia de carga. E possvel tambm utilizar transformador no circuito de placa, pois suas propriedades de casamento de impedncias fazem com que se reflita uma elevada impedncia ca do secundrio, como foi explicado no Cap. 3. Neste caso, a resistncia cc corresponde a resistncia do enrolamento primrio, que pode ser bem pequena. O custo e a limitada faixa de frequncias dos transformadores restringem seu uso a aplicaes especiais. O valor do resistor de grade R, no presente circuito limitado apenas pela queda de tenso causada pela corrente residual neste eletrodo e que pode tirar a polarizao do valor dado pela bateria de polarizao V,,. Como a corrente neste eletrodo no normalmente um parmetro controlado, podendo variar consideravelmente, mesmo entre vlvulas do mesmo tipo, esta Lima condio indesejvel. Resistncias de grade abrangendo a faixa de 0,5 a 10MR so satisfatnas para a maior parte dos triodos. Estes valores so suficientemente elevados para que o efeito de carregamento deste resistor sobre a fonte de tenso de entrada possa ser seguramente ignorado na maioria das aplicaes. Os pentodos podem ser representados pelo mesmo circuito equivalente, contanto que sejam utilizados os valores apropriados dos parmetros incrementais. Estes parmetros dependem do ponto de operao e, portanto, variam com os potenciais das grades de blindagem e supressora. alm da tenso de placa e da de polarizao de grade. Em virtude das propriedades de corrente constante dos pentodos, geralmente

Fig. A1.14 Circuito equivalente do amplificador com pentodo.

prefervel o emprego do equivalente Norton ao do Thvenin. De acordo com a Eq. (1.56). o gerador de corrente equivalente dado pela tenso do gerador do equivalente Thvenin dividida pela resistncia interna equivalente,

O estgio amplificador com pentodo da Fig. A l . l l est representado na Fig. AI .I4 pelo seu circuito equivalente. A tenso de sada simplesmente a fonte de corrente constante vezes a associao em paralelo das resistncias de placa e de grade.

e o ganho

Na maioria dos casos, a resistncia de placa muito maior do que a de carga, de modo que uma aproximao da Eq. (A1.21)

Resistores de carga de placa muito maiores que cerca de O, I Mf2 so inconvenientes, porque a excessiva queda de tenso cc provocada pela corrente de placa iria requerer uma fonte de alimentao muito grande. No obstante, com apenas um estgio amplificador obtm-se amplificaes bastante elevadas, da ordem de 1000.

Os nmeros em negrito referem-se a locais onde o assunto e abordado mais extensamente Os nmeros fora do texto (legendas, quadros, disticos, notas etc ) em ttalrco referem-se a local~zaes

Ayrton, derivao, 34 Acelermetros, 297 - tenso de sada do, 297 Acoplamento - direto, 209 - por transformador, 194 - sintonizado, 202 Afastamento, 234 Algebra booleana, 334 - teoremas da, 335 Amortecimento critico, 56 Ampre (A), 2 Ampenmetros, 26 Amplificador - amarrado, 216 - CC,209 - com FET, 161 - com MOSFET, 164 - com transistor de juno, 165 - com tnodo, 401 - conversores, 213 - de dreno comum, 161 - de potncia, 194 - de pulso, 206 - de tenso, 187 - diferencial, 149, 177,178 - - propriedades, 177 - eficincia de um, 196 - especiais, 180 - faixa de passagem do, 191 - ganho do, 160 - logantmico, 240 - operacionais, 219-247, 229, 232 - - propriedades, 236,237 - oscilao nos, 226 - prticos, 232 - simtrico, 197,198 - sintonizados, 202 - - realimentados, 223 - transistorizados, 152-185 Amplitude, 36 - mxima ou de pico, 36 Analisadores de ondas, 305 Angulo de fase, 36 Anodo, 394 Aterramento, 315

Balanceamento, 83 Banda - de conduo, 121 - de energia, 121,303 - de valncia, 121 Barkhausen, critrio, 249 Base comum, 175 Baterias, 5 , 8 - alcalinas, 8 - chumbo-cido, 7 - de acumuladores, 6 - de carvo-zinco, 6 - de mercrio, 7 - de nquel-cdmio, 8 - smbolo de circuito convencional para, 6 - solar, 303 Bel, 191 Bit, 329 Blindagem, 3 15,316 Bolmetro a termistor, 302 Boltzmann, lei de, 126 Bomba a diodo, 279 Buracos, 123

Camada epitaxial, 148 Canho eletrnico, no tubo de raios catdicos, 64 Capacitncia, 39 - dreno-fonte, 189 - parasitas, 190 - porta-dreno, 189 - porta-fonte, 189 Capacitores, 39 - de acelerao, 273 - de mica ajustveis, 41 - eletrolticos, 40 - fixos, 41 - varivel, 41 Captaes espreas, 315 Caractersticas - de placa, 397 - de sada, 132

- de transferncia, 142 - tenso-corrente, 95 Carvo, resistividade do, 4-5 Cascata, 187 Catodo, 394 Cavidade ressonante, 323 Chave seletora mltipla, 10 Child, lei de, 395 Chokes, 42 Ciclo, 36 Circuitos - amplificadores, 186-218 - anlise de, 13 - anticoincidncia, 333 - - tabela-verdade para o, 333 - CA, anlise de, 69-93 - ceifador, 112 - com diodos, 94-119 - com transistor de juno, 172 - com vlvula a vcuo, 393408 - de coincidncia, 331 - de controle, 286 - de controle por desvio de fase, 110 - de corrente contnua, 1-34 - - conceitos introdutrios, 2 - de memria, 361 - de multiplexao para mostrador digital, 360 - de polarizao, 165 - de simetria complementar, 180 - detectores, 115 - de varredura Miller, 281 - diferenciadores, 49, 238 - digitais, 327 - em paralelo, 10 - em ponte, 80 - em ponte-T, 86 - em srie, 9 - em T-geminado, 86, 87 - equivalente do triodo, 406 - equivalente hbrido, 170 - equivalentes, 21 - equivalente T , 168 - especiais, 200 - estvel, 262

grampeador a diodo, 113 - integradores, 49, 238 - integrados - - princpios dos, 146 - - processos de fabricao, 146, 147 - interseo de ramos (n), 13 - lampejador, 283 - limitador a diodo, 112 - lgicos, 337 - meio-somador, 342,343 - misturador, 117 - multivibradores, 268 - planar, 13 - potenciomtrico. 19 - prtic~s,149 - quadrador, 276 - RLC, 73 - retificadores, 98 - seguidor de fonte. 161 - sintonizado, 78, 202 - somador-inteiro, 342,343 - superamortecido, 56 Comparador, 244, 369 Compensao com crista, 192 Complexo conjugado, 72 Componentes - lineares, 94 - no lineares, 94, 95 Computador - an~lgico, 244 - digital - - memria, 385 - - operao, 389 - - organizao, 385 _- - programa, 385 - - unidade aritmtica, 385 - - unidade central de processamento (CPU), 386 - - unidade de controle, 386 Comutao ou chaveamento, 262 Condutncia, 3 Configurao Darlington, 181 Constante - de propagao, 319 - de tempo, 50 - dieltrica, 40 Contadores, 348 - binrio sncrono, 349 - decimal, 350 - divisor-por-16, 349 - em anel, 353,354 - mdulo do, 350 Converso A-D e D-A, 375 Conversor - de aproximaes sucessivas, 376 - negativo de impedncia, 242 - pentagrade, 401 - sncrono, 215, 216 Correlatores de sinais, 381,
-

384 Correntes - alternadas, 35-68 - de curto-circuito, 21 - de fuga, 40, 42 - de malha, 17 - de saturao, 127 - eltrica, 2 - senoidal, 36 - transitrias, 50 - variantes, 35 Cristal - semicondutor. 96 - - comvensado. 124 Cursor de reosttol 292

D' Arsonval, medidor de, 25, 26 Decaimento, 208 Decibel, 191 Decodificador, 355 - lgico, 358 Demodulao, 117 De Morgan, teoremas de, 335 Depleo, 144,145 Deriva, 210 Desacoplamento, 193 Detector, 116, 117 - de radiao de juno, 303 - sensvel a fase, 217 Diafonia, 3 15 Diagrama de nveis de energia, 121, 122 Dieltrico, 40 Diferena de potencial eltrico, 2 Diodo, 94 - a vcuo, 96, 394 - - catodo do, 394 - de contato de ponta, 98 - de juno, 96 - de quatro camadas, 134 - emissoi-es de luz (LED), 357 - Esaki, 128 - resistncia do, 262 - semicondutor, 97, 124 - - smbolo de circuitu para o, 97,98 - tnel, 127 - zener, 106,107, 108 Dispositivos semicondutores, 120-151 Distoro, 156 - de cruzamento, 199 Divisor de tenso, 10 Dobrador de tenso, 101 Dopagem, 124 Dreno, 139 - caractersticas do, 141

Efeito - Joule, 4 - tnel, 127 Elemento (ou clula seca), 6 - de circuito, 4 Eletrodo - de calomelano, 298 - de vidro, 298,299 Eletrlito, 6 Eletrmetro de lmina vibrtil, 309 - funcionamento, 3 10 Eletrnica digital, 327-370 Eltron-volt (eV), 123 Emisso termoinica, 394 Emissor comum, 132, 172 Enrolarnento - de realimentao, 255 - primrio, 88 - secundrio, 88 - superacoplados, 203 Entrada - inversora, 233, 275 - no inversora, 233 Equaes - da linha de transmisso, 318 - do movimento de um corpo vibratrio, 258 - do retificador, 127 Estabilidade, 226 - anlise da, 260 - da varredura, 281 - dos circuitos digitais, 328 Estrutura escalonada - binria, 378,379 - D-A, 377 - ponderada com resistor, 377 Extensmetro - de silcio, 296 - resistivo, 295, 296

Farad, 39 Fase, 36 Fator - de amplificao, 397 - de ondulao r, 102 - de potncia, 37 - do medidor, 296 - Q, 79 Ferrite, 44 Figura de rudo (NF), 3 14 Filtro, 101 - ativo, 241,243 - capacitivo, 102 - em L, 104 - em?, 105 - passa-altas, 45

- passa-baixas, 46 - RC, 46 - RL, 44 Flip-flop (v. Multivibrador) - armado, 344 Flutuao, 238 Fonte, 139 - comum, 161 Fora eletromotriz, 5 Formas de onda complexas, 57 Fortran, declarao, 390, 391 Fotoclulas, 299 Fotomultiplicador, 302 Fourier, srie de, 57 Freqncia, 36 - de corte, 323 - de corte alfa, 191 - de corte inferior, 191 - de meia-potncia, 46 - de oscilao, 261 - de ressonncia, 75, 55 - fundamental, 57 Funo - autocorrelao, 384 - correlao cruzada, 383

Impedncia, 70 - caractenstica, 3 17 - complexa, 70, 71 - do cristal de quartzo, 259 - infinita, 258 - zero, 258 Impurezas, 123 - aceitadoras, 124 - doadoras, 124 Indicadores - de elemento nico, 354 - de sete segmentos, 356,359 - visuais, 353 Indutncia, 39 - mtua, 88 - RFC, 259 Indutores, 42 Instrumentos digitais, 372 Integrao em larga escala (LSI), 150 Integrador de dupla rampa, 375 Intervalo de energia proibida, 121 - de semicondutores tpicos, 123

- emissor-acoplado, (ECL), 341 - negativa, 337 - resistor-capacitor-transistor, (RCTL), 340 - resistor-transistor (RTL), 339 - transistor-transistor, (TTL), 340

Ganho, 300 - de corrente a , 131 - de corrente cc, 167 - de tenso de malha aberta, 237 - em alta frequncia, 189 - em baixa frequncia, 188 - na faixa mdia, 188 Gerador - dente-de-serra, 264, 268 - de rampa de varredura Miller, 280 - de sinais, 251, 277 Gigahertz, 36 Grade, 396 - de blindagem, 399 - supressora, 399 Gravador magntico, 307 - cabea reprodutora do, 309 Guias de onda, 323

JK mestre-escravo, 346 Joule - lei de, 3 - por segundo, 4 Juno - do coletor, 130 - - rea da, 138 - do emissor, 130 - pn, 124,125

Kirchhoff, leis de, 13

Harmnicos, 57 Henry, 42 Hertz (Hz), 36 Heterodinagem, 117 Hiprbole de potncia mxima, 195 .

IGFET, 143

Lao, 13,241, 316 Linguagem - assembly, 390 - de mquina, 390 Linguagens de programao, 389 Linha - coaxiais, 320 - de retardo, 322 - de transmisso, 316 - geminada, 320 Lissajous, figuras de, 66, 67 Lgica - a diodo (DL), 339 - digital, 328 - diodo-transistor, ( D T L ) , 340

Malha, 13 Maxwell, mtodo de, 17 Mxima transferncia de potncia, 24 Medidas - digitais, 371-392 - eltricas, 25, 285-326 Medidores - de frequncia, 372,373 - de intervalo de tempo, 372 - de pH, 298 Megahertz, 36 Megohm, 4 Memria - apenas de leitura, 361 - de acesso aleatrio, 368 - de registradores de deslocamento MOS, 363 Mtodo voltmetro-ampenmetro, 28 Mho, 3 Microampre, 26 Microcomputador, 386,387 Microfarad, 39 Microfone capacitivo, 294 Microhenry, 42 Microprocessador, 388 Miliampre, 26 Milihenry , 42 Milivoltmetro balanceado com FET, 212 Miller - efeito, 190 - varredura, 280 Modelo de bandas de energia, 121,122 Montador simblico ("assembler"), 390 MOSFET, 143 - de depleo, 144 - de dupla-porta, 144 - de reforamento, 144 - em circuito integrado, 182 - smbolo de circuito para o, 144,146 Multmetros, 29 Multiplexao, 361 Multivibradores, 268 - biestvel, 277 - binrio (ou "flip-flop"), 271,

--

2 72 desarmado, zerado ou limpo, 274 - com amplificadores operacionais, 278 - estvel, 268,269 - monoestvel ou monopulso, 276,277 - polarizao do, 281

- de amostragem, 305,306 - de raios catdicos, 64

Neutralizao, 204 Nveis de energia do tomo, 121 N, 13 Norton, teorema de, 23,24 Nmeros - binrios, 328,329 - - manipulaes aritmticas com, 328 - decimais, 329 - - cdigo binrio para, 357

Ohm, 3 - lei de, 3 - - para CA, 70 Ohmmetros, 29 Onda - dente-de-serra, 59, 60 - - linear, 268 - em escada, 279,280 - quadrada, 59, 60 - - resposta a, 61 - - teste da, 209 -semi-senoidal, 61 Operaes matemticas, 230 Osciladores, 248-284 - a cristal, 257 - a diodo tnel, 263 - Colpitts, 254,255 . - com circuitos ressonantes, 253 - de deslocamento de fase, 249,250 - de relaxao, 264,265 - - estabilidade de freqncia dos, 267 - - sincronizao da freqncia do, 267 - de resistncia negativa, 260 - em ponte de Wien, 251 - harmnico amortecido, 244 - Hartley, 253, 257 - LC, 253 - Pierce, 259 - RC, 249 - valvulares ou transistorizados, 248 Osciloscpio, 303,304

Parmetros - de pequenos sinais, 403,405 - hbridos, 169 - - notao dos ndices dos, 169 - incrementais, 157,159 - valores aproximados, 175 Pauli, piincpio de excluso de, 121 Pentodos, 398 - caractersticas de placa tpicas de um, 399,400 - smbolo de circuito do, 399 Pequenos sinais, 158 Penodo T, 36 Picoampre, 26 Picofarad, 39 Placa, 396 Polarizao, 154 - de catodo, 401 Pontas de prova, 29 Pontes - de capacitncia, 81 - de indutncia, 81 - RLC, 83 Ponto - de operao, 154 Porta, 108, 139 - lgicas, 329 - - inversora, 332 - - dinmica, 366 - - caractersticas das, 341 - NO-E (ou NE) DTL, 148 - polarizada, 153 - retardo de propagao da, 340 Portadores - majoritrios, 124 - minoritrios, 124 - - injeo de, 129 Processadores de mdia de sinal, 381 Propriedades piezoeltricas do quartzo, 258 Pulsos, 281 Potencimetro, 5, 19, 298

Quartzo, 260 Queda de tenso R I , 9 Quilohertz, 36 Quiloohms, 4

Rampa, 279

peridica, 279 Razo - de rejeio d e modo comum, 180 - de retificao, 395 Realimentao, 202, 219 - de corrente, 225 - de tenso, 220 - negativa, 219, 220 - - beneficias da, 221 - operacional, 219, 228 - positiva, 226, 249 Reatncia - capacitativa, 39 - indutiva. 42 Redes, 11 Reflexes. 322 Registradores, 349, 352 - circulador, 353 - de deslocamento, 353 - - dinmico, 365 - de informao, 344 - de transitrios, 384 - grfico, 291 Regulao da fonte de alimentao, 103 Regulador - de tenso, 106, 286,325 - - efeito estabilizador do, 286 - paralelo, 288 - srie, 288 - zener, 288 Relao - de transformao, 89 - entre o s parmetros d o s transistores, 171 - sinal/rudo, 3 11 Relaxao, 263 Relgio, 275, 386 Reostato, $ Repique, 55 Representao - paralela, 339 - sequencial, 339 Resistncia, 2 - de dreno, 157 - de placa, 404 - multiplicadoras, 27 - negativa, 260 - unidade de, 3 Resistividade, 2 - da prata, 2 - de ligas e metais, 2 Resistores, 4 - cdigo de cores de, 5 - de composio, 5 - de fio, 4 - de pelcula fina, 4 - interruptor, 289 - smbolo convencional, 4 - variveis, 5 Resposta em frequncia, 191
-

.
I

Ressonador de quartzo, 258 Ressonncias, 322 - paralela, 76 - srie, 73 Reta - de carga, 153 - de polarizao, 156 Retificador, 94 - controlado, 108 - - de silcio (SCR), 108, 134 - de meia-onda, 98 - de onda-completa, 99 - em ponte, 100 - ideal, 95 - sncrono, 216 Retrocesso - linha de, 65 Rudo, 311 - "branco", 312 - de cintilao, 313 - de corrente, 312 - em ti-ansistores, 313 - g-r ou de gerao-recombinao, 314 - lIf, 312 - Johnson, 31 1 - Nyquist, 311 - "shot", 313 - trmico, 3 11

- lgicos, 337 - senoidais, 36 - - defasados, 36 - - propagao dos, 321 Sincronismo assimtrico, 282 Sintonia escalonada, 203 Sistema - servo, 290 - superamortecido, 291 Ultrapassagem, 269 Somadores, 342

- fabricao de, 136 - planar, 138, 139 - unijuno, 135 Transitrios CA, 53 Trimmer, 41 Triodo, 120, 152 Tubo de raios catdicos, 64

,
-

'

Tempo - de acesso, 367-368 - de retardo, 320 - de subida, 206 Tenso - base-emissor, 240 - de circuito-aberto, 21 - de pico, 99 Teorema - da associatividade, 335 - da absoro, 335 - da comutatividade, 335 - da distributividade, 335 Terra, 157 - virtual, 228 - lao de, 316 S Tetrodos, 399 Thvenin, teorema de, 21 Schmitt, disparador, 275, 276 Transcondutncia mtua, 157 - polarizao do, 281 Transdutores Seguidor de emissor, 176 - - de capacitncia, 295 Semicondutores, 120, 121 - mecnicos, 293 Transformadores, 88 - extnnsecos, 123 - intrnseco, 123 - abaixador, 89 Servomecanismos ou servos, - de fora, 91 289 - diferencial, 293,294 Servopotencimetro, 292 - elevador, 89 Siemens, 3 - prticos, 90 Simulao, 244 Transistor, 120, 152, 268 Sinal - aplicaes, 186 - de erro, 291 - de efeito de campo (FET), - de sincronismo, 267 139 - digitais, 327 - de juno, 130

Valncia, 121 Valor '-eficaz, 37, 59 - rms, 37 Vlvulas. 152 - a vcuo, 396 - de corte remoto, 400 - de potncia a feixe dirigido, 40 1 - fotomultiplicadora, 301 - multigrades, 400 - Nixie, 356 Varredura - tenso de, 65 - velocidade da, 281 - sincronizada, 281 Vibrador, 213 Volt (V), 2 Voltimetros. 26 - a FET, 153 - a vlvula (VTVM). 164 ,, - CA, 114 - detector de pico, 115 - digital, 374 - eletrnico a FET, 163

Watt (W), 4 Weston, clula de, 19 Wheatstone, ponte de, 16, 18 - - balanceada, 19 Wien, ponte de, 83,84

Zumbido, 315