Introduccin Los semiconductores son materiales ampliamente usados en la electrnica y en la electrotecnia, gracias a su empleo en la fabricacin de diodos y transistores, es posible

lo que conocemos como la electrnica moderna ya que estos elementos constituyen su base, en lo que a la electrotecnia se refiere su aplicacin est en el campo de la electrnica de potencia. Para adquirir una comprensin bsica de semiconductores ser necesario el entendimiento de teora atmica bsica y de la estructura de los materiales. Conocer las caractersticas particulares de estos materiales mismos que los hacen tan interesantes y tiles en la actualidad.

tomo Es la unidad ms pequea de un elemento qumico que mantiene su identidad o sus propiedades, y que no es posible dividir mediante procesos qumicos, formado a su vez por partculas subatmicas: Protones (de carga positiva), Neutrones (sin carga) en su ncleo y Electrones (de carga negativa) dispuestos en rbitas.

Modelo atmico de Bohr El tomo es un pequeo sistema solar con un ncleo en el centro y electrones movindose alrededor del ncleo en rbitas bien definidas. Las rbitas estn cuantizadas, es decir, los electrones pueden estar solo en ciertas rbitas. Cada rbita tiene una energa asociada. La ms externa es la de mayor energa. Los electrones no radian energa (luz) mientras permanezcan en rbitas estables. Los electrones pueden saltar de una a otra rbita. Si lo hace desde una de menor energa a una de mayor energa absorbe un cuanto de energa (una cantidad) igual a la diferencia de energa asociada a cada rbita. Si pasa de una de mayor a una de menor, pierde energa en forma de radiacin (luz).

Nmero atmico En qumica, el nmero atmico es el nmero entero positivo que es igual al nmero total de protones en el ncleo del tomo. Se suele representar con la letra Z (del alemn: Zahl, que quiere decir nmero). El nmero atmico es caracterstico de cada elemento qumico y representa una propiedad fundamental del tomo: su carga nuclear.

Capas y rbitas electrnicas Los electrones orbitan al ncleo a ciertas distancias de l. Los electrones cercanos al ncleo poseen menos energa que los de rbitas ms distantes. Se sabe que slo existen valores discretos de energas electrnicas dentro de las estructuras atmicas. Por consiguiente, los electrones deben orbitar slo a distancias discretas al ncleo. Cada distancia discreta (rbita) al ncleo corresponde a un cierto nivel energtico. En un tomo, las rbitas se agrupan en bandas energticas, conocidas como capas. Un tomo dado tiene un nmero fijo de capas. Cada capa tiene un nmero mximo fijo de electrones (2n2) en niveles energticos permisibles. Las diferencias en niveles energticos dentro de una capa son mucho menores que las diferencias en energa entre capas. Las capas se designan con las letras K, L, M, y as sucesivamente, siendo la K la ms prxima al ncleo.

Electrones de valencia Los electrones de valencia son los electrones que se encuentran en los mayores niveles de energa del tomo, siendo stos los responsables de la interaccin entre tomos de distintas especies o entre los tomos de una misma. Estos electrones, son los que presentan la facilidad, por as decirlo, de formar enlaces. Estos enlaces pueden darse de diferente manera, ya sea por intercambio de estos electrones, por comparticin de pares entre los tomos en cuestin o por el tipo de interaccin que se presenta en el enlace metlico, que consiste en un "traslape" de bandas. Segn sea el nmero de estos electrones, ser el nmero de enlaces que puede formar cada tomo con otro u otros

Ionizacin Cuando un tomo absorbe energa de una fuente calorfica o de la luz, los niveles energticos de los electrones se elevan. Cuando un electrn gana energa, pasa a una rbita ms alejada del ncleo. Como los electrones de las capas exteriores poseen ms energa y se encuentran ligados con menos fuerza que los electrones interiores, pueden saltar a rbitas ms altas cuando absorben energa externa. Si un electrn de valencia adquiere una cantidad suficiente de energa puede removerse completamente de la capa exterior y de la influencia del tomo. La salida de un electrn de valencia deja a un tomo previamente neutro con un exceso de carga positiva (ms protones que electrones). El proceso de perder un electrn de valencia se conoce como ionizacin y el tomo resultante, cargado positivamente, se denomina ion positivo (catin). Por ejemplo, el smbolo qumico para el hidrgeno es H; cuando pierde su electrn de valencia y se convierte en un catin, se designa con H+. El electrn de valencia que escap se llama electrn libre. Cuando un electrn libre cae en la capa externa de un tomo de hidrgeno neutral, el tomo se carga negativamente (ms electrones que protones) y se le llama ion negativo (anin), designndosele con H-.

Estructura del Silicio y del Germanio El tomo de Silicio (Si) contiene 14 electrones dispuestos de la siguiente forma: 2 electrones en la primer capa (capa completa) 8 electrones en la segunda capa (capa completa) 4 electrones en la tercera capa o externa (capa incompleta).

El tomo de Germanio (Ge) contiene 32 electrones dispuestos de la siguiente forma: 2 electrones en la primer capa (capa completa) 8 electrones en la segunda capa (capa completa) 18 electrones en la tercera capa (capa completa) 4 electrones en la cuarta capa o externa (capa incompleta).

Enlace atmico El Germanio y el Silicio tienen cuatro electrones en su capa exterior, por lo tanto un tomo de estos elementos puede combinarse con otros cuatro tomos iguales compartiendo un par de electrones con cada uno de ellos, completando as los 8 electrones de la capa exterior y adquiriendo as una configuracin estable. Los tomos de Silicio o de Germanio, ligados entre s de esta forma, conforman una red de cubos denominados "cristales elementales" que comparten los cuatro electrones de los vrtices comunes, dando lugar a la formacin del cristal de Silicio o de Germanio.

La estructura tal como se observa en la figura no tiene electrones dbilmente unidos al ncleo, por lo tanto el elemento conforma un mal conductor. Para poder separar las ligaduras covalentes y proveer as electrones libres para la conduccin de corriente elctrica, sera necesario aplicar altas temperaturas o campos elctricos intensos al material. Otra manera de alterar la estructura cristalina y obtener as electrones libres, consiste en agregar pequeas cantidades de otros elementos que tengan una estructura atmica diferente.

Conduccin en cristales semiconductores Los electrones de un tomo pueden existir slo dentro de bandas energticas prescritas. Cada capa alrededor del ncleo corresponde a una cierta banda energtica y est

separada de capas adyacentes por intersticios energticos, donde no pueden existir electrones.

Electrones de conduccin y huecos Un cristal de silicio puro a la temperatura ambiental absorbe energa calorfica del aire circundante, originndose que algunos electrones de valencia ganen suficiente energa para saltar el espacio desde la banda de valencia hasta la banda de conduccin, convirtindose en electrones libres. Cuando un electrn salta a la banda de conduccin deja una vacante en la banda de valencia. A esta vacante se le llama hueco. Para cada electrn que se eleve a la banda de conduccin mediante energa trmica o luminosa, se deja un hueco en la banda de valencia, creando lo que se denomina un par electrn hueco. La recombinacin ocurre cuando un electrn en la banda de conduccin pierde energa y cae nuevamente en un hueco en la banda de valencia. Para resumir, una pieza de silicio puro a la temperatura ambiente tiene, en cualquier instante, un cierto nmero de electrones en la banda de conduccin (libres) que no estn adheridos a ningn tomo y se desplazan esencialmente al azar a travs del material. Existen tambin un nmero igual de huecos en la banda de valencia, creados cuando esos electrones saltan a la banda de conduccin.

Germanio contra silicio La situacin en un cristal de germanio es similar a la del silicio, salvo que, en virtud de su estructura atmica, el germanio puro tiene ms electrones libres que el silicio y, por lo tanto, una conductividad ms alta. Sin embargo, el silicio es el material semiconductor favorito y se usa ms ampliamente que el germanio. Una razn para esto es que el silicio puede usarse a una temperatura mucho ms elevada que el germanio.

Corrientes electrnicas y de huecos Cuando se aplica un voltaje a travs de una pieza de silicio, los electrones libres en la banda de conduccin se atraen fcilmente hacia el extremo positivo. Esta movimiento de electrones libres es un tipo de corriente en un material semiconductor, llamada corriente de electrones.

Otro mecanismo de corriente ocurre a nivel de valencia, donde existen los huecos creados por los electrones libres. Los electrones que permanecen en la banda de valencia continan an adheridos a sus tomos y no son libres para moverse aleatoriamente en la estructura cristalina. Sin embargo, un electrn de valencia puede caer en un hueco prximo, con poco cambio en su nivel energtico, dejando as otro hueco de donde l procedi. Al movimiento del hueco en la estructura cristalina, se le denomina corriente de huecos.

Semiconductores, Conductores y Aisladores

En la figura se observa una comparacin de las bandas energticas para los tres tipos de materiales que muestra las diferencias esenciales entre ellos, considerando la conduccin. El intersticio energtico para un aislador es tan ancho que difcilmente los electrones adquirirn la suficiente energa para saltar a la banda de conduccin. Las bandas de valencia y de conduccin en un conductor (como el cobre) se traslapan, as que hay siempre muchos electrones en conduccin, an sin la aplicacin de energa externa. El semiconductor tiene un intersticio energtico que es mucho ms estrecho que el de un aislador.