Laboratorio de Ondas Guiadas Prctica #4 a Trabajo Previo 1) Explique con sus prpias palabras el signicado del concepto impedano

cia. 2) Dos placas planas paralelas (cada una con un rea de a [m]), separadas a con un material dielctrico perfecto (con permitividad ) una distancia e de d [m], hacen una capacitor de placas planas paralelas. i) Indique cul es la capacitancia de dicho capacitor a ii) Indique cual es la impedancia (Zc )de dicho capacitor 3) Un cable enrollado alrededor de un ncleo ferromagntico (con permeu e abilidad ), de radio r, hace un inductor. Si el nucleo mide 1 [m] de largo y el enrollamiento hace n vueltas, indique: i) Cul es la inductancia de dicho inductor a ii) Cul es la impedancia (Zl )de dicho inductor a o 4) Investigue y escriba la relacin entre el VSWR y la impedancia al nal de una gu de onda. a 5) Obtenga e imprima una Crta de Smith a

Objetivos Entender el signicado de la impedancia asociada a un dispositivo de microondas. e as Aprender un mtodo para medir impedancias en gu de onda. Aprender a usar la Carta de Smith. 1

Fuente de energia Sin Sout

Dispositivo de microondas

Guia de alimentacion

Figure 1: Ilustracin del ujo de energ en la entrada de un dispositivo de o a microondas. Introduccin (*** PRELIMINAR***) o Impedancia de un dispositivo de microondas Cuando un dispositivo de microondas (como un atenuador, una l nea ranurada, o una antena de corneta) se alimenta mediante una gu de onda, en la a entrada del dispositivo se puede observar energ uyendo en dos sentidos: a 1) hay energ que uye hacia adentro del dispositivo (energ que viene de la a a fuente a travs de la l e nea de alimentacin), y 2) hay energ que uye hacia o a afuera del dispositivo (energ que viene de reexiones internas que ocurren a despus del punto de eentrada). Los ujos de energ electromagntica que se e a e observan en el punto de entrada de un dispositivo de microondas se ilustran en la Figura 1. La cantidad de energ que sale de la entrada de un dispositivo de microondas a normalmente es menor que la energ que entra; a menos que el dispositivo a no sea pasivo, y pueda generar y/o suministrar energ (como es el caso de a una fuente de energ o una antena usada para recibir). a, Cuando usamos algn dispositivo en la prctica, es muy importante conocer u a la manera como se comporta la energ que entra a un dispositivo. Es decir, a es importante saber cuanta energ saldr del dispositivo, dado que se le a a suministre una cantidad de energ a). Por esta razn, todos los dispositivos o de microondas se caracterizan con un nmero complejo llamado impedancia, u que nos permite calcular lo que se dene una cantidad compleja

La impedancia es un nmero complejo que tiene una parte real llamada u resistencia (R), y una parte imaginaria llamada reactancia (): Z = R + j Impedancia de entrada vs. coeciente de reexin o 1 + (z) 1 (z)

Z(z) = Zo Donde (k = 2/):

(z) = ||e2jkz = L ej4 . El coeciente de reexin (z) siempre tiene la misma magnitud, porque en o cualquier punto de la gu en que se observe la relacin entre las amplitudes a o de los paquetes de energ que entran y los que salen, se observar que la a a relacin es la misma. Sin embargo, el defasamiento entre los paquetes que o entran y los que salen, si depende de la posicin a lo largo de la gu por lo o a, que tiene una fase que var con z. a El coeciente de transmisin al nal de la l o nea, tambin conocido como el e coeciente de reexin en la carga (L ), est dado por (prctica #3): o a a L = V SW R 1 . V SW R + 1

Plano complejo de (z) y Carta de Smith Calcular los parmetros de una l a nea de transmisin (tales como impedancia o de entrada, coeciente de reexin o bien la impedancia de carga) puede ser o tedioso debido al manejo de cantidades complejas. Actualmente se pueden obtener estos parmetros usando software especializado, o bien por mtodos a e grcos. Un mtodo grco muy comn, que se estudiar en esta practica, a e a u a utiliza la Carta de Smith (mostrada en la Figura 1). 3

Figure 2: Carta de Smith. Este mtodo grco consiste en un mapa que muestra la resistencia y e a reactancia normalizadas, asociadas a un coeciente de reexin ((z)), que o es un nmero complejo gracado en el plano complejo de (ver Figura 3). u Los circulos que se observan en la Figura, permiten leer los valores de resistencia y reactancia NORMALIZADAS (Rn y n ) asociados a cada valor de : Z(z) 1 + (z) Z(z)n = Rn + jn = = . Zo 1 (z) Para poder leer la resistencia y reactancia normalizados en la carta de Smith, primero es necesario observar que la carta contiene series de circulos concentricos para Rn y n constantes (ver Figura 4). En la carta de Smith cada c rculo Rn y n constante tiene un valor asociado, que indica el valor de Rn o n que corresponde al c rculo. Los c rculos de Rn constante son hortogonales a los de n constante, y la interseccin de un circulo de Rn con un circulo de o n marca la impedancia asociada al coeciente de reexin (z), que es el o 4

Im{}

Re{}

Figure 3: Plano complejo del coeciente de reexin. o nmero complejo referido a un plano complejo de mostrado en la Figura u 3. Variacin de y Z a lo largo de la Gu de Onda o a Dispositivos que almacenan energ electromagntica a e Desarrollo En esta prctica construimos una impedancia arbitraria, introduciendo un a obstaculo al paso de la energ (reactancia), y conectando una terminal rea sistiva al nal de la l nea (capacitancia), y procedemos a medir experimentalmente la impedancia conectada. PRECAUCION: NUNCA MIRES DIRECTAMENTE EN UNA GU DE ONDA ENERGIZADA. A pesar de que los niveles de IA 5

 = 1.0

= 2.0 = 5.0

R=0 R = 0.5 R=1 R=2

= 0.5

=0

= -0.5 = -5.0 = -1.0 = -2.0

Figure 4: Circulos de impedancia normalizada: a) Resistencia Constante y b) Reactancia constante potencia manejados por el equipo de laboratorio son bajos, el ojo humano es especialmente susceptible al da o por radiacin con n o microondas (a la frecuencia de operacin del equipo). o Con las piezas del Kit de microondas, arma el dispositivo mostrado en la Figura 5. Los elementos (el calibrador y la terminal resistiva) a la derecha del diagrama representan la impedancia a medir. Coloca el calibrador a 40 mm de la carga, y ajusta la punta 5mm dentro de la gu a. Antes de encender la fuente asegurate que el interruptor del oscilador se encuentre en la posicin de internal keying, y que interruptor de el medidor o se encuentre en la posicin de detector output. o 1) Fija el atenuador inicialmente en mxima atenuacin y enciende el osa o cilador. Recuerda que el calibrador debe estar a 40mm de la carga. Mueve el detector de la l nea ranurada hasta encontrar un punto donde la seal sea mxima y ajusta el atenuador (y la sensibilidad del medin a dor) para obtener una lectura mxima (5mA) en el indicador de corria ente. 6

Obstaculo capacitivo

Segmento de guia

Figure 5: Obstaculo capacitivo/inductivo 2) Mueve el detector hasta encontrar un m nimo y registra la posicin (x1 ) o del m nimo. 3) Toma las lecturas de corriente mxima y m a nima y calcula el SWR del patrn de onda estacionaria que se forma dentro de la l o nea. 4) Dibuja en la carta de Smith un c rculo cuyo radio corresponda al valor de SWR obtenido: Encuentre en alguna de las escalas mostradas abajo de la carta el SWRobtenido. Trace una linea vertical, y encuentre la interseccin con el c o rculo de reactanca cero ( = 0) Con el comps trace una circunferencia centrada el el or a gen del plano complejo, que pase por el punto de interseccin encontrado o antes. 5) Remueve el calibrador de l nea ranurada y la terminal resistiva, y coloca una placa de cortocircuito al nal de la l nea. 6) Encuentra dos posiciones consecutivas (x2 y x3 ) donde haya m nimos, y registra su valor. La posicin x2 debe corresponder al m o nimo mas cercano a la carga. Pregunta 1) Cul es el valor de g ? a 7

Figure 6: Conexiones para observar el patrn de onda estacionaria o 7) Encuentra el desplazamiento (medido en lambdas) entre el m nimo del patrn de onda estacionaria del corto circuito (x2 ) y el m o nimo de la seal con la carga que deseamos caracterizar (x1 ): n D= x1 x2 g

8) En la carta de Smith, partiendo desde el punto donde Z = 0 + j0, muevete alrededor de la escala exterior hacia el generador distancia que acabas de calcular. Junta el punto que acabas de calcular con el origen del plano complejo. 9) Lee la impedancia en el punto de inteseccin de la linea trazada en el o inciso 7 y la circunferencia trazada en el inciso 4. Lo que acabas de leer es la impedancia normalizada conectada al nal de la gu a. Pregunta 2) Cul es el valor de la impedancia normalizada de la a carga? 8

Pregunta 3) Que tipo de impedancia creamos (capacitiva o inductiva)? Pregunta 3) Si la impedancia caracter stica de la gu es de 50, cul a a es la impedancia en de la carga que caracterizamos en sta prctica e a ?

Trabajo Complementario Se tiene una l nea de transmisin con una longitud de onda de 0.358, y o una impedancia caracter stica Zo = 100. La impedancia de la carga es ZL = 220 + j120 . Usando la carta de Smith calcula lo siguiente: El VSWR correspondiente El coeciente de reexin (magnitud y ngulo) o a La impedancia de entrada a la l nea