INTRODUCCIÓN.

Características Generales del BJT

El interés actual del Transistor Bipolar de Potencia (BJT) es muy limitado, ya
que existen dispositivos de potencia con características muy superiores.
Le dedicamos un tema porque es necesario conocer sus limitaciones para poder
TEMA 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA comprender el funcionamiento y limitaciones de otros dispositivos de gran
importancia en la actualidad.

Saturación Cuasi-Saturación
3.1. INTRODUCCIÓN 1/Rd
Ruptura Secundaria C
3.2. CONSTITUCIÓN DEL BJT IC(A)
Ruptura Primaria IC
3.3. FUNCIONAMIENTO DEL BJT IB
Activa B
3.3.1. Zona Activa
Corte IE
3.3.2. Zona de Cuasi-Saturación E
0
3.3.3. Zona de Saturación BVSUS BVCE0 BVCB0 VCE (V)

3.3.4. Ganancia Característica de salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN de potencia, para
distintas corrientes de base, IB5>IB4>...IB1 y Esquema del BJT de tipo NPN.

3.4. TRANSISTOR DARLINGTON Valores máximos de VCE : Definición de Corte:

BVCB0>BVCE0>BVSUS de IC= -α IE+IC0 ; -IE=IC+IB ;

3.5. EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN BVSUS : Continua. α 1
BVCE0 : Para IB=0 se deduce: IC = ⋅ IB + ⋅ IC0
3.6. EXCITACIÓN DEL BJT BVCB0 : Para IE=0 1−α 1−α
Posibles definiciones de corte:
3.7. CONSIDERACIONES TÉRMICAS 1
a) I B = 0⇒ I C = ⋅ I C 0 ≈ 10 ⋅ I C 0
1−α
3.8. AVALANCHA SECUNDARIA
b) I E = 0⇒I C = I C 0
3.9. ZONA DE OPERACIÓN SEGURA (SOA) Por tanto se considera el transistor cortado
cuando se aplica una tensión VBE
ligeramente negativa ⇒IB = -IC = -IC0

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 1 de 17 Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 2 de 17
 CONSTITUCIÓN DEL BJT CONSTITUCIÓN DEL BJT

n+
B B
p B E B
n+
+
WE=10µm 1019 cm-3 n
C WB=5÷20µm p
1016 cm-3
Transistor Tipo Meseta (en desuso)
Zona de
• La anchura de la base y su dopado serán lo menores posibles para conseguir expansión
una ganancia lo mayor posible (baja recombinación de los electrones que 1014 cm-3 n-
atraviesan la base). 50÷200µm
• Para conseguir BV elevada, se necesita una anchura de base grande y un
dopado pequeño.
WC=250µm
1019 cm-3 n+
¾ El problema surge cuando el dopado es pequeño, pues para alojar la zona
de deplexión la base debe ser muy ancha, bajando la ganancia. Es por
tanto necesario encontrar unos valores intermedios de compromiso.

¾ Este compromiso implica que los BJT de potencia tienen una ganancia
típica de corriente entre 5 y 10. (muy baja). C
Sección Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Típico

Ventajas de la estructura vertical:

• Maximiza el área atravesada por la
corriente:
• Minimiza resistividad de las capas
• Minimiza pérdidas en conducción
• Minimiza la resistencia térmica.
En la práctica, los transistores
bipolares de potencia no se
construyen como se ve en esta
figura, sino que se construyen en
forma de pequeñas celdillas como
la representada, conectadas en
paralelo.

Los dispositivos de potencia que estudiaremos en este curso se construyen

empleando una estructura vertical y en forma de pequeñas celdillas en paralelo.

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 CONSTITUCIÓN DEL BJT FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona Activa

Base Emisor
Vbb R
Vcc
B
+
E n p n- n+ C
Carga
n+ n+ n+ n+

Activa
p (Exceso de
electrones
n- en la Base)

n+
Unión
Zona Activa: Colector-Base
Colector (inversamente
VCE Elevada polarizada)
Sección Vertical de un Transistor Bipolar de Potencia Multiemisor de Tipo
NPN
Distribución de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de
Ventajas de la estructura multiemisor: potencia típico en activa.

• Reduce la focalización de la corriente debida al potencial de la base causante

de la avalancha secundaria.

• Reduce el valor de RB (disminuye pérdidas y aumenta la frecuencia fT ).

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 FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Cuasi-Saturación FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Zona de Saturación

Vbb R Vbb R
Vcc Vcc
B B
+ +
E n p n- n+ C E n p n- n+ C

Carga Carga en
(Exceso de exceso

Saturación
Saturación

electrones
Cuasi-

en la Base)
Q2
Q1
Base Virtual Base Virtual
Distribución de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de Distribución de la carga almacenada en la base de un transistor bipolar de
potencia típico, en Cuasi-Saturación. potencia típico, en saturación.

Cuasi-Saturación:

En activa al subir IB, IC↑ ⇒ VCE↓ (=VCC - ICR ).

Simultáneamente: VjCB↓ (=VCE - ICRd ). Donde Rd es la resistencia de la capa
de expansión.
El límite de la zona activa se alcanza cuando: VjCB=0 (VCE = ICRd ).
Si VjCB>0 (Unión directamente polarizada):
Habrá inyección de huecos desde p a n- (Recombinación con electrones
procedentes del emisor en n-) ⇒ Desplaz. a la derecha de la unión efectiva:
• Rd Disminuye
• Aumento del ancho efectivo de la base.
• β Disminuye

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 FUNCIONAMIENTO DEL BJT. Ganancia TRANSISTOR DARLINGTON

Base IeTA Emisor

log(β ) β max
β min garantizada n+ n+
por el fabricante SiO2
p I bTA IbTB

VCE-Saturación

IcTA n- IcTB

ICmax log(IC)
≈ICmax /10
n+
Variación de β en Función de IC
Colector

Colector

Base
TA
D2 β=βBβA+βB+βA
TB
D1
Emisor
Estructura de un Par Darlington Monolítico

Montaje Darlington para Grandes Corrientes.

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 EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN

Colector Vcc Colector Vcc

ZL ZL

IC Interruptor BJT conmutando una IC Interruptor BJT conmutando una

Carga Inductiva Carga Inductiva
Base IB VCE Base IB VCE

VBE VBE

IC
IL
IC IBon

dI B
IB
IB −
IBon dt IBoff
t
t
IBoff
VCE

VBE
VBE
t
t=0 tdon tri tfv1 tfv2
VCE t
Proceso de conmutación: Saturación
t=0 ts trv1 trv2 tfi

Proceso de conmutación: Corte

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 EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN EXCITACIÓN DEL BJT

Aislamiento galvánico
4 5 Potencia entre circuitos de
IC disipada control y potencia VCC Amplificador
muy alta
Fotoacoplador
1 Potencia disipada Acoplamiento
2 muy baja λ BJT de potencia
Cb
3 Señal digital
6 de control

Tierra digital Tierra de

VCE potencia
1, 2, 3, 4, 5 y 6: instantes de tiempo
Trayectorias en el plano IC-VCE durante la conmutación -VCC

IL
IC Circuito Típico de Excitación de Base para BJTs de Potencia
IC 1 2 3 4 IBon
IB −
dI B 5 6 IB
IBon dt 6 5 4 1
IBoff
t t
IBoff

VCE
VBE
VBE

VCE t t
t=0 ts trv1 trv2 tfi t=0 tdon tri tfv1 tfv2

Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 13 de 17 Tema 3. Transistor Bipolar de Potencia. Transparencia 14 de 17
 CONSIDERACIONES TÉRMICAS AVALANCHA SECUNDARIA

VBE Vcontrol
Caída de tensión Concentración Caída de tensión
VBE de corriente
Vcc Las pérdidas en corte
suelen despreciarse al ser
t la corriente muy baja. B E B B E B
Vcc
IC 90%
Las pérdidas en n+ + - n+ -
+
VCE
10% RC conducción pueden ser - - + +
td tr tf t IC aproximadas por:
ts IB
VCE
T p e- e- e- p e- e- e-
VBE Pon = I c ⋅ VCEsat ⋅ ON
Pd T
t

n n
t
T=1/f C C
a) b)
Las pérdidas en conmutación pueden estimarse suponiendo que la corriente y la
Concentración o Focalización de Corriente en un BJT. a) En la Conmutación a
tensión siguen una línea recta durante la conmutación:
Saturación (IB >0) y b) en la Conmutación a Corte (IB <0)
t t
dWr = VCE ⋅ I c ⋅ dt + VBE ⋅ I B ⋅ dt ≅ VCE ⋅ I c ⋅ dt = (Vcc − Rc ⋅ I cmax ⋅ ) ⋅ I cmax ⋅ ⋅ dt
tr tr
t t
Rc ⋅ Icmax = Vcc − VCEsat ≅ Vcc (VCE Saturacion ≅ 0 ) ⇒ dWr = Vcc ⋅ Icmax ⋅ (1 − ) ⋅ ⋅ dt
tr tr
tr t t 1
Wr = ∫ Vcc ⋅ Icmax ⋅ (1 − ) ⋅ ⋅ dt = ⋅ Vcc ⋅ Icmax ⋅ tr ;
0 tr tr 6

1
análogamente se hace para Wf : Wcom = Wr + Wf = ⋅ Vcc ⋅ Icmax ⋅ (t r + t f ) ;
6

La potencia media disipada en el período T será por tanto:

Wcom 1
Pcom = = ⋅Vcc ⋅ I c max ⋅ f ⋅ (tr + t f )
T 6

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 ZONA DE OPERACIÓN SEGURA

IC Límite
f3 térmico
ICM
f1 f2

dc
Avalancha
Secundaria

β VCE0 VCE
a) FBSOA (f1 <f2 <f3 )

IC
ICM

VBEoff <0
VBEoff =0

β VCE0 β VCB0 VCE

b) RBSOA (Trancisiones de menos de 1 µs)
Zonas de Operación Segura del Transistor Bipolar

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