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O Transistor de Efeito de Campo

17 Aula:

Transistores de Efeito de Campo (FET Field Effect Transistors) MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor) JFET (Junction) MESFET (MEtal-Semiconductor)
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O Transistor de Efeito de Campo

17 Aula:

Ao final desta aula voc dever estar apto a: -Contar um pouco da histria do transistor de efeito de campo (FET) -Explicar porque empregamos os nomes MOSFET canal n ou MOSFET canal p -Mostrar o princpio de funcionamento do FET tipo MOS -Explicar o comportamento da corrente de dreno em um grfico corrente de dreno em funo da tenso dreno-fonte -Identificar as regies triodo e de saturao, mostrando onde o transistor MOSFET possui uma relao hmica entre ID e VDS

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O Primeiro Transistor O fsico Julius Edgar Lilienfeld patenteou o transistor em 1925, descrevendo um dispositivo similar ao transistor de efeito de campo (FET). No entanto, Lilienfeld no publicou nenhum artigo cientfico sobre sua descoberta nem a patente cita nenhum dispositivo construdo. Em 1934, o inventor alemo Oskar Heil patenteou um dispositivo similar.
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A patente do Primeiro Transistor (1925)

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A patente do Primeiro Transistor (1925)

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Transistor NMOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, canal


D G
VDS VGS

IDS

N, tipo Enriquecimento)
Fonte (S-Source) Metal xido N+ Sem. Porta (G-Gate) Dreno (D-Drain) N+

P Substrato (B-Body)
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Transistor NMOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, canal


N, tipo Enriquecimento)
VDS VGS

D G

IDS
VDS

Metal (condutor)

IDS
xido de porta (isolante) xox N+ Dreno

Porta N+ Fonte L P

VGS

Substrato (ou Corpo)


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Transistor - NMOSFET
Porta (G) Alumnio

Fonte (S)

Dreno (D)

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Lei de MOORE
(dobra a quantidade de transistores a cada 18 meses)
10 10 Transistores por circuito integrado 10 10 10 10 10 10 10
11 10 9 8 7 6 5 4 3

Memria Microprocessador 256M 64M 16M 1M 16k 64k 8086 8080 256k 68000 4M 80486 68040

16G 1G 4G

64G

G4 Pentium

Cell Power5 Opteron 64 Pentium IV

1k

4k

1970

1980

1990 ANO
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2000

2010

Transistor NMOSFET

Metal Isolante
W

Fonte

Porta (V ) GS

Dreno (V ) DS

N y P L

P Si -

Substrato (VB)

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Transistor NMOSFET : Regio de Corte


Metal Isolante
W

Fonte

Porta (VGS)

Dreno (VDS )

N P L

P Si -

Substrato (VB)

1: Se a Fonte e o Substrato estiverem aterrados, no haver corrente na juno Fonte-Substrato. 2: Se a tenso aplicada no dreno for positiva, a juno dreno-substrato estar reversamente polarizada, e portanto no haver corrente significativa nestes terminais. 3: A porta isolada do substrato. Nesta condio no haver corrente fluindo em nenhum dos terminais. PSI2223
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Lei de MOORE

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O Transistor FET moderno


1 W I D Cox (VG Vt ) 2 2 L

Cox

ox
tox

FET tecnologia 65nm

Lporta = 35 nm tox = 1.2 nm n = Silcio tensionado de 2 gerao Ron = NiSi para baixa resistncia parasita
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Transistor NMOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect


Transistor, canal N, tipo Enriquecimento) IDS
D G
VDS VGS

Fonte (S-Source) Metal xido N+ Sem. P

Porta (G-Gate)

Dreno (D-Drain) N+

Substrato (B-Body)
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Transistor NMOSFET

Metal Isolante
W

Fonte

Porta (V ) GS

Dreno (V ) DS

N y P L

P Si -

Substrato (VB)

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Transistor NMOSFET : Regio de Corte


Metal Isolante
W

Fonte

Porta (VGS)

Dreno (VDS )

N P L

P Si -

Substrato (VB)

1: Se a Fonte e o Substrato estiverem aterrados, no haver corrente na juno Fonte-Substrato. 2: Se a tenso aplicada no dreno for positiva, a juno dreno-substrato estar reversamente polarizada, e portanto no haver corrente significativa nestes terminais. 3: A porta isolada do substrato. Nesta condio no haver corrente fluindo em nenhum dos terminais. PSI2223
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Transistor NMOSFET : VGS > Vt (tenso de limiar)


Metal Isolante
W

Fonte

Porta (VGS )

Dreno (V DS )

Regio de depleo canal invertido (eletrons) P

P Si Substrato (V B )

1: Quando a tenso aplicada na porta (VGS) for acima da tenso de limiar (Vt Threshold voltage), ser formada uma camada de inverso composta de eletrons. 2: Uma regio tipo N, chamada de canal de inverso, conecta as regies de fonte e dreno. Nesta condio uma corrente fluir do dreno para a fonte.
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Aplicando um pequeno valor de VDS (comportamento resistivo)

N
P

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A operao com o Aumento de VDS

N
P
Figura 5.5

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