Anda di halaman 1dari 11

TRANSISTOR P-N-P

Disusun Oleh : Aulia Rachmat Anggara Wahyu D. (08620003) (08620012)

PROGRAM STUDI FISIKA FAKULTAS SAINS DAN TEKNOLOGI UNIVERSITAS ISLAM NEGERI SUNAN KALIJAGA YOGYAKARTA 2011

BAB I PENDAHULUAN

Perkembangan teknologi terus berkembang. Berbagai alat-alat elektronik telah diciptakan untuk membantu manusia dalam menyelesaikan pekerjaannya, sehingga manusia tidak lagi harus bekerja extra untuk mendapatkan suatu hasil yang diinginkan. Perkembangan teknologi juga menuntut manusia untuk lebih berkembang lagi. Meskipun telah disediakan alat yang dapat membantu dalam bekerja, namun tidak diikuti dengan perkembangan manusia, tentu akan sia-sia. Berkembangnya teknologi tidak lepas dari ilmu pengetahuan. Ilmu pengetahuan yang terus berkembang akan membawa kemajuan bagi teknologi masa kini. Perkembangan teknologi elektronik dapat sampai sekarang dikarenakan ilmu pengetahuan yang berkembang dengan pesat. Ilmuwan-ilmuwan berlombalomba untuk melakukan penelitian sehingga dari suatu ilmu pengetahuan dapat diaplikasikan untuk membantu manusia dalam melakukan pekerjaannya. Semikonduktor merupakan salah satu jenis bahan yang sampai saat ini masih dicari inovasi lainnya. Perkembangannya cukup pesat mengingat banyaknya bahan-bahan semikonduktor yang saat ini digunakan dalam berbagai alat-alat elektronik. Keunikan bahan semikonduktor inilah yang mengakibatkan bahan ini memiliki nilai lebih dalam hal tertentu. Sampai saat ini banyak sekali variasi dalam pembuatan bahan dari semikonduktor sudah bermacam-macam. Transistor merupakan hasil dari para ilmuwan yang meneliti bahan-bahan semikonduktor. Bahan semikonduktor yang menjadi aplikasinya tidak hanya

transistor saja, tetapi masih banyak lagi. Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam komponen elektronika. Dalam perkembangannya transistor kini banyak dimanfaatkan tidak hanya untuk penguat saja, tetapi dapat digunakan sebagai sensor suhu. Transistor memiliki banyak jenis salah satunya adalah transistor dwikutub p-n-p.

BAB I ISI

1. Sejarah Transistor Transistor merupakan suatu komponen elektronika yang tergolong sebagai komponen aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor. Transistor terbagi menjadi dua macam, yaitu transistor dwikutub (bipolar) dan transistor efek medan (Field Effect Transistor-FET). Transistor dwikutub titik-sentuh diciptakan oleh John Bardeen dan Walter Brattain dibawah arahan William Shockley pada Desember 1947 di Bell Telephone Laboratories. Transistor versi pertemuan diciptakan pada tahun 1948. Munculnya transistor menjadi peranti pilihan untuk digunakan dalam berbagai rangkaian, namun seiring perkembangan teknologi, sekarang penggunaan transistor telah banyak digantikan oleh FET, baik pada sirkuit digital (oleh CMOS) ataupun sirkuit analog (oleh MOSFET dan JFET). Transistor banyak digunakan di dalam rangkaian untuk memperkuat sinyal, artinya sinyal lemah pada masukan diubah menjadi sinyal yang kuat pada keluaran, selain itu transistor dapat pula digunakan sebagai switching. Komponen elektronik ini dapat dijumpai pada setiap komponen elektronik. Pemahaman mengenai komponen elektronik ini sangat penting, dengan mengetahui cara kerjanya akan mempermudah dalam memahami cara kerja rangkaian elektronik. Bentuk transistor tidak hanya satu jenis, tetapi memiliki bermacam-macam bentuk,gambar dibawah ini merupakan macam bentuk transistor dan simbol dari transistor jenis p-n-p.

(a)

(b)

Gambar 1. (a). Transistor Dwikutub dalam bentuk sebenarnya (b). Simbol dari transistor p-n-p

Perkembangan transistor dari awal ditemukannya cukup pesat, berbagai metode pembuatan banyak dilakukan. Perkembangan transistor tersebut diantaranya : 1. Transistor pertemuan tumbuh, teknik pertama untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub. Diciptakan oleh William Shockley di Bell Labs pada 23 Juni 1948. Hak paten didapatkan pada 26 Juni 1948. 2. Transistor pertemuan, butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. Dikembangkan oleh General Electric dan RCA pada 1951. 3. Transistor paduan mikro, tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philco. 4. Transistor paduan mikro terdifusi, tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philco. 5. Transistor paduan terdifusi tonggak, tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philips. 6. Transistor tetroda, varian kecepatan tinggi dari transistor pertemuan tumbuh atau transistor pertemuan paduan dengan dua sambungan ke basis. 7. Transistor penghalang permukaan, transistor penghalang logam kecepatan tinggi. Dikembangkan oleh Philco pada 1953. 8. Transistor medan-alir, transistor pertemuan dwikutub kecepatan tinggi. Diciptakan oleh Herbert Kroemer di Central Bureau of Telecommunications Technology of the German Postal Service pada tahun 1953. 9. Transistor difusi, transistor pertemuan dwikutub tipe modern. Prototype dikembangkan di Bell Labs pada tahun 1954. 10. Transistor basis terdifusi, implementasi pertama dari transistor difusi. 11. Transistor Mesa, dikembangkan oleh Texas Instruments pada tahun 1957. 12. Transistor planar, teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit terpadu monolitik secara masal. Dikembangkan oleh Dr. Jean Hoerni di Fairchild Semiconductor pada tahun 1959. 13. Transistor epitaksial, transistor pertemuan dwikutub yang dibuat

menggunakan deposisi fasa uap epitaksi. Memungkinkan pengendalian tingkat pengotoran dan gradien secara teliti.

2. Manfaat dan Kelebihan Transistor Dwikutub Transistor dwikutub kini telah menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan, salah satunya pada sirkuit diskrit. Transistor dwikutub digunakan karena transistor dwikutub memiliki berbagai macam jenis. Transistor dwikutub memiliki transkonduktansi dan resistansi yang lebih tinggi jika dibandingkan dengan MOSFET. Transistor dwikitub banyak digunakan dalam rangkaian sirkuit analog khusus, terutama jika rangkaian tersebut menggunakan frekuensi sangat tinggi, seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel. Penggunaan transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu, dengan menggunakan proses BiCMOS untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan kedua tipe transistor yang digunakan. Transistor dwikutub tidak hanya digunakan sebagai penguat sinyal maupun switching. Ketergantungan akan suhu dan arus pada tegangan panjar maju pertemuan basis-emitor yang dapat dihitung, dapat dimanfaatkan untuk hal lain. Adanya hal tersebut transistor dwikitub dapat digunakan untuk mengukur suhu dengan menghitung perbedaan dua tegangan pada dua arus panjar yang berbeda dengan perbandingan yang telah diketahui. Transistor dwikutub juga dapat digunakan untuk melakukan perhitungan logaritma dan anti-logaritma. Fungsi transistor ini memanfaatkan beda tegangan pada transistor tepatnya pada bagian basis-emitor dapat berubah sebagai fungsi logaritmik dari arus basis-emitor dan kolektor-emitor. Penggunaan transistor sebagai fungsi logaritmik dapat digantikan dengan sebuah dioda, tetapi transistor memberikan fleksibilitas yang lebih besar, sehingga transistor lebih banyak digunakan untuk fungsi logaritmik.

3. Kelemahan Transistor Dwikutub Pemaparan transistor ke radiasi menyebabkan kerusakan akibat radiasi. Radiasi menyebabkan penimbunan molekul cacat di daerah basis yang berlaku sebagai pusat penggabungan kembali. Hasil dari pengurangan umur pembawa minoritas menyebabkan transistor kehilangan penguatan.

Transistor dwikutub beresiko mengalami kegagalan yang dinamakan dobrakan sekunder. Pada kegagalan ini, beberapa titik pada kepingan semikonduktor menjadi cepat panas dikarenakan arus yang mengalirinya. Kerusakan yang ditimbulkan menyebabkan pembawa lebih mudah bergerak, sehingga mengakibatkan bagian terpanas dari kepingan semikonduktor menghantarkan lebih banyak lagi arus. Proses regeneratif ini akan terus berlanjut hingga transistor mengalami kegagalan total atau pencatu daya mengalami kegagalan.

4. Cara Kerja Transistor p-n-p Transistor dwikutub memiliki tiga daerah yang berbeda dan fungsi yang berbeda. Ketiga daerah tersebut adalah emitor, basis, dan kolektor. Pada masing-masing daerah ini diberikan kawat sebagai terminal. Daerah-daerah tersebut memiliki fungsi yang berbeda-beda, yaitu emitor berasal dari kata emitter yang berarti pengeluar, basis berasal dari kata base yang berarti tumpuan atau landasan, dan kolektor yang berasal dari kata collector yang berarti pengumpul. Bagian transistor yang mempunyai andil sebagai pintu adalah pada bagian emitor. Transistor n-p-n arah arus akan mengarah masuk ke basis, sedangkan pada transistor p-n-p arah arus akan mengarah ke luar dari transistor.

Gambar 2. (a) Simbol transistor p-n-p dengan arah arus masuk ke basis, (b) Simbol transistor n-p-n dengan arah arus keluar dari basis

Pemasangan kaki-kaki transistor tidak boleh dilakukan sembarangan, kaki-kaki transistor harus dipasang sesuai dengan jalannya arus karena fungsi dari kaki-kaki tersebut berbeda-beda. Bentuk transistor dapat dilihat pada gambar di bawah ini.

Tampak Belakang

C B E

B
BD 140

E
Tampak Depan

E BC E C B B C E

(a)

(b)

(c)

Gambar 3. Bentuk beberapa transistor (a). 2N 3055 dengan kemasan TO-3 (b). BD 140 dengan kemasan TO-126 (c). BC 109 dengan kemasan TO-18

Pada transistor dwikutub, sambungan p-n antara emitor dan basis diberi panjar maju sehingga arus mengalir dari emitor ke basis. Panjar dalam bahasa Inggris adalah bias dalam hal ini dimaksudkan sebagai tegangan dan arus DC yang harus lebih dahulu dipasang agar rangkaian transistor bekerja.

Gambar 4. Rangkaian cara kerja transistor

Berdasarkan gambar tersebut muatan positif dari catu daya VEE dikeluarkan melalui RE yang kemudian dilanjutkan masuk ke emitor yang terbuat dari semikonduktor jenis p. Muatan tersebut dari emitor akan masuk ke basis. Hal ini dikarenakan adanya panjar/bias maju antara emitor dan basis, sehingga muatan tersebut tertarik masuk ke basis dan masuk ke kolektor. Muatan yang keluar dari kolektor kemudian masuk ke hambatan RC dan kemudian masuk ke VCC. Arus IC pada RC akan membuat kolektor mempunyai tegangan positif terhadap basis, sehingga sambungan p-n antara kolektor dan basis juga akan mendapat panjar maju. Hal ini akan mengakibatkan tertariknya arus ICB dari kolektor ke basis, berlawanan dengan arus dari emitor, yaitu arus IBC. Jika proses ini terus berlangsung, maka akan mengakibatkan ICB=IBC sehingga arus kolektor IC yang mengalir pada hambatan RC akan menjadi nol. Agar hal ini tidak terjadi, maka kolektor

harus berada pada tegangan jauh di bawah basis, meskipun ada arus IC yang mengalir di dalam hambatan kolektor IC. Oleh karena itu antara kolektor dan basis dipasang tegangan panjar mundur melalui catu daya VCC. Skemanya dapat dilihat pada gambar dibawah. Dengan adanya panjar mundur tersebut maka muatan mayoritas yang dikeluarkan emitor bertumpu di basis dan ditampung oleh kolektor.

(a)

(b)

Gambar 5. (a). Penguat basis diberi ground dengan tegangan catu daya VCC (b). Arus dalam transistor

Rangkaian transistor yang terkenal yang biasa digunakan adalah rangkaian basis komon dan rangkaian emitor common. Pada rangkaian basis komon atau emitor komon pada rangkaian input mendapat bias maju sedangkan rangkaian outputnya dengan bias mundur maka impedansi input lebih rendah daripada impedansi outputnya. Pada rangkaian kolektor komon, hal tersebut sebaliknya. Hubungan antar impedansi, besar tegangan, arus dan faktor penguatan daya untuk tiap rangkaian dapat dilihat dari tabel berikut.

Rangkaian Basis komon Emitor komon Kolektor komon

Hubungan antara impedansi Si input dan output ri<ro ri<ro ri>ro

Faktor Faktor Faktor penguatan penguatan penguatan arus tegangan daya Kecil Besar Besar Besar Besar Kecil Besar Besar Besar

5. Susunan Transistor dan Pembuatannya Susunan dari transistor p-n-p ini dibentuk dari hubungan p-n yang disambungkan dan saling membelakangi, serta memiliki kawat terminal pada masing-masing bagian. Gambar berikut merupakan kontruksi dasar dari transistor p-n-p.
p n p

Gambar 6. Kontruksi dasar transistor p-n-p

Pembentukan transistor jenis p-n-p sama dengan cara membentuk transistor jenis p-n. Perbedaannya hanya terletak pada berapa kali proses dilakukan. Pembuatan transistor jenis p-n dilakukan melalui satu kali proses penambahan jenis n, sedangkan dalam pembuatan transistor jenis p-n-p dilakukan dua kali. Banyak cara dalam melakukan pembentukan hubungan pn, salah satunya melalui proses difusi panas. Proses ini memanfaakan bahan semikonduktor yang dipanaskan pada temperatur tinggi, kemudian bahan pengotornya diletakkan di atas bahan semikonduktor tersebut. Proses tersebut akan mengakibatkan atom-atom berdifusi masuk ke bahan semikonduktor. Pada pembuatan transistor p-n-p, silikon bertipe-p terlebih dahulu dimasukkan ke dalam tungku, kemudian bahan (atom) bervalensi-5 dimasukkan ke dalam tengah-tengah tungku tabung. Bahan yang dimasukkan tepat di tengah-tengah tungku tabung akan didifusikan ke dalam permukaan Si sehingga akan terbentuk daerah tipe-n. Proses pembuatan transistor dengan metode ini sangat diperlukan ketelitian dan kejelian, oleh karena itu dalam pembuatan bahan semikonduktor melalui proses difusi, segala aspek harus diperhatikan, agar hasilnya sesuai dengan yang diharapkan. Pembuatan transistor memerlukan hal tersebut karena dimensi dari difusi ditentukan oleh temperatur tungku, waktu difusi, dan konsentrasi bahan ketidakmurnian pada permukaan.

Konsentrasi Ketidak Murnian

NP (Konsentrasi donor) Daerah tipe-p NA (Konsentrasi aseptor) Daerah tipe-n 0 xj x

Tabung tengah tungku P2O3 Tungku Silikon tipe-p Si

(a)

(b)

Gambar 7. (a). Susunan sederhana alat difusi (b). Distribusi ketidak murnian setelah didifusikan

Berdasarkan gambar 6. b, menunjukkan difusi atom-atom ketidak murnian yang didifusikan. NA adalah konsentrasi aseptor yang dari awal sudah ada, N P adalah konsentrasi donor atom yang bervalensi-5. Bila x=xj, NP=NA, jika x<xj, NA<NP maka akan didapatkan daerah tipe-n, sehingga akan terbentuk hubungan p-n. Proses untuk mendapatkan hubungan p-n-p, proses ini diulang kembali, sehingga grafik yang terbentuk dalam pembentukan hubungan p-n-p seperti gambar 7. (a). Gambar 7.(b). merupakan konstruksi yang sebenarnya dari transistor planar p-n-p.
p Konsentrasi Ketidak Murnian n p

Terminal emitor
p n 0 xj1 xj2 x p

Terminal basis

Kontak logam

p xj1

n xj2

Terminal kolektor
(b)

(a)

Gambar 8. (a). Kontruksi p-n-p dengan difusi double. (b). Penampang transistor planar

10

Daftar Pustaka

Hendragalus.

2011.

Transistor

Dwikutub

dan

Prinsip

Kerjanya.

http://hendragalus.wordpress.com/2011/02/11/transistor-dwikutub-danprinsip-kerjanya/ Lida, Masamori dan S. Reka Rio. 1999. Fisika dan Teknologi Semikonduktor. Jakarta : Pradnya Paramita. Payu , Citron S.. 2006. Bahan Ajar Elektronika Lanjut.

http://bei.ung.ac.id/content/Kompetisi%20Bahan%20Ajar/Web/FMIPA %20-%20Citron%20S.%20Payu/C!TrOn.doc Sutrisno. 1986. Elektronika Teori Dasar dan Penerapannya. Bandung : ITB Transistor pertemuan dwikutub.

http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_pertemuan_dwikutub

11