DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA - ELECTRNICA II - LABORATORIO 2 - OCTUBRE 2008

Anlisis de Ampli cadores Diferenciales y Fuentes de Corriente con Transistores MOSFET

Luis Felipe De La Hoz Cubas, Mara Ilse Dovale Prez, Danilza Hurtado Martnez Divisin de Ingenieras Universidad del Norte Barranquilla

Abstract El ampli cador diferecial se emplea usualmente como etapa de entrada en muchos circuitos integrados (CI). A continuacin se mostrar un detallado anlisis de esta con guracin basada en transistores MOSFET, cuando opera en DC y AC, haciendo uso de diferentes tipos de circuitos de polarizacin bsicos usados para la operacin de estos con el n de comprobar y analizar su comportamiento.

MOSFET signi ca "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada, es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega una parte a la corriente total. Es un dispositivo controlado por tensin, extremadamente veloz en virtud a la pequea corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutacin. Su velocidad permite disear etapas con grandes anchos de banda minimizando, as, lo que se denomina distorsin por fase. La caracterstica constructiva comn a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) est formado por una estructura de tipo Metal/xido/Semiconductor. El xido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prcticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia. Tiene una versin NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain). En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain).

I. INTRODUCCION L ampli cador diferencial es una con guracin basada en transistores la cual es frecuentemente empleada como etapa de entrada en CI debido que su voltaje de salida es proporcional a la diferencia de voltajes de entrada; presenta tambin una ganancia bastante alta y est acoplado en DC a los voltajes de entrada, es por esto que se usa cuando se requieren capacitores para generear acoplamiento en DC.

El ampli cador diferencial se puede encontrar con gurado con BJT's o con MOSFET's. En esta oportunidad se trabaj con circuitos basados en MOSFET's cuyo comportamiento es bastante similar al caso BJT con resultados similares tambin en cuanto a la ganancia diferencial, la ganancia de modo comn y la propiedad de rpida conmutacin que sufren los pares diferenciales en anlisis de gran seal. Existen dos razones por las cuales es conveniente usar ampli cadores diferenciales: la primera es por su insensibilidad al ruido y a las interferencias, y la segunda es porque sta con guracin permite polarizar el ampli cador y conectar etapas de ampli cadores sin la necesidad de capacitores de derivacin y acoplamiento. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial estn basados en transistores MOSFET. II. ANLISIS DE AMPLIFICADORES DIFERENCIALES Y FUENTES DE CORRIENTE CON TRANSISTORES MOSFET Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET.

Figura 1: Composicin MosFet tipo N y tipo P. Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio (SiO2) es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta. Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o hay electricidad esttica.

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El par diferencial bsico consta de dos MOSFET de enriquecimiento acoplados (Q1 y Q2), polarizados con una fuente de corriente constante; esta ltima suele ser una conguracin de espejo de corriente similar a la utilizada con BJT's. Desde luego se supone que el circuito de carga es tal que los dos MOSFET que conforman el par, se encuentran operando en la regin de saturacin.A continuacin podemos ver el esquema del par diferencial MOSFET.

Figura 3: Ampli cador diferencial con MOSFET utilizando resistencia de polarizacin. Como bien se puede observar este diagrama esquemtico muestra un par diferencial con una resistencia Rx en el emisor, en este caso esta resistencia tuvo un valor de 15k y tiene la funcin de ampliar inducir una corriente de polarizacn, para que el circuito trabaje de manera ptima. Se polariz el circuito con un voltaje de Vcc = 15V y Vee = 15V: Figura 2: Par Diferencial MOSFET El MOSFET es frecuentemente usado como ampli cador de potencia, y ofrece como ventaja una resistencia de entrada alta, prcticamente in nita en la compuerta y una corriente de polarizacin de entrada casi cero, adems, produce un excelente diseo de interruptores. La con guracin de par diferencial o ampli cador diferencial es el bloque de construccin de uso ms amplio en el diseo de CI analgicos, la etapa de entrada de cada ampli cador operacional es un apli cador diferencial. Existen dos razones fundamentales por las cuales se preeren los ampli cadores diferenciales sobre los de un slo extremo: son insensibles a la interferencia y no necesitan capacitores de paso y acoplamiento. Se conectaron primeramente las entradas a tierra y se realizaron las mediciones correspondientes de las corrientes y los voltajes en los nodos y ramas del circuito se observ que como bien en la teora es constatado la corriente producida por Rx junto con Vee se divide equitativamente entre ambos transistores siempre y cuando V 1 y V 2 se mantengan iguales. Cabe destacar que los resultados no fueron tan exactos debido a las imperfecciones entre ambos transistores, como la diferencia entre sus reas, esto provoca imperfecciones DC las cuales se hablar de estas un poco ms adelante. En el momento que los voltajes V 1 y V 2 di eren entre si el comportamiento del par diferencial cambia, produciendo que la corriente se valla slo por un ramal si no se tiene cuidado de la diferencia entre estos voltajes. Se aplicaron tambin voltajes de DC en cada una de las entradas de los transistores, los cuales son mostrados en la siguiente tabla

III. PROCEDIMIENTO Los circuitos montados para el anlisis de las propiedades de los ampli cadores diferenciales y fuentes de corriente con MOSFET fueron los siguientes:

Tabla 1: Mediciones de voltaje ampli cador diferencial con resistencia de polarizacion. En la tabla podemos ver los voltajes que se consideraron importantes en el estudio de un par diferencial con la implementacin de transistores de efecto de campo MOS, pero lamentablemente por las diferencias en el rea de los transistores los voltajes observados y las corrientes halladas, no concordaron con lo que se esperaba, los valores de corrientes se pueden calcular por medio de los voltajes, es

A. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON MOSFET UTILIZANDO RESISTENCIA DE POLARIZACIN En el siguiente esquema se muestra un par diferencial a base de MOSFET, en este caso se tuvieron muy en cuenta el acople de resistencias y los transistores usados..

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equvoco calcular las corrientes con el multmetro, ya que estas corrientes circulan en el orden de los A por lo que es factible calcular las corrientes de Drain y de Source con la ayuda de los voltajes en las resistencias Rd1 y Rd2 y como se sabe que las corrientes de Drain y Source son iguales, entonces con hallar la corriente de Drain estaramos hallando la de Source tambin. Aun cuando los voltajes se realizaron numerosas veces, los resultados fueron siempre diferentes, y as mismo ocurri en las tablas siguientes, en donde se evidencio la di cultad de la implementacin del par diferencial, idea que ya se haba manejado en clase, pero que se con rmo en el laboratorio, en donde la paciencia y el anlisis fueron claves para obtener conclusiones de la prueba realizada. Luego de esto se ajust una seal senoidal de 20mV pico pico de amplitud con un nivel de offset nulo y una frecuencia de 500Hz, haciendo uso de un divisor de tensin con resistencias de 100 y 10k . Esta seal fue aplicada a cada uno de las entradas de los dispositivos mientras que el otro era conectado a tierra simultneamente , luego se realizaron las mediciones en las salidas. Como bien sabemos este tipo de diseo produce que uno de los transistores est en modo de saturacin mientras que el otro se encuentra apagado. Finalmente se aplican las seales en ambas entradas simultneamente lo que como es de saberse produce que ambos transistores trabajen en modo de saturacin.

Se ajust entonces el voltaje DC igual al que se conecta la fuente de corriente al unirlo con el ampli cador diferencial pero esta vez con resistencias en la fuente, para esto se debe tener en cuenta el voltaje del nodo Vx cuando ambas entradas se encuentran conectadas a tierra en la Figura 3,el diagrama esquemtico resultante se puede ver en la Figura 5 a continuacin. Se ajusta entonces con un potencimetro la resistencia R1, pero se produce un desajuste de corriente debido a los voltajes y corrientes de offset, para esto se ajusta entonces la resistencia de potencimetro hasta obtener el valor requerido de la corriente de polarizacin igual a la del ejercicio anterior. C. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON MOSFET UTILIZANDO FUENTE DE CORRIENTE Como ya se ha mencionado anteriormente, el circuito mostrado a continuacin no es ms que la unin de los ejercicios anteriores, aadiendole a las fuentes en este caso resistencias con el n de ampliar el rango de operacin lineal de esta con guracin. Se debe veri car primero que las condiciones de polarizacin mencionadas anteriormente se mantengan como deben estar, posteriormente se ajusta al igual que en el primer ejercicio una seal senoidal de 20mV pico pico, pero debido a las resistencias en las fuentes se requiere aumentar de forma considerable la amplitud de esta seal.

B. ESTUDIO DE UN ESPEJO DE CORRIENTE CON MOSFET El diagrama esquemtico que aparece a continuacin es el llamado Espejo de Corriente con MOSFET, para su anlisis se hicieron los siguientes pasos: Se polariz el circuito tal cual como se hizo con el par diferencial del diseo anterior, la idea de este circuito es que induzca ms adelante la misma corriente de polarizacin en el circuito de par diferencial con resistencia de polarizacin, cuando ambas entradas del ampli cador se encuentran conectadas a tierra.

Figura 5: Ampli cador diferencial con MOSFET utilizando fuente de corriente Esta con guracin es bastante interesante ya que proporciona una gran ventaja al implementarse en circuitos integrados, ya que colocar una resistencia Rx como la que tenamos en el ejercicio uno es muy indeseable por que estas tienen un rea bastante grande comparada con los CI, adems al implementar una fuente de corriente como la que se muestra

Figura 4: Espejo de corriente con MOSFET

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en la gura 5 el diseo se vuelve menos suceptible a cambios de temperatura y voltajes. Se implement un par diferencial con una fuente de espejo, pero lamentablemente los resultados no fueron los esperados, ya que con respecto a la entrada de modo comn resultaron voltajes y condiciones inesperadas, con voltajes promedio de 7.7V y 8.3V, y no se vi un desfase en la onda seno de salida, esto pudo darse por fallas en la fuente de corriente espejo, la cual no se comport de la manera esperada, ya que esta mostraba corrientes diferentes en la corriente de referencia y en la corriente de espejo, lo cual se le atribuye principalmente a el problema de las reas de los transistores, que no se encuentran acoplados. siguiente gura se puede observar la gr ca de los voltajes de colector confrontados.

In this case, we're working with MOS pair, then there are 3 main sources for VOS: RD =) VOS = (W=L) =) VOS = VOV RD 2 RD VOV (W=L) 2 (W=L) Vt

Vt =) VOS =

The construction of the devices is not totally perfect, this originates a ight current that makes the current is not divided in a same way among the two MOSFET's, also de resistances doesn't have the same value, this cause imperfections at the moment of medition. It is very important to know why the resistance of the sources were placed in the differential ampli er when the mirror was implemented: the reason is that these resistance extend the linear range of operation and makes the circuit less susceptible because is not probable that one of the transistors fall in the court region. To work with mirror currents is very dif cult in fact, that's why is easier work with IC, because with this con guration the beta and the size of the transistor relationship can be easily controlled. V. BIBLIOGRAFIA [1]SEDRA, Adel; SMITH, Kenneth. Microelectronic Circuits. 4a Ed. Oxford Unversity Press. New York, 1998. 1359 p. [2]RASHID, Muhammad. Microelectronic Circuits: Analysis and Design. PWS Publishing Company. Boston, 1999. 990 p.

IV. CONCLUSIONES The differential-pair or differential-ampli er con guration is the most widely con guration used as a building block in analog IC desing. The input stage of any op amp is a differential ampli er, this con guration is prefer for two reasons in fact: The differential ampli ers are insensitive to interference and they also don't need bypass and coupling capacitors. With the two input terminals connected to a suitable dc voltage VCM the bias current of a perfectly symetrical diferential pair is divides in a equal way between the two transistors of the pair, resulting in a zero voltage difference between the two drains, in the other hand if you want to control completely the current to one side of the pair, a difference input voltage vid p of at least 2VOV is needed. When there is no coincedence between the sides of a differential pair VO results, this is a output differential voltage , even if the two input terminals are together and connected to a dc voltage VCM . This gives as a result an offset voltage VO in the input VOS = . Ad