Solid State Communications,

Vol. 8, Pp. 21352139, 1970.

Pergamon Press.

Printed in Great Britain

EVOLUTION DE LA DISTRIBUTION DES ETATS DINTERFACE DANS DES STRUCTURES MOS IRRADIEES AUX ELECTRONS ET SOUMISES A LEFFET DUN TRAITEMENT THERMIQUE SOUS CHAMP K. Saminadayar et J.C. Pfister Service de Physique du Solide et de Resonance Magntique Centre dEtudes Nuclaires de Grenoble CEDEX n85 38 GRENOBLEGARE. FRANCE (Reu le 9 Octobre 1970, par E.F. Bertaut)

On a tudi lvolution de Ia distribution dtats dinterface de capacits irradies aux electrons de 1 MeV au cours dun traitement thermique sous champ. Le traitement 200C, 0 V annihile completement les tats crs par Iirradiation. Le traitement 200C,25 V cre deux groupes dtats dinterface centres vers 500 meV et 350 meV au-dessus de la bande de valence du semiconducteur. Dans le cas dune capacit non irradie, ce traitement ne cre que le deuxime groupe dtats dinterface.

1. INTRODUCTION temprature-polarisation ont utilis le soit DE NOMBREUX auteurs pour tudier, traitement linstabilit lectrique des structures mtal-oxydesemiconducteur, 1~foit lannihilation de Ia charge s despace cre dans la couche doxyde par irradiation.~ Nous prsentons ici un travail portant sur lvolution de Ia distribution des tats dinterface de capacits MOS irradies avec des lectitrns de 1 MeV sous leffet dun recuit thermique sous champ lectrique. Nous terminerons en comparant cette evolution a celle dune capacit MOS non irradie et soumise au rrieme traitement.

1 MeV sous un flux instantan moyen de 5.10e 2 1 cm sec . Les chantillons sont irradis sous tmm Hg, a une dose de 10 14 e cm environ, avec un vide de lO des electrodes en court-circuit. 2 Le recuit thermique se fait dans un tube en quartz sous flux dazote. La temperature est rgule a 2C prs. Les polarisations appliques sont comptes en prenant le potentiel du silicium comme rfrence. La determination de Ia courbe D

33(E) densit
2. CONDITIONS EXPERIMENTALES Les capacits MOS utilises sont constitues dune electrode daluminium carre de 400 x ~ Loxyde est tine couche de 1500 A de silice thermique humide, passive au P 3 N5, forme sur un substrat de silicium de type N, de rCsistivit 2~l
Cm.

dtats de surface a linterface Si/Si02 en fonction de lnergieLa t faite en utilisant la mthode de 9 a courbe C (V) quasi-statique est obtenue en Berglund. enregistrant le courant de charge de la capacit MOS soumise a une rampe de tension1 dont Ia vitesse est 1,4 102 V sec~. Nous avons place les bandes dnergie du silicium en utilisant les courbes thoriques.2 Lincertitude partie de Ia eV~dans Ia sur D~est estime a 2.10 tO cm courbe Ia plus precise. Lincertitude sur lnergie est de lordre de 20 meV. 2135

Lirradiation est faite avec des electrons de

2136
4 a

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I 5h

a 8
3

200C, -25V

,,~n

rrOd~~ r,~od,o6O,, 16 2630

2 216
3916 4 16 546

0 ~
I

200c.

6 266

OV

3I

~ [
.

Ii

;I
0,8

2-

/~

/
I 0,4

\...~

0 0

Ev

-~

\.

0,2

E (eV) 0,4

0,6

0 ______ 0

I 0,6 0,8

0,2

FIG. 1. Annihilation des tats dinterface dune capacit MOS irradie par le traitement 200C, 0 V.

E(eV)

3. EXPOSE ET DISCUSSION DES RESULTATS EXPERIMENTAUX 3.1. Annihilation des tats de surface crs par lirradiation au cours dun traitement 200C, 0 V. Au cours dun recuit isochrone sous polarisation nulle on observe dabord lannihilation des charges positives de loxyde, puis celle des tats dinterface. En particulier la courbe de C0fl ductance parallle G(V) mesur~e~ 20 kHz dune capacit irradiee devient identique a celle dune capacit non irradie~edes que la temperature de 1 recuit dpasse 200 C. Le traitement 200C. 0 V applique ici correspond donc a lannihilation simultane des charges de loxyde et des etats dinterface. La figure 1 reprsente lvolution des courbes j~~88E) au cours de ce traitement thermique. Nous ( avons reprsent en trait pointill la distribution detats dinterface dune capacit non irradie. On constate quau bout de 2h30 de recuit, on retrouve Ia distribution dtats dinterface dune

FIG.2. Evolution dinterface dune Courbes 1, 2, 3 : Courbes 4, 5, 6 :

de la distribution dtats capacit MOS irradie traitement 200 25 V C, traitement 200C, 0 V.

capacit non irradie. Si on augmente encore la dure du recuit, on nobserve aucune evolution des courbes D 33(E). 3.2. Creation dtats dinterface par un traitement thermique sous champ. 3.2.1. Recuit isotherme. On applique le traitement 200C,25 V une capacit irradie dont Ies tats dinterface crs par lirradiation nt t annihils par le recuit thermique sous polarisation nulle ci-dessus. Lvolution de AD 88 (E) en fonction du temps de recuit est reprsente sur la Fig. 2 (courbes 1, 2 et 3), AD83 tant la difference entre Ia distribution obtenue aprs le recuit et celle dune capacit non irradie. On observe la croissance successive dun premier groupe dtats de surface centre vers le niveau intrinsque du semiconducteur (courbes 1 et 2 en particulier) et dun deuxime groupe dtats de surface dont le maximum de densjt Se trouve ~ 350 meV au-dessus de la bande de valence du silicium. Nous appelons dans la suite

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tats A, les tats dinterface du premier groupe et etats B, ceux du deuxime groupe. On peut remarquer que la distribution des elats A est assez large (Ia largeur a mi-hauteur est de 350 meV) alors que celle des tats B est une courbe beaucoup plus troite. Par ailleurs, lamplitude du ma,imum de la courbe 3 est nettement suprieure aux valeurs deAD 83 obtenues aprs irradiation. Un traitement isotherme 200C, + 15 V namne ni variation des courbes D38 (E) ni derive des caractristiques. Par contre, le traitement 200C, + 25 V a toujours conduit a un claquage de lchantillon. 3.2.2. Recuit isochrone. On effectue, sut le mme type dchantillon quau paragraphe prcdent (irradiation puis traitement 200C, 0 V) un recuit isochrone sous 25 V. On augmente la temperature par paliers de 25C, la dure de chaque palier tant dune heure. Jusqu 100C, nous nobservons aucune variation des courbes D85(E). De 100 a 200C Ia distribution des tats A croit, puis au-del de cettetemprature, lapparition des tats B entra~mneun dplacement du maximum de AD83(E) vers la bande de valence du silicium. Lvolution des courbes t/i3(V) lors de ce recuit isochrone montre que jusqu 200C laugmentation de la densit dtats de surface saccompagne dun dplacement de t/i8(V) vers les tensions negatives (environ 3 V) et quaudel de 200C lvolution consiste essentiellement en une variation de pente des plus faibles (environ 1~~cementstant beaucoup courbes, leurs d V). 0,5 Si la polarisation applique lors de ce recuit est 15 V, on observe Ia mme e~volutiondes courbes AD 33(E) avec un dcalage de temperature de 50C: les tats B apparaissent ici lors du recuit a 250 Par ailleurs, Ia distribution de ces C. tats a une amplitude plus faible. 3.2.3. Cas dune capacit MOS non irradze. Afin de VOir si leffet du traitement 200C,25 V observe ici est propre aux capacits irradies, nous type soumis des capacits non irradies au mrneavons de contrainte. Lvolution de AD 88(E)

observee est reprsente sur la Fig. 3. Le traitement ne cre que les tats B centres 350 meV au-dessus de la bande de valence du silicium. Lamplitude de la courbe 3 est Comparable a celle de la courbe 3 de Ia Fig. 2 si on retranche, dans cette dernire courbe, la contribution des e~tatsA.

1(9) 0

VM(V)

-~.s
-5,5 -

67 129

248

/
-

1 /

--

Ev
I 02

04

06

08

FIG. 3. Evolution de la distribution dtats dinterface dunecapacite non irradies au cours du traitement 200 C, 25 V. Ici le traitement considr donne lieu a un dplacement des caracteristiques vers les tensions negatives, mais lamplitude de ce dplacement est plus faible que dans le cas dune capacit irradie. Nous avons note sur la Fig. 3 les valeurs de 1~, %~tant la tension correspondant au maximum de la courbe G(V), a la fin de chaque recuit : on remarque que 75 pour cent du dplacement des caractristiques a lieu lors du premier recuit. Des recuits therrniques sous champs de capacits MOS non irradies effectus par 1 A. Goetzberger ont donn des rsultats analogues~

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3.3. Essaz dannihilation des tats dinterface crs par le traitement 200C, 25 V. Un recuit a 200C sous polarisation nulle annihile partiellement les tats dinterface crs par le traitement 200C,25 V. Le phnomne est reprsent sur Ia Fig. 2 dans le cas dune capacit irradie: la courbe 3 correspond a la fin du traitement 200C, 25 V, on annule alors Ia polarisation en maintenant la temperature, les courbes 4, 5 et 6 sont obtenues au bout de 1, 4 et 26 hr de recuit. On observe donc, dans une premiere tape, une annihilation assez rapide des tats A. Par contre les tats B sannihileraient beaucoup plus lentement. Le mme essai dannihilation donne des rsultats analogues dans le cas de capacits non irradies. Par exe~ple, 75 pour cent des tats B sannihilent au bout de 370 hr de recuit a 200C sous polarisation nulle. 3.4. Discussion des rsultals exprimentaux 3.4.1. Cas des tats A. La creation des tats A saccompagne dun dplacement des courbes

(ceci netant quune possibilit parmi dautres). Lannihilation de ces tats de surface par le traitement 200C, 0 V correspond au nouvel quilibre de ltat de charge des niveaux piges sous laction du champ nul. 3.4.2. Cas des tats B. Ces tats sont centres a 350 meV au-dessus de Ia bande de valence du silicium et apparaissent lors du recuit thermique sous champ ngatif, (200C).

a une temperature

plus lvee

2 ont mis lide quun recuit Miura et Matukura sous champ peut donner lieu a une dissociation des molecules a la surface di semiconducteur, donc a une creation dtats dinterface. Dans Ia silice irradie, mCme aprs recuit apparent des charges fixes et des tats de surface, la structure est plus riche en dfauts (dautant que le recuit nest peut-tre quune suppression apparente des tats de surface par lhydrogne present dans la couche).1 Il y a donc plus de sites susceptibles de produire des tats de surface sous leffet du traitement. Par contre, dans la silice non irradie, les vitesses de migration de dfauts sont moindres. Nous expliquons ainsi les diffreices observes sur les deux types dchantillons. Lannihilation est une neutralisation des dfauts charges et une restructuration des sites conduisant aux tats de surface. 4. CONCLUSION Les rsultats exposs montrent que leffet dun recuit thermique sous champ ngatif est double: creation dun premier groupe dtats de surface que nous avons appel tats A, et dont la distribution, assez large, prsente un maximum vets le niveau intrinsque 1 semiconducteur, cet effet tant caractnstique des cap acites ayant subi une irradiation, et creation dun deuximne groupe dtats de surface (tats B) de distribution plus troite et dont le maximum se trouve ~ 350 meV au-dessus d~ la bande de valence du semiconducteur. Un recuit thermique ~ 200C sous polarisation nulle annihile facilement les tats A, partie1leme~t et plus lentement les tats B. Nous pensoris que les tats A sont dus a Ia

t1j

3(V) montrant une injection de charges dans 1 oxyde, a partir du silicium. On peut alors penser que ce que nous avons appel tats de surface correspond en falt a une deformation des courbes C(V) sous leffet dune distribution statistiquement 13 Deux inhomogne de ces charges injectes. raisons montrent que cette hypothse ne peat tre retenue: dune part on observe une augmentation de la conductance parallle des capacits MOS lors de Ia creation des tats A, dautre part dans le cas des capacits non irradies, le traiternent 200C,25 V donne lieu a un dplacement des caractristiques vers les tensions negatives mais il ny a pan de creation dtats A.
Deal et al.4 ont montr que Ia creation dtats de surface et Ie dplacement des courbes C(V) lors dun traitement thermique sous champ ngatif, ne sont fonction que des proprits de linterface Si/SiO 2. Dans notre cas, la dose structure dans 14e cni2 ) cre des dfauts de dirradiation (10 loxyde.14 On a ainsi des niveaux piges pies de la surface du silicium. Ces niveaux peuverit sioniser sous laction du champ appliqu t5et les niveaux charges situs suffisamment prs de la surface du silicium crent les tats .4 observes16

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presence de dCfauts de structure cr~sprs de la surface du semiconducteur par lirradiation alors que les tats B seraient lies a un phnomdne analogue a loxydation anodique du silicium. Les differences observcs sur les deux chantillons (capacit irradiee ou non) peuvent sexpliquer par la variation du nombre de dfauts presents dans Ia silice Un travail ultrieur permettra de faire intervenir dans cette tude des pafamtres teis que la dose

dirradiation ou la distribution de charges positives dans la couche doxyde.

Remerciements Nous remercions vivement M. J.L. Pautrat avec quo nous avons eu de fructueuses discussions. Les chantillons nous ont t fournis par MM. R. Staderini et M. Milleto et les irradiations ont t effectuees sous la direction de M.J. Bernard. MM. Caillat et L. Revoil ont largement contribu Ia ralisation des experiences. Nous tenons a les remercier.

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2/Si capacitors during bias-temperature treatment is observed. Surface states due to irradiation are annealed by 200 0 V treatment. C, During 200C, 25 V treatment, two groups of surface states are created near the mid-gap and at 0.35 eV above the valence band of the semiconductor. In a non irradiated capacitor, only the second group is created.

The evolution of surface state density of irradiated A1/Si0