Mrcio A. C, Domingos S. L. Simonetti e Jos Luiz F. Vieira Universidade Federal do Esprito Santo Depto. de Engenharia Eltrica, LEPAC, CP: 01-9011, 29060-970, Vitria, ES Tel: (027) 335.2699, Fax: (027) 3352650, E-Mail: joseluiz@ele.ufes.br RESUMO - Este trabalho apresenta um reator eletrnico de alto fator de potncia com baixos ndices de perdas de potncia devido ao chaveamento. A topologia proposta utiliza apenas um estgio de processamento de potncia, o qual produz uma tenso de alta freqncia para acionamento das lmpadas fluorescentes, alm disso proporciona alto fator de potncia para a rede de alimentao. O acionamento das lmpadas fluorescentes realizado com grande simplicidade por um conversor ressonante auto-oscilante, o que reduz o custo e aumenta a confiabilidade do reator. O alto fator de potncia obtido pela utilizao do conversor boost no convencional operando em conduo crtica de corrente. A anlise terica e os resultados experimentais foram obtidos para o reator eletrnico alimentando duas lmpadas fluorescentes de 40W, operando em 50kHz a partir da rede de alimentao de l27V. Tais resultados demostram o alto rendimento e o elevado fator de potncia deste reator eletrnico. ABSTRACT - A high power factor electronic ballast, that exhibits low switching losses is presented in this paper. The proposed topology is based on a single power processing stage which provides high frequency voltage to fluorescent lamps and high power factor to the utility line. The lamps are driven by a self-oscillating resonant converter of great simplicity and attendant low cost and increased reliability. High power factor is achieved by using a non-conventional boost converter operating at critical conduction mode. Theoretical analysis and experimental results for two 40W fluorescent lamps operating at 50kHz from 127V utility line have been obtained, which demonstrate the high efficiency and high power factor of this electronic ballast. 1. INTRODUO O desempenho das lmpadas fluorescentes tem um aumento significativo quando se utiliza reatores eletrnicos para o seu acionamento. As seguintes caractersticas podem ser destacadas conforme descrito por Kazimierczuk (1993), Hammer (1985), Nho (1991) e Laskai (1995): aumento da eficcia luminosa de 10% comparada com a Artigo submetido em 22/07/96 1" revio em 18/10/96; 2"reviso em 25/03/97; 3"reviso 03//06/97 Aceito sob recomendao do Ed.Cons. Prof. Or. Edson Watanabe das lmpadas fluorescentes acionadas por reatores magnticos operando em 60 Hz. Havendo com isso, reduo no consumo de energia, e portanto, pode-se operar com menor potncia e temperatura emitindo o mesmo fluxo luminoso que o da operao em 60 Hz; eliminao do rudo audvel; eliminao do "flickering" e do efeito estroboscpico; partida rpida e suave sem piscar; aumento da vida til. peso e volume muito menores do que os reatores magnticos utilizados em 60 Hz. Com o objetivo de se obter reatores eletrnicos de menor peso e volume toma-se necessrio elevar a sua freqncia de operao. Entretanto, em altas freqncias as perdas de chaveamento comprometem o seu rendimento, que em geral, bem superior ao dos reatores magnticos. Entretanto, este problema pode ser superado utilizando tcnicas de comutao no dissipativa. Uma caracterstica que vem sendo atualmente exigida, a nvel internacional, pela maioria das empresas de fornecimento de energia eltrica alto fator de potncia e baixa distoro harmnica total ("THD - Total Harmonic Distortion"). Os benefcios de se ter alto fator de potncia para a rede de alimentao incluem: a reduo no valor eficaz da corrente e a reduo da distoro harmnica total da corrente. Desta forma, a rede de alimentao pode ser utilizada de forma mais eficiente e se apresentar menos poluda de harmnicos (Deng, 1994). Reatores eletrnicos com alto fator de potncia podem ser obtidos utilizando dois estgios de converso. O primeiro, um estgio pr-regulador, converte a tenso alternada da rede de alimentao para uma tenso contnua com alto fator de potncia. O segundo estgio, converte a tenso contnua em uma tenso alternada de alta freqncia para o acionamento das lmpadas fluorescentes. A correo do fator de potncia utilizando o conversor boost como estgio pr-regulador, operando no modo de conduo contnua conhecida como correo ativa do fator de potncia. SBA Controle &Automao Nol.8 no.2/Mai., Jun., Jul. e Agosto 1997 57 o segundo estgio, converte a tenso contnua em uma tenso alternada de alta freqncia para o acionamento das lmpadas fluorescentes. A correo do fator de potncia utilizando o conversor boost como estgio pr-regulador, operando no modo de conduo contnua conhecida como correo ativa do fator de potncia. Com este mtodo, pode-se obter um fator de potncia praticamente unitrio, e distoro harmnica total inferior a 5% (Kaziemierczuk, 1993; Laskai, 1995; Spangler, 1991). o conversor boost pode tambm operar como estgio pr- regulador de correo do fator de potncia no modo de conduo descontnua de corrente. Neste caso, a corrente de entrada segue naturalmente a forma de onda senoidal da tenso de entrada, proporcionando alto fator de potncia para a rede de alimentao (Alonso, 1993; Liu, 1989). alto fator de potncia para a rede de alimentao (Vieira, 1996). As diferena entre os modos de conduo de corrente, do conversor boost no convencional em conduo descontnua, descrito por Vieira (1995) e do conversor proposto neste trabalho, podem ser verificadas pelos resultados de simulao, mostrados nas Figura 2 e 3 respectivamente. Estes resultados foram obtidos a partir de circuitos simplificados, para: Vin = 1155sen81, V o =190V e f r =60Hz. A fonte de tenso V sw tem amplitude igual a V o e freqncia de 1000 Hz. A escolha desta freqncia para acentuar os detalhes dos modos de conduo de corrente. Para o circuito simplificado correspondente ao conversor em conduo descontnua utilizou-se L b =57 rnH, e para o circuito simplificado correspondente ao conversor deste trabalho utilizou-se L b =30 rnH. iin 2.E:lA+ __ ----+-- -- ---+ --- ----l------- ...... ----- --;---- ----+-------+-- -----l--------+ + + + V o + . ;\ 1'\ 1\ 1\ 1I \ !\ I II "'I i,! 10n+ ?' I1 \ I I\ I \ I i \;1 !\. ,1 ..jVV I / vvh iin 1. 5A;- -+ -+ -+ -+ -+ -+ ....... -+ -+ /1 10A+ ;\ IA i + 0.5A+ /1 r\ I \1./ \;1\)/1, + -o OA+-' Li Li U' . I J L/ L + -o. 5A.t- -- - -- -t--- - - --t--- - - ---+ - - - ----+-- --- ---t - -- - - --t- - --- ---- - - -+ ---- ---+ a.ol'lS L9frls 2.eJlls 3.ellls 4.Ons 5.ans 6.0flls 7.01115 B.al'ls 'J.OfllS Tempo Figura 2 - Circuito simplificado e forma de onda da corrente no barramento de tenso contnua para o conversor boost no convencional no modo descontnuo. -1 . OA+ - - - - - - -+ - - - - - - -t-- - - - - - ...... - - - - -- ...... -+ -+ -+ -+ -+ 5.hs Tempo Figura 3 - Circuito simplificado e forma de onda da corrente no barramento de tenso contnua para o conversor boost no convencional no modo crtico. Este trabalho apresenta um reator eletrnico com um umco estgio de processamento de potncia operando no modo de conduo crtica de corrente. Este modo de operao reduz a corrente eficaz e os "stresses" de corrente nas chaves semicondutoras, quando comparado com o conversor boost no convencional operando no modo de conduo descontnua (Vieira, 1995). As caractersticas relativas a simplicidade e ao alto fator de fator de potncia para a rede de alimentao so mantidas por este reator (Vieira, 1996). 2. ESTRUTURA PROPOSTA Entretanto, a utilizao de dois estgios de converso aumenta o custo final e reduz a confiabilidade dos reatores. Uma alternativa interessante para a reduo de custos e aumento da confiabilidade, a utilizao de reatores eletrnicos com alto fator de potncia que utilizam somente um nico estgio de processamento de potncia (Laskai, 1994; Licitra, 1991; Deng,1994 e 1995; Vieira, 1995). Figura 1 Diagrama do estgio de potncia do reator eletrnico proposto. o diagrama do estgio de potncia do reator eletrnico proposto mostrado na Figura 1. Neste reator eletrnico, os elementos responsveis pela correo do fator de potncia, que so o indutor boost (L b ) e o secundrio do transformador (TIa), aparecem dentro da ponte de diodos rpidos Dl - D 4 . Desta forma, a corrente no indutor boost no se mantm nula, pois sempre h um caminho para a sua circulao pela ponte DI - D 4 Isto caracteriza o modo de conduo crtica de corrente durante todo o perodo da rede de alimentao de 60 Hz. Deste modo, a corrente de entrada segue naturalmente a forma de onda senoidal da tenso de entrada, proporcionando 58 SBA Controle &Automao Nol.8 no.2/Mai., Jun., Jul. e Agosto 1997 Atravs das formas de onda mostradas na Figura 3, pode-se verificar que a corrente no barramento de tenso contnua deste reator eletrnico se mostra em conduo crtica. Alm disso, o conversor boost no convencional operando em conduo descontnua apresenta um valor mdio no nulo de corrente no indutor boost e no secundrio do transformador Tia (Vieira, 1995). Isto torna o projeto destes elementos mais complexo, j que ele deve ser realizado de fonna a evitar a saturao dos ncleos. No conversor boost no convencional proposto neste trabalho, as correntes no indutor boost e no secundrio do transformador Tia possuem valores mdios nulos, o que facilita o projeto destes elementos. Cabe tambm destacar, que a corrente no barramento de tenso contnua apresenta o dobro da freqncia de chaveamento. Com isto, os harmnicos de alta freqncia na corrente de entrada, podem ser eliminados atravs de um filtro de alta freqncia com elementos de valores menores. Neste reator eletrnico, o secundrio do transformador Tia possui relao de transformao de 1 para 2, para garantir uma envoltria senoidal para a corrente de entrada e conduo crtica de corrente, durante o perodo completo da rede de alimentao. O tercirio do transformador T lb , possui relao de transformao de 1 para 1,5, para adaptar a tenso do tercirio a um nvel adequado ao acionamento de duas lmpadas fluorescentes de 40 W conectadas em srie. Alm disso, ele proporciona isolao eltrica para as lmpadas. 3. PRINCpIO DE OPERAO Para estabelecer o princpio de operao do reator eletrnico proposto, as seguintes consideraes devem ser feitas: - os MOSFETs M I e M2 operam com freqncia fixa, razo cclica de 50% e defasados de 180 0 ; - a tenso no primrio do transformador TI uma onda quadrada de alta freqncia com amplitude V o /2; - as lmpadas fluorescentes operando em regime permanente com altas freqncias de chaveamento podem ser consideradas como uma carga resistiva R. Com base nas consideraes anteriores, para efeito de anlise da operao em um perodo de chaveamento, este reator eletrnico pode ser considerado como sendo composto por dois conversores simplificados e independentes. O primeiro deles obtido substituindo a capacitncia Co por uma fonte de tenso V o , e considerando que o secundrio do transformador Tia pode ser representado por uma fonte de tenso de onda quadrada com alta freqncia V swa ' O conversor resultante mostrado na Figura 4, o qual representa um conversor boost no convencional. Este conversor atua como um estgio de correo do fator de potncia operando no modo de conduo crtica de corrente. O segundo deles obtido considerando que o tercirio do transformador T lb pode ser representado por uma fonte de tenso de onda quadrada com alta freqncia V swb . O conversor resultante mostrado na Figura 5, o qual um conversor LC paralelo ressonante. Este conversor tem se mostrado muito atrativo no uso em sistemas eletrnicos de iluminao, j que ele garante o valor apropriado de tenso para a ignio das lmpadas, e mantm a corrente de operao de regime permanente no valor adequado. V'O T D4_D3__Tv, Figura 4 - Conversor boost no convencional simplificado operando em conduo crtica. - a tenso de alta freqncia com forma de onda quadrada Vswa , gerada pelo secundrio do transformador Tia, deve ter amplitude igual ao valor do barramento de tenso contnua V o . Isto assegurado pela escolha de uma relao de transformao igual a 1:2; + v swb L r R - a tenso no indutor boost permanece constante durante o perodo de chaveamento, desde que a freqncia de chaveamento muito maior do que a freqncia da rede de alimentao; - este reator eletrnico sempre ope:ra como um conversor boost, desde que a tenso do barramento contnuo V o sempre maior do que o pico mximo de tenso da rede de alimentao Vproax Isto assegurado por uma escolha apropriada do valor de L b ; - a capacitncia Co grande o suficiente para ser considerada como uma fonte de tenso; - a tenso de alta freqncia com forma de onda quadrada V swb , gerada pelo tercirio do transformador T lb , tem amplitude igual a 3V o /4. Isto assegurado pela escolha de uma relao de transformao igual aI: 1,5. Portanto, o acionamento das lmpadas fluorescentes feito por uma tenso de alta freqncia aplicada ao circuito ressonante. Figura 5 - Conversor LC paralelo ressonante simplificado. Portanto, para efeito da anlise completa do funcionamento do reator eletrnico proposto, deve ser considerado a operao em cascata dos dois conversores independentes simplificados. 4. ESTGIOS DE OPERAO E FORMAS DE ONDA A. Conversor Boost No Convencional Em regime permanente, a operao deste conversor representada por quatro estgios em um perodo de chaveamento. A operao do conversor boost no convencional operando em conduo crtica de corrente pode ser descrita como a seguir: SBA Controle & Automao Nol.8 no.2/Mai., Jun., Jul. e Agosto 1997 59 3 0 estgio - crescimento linear da corrente i Lb atravs de D 2 e 1ct- tempo de decrescimento linear da corrente i Lb ; iin - corrente de entrada retificada; j V'W'
oVo . VLb : te - tempo de crescimento linear da corrente i Lb ; As etapas de operao so apresentadas na Figura 6. As principais formas de onda do conversor boost no convencional operando em conduo crtica de corrente, so mostradas na Figura 7. As variveis utilizadas na Figura 7 so definidas a seguir: 4 0 estgio - decrescimento linear da corrente i Lb atravs de D 2 e D 4 ( t3,4): No instante t3 a corrente no indutor L b igual a - Ibm' A tenso V swa se inverte e passa a ter valor igual a -V o , mantendo com isto os diodos D 2 e D 4 em conduo. A tenso sobre o indutor toma-se V Lb = 2V o - V in , a qual impe um decrescimento linear na corrente i Lb . Esta etapa termina quando a corrente i Lb se anula. D 4 (t2, t3): No instante t2 a corrente no indutor L b igual a zero. A tenso se mantm em V swa =V o , e faz com que os diodos D 2 e D 4 entrem em conduo. A tenso sobre o indutor V Lb = - Vin impe um crescimento linear na corrente i Lb
Ibm - valor de pico da corrente i Lb em cada perodo de chaveamento; Vin = Iv p sen eI a tenso de entrada retificada, considerada constante para um perodo de chaveamento; V o - tenso do barramento contnuo, mantida maior do que a tenso de pico de entrada Vprnax DI Th + \b V o + + D 4 D 3 IV' V. t D_4_D_3 J' v, 2 0 estgio - decrescimento linear da corrente i Lb atravs de DI e D 3 (tI> t2): No instante tI a corrente no indutor L b igual a Ibm' A tenso V swa se inverte e passa a ter valor igual a V o , mantendo com isto os diodos DI e D 3 em conduo. A tenso sobre o indutor toma-se V Lb = -( 2V o -V in ), a qual impe um decrescimento linear na corrente i Lb . Esta etapa termina quando a corrente i Lb se anula. 10 estgio - crescimento linear da corrente i Lb atravs de DI e D 3 (to, tI): No instante to a corrente no indutor L b igual a zero. A tenso V swa =- V o faz com que os diodos Dl e D 3 entrem em conduo. A tenso sobre o indutor V Lb Vin impe um crescimento linear na corrente i Lb
2V -v ,: :: o m _ H V in " L...- _ -Vin r'-----I . (2V o - Vi.) ............---J i Lb V. 1 D _ 4 _ D _ 3 J' v, :4 _ te: " : : Ibm: .. - mf:: .. .. ::
Figura 7 - Principais formas de onda do conversor boost no convencional operando em conduo crtica de corrente 4eslgio Figura 6 - Estgios de operao do conversor boost no convencional 60 SBA Controle &Automao Nol.a nO.2/Mai., Jun., Jul. e Agosto 1997 A indutncia boost normalizada em funo de a e tendo P o como parmetro, apresentada de forma grfica pela Figura 8. 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 Figura 8 - Indutncia boost normalizada em funo de a e tendo P o como parmetro. B. CONVERSOR LC PARALELO RESSONANTE Este conversor opera acima da de ressonncia para proporcionar comutao sob tenso nula. Se o circuito LC paralelo ressonante mostrado na Figura 5 for refletido ao primrio do transformador TI, a operao deste conversor pode ser considerada semelhante quela do conversor LC paralelo ressonante (Kazirnierczuk, 1993; Steigerwald, 1988; Caballero, 1991; Mahmoud, 1989; Yu, 1995; Gambirasio, 1989). A operao completa deste reator eletrnico fica estabelecida quando os dois conversores indf:pendentes so considerados operando em cascata. 5. ANLISE QUANTITATIVA A corrente de entrada, o fator de potncia e a distoro harmnica total so caractersticas significativas deste reator eletrnico. Os principais parmetros de projeto a serem determinados so: a indutncia boost e os parmetros ressonantes. onde: Lblk 0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 1J.V o k=-- 2.nf s (7) Po=20W 40W 80W llOW 5.1 - CORRENTE DE ENTRADA 5.4 - FATOR DE POTNCIA Devido ao filtro de entrada de alta freqncia, a corrente da rede de alimentao pode ser considerada igual ao valor mdio instantneo da corrente no indutor boost, de acordo com a seguinte equao (Liu, 1989): O fator de potncia definido pela seguinte equao: FP= P in V ACRMS .i ACRMS (8) A potncia de entrada obtida atra.vs da seguinte equao: onde: 5.2 - POTNCIA DE ENTRADA (1) (2) (3) Considerando que a tenso de entrada no possui componentes harmnicos, e levando em conta que a corrente obtida a partir da equao (1), pode-se chegar a: FP=_I_.(3.n-8.a). (9) .J2.n 3 Tr f(sene - a.sen 2 e)d8 o O fator de potncia deste reator eletrnico, em funo de a, dado pela equao (9), e apresentado em forma de grfico pela Figura 9. onde: FP (4) 0.998 Substituindo as equaes (1) e (4) em (3) chega-se a: 0.996 (5) 0.994 0.992 5.3 - INDUTNCIA BOOST 0.99 __--.l..:a Figura 9 -Fator de potncia do reator eletrnico em funo dea Considerando que a potncia de sada dada por: Po=Tj.P in , onde Tj o rendimento do reator eletrnico, a partir da equao (5) pode-se obter a indutncia boost normalizada de acordo com a seguinte equao: 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 (6) SBA Controle & Automao Nol.8 no.2/Mai., Jun., Jul. e Agosto 1997 61 14 10 12 THD (%) (12) Figura 11 mostra as correntes eficazes nos MOSFETs referentes ao do conversor boost no convencional proposto neste trabalho, juntamente com quelas referentes ao conversor boost no convencional operando no modo descontnuo apresentado por Vieira (1995). A partir da Figura 11 pode-se verificar que as perdas por conduo do conversor boost no convencional proposto neste trabalho sero menores do que quelas do conversor operando no modo descontnuo apresentado por Vieira (1995). Portanto, pode-se concluir que o reator eletrnico aqui proposto ir apresentar menores perdas totais por conduo nos MOSFETs (Vieira, 1996). --- I M t ,2RMS I - , so as correntes eficazes normalizadas nos MI ,2RMS - I base 2.nP;n ' 3 I base = V o ' e a corrente de base (1 ) MOSFETs (10) THD = FP A distoro harmnica total deste reator eletrnico, em funo de a, definida pela equao (10), e apresentada graficamente pela Figura 10. 5.5 - DISTORO HARMNICA TOTAL Considerando que o fator de deslocamento unitrio, ou seja, cos lj> = I, a distoro harmnica total (THD) pode ser definida por: IR.\1S 2.5 0.5 2 4 6 __ __ 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 1.5 Figura 10 - Distoro harmnica total do reator eletrnico em funo de a. 5.6 - PARMETROS RESSONANTES __ __ ,-a Figura 11 - Corrente eficaz normalizada nos MOSFETs do conversor boost no convencional no modo descontnuo: I M1 e 1 M2 , e no modo crtico I MI,2 (Cr) , Os parmetros ressonantes so obtidos considerando as duas condies diferentes de operao: a partida e a operao em regime permanente. Os clculos destes parmetros podem ser obtidos atravs de equaes apresentadas em Kazimierczuk, 1993. 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 5.7 - CORRENTE EFICAZ NOS MOSFETs DO CONVERSOR BOOST NO CONVENCIONAL 6. PROCEDIMENTO E EXEMPLO DE PROJETO As correntes eficazes nos MOSFETs do conversor boost no convencional, as quais possuem formas de onda simtrica, podem ser determinadas a partir da forma de onda da corrente no indutor boost, mostrada na Figura 7. Entretanto, deve-se levar em conta que as correntes nos MOSFETs tm o dobro do valor da corrente no indutor boost, devido a relao de transformao de 1:2. Com isso, as correntes eficazes normalizadas nos MOSFETs ficam definidas pela seguinte equao: Um procedimento para o projeto deste reator eletrnico, juntamente com um exemplo prtico, apresentado a seguir: a) Dados de Entrada: - tenso eficaz da rede de alimentao: VAC = 127 V +/- 15%, 60Hz; - potncia de sada: P o = 80 W; I - 3..[2 . f"[sen 2 0(1-aseno? +asen 3 (1-asenO)2]dO Ml. 2RMS - &.a(31t-Sa) o - freqncia de chaveamento: f s =50 kHz; - corrente nominal da lmpada fluorescente: lop =0,35 A; (11) - tenso de ignio da lmpada fluorescente: V ig = 500 V; - rendimento: 11 90%. onde: b) Escolha da Tenso Contnua do Barramento: Para que seja realizada a correo do fator de potncia, este reator eletrnico deve operar como um conversor boost. 62 SBA Controle &Automao Nol.8 no.2/Mai., Jun., Jul. e Agosto 1997 Portanto, a tenso V o deve ser sempre maior do que o mximo valor de pico da tenso da rede de alimentao, que expressa por: Vpmax = 180 V. Neste caso V o =190 V foi tambm escolhida. c) Determinao dos Parmetros O ~ e k: A partir das equaes (2) e (7) chega-se a: a= 0,47 e k=0,103. d) Determinao da Indutncia Boost, do Fator de Potncia e da THD: A partir da equao (6) e das Figuras 9 e 10 encontram-se: o valor da indutncia boost, dado por L b =540lJH, o fator de potncia FP = 0,991 e a THD = 13,4%. e) Parmetros Ressonantes: Atravs das equaes descritas por Kazimierczuk (1993) chega-se a: Cp= 5,9 nF e Lr=I,47 mR. t) Corrente eficaz nos MOSFETs do Conversor Boost no Convencional: A partir das equaes (11)-(13) e considerando os conversores ideais, obtm-se: IM =1,04 A. 1,2RMS 7. RESULTADOS EXPERIMENTAIS o diagrama completo do reator eletrnico proposto mostrado na Figura 12, cujos parmetros e componentes so os seguintes: -L b = 550 lJH, 80 espiras no ncleo EE 30/14, IP6-Thomton; -Lr = 1,45mH, 6612 espiras no ncleo EE 30/14, IP6-Thomton; -4 = 400 IlH, 37 espiras no ncleo EE 20/10, IP6-Thomton; -CpI = C p2=1O nF/1500 V; -Co = 220 1lF1250 V; -C b = 1 IlF1250 V, Cf = 0.68 IlF/250 V, (polipropileno); -Transformador TI : 33/66/50 espiras no ncleo EE42/15, IP6-Thomton; -Transformador 1'2: 5/14/14 espiras no ncleo EE 20/10, JD I D 2 IP6-Thomton; -Ponte retificadora de diodos de entrada, D s - D s : IN 4004; -Ponte retificadora de diodos rpidos, DI - D 4 : SK3GF04 (SEMIKRON) -MOSFETs, M b M 2 : IRFP 244 ("Intemational Rectifier"); -Diodos Zener do Circuito de Comando de Gate: D zI - D z4 lN759; -Circuito de Partida: RI = 330ld1, C I = 0.11lF/250V, De - DB 3 , D 9 -IN 4004; -Circuito de proteo contra sobretenso e sobrecorrente: QI-BC327, Q2 - BC547, R 2 = R s = ~ = 4.7ld1, R 3 = 62ld1, ~ = 1Old1, C2=0.11lF/100V, D IO - lN914, Dz5, D z6 - lN758. o circuito responsvel pela partida do reator eletrnico formado principalmente por RI , Cj e pelo diac De. Quando a tenso em C I atinge o valor da tenso de "breakover" do diac De , um pulso de disparo aplicado ao circuito de "gate" do MOSFET M 2 . A tenso de dreno deste MOSFET levada ao nvel zero e inicia o processo de oscilao do reator. O diodo D 6 evita a gerao de pulsos adicionais de partida. O circuito de proteo contra sobretenso e sobrecorrente atua interrompendo a oscilao do reator eletrnico. Ao cessar tais anormalidades, o reator eletrnico retoma a sua condio de auto-oscilao. Se a tenso do barramento contnuo ultrapassar a 230V a rede de amostragem de tenso, formada pelos resistores R 3 , ~ e ~ , provoca a conduo do diodo zener D z6 e dos transistores Ql e Q2, o que inibe a gerao de pulsos para os MOSFETs. A elevao da tenso do barramento contnuo pode ocorrer devido ao aumento da tenso da rede de alimentao ou quando as lmpadas fluorescentes no partirem, por defeito ou envelhecimento. O circuito de proteo de sobrecorrente atua como uma proteo mais rpida quando as lmpadas fluorescentes no partirem. Este fato provoca o aumento tanto da corrente como da tenso no indutor ressonante Lrl' Quando a corrente que passa por este indutor for maior do que cinco vezes a corrente nominal das lmpadas, a tenso que aparece sobre o capacitor C 2 ir provocar a conduo do diodo zener D zs e dos Circuito de proteo contra sobretenso e sobrecorrente Figura 12 - Diagrama completo do reator eletrnico proposto. SBA Controle & Automao Nol.8 no.21Mai., Jun., Jul. e Agosto 1997 63 8. CONCLUSO transistores Ql e Q2, o que ir inibir tambm a gerao de pulsos para os MOSFETs. As formas de onda experimentais foram obtidas para: VAC= 127 V e I Ac = 0.67A. A tenso e a corrente da rede de alimentao, as quais demonstram que este reator eletrnico apresenta alto fator de potncia, so mostradas na Figura 13. A tenso retificada de entrada e a corrente no barramento de tenso contnua so mostradas na Figura 14. A forma de onda de corrente no indutor boost, apresentando a envoltria na freqncia de 120 Hz, mostrada na Figura 15. A comutao do MOSFET M 2 pode ser vista na Figura 16, a qual mostra a entrada em conduo sob tenso nula. As seguintes caractersticas foram obtidas experimentalmente: TI = 94%, FP=0.99 e THD =14%. m 7 Nov 1996 16:2725 106 Acqs Tek Stop 100kS/s [ T Figura 14 - Tenso de entrada retificada Vin e corrente no barramer de teno contnua lin Escala de Tenso: 50 V/div Escala de Corrente: 0,5 Ndiv de remoo ou rompimento dos fluorescentes a oscilao Cabe ressaltar, que no caso filamentos das lmpadas interrompida naturalmente. Figura 15 - Corrente no indutor boost na freqncia de 120Hz Escala de Corrente: 0,5 Ndiv Escala de Tempo: 2,5ms/div Este trabalho apresentou um reator eletrnico de alto fator de potncia com um nico estgio de processamento de potncia e operao em conduo crtica de corrente. A corrente que circula pelo indutor boost L b e pelo secundrio do transformador Tia apresenta valor mdio nulo. No reator eletrnico operando em conduo descontnua (Vieira, 1995), a corrente que circula por estes elementos apresenta um valor mdio no nulo. Portanto, o projeto de tais elementos se toma mais crtico, j que se deve evitar a saturao dos ncleos (Vieira, 1996). A corrente no barramento de tenso contnua deste reator eletrnico possui o dobro da freqncia de chaveamento, devido a ao da ponte retificadora de diodos rpidos. Com isto, os harmnicos de alta freqncia na corrente de entrada, so eliminados atravs de um filtro de alta freqncia com elementos de valores menores (Vieira, 1996), quando comparados com os do reator eletrnico em conduo descontnua (Vieira, 1995). Tek Stop 390 Acqs m 7 Nov 1996 15:26 10 Tek 5rop: 100MS/s 168 Acqs Figura 13 - Tenso de entrada VAr e corrente de entrada lAr Escala de Tenso: 50 V/div Escala de Corrente: 0,5 Ndiv Escala de Tempo: 2,5ms/div. 7Novl995 15.07"55 f---' I '\ - ! + ",," // !i I IV M2 t / 1 M2 t 1/ I J /1 I
t / , t I / f ! i t ( ! I i I 1/1- I I I
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Figura 16 - Tenso e corrente no MOSFET M 2 (comutao) Escala de Tenso: 50 V/div Escala de Corrente: 2,0 Ndiv Escala de Tempo: 2,5Ils/div. 7 Nov 1996 152455 510 Acqs I T J "\ I t ri \V/>C' / '\1 f~ l \ ir -- N ./ I ! 1\ I \1
/ ! t I ~ ~ ~ l j \ I j I I \ ~ . . / i I lnl lUUI1'V , ln/ 1 .um 'M. ,ums lnl Ibmv Tek 5top: IOOk5/s 64 SBA Controle & Automao Nol.8 no.2/Mai., Jun., Jul. e Agosto 1997 A partir de simplificaes adequadas, foi possvel descrever o princpio de funcionamento deste reator eletrnico, atravs de dois conversores simplificados e independentes,. operando em cascata. O primeiro deles um conversor boost no convencional, operando em conduo crtica de corrente. Com este mtodo, a corrente de entrada. segue naturalmente a forma de onda senoidal da tenso de entrada, proporcionando alto fator de potncia para a rede de alimentao. O segundo deles um conversor ressonante LC paralelo, operando acima da freqncia de ressonncia para proporcionar comutao sob tenso nula para os MOSFETs. Por no necessitar de circuitos integrados para o comando dos MOSFETs, este conversor tem se apresentado como uma opo muito atrativa, j que possui custo competitivo com os reatores magnticos convencionais. Alm disso, este conversor propon:iona alta confiabilidade. Com base na anlise terica realizada, possvel concluir que este reator eletrnico apresenta menores perdas por conduo nos MOSFETs, em comparao com o reator eletrnico proposto por Vieira (1995). Entretanto, este reator eletrnico por utilizar mais trs diodos rpidos, possui um custo maior. Alm disso, a corrente no barramento de tenso contnua circula sempre por dois diodos rpidos em srie, o que aumenta as perdas por conduo. Ainda assim, este reator eletrnico possui menores perdas totais por conduo, j que as perdas por conduo nos MOSFETs so mais significativas. Isto foi comprovado experimentalmente na medio do seu rendimento. Um procedimento de projeto, juntamente com um exemplo prtico foram realizados. Os resultados experimentais foram obtidos para duas lmpadas fluorescentes de 40W operando com 50kHz de freqncia de chaveamento e tenso da rede de alimentao com valor igual a 127 V eficazes, os quais demonstram o alto fator de potncia e elevado rendimento deste reator eletrnico. 9. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS Alonso, J.M., J. Das, C. Blanco, e M. Rico (1993). A Smart- Lighting Emergency Ballast for Fluorescent Lamps Based on Microcomputer, IEEE-APEC, pp. 549-555. Caballero, D e I. Barbi.(1991). Electronic System for Fluorescent Lighting: Contribution for Resonant Parameters Design, 10 COBEP, Florianpolis, pp.56- 59. Deng, E. e Cuk S. (1994). Single Stage, High Power Factor, Lamp Ballast, IEEE-APEC Proc., pp. 441-449. Deng, E. e Cuk S.(1995). Single Switch, Unit Power Factor, Lamp Ballasts, lEEE-APEC Proc., pp. 670-676. Gambirasio, G., W. Kaiser, L. Matakas Jr. e W. P (1989). High Frequency Power Converters for Fluorescent Lamps, EPE Proc., pp.337-339. Hammer, E. E. e T. K. McGowan (1985). Characteristics of Various F40 Fluorescent Systems at 60Hz and High Frequency. IEEE - Trans. on Industry Applications, VoLIA-21, No.l, pp.11-16.. Kazimierczuk, M. K. e W. Szaraniek. (1993) "Electronic Ballast for Fluorescent Lamps". IEEE-Trans. on Power Electronics, voI. 8, No. 4, pp. 386-395. Laskai, L., Presad Enjeti e Ira J. PiteI (1994). A Unity Power Factor Electronic Ballast for Metal Halide Lamps, IEEE-APEC Proc., pp. 31-37. Laskai, L e J. PiteI (1995). Discharge Lamp Ballasting, IEEE- PESC'95, Tutorial 2, Atlanta, GA, USA. Licitra, c., Luigi Malesani, Giogio Spiazzi, Paolo Tenti e Antonio Testa (1991). Single-Ended Soft-Switching Electronic Ballast with unit Power Factor, IEEE- APEC Proc., pp. 953-957. Liu, K. H. e Lin Y. L (1989). Current Waveform Distortion in Power Factor Correction Circuits Employing Discontinuous-Mode Boost Converters, IEEE-PESC Proc., pp.825-829. Mahmoud, M. 1.(1989). Design Parameters for High frequency Series Resonance Energy Converters Used as Fluorescent Lamp Electronic Ballast", EPE, pp.367- 371. Nho, E.C, K.H. Jee e G.H. Cho (1991). New Soft-Switching for High Efficiency Electronic Ballast with Simple Structure. Int. Joumal of Electronics, VoI.71, No.3, pp. 529-542. Spangler, J. e A. K.Behera. (1991). Power Factor Correction Used for Fluorescent Lamp Ballast, IEEE-IAS Proc., pp.1836-1841. Steigerwald, R.L.(1988). A Comparison of Half-Bribge Resonant Converter Topologies, IEEE-Transaction on Power Electronics, voI. 3, No. 4, pp.174-182. Vieira, J.L. Freitas, Mrcio A. C e Luciano D. Zorzal (1995). High Power Factor Electronic Ballast Based on a Single Power Processing Stage, IEEE-PESC, pp. 687- 693. Vieira, J.L.Freitas, Marcio A. C, D.S.L Simonetti (1996). High Power Factor Electronic Ballast Operating at Critical Conduction Mode, IEEE-PESC, pp.962-968 Yu, T.H., H.M. Huang e T.F. Wu. (1995). Self Excited Half Bridge Series Resonant Parallel Loaded Fluorescent Lamp Electronic Ballast, IEEE-APEC, pp. 657-664. SBA Controle & Automao Nol.8 no.21Mai., Jun., Jul. e Agosto 1997 65