1.

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
Fisicamente, so estruturas cujo comportamento eltrico predominante depende:
das PROPRIEDADES DOS MATERIAIS E DAS INTERFACES
dos PARMETROS GEOMTRICOS CONSTRUTIVOS
Por exemplo, uma estrutura formada por uma camada de
material homogneo, com seo reta uniforme e
delimitada nas extremidades por dois eletrodos metlicos,
Placas metlicas
material
(, )
A
1.1 Introduo: dispositivos eletrnicos
d
A
C =
delimitada nas extremidades por dois eletrodos metlicos,
pode corresponder implementao de um dispositivo.
CAPACITOR Material um ISOLANTE com permissividade
RESISTOR
Material um CONDUTOR com resistividade
O dispositivo realmente possuir capacitncia e resistncia num modelo equivalente.
A
d
R =
d
v(t)
+
~
1.2 Junes p-n
So constitudas por materiais semicondutores extrnsecos de naturezas opostas, em
contato direto, determinando uma interface com propriedades fsicas notveis.
Esto presentes na grande maioria dos dispositivos semicondutores.
CONSEQNCIA: a redistribuio das populaes dos portadores d origem a campos
eletrostticos internos no equilbrio trmico, cujas propriedades podem ser exploradas.
Estrutura de Bandas da Juno p-n
V
o
Dispositivos eletrnicos de juno p-n
Juno ABRUPTA
p n
HIPTESES:
1) Problema 1-D .
2) Juno abrupta .
3) Monocristal (homojuno) .
Placas metlicas
A
v(t)
+
~
p n
i(t)
N
a
-
- N
d
+
Materiais SEPARADOS
p
n
0 x
E
C
E
V
E
C
E
V
E
Fp
E
Fn
Bandas de energia
E
C
E
V
E
C
E
V
E
F
E
F
?
SEMICONDUTOR EXTRNSECO: aquele que contm tomos doadores/aceitadores.
Silcio Intrnseco
Silcio tipo-n Silcio tipo-p
dopagem
CAMPOS ELETROSTTICOS INTERNOS
Para calcular E na R.D. preciso obter a
variao do potencial eletrosttico, (x):
=
r r
E
Inversamente, (x) pode ser obtido a partir
da intensidade do campo, E(x):

=
x
dx x x E x ) ( ) (
r

Def.: POTENCIAL DE CONTATO, V

O
a altura da barreira de potencial que se estabe-
lece na juno p-n (interface) e que responde
pelas caractersticas eltricas do dispositivo.
NOTA
Como a posio do Nvel de Fermi dentro do
gap depende da dopagem do cristal, o
potencial de contato depende das concentraes
N
d
+ e N
a
-
empregadas na confeco da juno.
V
0
ESTATSTICA DE FERMI
Utilizando a aproximao de Boltzmann para
calculo das populaes de portadores nas
regies neutras:
V
o
|
|

\
|

=
T k
E E
N p
B
Vp F
V p
exp
|
|

\
|
=
T k
E E
N p
B
Vn F
V n
exp
|
|

\
|
=
T k
eV
p
p
B
o
n
p
exp
|
|

\
|
=
p
B
p
p
e
T k
V ln
0
|

\
=
n
p e
V ln
0
Analogamente, equacionando as populaes de eltrons:
|
|

\
|
=
p
n B
n
n
e
T k
V ln
0
1) Lado- p

a i p
a p
N n n
N p
/
2
2) Lado- n
+
+

d i n
d n
N n p
N n
/
2
|
|

\
|
=
+
2 0
ln
i
a d B
n
N N
e
T k
V
|
|

\
|
=
T k
E
N N n
B
g
V C i
2
exp
|
|

\
|
+ =
+
V C
a d B
g
N N
N N
e
T k
e
E
V ln
0
APROXIMAO DE DEPLEO
HIPTESES:
1) Concentraes de MINORITRIOS
desprezveis no cristal todo.
2) Concentraes de MAJORITRIOS iguais
s concentraes dos tomos dopantes
ionizados correspondentes fora da R.D.
3) Concentraes de ONS constantes e muito
superiores s concentraes dos portadores em
trnsito dentro da R.D.
CONSEQNCIA: a extenso da R.D. est relacionada altura da barreira de potencial.
2
0
) ( 2
) ( ) ( l
N N
N N e
x x x x V
d a
d a
p n
+
+
+
= =

2
1
0
1 1 2
(

|
|

\
|
+ =
+
a d
N N
V
e
l

NOTA
Sendo o campo mximo E
o
= ( ( ( (0) dado por: l
N N
N N e
x E E
d a
o
) (
) 0 (
+
+
+
= = =

r
N N
d a
) ( +
tm-se que:
l E V
o
2
1
0
=
Tambm, lembrando que:
|
|

\
|
=
+
2
0
ln
i
a d B
n
N N
e
T k
V
2
1
0
1 1 2
(

|
|

\
|
+ =
+
a d
N N
V
e
l

2
1
2 2
ln
1 1 2
(

|
|

\
|
|
|

\
|
+ =
+
+
i
a d
a d
B
n
N N
N N
T k
e
l

Ou ainda:
2
1
2
ln
1 1 2
(
(

(
(

|
|

\
|
+
|
|

\
|
+ =
+
+
V C
a d
B g
a d
N N
N N
T k E
N N e
l

CAPACITNCIA DA JUNO p-n
A juno p-n se assemelha a um capacitor de placas paralelas (regies tipo-p e tipo-n
condutoras) separadas pela R.D. (regio sem portadores de carga livres = isolante),
carregado (na ausncia de polarizao) com:
2
1
2
(

|
|

\
| +
+
=
+
= =
+
+
+

+
+

+ + +
o
d a
d a
d a
a
d
d a
a
d n d
V
N N
N N
e N N
N
A eN l
N N
N
A eN Ax eN Q

Na verdade Q
+
depende da tenso externa aplicada aos terminais (i.e, da polarizao)
do dispositivo, de modo que:
( ) ( )
2
1
2
(
(

|
|
|

|
=

+
+
v V
N N
e A v Q
a d

Tm-se com isso uma capacitncia dinmica na juno p-n:

( ) [ ]
( )
2
1
0
2
1
0
2
1
1
2
2
(

|
|

\
|
+
=
(

|
|

\
|
+
=
(

+
+
+
+ +
V V N N
N N e
A v V
dv
d
N N
N N
e A
dv
dQ
V C
d a
d a
V
d a
d a
V

( ) ( ) 2
(
(

|
|

\
+
=
+
+
v V
N N
N N
e A v Q
o
d a
a d

Na ausncia de polarizao (V = 0):

( )
l
A
V N N
N N e
A C C
d a
d a

=
(

|
|

\
|
+
=
+
+
2
1
0
0
1
2
0
!
1.3 Diodos retificadores
Uma d.d.p. externa aplicada afetar a barreira de potencial da R.D., mudando as
condies de injeo de portadores minoritrios e, portanto, a CORRENTE que
atravessa a estrutura do dispositivo.
V
o
e(V V)
POLARIZAO DIRETA
POLARIZAO REVERSA
REGIES NEUTRAS
(fora da R.D.)
DERIVA de portadores majoritrios
COMPONENTES DE CORRENTE
Majoritrios so injetados atravs da R.D. no lado neutro oposto onde so minoritrios.
REGIO DE DEPLEO
DIFUSO de portadores minoritrios
V
o
SEM POLARIZAO
V
( )
e(V
0
V)
Tomar como base as CORRENTES DOS MINORITRIOS INJETADOS, calculando-se as
suas concentraes em excesso e deslocando-se a origem para x = x
n
e para x = - x
p
.
A corrente I definida pelas interaes (nas fronteiras da R.D. com as regies neutras)
entre os majoritrios e os minoritrios injetados (aniquilaes mtuas).
HIPTESE DE BAIXA INJEO
Sob condio de polarizao direta as populaes de majoritrios se mantm praticamente
inalteradas, apesar da injeo dos minoritrios:
+

= =
= =
d no n
a po p
N n x n
N p x p
) 0 (
) 0 (
IDIA !
Na ausncia de polarizao externa aplicada a barreira V
o
da juno p-n est relacionada
com as populaes de majoritrios e de minoritrios:
|
|

\
|
= =
T k
eV
n
n
p
p
B
o
po
no
no
po
exp
Com a aplicao de uma ddp externa V (polarizao externa):
( )
(

=
=

=
=
T k
V V e
x p
p
x p
x p
B
o
no
po
n
p
exp
) 0 ( ) 0 (
) 0 (
Relacionando as duas condies anteriores (com e sem polarizao externa) obtm-se a
concentrao de minoritrios na fronteira da regio tipo-n com a R.D.:
|
|

\
|
=
|
|

\
|

=
T k
eV
p x p
T k
eV
p
p
x p
p
B
no n
B
no
po
n
po
exp ) 0 ( exp
) 0 (
CONSEQNCIA: tm-se um excesso de minoritrios em relao concentrao de
equilbrio trmico na regio tipo-n devido injeo destes na fronteira com a R.D.:
(

|
|

\
|
= = = = = 1 exp ) 0 ( ) 0 (
T k
eV
p p x p x p p
B
no no n n o

Trata-se de um caso onde se aplica a EQUAO DA DIFUSO COM RECOMBINAO,
uma vez que surge um gradiente de concentrao de minoritrios (buracos) na regio
neutra tipo-n devido chegada permanente de portadores injetados atravs da R.D.:
|
|

\
|

|
|

\
|
=
|
|

\
|

=
p B
no
p
o n
L
x
T k
eV
p
L
x
p x p

exp 1 exp

exp ) (
Uma vez que
n p
dif
p
p eD x J =
r r
) (
e que os minoritrios se distribuem segundo
) ( ) ( x p p x p
n no n
+ =
|
|

\
|

|
|

\
|
= =
p B
no
p
p
n
p
dif
p
L
x
T k
eV
p
L
eD
dx
p d
eD x J

exp 1 exp

) (

r
tm-se que
Assume-se que toda corrente devida aos buracos no lado tipo-n devida ao processo de
difuso desses minoritrios, dada a amplitude do seu gradiente de concentrao (i., a
componente de arrasto desses minoritrios pelo campo externo aplicado desprezvel
no lado-n, comparada componente de arrasto dos majoritrios al). no lado-n, comparada componente de arrasto dos majoritrios al).
A componente de difuso de minoritrios apresenta seu valor mximo em x= 0, onde
a componente de arrasto (deriva) dos majoritrios assume valor mnimo, pois em
qualquer seo transversal da regio neutra tipo-n
0 para , ) ( ) ( > = + x J x J x J
der
n
dif
p
Em x = 0, tm-se:
(

|
|

\
|
= = 1 exp ) 0 (
T k
eV
p
L
eD
x J
B
no
p
p
dif
p
Acomponente de deriva de eltrons (majoritrios) em x= 0, se transforma numa
componente de difuso desses portadores no incio da regio neutra tipo-p (em x = 0),
onde estes ltimos ingressam (como minoritrios) aps cruzar a R.D.
Prova-se, procedendo-se de forma anloga s dedues realizadas para estimar a
componente de difuso de buracos no lado-n, que para os minoritrios injetados no lado-p
a componente de difuso na fronteira com a R.D. (em x = 0):
(

|
|

\
|
= = 1 exp ) 0 (
T k
eV
n
L
eD
x J
B
po
n
n dif
n
NOTA
Portanto, em qualquer seo transversal dentro da R.D., uma vez que no h
recombinao de portadores nessa regio (por qu ?), tm-se:
) 0 ( ) 0 ( = + = = x J x J J
dif
n
der
p
(

|
|

\
|
|
|

\
|
+ 1 exp
T k
eV
n
L
D
p
L
D
eA AJ I
B
po
n
n
no
p
p
(

|
|

\
|
|
|

\
|
+
+
1 exp
2
T k
eV
N L
D
N L
D
eAn I
B a n
n
d p
p
i
Def.: CORRENTE DE SATURAO REVERSA, I
S
Valor de corrente que se estabelece quando uma ddp reversa V <<. -k
B
T/e aplicada aos
terminais eltricos do diodo.
|
|

\
|
+
+
a n
n
d p
p
i S
N L
D
N L
D
eAn I
2
Com isso, tm-se a Equao de Shockley (mais conhecida como equao do diodo),
que descreve o comportamento da curva caracterstica do dispositivo no plano I-V:
(
(

|
|

|
1 exp
eV
I I
(

|
|

\
|
1 exp
T k
eV
I I
B
S
OBSERVAES:
1) A equao de Shockley s descreve o
comportamento fora da ruptura.
2) Nos diodos reais h recombinao e-b
na R.D., o que desvia o comportamento
exponencial idealizado obtido (fator n).
3) A maioria das junes p-n prticas
no abrupta e sim gradual.
1.4 Diodos Schottky
So baseados em proprieades da R.D. de uma juno metal-semicondutor com carter
retificador, como o da juno p-n.
Def.: ELETROAFINIDADE, e
Energia necessria para liberar um eltron da banda de conduo de um semicondutor.
Def.: FUNO-TRABALHO (ou POTENCIAL ELETRO-QUMICO), e
Energia necessria para liberar um eltron da superfcie de um metal.
Quando uma camada metlica depositada sobre uma superfcie de material
semicondutor ocorre uma migrao de eltrons de um lado para o outro da interface como
conseqncia da diferena das energias mdias dos eltrons-livres nos dois materiais. conseqncia da diferena das energias mdias dos eltrons-livres nos dois materiais.
e
S
< e
m
Os eltrons-livres do semicondutor inicialmente possuem mais
energia que os do metal e, portanto, se difundem atravs da
interface aps o contato para a camada metlica.
e > e Os eltrons-livres do metal inicialmente possuem mais energia e
S
> e
m
Os eltrons-livres do metal inicialmente possuem mais energia
que os do semicondutor e, portanto, se difundem atravs da
interface aps o contato.
Def.: POTENCIAL DE CONTATO, V
o
a barreira de potencial que se estabelece para os portadores-livres do semicondutor
aps a redistribuio dos eltrons do sistema:
Forma-se, simultaneamente, uma barreira de potencial na interface para os eltrons-
livres do metal alcanarem a banda de conduo do semicondutor. Essa barreira, ao
contrrio da anterior, fixa e independente do potencial externo aplicado:
NOTA

<
>
=
) ( quando ,
) ( quando ,
p tipo
n tipo
V
S m m S
S m S m
O


=
m B
Uma d.d.p. externa aplicada afetar a barreira de potencial da R.D. (integralmente Uma d.d.p. externa aplicada afetar a barreira de potencial da R.D. (integralmente
contida no lado semicondutor) apenas para os portadores-livres do material
semicondutor, mudando as condies de injeo desses portadores no metal e, portanto, a
CORRENTE que atravessa a estrutura do dispositivo UNIPOLAR.
V
0
OBSERVAES
1) Na juno p-n a corrente dominada pela injeo dos MINORITRIOS, enquanto na
juno metal-semicondutor a corrente dominada pela injeo dos MAJORITRIOS.
2) Nos casos de junes metal-semicondutor com

S
<
m
sendo o semicondutor tipo-p

S
>
m
sendo o semicondutor tipo-n,
o potencial de contato negativo , no havendo formao de barreira para os portadores-
3) O diodo de barreira Schottky tem caracterstica I-V semelhante do diodo de juno p-n
(descrita pela Eq. de Shockley), mas por serem unipolares de portadores majotitrios so
mais rpidos quando aplicados para funo de chaveamento.
o potencial de contato negativo , no havendo formao de barreira para os portadores-
livres do semicondutor.
|
|

\
|

T k
e
AT I
B
B
S

exp
2
Essas junes so denominadas de CONTATOS HMICOS, porque so transparentes
ao fluxo de portadores em ambas as direes (baixa resistncia).
Sua corrente de saturao reversa (I
S
) tende a ser muito maior:
DIAGRAMAS DE BANDAS DE ENERGIA
1.5 Diodos especiais: Zener, Varactor, Tnel
DIODO ZENER (ou REGULADOR DE TENSO)
Efeito Zener
Ocorre em junes p-n fortemente dopadas (no-degeneradas),
em que
m
N N n
N N
e
T k
l
a d i
a d B 8
2
1
2 2
10
1 1
ln 2

+
+

|
|

\
|
+
|
|

\
|
=
Princpio de funcionamento baseado no efeito de ruptura eletrnica da juno p-n, que
pode ocorrer atravs de DOIS MECANISMOS:
Nestas junes p-n o campo mximo E
0
est
prximo da ruptura da rigidez dieltrica do material
semicondutor, que por isso alcanada com a
aplicao de uma tenso reversa de poucos volts.
l
V
E
0
0
2
=
Lembrar:
|
|

\
|
+ =
+
V C
a d B
g
N N
N N
e
T k
e
E
V ln
0
CARACTERSTICA I-V
Efeito Avalanche
Ocorre em junes p-n dopadas com concentraes de
impurezas em nveis convencionais, em que o campo atinge
um valor crtico que leva acelerao de eltrons a ponto de
faz-los colidir com ncleos ao longo do trajeto dentro da R.D.
(produzindo ionizaes por impacto ), num efeito de
multiplicao de portadores-livres. O potencial reverso
aplicado necessrio maior que no caso anterior.
EFEITO AVALANCHE
CARACTERSTICA I-V
Princpio de funcionamento baseado no efeito capacitivo da juno p-n, que pode ser
modulado pela tenso reversa aplicada aos seus terminais (que faz variar a largura da R.D.).
|
|

\
|
+
0
0
2
1 ) (
V
V
C V C
DIODO VARACTOR (VARiable reACTOR)
( )
( )
2
1
0
1
2
(

|
|

\
|
+
=
(

+
+ +
V V N N
N N e
A
dv
dQ
V C
d a
d a
V

onde
2
1
0
0
1
2
(

|
|

\
|
+

+
+
V N N
N N e
A C
d a
d a

1
0
<< V V
e
DIODO TNEL
Princpio de funcionamento baseado no efeito de tunelamento quntico de eltrons
atravs da R.D. da juno p-n realizada com materiais degenerados.