PETUNJUK EKSPERIMEN FISIKA SINTESIS SENYAWA PEROVSKIT Ba1-xSrxTiO3 (x = 0,0; 0,3) MELALUI SINTERING DAN KAR AKTERISASI STRUKTUR

DAN DIELEKTRISITAS

OLEH Dr. MARKUS DIANTORO, M.Si

UNIVERSITAS NEGERI MALANG FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM JANUARI 2012 SINTESIS SENYAWA PEROVSKIT Ba1-xSrxTiO3 (x = 0,0; 0,1) MELALUI SINTERING DAN KAR AKTERISASI STRUKTUR DAN DIELEKTRISITAS PENDAHULUAN Penelitian pada bidang fisika material terus dikembangkan dan makin gencar dilak ukan. Hal ini ditunjukkan dengan adanya meningkatnya jumlah artikel ilmiah yang diterbitkan dan dapat juga dilihat dari makin cepatnya teknologi canggih yang me manfaatkan sifat material cerdas. Pada dasarnya ada dua main stream dalam peneli tian material yaitu; (1) untuk mendapatkan jawaban permasalahan fisika fundament al, dan (2) untuk menemukan dan memenuhi permintaan dunia aplikasi teknologi. Usaha meningkatkan nilai ekonomi suatu material dapat dilakukan melalui berbagai cara. Secara garis besar cara itu adalah dengan mengubah performa makroskopis d an dengan mengubah struktur mikroskopis. Secara makroskopis suatu material dapat ditingkatkan performanya dengan melakukan pengecatan, pelapisan dengan material lain yang sesuai, pengubahan bentuk maupun ukurannya. Material untuk keperluan seni kerajinan, untuk keperluan bangunan termasuk dalam kategori ini. Secara mik roskopis, material dapat diubah sifatnya melalui doping atau subtitusi unsur ser upa, membuat komposit, membuat hibrid organik-inorganik. Material untuk keperlua n elektronik, fotonik, spintronik, magnetodielektrik atau material cerdas lain t ermasuk dalam kategori ini. Pada modul ini yang akan dipelajari adalah kelompok kedua. Metode sintesis material fungsional pada umumnya dapat dilakukan secara fisika a tau secara kimia atau gabungan keduanya. Secara fisika sintesis bahan dapat dila kukan melalui proses sintering, parsial melting, atau melting. Proses melting di lakukan dengan tujuan membentuk kristal tunggal, proses partial melting ditempuh untuk memperoleh polikristal yang terorientasi. Sedangkan proses sintering dipi lih untuk mendapatkan material yang orientasi butirannya random atau polikristal . Unutk kajian awal, sintering merupakan pilihan utama dan paling banyak digunak an karena merupakan proses yang murah dan cepat. Proses presipitasi atau kopresi pitasi merupakan contoh sintesis melalui reaksi kimia. Kedua cara kimia maupun f isika di atas digunakan untuk mensintesis material bulk.

Pada dasarnya untuk mendapatkan material yang dikategorikan sebagai kelompok fil m tipis dapat dilakukan melalui proses deposisi. Proses deposisi dapat berupa de posisi fasa padat, fasa cair maupun deposisi fasa gas. Untuk deposisi fase padat dapat dilakukan melalui elektrodeposisi. Prinsip utama elektro deposisi adalah memberi tegangan pada larutan ionik. Dengan kondisi ini ion positif akan menuju kutub negatif terus menerus sampai terbentuk lapisan. Metode sintesis film tipis fase cair dapat dilakukan melalui spincoating, deep coating, dan spray coating. Material yang akan dibuat dalam bentuk film tipis harus dibentuk dalam fasa cai r atau gel menggunakan pelarut yang sesuai. Beberapa metode sintesis film tipis fase uap antara lain CVD, MOCVD, dan sputtering. Barium Strontium Titanat (BST) merupakan salah satu bahan maju untuk aplikasi si rkuit terpadu (IC). Secara khusus, BST memiliki potensi penting untuk digunakan sebagai sel penyimpan muatan dalam DRAM (Dynamic Random Access Memori) karena me miliki konstanta dielektrik tinggi. Konstanta dielektrik senyawa ini dapat menca pai 20000 dalam keramik BST bulk. Ba1-xSrxTiO3, memiliki struktur perovskit ABX3, yang ditunjukkan pada Gambar 1. Tingginya konstanta dielektrik merupakan hasil dari perpindahan ion Ti dari pusa t oksigen oktahedral. Berdasarkan penelitian Ba1-xSrxTiO3 menunjukkan kelarutan padat(solid solubility) penuh atas semua rentang komposi, dengan struktur kubik pada suhu kamar untuk rentang 0,3 < x < 1, menjadi tetragonal untuk 0 x 0,3. Para meter kisi mulai dari 3,905 A untuk SrTiO3, dengan a = 3,994 dan c = 4,038 untuk BaTiO3 untuk BST bulk. Untuk aplikasi DRAM, bentuk kubik BST lebih disukai, den gan konstanta dielektrik yang tinggi dicapai dekat pada x = 0,3. Distorsi tetrag onal dari BST terkait dengan transisi paraelektrik-ke-feroelektrik dekat dengan suhu kamar untuk komposisi Ba0,7Sr0,3TiO3. Gambar 1. Struktur kristal perovskit (Ba,Sr)TiO3. Teori Dielektrisitas Secara sederhana bahan dielektrik adalah bahan yang tidak memiliki muatan bebas atau semua partikel bermuatannya terikat kuat pada molekul penyusunnya. Senyawa ini termasuk dalam kelompok kristal non-sentrosimetrik. Jika dikenai medan listr ik, material dielektrik tidak menghantarkan arus listrik E, tetapi akan timbul p ergeseran listrik D. Dalam bahan dielektrik, kumpulan momen dipol p membentuk polarisasi P, yakni jum lah momen dipol persatuan volume. Untuk suatu Kristal, polarisasi merupakan juml ah momen dipole dalam suatu sel satuan dibagi dengan volume sel. Jika bahan meng andung jumlah molekul persatuan volume sebanyak N, dan masing-masing memiliki mo men p, maka polarisasinya dapat didefinisikan sebagai P= Np ..(1) Dalam kasus ini P, E, p, dan D merupakan besaran berarah. Menurut persamaan Max well tentang pergeseran, D= 0 (E + P) ................................... ......... (2) Dengan D adalah pergeseran (displacement) atau induksi listrik, 0 adalah dielekt risitas bahan dalam ruang hampa, E adalah medan listrik, dan P adalah polarisasi . Polarisasi dapat dikelompokkan dalam beberapa jenis, diantaranya yaitu, polari sasi elektronik, polarisasi ionik, polarisasi dipolar, polarisasi muatan ruang. Secara eksperimen konstanta dielektrik dapat diperoleh dari pengukuran kapasitan si listrik. Pada kesempatan ini hanya dibahas pengukuran DC. Kapasitansi merupak an ukuran kemampuan dua konduktor dalam menyimpan muatan Q, ketika beda potensia l V diterapkan yang memenuhi persamaan C = Q/V = (Coulomb (C))/(Volt (V)) = Farad (F) .. (3) Kapasitansi suatu kapasitor kosong sangat ditentukan oleh geometri. Konstanta ke sebandingan didefinisikan sebagai o m rupakan p rmitivitas ruang hampa. S lanjutn ya kapasitansi kapasitor l mp ng s jajar m miliki p rsamaan Co = o(V/d)A/(V )= (o A)/d (4) D ngan q : muatan listrik (C), d : jarak (m), dan A : luas (m2) K tika suatu bahan disisipkan diantara plat s jajar, kapasitansi m njadi b rtamb ah. Konstanta di l ktrik dituliskan s p rti pada p rsamaan (5).

K = C/Co = (A/d)/(o A/d) = /o ...... (5) D ngan m rupakan p rmitivitas bahan di l ktrik dalam F/m. Rumusan Masalah Tulis rumusan masalah yang s suai METODE PENELITIAN Alat dan Bahan Alat N raca digital Mortar dan p st l Alat c tak/ di s Alat p n kan hidrolik Tungku listrik DC capacitanc S t p ngukur I-V XRF PanAnalytical XRD Pan Analytical Bahan BaCO3 SrCO3 TiO2 Pros dur Eksp rim n a. Buatlah p rsamaan r aksi untuk m mbuat Ba1-xSrxTiO3 d ngan (1) x = 0 atau BaT iO3 dan (2) x =0,3 atau Ba0,7Sr0,3TiO3 dari bahan awal yang dis diakan. b. Hitunglah masing masing bahan dasr jika ingin m mbuat s nyawa hasil r aksi s b sar 1 gram. c. timbanglah bahan dasar t rs but s suai hasil b d. tuangkan masing masing dalam mortar, dan g rus sampai homog n dan halus. Pada pros s ini dapat digunakan m sin milling. . jika sudah cukup halus s lanjutnya masukkan dalam di s dan c tak m njadi pil. Timbanglah samp l ini. f. pil atau samp l p l t itu masukkan dalam cawan alumina atau cawan k ramik. La lu masukkan dalam tungku listrik. Buatlah program sint ring s bagai b rikut. Pan askan dari t mp ratur ruang sampai 1000 oC d lgan laju kira-kira 6 sampai 10 oC p r m nit. Mudahnya capailah t mp ratur 1000 oC t rs but pada 6 jam. Tahan lah p ada 1000 oC s lama s kitar 10 sampai 48 jam. Lalu turunkan sampai t mp ratur rua ng. g. jika sudah dingin, k luarkan samp l dari tungku. Timbanglah samp l hasil sint ring ini. Samp l ini siap dikarakt risasi X-RF, X-RD, di l ktrik, dan I-V. h. Buatlah analisis unsur hasil XRF dan bandingkan d ngan unsur dari s nyawa das ar. i. Buatlah analisa fas yang ada pada s nyawa hasil sint ring. Apakah struktur k ristalnya sama? j. B rapa nilai konstanta di l ktrik dari bahan anda? k. Bagaimana pola I V pada t mp ratur ruang? B rapa r sitivitasnya? l. Bandingkan hasil d ngan tanpa doping? KESIMPULAN Buat k simpulan dari ksp rim n anda s suai p rmasalahan DAFTAR PUSTAKA William D Callist r, dan David G. R thwisch, Mat rials Sci nc and Engin ring, SI v rsion, disi VIII, John Wil y & Sons, 2011 Thomas R mm l, Richard Gr gory and B th Baum rt, Charact rization of Barium Stro ntium Titanat Films Using XRD, JCPDS-Int rnational C ntr for Diffraction Data 1999, 42 pp 38-45 Pitic scu, R. M., Vilarnhoa, P., Pop scu, L. M., Pitic scu, R. R., Hydroth rmal synth sis of p rovskit bas d mat rials for micro l ctronic applications, Journa

l of Opto l ctronics and Advanc d Mat rials Vol. 8, No. 2, April 2006, p. 543 54 7