REVISTA COLOMBIANA DE FSICA, VOL. 38, No.

2, 2006

ESTUDIO DE FOTOLUMINISCENCIA EN PELCULAS DELGADAS DE SILICIO POROSO PREPARADAS POR ANODIZACIN ELECTROQUMICA J. Torres, F. E. Castillejo, L. D. Lpez Carreo y J. E Alfonso Grupo de Fsica de la Materia Condensada, Departamento de Fsica, Universidad Nacional de Colombia. RESUMEN
Pelculas delgadas de silicio poroso fueron producidas por el mtodo de anodizacin electroqumica. Las muestras se anodizaron utilizando una solucin electrolitica compuesta por HF (25%) v/v y alcohol isoproplico (75 %) v/v. Se utilizaron sustratos de silicio monocristalino (100) de resisitividades 0.01, 0.1 y 1, -cm. Con cada una de estas resistividades se produjeron muestras utilizando corrientes de anodizacin de 1, 3, 5, 7 y 9 mA/cm2. La seal de fotoluminiscencia obtenida es intensa y predominantemente naranja, est ubicada alrededor de 720 nm, pero la posicin del punto mximo se desplaza dependiendo de la corriente de anodizacin. Muestras preparadas sobre sustratos de 0.01 -cm presentan un desplazamiento del mximo de emisin hacia longitudes de onda corta a medida que se aumenta la corriente de anodizacin. Se observ un comportamiento opuesto en muestras preparadas sobre sustratos de 0.1 y 1 -cm. Palabras Claves: Recubrimientos duros, Nitruro de Boro, Multicapas

ABSTRACT
Porous silicon thin films were prepared using the electrochemical anodization method. Samples were produced using as electrolyte a solution of HF (25 %) v/v and isopropyl alcohol. (100), p type silicon substrates of resistivities 0.01, 0.1, and 1 -cm were used. Samples were prepared using current densities of 1, 3, 5, 7 y 9 mA/cm2. The fotoluminiscence signal is intense and orange, it was located around 720 nm, but its maximum position is shifted depending on the anodization current density and substrate resistivity. In Samples prepared using substrates of resistivity 0.01 cm, the PL maximum is shifted to short wavelengths as the current density increase. It was observed an opposite behaviour with substrates of others resistivities. Key Words: Porous silicon, Electrochemical Process, Photoluminiscence.

1. Introduccin Desde el descubrimiento de la intensa seal de fotoluminiscencia en el silicio poroso [1], el material se ha venido estudiando por sus promisorias aplicaciones en optoelectrnica. El silicio posee una eficiencia cuntica reducida debido a la naturaleza indirecta de sus bandas de energa, lo que obliga a la integracin de otros materiales opticamente activos en la ya establecida tecnologa del silicio. La gran emisin del silicio poroso se asocia con su confinamiento cuntico, pero existen algunas discrepancias en torno al asunto [2]. En este trabajo se producen muestras de silicio poroso a diferentes condiciones de preparacin y se caracterizan con medidas de fotoluminiscencia en el visble.

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2. Detalles experimentales. Las muestras de silicio poroso se prepararon por el mtodo de anodizacin electroqumica de sustratos de silicio monocristalino tipo p, con resistividades de 0.01, 0.1 y 1 -cm. La anodizacin se realiz utilizando un electrolito compuesto por cido Fluor Hidrico (HF) 25 % (v/v) y alcohol Isoproplico 75% (v/v). Las muestras se prepararn a tiempos de anodizacin de 60 minutos y a corrientes de 1, 3, 5, 7 y 9 mA/cm2 respectivamente. Despus de la preparacin de las muestras, estas se enjuagaron 3 vecez con acetona y se secaron con aire. 2.1. Caracterizacin de las muestras La fotoluminiscencia (PL) fue exitada usando la linea 332 nm proveniente de una lmpara de mercurio. La seal de PL despus de pasar por un filtro pasa altos (Longitud de onda de corte 500 nm ) fue analizada por un monocromador ORIEL Corner Stone m, y detectada y procesada por un Tubo fotomultiplicador ORIEL y un amplificador Lock-In respectivamente. La respuesta del equipo fue descontada de los espectros de fotoluminiscencia. 3. Resultados y Discusin. En la figura 1 se presentan curves normalizadas de fotoluminiscencia obtenidas en muestras de silicio poroso preparadas sobre sustratos de resitividad 0.01 -cm. Al ojo es posible observar la seal de luminiscencia, ella a simple vista posee un color naranja. El espectro de fotoluminiscencia obtenido es ancho y se ha encontrado que la posicin espectral del mximo de fotoluminiscencia es dependiente de la corriente de anodizacin con la cual se preparo la muestra. En muestras con esta resistividad, la posicin del maximo se desplaza hacia longitudes de onda corta a medida que se incrementa la corriente de anodizacin (tiempo de anodizacin 60 min.) En la figuras 2 y 3 se presentan las curvas normalizadas de fotoluminiscencia obtenidas en muestras preparadas a diferentes corrientes y sobre sustratos de resisitividad de 0.1 y 1 -cm respectivamente. Los espectros son anchos pero en este caso la posicin espectral del mximo de la seal se desplaza hacia longitudes de onda larga a medida que la corriente de anodizacin aumenta. Es conocido que la porosidad de la muestra aumenta casi linealmente con el aumento de la corriente de anodizacin [3], disminuyendose as la dimensin del esqueleto remanente en las muestras de silicio poroso. Autores han concluido que debe existir un corrimiento de la seal de fotoluminiscencia hacia el azul a medida que disminuye la dimensin cuntica de las muestras (aumento de la porosidad). En las muestras preparadas sobre sustratos de resistividad 0.01 -cm la seal se desplaza hacia longitudes de onda corta a medida que aumenta la corriente de anodizacin como lo predice la teoria. En las muestras preparadas sobre sustratos de resistividad 0.1 y 1 -cm , el mximo se desplaza hacia longitudes de onda larga, opuesto a lo que indica la teora. Este resultado sugiere que la seal de fotoluminiscencia en el silicio poroso no depende de las dimensiones cunticas sino que es fuertemente dependiente de las condiciones de preparacin y de la resistividad del sustrato.

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1.0

Fotoluminiscencia (a.u.)

0.8

1.3 mA/cm 2 3.8 mA/cm 2 6.4 mA/cm 2 8.9 mA/cm = 0.01 -cm

0.6

0.4

0.2

0.0 500 550 600 650 700 750 800 850 900 950

Longitud de Onda (nm)

Figura No.1. Espectros de fotoluminiscencia obtenidos en muestras de silicio poroso, preparadas a tiempos de anodizacin de 60 min y diferentes corrientes de anodizacin. Resistividad del sustrato 0.01 -cm

1.0

Fotoluminiscencia (u.a.)

0.8

0.6

1.3 mA/cm 2 3.8 mA/cm 2 6.4 mA/cm 2 8.9 mA/cm 2 11.5 mA/cm = 0.1 -cm

0.4

0.2

0.0 400

500

600

700

800

900

1000

Longitud de Onda (nm)

Figura No.2. Espectros de fotoluminiscencia obtenidos en muestras de silicio poroso, preparadas a tiempos de anodizacin de 60 min y diferentes corrientes de anodizacin. Resistividad del sustrato 0.1 -cm

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1.0

Fotoluminiscencia (u.a.)

0.8

0.6

1.3 mA/cm 2 3.8 mA/cm 2 6.4 mA/cm 2 8.9 mA/cm 2 11.5 mA/cm = 1 -cm

0.4

0.2

0.0 400 500 600 700 800 900 1000

Longitu de onda (nm)

Figura No. 3 Espectros de fotoluminiscencia obtenidos en muestras de silicio poroso, preparadas a tiempos de anodizacin de 60 min y diferentes corrientes de anodizacin. Resistividad del sustrato 1 -cm Conclusiones La seal de fotoluminiscencia obtenida en pelculas delgadas de silicio poroso preparadas sobre sustratos de resistividad 0.01 -cm se mueve hacia longitudes de onda corta (azul) a medida que aumenta la corriente de anodizacin. En las muestras preparadas sobre sustratos de resistividad 0.1 y 1 -cm el mximo de fotoluminiscencia se desplaza hacia longitudes de onda larga a medida que aumenta la corriente de anodizacin. Estos resultados indican que la seal de fotoluminiscencia no solamente depende de la dimensin de su esqueleto sino tambin de la resistividad del sustrato y de las condiciones de preparacin. Agradecimientos: Los autores desean agradecer al IPPS y COLCIENCIAS Por su colaboracin econmica a este trabajo. Referencias
[1] L. T Canham Appl. Phys. Lett.57 (1990). 1046-1048. [2] O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. Surface Science Reports. 38 (2000) 1-126. [3] J. Dian, A Macec, D. Niznansk, I. Nemec, V. Vrkoslav, T. Chvojka, I. Jelnek. Applied Surface Science. 238 (2004) 169-174

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