Capitulo1: 1. Electrnica de potencia: Se puede definir como la aplicacin de la electrnica en estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica.

2. Tipos de tiristores: tiristores de control de fase SCR, de conmutacin rpida SCR, de desactivacin por compuerta GTO, de trodo bidireccional TRIAC, conduccin inversa RCT, de induccin estatica SITH, rectificadores controlador por silicio- activados por luz LASCR, controlados por FET FET-CTH, controlados por MOS MCT. 3. Circuito de conmutacin: Aquel q polariza la compuerta de un tiristor (DIAC, TRIAC, SCR, FET) para que haya paso de corriente de anodo a catodo 4. Condiciones para que un tiristor conduzca: un tiristor tiene 3 terminales; un anodo, catodo y compuerta. Cuando una pquea corriente pasa a travs de la terminal compuerta hacia el catodo, el tiristor conduce siempre y cuando la terminal de anodo este a un potencial mas alto q el catodo. 5. Como desactivar un tiristor en conduccin: Haciendo que el potencial del anodo se igual o menor al potencial del catodo. Los tiristores conmutados en lnea se desactivan en razn de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada y los tiristores conmutados en forma forzada, se desactivan en razn de la naturaleza. 16. Pasos incluidos en el dseno de un equipo electrnico de potecia: se puede dividir en 4 partes; 1.diseo de los circuitos de potencia, 2.- proteccin de los dispositivos de potencia, 3.- determinacin de la estrategia de control, 4.- diseo de los circuitos lgicos y de mando. 17. Efectos perifricos del equipo electrnico de potencia: Las operaciones de los convertidores de potencia se basan en la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia y como resultado, los convertidores introducen armonicas de corriente y de voltaje en el sistema de alimentacin y en la salida de los convertidores. Normalmente es necesario introducir filtro en la salida y en la entrada de un sistema convertidor para reducir a una magnitud aceptable el nivel de armonicas. 18. Diferencias entre las caractersticas de compuerta de los GTO y los tiristores: En que los tiristores no se desactivan por medio de la compuerta y los GTO si se les aplica un pulso negativo o a la compuerta se pueden desactivar de su modo de operacin. 19. Diferencias entre las caractersticas de compuerta de tiristores y transistores: Los transistores se activan por medio de corriente y los tiristores por medio de voltaje. 20.- Cules son las diferencias en las caractersticas de compuerta de los BJT y los MOSFET? Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los convertidores de energa a frecuencias menores que 10 Khz. Y su aplicacin es eficaz en las especificaciones de potencia de hasta 1200 V, 400 A. un transisor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. Por lo general, se opera en forma de interruptor en la configuracin de emisor comn. Mientras que la base de un transistor NPN este a un potencial ms alto que el emisor, y la corriente de base sea lo suficientemente grande como para excitar al transistor en la regin de saturacin, el transistor se conservar activado siempre que la unin del colector al emisor est correctamente polarizada. La cada directa de un transistor en conduccin esta en el rango de 0.5 a 1.5 V. si el voltaje de excitacin de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conduccin. (es decir, desactivado). Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y estn disponibles en una especificacin de relativamente poca potencia en rango de 1000V, 50 A, en un rango de frecuencia de varias decenas de Khz. 21.- Cul es la caracterstica de compuerta de un IGBT? Los IGBT son transistores de potencia controlados por voltaje. Por naturaleza, son ms rpidos que los BJT, pero aun no tan rpidos como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen caractersticas de excitacin y de

salida muy superiores a las altas corrientes y frecuencias de hasta 20 Khz. Los IGBT, estn disponibles hasta 1200 V, 400 A. 22.- Cul es la caracterstica de compuerta de un MCT? Un MCT se puede activar mediante un pequeo pulso de voltaje negativo, sobre la compuerta MOS respecto a su nodo), y descativar mediante un pulso pequeo de voltaje positivo. 23.-Cul es la caracterstica de compuerta de un SIT? Un SIT es un dispositivo de alta potencia y de alta frecuencia. Es en esencia, la versin en estado slido de un tubo de vacio trodo, y es similar a un JFET. Tiene una capacidad de potencia de bajo ruido, baja distorsin y alta frecuencia de audio. Los tiempos de activacin y desactivacin son muy cortos, tpicamente de o.25 useg. La caracterstica de normalmente activo y la alta cada de voltaje limitan sus aplicaciones para conversiones de energa de uso general. La especificacin de uso de corriente de los SIT pueden ser hasta de 1200V, 300 A, y la velocidad de interrupcin puede ser tan alta como 100Khz. Los SIT son adecuados para aplicaciones de alta potencia , alta frecuencia (es decir, audio, VHF/UHF y amplificadores de microondas). 24.- Cules son las diferencias entre un BJT y los IGBT? -Los IGBT son transistores de potencia controlados por voltaje -Son ms rpidos que los BJT -Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas corrientes. -Maneja frecuencias de hasta 20Khz. -Los IGBT estn disponibles hasta 1200V, 400 A. -Los BJT son transistores de potencia controlados por corriente. -Son menos rpidos que los BJT -No son adecuados para altos voltajes, altas corrientes. -Maneja frecuencias menores de 10 Khz -Puede manejar voltajes hasta 1200V y corrientes hasta 400 A 25.- Cules son las diferencias entre los MCT y los GTO? -Los GTO se activan mediante la aplicacin de un pulso breve positivo a las compuertas. -Los GTO se desenergizan mediante la aplicacin de un pulso corto negativo a las compuertas. -No requieren de ningn circuito de conmutacin -Son muy atractivos para la conmutacin forzada de convertidores -Estn disponibles hasta 400V , 3000. -Los MCT se pueden energizar mediante un pequeo pulso de voltaje negativo sobre la compuerta MOS (respecto a su nodo). -Los MCT se desenergizan mediante un pulso pequeo de voltaje positivo. -La ganancia de desenergizacin es muy alta. -Los MCT estn disponibles hasta 1000V, 100A. 26.- Cules son las diferencias entre los SITH y los GTO? -Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados. -Los GTO y los SITH se energizan mediante la aplicacin de un pulso breve positivo a las compuertas. -Los GTO y los SITH se desenergizan mediante la aplicacin de un pulso corto negativo a las compuertas. -Los SITH se diferencian de los GTO en sus especificaciones ya que los SITH estn disponibles hasta 1200V, 300A. y los GTO estn disponibles 4000V, 300 A. -Los SITH se aplican a convertidores de mediana potencia. -Los SITH manejan frecuencias de varios cientos de Khz. Mas alla del rango de frecuencias de los GTO. Capitulo 2: 1. Tipos de diodos de potencia: diodos estndar de uso general, de recuperacin rpida, y shottky. 2. Corriente de fuga de los diodos: cuando el potencial del nodo es positivo respecto al catodo se dice que el diodo tiene polarizacin directa y conduce. Cuando el potencial del ctodo es positiva con respecto al anodo, se dice que el diodo tiene polarizacin inversa (tmb conocida como corriente de fuga) en el

rango de los mA y uA, cuya magnitud crece en funcin del voltaje inverso, hasta llegar al voltaje de avalancha o zener. 3. Tiempo de recuperacin inversa de los diodos: intervalo de tiempo entre un instante en que la corriente pasa a travs del cero, durante el cambio de la conduccin directa a la condicin de bloqueo inverso y el momento en que la corriente inversa se ha reducido al 20% de su valor pico irr, trr depende de la temperatura de la unin, de la velocidad de abatimiento de la corriende directa y la corriente directa antes de la conmutacin. 4. La corriente de recuperacin inversa de los diodos es la corriente q fluye debido a los portadores minoritarios cuando un diodo esta en una condicin de polarizacin inversa. 5. El factor de suavidad de los diodos es la relacin de tb/ta donde ta esta generada por el almacenamiento de carga en la regin de agotamiento de la unin inversa pico irr; tb es debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo semiconductor. 6. Tipos de recuperacin de los diodos: los diodos de recuperacin rpida tienen un tiempo de recuperacin bajo menos q 5ms, se utilizan en circutos convertidores cd cd y cd ca en los que la velocidad de recuperacin es a menudo de importancia critica. Los diodos epitaxiales proporcionan velocidades de conmutacin mayores que las de los diodos de difusin. Para especificaciones de voltaje por arriba de 400v los diodos de recuperacin rpida se fabrican por difusin y el tiempo de recuperacin es controlado por difusin de oro o platino. 7. Causa del tiempo de recuperacin inversa de un diodo PN: la corriente de un diodo con polarizacin directa se debe al efecto neto de los portadores mayoritarios y minoritarios. Cuando un diodo esta en modo de conduccin directa y su corriente se reduce a cero, el diodo continua conduciendo debido a los portadores minoritarios que permanecen almacenados en la unin pn. 8. Efecto del tiempo de recuperacin inversa: limita la velocidad de elevacin de la corriente directa y la velocidad de conmutacin. 9. Por qu es necesario utilizar diodos de recuperacin rpida para conversin de alta velocidad? Por q aumenta la velocidad de recuperacin. 10. Qu es el tiempo de recuperacin directo? Es el tiempo q tardan en recombinarse las cargas en la unin pn. 11. Diferencias entre los diodos d unin pn y el shottky: en un diodo shottky se puede eliminar el problema de almacenamiento de carga de una unin pn. La carga recuperada de un diodo shottky es mucho menor que la de un diodo de unin pn. La corriente de fuga de un diodo shottky es mayor que la de un diodo pn. Un diodo shottky con un voltaje de conduccin relativamente bajo tiene una corriente de fuga relativamente alta y viceversa. 12. Limitaciones de los D shottky: su Vmax permisible esta limitado a 100v. Las especificaciones de corriente varian de 1 a 300 A. Son ideales para las fuentes de alimentacin de alta corriente y de bajo voltaje en corriente directa. Se utilizan en fuentes de alimentacin de baja corriente para una eficiencia mayor. 13. Tiempo de recuperacin inversa tpico d los diodos de uso general: tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente alto, tpicamente de 25us y se utilizan en aplicaciones de vaha velocidad en las que el tiempo de recuperacin no es critico, 14.Tiempo de recuperacin inversa tpico de los diodos de recuperacin rpida: tienen un tiempo de recuperacin bajo, por lo general menor que 5us. Se utilizan en circuitos convertidores cd cd y cd ca, en los que la vel de recuperacin es de importancia critica. 15. Cules son los problemas d los diodos conectado en serie y cuales son las soluciones posibles? En muchas aplicaciones de alto voltaje, un diodo comercialmente disponible no puede dar la especificacin de voltaje requerida, por lo que los diodos se conectan en serie para aumentar las capacidades de bloqueo inverso.