Anda di halaman 1dari 13

LAPORAN PRAKTIKUM R-LAB

Karakteristik VI Semikonduktor

Nama NPM Fakultas Departemen Grup & Kawan Kerja

: Albert Wilson Pardamean Marbun : 1006659640 : Teknik : Teknik Sipil : Kelompok A2 Ahmad Arinaldi Ahmad Syihan Ahmad Hafeizh E. Agung Setyo Akhmad Musthaza Albert Koto Indardyo Muhammad Anshar Amzy Albert Santoso

No & Nama Percobaan Minggu Percobaan Tanggal Percobaan Nama Asisten

: LR03, Karakteristik VI Semikonduktor : Minggu ke-6 : Nopember 2011 : Riki Pahlefi

Unit Pelaksana Pendidikan Ilmu Pengetahuan Dasar (UPP-IPD)

Universitas Indonesia
Depok

KARAKTERISTIK VI SEMIKONDUKTOR
I. TUJUAN PERCOBAAN Mempelajari hubungan antara beda potensial (V) dan arus listrik (I) pada suatu semikonduktor II. PERALATAN 1. Bahan semikonduktor 2. Amperemeter 3. Voltmeter 4. Variable power supply 5. Camcorder 6. Unit PC beserta DAQ dan perangkat pengendali otomatis III. LANDASAN TEORI 1. Bahan Padat Suatu bahan padat tersusun atas atom-atom, ion-ion atau molekul molekul yang letaknya berdekatan dan tersusun teratur membentuk suatu struktur tertentu seperti kristal. Perbedaan sifat pada zat padat yakni konduktor, isolator, superkonduktor atau semikonduktor disebabkan oleh adanya perbedaan gaya ikat antar atom, ion, atau molekulnya dan ini ada kaitannya dengan gaya listrik dan perbedaan ikatan bergantung jumlah elektron terluar. Berdasarkan struktur partikel penyusun, benda padat dibagi menjadi 2 jenis bahan yaitu kristal yang memiliki struktur dengan keteraturan panjang dan berulang secara periodik dan amorf yang memiliki keteraturan pendek. Semikonduktor Bahan semikonduktor adalah material yang memiliki sifat konduktivitas listrik di antara konduktor dan isolator (sifat penghantar listrik lebih baik dari isolator, juga kurang baik dari konduktor). Bahan ini memiliki dua jenis bahan, yaitu berstruktur kristal (Si, Ge, GaAs, dll) dan amorf (amorphous Si). Pada suhu rendah, bahan semikonduktor murni dapat menjadi isolator yang cukup baik. Namun, pada suhu yang tinggi dan terkena cahaya, bahan semikonduktor tidak murni akan mengalami kenaikan sifat konduktivitas yang cukup tinggi dan bahkan mampu mendekati konduktivitas bahan logam (konduktor).

LR03, Karakteristik VI Semikonduktor ... R-LAB

Bahan Semikonduktor Unsur Si Ge Paduan Unsur Padat (Golongan A) IV-IV SiC III-V AlAs AlSb BN GaAs GaP GaSb InAs InP InSb II-VI CdS CdSe CdTe ZnS ZnSe ZnTe IV-VI PbS PbTe

Germanium (Ge) dahulu merupakan satu-satunya bahan yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Namun, belakangan ini silikon (Si) menjadi populer setelah ditemukan cara mengekstra silikon dari alam. Silikon merupakan bahan terbanyak kedua yang ada di bumi setelah oksigen (O2). Pasir, kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur silikon. Struktur atom silikon, satu inti atom masing-masing memiliki 4 elektron valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron, sehingga 4 elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion atom-atom lain. Pada suhu yang sangat rendah (0K), struktur atom silikon dapat digambarkan sebagai berikut:

Struktur 2D kristal Si

(a) struktur kristal diamond Si (b) ikatan tetrahedron Si

Ikatan kovalen membuat elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke atom yang lain. Pada kondisi tersebut, bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik. Pada suhu tinggi, ada beberapa ikatan
LR03, Karakteristik VI Semikonduktor ... R-LAB 3

kovalen yang lepas karena energi panas sehingga elektron dapat terlepas dari ikatannya dan hampir dapat menjadi konduktor yang baik, namun hanya pada keadaan tertentu saja yakni dengan memberikan doping (penambahan atom). Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen dan diharapkan akan dapat menghantarkan listrik. Tipe-N (Negatif) Jika bahan semikonduktor berbahan Si diberikan doping Posfor (P) atau Arsen (As) yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi, maka Si yang tidak lagi murni (impuritis) akan memiliki kelebihan elektron yang membentuk semikonduktor tipe-N. Semikonduktor tipe-N ini bersifat melepaskan elektron.
Doping atom pentavalen

Tipe-P (Positif) Jika bahan semikonduktor berbahan Si diberikan doping Boron (B), Gallium (Ga), atau Indium (In) yang trivalen yaitu bahan kristal dengan ion yang memiliki 3 elektron pada pita valensi, maka Si akan memiliki sifat semikonduktor tipe-P. karena ion silikon memiliki 4 elektron, dengan demikian ada ikatan kovalen yang bolong (hole). Hole ini digambarkan sebagai akseptor yang siap menerima elektron (kekurangan elektron).
Doping atom trivalen

a. Semikonduktor murni Semikonduktor murni atau yang disebut dengan semikonduktor intrinsik adalah material semikonduktor di mana tiap-tiap atomnya berikatan kovalen satu sama lain membentuk suatu struktur kristal yang biasa disebut lattice. Semikonduktor ini memiliki sifat yang mendekati sebuah materila isolator dengan pita valensi dan pita konduksinya terpisahkan oleh gap energi (energy gap) yang kecil.
LR03, Karakteristik VI Semikonduktor ... R-LAB 4

Energi yang diperlukan untuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar 1,1 eV untuk Si dan 0,7 eV untuk Ge. Pada temperatur ruang (300 K), sejumlah elektron mempunyai energi yang cukup besar untuk melepaskan diri dari ikatan dan tereksitasi (excited) dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas. Besarnya energi untuk melepaskan elektron dari pita valensi ke pita konduksi disebut energi terlarang (energy gap). Jika sebuah ikatan kovalen terputus, maka akan terjadi kekosongan atau lubang (hole). Pada daerah dimana terjadi kekosongan akan terdapat kelebihan muatan positif dan daerah yang ditempati elektron bebas mempunyai kelebihan muatan negatif. Kedua muatan inilah yang memberi pengaruh sehingga terdapat aliran listrik pada semikonduktor murni. Jika elektron valensi dari ikatan kovalen yang lain mengisi lubang tersebut, maka akan terjadi lubang baru di tempat yang lain dan seolah-olah sebuah muatan positif bergerak dari lubang lama ke lubang baru.

Eksitasi elektron Si Proses aliran muatan (arus drift) menyatakan bahwa hantaran listrik pada semikonduktor adalah akibat adanya 2 partikel masing-masing bermuatan positif dan negatif yang bergerak dengan arah yang berlawanan akibat adanya pengaruh medan listrik. Akibat adanya 2 pembawa muatan tersebut, besarnya rapat arus dinyatakan sebagai:

= + =
Dimana: n dan p n dan p = + : konsentrasi elektron dan lubang (m-3) : mobilitas elektron dan lubang (m2V-1s-1) : konduktivitas (S cm-1)

LR03, Karakteristik VI Semikonduktor ... R-LAB

Karena timbulnya lubang dan elektron terjadi secara serentak, maka pada semikonduktor murni jumlah lubang sama dengan jumlah elektron atau dituliskan sebagai = = dengan ni disebut sebagai konsentrasi intrinsik. Sifat dasar Si dan Ge pada suhu 300 K Properti Gap energi (eV) Mobilitas elektron, (m2V-1s-1) Mobilitas lubang, (m2V-1s-1) Konsentrasi intrinsik, ni (m-3) Resistivitas, (m) Si 1,1 0,135 0,048 1,5 1016 2300 Ge 0,67 0,39 0,19 2,4 1019 0,46

b. Semikonduktor tidak murni Semikonduktor tidak murni atau yang disebut dengan semikonduktor ekstrensik didapat dengan memasukkan pengotor (doping) berupa atom-atom dari golongan IIIA atau VA ke dalam semikonduktor (SI atau Ge murni). Elemen semikonduktor beserta atom doping yang biasa digunakan adalah Boron (B), Carbon (C), Nitrogen (N), Aluminium (Al), Pofor (P), Arsenik (As), Indium (In), Tin (Sn), Antimon (Sb). Dengan adanya doping pada struktur kristal semikonduktor, maka didapat Si atau Ge yang kelebihan atau kekurangan elektron. Kelebihan elektron menyebabkan kristal bermuatan negatif dan sebaliknya sehingga memicu timbulnya gaya-gaya listrik akibat muatan elektron. 2. Sifat Listrik Semikonduktor Jika semikonduktor tipe-P dan tipe-N digabungkan maka pada sambungan akan terjadi proses difusi akibat ketidakseimbangan muatan di antara kedua material semikonduktor. Semua hole pada sambungan akan terisi oleh elektron sehingga tidak ada lagi elektron bebas. Difusi ini menyebabkan terbentuknya lapisan pengosongan atau deplesi. Pada lapisan ini, semikonduktor kembali pada sifatnya sebagai isolator. Jika ujung tipe-N disambungkan dengan kutub negatif suatu tegangan dan tipe-P disambungkan dengan kutub positif tegangan, maka elektron pada lapisan terdorong keluar dari hole dan kembali menjadi elektron bebas sedangkan hole yang ditinggalkannya akan terisi kembali oleh elektron (terjadi rekombinasi) dari tipe-N. Begitu seterusnya.
LR03, Karakteristik VI Semikonduktor ... R-LAB 6

Rekombinasi hole elektron dan emisi foton pada junction

Bahan padat bila dilewati oleh arus listrik maka akan timbul disipasi panas. Besarnya disipasi panas dinyatakan dalam I2R. panas yang dihasilkan akan menyebabkan perubahan nilai resistansi. Pada semikonduktor, peningkatan panas akan mengurangi nilai hambatannya. Peristiwa disipasi panas dan perubahan nilai hambatan semikonduktor saling mempengaruhi.

Rangkaian tertutup semikonduktor IV. PROSEDUR PERCOBAAN 1. Mengaktifkan webcam pada halaman web R-Lab dengan mengklik ikon video 2. Mengatur beda potensial yang diberikan pada rangakaian dengan memilih V1 3. Menyalakan catu daya dengan mengklik tombol power supply
LR03, Karakteristik VI Semikonduktor ... R-LAB 7

4. Menunggu percobaan hingga didapatkan data arus yang mengalir pada hambatan dan mencatat datanya 5. Mengulangi langkah 2 sampai 4 untuk beda potensial V2, V3, V4, V5, V6, V7, dan V8 V. HASIL DAN EVALUASI 1. Pengolahan Data Nilai V rata-rata dan I rata-rata

, 5

dan

, 5

Adapun nilai rata-rata beda potensial yang terukur dan arus yang terukur untuk V1, V2, V3, V4, V5, V6, V7, dan V8 adalah sebagai berikut: V rata-rata (volt) I rata-rata (mA)

Tegangan

Vi,i (volt) 0,46 0,46

I i,i (mA) 3,58 3,58

V1

0,46 0,46 0,46 0,94 0,94

0,46

3,58 3,58 3,58 7,17 7,17

3,58

V2

0,94 0,94 0,94 1,38 1,38

0,94

7,17 7,17 7,17 10,43 10,43

7,17

V3

1,38 1,38 1,38

1,38

10,75 10,43 10,75

10,558

LR03, Karakteristik VI Semikonduktor ... R-LAB

1,88 1,88 V4 1,88 1,88 1,88 2,30 2,30 V5 2,30 2,29 2,30 2,89 2,89 V6 2,89 2,88 2,88 3,22 3,21 V7 3,20 3,20 3,19 3,67 3,66 V8 3,66 3,65 3,64 3,656 3,204 2,886 2,298 1,88

14,34 14,34 14,34 14,66 14,66 18,57 18,25 18,57 18,90 18,57 24,44 24,44 25,09 25,09 25,09 27,37 28,67 28,67 28,67 29,33 32,26 32,91 33,24 33,56 34,21 33,236 28,542 24,992 18,572 14,468

LR03, Karakteristik VI Semikonduktor ... R-LAB

Grafik V vs I menunjukkan hubungan linier atau berbanding lurus antara tegangan rata-rata dan arus listrik yang diberikan:

Grafik V rata-rata vs I rata-rata


35 30 Kuat Arus Listrik (mA) 25 20 15 10 y = 9,358x - 1,9 R = 0,993 Hubungan V ratarata vs I rata-rata

Linear (Hubungan V rata-rata vs I ratarata)

5
0 0 1 2 Tegangan (volt) 3 4

Pada grafik linier di atas, dapat dilihat hubungan berbanding lurus antara besarnya nilai tegangan listrik yang diberikan terhadap arus listrik yang dihasilkan ( I = C konstan). Atau dengan kata lain, jika semakin besar tegangan listrik pada bahan semikonduktor, semakin besar pula kuat arus listrik yang dihasilkan. Ini dikarenakan suhu pada semikonduktor praktis tidak berubah sehingga dapat dihasilkan persamaan hukum Ohm:
V I
V

[]

(1)

Jika suhu semikonduktor berubah-ubah, maka hukum Ohm tidak berlaku pada bahan baik itu dioda atau transistor yang digunakan. Adapun persamaan garis lurus grafik ( = 9,358 1,9) didapat dengan cara kuadrat terkecil:
2

LR03, Karakteristik VI Semikonduktor ... R-LAB

10

Dengan perhitungan: Tegangan V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 = 8 0,46 0,94 1,38 1,88 2,298 2,886 3,204 3,656 16,704 3,58 7,17 10,558 14,468 18,572 24,992 28,542 33,236 141,118 0,2116 0,8836 1,9044 3,5344 5,280804 8,328996 10,265616 13,366336 43,775752 12,8164 51,4089 111,471364 209,323024 344,919184 624,600064 814,645764 1104,631696 3273,816396 1,6468 6,7398 14,57004 27,19984 42,67846 72,12691 91,44857 121,5108 377,9212

m=

xi yi n xi2

xi xi
2

yi

8 377,9212 16,704 141,118 666,134 = = , 8 43,775752 279,0236 71,1824

b=

xi2

yi xi 2 n xi xi

xi yi
2

43,77572 141,118 16,704 377,9212 135,254 = 8 43,775752 279,0236 71,1824

= ,

Pada peristiwa karakteristik VI semikonduktor tidak terdapat adanya perubahan suhu yang signifikan. Percobaan Ohm mendapatkan hubungan lurus atau konstan antara besar tegangan dengan arus listrik pada suhu tetap dan dinyatakan dengan Hukum Ohm. Ohm menemukan bahwa dengan rangkaian sederhana semikonduktor seperti gambar percobaan yang tersusun seri, kita dapat menentukan seberapa besar nilai menghambatnya semikonduktor terhadap aliran elektron. Besarnya nilai beda potensial per kuat arus disebut hambatan. Dengan demikian, Hukum Ohm dapat digunakan pada peristiwa ini. Pada setiap tegangan yang ditetapkan (V1, V2, , V8) dapat dicari besarnya nilai hambatan dengan menggunakan rumus (1). Tegangan V1 (volt) 0,46 (mA) 3,58 R () 128,4916
11

LR03, Karakteristik VI Semikonduktor ... R-LAB

V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8

0,94 1,38 1,88 2,298 2,886 3,204 3,656

7,17 10,558 14,468 18,572 24,992 28,542 33,236

131,1018 130,707 129,942 123,7347 115,477 112,2556 110,0012

Dari hasil perhitungan nilai hambatan masing-masing tegangan V1, V2, V3, ..., V8 yang ditetapkan pada semikonduktor, didapatkan nilai hambatan rata-rata yang dimiliki semikonduktor adalah sebesar 122,7139 . VI. KESIMPULAN Adapun kesimpulan yang didapatkan dari percobaan Karakteristik VI Semikonduktor ini adalah: 1. Besarnya tegangan berbanding lurus dengan arus listrik. Jika semakin besar tegangan listrik pada bahan semikonduktor, semakin besar pula kuat arus listrik yang dihasilkan 2. Hukum Ohm (V = I R) berlaku pada rangkaian seri semikonduktor dimana suhu relatif konstan 3. Hukum Ohm berlaku secara terbatas, hanya pada kondisi tertentu jika suhu pada semikonduktor praktis tidak berubah-ubah atau konstan 4. Grafik hubungan antara besarnya nilai tegangan yang diterapkan pada semikonduktor dan kuat arus listrik yang mengalir adalah berupa garis lurus 5. Besarnya nilai hambatan berbanding terbalik terhadap besarnya arus listrik yang mengalir VII. REFERENSI Endarko, 2007, Draf Modul Fisika, Jakarta: Biro Perencanaan dan Kerja Sama Luar Negeri Depdiknas Halliday, Resnick, Walker, 2005, Fundamentals of Physics, 7th Edition, Extended Edition, New Jersey: John Wiley & Sons, Inc, Tipler, P,A,,1998, Fisika untuk Sains dan Teknik-Jilid II (terjemahan), Jakarta : Penebit Erlangga http://www,fisika-ceria,com/sifat-listrik-bahan-semikonduktor,html
LR03, Karakteristik VI Semikonduktor ... R-LAB 12

http://cnt121,wordpress,com/2007/11/14/semikonduktor/

VIII.

LAMPIRAN

Data yang diperoleh dari percobaaan adalah sebagai berikut: Beda Potensial (V) 2,30 2,89 0,46 0,46 V1 0,46 0,46 0,46 0,94 0,94 V2 0,94 0,94 0,94 1,38 1,38 V3 1,38 1,38 1,38 1,88 1,88 V4 1,88 1,88 1,88 2,30 V5 2,30 2,30 2,29 3,58 3,58 3,58 3,58 3,58 7,17 7,17 7,17 7,17 7,17 10,43 10,43 10,75 10,43 10,75 14,34 14,34 14,34 14,66 14,66 18,57 18,25 18,57 18,90
13

V (volt)

I (mA)

18,57 24,44 24,44 25,09 25,09 25,09 27,37 28,67 28,67 28,67 29,33 32,26 32,91 33,24 33,56 34,21

2,89 V6 2,89 2,88 2,88 3,22 3,21 V7 3,20 3,20 3,19 3,67 3,66 V8 3,66 3,65 3,64

LR03, Karakteristik VI Semikonduktor ... R-LAB