5

BAB II KAJIAN PUSTAKA

2.1

Material Keramik Semikonduktor Keramik berasal dari kata Yunani yaitu keramos yang berarti tembikar

(pottery) atau peralatan terbuat dari tanah (earthenware). Keramik adalah bahan padat anorganik yang merupakan paduan dari unsur logam dan non logam. Pada umumnya ikatan atom pada material keramik didominasi oleh ikatan ionik. Atom logam dalam keramik akan menjadi kation (bermuatan positif) dan atom nonlogam menjadi anion (bermuatan negatif). Material keramik memiliki

karakteristik yang memungkinkan digunakan untuk berbagai divais, karena sifatsifatnya (Anonim,2009) seperti: Kapasitas panas yang baik dan konduktivitas panas yang rendah; Tahan korosi; Sifat listriknya dapat berupa isolator, semikonduktor, konduktor bahkan superkonduktor; Sifatnya dapat magnetik dan non-magnetik; Keras dan kuat, namun rapuh; dan Kerapatan yang rendah dan juga titik leleh yang tinggi.

Keramik dapat dibagi menjadi beberapa golongan yaitu isolator, semikonduktor, dan konduktor. Salah satu cara untuk menunjukkan perbedaan antara konduktor, semikonduktor, dan isolator yaitu dengan penggambaran tingkat-tingkat energi dalam bentuk pita energi untuk elektron-elektron dalam

bahan. Penggambaran pita energi untuk masing-masing material tersebut ditunjukkan pada gambar 2.1 berikut.
Energi elektron

Pita konduksi Pita konduksi Pita konduksi

Level fermi

Pita valensi Pita valensi Pita valensi

(a) Isolator

(c) Semikonduktor

(e) Konduktor

Gambar 2.1 Pita energi dari (a) isolator, (b) semikonduktor, dan (c) konduktor Pada isolator, ujung atas pita valensi dengan ujung bawah pita konduksi dipisahkan oleh celah pita energi (bandgap) yang lebar. Pada konduktor, ujung atas pita valensi dan ujung bawah pita konduksi saling tumpang-tindih (overlap). Sedangkan pada semikonduktor, celah pita energi antara pita valensi dan pita konduksi cukup kecil sehingga dengan pemberian sedikit energi termal saja sudah cukup untuk dapat mengeksitasi elektron dari pita valensi ke pita konduksi, dengan demikian sifat listriknya akan berubah. Bahan keramik semikonduktor memiliki nilai konduktivitas listrik berada diantara isolator dan konduktor. Oleh karena itu, keramik semikonduktor dapat bersifat sebagai isolator ataupun konduktor. Sifat inilah yang memungkinkan keramik semikonduktor banyak dipakai sebagai divais dalam bidang elektronika. Secara umum ada tiga cara pembentukan elektron bebas dan hole dalam bahan keramik semikonduktor, yaitu:

2.1.1 Eksitasi Melewati Band Gap Pada material semikonduktor khususnya semikonduktor intrinsik, eksitasi elektron terjadi melewati bandgap dari pita valensi ke pita konduksi. Contohnya pada pembentukan ikatan atom Si (silikon). Senyawa silikon memiliki band gap sebesar 1,12 eV (Carter et.al, 2007). Jika senyawa silikon tersebut diberi energi termal atau diberi energi cahaya yang lebih besar atau sama dengan 1,12 eV, maka elektron dari tingkat valensi akan tereksitasi ke tingkat konduksi.
Pada 0 K Tidak ada elektron pada pita konduksi Pita konduksi Level fermi Pita valensi 1,12 eV Pemberian energi sebesar 1,12 eV atau lebih

Gambar 2.2 Diagram pita energi pada silikon (Carter et.al, 2007)

2.1.2 Pemberian Pengotor (Dopant) Pemberian pengotor (dopant) dapat menyebabkan munculnya tingkat energi baru dalam energi gap. Perubahan tingkat energi ini dapat digolongkan menjadi dua bagian tingkat energi yaitu tingkat akseptor dan tingkat donor. Tingkat akseptor merupakan tingkat energi yang muncul di ujung atas tingkat valensi, karena dapat menerima elektron yang meninggalkan pita valensi. Sedangkan tingkat donor merupakan tingkat energi yang muncul di ujung bawah pita konduksi, karena tingkat ini dapat memberikan elektron ke tingkat konduksi.

Gambar 2.3

Pemberian dopant pada struktur band gap semikonduktor memunculkan tingkat energi baru yaitu tingkat donor dan tingkat akseptor (Carter et.al, 2007)

Pemberian pengotor (dopan) ini dapat mempengaruhi sifat-sifat listrik di dalam keramik semikonduktor tersebut. Adanya pengotor (dopan) dapat mengubah nilai konduktivitas dan resistivitasnya.

2.1.3 Semikonduktor Nonstoikiometri Semikonduktor nonstoikiometri terjadi karena elektron dan hole tereksitasi dalam pita konduksi dan valensi sebagai hasil reduksi atau oksidasi. Pada keadaan ini, proses yang terjadi hampir sama dengan semikonduktor ekstrinsik, tetapi muncul cacat elektron sebagai hasil stoikiometri kristal. (Carter et.al, 2007). Material keramik semikonduktor yang sering digunakan dalam berbagai divais, contohnya material logam oksida semikonduktor. Material logam oksida semikonduktor merupakan keramik semikonduktor yang berikatan dengan unsur oksigen. Jenis material semikonduktor ini termasuk ke dalam materal semikonduktor nonstoikiometri. Contoh material oksida semikonduktor

diantaranya adalah SnO2, ZnO, MgO, Fe2O3, dan lain-lain (Carter et.al, 2007).

2.2

Timah oksida (SnO2) Timah oksida (SnO2) merupakan keramik semikonduktor tipe-n yang dapat

ditemukan dalam bentuk mineral kasiterit. Juga dapat dihasilkan melalui logam timah yang dioksidasi pada titik lebur yang tinggi. Bahan SnO2 ini merupakan suatu senyawa ionik yang nonstoikiometri, karena adanya cacat titik berupa kelebihan atom logam Sn (Stannic). SnO2 banyak dimanfaatkan untuk berbagai aplikasi karena stabil terhadap perlakuan panas, biaya pendeposisiannya yang relatif murah, memiliki kereaktifan yang tinggi terhadap bermacam-macam gas dan sifat chemoresistor yang baik (Stetter,2002).

Gambar 2.4 Serbuk SnO2 (Wikipedia, 2010) Sel satuan dari SnO2 berisi 6 atom, yaitu 2 atom timah dan 4 atom oksigen. Dengan besar energi gap 3.6 eV, marerial ini memiliki konduktifitas yang rendah pada temperatur kamar. Tetapi konduktifitasnya dapat meningkat dengan pemberian doping atau pengotor. Hal itu juga menjadi bagian yang sangat penting untuk membuat sensor gas SnO2 dalam mendapatkan sensitivitas yang baik terhadap gas. Pengaruh penambahan Ta2O5 pada senyawa SnO2 dapat mengubah sifat listrik di dalam bahan SnO2.

10

Gambar 2.5 Struktur kristal SnO2 (Martin Sinner dan Hettenbach, 2000)

2.3

Teknologi film tebal Teknologi film tebal dilakukan dengan proses screen printing, dan

pembakaran. Proses ini termasuk proses standar dalam pembuatan sebuah divais semikonduktor. Bahan film tebal terdiri dari: Serbuk oksida semikonduktor Screen, merupakan tenunan berlubang-lubang yang terbuat dari serat yang berfungsi untuk menentukan pola yang akan dicetak dan menentukan ketebalan film yang menempel pada substrat. Bahan yang digunakan sebagai serat dapat berupa polyester, nylon dan stainless steel. Ketiga bahan tersebut mempunyai karakteristik yang berbeda. Umumnya bahan screen yang digunakan dalam proses teknologi film tebal ini menggunakan bahan stainless steel. Rakel (squeege) berfungsi untuk memindahkan pasta ke substrat dengan cara menekan pasta ke dalam screen. Tegangan permukaan akan menahan pasta pada substrat saat posisi screen kembali ke

11

keadaan semula. Bahan yang digunakan sebagai rakel adalah neoprine, polyrethana dan Viton. Posisi rakel harus menjadikan sisi tajam membentuk sudut 45 sampai 60 terhadap permukaan screen. Tekanan rakel terhadap screen akan berpengaruh terhadap hasil cetakan. Bila tekanan terlalu ringan maka pasta yang akan dilewatkan screen sangat sedikit, begitu pula sebaliknya. Frit terbuat dari beberapa campuran, yaitu; berbahan dasar palladium, ruthenium, platina, iradium, campuran antara (PbO, SiO2, B2O3) dan campuran lainnya. Senyawa organik atau Organic Vehicle (OV) yaitu senyawa yang memberikan sifat fluida pada partikel-partikel semikonduktor agar dapat dicetak pada substrat. Bahan yang digunakan biasanya berupa campuran terpineol, etil celulosa ataupun resin. Substrat, merupakan tempat jalur interkoneksi rangkaian serta tempat interkoneksi antara divais aktif maupun pasif (Efendi H., 1994). Fungsi Substrat dalam rangkaian film tebal, yaitu : 1. 2. Sebagai penunjang interkoneksi dan perakitan divais. Sebagai isolator dan tempat pelapisan serta pembentukan pola jalur konduktor. 3. 4. Media penyalur panas dari rangkaian. Sebagai lapisan dielektrik untuk rangkaian-rangkaian frekuensi tinggi. (Harper, 1994:27) Secara umum substrat harus mempunyai sifat :

12

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.

Kestabilan dimensi (tidak mudah berubah) Tahan terhadap gesekan Konstanta dielektrik yang rendah Permukaan rata dan halus Stabilitas kimia yang baik dan kecocokan dengan pasta Penghantar panas yang baik Daya serapnya rendah Jenis isolator yang baik

Bahan substrat yang banyak digunakan untuk rangkaian film tebal adalah alumina, berylia, gelas, quarz dan sapphire atau kombinasi dari bahan-bahan tersebut. Konduktor, sebagai jalur penghubung untuk rangkaian listrik. Bisa terbuat dari perak, campuran logam palladium dan perak, palladium dan emas, platina dan emas, serta campuran lainnya.

2.4

Sensor gas Sensor berasal dari kata Greek yaitu sentire yang artinya pemerhati atau

pendeteksi. Biasanya dianggap mempunyai hubungan dengan sifat rangsangan manusia. sensor secara umum didefinisikan sebagai alat yang mampu menangkap fenomena fisika atau kimia yang kemudian diubah menjadi sinyal elektrik baik berupa arus listrik ataupun tegangan. Fenomena fisika yang mampu memberikan respon (sensor) untuk menghasilkan sinyal elektrik meliputi temperatur, tekanan, gaya, medan magnet, cahaya, pergerakan dan sebagainya. Sementara fenomena

13

kimia dapat berupa konsentrasi dari bahan kimia baik cairan maupun gas (anonim, 2009). Material yang biasa digunakan sebagai divais sensor gas biasanya berupa bahan kristalin, memiliki banyak pori dan memiliki ukuran butir yang relatif kecil, sehingga banyak dapat terjadi proses reaksi reduksi-oksidasi ion oksigen (O) pada permukaan butir.

Mekanisme sensor gas Pada dasarnya, mekanisme pada sensor gas menggunakan proses chemishorbed, yaitu proses reaksi reduksi atau oksidasi yang terjadi pada gas reaktan (unsur-unsur kimia dari gas) karena adanya perpindahan elektron-elektron valensi pada atom-atom material sensor akibat adanya reaksi dengan gas-gas reaktan tersebut. Maka terjadi perubahan konsentrasi muatan dalam material semikonduktor yang merupakan proses transfer muatan dari partikel adsorbsi (gas) ke permukaan sensor. Dari proses tersebut, dapat mengakibatkan konduktifitas sensor berubah pada bahan semikonduktor (dalam hal ini SnO2).

Gambar 2.6 Model potensial barrier sebelum terdeteksi gas (Figaro, 2004:1)

14

Pada gambar 2.6 di atas, merupakan gambaran potensial barrier yang terjadi ketika belum terdeteksi gas. Pada proses ini terjadi proses oksidasi oksigen dari udara ke permukaan sensor. Sehingga akan memperbesar tinggi potensial barrier.

Gambar 2.7 Model potensial barrier ketika terdeteksi adanya gas (Figaro, 2004:2) Ketika sensor ditempatkan pada suasana gas, maka akan terjadi proses reaksi reduksi oksigen, yaitu proses pelepasan ion-ion oksigen di permukaan sensor karena ion-ion tersebut diikat oleh gas. Dengan demikian, rapat muatan pada muatan negatif oksigen pada sensor akan berkurang, dan mengakibatkan menurunnya ketinggian potensial barrier. Dengan menurunnya potensial barrier maka hambatan sensor juga akan menurun. Sensitivitas Sensitivitas adalah karakteristik dari sensor gas yang diakibatkan perubahan sifat fisika dan atau sifat kimia di bawah pengaruh gas. Sensitivitas juga menggambarkan tingkat terkecil konsentrasi yang dapat terdeteksi oleh sensor gas/terhadap perubahan konsentrasi yang kecil (Abhijith N, 2006:19)

15

Secara matematis, Sensitifitas dapat didefinisikan sebagai rasio dari resistansi di udara terhadap resistansi suatu gas. Hubungan tersebut dapat ditulis dalam persamaan (2.1) berikut: (Oleg, Lupan, dkk, 2008:3) 2.1

R merupakan perubahan resistansi gas ketika sensor gas berada dalam ruang. Dapat dilihat pada persamaan (2.2) (Oleg, Lupan, dkk, 2008:3)
| |

2.2

Dimana: Rudara : resistansi sensor gas di udara, Rgas : resistansi sensor gas ketika ada gas lain.

2.5

Mixing Mixing adalah proses pencampuran 2 serbuk ataupun lebih. Misalnya untuk

pencampuran serbuk keramik dengan serbuk lainnya seperti pengikatnya. Selain itu proses mixing juga bisa digunakan untuk mendapatkan distribusi ukuran serbuk yang merata, untuk penambahan pelumasan sehingga dapat merata. Pada gambar (2.8) dapat diketahui bagaimana pengaruh proses mixing pada campuran serbuk.

16

Gambar 2.8. Proses mixing (German, 1994) Proses mixing sangat penting dalam proses pembentukan serbuk. Ketidakhomogenan serbuk akan menyebabkan proses pembentukan serbuk yang tidak sempurna. Dalam proses mixing, kualitas campuran yang dihasilkan sangatlah penting sebab penyimpangan campuran tidak dapat dikoreksi dalam proses penyetaraan. Ada banyak masalah dalam pembuatan campuran yang homogen, khususnya pada tingkat mikroskopik. Ketidakhomogenan campuran terjadi dalam dua bentuk utama yaitu pemisahan tingkat dari serbuk dan segregasi menurut ukuran partikel. Segregasi yang dominan adalah segregasi ukuran partikel yang mengarah ketidaksamaan ukuran partikel sehingga kepadatan akan menurun dan akan variasi kepadatan dari titik ke titik. Bentuk yang kecil atau tak beraturan memerlukan pencampuran yang lebih lama untuk mendapatkan homogenitas dan menghasilkan perlakuan khusus terhadap campuran. Campuran kecil akan tertimbun, karena itu peningkatan waktu dibutuhkan untuk membentuk campuran homogen. Dalam keadaan tertimbun, campuran seragam sulit dibentuk.

17

2.6

Sol-gel Sol-gel Merupakan proses basah-teknik kimia (Larutan Kimia Endapan)

untuk pembuatan bahan (biasanya oksida logam). Dimana sol merupakan suatu sistem koloid, jika partikel padat terdispersi dalam zat cair sehingga partikel terdispersi tersebut masih mengalami gerak Brownian (Brownian motion) atau difusi Brownian (Brownian diffusion). Gel merupakan jaringan material padat yang mengandung komponen cair, dimana keduanya berada dalam fasa terdispersi dan terjadi jika medium pendispersi di absorbsi oleh partikel koloid sehingga terjadi koloid yang agak padat. Sehingga pada metode sol-gel, larutan mengalami perubahan fase menjadi sol (koloid yang mempunyai padatan tersuspensi dalam larutannya) dan kemudian menjadi gel (koloid tetapi mempunyai fraksi solid yang lebih besar daripada sol). Dalam proses pembuatan sol-gel, terdapat tiga tahapan reaksi yang dapat menggambarkan proses sol-gel yaitu sebagai berikut: 1. Hidrolisis, merupakan reaksi penggantian gugus alkoksida (-OR) oleh gugus hidroksil (-OH), 2. Kondensasi alkohol, dimana mengandung gugus silanol (Si-OH) menghasilkan ikatan siloksan (Si-O-Si) ditambah alkohol untuk kondensasi alkohol. 3. Kondensasi air, dimana mengandung silanol (Si-OH) menghasilkan ikatan siloksan (Si-O-Si) ditambah air untuk kondensasi air.

18

2.7

Sintering Sintering merupakan proses pengubahan serbuk padat menjadi keramik yang

padat dan kuat melalui proses pemanasan material mendekati titik lelehnya (Barsoum, 1997). Tabel 2.1 Mekanisme pada proses sintering (Barsoum, 1997) No 1 Jenis sintering Fasa cair Mekanisme Penggerak Difusi dan aliran kental Energi penggerak Tekanan kapiler dan

Tegangan permukaan Perbedaan energi bebas atau potensial kimia

Fasa padat

Difusi

Selama proses sintering berlangsung, terjadi perubahan dan ukuran pada butiran dan pori-pori. Secara fisik, keramik yang telah disinter akan mengalami penyusutan. Proses sintering meliputi tiga tahap yaitu: 1. Butir membulat kemudian terjadi pembentukan leher di titik kontak antar butir. 2. Masing-masing leher dari kedua butir dapat terlihat, akan tetapi proses pertumbuhan leher dapat dipandang sebagai quasi-equilibrium. Batas antara tahap pertama dan kedua tidak terlihat jelas. 3. Hubungan antar pori terputus, terbentuk pori yang terisolasi di batas butir dan ukuran butir meningkat. Dalam pembuatan sensor gas, proses sintering berfungsi pada proses pembentukan butir, sehingga diharapkan dengan proses sintering ini, sensor gas memiliki ukuran butir yang diharapkan. Butir merupakan kumpulan kristal dengan

19

orientasi yang seragam. Butir ini bisa besar bisa kecil ukurannya. Butir dalam pertumbuhannya terhenti oleh pertumbuhan grain yang lain. Batas antara butir disebut dengan batas butir/grain boundary. Batas butir terjadi karena adanya pertumbuhan butir kristal. Apabila butir kristal tumbuh kemudian bertemu dengan butiran kristal lain yang berbeda orientasi kristalnya maka terjadilah batas butir. Pada material gas sensor, batas butir inilah yang mengambil peranan. penyerapan oksigen/gas terjadi pada batas butir ini dikarenakan surface energy (energi permukaan) pada batas butir yang lebih tinggi dari butir/kristal. Oksigen lebih mudah terdifusi dan terserap ke daerah batas butir.