FACULDADE DE NEGCIOS E TECNOLOGIA DA INFORMAO ANHANGUERA EDUCACIONAL DISCIPLINA: ELETRNICA I PROFESSOR: GLADISTON NEVES DE OLIVEIRA CURSO: ENGENHARIA ELTRICA

SRIE / TURMA: 5A

ATIVIDADES PRTICAS SUPERVISIONADAS ATPS

ALUNO: CARLOS ALBERTO CASTRO

RA: 1065831235

TAGUATINGA/DF, 13 DE MARO DE 2012

1. Teoria dos Diodos

2. Circuitos com Diodos

3. Diodos com finalidades especficas

4. Transistores Bipolares

1. Teoria dos Diodos: Diodo um componente que, para um lado conduz e para outro no!

Diodo consiste na unio de uma juno tipo N com uma juno tipo P, sendo que de um lado ele possui material com eltrons livres e do outro material com lacunas. No local de unio desse material, alguns eltrons preenchero as lacunas (recombinao), formando ali no meio uma regio sem portadores de cargas livres (depresso), ou seja, de um lado na regio N existem muitos eltrons livres, possui 5 eltrons na ltima camada, na ligao covalente somente so usados 4 eltrons, portanto sobra 1 eltron para se movimentar com liberdade e conduzir corrente eltrica. Do outro lado na regio P, possui 3 eltrons na ltima camada, portanto na ligao covalente fica faltando 1 eltron e deixa um buraco no lugar da ligao do 4 eltron, o qual chamamos de lacuna. No ponto da juno entre N e P, ocorre que de um lado temos alguns eltrons livres e do outro temos espaos (buracos), portanto quando da movimentao dos eltrons alguns iro cair nestes buracos, realizando o fenmeno chamado de recombinao. Na regio central no h eltrons livres e nem lacunas, no h nada para conduzir corrente eltrica, ento, a configurao do diodo dada por parte N com eltrons livres, e parte P que possui lacunas que se comportam como cargas positivas. O resultado obtido com isso se demonstra com a seguinte situao: Ao ser colocado um potencial positivo no lado P e outro negativo no lado N, as lacunas de P so empurradas (repulso) em direo camada central (depresso), enquanto os eltrons livres lado N, tambm so. Fazendo com que a camada de depresso diminua. Se este potencial positivo for suficiente para vencer a camada de depresso o diodo ir conduzir corrente eltrica. Essa configurao de polo positivo P e negativo N denominamos de polarizao direta.

Ao ser colocado um potencial invertido, ou seja, polo positivo lado N e negativo P. Ocorreria que as lacunas seriam atradas pelo potencial negativo, enquanto os eltrons seriam atrados pelo polo positivo. Desta forma as lacunas e eltrons se afastariam da regio central, fazendo com que a rea de depresso aumente. Portanto, o diodo passa a no conduzir a corrente eltrica e denominamos esta condio de polarizao inversa. 2. Circuitos com Diodos Analisando o comportamento de um diodo empregado num circuito. J foi dito anteriormente que o diodo um componente eltrico que permite a passagem da corrente num sentido e restringe no outro sentido. Quando colocado em um circuito simples (bateria lmpada) o diodo impede ou permite o fluxo de corrente atravs de lmpada, dependendo da polaridade e da tenso aplicada.

A diferena observada que quando a polarizao direta existe uma queda de tenso no diodo (no caso silcio 0,7V), portanto uma fonte de 10V polarizada diretamente no diodo em srie com uma resistncia faz com que haja uma queda de tenso para 9,3V na resistncia, pois 0,7V vai ser necessrio para rompimento da barreira do diodo que de 0,7V. Na polarizao inversa faz com que a corrente fique toda retida no diodo e no h tenso no resistor. A principal funo de um diodo semicondutor em circuitos retificadores alternada em corrente continua pulsante.

J em circuitos de corrente contnua, controlar o fluxo da corrente, permitindo que a corrente eltrica circule apenas em um sentido. 3. Diodos com finalidades especficas

4. Transistores Bipolares um componente eletrnico (resistor/resistncia de transferncia) so utilizados principalmente como amplificadores e interceptores de sinais eltricos. O processo de transferncia de resistncia significa que a impedncia varie para cima ou para baixo da polarizao estabelecida, a corrente eltrica que passa entre o coletor e emissor, varia. Esta variao feita atravs da variao da corrente num dos terminais chamado de base. Sua montagem feita justapondo-se uma camada P, uma N e outro P, criando um transistor do tipo NPN, a camada do centro denominada base, as outras duas so emissor e coletor.

A forma de funcionamento de um transistor bipolar o controle da corrente coletor-emissor feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a juno coletor-base polarizada reversamente e a juno base-emissor polarizada diretamente. Uma pequena corrente de base suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais de coletor-emissor. Esta corrente ser to maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com o ganho.

Caractersticas de um transistor:

O fator de multiplicao da corrente na base (iB), mais conhecido por Beta do transistor ou por hfe, que dado pela expresso iC = iB x

iC: corrente de coletor iB: corrente de base B: beta (ganho de corrente de emissor)

Configuraes bsicas de um transistor: Existem trs configuraes bsicas (BC, CC e EC)[5], cada uma com suas vantagens e desvantagens. Base comum (BC)

Baixa impedncia(Z) de entrada. Alta impedncia(Z) de sada. No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada. Amplificao de corrente igual a um.

Coletor comum (CC)

Alta impedncia(Z) de entrada. Baixa impedncia(Z) de sada. No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada. Amplificao de tenso igual a um.

Emissor comum (EC)

Mdia impedncia(Z) de entrada. Alta impedncia(Z) de sada. Defasagem entre o sinal de sada e o de entrada de 180. Pode amplificar tenso e corrente, at centenas de vezes.

Os transistores possuem diversas caractersticas. Seguem alguns exemplos dos parmetros mais comuns que podero ser consultadas nos datasheets dos fabricantes:

Tipo: o nome do transistor. Pol: polarizao; negativa quer dizer NPN e positiva significa PNP. VCEO: tenso entre coletor e emissor com a base aberta.

VCER: tenso entre coletor e emissor com resistor no emissor. IC: corrente mxima do coletor. PTOT: a mxima potncia que o transistor pode dissipar Hfe: ganho (beta). Ft: freqncia mxima. Encapsulamento: a maneira como o fabricante encapsulou o transistor nos fornece a identificao dos terminais.

Existem tambm outros tipos de transistores, notadamente os de efeito de campo (transistores FET, de Field Effect Transistor); neste caso, o controle da corrente feito por tenso aplicada porta.

Referncias de pesquisa: MALVINO, Alberto Paul. Eletrnica. 4. Ed. So Paulo: Editora McGraw-Hill, 1996 http://en.wikipedia.org/wiki/Diodo_semicondutor http://pt.wikipedia.org/wiki/Trans%C3%ADstor