2012

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

INGENIERIA EN COMUNICACIONES Y ELECTRONICA ACADEMIA DE ELECTRONICA PRACTICA 3 COMPORTAMIENTO DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES EN LA TRANSICION DE POLARIZACION DIRECTA E INVERSA ELABOPRADO POR:

FECHA DE ENTREGA: 20 DE MARZO DEL 2012

OBJETIVOS.- El alumno deber: 3.1. Obtener, medir y comparar los tiempos de almacenamiento "t",. Y de decaimiento "tr" para distintos diodos semiconductores. 3.2. Obtener y medir las variaciones en los tiempos de almacenamiento y decaimiento, por efectos de temperatura y de la relacin de corriente directa e inversa. 3.3. Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, grficas y mediciones llevadas a cabo durante la realizacin de esta practica. EQUIPO PROPORCIONADO POR EL LABORATORIO: OSCILOSCOPIO DE DOBLE TRAZO Y PUNTAS DE PRUEBA GENERADOR DE SEALES MULTMETRO ANALGICO Y/O DIGITAL MATERIAL REQUERIDO QUE DEBE DE TRAER EL ALUMNO: 1 Diodo 1N4004 (Si) 1 Diodo OA81 (Ge) 1 LED rojo (Arsenuro de Galio) 1 Diodo 1N914 (Diodo de Silicio de alta velocidad de conmutacin) 1 Resistor de 1 K a W Pinzas de punta, Pinzas de corte y Desarmador. Cables: 6 caimn caimn, 6 caimn banana, 8 banana banana, mnimo de 50cm de longitud. Tablilla de conexiones (protoboard). 4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin BNC y en el otro caimanes.

DESARROLLO EXPERIMENTAL Para el buen desarrollo experimental de esta practica y la obtencin de los objetivos de la misma, ser requisito indispensable que el alumno presente por escrito, en forma concisa y breve, la teora bsica y su interpretacin en lo que se refiere a los tiempos de almacenamiento y decaimiento en diodos semiconductores. 3.1. Obtener, medir y comparar los tiempos de almacenamiento t s y decaimiento tf para distintos diodos semiconductores. 3.1.1. Armar el circuito de la figura 3.1., colocar el canal X y el canal Y del osciloscopio tal como se muestra en la figura (usar el osciloscopio con base de tiempo interna). Usando el generador aplicar al circuito una seal cuadrada de 10V pico y 100KHz. Figura 3.1

Colocar uno a uno los diodos, en el orden indicado en la taba 3.1. y medir en cada caso, los tiempos de almacenamiento, decaimiento y de recuperacin inversa, as. como la corriente directa a inversa respectivamente. TIEMPOS DE ALMACENAMIENTO Y DECAIMIENTO PARA DISTINTOS DIODOS (APLICANDO SEAL CUADRADA DE 10 V. Y 100 khZ.) DIODO I0 (mA) If (mA) ts (s) tf (s) trr = ts + tf (s) 9.960u 1N4001 8.360us 18.32us 3.59mA 4.8mA s 0AB1 0 0 0 3.6mA 0 LED ROJO 0 0 0 0 0 1N914 0 0 0 0 0

3.1.3. Reportar en la figura las grficas que se observan en la seal del circuito de la figura 3.1 (Canal Y). Figura 3.2 Grficas que muestran los tiempos de almacenamiento y decaimiento para distintos diodos semiconductores.

Diodo 1N4004

LED rojo

Diodo OA81

Diodo 1N914

3.2. Obtener y medir las variaciones en los tiempos de almacenamiento y decaimiento, por efecto de temperatura y de la relacin de corriente directa e inversa. 3.2.1. Usando el mismo circuito de la figura 3.1, disminuir el voltaje pico de la seal cuadrada del generador a 3 Vp, conservando la misma frecuencia y medir nuevamente los tiempos de almacenamiento y decaimiento, as como las corrientes directa e inversa respectivamente, reportndolas en la tabla 3.2.

3.2.2. Slo para el diodo de 1N914, observe y reporte los resultados que se obtienen (en la misma tabla 3.2.), cuando se acerca un cerillo encendido por tiempo no mayor a 5s. TIEMPOS DE ALMACENAMIENTO Y DECAIMIENTO PARA DISTINTOS DIODOS (APLICANDO UNA SEAL CUADRADA DE 3 V Y 100KHZ) trr = ts + tf I0 (ma) IF (ma) DIODO ts (s) tf (s) (s) 1N4001 1.2 1.8 3 2.3 -2.3 0A81 0 0 0 2.4 -2.4 LED ROJO 0 0 0 1 -1 1N914 (t - 0 0 0 2.2 -2.2 tA) 1N914 (t > 0 0 0 2.4 0 tA)

3.3. Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, grficas y mediciones llevadas a cabo durante la realizacin de esta practica. 3.3.1. De los cuatro diodos usados en esta practica, cual de ellos present menor tiempo de almacenamiento y decaimiento?, en el caso en que se aplico la seal de 10 V y 100KHz. No se pudo observar alguna diferencia en las mediciones de los tiempos de decaimiento y almacenamiento en los cuatro diodos usados, suponemos que se debe a la calidad del equipo existente en el laboratorio. Ser de suponerse que el diodo que presentar menores tiempos de almacenamiento y decaimiento es el 1N914, puesto que es descrito por ECG como un diodo Fast switching, 4 nanosec, 100v PRV; esto indica que tendr un tiempo mximo de recuperacin entre el almacenamiento y el decaimiento de 4 nanosegundos. 3.3.2. Para cada uno de los diodos usados, indique cual es el tiempo trr que especifica el fabricante 1N4004= No especifica 1N914 = 8 y 4ns, dependiendo de la corriente que por ste circule OA81 = No especifica LED = No especifica 3.3.3. Cmo se modifico el valor de los tiempos de almacenamiento y decaimiento, de todos los diodos, cuando se disminuy el voltaje pico del generador a 3 V?. Es este resultado congruente con la teora?. Explique. Al disminuir el voltaje, disminuyen a su vez los tiempos de almacenamiento y decaimiento, esto es congruente porque el dido es sometido a una menor tensin y por tanto los portadores mayoritarios y minoritarios del semiconductor deben realizar menores cambios internos y por logica en menor tiempo para lograr la transicin de conduccin a rectificacin. 3.3.4. Como afecta a los tiempos de almacenamiento y decaimiento, el aumento de la temperatura ambiente?. Es este resultado congruente con lo esperado?. Explique. Se espera siempre que un semiconductor modifique su comportamiento conductivo en relacin a la temperatura , y al contrario de los conductores normales de metal, al calentar un semiconductor mejora la conduccin, es decir, disminuye el voltaje de umbral en un diodo, esto nos lleva a un resultado ya obtenido y es que al disminuir el voltaje en un diodo, el voltaje que debe disipar la resistencia es mayor, y por tanto mayores son los

tiempos de almacenamiento y decaimiento del diodo entre mayor sea la temperatura. 3.3.5. Porqu cuando el voltaje pico del generador se disminuye a 3 V, se observa que la corriente inversa es apreciablemente mayor que la corriente directa (aproximadamente del doble)?. Explique. Esto se debe a que al disminuir el voltaje, se aplica menos tensin a los portadores internos del semiconductor, y esto nos lleva a una mayor libertad para desplazarse internamente, as, al ocurrir un cambio en la polarizacin existe una menor resistencia al cambio de la corriente y se presenta en forma mayor entre menor sea el voltaje. 3.3.6. Defina con palabras que se entiende como: Tiempo de almacenamiento, tiempo de decaimiento y tiempo de recuperacin inverso. Tiempo de almacenamiento: Es el tiempo necesario despus de un cambio de polaridad en el diodo para que los portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto. Tiempo de decaimiento: Una vez que la unin pn regresa a su estado normal de polarizacin inversa y terminando el tiempo de almacenamiento, ocurre un estado transitorio de conduccin inversa de corriente hasta la rectificacin del voltaje de polarizacin inversa, este tiempo necesario para que la corriente caiga en forma exponencial es el tiempo de decaimiento. Tiempo de recuperacin inverso: Es la suma de los tiempos de almacenamiento y de decaimiento, y tal periodo de tiempo nos indica el tiempo total durante el cual, despus de un cambio de polarizacin directa a inversa en un diodo, no obtenemos la respuesta ideal en el dispositivo, es decir, una seal rectificada.

CONCLUSIONES Bautista Nicols Jos Luis Con ayuda de esta prctica pudimos observar las velocidades de operacin en los diferentes tipo de diodos ya que muchos tienen una respuesta muy inmediata a comparacin de otros tal es el caso del diodo de silicio de alta velocidad que tiene un tiempo de almacenamiento de cero a comparacin del diodo 1N4004 y as nosotros poder tomar nota de cul es su eficiencia de cada uno de estos