QUE ES UN TRANSISTOR BIPOLAR: El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo

electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. SU ESTRUCTURA: Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor. TIPOS DE TRANSISTORES BIPOLARES NPN: Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

PNP: El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo

Transistor Bipolar de Heterounin El transistor bipolar de heterounin (TBH) es una mejora del BJT que puede manejar seales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy comn hoy en da en circuitos ultrarrpidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia. Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos del transistor. Usualmente el emisor est compuesto por una banda de material ms larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores minoritarios desde la base cuando la unin emisor-base est polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del emisor. La inyeccin de portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con un transistor de unin convencional, tambin conocido como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyeccin de portadores desde el emisor hacia la base est principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la base. Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de inyeccin de portadores, su resistencia es relativamente alta.

2) 2N3904:
ENCAPSULADO: TO-92 FACTOR DE AMPLIFICACION - SIMBOLO: Hfe VALOR: 100 MAXIMO CORRIENTE DE COLECTO - SIMBOLO: Ic VALOR: 100 mAdc MAXIMA TEMPERATURA DE LA JUNTURA - SIMBOLO: Ti VALOR: 55-150 POTENCIA DE DISIPACION - SIMBOLO: Pd VALOR: 500 mW POTENCIA DE TRANCICION - SIMBOLO: Ft VALOR: 250Mhz

2N3406
ENCAPSULADO - TO-92 FACTOR DE AMPLIFICACION - SIMBOLO: Hfe VALOR: 60 MAXIMO CORRIENTE DE COLECTO - SIMBOLO: Ic VALOR: 200mA DC MAXIMA TEMPERATURA DE LA JUNTURA - SIMBOLO: Tj VALOR: 55 a 150 POTENCIA DE DISIPACION - SIMBOLO: Pd VALOR: 250mW POTENCIA DE TRANCICION - SIMBOLO: Ft VALOR: 250 Mhz

2N2222
ENCAPSULADO - TO-18 FACTOR DE AMPLIFICACION SIMBOLO: Hfe VALOR: 75 minimo MAXIMO CORRIENTE DE COLECTO SIMBOLO: Ic VALOR: 800mA MAXIMA TEMPERATURA DE LA JUNTURA SIMBOLO: Tj VALOR: 200C POTENCIA DE DISIPACION SIMBOLO: Pd VALOR: 500mW POTENCIA DE TRANCICION - SIMBOLO: Ft VALOR: 250Mhz

3)

Transistor

Tipo (NPN PNP)

Configuracin de terminales (Dibujo)

hFE

2N2222

NPN

140

249 2N3906 PNP

2N3904

NPN

239

Otro suministrado por su instructor