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UNION P-N

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_P N_en_equilibrio_y_polarizada/Applet3.html

En el punto de unin p-n de un semiconductor diodo de silicio se forma una barrera de potencial en la que los huecos de la parte positiva, por un lado, y los electrones de la parte negativa, por el otro, alcanzan un punto de equilibrio. Alrededor de dicha unin existe una zona conocida como zona de vaciado, que impide que la corriente elctrica fluya a travs del diodo.

La Zona de deplexin es el punto de equilibrio de la unin positiva-negativa de un semiconductor diodo que no se encuentra energizado. Para que se pueda establecer un flujo electrnico a travs del diodo, se suministra energa a los electrones que se encuentran debajo de la lnea del nivel de fermi para que se puedan mover hacia arriba y pasar a la banda de conduccin y unirse a los huecos.

Los movimientos de los electrones que se establece en un sentido y de los huecos en el sentido opuesto en un diodo semiconductor polarizado de forma directa. el flujo de los electrones se mueve del polo negativo al polo positivo de la batera (pila) conectada al circuito.

LA LEY DE SHOCKLEY http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley_ de_Shockley/Applet4.html


tipo P donde hay

Esta aplicacin simula la conduccin de corriente en los semiconductores


huecos libres y un semiconductor tipo N donde hay electrones libres.

Cuando aplicamos un voltaje a la unin P-N los electrones y los huecos se mueven respectivamente hacia la unin de los dos materiales por la polarizacin tal como se ve en el diseo Polarizacin TIPO-P TIPO-N

El voltaje positivo que se aplica al tipo P repele los huecos y estos cruzan la unin hacia el tipo N, y as cada hueco encuentra un electrn y de esta forma las cargas se neutralizan, lo mismo electrones y huecos que se neutralizan son remplazados por mas electrones y huecos que entran en la unin PN.

Contiene a dems una grfica

de corriente elctrica que son los portadores de carga que se mueven libremente por un conductor produciendo una corriente y movimiento originado por la excitacin del semiconductor al cual se le aplica voltaje.

El campo elctrico hace que los portadores de carga es decir electrones y huecos, tomen una direccin y una velocidad, y de esta forma se produce una corriente de arrastre. La cantidad de cargas de esta corriente que se mueven por el conductor en un determinado tiempo depende de la fuerza con que acta el campo elctrico.

COMUTACION DEL DIODO

Esta aplicacin simula la conmutacin de un diodo, donde se cambia la tensin de positiva a negativa y negativa a positiva. Disponindose el esquema de un circuito. Positiva Negativa Circuito de polarizacin Diodo de unin

Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje que seala la mencionada zona sensible. Se puede modificar todos los parmetros del circuito presionando introducir los valores numricos deseados para: Tensin directa (VF),

Tensin inversa (VR) Resistencia de polarizacin (R)


Contiene a dems cuatro grficas que varan en el tiempo y representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. Actualizado el tiempo y su desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo.

La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito La segunda la corriente que circula por el diodo La tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo

La Cuarta grfica es la tensin que cae en el diodo.

Contiene ecuaciones del para la carga del diodo, la tensin en el diodo y para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo que pueden ser modificados, pero otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo.

Consta de un grafico donde indica el valor de los perfiles para x=0 junto a la zona dipolar y los valores de penetracin en la zona dipolar en las zonas N y P del diodo.