Diplomado Sistema de Puesta A Tierra (SPT) - Basicos

Dr.
Arturo Galvn Diego

DIPLOMADO EN SISTEMAS DE PUESTA A TIERRA DIPLOMADO EN SISTEMAS DE PUESTA A TIERRA DIPLOMADO EN SISTEMAS DE PUESTA A TIERRA DIPLOMADO EN SISTEMAS DE PUESTA A TIERRA
BASICOS
El desarrollo matemtico de la teora involucrada en
el clculo del comportamiento de los sistemas de
conexin a tierra, hasta la fecha ha sido presentado
en forma fragmentada por diferentes fuentes de
informacin publicada en aos pasados. El
conocimiento de esta teora se considera esencial
para la aplicacin de los diversos procedimientos que
se pueden emplear para el estudio de las diversas
caractersticas inherentes a los sistemas de puesta a
tierra.
El objetivo fundamental de esta seccin es realizar un
anlisis del comportamiento de los electrodos de conexin
a tierra cuya forma simple permite un tratamiento
matemtico sencillo. Este elemento es electrodo
hemisfrico, que se encuentra enterrada a nivel de la
superficie del suelo. Este electrodo bsico ser utilizado
para la demostracin de las caractersticas bsicas de un
sistema de conexin a tierra, como son: la resistencia el
potencial de contacto y el potencial de paso. Se realizarn
comparaciones de los mtodos utilizados para el clculo de
la resistencia de conexin a tierra con los mtodos
aplicados al clculo de la capacitancia de electrodos
geomtricos similares. Esta comparacin permitir ilustrar
la posible aplicacin de diversas expresiones desarrolladas
para el clculo de la capacitancia de electrodos en la
determinacin de la resistencia de conexin a tierra.
El anlisis del comportamiento de electrodos complejos, se
realizar utilizando la combinacin de dos electrodos
elementales. Los dos electrodos pueden utilizarse en
paralelo para formar un sistema que permitir un
tratamiento generalizado para electrodos complejos. Si los
electrodos se conectan en serie, se tendr un sistema en el
cual la corriente penetra en el suelo a travs de un
electrodo y abandona el suelo dentro de una regin finita.
Los mtodos matemticos para el anlisis de electrodos
complejos podrn discutirse mediante el uso de varios
electrodos hemiesfricos en paralelo. Este anlisis,
adems, permitir mostrar los errores inherentes a los
mtodos clsicos empleados en el clculo de sistemas de
puesta a tierra.
r1
ra
nivel del suelo
I
A
P
hemisferio enterrado
hemisferio enterrado
2
2
a
r
I
A
I
J

= =
2
2
a
r
I
J E

= =
= =
a a
r
r
r
r
A
dr
r
I
dr E V
1 1
2
1
2

1
r
a
A
r
I
V
2
1
=
a
A
r I
V
R
2
1
= =
(
=
1
1
1 1
2 r r
I
V
a
A
La resistencia a tierra de un electrodo enterrado es la
resistencia total encontrada por el flujo de corriente
entre el electrodo y un electrodo hipottico de forma
circular, cuyo radio es muy grande comparado con r.
nivel del suelo
ra
A
P
r
r1
Comparacin con
Comparacin con
capacitancias
capacitancias
Supongamos que el electrodo interior
almacena una carga +Q y por tanto, el
electrodo exterior tendr una carga Q,
Figura. La densidad de flujo elctrico D,
en el punto P, localizado a una distancia r
a partir del centro del sistema ser:
2
2 r
Q
A
Q
D
= =
2
2 Kr
Q
K
D
E
= =
(
=
= =

1
2
1 1
2
2
1 1
r r K
Q
V
r
dr
K
Q
Edr V
A
r
r
r
r
A A
A
r K
Q
V

=
2
Si r
1
>> r
A
A
r K
V
Q
C = = 2
Finalmente
nivel del suelo
ra
A
P
r
r1
Comparacin con
Comparacin con
capacitancias
capacitancias
A
Kr c
s
2
1 1
= =
La elastancia ser:
A
a
r K C
r
R

=

=
2
1 1
2
Comparando la
resistencia con la
capacitancia se
tiene que:
C
K
r
R
A
= =
2
1
Combinando se
tiene que:
K
C
R
1
=
Por lo que:
En general, puede demostrarse
la validez de la expresin
anterior para cualquier forma de
electrodo. Por lo que una vez
conocida la expresin de la
capacitancia, la resistencia
correspondiente para el mismo
arreglo de electrodos, podr
evaluarse fcilmente.
nivel del suelo
ra
A
P
r
r1
Comparacin con
Comparacin con
capacitancias
capacitancias
Aplicando esta similitud al capacitor de
placas planas paralelas de rea A y
separacin d arreglo para el cual, el
valor de la capacitancia estar dado
por:
d
KA
C =
La expresin de la resistencia de dos
placas planas paralelas separadas por
un material de resistividad es:
A
d
R =
Y una vez ms:
K
C
R
1
=
nivel del suelo
M2
I
M1
G
A
Potencial de contacto
Potencial de contacto
=
a
r
r
dl E V
1
(
=
=
r r
I
V
dr
r
I
V
a
r
r
a
1 1
2
2
1
2
1
g
a
a
a g
V
r
r
V
r r
r V
V
=
(
=
1
1 1
2
2
1
1
a
g
r
V
R
V
I
2
1
= =
r
a
r
nivel del suelo
M2
I
M1
G
A
Potencial de paso
Potencial de paso
r
a
2
2 r
I
E
=
2
2
2
2
2
r
r
V E
r V
r
E
r V
I
a
g
a g
a g
=

=

=
g
a
V
r
E
1
max
=
B
IB
nivel del suelo
D
rB rA
A
IA
Dos hemisferios enterrados
Dos hemisferios enterrados
A
A AA
r
I V
2
=
D
I V
B AB
2
=
D
I
r
I V
B
A
A A
2 2
+ =
B
A B
r D
I V
2 2
+ =
Circuito Equivalente
R2
Y
R1
Ix+Iy
R3
Z
Ix
X
(Referencia)
Iy
( ) ( )
3 3 1 3 1
, R I R R I V R I I R I V
y x x y x X x
+ + = + + =
( ) ( )
2 3 3 3 2
, R R I R I V R I I R I V
y x y y x y y
+ + = + + =
Puede observarse que las ecuaciones para V
x
y V
y
son similares
en forma a las correspondientes a V
A
y V
B
anteriores. Las
mismas sern idnticas si
A
r
R R
2
3 1
= +
D
R
2
3
=
B
r
R R
2
3 2
= +
R2
Y
R1
Ix+Iy
R3
Z
Ix
X
(Referencia)
Iy
Puede ahora ilustrarse el circuito equivalente como
|
|
\
|
=
D r
R
A
1 1
2
1
|
|
\
|
=
D r
R
B
1 1
2
2
D
R
2
3
=
IA
D
nivel del suelo
IB
G
Dos hemisferios en paralelo
x B A
r r r = =
B A
I I =
A T
I I 2 =
|
|
\
|
+ =
D
I
r
I
V
T
x
T
g
2 2 2
|
|
\
|
+ = =
D r I
V
R
x T
g
2
1
2
1
2
x
r D >>
|
|
\
|
= =
x T
g
r I
V
R
2
1
2
IA
D
nivel del suelo
IB
G
La resistencia de los dos electrodos en
paralelo es la mitad de la resistencia de un
solo electrodo. A medida que D disminuye
en valor, la interaccin de los dos
electrodos se manifiesta y la resistencia de
la combinacin se incrementa. Si D se
hace igual a cero, los dos electrodos se
superponen totalmente y la resistencia del
arreglo deber ser igual a la resistencia de
un solo electrodo. Matemticamente, si D
es igual a cero, la ecuacin se indertermina,
lo que indica que esta ecuacin no es
vlida para valores muy pequeos de D.
A
P B
P1
EA
EB
Considerando nuevamente que los campos de los dos
electrodos se superponen linealmente, el gradiente de
potencial E (potencial de paso) podr calcularse en
cualquier punto como la suma de los dos vectores de
gradiente de potencial creados por el flujo individual de
corriente de cada uno de los electrodos. La figura ilustra la
disposicin de los dos electrodos.
Si consideramos el punto P la superficie
del suelo y sobre la lnea que une a los dos
electrodos dentro de la regin entre A y B,
Figura, (excluyendo el interior de A B) el
gradiente de potencial E
A
debido a I
A
ser
2 2
4 4
PA
T
PA
A
A
D
I
D
I
E
= =
Y el gradiente potencial debido a I
B
2
4
PB
T
B
D
I
E
=
A
P B
P1
EA
EB
El gradiente de potencial total es
Observe que el gradiente de potencial es cero en
el punto medio entre los electrodos A y B. Si el
punto P se ubica fuera de la lnea que une a los
dos electrodos pero se ubica como el caso P
1
en
la Figura, los campos de los dos electrodos
debern adicionarse vectorialmente.
El potencial de toque en el punto P se obtiene a
partir de la ecuacin bsica:
|
|
\
|
=
2 2
1 1
4
PB PA
T
D D
I
E

=
2 1 1
dr E dr E V
B A
Donde r
1
es la distancia D
PA
y r
2
es la
distancia D
PB
. Sustituyendo valores:
2
2
2
1
2
1
1
1
4
1
4
dr
r
I
dr
r
I
V
T T

+ =

A
P B
P1
EA
EB
Al integrar de P a la superficie
de A, r
1
cambia de D
PA
a r
x
,
mientras que r
2
cambia de D-D
PA
a D - r
x
Sobre la superficie de A

+ =
x
PA
x
PA
r D
D D
r
D
r T
dr
r
I
dr
r
I
V
2
2
1
2
1
1
1
4
1
4
|
|
\
|
+ =
x PA PA x
T
r D D D D r
I
V
1 1 1 1
4
1
x PA
r D =
0
1
= V
Cuando P se ubica sobre el centro de
la lnea que une A y B
2
D
D
PA
=
|
|
|
|
\
|
+ =
x x
T
r D
D
D
D
r
I
V
1
2
1
2
1 1
4
1

A
P B
P1
EA
EB
La corriente total ser
Y por lo tanto el potencial de toque V
1
es
Ahora bien, si D = 5r
x
|
|
\
|
+
= =
D r
V
R
V
I
x
g g
T
1 1
4
|
|
\
|
+
|
|
\
|
=
D r
r D r
V V
x
x x
g
1 1
1 1
1
( )
x
x
x
g
r D
r D
r D
D
V V
+
=
2
1
Vg V V
8
5
6
3
4
5
1
= =
Si D >> r
x g
V V =
1
Si D se hace igual a r
x
, V
1
se indetermina, lo
que indica nuevamente que la superposicin
lineal no es aplicable cuando D tiende a r
x
.
|
|
\
|
+ =
D r
R
x
2
1
2
1
2
Area
Area
de influencia
de influencia
SEMIESFERA ENTERRADA SEMIESFERA ENTERRADA
x
r D =
x
r D >>
|
|
\
|
=
x
E
r
R
1
2
E
x
R
r
R
2
1
2
1
2
=
|
|
\
|
=
IA
D
nivel del suelo
IB
G
r
x
Area
Area
de influencia
de influencia
SEMIESFERA ENTERRADA SEMIESFERA ENTERRADA
0% r
x
50% 2 r
x
67% 3 r
x
75% 4 r
x
80% 5 r
x
83% 6 r
x
86% 7r
x
87.5% 8 r
x
89% 9 r
x
90% 10 r
x
99% 100 r
x
100%
% (1/2)R
E
DISTANCIA D
Generalmente se
acepta que, para fines
prcticos de
reduccin de
resistencia de puesta
a tierra, la distancia
de separacin entre
electrodos verticales
sea mayor o igual que
dos veces su longitud
de enterramiento.
Area
Area
de influencia
de influencia
IB
Vg
I
G
D
B nivel del suelo
IA
A
Dos hemisferios en serie
I I
A
=
I I
B
=
D
I
r
I V
A
A
2 2
=
B
B
r
I
D
I V
2 2
=
|
|
\
|
+ = =
D r r
I
V V V
B A
g B A
2 1 1
2
|
|
\
|
+ = =
D r r I
V
R
B A
g
2 1 1
2
B A
g
r r I
V
R
1
2
1
2
+ = =
B A
r r D >>
IB
Vg
I
G
D
B nivel del suelo
IA
A
B A
R R R + =
Donde R
A
y R
B
son las resistencias
de los dos electrodos, cada una de
ellas con respecto a una referencia
remota. Esto indica que para
separaciones grandes, el valor de
conexin a tierra es la suma de los
dos valores de resistencia
individuales. Si r
A
=r
B
= r y D = 4r
|
\
|
+ =
r r r
R
4
2 1 1
r
R
4
3
=
Lo anterior muestra que la
resistencia entre los dos
electrodos A y B es menor que
la suma de las dos
resistencias evaluadas
individualmente.

Diplomado Sistema de Puesta A Tierra (SPT) - Basicos

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Diplomado Sistema de Puesta A Tierra (SPT) - Basicos

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

Dr.

Arturo Galvn Diego

Dos hemisferios en paralelo

Dos hemisferios en paralelo

Anda mungkin juga menyukai