PERCOBAAN 2 Karakteristik BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

PERCOBAAN 2 KARAKTERISTIK BJT

TUJUAN
Memahami karakteristik transistor BJT Memahami teknik bias dengan rangkaian diskrit Memahami teknik bias dengan sumber arus konstan

PERSIAPAN
Pelajari keseluruhan petunjuk praktikum untuk modul ini.

TRANSISTOR BJT
Transistor merupakan salah satu komponen elektronika paling penting. Terdapat dua jenis transistor berdasarkan jenis muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar dan unipolar. Dalam hal ini akan kita pelajari transistor bipolar. Transistor bipolar terdiri atas dua jenis, bergantung susunan bahan yang digunakan, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol hubungan antara arus dan tegangan dalam transistor ditujukkan oleh gambar berikut ini.

Transistor BJT NPN

Transistor BJT PNP Terdapat suatu hubungan matematis antara besarnya arus kolektor (IC), arus Basis (IB), dan arus emitor (IE), yaitu beta () = penguatan arus DC untuk common emitter, alpha ()= penguatan arus untuk common basis, dengan hubungan matematis sebagai berikut.

IC IC dan = , IB IE

Petunjuk Praktikum EL2140 2008/2009

PERCOBAAN 2 Karakteristik BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

sehingga

= +1 1

Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh dengan pengukuran arus dan tegangan pada rangkaian dengan konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan ground), seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.

Dari Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari rangkaian diatas, yaitu: Karakteristik IC - VBE Karakterinstik IC - VCE

KURVA KARAKTERISTIK IC - VBE

Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial dari tegangan VBE, sesuai
VBE / kT dengan persamaan: I C = I ES e . Persamaan ini dapat digambarkan

sebagai kurva seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.

Dari kurva di atas juga dapat diperoleh transkonduktansi dari transistor, yang merupakan kemiringan dari kurva di atas, yaitu
Petunjuk Praktikum EL2140 2008/2009

PERCOBAAN 2 Karakteristik BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

gm =

I C V BE

KURVA KARAKTERISTIK IC VCE

Arus kolektor juga bergantung pada tegangan kolektor-emitor. Titik kerja (mode kerja) transistor dibedakan menjadi tiga bagian, yaitu daerah aktif, saturasi, dan cut-off. Persyaratan kondisi ketiga mode kerja ini dapat dirangkum dalam tabel berikut ini. Mode kerja Aktif Saturasi Cut-Off IC =.IB Max ~0 VCE =VBE+VCB ~ 0V =VBE+VCB VBE ~0.7V ~0.7V 0 VCB 0 -0.7V<VCE<0 0 Bias B-C Reverse Forward Bias B-E Forward Forward -

Dalam kurva IC-VCE mode kerja transistor ini ditunjukkan pada area-area dalam gambar berikut ini.

ALAT DAN KOMPONEN YANG DIGUNAKAN

Osiloskop DC power supply Kit Percobaan Karakteristik Transisitor dan Rangkaian Bias Sumber arus konstan Multimeter Analog dan Digital Osiloskop

PERCOBAAN
MEMULAI PERCOBAAN
1. Sebelum memulai percobaan, isi dan tanda tangani lembar penggunaan meja yang tertempel pada masing-masing meja praktikum.

Petunjuk Praktikum EL2140 2008/2009

PERCOBAAN 2 Karakteristik BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

KARAKTERISTIK INPUT TRANSISTOR IB-VBE

2. Susun rangkaian seperti pada gambar di bawah ini pada kit praktikum.

3. Atur potensio RB2 pada posisi minimum (cek posisi nilai minimum RB2 dengan multitester). 4. Berikan VCC = 10 V. Kemudian ubah potensiometer RB2 untuk mengubah tegangan VBE sesuai dengan table pengamatan. 5. Catat setiap nilai IB dan IC pada setiap tegangan tersebut (hint: catat nilai yang terukur). 6. Gambarkan kurva IB VBE pada grafik. (Lihat template tabel data pengamatan pada lampiran percobaan ini).

KARAKTERISTIK OUTPUT TRANSISTOR, IC-VCE PEMBIASAN DENGAN SUMBER ARUS KONSTAN

7. Susun rangkaian seperti gambar rangkaian di bawah ini pada kit praktikum. Gunakan sumber tegangan DC yang nilainya dapat diubah-ubah sebagai Vc.

Petunjuk Praktikum EL2140 2008/2009

PERCOBAAN 2 Karakteristik BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

8. Atur selektor sumber arus untuk memilih arus IB yang masuk ke basis. Pilihlah arus IB = 0. Dengan mengubah-ubah nilai tegangan VCE, catat nilai IC yang terukur. Gambarlah kurva IC-VCE untuk IB = 0 ini pada grafik. (Lihat template tabel data pengamatan pada lampiran percobaan ini). 9. Lakukan langkah 8 untuk nilai IB yang berbeda (Lihat template tabel data pengamatan pada lampiran percobaan ini).

PEMBIASAN DISKRIT
10. Susun rangkaian seperti gambar rangkaian di bawah ini pada kit praktikum. Hubung singkatkan RE ( RE = 0). Berikan Vcc = 10 V.

Vcc
R B1 4,7 k
A

Rc 5 k IC

IB

Vin

5 k R B2

A V V

VCE

VBE

V out

11. Atur RB2 pada nilai minimum agar arus IB minimum (area cut-ff, idealnya = 0 uA). Atur RC pada kondisi minimum (Perhatian: selama pengukuran karakteristik I-V ini jangan sambungkan Vin & Vout ke alat apapun (Vin = 0).
Petunjuk Praktikum EL2140 2008/2009

PERCOBAAN 2 Karakteristik BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

12. Ubah nilai RC untuk nilai tegangan VCE sesuai dengan table pengamatan (Lihat template tabel data pengamatan pada lampiran percobaan ini) dan catat nilai IB, IC, VBE, dan VCE (catatan: Catat nilai pengamatan yang terukur). 13. Ulangi langkah 11 dan 12 untuk beberapa arus basis dengan mengatur RB2 sesuai tabel yang disediakan. 14. Gambarkan hasil yang diperoleh dalam bentuk grafik. (Lihat template tabel data pengamatan pada lampiran percobaan ini)

EARLY EFFECT PEMBIASAN DENGAN SUMBER ARUS KONSTAN

15. Gunakan kembali rangkaian pembiasan dengan sumber arus konstan.

16. Pilih arus IB = 0.05 mA. Catat nilai IC untuk tegangan VCE = 5 Volt dan VCE = 10 Volt. 17. Lakukan langkah 16 untuk IB = 0.1 mA. 18. Dari dua titik masing-masing pengukuran tersebut, gambarkan bentuk kurva linier IC-VCE untuk masing-masing IB sampai memotong sumbu VCE (Lihat template tabel data pengamatan pada lampiran percobaan ini). 19. Tentukan tegangan early (perpotongan kurva dengan sumbu VCE) dari hasil perhitungan/pengukuran tersebut.

PEMBIASAN DISKRIT
20. Lakukan percobaan seperti pada pembiasan dengan sumber arus konstan untuk rangkaian diskrit berikut ini.

Petunjuk Praktikum EL2140 2008/2009

PERCOBAAN 2 Karakteristik BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Vcc
R B1 4,7 k
A

Rc 5 k IC

IB

Vin

5 k R B2

A V V

VCE

VBE

V out

PENGARUH BIAS PADA KERJA TRANSISTOR

21. Susunlah kit seperti pada gambar di bawah ini.

22. Gunakan kurva karakteristik output IC - VCE untuk mengetahui daerah saturasi, daerah aktif, dan daerah cut-off transistor yang digunakan. Kemudian atur VCE dan IC agar transistor bekerja pada daerah saturasi. 23. Sambungkan Vin ke generator fungsi sinus (gunakan frekuensi sekitar 1kHz) dengan Vpp = 50 mV. Sambungkan Vout ke Osiloskop. 24. Amati dan gambarkan bentuk gelombang Vin dan Vout. Lengkapi dengan nilai Vmax masing-masing. 25. Lakukan langkah 1 sampai 4 untuk daerah aktif dan daerah cut-off.

Petunjuk Praktikum EL2140 2008/2009

PERCOBAAN 2 Karakteristik BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

MENGAKHIRI PERCOBAAN
26. Sebelum keluar dari ruang praktikum, rapikan meja praktikum. Bereskan kabel dan matikan osiloskop dan generator sinyal. Pastikan juga multimeter analog, multimeter digital ditinggalkan dalam keadaan mati (selector menunjuk ke pilihan off). 27. Periksa lagi lembar penggunaan meja. Praktikan yang tidak menandatangani lembar penggunaan meja atau membereskan meja ketika praktikum berakhir akan mendapatkan potongan nilai sebesar minimal 10. 28. Pastikan asisten telah menandatangani catatan percobaan kali ini pada Buku Catatan Laboratorium (log book) Anda. Catatan percobaan yang tidak ditandatangani oleh asisten tidak akan dinilai.

TABEL DATA PENGAMATAN

Karakteristik Input IB-VBE

Tabel Pengamatan VBE IB IC

Petunjuk Praktikum EL2140 2008/2009

PERCOBAAN 2 Karakteristik BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

(V) 0 0,2 0,4 0,5 0,54 0,58 0,62 0,66 0,70 0,72 Kurva Karakteristik IB - VBE:

Petunjuk Praktikum EL2140 2008/2009

PERCOBAAN 2 Karakteristik Transistor BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Karakteristik Output IC - VCE Transistor

Tabel Pengamatan VCE (V) 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 1.0 2.0 5.0 10.0 Kurva Karakteristik Output IC - VCE Transistor
Ic (mA)

IB = 0 mA

IB = 0,2 mA

IB = 0,4 mA

IB = 0,8 mA

IB = 1,2 mA

IB = 1,6 mA

Daerah BAHAYA !!!

(Disipasi melebihi batas)

Early Effect
Tabel Pengamatan

Petunjuk Praktikum EL2008

10

PERCOBAAN 2 Karakteristik Transistor BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

IC (mA) VCE (V) IB = 0.05 mA 5 10 IB = 0.1 mA

Kurva Early Effect Transistor

Pengaruh Bias pada Kerja Transistor

Vin Vout

Petunjuk Praktikum EL2008

11

PERCOBAAN 2 Karakteristik Transistor BJT

Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Daerah saturasi IB = mA IC =.. mA VCE =..V VBE = .. V Daerah aktif IB = mA IC =.. mA VCE =..V VBE = .. V Daerah aktif IB = mA IC =.. mA VCE =..V VBE = .. V

Petunjuk Praktikum EL2008

12