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Apostila de Metalurgia

Enviado por: Tatiana Ribeiro | 0 comentrios Arquivado no curso de Engenharia Metalrgica na IFES Download 1. ESTRUTURA CRISTALINA DOS METAIS 1.1. Ligaes Interatmicas 1.1.1. O modelo atmico A intuio da existncia de partculas indivisveis que constituem todas as coisas foi relatada pelo filsofo grego Demcrito em aproximadamente 540 a.C. Demcrito afirmou que estas partculas, que denominou tomos, sempre tinham existido, no podiam ser destrudas e assumiam tamanhos e formas diferentes, mas eram feitas do mesmo material bsico. As diversas substncias que percebemos seriam decorrentes da forma como os tomos se ligam entre si. Alm disso, segundo Demcrito, os tomos de substncias slidas tambm vibravam ou pulsavam os tomos da fumaa ou do fogo movimentavam-se livremente, colidindo uns com os outros. Estes conceitos filosficos chegaram at ns indiretamente, atravs das criticas de Aristteles, que considerava a idia do tomo como errada. As opinies de Aristteles sobre questes cientficas eram consideradas por todos como definitivas, portanto, no se discutiu mais o assunto por cerca de 2000 anos. A prova de que a matria no era continua, isto , capaz de ser dividida infinitamente, e sim composta por partculas, foi obtida pelo qumico ingls John Dalton, que no incio do sculo XIX provou que os elementos eram sempre encontrados nas substncias em propores simples, originando o conceito de frmula qumica. Com o estudo da eletrlise por Michael Faraday, na dcada de 1830, descobriu-se que os tomos se constituram de partculas de carga eltrica negativa e de carga eltrica positiva. O estudo com materiais radioativos ou excitados com corrente eltrica levou descoberta da radiao , constituda de partculas de carga negativa com massa muito pequena. Estas partculas foram denominadas de eltrons e sua descoberta por J.J. Thomson ocorreu em 1897. Thomson criou um modelo atmico, apresentado na Figura 1.1, onde numa massa de material de carga positiva estavam encravados os eltrons, como passas em um bolo.

FIGURA 1.1 - O modelo atmico de Thomson

Este modelo foi rapidamente superado em funo da experincia de Ernest Rutherford e Ernest Mardsen realizada em 1911, que se constitua no bombardeio de uma finssima folha de ouro com partculas alfa, de carga positiva. Caso o modelo de Thomson fosse verdadeiro, as partculas alfa se dispersariam pouco ao atravessar a folha de ouro. Como indicado na figura 1.2 o resultado obtido foi diferente do esperado, levando ao estabelecimento do modelo atmico apresentado na figura 1.3.

FIGURA 1.2 - Resultado esperado e real da experincia de Rutherford e Marsden 2

FIGURA 1.3 - Modelo atmico de Rutherford onde o tomo visto como um sistema solar em miniatura, com eltrons girando em tomo do ncleo, de carga positiva. O modelo atmico de Rutherford, de eltrons girando em tomo do ncleo de carga positiva, no era compatvel com os conhecimentos de eletricidade e de magnetismo j disponveis na poca, que previam que, devido atrao entre cargas opostas, os eltrons, de carga negativa, perderiam energia gradualmente e percorreriam uma espiral em direo ao ncleo, de carga positiva. Nesta perda de energia, os eltrons emitiriam uma radiao eletromagntica de espectro contnuo, isto , um arco-ris de luz. Segundo este modelo, toda a matria seria instvel e entraria imediatamente em colapso. Como isto no verdade, tornava-se necessria uma reformulao desta teoria do modelo atmico. Em 1912 o fsico dinamarqus Niels Bohr props que os eltrons deveriam girar somente a determinadas distncias do ncleo. Os eltrons irradiariam energia ao saltar de uma rbita de maior energia, situada mais prxima do ncleo, para outra de menor energia. No deslocamento no sentido contrrio os eltrons absorveriam energia. Este modelo explicava as linhas espectrais que associavam a cada elemento emisses de energia em determinados comprimentos de onda e no segundo um espectro contnuo. O modelo de Bohr funcionava precariamente em tomos com nmero de eltrons maior que o do sdio e no explicava com exatido as linhas espectrais. Bohr e Arnold Sommerfeld aperfeioaram o modelo original incluindo rbitas elpticas e com diversos plano de inclinao.

Assim a rbita de um eltron seria definida pelos nmeros qunticos n(nmero da rbita), l (forma da rbita e m (inclinao da rbita)). Posteriormente foi introduzido o quarto nmero quntico por Wolfgang Pauli, referente ao movimento de rotao do eltron em torno de si mesmo. Este nmero quntico s corresponde ao spin do eltron. Em 1924, Pauli estabeleceu o princpio da excluso, segundo o qual, se um eltron possui um determinado conjunto de nmeros qunticos n, 1, m e s, ento, nenhum outro eltron daquele tomo poder ter o mesmo conjunto de nmeros qunticos. Na figura 1.4 apresentam-se os tomos de hidrognio, hlio e sdio, conforme este modelo.

FIGURA 1.4 Constituio dos tomos de hidrognio, hlio e sdio. De acordo com o princpio da excluso de Pauli, na mesma rbita s poder haver dois eltrons se estes possurem spins opostos. A quantidade de energia liberada como fton (partcula ou onda de luz) pode ser calculada pela expresso:

Onde: E a energia do fton h a constante de Planck (h = 6.63 x 10-34J.s) c a velocidade da luz (c = 3 x 108 m/s) o comprimento de onda a frequncia O modelo de Bohr Sommerfeld foi posteriormente aperfeioado.. 1.2. Configurao de mnima energia A Tabela 1.2 apresenta a tabela peridica dos elementos, indicando, entre outras informaes, seu nmero atmico e massa atmica (massa, em gramas, correspondente a 6,02 x 1023 tomos do elemento). Os gases nobres (hlio, nenio, argnio, criptnio, xennio e radnio) possuem um arranjo muito estvel de oito eltrons na ltima camada (dois eltrons no caso do hlio), correspondendo a um baixo nvel de energia. Os outros elementos, para adquirir a configurao altamente estvel de oito eltrons no nvel mais externo, devem: a) receber eltrons b) perder eltrons c) compartilhar eltrons Estes trs processos produzem fortes ligaes entre os tomos, conhecidas como ligao inica, ligao covalente e ligao metlica. Outro tipo de ligao, mais fraca, a ligao de Van der Waals. A estabilidade das ligaes atmicas deve-se existncia de um valor mnimo de energia, correspondente a uma certa distncia interatmicas, onde ocorre um balano entre as foras de atrao e de repulso. A natureza das foras de atrao entre os tomos depende do tipo de ligao atmica. As foras de repulso crescem

medida que os tomos aproximam suas camadas de eltrons mais externas, que se repelem por serem ambas de carga negativa. A figura 1.6 ilustra este tipo de interao considerando-se a temperatura igual a 0ok. Diminuindo-se a distncia entre tomos inicialmente afastados tem-se a princpio uma fora resultante de atrao, uma situao de equilbrio e, em seguida, o predomnio das foras de repulso.

FIGURA 1.6 Relao entre a fora (a) ou a energia de ligao (b) com a distncia entre os centros de dois tomos. TABELA 1.2 Tabela peridica dos elementos. Para cada elemento tem-se o nmero atmico e a massa atmica (carbono = 12,0).

A energia de ligao E relaciona-se com a fora resultante F pela expresso: 8

Com o aumento da temperatura, os tomos adquirem maior energia cintica, vibrando e variando a distncia a em torno de a. Caso a energia cintica seja superior em valor absoluto a E E min a ligao rompida, levando ao estado gasoso. Alm do efeito da temperatura, a distncia interatmica depende do tipo de tomo, do seu estado de ionizao, dos tomos vizinhos e da existncia de solicitao externa, como esforos mecnicos, campo eltrico ou foras magnticas. A existncia de uma distncia de equilbrio entre os tomos permitiu o desenvolvimento do modelo atmico de esferas rgidas que, mesmo no sendo rigorosamente correto, conveniente para explicar o comportamento dos materiais onde as ligaes entre os tomos no so direcionadas, como o caso da ligao inica e da ligao metlica. 1.1.3. Ligao inica A ligao inica estabelecida entre um ction (elemento que cede eltrons com facilidade) e um anion (elemento com grande afinidade pelos eltrons). Devido sua configurao eletrnica, os metais tendem a ceder os seus eltrons mais externos formando ons de carga positiva (ctions). Os elementos com o ltimo nvel quase completo recebem os eltrons, formando ons de carga negativa (anions). A atrao entre ons de cargas positivas e negativas produz a chamada ligao inica, evidentemente s possvel entre tomos de elementos diferentes.

A figura 1.7 apresenta a formao de uma molcula de cloreto de sdio atravs da ligao inica entre o cloro e o sdio.

FIGURA 1.7 Exemplo de ligao inica: a) o sdio cede um eltron para o cloro; b) os ons, de cargas opostas, atraem-se. Na realidade, como existem vrios ons de sdio e cloro presentes, cada on coordena-se com seus vizinhos formando uma estrutura ordenada como por exemplo, o cristal de cloreto de sdio apresentado na figura 1.8.

FIGURA 1.8 Esquema de coordenao dos ons Na+ e Cl- formando, por ligao inica, uma estrutura cristalina. As substncias formadas por ligao inica apresentam normalmente alta dureza, boa clivagem, alto ponto de fuso e baixo coeficiente de expanso trmica. No estado lquido conduzem corrente eltrica pela movimentao dos ons. 1.1.4. Ligao Covalente Na ligao covalente os tomos compartilham seus eltrons das rbitas mais externas, formando pares de eltrons (com spins opostos) que pertencem aos dois tomos. Na figura 1.9, a ligao covalente exemplificada pela formao da molcula de hidrognio.

O intercmbio oscilatrio do par de eltrons entre os dois tomos, pertencendo ora a um, ora a outro, gera uma atrao eletrosttica, pois momentaneamente os tomos tomam-se ionizados. Um mesmo tomo pode participar de mais de uma ligao covalente. De um modo geral, o nmero de ligaes ser igual ao nmero de eltrons necessrios para completar o ltimo nvel. No caso da molcula de gua, por exemplo o tomo de oxignio compartilha 2 pares de eltrons com 2 tomos de hidrognio, como indicado na figura 1.10. As ligaes covalentes so direcionadas espacialmente, em funo do nmero e tipo dos eltrons envolvidos. No caso da gua as 2 ligaes formam entre si um ngulo de 105.

FIGURA 1.10 (a) Distribuio de eltrons no ltimo nvel e estabelecimento de 2 ligaes covalentes nas molculas de gua (b) Esquema tridimensional da molcula de gua 1.1.5. Ligao Metlica O primeiro modelo da ligao metlica foi proposto por Drude e Lorentz entre 1900 e 1905, constituindo a teoria dos "eltrons livres". Neste modelo simplificado, porm suficiente para explicar muitas propriedades dos metais, os tomos do metal perdem seus eltrons do ltimo nvel. Os ons de carga positiva assim gerados formam um arranjo regular e os eltrons livres, que no se encontram ligados a nenhum tomo em particular, circulam entre esses ons, obedecendo s leis dos gases. A fora de atrao conseqncia da interao entre os ons positivos e os eltrons livres, que so compartilhados por todos os tomos. Os eltrons livres explicam a elevada condutividade eltrica dos metais, pois as nicas resistncias movimentao da corrente eltrica so as colises com os outros eltrons. A condutividade trmica dos metais advm da movimentao elevada dos eltrons, carregando energia trmica das regies de temperatura mais elevada para regies de temperatura mais baixa. Como os eltrons absorvem energia de ftons com freqncia na faixa da radiao luminosa, tem-se que os metais so opacos (para espessuras acima de algumas centenas de tomos). As propriedades mecnicas dos metais, como, por exemplo sua deformao plstica, esto associadas ao arranjo cristalino. 1.2. Sistemas cristalinos 1.2.1. Reticulados espaciais Os metais formam estruturas cristalinas algumas vezes perceptveis a olho nu. Na figura 1.12 diversos cristais (gros) de lato podem ser observados.

FIGURA 1.12 - Maaneta de porta de lato onde a estrutura cristalina foi evidenciada pela ao corrosiva do suor. Cristais so conjuntos de tomos ordenados segundo uma configurao peridica em trs dimenses. Os sistemas cristalinos contm os reticulados espaciais conhecidos como redes de Bravais. Atravs de apenas 14 reticulados espaciais possvel descrever todos os cristais que podem ocorrer na natureza. Na figura 1.14 esto apresentadas as clulas unitrias convencionais de cada rede espacial. Atravs da sua repetio no espao reproduz-se todo o reticulado espacial. Note-se que qualquer ponto destes reticulados espaciais apresenta a mesma vizinhana, isto , os outros pontos sua volta situam-se na mesma posio relativa. O conceito de reticulado ou rede espacial geomtrico, As estruturas cristalinas materiais so constitudas pela repetio de um modelo atmico ou base, sobre cada ponto da rede espacial.

FIGURA 1.14 Reticulados espaciais 1.2.2. Estrutura cristalina cbica simples (CS) Nenhum metal cristaliza-se segundo a rede cbica simples, pois esta estrutura muito aberta e a ligao metlica atua no sentido de mais aproximar os tomos, formando malhas mais compactas. A clula unitria da rede cristalizada cbica simples est indicada na figura 1.15, onde cada tomo ocupa o vrtice de um cubo cuja aresta (a) igual a 2 raios atmicos (r). O nmero de coordenao desta estrutura igual a 6, isto , cada tomo possui 6 tomos vizinhos.

FIGURA 1: 15 - Estrutura cristalina cbica simples 1.2.3. Estrutura cristalina cbica de corpo centrado (C) A estrutura cristalina cbica de corpo centrado (C) apresenta um tomo em cada vrtice da clula unitria e um tomo no centro, como indicado na figura 1.16.

FIGURA 1.16 - Estrutura cristalina cbica de corpo centrado. 16 O nmero de coordenao da estrutura cbica de corpo centrado igual a 8 e o nmero de tomos por clula unitria igual a 2, pois ao tomo do centro somam-se as fraes de um oitavo, correspondentes aos oito tomos dos vrtices. O fator de empacotamento da estrutura C igual a:

Alguns exemplos de metais que se cristalizam segundo a estrutura cbica de corpo centrado so: o ferro alfa, cromo, molibdnio, vandio, tntalo e tungstnio. 1.2.4. Estrutura cristalina cbica de face centrada (CFC) A figura 1.7 apresenta a clula unitria da estrutura cristalina cbica de face centrada (CFC) que possui um tomo em cada vrtice do cubo e um tomo no centro de cada face.

FIGURA 1.17 Clula unitria da estrutura cristalina cbica da face centrada. Cada clula unitria possui quatro tomos, um devido soma das fraes de um oitavo, correspondentes aos tomos nos vrtices, e mais trs devido soma das metades dos tomos dos centros das faces. O fator de empacotamento desta estrutura igual a:

Pela figura 1.18 verifica-se que o nmero de coordenao da estrutura CFC igual a 12 e tambm que a vizinhana de cada tomo a mesma. Muitos metais se cristalizam segundo a estrutura CFC, como , por exemplo o caso dos metais ferro gama, nquel, cobre, alumnio, prata, ouro, chumbo e platina. 1.2.5. Estrutura cristalina hexagonal compacta (HC) A figura 1.19 apresenta a clula unitria da estrutura cristalina hexagonal compacta, que possui um tomo em cada vrtice do prisma hexagonal, um tomo no centro das bases e trs tomos no centro do prisma. O nmero de tomos na clula unitria igual a: 2 x 1/2 = 1 (tomos dos centros das bases) 12 x 1/3 x 1/2 = 2 (tomos dos vrtices do prisma) 3 (tomos no centro do prisma) Total de tomos na clula unitria = 1 + 2 + 3 = 6

FIGURA 1.19 - Estrutura cristalina hexagonal compacta O fator de empacotamento da estrutura HC igual a:

O nmero de coordenao de estrutura HC igual a 12, pois cada tomo possui 12 vizinhos. Como exemplos de metais que se cristalizam segundo a estrutura hexagonal compacta, temos o magnsio, titnio, zircnio, zinco e cdmio. 1.3. DEFEITOS NA ESTRUTURA CRISTALINA 1.3.1. Formao da estrutura cristalina Quando um metal, ou liga no estado lquido resfriado at seu ponto de fuso, inicia-se a solidificao, atravs da formao de cristais em pontos da massa lquida. A cristalizao ir formar estruturas cristalinas que so dependentes do metal ou

da composio da liga conforme ser visto no Captulo 3. O estudo da solidificao como transformao de fase ser realizado em maior detalhe no Capitulo 5. Conforme exemplificado na figura 1.27. ao se considerar o resfriamento do metal. no estado lquido dentro de um molde, surgem, em vrios locais, ncleos para a solidificao. Os cristais crescem a partir destes ncleos at que comeam a se encontrar uns com os outros na fase final da solidificao, produzindo interfaces como a indicada na figura 1.28. Denomina-se gro cada cristal individual do material. No caso do material policristalino, cada gro encontra-se cercado por vrios outros. A superfcie de encontro de dois gros denominada contorno de gro.

FIGURA 1.27 - Solidificao dos gros e formao do material policristalino 20

FIGURA 1.28 - Contorno de gro. A regio de transio que acomoda a diferena de orientao na estrutura cristalina de gros adjacentes estreita, bastando poucos espaos atmicos para tal. 1.3.2. Classificao dos defeitos na estrutura cristalina A estrutura cristalina real apresenta defeitos que podem ser observados a olho nu (defeitos macroscpicos) ou que requerem para a sua observao um microscpio tico (defeitos microscpicos) ou um microscpio eletrnico (defeitos submicroscpicos). Como ilustrao destas classes de defeito tem-se alguns exemplos, a seguir. a) Defeitos macroscpicos - Porosidades (bolhas - gs retido: vazios - vcuo); - Trincas; - Incluses; - Segregaes. b) Defeitos microscpicos - Contornos de gro; - Outros contornos. c) Defeitos submicroscpicos ou subestruturais - Defeitos trmicos: - Lacunas; - Discordncias; - Outros tomos em soluo slida. Esta classificao possui a desvantagem de que o mesmo defeito pode ser de um tipo ou de outro, dependendo do seu tamanho. Por exemplo, uma trinca ou um contorno de gro poderiam ser visveis a olho nu ou no. Os defeitos na estrutura cristalina mais importantes so os submicroscpicos, que sero a seguir estudados na escala atmica, dentro da classificao abaixo, proposta por Huntington em 1942. a) Defeito de ponto So correspondentes a variaes na estrutura cristalina que envolvem poucas posies atmicas englobadas num pequeno volume aproximadamente esfrico. b) Defeitos de linha As irregularidades se estendem por um volume aproximadamente cilndrico, ao longo de uma linha reta ou curva.

c) Defeitos de superfcie Correspondem a irregularidades ao longo de uma superfcie, contendo os tomos que lhe so vizinhos. Alm dos defeitos inerentes ao prprio reticulado cristalino, existem as imperfeies devidas presena de tomos de outros elementos na estrutura. Estes tomos so denominados impurezas quando sua presena conseqncia do processo de fabricao, e elementos de liga quando so adicionados com o propsito de se obter propriedades desejadas. 1.3.3. Imperfeies associadas composio qumica Os tomos de outros elementos, sejam impurezas ou elementos de liga, podem acomodar-se na estrutura cristalina de um dado metal formando uma soluo slida. Chama-se matriz estrutura cristalina do metal considerado, que denominado solvente. Os outros elementos, cujos tomos esto na soluo slida, so denominados solutos. Os tomos solutos podem estar em soluo slida substitucional, quando ocupam posies dos tomos da matriz na estrutura cristalina, ou em soluo slida intersticial, quando ocupam interstcios na estrutura cristalina. As figuras 1.29 e 1.30 ilustram estes casos.

FIGURA 1.29 - Soluo slida substitucional (a) tomos maiores; (b) tomos menores que os da matriz.

FIGURA 1.30 - Soluo slida intersticial A distoro na estrutura cristalina, provocada pelos tomos em soluo, significa um afastamento dos tomos da sua posio de equilbrio. Os tomos que se encontram nesta regio de distoro possuem, portanto, um nvel energtico mais elevado que os tomos que constituem as pores perfeitas da rede cristalina. A tabela 1.6 apresenta a forma como outros elementos se dissolvem na estrutura cristalina do ferro.

Assim como nas solues em fase liquida, as solues slidas tambm apresentam um limite de solubilidade, isto , valores mximos para o teor de soluto na matriz. Nas solues substitucionais o limite de solubilidade funo da relao entre os tamanhos atmicos, nmero de eltrons no ltimo nvel, estrutura cristalina de cada elemento e eletronegatividade. Se a diferena entre os tamanhos atmicos de dois elementos for inferior a cerca de 15% pode-se esperar que haja grande solubilidade entre eles. Na soluo slida intersticial, os tomos do soluto ocupam posies na estrutura cristalina onde h um maior espao para sua acomodao. Por exemplo, considerando-se a estrutura CFC do ferro, os vazios octadrico e tetradrico possuem raio interno de 0,52 e 0,28 angstroms respectivamente. Os tomos de carbono ou de nitrognio que ocupem estas posies estaro provocando distoro na rede cristalina, porque seus raios atmicos so maiores 0,8 e 0,7 angstroms, respectivamente que o espao dos interstcios. Na estrutura C do ferro, o interstcio tetradrico (r = 0,36 A) maior que o octadrico (r = 0,19 ), porm menor que o octadrico na estrutura CFC (r = 0,52 ). Portanto, como conseqncia, tem-se que a estrutura CFC tem maior possibilidade que a C de dissolver tomos de carbono ou nitrognio em soluo intersticial, mesmo sendo uma estrutura mais compacta. 1.3.4. Defeitos de ponto Lacunas so espaos vazios na estrutura cristalina que poderiam estar preenchidos por um tomo. So tambm chamados de vazios ou vacncias e constituem defeitos de ponto importantes, dada a sua relao com o fenmeno da difuso, como ser estudado no captulo 2. Com o aumento da temperatura, a quantidade de lacunas aumenta exponencialmente, sendo geradas a partir de outros defeitos na estrutura cristalina, como por exemplo, os contamos de gro. As lacunas podem tambm ocorrer associadas, aos pares ou em grupos maiores. A figura 1.3 ilustra estes tipos de defeito de ponto.

FIGURA 1.3 - Defeitos de ponto. (a) Lacuna; (b) Bilacuna; (c) Defeito de Schottky; (d) tomo em interstcio; (e) Defeito de Frenkel

1.3.5. Defeitos lineares Os defeitos lineares so denominados discordncias ou deslocaes e possuem fundamental importncia na deformao plstica dos metais, em funo da sua atuao no deslizamento entre pores do cristal.

FIGURA 1.34 - Discordncia aresta. A linha da discordncia a perpendicular ao plano do papel, correspondente aresta do semiplano adicional.

FIGURA 1.35 - As bolhas de sabo em (a) representam um plano compacto perpendicular a uma discordncia aresta. O esquema em (b) facilita a visualizao do semiplano extra correspondente.

FIGURA 1.39 - O esforo para arrastar um tapete menor, restringindo-se a regio em movimento. A analogia com a movimentao do tapete pode ser compreendida ao se considerar. atravs da figura 1.40, que poucos tomos em tomo da linha da discordncia encontram-se fora das suas posies de energia mnima, e que pequenos movimentos so suficientes para que o semiplano

correspondente discordncia se alinhe com outro plano de tomos. A conseqente movimentao da discordncia prossegue at que esta atinja a superfcie do cristal, formando um degrau de deslizamento, cuja extenso corresponde a um deslocamento da discordncia. O deslocamento de uma discordncia da sua posio para a prxima posio equivalente denominado vetor de Burgers da discordncia, representado pela letra "b". Conforme o semiplano esteja acima ou abaixo do plano de deslizamento, a discordncia aresta dita positiva ou negativa. A discordncia simbolizada na figura 1.40 por exemplo, uma discordncia aresta positiva.

FIGURA 1.40 - O esforo de cisalhamento F produz pequenos movimentos atmicos e troca das ligaes entre os tomos. A discordncia se movimenta produzindo um degrau correspondente a uma distncia atmica (para o sistema cbico simples). 1.3.6. Defeitos planares

As irregularidades na estrutura cristalina associadas superfcies so os defeitos planares, que sero a seguir abordados e que incluem as superfcies livres do metal os contornos de gro, outros contornos (maclas, interfaces com outras fases presentes) e as falhas de empilhamento. a) Superfcies livres Os tomos do metal que constituem superfcies livres do metal, como a superfcie de bolhas ou porosidades, ou a superfcie em contacto com a atmosfera, encontram-se num nvel energtico mais elevado do que os tomos que se encontram no interior do cristal. Isto se d porque os tomos superficiais tm vizinhos apenas de um lado, causando um desbalanceamento das camadas de eltrons e originando um efeito de tenso superficial e de energia de superfcie. Ao se considerar um processo de fratura num metal, tem-se que uma parcela da energia necessria para a fratura ser empregada como energia superficial associada criao das superfcies da fratura. A figura 1.47 apresenta um esquema dos tomos superficiais de um metal.

FIGURA 1.47 - Os tomos na superfcie livre encontram-se num nvel energtico mais elevado que os tomos do interior, porque no esto completamente circundados por outros tomos. b) Contornos de gro As diferentes orientaes entre os cristais desenvolvidos a partir de ncleos distintos, formam, como ilustrado pelas figuras 1.27 e 1.28, superfcies constitudas por tomos que acomodam estas diferenas. A figura 1.48 apresenta contornos de gro vistos ao microscpio tico e um modelo atmico indicando a desordem na superfcie de fronteira entre os gros vizinhos.

FIGURA 1.48 - (a) contornos de gro de molibdnio vistos no microscpio tico (b) modelo atmico indicando a variao nas distncias entre os tomos dos contornos de gro.

Os contornos de gro possuem outros defeitos subestruturais ou submicroscpios, como lacunas e discordncias. Como as distncias interatmicas nos contornos de gro diferem da posio de equilbrio j vista na figura 1.6, tem-se que os tomos pertencentes aos contornos de gro possuem nvel energtico superior ao dos tomos no interior dos gros. Isto os torna mais suscetveis de sofrer modificaes, como participar de reaes qumicas (correndo-se) ou metalrgicas (nucleando uma segunda fase). 2. DIFUSO 2.1. Vibraes trmicas Os tomos de um metal se encontram em movimento, vibrando em tomo da sua posio de equilbrio na estrutura cristalina. Quanto maior a temperatura, maior ser a intensidade da vibrao dos tomos, porque deste modo se armazena no metal a energia utilizada para o aquecimento. Esta energia liberada durante o resfriamento. A movimentao de um tomo, ou mudana de posio, exige que este tomo atinja um nvel de energia mais elevado que permita liberar-se dos seus vizinhos. Com o aumento da temperatura cresce a quantidade de tomos com nvel energtico acima do valor mnimo necessrio para o deslocamento, bem como o nmero de lacunas. Ao movimento dos tomos no metal se d o nome de difuso, que tanto mais intensa, quanto maior a temperatura. 2. Mecanismos de difuso Os mecanismos de difuso mais provveis so: a) Difuso intragranular (ou no volume) Os tomos se deslocam pelas posies correspondentes no sistema cristalino. Tem-se a difuso substitucional e a difuso intersticial, conforme a movimentao seja de tomos em soluo slida substitucional ou intersticial. b) Difuso na superfcie livre e nos contornos Como as superfcies livres do metal e os contornos de gro so superfcies abertas, isto , apresentam maior espao entre os tomos tambm possuem energia mais elevada, tem-se a formao de caminhos preferenciais para a difuso, segundo estas superfcies. c) Difuso nas linhas de discordncias (ou difuso tubular) Os espaos mais abertos associados a uma linha de discordncia facilitam a difuso. Tal tipo de difuso mais importante, se a densidade de discordncias for elevada. Os tipos de difuso podem atuar simultaneamente, como esquematizado na figura 2.6. O metal A, depositado por soldagem sobre o metal B, difunde-se em B pelo volume e peles contornos de gro. Nesta difuso combinada, os tomos de A movimentam-se mais rapidamente pelos contornos de gro. O aumento da concentrao de A nos contornos de gro causa a difuso de A dos contornos para o interior dos gros, como indicado pelas setas.

FIGURA 2.6 - Difuso combinada no volume e nos contornos de gro.