Amplificadores RF sinais pequena potência

Amplificadores para sinais de pequena potncia em RF
UERJ - Circuitos de Comunicao
Gil Pinheiro UERJ-FEN-DETEL
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Amplificadores para sinais de pequena potncia em RF

Objetivo:
Amplificao seletiva de sinais de RF de baixa potncia com boa relao sinal/rudo
Zg
+
VCC vg
Amplificador de sinal de RF
ZL
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Conceito de Ganho de Potncia
Zg
+
vg
ii Zi
io
Zo vso
ZL
Potncia de entrada: Pi = (ii ef)2Re[Zi] Potncia de sada: Po = (io ef)2Re[ZL] Ganho de potncia: Gp = Po/Pi
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Modelo Y
Zg
+
vi vg
Yi
-
iscc
Yo
-
vo
ZL
Potncia de Entrada: Pi = (Vi ef)2.Re[Ye] Potncia de Sada: Po = (Vs ef)2Re[YL] Ganho de Potncia: Gp = Po/Pi
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Modelo h
Zg
+
vi vg
hi
-
iscc
ho
-
vo
ZL
Potncia de Entrada: Pi = (Vi ef)2/Re[hi] Potncia de Sada: Po = (Vo ef)2/Re[ZL] Ganho de Potncia: Gp = Po/Pi
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Potncia Disponvel num Gerador

a mxima potncia que um gerador consegue entregar a uma carga
Zg
Zg jXg vg ZL Rg ig vg jXL ZL RL
+ +
Re[ZL] = Re[Zg] RL = Rg Im[Ze] = - Im[Zg] XL = -Xg
Pgd = (ig ef)2RL = (ig ef)2Rg = (vg ef/2Rg)2Rg = (vg ef)2/4Rg
Mxima transferncia de potncia (ZL = Zg*):
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Ganho de potncia de transduo de um amplificador is Zg
+
vg Ze
Zs vso
ZL
Potncia disponvel de entrada: ped = (vg ef)2/4Re[Zg] Potncia de sada: ps = (is ef)2Re[ZL] Ganho de potncia de transduo: Gpt = ps/ped
Para um dado amplificador (Ze e Zs conhecidos), GPt funo de Zg e ZL
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Exemplo de clculo de ganho

75 300 +
+
vg ve
+
50
20ve
75 -
vs
AV = vs/ve = 2075/(300+75) = 4 = 20log(4) [dB] = 12,04 dB pe = (ve ef)2/50 ped = (vg ef)2/(475) ps = 75[20ve ef/(300+75)]2
psd = (20ve ef)2/(4300)
ve = vg50/(50+75)
Gp = ps/pe = 10,67 = 10log(10,67) [dB] = 10,28 dB Gpd = psd/ped = 16 = 10log(16) [dB] = 12,04 dB Gpt = ps/ped = 10,24 = 10log(10,24) [dB] = 10,10 dB
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Condies para mxima transferncia de potncia entre o gerador e amplificador e entre o amplificador e carga
Re[Ze] = Re[Zg] Im[Ze] = - Im[Zg] Ze = Zg* Re[ZL] = Re[Zs] Im[ZL] = -Im[Zs] ZL = Zs*
Zg Ze Zs vso ZL
+
vg
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Para conseguir a mxima transferncia de potncia Zg
+
vg
Rede de adaptao de impedncia
+
Ze
Zs vso
Rede de adaptao de impedncia
ZL
Rede de adaptao de entrada
Ze
Ze rede= Zs*
Rede de adaptao de sada
ZL
Ze rede= Zg*
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Exemplo de clculo de ganho com redes de casamento de impedncias

75 300
+
ve vg
+ ve (75/50)1/2:1
+
50
+ vs 20ve (300/75)1/2:1
75
vs
-
ve = 0,5vg
ve = (50/75)1/2ve
vs = 0,520ve
vs = (75/300)1/2vs
AV = vs/ve = 10(75/300)1/2(50/75)1/2 = 4,08 = 20log(4,08) [dB] = 12,21 dB pe = ped = (vg ef)2/(475) ps = psd = (20ve ef)2/(4300) ve = (50/75)1/20,5vg
Gp = Gpd = Gpt = ps/pe = 16,67 = 10log(16,67) [dB] = 12,21 dB

(coincide neste caso particular com AV, por ser Rg = RL)
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Importncia do casamento de impedncias - exemplo 200 200
+
vg ve
+ 50 -
+ 50
vs
Sem casamento Gpt = 64 = 18,06 dB
50ve
200
200
+
ve vg
2:1 ve
+
50
+ vs 50ve -
2:1
50
vs
-
Com casamento: Gpt = 156,25 = 21,93 dB
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Como medir o grau de casamento de impedncias

Coeficientes de reflexo: Na entrada: e = (Ze Zo)/(Ze + Zo) (Zo = impedncia de referncia) Na sada: s = (Zs Zo)/(Zs + Zo) (Zo = impedncia de referncia)
Relao de Ondas Estacionrias (ROE, SWR): Na entrada: ROEe = (1 + e)/(1 - e) Na sada: ROEs = (1 + s)/(1 - s)
Perdas de potncia por descasamento PL: Na entrada: PLe = -10log[1 - (Ze Zg*)/(Ze + Zg)2] Na sada: PLs = -10log[1 - (Zs ZL*)/(Zs + ZL)2]
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Calculando o grau de casamento de impedncias no exemplo anterior 200 200
+
Zo = Ro = 50
+
50
+ 50
vg
ve
-
vs
-
50ve
e = (Ze Zo)/(Ze + Zo) = 0/250 = 0 s = (Zs Zo)/(Zs + Zo) = 150/250 = 0,6 ROEs = (1 + s)/(1 - s) = 4 PLe = -10log[1 - (Ze Zg*)/(Ze + Zg)2] = ??? dB PLs = -10log[1 - (Zs ZL*)/(Zs + ZL)2] = ??? dB
ROEe = (1 + e)/(1 - e) = 1
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Redes no dissipativas de casamento de impedncias

Objetivo:
Efetuar a conexo de uma fonte de sinal, com impedncia de sada ZG, a uma carga de impedncia ZL, eventualmente diferentes Permitir a mxima transferncia de potncia entre a fonte e a carga, com perdas mnimas Problema mais fcil de ser resolvido em uma faixa de freqncias estreita
Tipos de Redes no dissipativas de casamento
De banda larga a transformador De banda estreita Com transformador Sem transformador
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Redes no dissipativas de casamento de impedncias

0 Ai Ai-3dB BW Atenuao (Rede Banda Larga) 0 Atenuao (Rede Banda Estreita)
Ai Ai-3dB BW
0,1fC
fC
10fC
0,1fC
fC
10fC
Parmetros da Rede
Ai = Perda de insero da rede (em dB) fc = Freqncia central da rede (em Hz) BW = Banda passante da rede (em Hz)
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Teoria do Transformador Ideal
i1
+ 1:n
i2
+
i1
+
i2 ni2
v1
-
v2
v1
-
v2 nv1
-
v2 = v1n i2 = i1/n p1 = v1i1 = v2i2 = p2

i1
i2
1:n +
v2 = v1n v2 = R2i2
i2 = i1/n
+
v1 v1
R1
+ -
v2
-
R2
Ento: R1 = v1/i1: R1 = v2/(i2n2) = R2/n2
R1 = R2/n2
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Primeira aproximao ao comportamento real: indutncia e corrente de magnetizao
i1
+
ni2 im Lm
1:n
i2
+
v1
-
v2
-
R2
Exemplos de Transformadores de RF
Modelo que considera a transferncia de energia apenas atravs do campo magntico i1 = i2n + im Calculamos i1/v1 = Y1: Y1(s) = n2/R2 + 1/(Lms) Z1(s) = v1/i1 = 1/Y1(s)
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Primeira aproximao ao comportamento real: indutncia e corrente de magnetizao
i1
+
ni2 im Lm
1:n
i2
+
Ento: Z1(s) = 1/[n2/R2 + 1/(Lms)]
v1
-
v2
-
R2
Z1(j) [] R2
Z1(s), Y1(s)
Chamando R2 = R2/n2, obtemos: Z1(s) = R2Lms/(R2 + Lms) Z1(j) = jR2Lm/(R2 + jLm)
R2/10 0,7R2
fC
H um zero em zero e um plo em fC = R2 /(2Lm)
R2/100 0,1fC fC
10fC
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Segunda aproximao ao comportamento real: indutncias de magnetizao e de disperso

Modelos que consideram que o acoplamento entre primrio e secundrio no perfeito
i1
+
ni2 Ld1 im Lm ni2

im1
i2
1:n +
v1
-
Ld2
v2
Modelo T
i1
+
i2
1:n +
v1
-
Ld
im2
Lm1
Lm2
v2
-
Modelo
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Segunda aproximao ao comportamento real: indutncias de magnetizao e de disperso

i1 ni2 i2
+ v1 -
Ld
im
1:n
+ v2 Z1(j) [] 10R2
Lm
R2
Z1(s), Y1(s)
Z1(s) = Lds + R2Lms/(R2 + Lms) Z1(j) = jLd + jR2Lm/(R2 + jLm) H um zero em zero, um zero em fCs = R2 /(2Ld) e um plo em fCi = R2 /(2Lm)
R2
0,7R2
fCi
R2/10
fCs
0,1fC
fC
10fC
1,4R2
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Terceira aproximao ao comportamento real: indutncias e capacitncias parasitas + v1 Z1(s), Y1(s) Ld Lm Cp1 1:n + v2 Cp3
10R2 Z1(j) []
R2
Cp2
R2/100
f1
10f1
100f1
1000f1
Modelo que considera tambm as capacitncias parasitas, existentes R2 nos enrolamentos primrio e secundrio, entre os enrolamentos e R2/10 com o ncleo
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Uso de um transformador como adaptador de impedncias de banda larga

Somente vlido no caso de impedncias puramente resistivas
Rg
+
vg
1:n
Lm
Z1(j) R2 = R2/n2
R2
Faixa til
Z1(j) []
R2
Para mxima T.P., por projeto: Rg = R2
R2 /10
0,1fC
fC
10fC
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Uso de um transformador como adaptador de impedncias de banda larga Rg
+
vg Z1(j)
Ld Lm
1:n Cp1 R2
Modelo mais elaborado
Z1(j) []
R2 = R2/n2
10R2
Por projeto: Rg = R2 Faixa til (predomina R2) Predomina Lm Predomina Cp1 Ressonncia entre Cp1 Ld
Predomina Ld
R2 R2/10
R2/100
f1
10f1
100f1
1000f1
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Uso de um transformador como adaptador de impedncias de banda estreita Rg
+
vg Z1(j)
Cr
Lm
1:n
R2
R2 = R2/n2
10R2 Z1(j) []
Se acrescenta um capacitor (Cr) para entrar em ressonncia com a indutncia de magnetizao (Lm)
R2 R2/10 R2/100 f1
Com Cr
10f1
100f1
1000f1
Sem Cr
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Uso de um transformador como adaptador de impedncias de banda estreita

Se a admitncia de entrada parcialmente capacitiva, a ressonncia ocorrer com a capacitncia resultante
Rg
+
vg
Cr
Lm
1:n
C2 R2
Y1(j) =1/R2 + jC2
Cr = Cr + C2n2
fr =
1 2 LmCr
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Uso de um transformador como adaptador de impedncias de banda estreita Rg

Modlo de transformador mais completo
+
vg Z1(j)
Ld
1:n Cp1 R2
Cr Lm
10R2 R2 Z1(j) []
R2/10
R2/100
f1
10f1
100f1
1000f1
Comportamento pouco dependente dos componentes parasitas do transformador
Com Cr
Sem Cr
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Redes adaptadoras de impedncias no dissipativas sem transformador
Rg
+
vg
Ze
jXs
RL jXp
Suponhamos inicialmente apenas impedncias resistivas no gerador e carga Calculamos Ze: Ze = jXs + jXpRL/(jXp + RL) = jXs + jXpRL(RL - jXp)/(RL2 + Xp2) =
[j(RL2Xs + Xp2Xs + RL2Xp) + Xp2RL]/(RL2 + Xp2)

Condio de Im[Ze] = 0 e Re[Ze] = Re em o: 0 = RL2Xs(o) + Xp2(o)Xs(o) + RL2Xp (o) (1) Re = Xp2(o)RL/[RL2 + Xp2(o)] (2) De (2), obtemos: Xp(o) = RL[Re/(RL-Re)]1/2 De (1) e (3), obtemos: -Xs(o) = [Re(RL-Re)]1/2 (3) (4)
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Redes adaptadoras de impedncias no dissipativas sem transformador Rg

Resumindo, para que Re[Ze] = Re, ento: Xp(o) = RL[Re/(RL-Re)]1/2 (3) -Xs(o) = [Re(RL-Re)]1/2 (4) De (3) e (4): Xp(o) = -RLRe/Xs(o) (5)
+
vg
Ze = Re
Concluso:
jXs
RL jXp
De (3) e (4) se deduz que, nesta topologia: Re < RL Realizao fsica Passa baixo: Xs um indutor e Xp um capacitor Passa alto: Xs um capacitor e Xp um indutor
De (1) 0 = RL2Xs(o) + Xp2(o)Xs(o) + RL2Xp(o) se deduz que Xs e Xp devem ser reatncias de sinais opostos (exemplo: condensador e indutor)
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jXs
Ze = Re
RL jXp
-Xs(o) = [Re(RL-Re)]1/2 (4) Xp(o) = -RLRe/Xs(o) (5) Re < RL Opo passa baixa
Passa baixo
L
Ze = Re
RL C
Sendo:
Xs(o) = Lo e Xp(o) = -1/(Co) Substituindo em (4) e (5): Lo = [Re(RL-Re)]1/2 1/(Co) = RLRe/(Lo) L/C = RLRe
Lo = [Re(RL-Re)]1/2 L/C = RLRe Re < RL
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Redes adaptadoras de impedncias no dissipativas sem transformador (com Re < RL)
jXs
Ze = Re
RL jXp
-Xs(o) = [Re(RL-Re)]1/2 (4) Xp(o) = -RLRe/Xs(o) (5) Re < RL Opo passa alto
Passa alto
C RL
Sendo:
Ze = Re
Xs(o) = -1/(Co) e Xp(o) = Lo Substituindo em (4) e (5): 1/(Co) = [Re(RL-Re)]1/2 Lo = RLReCo L/C = RLRe
Co = [Re(RL-Re)]-1/2 L/C = RLRe Re < RL
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possvel usar as redes de casamento com Re > RL? Usando a Teoria de Circuitos
1 Teorema da Reciprocidade
a c Rede passiva b d a c Rede passiva b d
+
v1
+
v1
i2
i2
Se excitamos em tenso em a-b e medimos a corrente de curto em c-d, o resultado o mesmo se excitamos em tenso em c-d e medimos a corrente de curto em a-b
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2 Teorema de Reciprocidade para quadriplos no dissipativos, com carga e impedncia de entrada ambas resistivas
Rg
a
Rede
c
passiva no dissipativa
RL iL
+
pab
vg
Rg
b a
Balano de potncia: pab = (vg ef)2/(4Rg) = (iL ef)2RL Ento: (iL ef)2 = (vg ef)2/(4RgRL) Balano de potncia: pcd = (iL ef)2Rg Substituindo o valor de iL ef: pcd = (vg ef)2/(4RL) Para que isto ocorra:
d c
Rede passiva no
Rg iL
+
pcd
d
dissipativa
vg
Zcd
Zcd = RL
RL
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Concluso
Para quadriplos no dissipativos, carregados na sada e na entrada com impedncias resistivas Fazendo: a
Rede passiva no dissipativa
R2
d
Zab = R1
Ento:
a
Rede
c
passiva no dissipativa
R1
b
Zcd = R2
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Redes adaptadoras de impedncias no dissipativas sem transformador (com Re > RL)

-Xs(o) = [R1(R2-R1)]1/2 c a Xp(o) = -R2R1/Xs(o) a R1 < R2 c
Zab = R1
b
jXs jXp
R1 = Re R2 = RL d
R2
R1
jXs
Zcd = R2
jXp
b Desenhando de novo: R1 = RL R2 = Re d
+
vg
Ze = Re
jXs jXp
RL
-Xs(o) = [RL(Re-RL)]1/2 Xp(o) = -ReRL/Xs(o) RL < Re
Rg
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jXs
Ze = Re
Passa baixo
jXp
RL
-Xs(o) = [RL(Re-RL)]1/2 (4) Xp(o) = -ReRL/Xs(o) (5) RL < Re Opo passa baixa
Sendo:
Ze = Re
RL
Lo = [RL(Re-RL)]1/2 1/(Co) = ReRL/(Lo) L/C = ReRL
Lo = [RL(Re-RL)]1/2 L/C = ReRL RL < Re
Xs(o) = Lo y Xp(o) = -1/(Co) Substituindo em (4) e (5):
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jXs
Ze = Re
Passa alto
jXp
RL
-Xs(o) = [RL(Re-RL)]1/2 (4) Xp(o) = -ReRL/Xs(o) (5) RL < Re Opo passa alto
Sendo:
C
Ze = Re
RL
1/(Co) = [RL(Re-RL)]1/2 Lo = ReRLCo L/C = ReRL
Co = [RL(Re-RL)]-1/2 L/C = ReRL RL < Re
Xs(o) = -1/(Co) y Xp(o) = Lo Substituindo em (4) e (5):
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Redes no Dissipativas sem Transformador - Resumo
C L
Ze = Re PASSA BAIXO
RL C
PASSA ALTO Ze = Re
RL L
Lo = [Re(RL-Re)]1/2 L/C = RLRe Re < RL
Co = [Re(RL-Re)]-1/2 L/C = RLRe Re < RL
Ze = Re
RL
Ze = Re
RL
Lo = [RL(Re-RL)]1/2 L/C = ReRL RL < Re
Co = [RL(Re-RL)]-1/2 L/C = ReRL RL < Re
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Circuito que sintetiza os quatro casos

a
jXs
R1
b
jXp
d
R2
Xp(o) = -R2R1/Xs(o) R1 < R2
-Xs(o) = [R1(R2-R1)]1/2
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Exemplo:
200
L = 1,38H
+ C= 138pF
Ze
200
L = 1,38H
+
50
+
ve vg 200
+
50
vs 50ve 200
300 200 Ze []
vs
-
C= 138pF
Ze = Ze
Freqncia de operao: 10 MHz
Re[Ze]
Variao de Ze com a freqncia de operao
0 -200
Im[Ze] 6 10 14
f [MHz]
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Exemplo:
Ze [] 300
L
Ze = Re
Caso B: Re[Ze], RL= 100 Re[Ze], RL= 20
RL
200
Freqncia de projeto: 10 MHz
Caso A: Im[Ze], RL= 100 Im[Ze], RL= 20 6 10 f [MHz] 14

Caso A: Re = 200 RL = 100 L = 1,6 H C = 80 pF Caso B: Re = 200 RL = 20 L = 0,95 H C = 239 pF
-200
Concluso: quanto maior a diferena de impedncias, mais crtica a margem de freqncia de casamento. O mesmo ocorre em outras redes
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Exemplo de clculo de rede LC (Caso A) utilizando o simulador LTSpice IV
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Exemplo de clculo de rede LC (Caso B) utilizando o simulador LTSpice IV
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Exemplo de clculo de rede LC (Caso C) utilizando o simulador LTSpice IV
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Comportamento com geradores e cargas com impedncia no resistivas

As redes passivas de acoplamento podem ser usadas com cargas reativas, bastando-se integrar as parcelas reativas na rede de casamento
jXs
Zg
Rg
jXg jXs
jXp jXp jXL
ZL
+
vg
RL
Xs e Xp so os valores calculados pelas frmulas anteriores Xs e Xp so os valores a introduzir Xs = Xs + Xg Xp = XpXL/(Xp + XL) Xp = XpXL/(XL - Xp) Pode ser necessrio fazer alguns ajustes adicionais
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Exemplo com impedncias no resistivas

Impedncia de Carga Resistiva
L = 0,32 H
Re = 20 fo = 10 MHz C = 398 pF
Impedncia de Carga No Resistiva
RL = 40
L = 0,32 H
Re = 20 fo = 10 MHz C = 298 pF
RL = 40 CL = 100 pF
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Exemplo de uso impossvel com a rede proposta

L = 0,32 H
Re = 20 fo = 10 MHz C = 398 pF
RL = 40
L = 0,32 H
Re = 20 fo = 10 MHz C = - 102 pF
RL = 40 CL = 500 pF
No possvel com esta rede
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Rede alternativa a utilizar neste caso

L = 0,32 H jXs = j20 RL = 40 C = 398 pF jXp = -j40
Re = 20 fo = 10 MHz
L = 0,32 H jXs = j20 RL = 40 CL = 500 pF jXL = -j31,8 Xp = XpXL/(XL - Xp) = +155,9

Re = 20 fo = 10 MHz j155,9
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Rede alternativa a utilizar neste caso

Re = 20
0,32 H CL = 500 pF
RL = 40
fo = 10 MHz j155,9
Maneiras de conseguir a reatncia indutiva necessria em 10 MHz: Um indutor Um circuito LC paralelo (infinitos casos possveis) Um circuito LC serie (infinitos casos possveis) LP = 0,64 H CP = 295,8 pF LP = 1,27 H CP = 96,8 pF LP = 2,12 H CP = 17,3 pF
Nos trs casos se consegue casamento, mas a resposta em freqncia distinta
2,48 H
LP
CP
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Exemplo
Calcule uma rede passiva de casamento para o seguinte amplificador. Considere: -Freqncia de trabalho: 100MHz -Transistor BF-245 -Impedncia de entrada: Re=Rg=100 ohms -A rede dever ter ligao do Gate terra (em f=0), nos pontos c/d para facilitar a polarizao do FET
+ Vdd
Rg
a Rede Passiva b
G CS
D S RS
+
vg
Ze = Re
yis yis= gis+ jbis
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Outras Redes de Casamento

As redes vistas at aqui empregam dois componentes reativos (L e C), permitindo o casamento de duas impedncias. Sendo redes de 2 ordem. Porm, no permitem a determinao da banda passante ou do fator Q a ser obtido Para possibilitar o casamento de duas impedncias e, concomitantemente, determinar a banda passante, necessrio acrescentar mais um elemento reativo rede. Isto implica em adicionar mais um grau de liberdade funo de transferncia da rede. So redes de 3 ordem.
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Outras Opes de Rede de Casamento

L = 0,32 H jXs = j20 Re = 20 fo = 10 MHz LP CP jXp = -j40
Definimos o Q do circuito: Q =RL/(oLp)
Q=1 Q = 0,5 Q = 0,1 Q = 0,01 LP = 0,64 H LP = 1,27 H LP = 6,37 H LP = 63,7 H CP = 795,8 pF CP = 596,8 pF CP = 437,7 pF CP = 401,9 pF 40 Ze [] Re[Ze], Q=1 Re[Ze], Q=0,1 Im[Ze], Q=1 0 Im[Ze], Q=0,1 -20 6 10 f [MHz] 14
RL = 40
H casamento, mas a sua resposta em freqncia distinta
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Exemplos de outras redes de casamento de impedncias

(Referncia: ARRL Handbook 2001)
Outras redes
Tap Capacitivo e tap Indutivo
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Exemplos de outras redes de casamento de impedncias

(Referncia: ARRL Handbook 2001)
Outras redes
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Exemplo de clculo de rede Passa Faixa (Tap Capacitivo) utilizando o LTSpice IV
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Largura de Banda de Amplificador com Circuito Sintonizado
+ Vcc
1:n
C Re2
real
ve2
-
C1
+
G CS
D S RS
ve1
-
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Rs1
+
vs1o
Etapa 1
1:n
ideal
Re2 Etapa 2
ve2
Rs1 is1cc
+ ve2
Re2 Re2 = Re2/n2 ve2 = ve2/n
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Rs1 is1cc + ve2
Re2
+ ve2 is1cc R
R = Re2Rs1/(Re2 + Rs1) Calculamos a transferncia ve2/is1cc: ve2/is1cc = ZLCR(s) = 1/[1/R + Cs + 1/(Ls)] = Ls/[1 + Ls/R + LCs2] ve2/is1cc = ZLCR(j) = jL /(1 - LC2 + jL/R) = R/[1 + jR(LC2 - 1)/(L)] A partir de: (LC2 - 1)/(L), substituindo: o = 1/(LC)1/2: (LC2 - 1)/(L) = [(LC)1/2 + 1][(LC)1/2 - 1]/(L) = (/o + 1)(/o - 1)/(L) 2(/o - 1)/(Lo) = 2( - o)/(Lo2)
Anlise AC (s = j):
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+ ve2 is1cc
Por tanto: ZLCR(j) R/[1 + jR2( - o)/(Lo2)] Para calcular as freqncia de corte estabelecemos as condies em que ZLCR(j) cai 3dB com relao a ZLCR(jo): ZLCR(jc) = ZLCR(jo)/21/2 c = o Lo2/(2R) = o o/(2Q), Sendo Q = R/(Lo). Portanto: cs = o + o/(2Q), ci = o - o/(2Q) e = cs - ci = o/Q
R = Re2Rs1/(Re2 + Rs1)
f = fo/Q
(com a aproximao admitida)
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Largura de Banda de Amplificador com Circuito Sintonizado ZLCR

R R/ 2 Q=5 Q=10 Q=20
0 90
ZLCR R C L
ZLCR []
0
Q=10
f fo/Q
Q=20 Q=5
-90 0,6fo fo
1,4fo
o = 2fo o = 1/(LC)1/2 Q = R/(Lo)
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R R/ 2 aprox. Avaliao da aproximao: (/o + 1)(/o - 1)/(L) 2( - o)/(Lo2) aprox.
0
ZLCR Q=5
ZLCR []
90
aprox.
0
Q=5
aprox.
-90 0,6fo fo
1,4fo
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Amplificadores com dois circuitos sintonizados

Evitar ocorrncia de acoplamento por campo magntico disperso, que poderia levar a oscilao ou resposta espria
+ Vcc
C2
1:n2 +
M
Rg
Re2
real
ve2
-
G
1:n1 +
D ve1
+
vg
S RS CS
C1
real
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Evitando o acoplamento entre circuitos sintonizados

Bobinas ajustveis com blindagem Bobinas e transformadores toroidais Transformadores de RF
Exemplos de bobinas ajustveis com blindagem
Coilcraft
Coilcraft
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Toko
Toko
Toko
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Toko
Toko
Toko
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Bobinas e transformadores toroidais
Toko
Toko
Coilcraft
Toko
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Transformadores de RF
Coilcraft Mini circuit
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Amplificadores com dois circuitos sintonizados

C2
+ Vcc
1:n2 +
Re2
real
ve2
-
Rg
G
1:n1 +
D S ve1 RS CS
+
vg
C1
real
+ ve1
igcc/n1
C1
R1
L1
gFETve1
+ ve2 R2
C2
L2
igcc = vg/Rg
ve2 = ve2/n2
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+ ve1
igcc/n1
C1
R1
L1
gFETve1
+ ve2 R2
C2
L2
Equaes: igcc = vg/Rg ve2 = ve2n2 ve1n1/igcc = ZLCR1(j) = R1/[1 + jR1(L1C12 - 1)/(L1)] ve2/(gFETve1) = ZLCR2(j) = R2/[1 + jR2(L2C22 - 1)/(L2)] Ento: ve2/vg = ZLCR1(j)ZLCR2(j)[gFETn2/(Rgn1)] = kFLCR(j), sendo: FLCR(j) = ZLCR1(j)ZLCR2(j)/(R1R2)
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Chamando:
o1 = 1/(L1C1)1/2, Q1 = R1/(L1o1), o2 = 1/(L2C2)1/2 e Q2 = R2/(L2o2) Possibilidades: Mesma sintonia o1 = o2 Sintonia escalonada o1 o2 Caso de mesma sintonia FLCR(j) 1
Q=5
Aumenta a atenuao de freqncias indesejadas Diminui a largura de banda
0 0,6fo fo
1 Etapa
2 Etapas
1,4fo
1/ 2
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Caso de sintonia escalonada Exemplo: fo1 =0,909 fo e fo2 =1,11 fo
FLCR(j) 1 Aumenta a atenuao de freqncias indesejadas Pode-se conseguir uma resposta bastante plana na banda desejada Menor ganho
Q=5
1/ 2 1 Etapa
2 Etapas
0 0,6fo fo
1,4fo
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Determinao da largura de banda em amplificadores com vrios circuitos sintonizados na mesma freqncia e com mesmo Q
vg
Etapa 1 Etapa 2 Etapa 3 Etapa 4
vs L4 C4 R4
L1 C1 R1
L2 C2 R2
L3 C3 R3 f fo/Q
Usando as expresses aproximadas: ZLCR(j) R/[1 + jR2( - o)/(Lo2)] Condio de queda de 3dB em c: FLCR(jc) = FLCR(jo)/21/2 21/2 = [1 + [R2(c - o)/(Lo2)]2]n/2 [21/n 1]1/2 = R2(c - o)/(Lo2); chamamos k(n) = [21/n 1]1/2 Ento: c = o k(n)Lo2/(2R) = o k(n)o/(2Q) f = k(n)fo/Q Como f = k(n)fo/Q e k(n) < 1, diminui a largura de banda FLCR(j) = [ZLCR(j)/R]n = 1/[1 + jR2( - o)/(Lo2)]n
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Determinao da largura de banda de amplificadores com vrios circuitos sintonizados na mesma freqncia e com mesmo Q o = 2fo o = 1/(LC)1/2 Q = R/(Lo) f [21/n 1]1/2fo/Q
FLCR(j) [dB]
0
1 Etapa
-20
Q=5
-40
2 Etapas
-60 0,1fo
4 Etapas fo
10fo
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Vrias etapas com sintonia escalonada e com mesmo Q

Exemplos de arranjos possveis: Freqncia de corte superior de uma etapa coincidente com a inferior da outra fo1 = fo/[1 + 1/(2Q)] fo2 = fo/[1 - 1/(2Q)] 1 1/ 2 FLCR(j) fo1 fo2
1 Etapa
0 fo(1-3/Q)
2 Etapas
fo
fo(1+3/Q)
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Mesmo exemplo anterior, em escala logartmica FLCR(j) [dB]
0 -3
Q=5
-20
-40
2 Etapas
-60 0,1fo fo
10fo
1 Etapa
Aumenta a atenuao de freqncias indesejadas Se pode conseguir uma resposta bastante plana na banda desejada Menor ganho
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Outros exemplos de arranjos possveis: fo1 = fo/[1 + 1/(mQ)] fo2 = fo/[1 - 1/(mQ)] FLCR(j) 1 1/ 2 fo1 Caso anterior: m = 2 Ressonncias mais distantes: m < 2 Ressonncias mais prximas: m > 2 fo2
m = 1,5
1 Etapa
0 fo(1-3/Q)
2 Etapas
fo
fo(1+3/Q)
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FLCR(j) [dB]
0 -3 dB
Influncia de m m = 1,5
Q=5
-20
1 Etapa
-40
m=1
2 Etapas, m = 2
-60 0,1fo 10fo
fo
Ao diminuir m, diminui o ganho e aumenta a largura de banda
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Exemplos de possveis arranjos com quatro etapas: FLCR(j) [dB]
0
Q=5
-20
1 Etapa C
Opc. A Opc. B
Opo A: fo1 = fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)] fo3 = fo4 = fo/[1 - 1/(2Q)] Opo B: fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)] fo3 = fo/[1 - 1/(2Q)] fo1 = fo2/[1 + 1/(2Q)] fo4 = fo3/[1 - 1/(2Q)] Opo C: fo2= fo/[1 + 1/(2Q)] fo3= fo/[1 - 1/(2Q)] fo1 = fo2[1 - 1/(2Q)]/[1 + 1/(2Q)] fo4 = fo3[1 + 1/(2Q)]/[1 - 1/(2Q)]
-40
-60 0,1fo
4 Etapas fo
10fo
2 Etapas
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Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados por condensador Rg
C2
1:n1
+
vg
C1 L
C1 L
1:n2
Re1
real
ve1
-
real
Rg = R
C2 C1 L C1 L
+
+
vg
ve1
-
Re1 = R
Prof. Gil Pinheiro
Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados por condensador
Rg = R
C2 C1 L C1 L
+
+
vg
ve1
-
Sendo: o = 2fo o = 1/(LC1)1/2 C2 = C1/k Q = R/(Lo)
Re1 = R
FLCR(j) [dB]
0
Q=5
FLCR(j) = ve1/vg
-20
k=1
-40
Ateno: fo no a freqncia central

2 5
-60 0,1fo
k = 20
fo
10
10fo
Prof. Gil Pinheiro
Rg = R
C2 C1 L C1 L
+
+
vg
ve1
-
Re1 = R
FLCR(j)
Q=5
k=2 k=5 10 k = 20
0 0,6fo fo
k=1
1,4fo
Por que h vrios picos de resposta?
Prof. Gil Pinheiro
Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados por condensador Z2 C2
C1
v
igcc
C1 L Z1 R
ve1
-
L Z1
Equaes: v/igcc = [Z1(Z2 + Z1)]/(Z1 + Z2 + Z1) e ve1/v = Z1/(Z1 + Z2) Ento: ve1/igcc = Z12/(2Z1 + Z2) Mximos possveis: Se Z1 muito alto ressonncia paralelo de Z1 o1 = 1/(LC1)1/2 Se 2Z1 + Z2 muito pequena ressonncia srie de 2Z1 e Z2
Prof. Gil Pinheiro
Z2
+ C1 C2 C1 L R +
Ressonncia srie de 2Z1 y Z2:

ve1
v
igcc
2Ls/(1 + Ls/R + LC1s2) + 1/C2s = 0
Z1
Z1
Realizando uma anlise AC e supondo R muito elevada: 2Lo2/(1 - LC1o22) - jC2o2 0 o2 1/[L(C1 + 2C2)]1/2 Ento: o1 o2(1 + 2C2/C1)1/2 o1 o2(1 + 2/k)1/2 Haver dois picos quando, aproximadamente: o1 - o2 > o1/(2Q) + o2/(2Q) k < (2Q-1)2/4Q Q (se Q grande)
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Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados indutivamente

Acoplamento no ideal
Rg
+
vg Rg = R 1:n1
Acoplamento ideal
C1
C1
1:n2
Acoplamento ideal
Re1
ve1
-
+
vg
Ld1 C Lm
Ld2 Ld1
ve1 C
Re1 = R
Prof. Gil Pinheiro
Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados indutivamente Acoplamento capacitivo Z1 Z1 + C1 C2 Z2 L C1 L R +
v
igcc
ve1
-
Acoplamento indutivo
Z1
Ld
igcc
Ld Lm
Z2
ve1 C
R -
Se aplica a mesma abordagem do acoplamento capacitivo
Z1 +
Prof. Gil Pinheiro

Z1
Ld
igcc
Z1 +
Ld Lm
Z2
ve1 C
R -
Equao final : ve1/igcc = Z2R2/[Z1(2Z2 + Z1)(1 + RCs)2] Se supomos R muito elevado: ve1/igcc = Z2/[Z1(2Z2 + Z1)(Cs)2] Mximos possveis:
Se Z1 muito baixa ressonncia srie Z1 o1 1/(LdC)1/2 Se 2Z2 + Z1 muito baixa ressonncia srie de 2Z2 y Z1 o2 1/[(2Lm +Ld)C]1/2 e se chamamos k = Ld/Lm o2 1/[Ld(2/k + 1)C]1/2 Ento: o1 o2(1 + 2/k)1/2 e h dois picos quando, aproximadamente: k < (2Q-1)2/4Q Q (se Q elevado)
Prof. Gil Pinheiro

Rg = R
+
vg
Ld1 C Lm
Ld2 Ld1
ve1 C
Re1 = R
FLCR(j) [dB]
0
Q=5
k=1
Sendo: o = 2fo o = 1/(LdC)1/2 Lm = Ld/k Q = R/(Ldo) FLCR(j) = ve1/vg

-20 2 -40 5
10
-60 0,1fo
k = 20
fo
10fo
Prof. Gil Pinheiro
Modelagem de dispositivos ativos: parmetros de admitncias
Zg
ie
+
is
+
+
vg
ve
- y11 y12vs y21ve y22 -
vs ZL
Dispositivo ativo
y12
vs =0
ve = 0
Valores:
is y 21 = ve
y 22
vs =0
is = vs
ve =0
Equaes: ie = y11ve + y12vs is = y21ve + y22vs
ie y11 = ve
ie = vs
Prof. Gil Pinheiro
ie
is
+
+
ve
ve
- y11 y12vs y21ve y22 -
vs
Significado de cada parmetro:

Admitncia de entrada com sada em curto
vs =0
ie y11 = ve is y 21 = ve
vs =0
Admitncia de transferncia direta com sada em curto
Prof. Gil Pinheiro
ie
+
is
+
+
vs vs
ve
- y11 y12vs y21ve y22 -
y 22
is = vs
Admitncia de sada com entrada em curto

ve =0
y12
ie = vs
Admitncia de transferncia inversa com entrada em curto ve = 0
Prof. Gil Pinheiro
ie
+
is
+
ve
- y11 y12vs y21ve y22 -
vs
Outra nomenclatura possvel:

y11 = Admitncia de entrada com sada em curto = yi y12 = Admitncia de transferncia inversa com entrada em curto = yr y21 = Admitncia de transferncia direta com sada em curto = yf y22 = Admitncia de sada com entrada em curto = yo
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ie
is
ve
- y11 y12vs y21ve y22 -
vs
Diviso em parte real e imaginria:

y11 = g11 + jb11 ou melhor yi = gi + jbi y12 = g12 + jb12 ou melhor yr = gr + jbr y21 = g21 + jb21 ou melhor yf = gf + jbf y22 = g22 + jb22 ou melhor yo = go + jbo
Prof. Gil Pinheiro
Modelagem de dispositivos ativos: parmetros de Em funo da configurao: admitncias

ig
G
id
+ D
vgs
yis yrsvds yfsvgs
S
vds
yos -
yis = gis + jbis yrs = grs + jbrs Fonte comum yfs = gfs + jbfs yos = gos + jbos yig = gig + jbig yrg = grg + jbrg Porta comum yfg = gfg + jbfg yog = gog + jbog yid = gid + jbid yrd = grd + jbrd Dreno comum yfd = gfd + jbfd yod = god + jbod
is
S
id
+
D
vsg
yig yrgvdg yfgvsg
G
vdg
yog -
ig
G
id
+ S
vgd
yid yrdvsd yfdvgd
D
vsd
yod -
Prof. Gil Pinheiro
Arranjos de Amplificadores com Dispositivos Ativos

Arranjos com transistor nico: Base ou porta comum maior largura de banda, ganho de corrente unitrio Emissor ou fonte comum menor largura de banda, maior ganho de potncia Coletor ou dreno comum largura de banda intermediria, ganho de tenso unitrio
Cascode: emissor (ou fonte) comum + base (ou porta) comum boa largura de banda, bom ganho de potncia Etapa diferencial: ganho ajustvel por uma tenso de controle
Arranjos com vrios transistores:
Prof. Gil Pinheiro
Propriedades das configuraes porta (ou base) comum S + ve -
*
G
D + vs -
Baixa impedncia de entrada Alta impedncia de sada Mdio-alto ganho de tenso Ganho de corrente baixo (< 1)
Resposta em freqncia: Capacitncias parasitas de entrada e de sada sem efeto Miller ampla largura de banda
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Propriedades das configuraes fonte (ou emissor) comum D

Alta impedncia de entrada (FETs) + ou mdia impedncia de entrada vs (bipolares)
G + ve -
* S
Alta impedncia de sada Ganho de tenso elevado (com cargas altas) Ganho de corrente alto
Resposta em freqncia: Uma capacitncia parasita na entrada e outra entre a entrada e sada Efeito Miller (a capacitncia entrada-sada equivalente a uma capacitncia de entrada aumentada, sendo multiplicada pelo ganho de tenso) pequena largura de banda
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Propriedades das configuraes dreno (ou coletor) comum S + vs Alta impedncia de entrada Baixa impedncia de sada Ganho de tenso baixo (< 1) Ganho de corrente elevado
G + ve -
*D
Resposta em freqncia: Uma capacitncia parasita na entrada e outra entre entrada e sada, mas o ganho de tenso menor que 1 h efeito Miller, mas pouco significativo ao ser o ganho de tenso menor que 1 grande largura de banda
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Exemplo da resposta em freqncia de um JFET

Circuito equivalente do J309
G + vGS 4 pF S
+
50
G + vGS 4 pF
2 pF
2 pF
D
vg
+ vs -
R gmvGS L
S
gm = 0,02 -1
gmvGS
gm = 0,02 -1
Fonte comum
gm = 0,02 -1
gmvGS
50 S
vGS
+
-
RL
4 pF 2 pF + G
+
50 G
vs -
+
vg
vg
4 pF S gmvGS RL
gm = 0,02 -1
2 pF D
+ vs -
vGS
Porta comum
Dreno comum
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Exemplo da resposta em freqncia de um JFET

Circuito equivalente do J309
G + vGS 4 pF S gmvGS
20
gm = 0,02 -1
2 pF
vs/vg [dB]
Fonte comum Porta comum 0 Dreno comum
RL = 200
No caso particular, em dreno comum, tem maior largura de banda que em porta comum. Isto nem sempre ocorre em transistores bipolares.
-20
-40 1 10 102 f [MHz] 103 104
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A Montagem Cascode
Fonte comum + Porta comum
S G ve + D
*
G
D + vs -
* S
Zegc 1/gm
(pequena)
Alta impedncia de entrada Alto ganho de corrente Baixo ganho de tenso (por Zegc baixa) Boa resposta em freqncia (devido ao baixo ganho de tenso)
Baixa impedncia de entrada Baixo ganho de corrente Alto ganho de tenso Boa resposta em freqncia
Cascode: Ganhos de tenso e de corrente elevados e boa resposta em freqncia
Prof. Gil Pinheiro
O Arranjo Cascode
50
+
vg ve
+ -
*
Zebc baixa
+ vs -
RL
vs/vg [dB]
40 Cascode
B + vBE rBE 4 pF
2 pF
20
gmvBE
gm = 0,3 -1
Emissor comum Base comum

rBE >> 50
Modelo de transistor usado
-20
RL = 200
-40 1 10 102 103 f [MHz] 104
Prof. Gil Pinheiro
Etapa diferencial como amplificador de RF + VCC

Ganho em BF: vs -0,5RLiOvd/VT Onde:
RL
RL vs
vs/vd -0,5RLiO/VT Ento, se pode controlar o ganho mediante o valor de io fcil realizar fisicamente o Controle Automtico de Ganho (CAG o AGC)
+
+
vd
iO
- VCC - VCC
iO
- VCC
iO
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Etapa diferencial como amplificador de RF

Conexo diferencial da tenso de entrada
+ VCC RL Rg/2 RL vs
+ +
vg/2 Rg/2
CAG
vg/2
iO
- VCC
Prof. Gil Pinheiro

Estudo da resposta em freqncia
Rg/2
B
rBB
B +
CBE rBE
CBC
+
vg/2
vs
C CBC
CBE
B +
rBB
Rg/2 vg/2
vBE
vBE
gmvBE
RL
RL
gmvBE
rBE
E
rBB
E
CBC CBE
B +
C
RL Rg/2
+ VCC RL vs
vBE
rBE
gmvBE
E
vg/2
+ +
vg/2 Rg/2
CAG
iO
- VCC
Prof. Gil Pinheiro

Estudo da resposta em freqncia Dada a simetria do circuito, os emissores esto com tenso constante em relao a terra (portanto, conectados a massa)
ig
Rg/2
ig
rBB
B +
CBE rBE
CBC
+
vg/2
vs
C CBC
CBE
B +
rBB
Rg/2 vg/2
vBE
vBE
gmvBE
RL
RL
gmvBE
rBE
E
rBB
ie
CBC CBE
ie
C
E
B +
ic = 0
vBE
rBE
gmvBE
Prof. Gil Pinheiro

(Estudo da resposta em freqncia)
Rg/2
B
rBB
B +
CBE rBE
CBC
+
vg/2
+ + -
vs
C CBC
CBE gmvBE
B +
rBB
Rg/2 vg/2
vBE
gmvBE
RL
vs/2 vs/2
vBE
+ RL
rBE
Rg/2
+
vg/2
+
vBE
CBE rBE gmvBE
+
vs/2
RL
A resposta em freqncia similar a de um emissor comum
rBB
CBC
Prof. Gil Pinheiro

Outra conexo da tenso de entrada
+ VCC RL RL
+
Rg
vs
+
vg
CAG
iO
A resposta em freqncia prpria de um coletor comum seguido de um base comum menor ganho, porm maior largura de banda
- VCC
Prof. Gil Pinheiro
Exemplos de esquemas reais de amplificadores de RF com etapa diferencial (Nota de aplicao da Intersil)
Circuito integrado CA3028
Coletor comum + base comum com etapa diferencial
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Exemplos de esquemas reais de amplificadores de RF com etapa diferencial (Nota de aplicao da Intersil)
Circuito integrado CA3028
Cascode realizado com etapa diferencial. O CAG se realiza atuando na polarizao do transistor no emissor comum (fonte de corrente)
Prof. Gil Pinheiro
Parmetros de admitncia do CA3028 (Nota de

aplicao da Intersil)
Prof. Gil Pinheiro
Parmetros de admitncia do CA3028 (Nota de

aplicao da Intersil)
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Exemplos de esquemas de amplificadores de FI reais com o circuito integrado MC1350

(Nota de aplicao da Motorola)
Circuito integrado MC1350
Amplificador de FI para receptor de TV
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Exemplos de esquemas reais de amplificadores de FI com o circuito integrado MC1350

Amplificador de FI para receptor de rdio comercial
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Parmetros de admitncia do MC1350

Variao do ganho com a tenso de CAG
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Parmetros de admitncia do MC1350

Prof. Gil Pinheiro
Parmetros de admitncia dos JFET J309 e J310

(Nota de aplicao da Fairchild)
Prof. Gil Pinheiro
Informaes sobre rudo

(figura de rudo e tenso de rudo) JFETs J309 y J310 Transistor bipolar BFY90
CA3028 MC1350
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Amplificador Cascode Circuito duplamente sintonizado
Exemplos de esquemas reais de amplificadores de RF com JFETs (Referncia: ARRL Handbook

2001)
Circuito duplamente sintonizado Misturador
Oscilador e separador
Prof. Gil Pinheiro
Misturador
Circuito duplamente sintonizado
Exemplos de esquemas reais de amplificadores de RF com JFETs (Referncia: ARRL Handbook

2001)
JFET em porta comum
Amplificador de CAG
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Transistor para Faixa de Microondas
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Parmetros S
Prof. Gil Pinheiro
Parmetros S
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Amplificadores RF sinais pequena potência

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Amplificadores RF sinais pequena potência

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Amplificadores para sinais de pequena potncia em RF

UERJ - Circuitos de Comunicao

Gil Pinheiro UERJ-FEN-DETEL

Prof. Gil Pinheiro

Amplificadores para sinais de pequena potncia em RF

UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Conceito de Ganho de Potncia

Prof. Gil Pinheiro

Conceito de Ganho de Potncia

UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Conceito de Ganho de Potncia

UERJ - Circuitos de Comunicao

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Potncia Disponvel num Gerador

Re[ZL] = Re[Zg] RL = Rg Im[Ze] = - Im[Zg] XL = -Xg

Pgd = (ig ef)2RL = (ig ef)2Rg = (vg ef/2Rg)2Rg = (vg ef)2/4Rg

UERJ - Circuitos de Comunicao

Mxima transferncia de potncia (ZL = Zg*):

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Ganho de potncia de transduo de um amplificador is Zg

Para um dado amplificador (Ze e Zs conhecidos), GPt funo de Zg e ZL

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Exemplo de clculo de ganho

psd = (20ve ef)2/(4300)

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Para conseguir a mxima transferncia de potncia Zg

Rede de adaptao de impedncia

Rede de adaptao de impedncia

Rede de adaptao de entrada

Rede de adaptao de sada

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Exemplo de clculo de ganho com redes de casamento de impedncias

Gp = Gpd = Gpt = ps/pe = 16,67 = 10log(16,67) [dB] = 12,21 dB

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Importncia do casamento de impedncias - exemplo 200 200

Com casamento: Gpt = 156,25 = 21,93 dB

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Como medir o grau de casamento de impedncias

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Calculando o grau de casamento de impedncias no exemplo anterior 200 200

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Redes no dissipativas de casamento de impedncias

Tipos de Redes no dissipativas de casamento

De banda larga a transformador De banda estreita Com transformador Sem transformador

UERJ - Circuitos de Comunicao

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Redes no dissipativas de casamento de impedncias

UERJ - Circuitos de Comunicao

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Teoria do Transformador Ideal

v2 = v1n i2 = i1/n p1 = v1i1 = v2i2 = p2

Ento: R1 = v1/i1: R1 = v2/(i2n2) = R2/n2

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Primeira aproximao ao comportamento real: indutncia e corrente de magnetizao

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Primeira aproximao ao comportamento real: indutncia e corrente de magnetizao

Ento: Z1(s) = 1/[n2/R2 + 1/(Lms)]

H um zero em zero e um plo em fC = R2 /(2Lm)

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Segunda aproximao ao comportamento real: indutncias de magnetizao e de disperso