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Amplificadores para sinais de pequena potncia em RF

UERJ - Circuitos de Comunicao

Gil Pinheiro UERJ-FEN-DETEL

Prof. Gil Pinheiro

Amplificadores para sinais de pequena potncia em RF


Objetivo:
Amplificao seletiva de sinais de RF de baixa potncia com boa relao sinal/rudo

Zg

+
VCC vg

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Amplificador de sinal de RF

ZL

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Conceito de Ganho de Potncia

Zg

+
vg

ii Zi

io

Zo vso

ZL

Amplificador de sinal de RF
UERJ - Circuitos de Comunicao

Potncia de entrada: Pi = (ii ef)2Re[Zi] Potncia de sada: Po = (io ef)2Re[ZL] Ganho de potncia: Gp = Po/Pi

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Conceito de Ganho de Potncia


Modelo Y

Zg

+
vi vg

Yi
-

iscc

Yo
-

vo

ZL

Amplificador de sinal de RF

Potncia de Entrada: Pi = (Vi ef)2.Re[Ye] Potncia de Sada: Po = (Vs ef)2Re[YL] Ganho de Potncia: Gp = Po/Pi

UERJ - Circuitos de Comunicao

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Conceito de Ganho de Potncia


Modelo h

Zg

+
vi vg

hi
-

iscc

ho
-

vo

ZL

Amplificador de sinal de RF

Potncia de Entrada: Pi = (Vi ef)2/Re[hi] Potncia de Sada: Po = (Vo ef)2/Re[ZL] Ganho de Potncia: Gp = Po/Pi

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Potncia Disponvel num Gerador


a mxima potncia que um gerador consegue entregar a uma carga

Zg

Zg jXg vg ZL Rg ig vg jXL ZL RL

+ +

Re[ZL] = Re[Zg] RL = Rg Im[Ze] = - Im[Zg] XL = -Xg

Pgd = (ig ef)2RL = (ig ef)2Rg = (vg ef/2Rg)2Rg = (vg ef)2/4Rg

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Mxima transferncia de potncia (ZL = Zg*):

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Ganho de potncia de transduo de um amplificador is Zg

+
vg Ze

Zs vso

ZL

Amplificador de sinal de RF
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Potncia disponvel de entrada: ped = (vg ef)2/4Re[Zg] Potncia de sada: ps = (is ef)2Re[ZL] Ganho de potncia de transduo: Gpt = ps/ped

Para um dado amplificador (Ze e Zs conhecidos), GPt funo de Zg e ZL

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Exemplo de clculo de ganho


75 300 +

+
vg ve

+
50

20ve

75 -

vs

AV = vs/ve = 2075/(300+75) = 4 = 20log(4) [dB] = 12,04 dB pe = (ve ef)2/50 ped = (vg ef)2/(475) ps = 75[20ve ef/(300+75)]2
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psd = (20ve ef)2/(4300)

ve = vg50/(50+75)

Gp = ps/pe = 10,67 = 10log(10,67) [dB] = 10,28 dB Gpd = psd/ped = 16 = 10log(16) [dB] = 12,04 dB Gpt = ps/ped = 10,24 = 10log(10,24) [dB] = 10,10 dB

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Condies para mxima transferncia de potncia entre o gerador e amplificador e entre o amplificador e carga
Re[Ze] = Re[Zg] Im[Ze] = - Im[Zg] Ze = Zg* Re[ZL] = Re[Zs] Im[ZL] = -Im[Zs] ZL = Zs*

Zg Ze Zs vso ZL
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+
vg

Amplificador de sinal de RF

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Para conseguir a mxima transferncia de potncia Zg

+
vg

Rede de adaptao de impedncia

+
Ze

Zs vso

Rede de adaptao de impedncia

ZL

Amplificador de sinal de RF
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Rede de adaptao de entrada

Ze
Ze rede= Zs*

Rede de adaptao de sada

ZL

Ze rede= Zg*

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Exemplo de clculo de ganho com redes de casamento de impedncias


75 300

+
ve vg

+ ve (75/50)1/2:1

+
50

+ vs 20ve (300/75)1/2:1
75

vs
-

ve = 0,5vg

ve = (50/75)1/2ve

vs = 0,520ve

vs = (75/300)1/2vs
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AV = vs/ve = 10(75/300)1/2(50/75)1/2 = 4,08 = 20log(4,08) [dB] = 12,21 dB pe = ped = (vg ef)2/(475) ps = psd = (20ve ef)2/(4300) ve = (50/75)1/20,5vg

Gp = Gpd = Gpt = ps/pe = 16,67 = 10log(16,67) [dB] = 12,21 dB


(coincide neste caso particular com AV, por ser Rg = RL)

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Importncia do casamento de impedncias - exemplo 200 200

+
vg ve

+ 50 -

+ 50

vs
Sem casamento Gpt = 64 = 18,06 dB

50ve

200

200
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+
ve vg

2:1 ve

+
50

+ vs 50ve -

2:1
50

vs
-

Com casamento: Gpt = 156,25 = 21,93 dB

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Como medir o grau de casamento de impedncias


Coeficientes de reflexo: Na entrada: e = (Ze Zo)/(Ze + Zo) (Zo = impedncia de referncia) Na sada: s = (Zs Zo)/(Zs + Zo) (Zo = impedncia de referncia)

Relao de Ondas Estacionrias (ROE, SWR): Na entrada: ROEe = (1 + e)/(1 - e) Na sada: ROEs = (1 + s)/(1 - s)
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Perdas de potncia por descasamento PL: Na entrada: PLe = -10log[1 - (Ze Zg*)/(Ze + Zg)2] Na sada: PLs = -10log[1 - (Zs ZL*)/(Zs + ZL)2]

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Calculando o grau de casamento de impedncias no exemplo anterior 200 200

+
Zo = Ro = 50

+
50

+ 50

vg

ve
-

vs
-

50ve

e = (Ze Zo)/(Ze + Zo) = 0/250 = 0 s = (Zs Zo)/(Zs + Zo) = 150/250 = 0,6 ROEs = (1 + s)/(1 - s) = 4 PLe = -10log[1 - (Ze Zg*)/(Ze + Zg)2] = ??? dB PLs = -10log[1 - (Zs ZL*)/(Zs + ZL)2] = ??? dB
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ROEe = (1 + e)/(1 - e) = 1

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Redes no dissipativas de casamento de impedncias


Objetivo:
Efetuar a conexo de uma fonte de sinal, com impedncia de sada ZG, a uma carga de impedncia ZL, eventualmente diferentes Permitir a mxima transferncia de potncia entre a fonte e a carga, com perdas mnimas Problema mais fcil de ser resolvido em uma faixa de freqncias estreita

Tipos de Redes no dissipativas de casamento

De banda larga a transformador De banda estreita Com transformador Sem transformador

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Redes no dissipativas de casamento de impedncias


0 Ai Ai-3dB BW Atenuao (Rede Banda Larga) 0 Atenuao (Rede Banda Estreita)

Ai Ai-3dB BW

0,1fC

fC

10fC

0,1fC

fC

10fC

Parmetros da Rede

Ai = Perda de insero da rede (em dB) fc = Freqncia central da rede (em Hz) BW = Banda passante da rede (em Hz)

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Teoria do Transformador Ideal

i1
+ 1:n

i2
+

i1
+

i2 ni2

v1
-

v2

v1
-

v2 nv1
-

v2 = v1n i2 = i1/n p1 = v1i1 = v2i2 = p2


UERJ - Circuitos de Comunicao

i1

i2
1:n +

v2 = v1n v2 = R2i2

i2 = i1/n

+
v1 v1
R1

+ -

v2
-

R2

Ento: R1 = v1/i1: R1 = v2/(i2n2) = R2/n2

R1 = R2/n2

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Primeira aproximao ao comportamento real: indutncia e corrente de magnetizao

i1
+

ni2 im Lm
1:n

i2
+

v1
-

v2
-

R2

Exemplos de Transformadores de RF

Modelo que considera a transferncia de energia apenas atravs do campo magntico i1 = i2n + im Calculamos i1/v1 = Y1: Y1(s) = n2/R2 + 1/(Lms) Z1(s) = v1/i1 = 1/Y1(s)
UERJ - Circuitos de Comunicao

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Primeira aproximao ao comportamento real: indutncia e corrente de magnetizao

i1
+

ni2 im Lm
1:n

i2
+

Ento: Z1(s) = 1/[n2/R2 + 1/(Lms)]

v1
-

v2
-

R2
Z1(j) [] R2

Z1(s), Y1(s)
Chamando R2 = R2/n2, obtemos: Z1(s) = R2Lms/(R2 + Lms) Z1(j) = jR2Lm/(R2 + jLm)
R2/10 0,7R2
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fC

H um zero em zero e um plo em fC = R2 /(2Lm)

R2/100 0,1fC fC

10fC

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Segunda aproximao ao comportamento real: indutncias de magnetizao e de disperso


Modelos que consideram que o acoplamento entre primrio e secundrio no perfeito

i1
+

ni2 Ld1 im Lm ni2


im1

i2
1:n +

v1
-

Ld2

v2
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Modelo T

i1
+

i2
1:n +

v1
-

Ld

im2

Lm1

Lm2

v2
-

Modelo

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Segunda aproximao ao comportamento real: indutncias de magnetizao e de disperso


i1 ni2 i2

+ v1 -

Ld

im

1:n

+ v2 Z1(j) [] 10R2

Lm

R2

Z1(s), Y1(s)
Z1(s) = Lds + R2Lms/(R2 + Lms) Z1(j) = jLd + jR2Lm/(R2 + jLm) H um zero em zero, um zero em fCs = R2 /(2Ld) e um plo em fCi = R2 /(2Lm)

R2

0,7R2

fCi
R2/10

fCs

0,1fC

fC

10fC

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1,4R2

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Terceira aproximao ao comportamento real: indutncias e capacitncias parasitas + v1 Z1(s), Y1(s) Ld Lm Cp1 1:n + v2 Cp3
10R2 Z1(j) []

R2

Cp2

R2/100

f1

10f1

100f1

1000f1

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Modelo que considera tambm as capacitncias parasitas, existentes R2 nos enrolamentos primrio e secundrio, entre os enrolamentos e R2/10 com o ncleo

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Uso de um transformador como adaptador de impedncias de banda larga


Somente vlido no caso de impedncias puramente resistivas

Rg

+
vg

1:n

Lm
Z1(j) R2 = R2/n2

R2

Faixa til
Z1(j) []
R2
UERJ - Circuitos de Comunicao

Para mxima T.P., por projeto: Rg = R2

R2 /10

0,1fC

fC

10fC

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Uso de um transformador como adaptador de impedncias de banda larga Rg

+
vg Z1(j)

Ld Lm

1:n Cp1 R2
Modelo mais elaborado
Z1(j) []

R2 = R2/n2
10R2

Por projeto: Rg = R2 Faixa til (predomina R2) Predomina Lm Predomina Cp1 Ressonncia entre Cp1 Ld

Predomina Ld
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R2 R2/10

R2/100

f1

10f1

100f1

1000f1

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Uso de um transformador como adaptador de impedncias de banda estreita Rg

+
vg Z1(j)

Cr

Lm

1:n

R2
R2 = R2/n2
10R2 Z1(j) []

Se acrescenta um capacitor (Cr) para entrar em ressonncia com a indutncia de magnetizao (Lm)

R2 R2/10 R2/100 f1

Com Cr

10f1

100f1

1000f1

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Sem Cr

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Uso de um transformador como adaptador de impedncias de banda estreita


Se a admitncia de entrada parcialmente capacitiva, a ressonncia ocorrer com a capacitncia resultante

Rg

+
vg

Cr

Lm

1:n

C2 R2
Y1(j) =1/R2 + jC2
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Cr = Cr + C2n2

fr =

1 2 LmCr

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Uso de um transformador como adaptador de impedncias de banda estreita Rg


Modlo de transformador mais completo

+
vg Z1(j)

Ld

1:n Cp1 R2

Cr Lm
10R2 R2 Z1(j) []

R2/10

R2/100

f1

10f1

100f1

1000f1

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Comportamento pouco dependente dos componentes parasitas do transformador

Com Cr

Sem Cr

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Redes adaptadoras de impedncias no dissipativas sem transformador

Rg

+
vg
Ze

jXs

RL jXp

Suponhamos inicialmente apenas impedncias resistivas no gerador e carga Calculamos Ze: Ze = jXs + jXpRL/(jXp + RL) = jXs + jXpRL(RL - jXp)/(RL2 + Xp2) =

[j(RL2Xs + Xp2Xs + RL2Xp) + Xp2RL]/(RL2 + Xp2)


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Condio de Im[Ze] = 0 e Re[Ze] = Re em o: 0 = RL2Xs(o) + Xp2(o)Xs(o) + RL2Xp (o) (1) Re = Xp2(o)RL/[RL2 + Xp2(o)] (2) De (2), obtemos: Xp(o) = RL[Re/(RL-Re)]1/2 De (1) e (3), obtemos: -Xs(o) = [Re(RL-Re)]1/2 (3) (4)

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Redes adaptadoras de impedncias no dissipativas sem transformador Rg


Resumindo, para que Re[Ze] = Re, ento: Xp(o) = RL[Re/(RL-Re)]1/2 (3) -Xs(o) = [Re(RL-Re)]1/2 (4) De (3) e (4): Xp(o) = -RLRe/Xs(o) (5)

+
vg
Ze = Re
Concluso:

jXs

RL jXp

De (3) e (4) se deduz que, nesta topologia: Re < RL Realizao fsica Passa baixo: Xs um indutor e Xp um capacitor Passa alto: Xs um capacitor e Xp um indutor

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De (1) 0 = RL2Xs(o) + Xp2(o)Xs(o) + RL2Xp(o) se deduz que Xs e Xp devem ser reatncias de sinais opostos (exemplo: condensador e indutor)

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Redes adaptadoras de impedncias no dissipativas sem transformador

jXs
Ze = Re

RL jXp

-Xs(o) = [Re(RL-Re)]1/2 (4) Xp(o) = -RLRe/Xs(o) (5) Re < RL Opo passa baixa

Passa baixo

L
Ze = Re

RL C

Sendo:
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Xs(o) = Lo e Xp(o) = -1/(Co) Substituindo em (4) e (5): Lo = [Re(RL-Re)]1/2 1/(Co) = RLRe/(Lo) L/C = RLRe

Lo = [Re(RL-Re)]1/2 L/C = RLRe Re < RL

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Redes adaptadoras de impedncias no dissipativas sem transformador (com Re < RL)

jXs
Ze = Re

RL jXp

-Xs(o) = [Re(RL-Re)]1/2 (4) Xp(o) = -RLRe/Xs(o) (5) Re < RL Opo passa alto

Passa alto

C RL
Sendo:
UERJ - Circuitos de Comunicao

Ze = Re

Xs(o) = -1/(Co) e Xp(o) = Lo Substituindo em (4) e (5): 1/(Co) = [Re(RL-Re)]1/2 Lo = RLReCo L/C = RLRe

Co = [Re(RL-Re)]-1/2 L/C = RLRe Re < RL

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Redes adaptadoras de impedncias no dissipativas sem transformador


possvel usar as redes de casamento com Re > RL? Usando a Teoria de Circuitos

1 Teorema da Reciprocidade
a c Rede passiva b d a c Rede passiva b d

+
v1

+
v1
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i2

i2

Se excitamos em tenso em a-b e medimos a corrente de curto em c-d, o resultado o mesmo se excitamos em tenso em c-d e medimos a corrente de curto em a-b

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2 Teorema de Reciprocidade para quadriplos no dissipativos, com carga e impedncia de entrada ambas resistivas

Rg

a
Rede

c
passiva no dissipativa

RL iL

+
pab

vg
Rg
b a

Balano de potncia: pab = (vg ef)2/(4Rg) = (iL ef)2RL Ento: (iL ef)2 = (vg ef)2/(4RgRL) Balano de potncia: pcd = (iL ef)2Rg Substituindo o valor de iL ef: pcd = (vg ef)2/(4RL) Para que isto ocorra:

d c
Rede passiva no

Rg iL

+
pcd
d

dissipativa

vg
Zcd

Zcd = RL

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RL

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Concluso
Para quadriplos no dissipativos, carregados na sada e na entrada com impedncias resistivas Fazendo: a
Rede passiva no dissipativa

R2
d
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Zab = R1
Ento:

a
Rede

c
passiva no dissipativa

R1
b

Zcd = R2

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Redes adaptadoras de impedncias no dissipativas sem transformador (com Re > RL)


-Xs(o) = [R1(R2-R1)]1/2 c a Xp(o) = -R2R1/Xs(o) a R1 < R2 c

Zab = R1
b

jXs jXp
R1 = Re R2 = RL d

R2

R1

jXs
Zcd = R2

jXp
b Desenhando de novo: R1 = RL R2 = Re d

+
vg
Ze = Re

jXs jXp

RL

-Xs(o) = [RL(Re-RL)]1/2 Xp(o) = -ReRL/Xs(o) RL < Re

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Rg

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Redes adaptadoras de impedncias no dissipativas sem transformador (com Re > RL)

jXs
Ze = Re
Passa baixo

jXp

RL

-Xs(o) = [RL(Re-RL)]1/2 (4) Xp(o) = -ReRL/Xs(o) (5) RL < Re Opo passa baixa

Sendo:

Ze = Re

RL

Lo = [RL(Re-RL)]1/2 1/(Co) = ReRL/(Lo) L/C = ReRL

Lo = [RL(Re-RL)]1/2 L/C = ReRL RL < Re

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Xs(o) = Lo y Xp(o) = -1/(Co) Substituindo em (4) e (5):

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Redes adaptadoras de impedncias no dissipativas sem transformador (com Re > RL)

jXs
Ze = Re
Passa alto

jXp

RL

-Xs(o) = [RL(Re-RL)]1/2 (4) Xp(o) = -ReRL/Xs(o) (5) RL < Re Opo passa alto

Sendo:

C
Ze = Re

RL

1/(Co) = [RL(Re-RL)]1/2 Lo = ReRLCo L/C = ReRL

Co = [RL(Re-RL)]-1/2 L/C = ReRL RL < Re

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Xs(o) = -1/(Co) y Xp(o) = Lo Substituindo em (4) e (5):

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Redes no Dissipativas sem Transformador - Resumo

C L
Ze = Re PASSA BAIXO

RL C
PASSA ALTO Ze = Re

RL L

Lo = [Re(RL-Re)]1/2 L/C = RLRe Re < RL

Co = [Re(RL-Re)]-1/2 L/C = RLRe Re < RL

Ze = Re

RL

Ze = Re

RL

Lo = [RL(Re-RL)]1/2 L/C = ReRL RL < Re

Co = [RL(Re-RL)]-1/2 L/C = ReRL RL < Re

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Circuito que sintetiza os quatro casos


a

jXs

R1
b

jXp
d

R2

Xp(o) = -R2R1/Xs(o) R1 < R2

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-Xs(o) = [R1(R2-R1)]1/2

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Exemplo:
200

L = 1,38H
+ C= 138pF
Ze

200

L = 1,38H
+
50

+
ve vg 200

+
50

vs 50ve 200
300 200 Ze []

vs
-

C= 138pF
Ze = Ze

Freqncia de operao: 10 MHz

Re[Ze]

Variao de Ze com a freqncia de operao

0 -200

Im[Ze] 6 10 14

f [MHz]

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Exemplo:
Ze [] 300

L
Ze = Re

Caso B: Re[Ze], RL= 100 Re[Ze], RL= 20

RL

200

Freqncia de projeto: 10 MHz

Caso A: Im[Ze], RL= 100 Im[Ze], RL= 20 6 10 f [MHz] 14


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Caso A: Re = 200 RL = 100 L = 1,6 H C = 80 pF Caso B: Re = 200 RL = 20 L = 0,95 H C = 239 pF

-200

Concluso: quanto maior a diferena de impedncias, mais crtica a margem de freqncia de casamento. O mesmo ocorre em outras redes

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Exemplo de clculo de rede LC (Caso A) utilizando o simulador LTSpice IV

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Exemplo de clculo de rede LC (Caso B) utilizando o simulador LTSpice IV

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Exemplo de clculo de rede LC (Caso C) utilizando o simulador LTSpice IV

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Comportamento com geradores e cargas com impedncia no resistivas


As redes passivas de acoplamento podem ser usadas com cargas reativas, bastando-se integrar as parcelas reativas na rede de casamento

jXs

Zg

Rg

jXg jXs

jXp jXp jXL

ZL

+
vg

RL
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Xs e Xp so os valores calculados pelas frmulas anteriores Xs e Xp so os valores a introduzir Xs = Xs + Xg Xp = XpXL/(Xp + XL) Xp = XpXL/(XL - Xp) Pode ser necessrio fazer alguns ajustes adicionais

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Exemplo com impedncias no resistivas


Impedncia de Carga Resistiva

L = 0,32 H

Re = 20 fo = 10 MHz C = 398 pF
Impedncia de Carga No Resistiva

RL = 40

L = 0,32 H
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Re = 20 fo = 10 MHz C = 298 pF

RL = 40 CL = 100 pF

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Exemplo de uso impossvel com a rede proposta


Impedncia de Carga Resistiva

L = 0,32 H

Re = 20 fo = 10 MHz C = 398 pF
Impedncia de Carga No Resistiva

RL = 40

L = 0,32 H
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Re = 20 fo = 10 MHz C = - 102 pF

RL = 40 CL = 500 pF

No possvel com esta rede

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Rede alternativa a utilizar neste caso


Impedncia de Carga Resistiva

L = 0,32 H jXs = j20 RL = 40 C = 398 pF jXp = -j40

Re = 20 fo = 10 MHz

Impedncia de Carga No Resistiva

L = 0,32 H jXs = j20 RL = 40 CL = 500 pF jXL = -j31,8 Xp = XpXL/(XL - Xp) = +155,9


UERJ - Circuitos de Comunicao

Re = 20 fo = 10 MHz j155,9

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Rede alternativa a utilizar neste caso


Re = 20
0,32 H CL = 500 pF

RL = 40

fo = 10 MHz j155,9

Maneiras de conseguir a reatncia indutiva necessria em 10 MHz: Um indutor Um circuito LC paralelo (infinitos casos possveis) Um circuito LC serie (infinitos casos possveis) LP = 0,64 H CP = 295,8 pF LP = 1,27 H CP = 96,8 pF LP = 2,12 H CP = 17,3 pF
Nos trs casos se consegue casamento, mas a resposta em freqncia distinta
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2,48 H

LP

CP

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Exemplo
Calcule uma rede passiva de casamento para o seguinte amplificador. Considere: -Freqncia de trabalho: 100MHz -Transistor BF-245 -Impedncia de entrada: Re=Rg=100 ohms -A rede dever ter ligao do Gate terra (em f=0), nos pontos c/d para facilitar a polarizao do FET

+ Vdd

Rg

a Rede Passiva b

G CS

D S RS
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+
vg
Ze = Re

yis yis= gis+ jbis

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Outras Redes de Casamento


As redes vistas at aqui empregam dois componentes reativos (L e C), permitindo o casamento de duas impedncias. Sendo redes de 2 ordem. Porm, no permitem a determinao da banda passante ou do fator Q a ser obtido Para possibilitar o casamento de duas impedncias e, concomitantemente, determinar a banda passante, necessrio acrescentar mais um elemento reativo rede. Isto implica em adicionar mais um grau de liberdade funo de transferncia da rede. So redes de 3 ordem.

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Outras Opes de Rede de Casamento


L = 0,32 H jXs = j20 Re = 20 fo = 10 MHz LP CP jXp = -j40
Definimos o Q do circuito: Q =RL/(oLp)
Q=1 Q = 0,5 Q = 0,1 Q = 0,01 LP = 0,64 H LP = 1,27 H LP = 6,37 H LP = 63,7 H CP = 795,8 pF CP = 596,8 pF CP = 437,7 pF CP = 401,9 pF 40 Ze [] Re[Ze], Q=1 Re[Ze], Q=0,1 Im[Ze], Q=1 0 Im[Ze], Q=0,1 -20 6 10 f [MHz] 14

RL = 40

H casamento, mas a sua resposta em freqncia distinta

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Exemplos de outras redes de casamento de impedncias


(Referncia: ARRL Handbook 2001)

Outras redes

Tap Capacitivo e tap Indutivo

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Exemplos de outras redes de casamento de impedncias


(Referncia: ARRL Handbook 2001)

Outras redes

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Exemplo de clculo de rede Passa Faixa (Tap Capacitivo) utilizando o LTSpice IV

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Largura de Banda de Amplificador com Circuito Sintonizado

+ Vcc
1:n

C Re2
real

ve2
-

C1
+

G CS

D S RS
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ve1
-

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Largura de Banda de Amplificador com Circuito Sintonizado


Rs1

+
vs1o
Etapa 1

1:n

ideal

Re2 Etapa 2

ve2

Rs1 is1cc

+ ve2
Re2 Re2 = Re2/n2 ve2 = ve2/n

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Largura de Banda de Amplificador com Circuito Sintonizado


Rs1 is1cc + ve2
Re2

+ ve2 is1cc R

R = Re2Rs1/(Re2 + Rs1) Calculamos a transferncia ve2/is1cc: ve2/is1cc = ZLCR(s) = 1/[1/R + Cs + 1/(Ls)] = Ls/[1 + Ls/R + LCs2] ve2/is1cc = ZLCR(j) = jL /(1 - LC2 + jL/R) = R/[1 + jR(LC2 - 1)/(L)] A partir de: (LC2 - 1)/(L), substituindo: o = 1/(LC)1/2: (LC2 - 1)/(L) = [(LC)1/2 + 1][(LC)1/2 - 1]/(L) = (/o + 1)(/o - 1)/(L) 2(/o - 1)/(Lo) = 2( - o)/(Lo2)
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Anlise AC (s = j):

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Largura de Banda de Amplificador com Circuito Sintonizado


+ ve2 is1cc
Por tanto: ZLCR(j) R/[1 + jR2( - o)/(Lo2)] Para calcular as freqncia de corte estabelecemos as condies em que ZLCR(j) cai 3dB com relao a ZLCR(jo): ZLCR(jc) = ZLCR(jo)/21/2 c = o Lo2/(2R) = o o/(2Q), Sendo Q = R/(Lo). Portanto: cs = o + o/(2Q), ci = o - o/(2Q) e = cs - ci = o/Q

R = Re2Rs1/(Re2 + Rs1)

f = fo/Q

(com a aproximao admitida)

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Largura de Banda de Amplificador com Circuito Sintonizado ZLCR


R R/ 2 Q=5 Q=10 Q=20
0 90

ZLCR R C L

ZLCR []
0

Q=10

f fo/Q
Q=20 Q=5

-90 0,6fo fo

1,4fo

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o = 2fo o = 1/(LC)1/2 Q = R/(Lo)

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Largura de Banda de Amplificador com Circuito Sintonizado


R R/ 2 aprox. Avaliao da aproximao: (/o + 1)(/o - 1)/(L) 2( - o)/(Lo2) aprox.
0

ZLCR Q=5

ZLCR []
90

aprox.
0

Q=5

aprox.
-90 0,6fo fo

1,4fo

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Amplificadores com dois circuitos sintonizados


Evitar ocorrncia de acoplamento por campo magntico disperso, que poderia levar a oscilao ou resposta espria

+ Vcc
C2
1:n2 +

M
Rg

Re2
real

ve2
-

G
1:n1 +

D ve1
UERJ - Circuitos de Comunicao

+
vg

S RS CS

C1
real

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Evitando o acoplamento entre circuitos sintonizados


Bobinas ajustveis com blindagem Bobinas e transformadores toroidais Transformadores de RF

Exemplos de bobinas ajustveis com blindagem

Coilcraft

Coilcraft

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Exemplos de bobinas ajustveis com blindagem

Toko

Toko
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Toko

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Exemplos de bobinas ajustveis com blindagem

Toko

Toko
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Toko

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Bobinas e transformadores toroidais

Toko

Toko

Coilcraft
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Toko

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Transformadores de RF

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Coilcraft Mini circuit

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Amplificadores com dois circuitos sintonizados


C2

+ Vcc
1:n2 +

Re2
real

ve2
-

Rg

G
1:n1 +

D S ve1 RS CS

+
vg

C1
real

+ ve1
igcc/n1

C1
R1

L1
gFETve1

+ ve2 R2

C2

L2

igcc = vg/Rg

ve2 = ve2/n2

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Largura de Banda de Amplificador com Circuito Sintonizado


+ ve1
igcc/n1

C1
R1

L1
gFETve1

+ ve2 R2

C2

L2

Equaes: igcc = vg/Rg ve2 = ve2n2 ve1n1/igcc = ZLCR1(j) = R1/[1 + jR1(L1C12 - 1)/(L1)] ve2/(gFETve1) = ZLCR2(j) = R2/[1 + jR2(L2C22 - 1)/(L2)] Ento: ve2/vg = ZLCR1(j)ZLCR2(j)[gFETn2/(Rgn1)] = kFLCR(j), sendo: FLCR(j) = ZLCR1(j)ZLCR2(j)/(R1R2)
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Chamando:

Largura de Banda de Amplificador com Circuito Sintonizado

o1 = 1/(L1C1)1/2, Q1 = R1/(L1o1), o2 = 1/(L2C2)1/2 e Q2 = R2/(L2o2) Possibilidades: Mesma sintonia o1 = o2 Sintonia escalonada o1 o2 Caso de mesma sintonia FLCR(j) 1

Q=5
Aumenta a atenuao de freqncias indesejadas Diminui a largura de banda
0 0,6fo fo

1 Etapa

2 Etapas

1,4fo

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1/ 2

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Largura de Banda de Amplificador com Circuito Sintonizado


Caso de sintonia escalonada Exemplo: fo1 =0,909 fo e fo2 =1,11 fo

FLCR(j) 1 Aumenta a atenuao de freqncias indesejadas Pode-se conseguir uma resposta bastante plana na banda desejada Menor ganho

Q=5
1/ 2 1 Etapa
UERJ - Circuitos de Comunicao

2 Etapas
0 0,6fo fo

1,4fo

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Determinao da largura de banda em amplificadores com vrios circuitos sintonizados na mesma freqncia e com mesmo Q
vg
Etapa 1 Etapa 2 Etapa 3 Etapa 4

vs L4 C4 R4

L1 C1 R1

L2 C2 R2

L3 C3 R3 f fo/Q

Usando as expresses aproximadas: ZLCR(j) R/[1 + jR2( - o)/(Lo2)] Condio de queda de 3dB em c: FLCR(jc) = FLCR(jo)/21/2 21/2 = [1 + [R2(c - o)/(Lo2)]2]n/2 [21/n 1]1/2 = R2(c - o)/(Lo2); chamamos k(n) = [21/n 1]1/2 Ento: c = o k(n)Lo2/(2R) = o k(n)o/(2Q) f = k(n)fo/Q Como f = k(n)fo/Q e k(n) < 1, diminui a largura de banda FLCR(j) = [ZLCR(j)/R]n = 1/[1 + jR2( - o)/(Lo2)]n
UERJ - Circuitos de Comunicao

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Determinao da largura de banda de amplificadores com vrios circuitos sintonizados na mesma freqncia e com mesmo Q o = 2fo o = 1/(LC)1/2 Q = R/(Lo) f [21/n 1]1/2fo/Q
FLCR(j) [dB]
0

1 Etapa
-20

Q=5

-40

2 Etapas

-60 0,1fo

4 Etapas fo

10fo

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Vrias etapas com sintonia escalonada e com mesmo Q


Exemplos de arranjos possveis: Freqncia de corte superior de uma etapa coincidente com a inferior da outra fo1 = fo/[1 + 1/(2Q)] fo2 = fo/[1 - 1/(2Q)] 1 1/ 2 FLCR(j) fo1 fo2

1 Etapa
0 fo(1-3/Q)

2 Etapas
fo

fo(1+3/Q)

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Vrias etapas com sintonia escalonada e com mesmo Q


Mesmo exemplo anterior, em escala logartmica FLCR(j) [dB]
0 -3

Q=5

-20

-40

2 Etapas
-60 0,1fo fo

10fo

UERJ - Circuitos de Comunicao

1 Etapa

Aumenta a atenuao de freqncias indesejadas Se pode conseguir uma resposta bastante plana na banda desejada Menor ganho

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Vrias etapas com sintonia escalonada e com mesmo Q


Outros exemplos de arranjos possveis: fo1 = fo/[1 + 1/(mQ)] fo2 = fo/[1 - 1/(mQ)] FLCR(j) 1 1/ 2 fo1 Caso anterior: m = 2 Ressonncias mais distantes: m < 2 Ressonncias mais prximas: m > 2 fo2

m = 1,5
UERJ - Circuitos de Comunicao

1 Etapa
0 fo(1-3/Q)

2 Etapas
fo

fo(1+3/Q)

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Vrias etapas com sintonia escalonada e com mesmo Q


FLCR(j) [dB]
0 -3 dB

Influncia de m m = 1,5

Q=5

-20

1 Etapa
-40

m=1
UERJ - Circuitos de Comunicao

2 Etapas, m = 2
-60 0,1fo 10fo

fo

Ao diminuir m, diminui o ganho e aumenta a largura de banda

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Vrias etapas com sintonia escalonada e com mesmo Q


Exemplos de possveis arranjos com quatro etapas: FLCR(j) [dB]
0

Q=5
-20

1 Etapa C

Opc. A Opc. B

Opo A: fo1 = fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)] fo3 = fo4 = fo/[1 - 1/(2Q)] Opo B: fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)] fo3 = fo/[1 - 1/(2Q)] fo1 = fo2/[1 + 1/(2Q)] fo4 = fo3/[1 - 1/(2Q)] Opo C: fo2= fo/[1 + 1/(2Q)] fo3= fo/[1 - 1/(2Q)] fo1 = fo2[1 - 1/(2Q)]/[1 + 1/(2Q)] fo4 = fo3[1 + 1/(2Q)]/[1 - 1/(2Q)]

-40

-60 0,1fo

4 Etapas fo

10fo

UERJ - Circuitos de Comunicao

2 Etapas

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Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados por condensador Rg

C2
1:n1

+
vg

C1 L

C1 L

1:n2

Re1
real

ve1
-

real

Rg = R

C2 C1 L C1 L
+

+
vg

ve1
-

Re1 = R

UERJ - Circuitos de Comunicao

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Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados por condensador
Rg = R

C2 C1 L C1 L
+

+
vg

ve1
-

Sendo: o = 2fo o = 1/(LC1)1/2 C2 = C1/k Q = R/(Lo)

Re1 = R

FLCR(j) [dB]
0

Q=5

FLCR(j) = ve1/vg
UERJ - Circuitos de Comunicao

-20

k=1
-40

Ateno: fo no a freqncia central


2 5

-60 0,1fo

k = 20
fo

10
10fo

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Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados por condensador
Rg = R

C2 C1 L C1 L
+

+
vg

ve1
-

Re1 = R

FLCR(j)

Q=5
k=2 k=5 10 k = 20
0 0,6fo fo

k=1

1,4fo

UERJ - Circuitos de Comunicao

Por que h vrios picos de resposta?

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Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados por condensador Z2 C2

C1

v
igcc

C1 L Z1 R

ve1
-

L Z1

Equaes: v/igcc = [Z1(Z2 + Z1)]/(Z1 + Z2 + Z1) e ve1/v = Z1/(Z1 + Z2) Ento: ve1/igcc = Z12/(2Z1 + Z2) Mximos possveis: Se Z1 muito alto ressonncia paralelo de Z1 o1 = 1/(LC1)1/2 Se 2Z1 + Z2 muito pequena ressonncia srie de 2Z1 e Z2

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Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados por condensador
Z2
+ C1 C2 C1 L R +

Ressonncia srie de 2Z1 y Z2:


ve1

v
igcc

2Ls/(1 + Ls/R + LC1s2) + 1/C2s = 0

Z1

Z1

Realizando uma anlise AC e supondo R muito elevada: 2Lo2/(1 - LC1o22) - jC2o2 0 o2 1/[L(C1 + 2C2)]1/2 Ento: o1 o2(1 + 2C2/C1)1/2 o1 o2(1 + 2/k)1/2 Haver dois picos quando, aproximadamente: o1 - o2 > o1/(2Q) + o2/(2Q) k < (2Q-1)2/4Q Q (se Q grande)
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Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados indutivamente


Acoplamento no ideal

Rg

+
vg Rg = R 1:n1
Acoplamento ideal

C1

C1
1:n2
Acoplamento ideal

Re1

ve1
-

+
vg

Ld1 C Lm

Ld2 Ld1

ve1 C
Re1 = R

UERJ - Circuitos de Comunicao

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Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados indutivamente Acoplamento capacitivo Z1 Z1 + C1 C2 Z2 L C1 L R +

v
igcc

ve1
-

Acoplamento indutivo

Z1

Ld
igcc

Ld Lm
Z2

ve1 C
R -

Se aplica a mesma abordagem do acoplamento capacitivo

UERJ - Circuitos de Comunicao

Z1 +

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Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados indutivamente


Z1

Ld
igcc

Z1 +

Ld Lm
Z2

ve1 C
R -

Equao final : ve1/igcc = Z2R2/[Z1(2Z2 + Z1)(1 + RCs)2] Se supomos R muito elevado: ve1/igcc = Z2/[Z1(2Z2 + Z1)(Cs)2] Mximos possveis:
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Se Z1 muito baixa ressonncia srie Z1 o1 1/(LdC)1/2 Se 2Z2 + Z1 muito baixa ressonncia srie de 2Z2 y Z1 o2 1/[(2Lm +Ld)C]1/2 e se chamamos k = Ld/Lm o2 1/[Ld(2/k + 1)C]1/2 Ento: o1 o2(1 + 2/k)1/2 e h dois picos quando, aproximadamente: k < (2Q-1)2/4Q Q (se Q elevado)

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Comportamento de circuitos duplamente sintonizados: dois circuitos ressonantes acoplados indutivamente


Rg = R

+
vg

Ld1 C Lm

Ld2 Ld1

ve1 C
Re1 = R

FLCR(j) [dB]
0

Q=5
k=1

Sendo: o = 2fo o = 1/(LdC)1/2 Lm = Ld/k Q = R/(Ldo) FLCR(j) = ve1/vg


UERJ - Circuitos de Comunicao

-20 2 -40 5
10

-60 0,1fo

k = 20
fo

10fo

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Modelagem de dispositivos ativos: parmetros de admitncias

Zg

ie
+

is
+

+
vg

ve
- y11 y12vs y21ve y22 -

vs ZL

Dispositivo ativo

y12
vs =0

ve = 0

Valores:

is y 21 = ve

y 22
vs =0

is = vs

ve =0

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Equaes: ie = y11ve + y12vs is = y21ve + y22vs

ie y11 = ve

ie = vs

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Modelagem de dispositivos ativos: parmetros de admitncias

ie

is
+

+
ve

ve
- y11 y12vs y21ve y22 -

vs

Significado de cada parmetro:


Admitncia de entrada com sada em curto
vs =0
UERJ - Circuitos de Comunicao

ie y11 = ve is y 21 = ve

vs =0

Admitncia de transferncia direta com sada em curto

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Modelagem de dispositivos ativos: parmetros de admitncias

ie
+

is
+

+
vs vs

ve
- y11 y12vs y21ve y22 -

y 22

is = vs

Admitncia de sada com entrada em curto


ve =0

UERJ - Circuitos de Comunicao

y12

ie = vs

Admitncia de transferncia inversa com entrada em curto ve = 0

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Modelagem de dispositivos ativos: parmetros de admitncias

ie
+

is
+

ve
- y11 y12vs y21ve y22 -

vs

Outra nomenclatura possvel:


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y11 = Admitncia de entrada com sada em curto = yi y12 = Admitncia de transferncia inversa com entrada em curto = yr y21 = Admitncia de transferncia direta com sada em curto = yf y22 = Admitncia de sada com entrada em curto = yo

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Modelagem de dispositivos ativos: parmetros de admitncias

ie

is

ve
- y11 y12vs y21ve y22 -

vs

Diviso em parte real e imaginria:


UERJ - Circuitos de Comunicao

y11 = g11 + jb11 ou melhor yi = gi + jbi y12 = g12 + jb12 ou melhor yr = gr + jbr y21 = g21 + jb21 ou melhor yf = gf + jbf y22 = g22 + jb22 ou melhor yo = go + jbo

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Modelagem de dispositivos ativos: parmetros de Em funo da configurao: admitncias


ig
G

id
+ D

vgs
yis yrsvds yfsvgs
S

vds
yos -

yis = gis + jbis yrs = grs + jbrs Fonte comum yfs = gfs + jbfs yos = gos + jbos yig = gig + jbig yrg = grg + jbrg Porta comum yfg = gfg + jbfg yog = gog + jbog yid = gid + jbid yrd = grd + jbrd Dreno comum yfd = gfd + jbfd yod = god + jbod

is
S

id
+
D

vsg
yig yrgvdg yfgvsg
G

vdg
yog -

ig
G

id
+ S

vgd
yid yrdvsd yfdvgd
D

vsd
yod -

UERJ - Circuitos de Comunicao

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Arranjos de Amplificadores com Dispositivos Ativos


Arranjos com transistor nico: Base ou porta comum maior largura de banda, ganho de corrente unitrio Emissor ou fonte comum menor largura de banda, maior ganho de potncia Coletor ou dreno comum largura de banda intermediria, ganho de tenso unitrio

Cascode: emissor (ou fonte) comum + base (ou porta) comum boa largura de banda, bom ganho de potncia Etapa diferencial: ganho ajustvel por uma tenso de controle

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Arranjos com vrios transistores:

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Propriedades das configuraes porta (ou base) comum S + ve -

*
G

D + vs -

Baixa impedncia de entrada Alta impedncia de sada Mdio-alto ganho de tenso Ganho de corrente baixo (< 1)

Resposta em freqncia: Capacitncias parasitas de entrada e de sada sem efeto Miller ampla largura de banda

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Propriedades das configuraes fonte (ou emissor) comum D


Alta impedncia de entrada (FETs) + ou mdia impedncia de entrada vs (bipolares)

G + ve -

* S

Alta impedncia de sada Ganho de tenso elevado (com cargas altas) Ganho de corrente alto

Resposta em freqncia: Uma capacitncia parasita na entrada e outra entre a entrada e sada Efeito Miller (a capacitncia entrada-sada equivalente a uma capacitncia de entrada aumentada, sendo multiplicada pelo ganho de tenso) pequena largura de banda

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Propriedades das configuraes dreno (ou coletor) comum S + vs Alta impedncia de entrada Baixa impedncia de sada Ganho de tenso baixo (< 1) Ganho de corrente elevado

G + ve -

*D

Resposta em freqncia: Uma capacitncia parasita na entrada e outra entre entrada e sada, mas o ganho de tenso menor que 1 h efeito Miller, mas pouco significativo ao ser o ganho de tenso menor que 1 grande largura de banda

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Exemplo da resposta em freqncia de um JFET


Circuito equivalente do J309
G + vGS 4 pF S
+

50

G + vGS 4 pF

2 pF

2 pF

D
vg

+ vs -

R gmvGS L
S
gm = 0,02 -1

gmvGS
gm = 0,02 -1

Fonte comum
gm = 0,02 -1

gmvGS

50 S
vGS

+
-

RL
4 pF 2 pF + G

+
UERJ - Circuitos de Comunicao

50 G

vs -

+
vg

vg
4 pF S gmvGS RL
gm = 0,02 -1

2 pF D

+ vs -

vGS

Porta comum

Dreno comum

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Exemplo da resposta em freqncia de um JFET


Circuito equivalente do J309
G + vGS 4 pF S gmvGS
20
gm = 0,02 -1

2 pF

vs/vg [dB]
Fonte comum Porta comum 0 Dreno comum
UERJ - Circuitos de Comunicao

RL = 200

No caso particular, em dreno comum, tem maior largura de banda que em porta comum. Isto nem sempre ocorre em transistores bipolares.

-20

-40 1 10 102 f [MHz] 103 104

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A Montagem Cascode
Fonte comum + Porta comum

S G ve + D

*
G

D + vs -

* S
Zegc 1/gm
(pequena)

Alta impedncia de entrada Alto ganho de corrente Baixo ganho de tenso (por Zegc baixa) Boa resposta em freqncia (devido ao baixo ganho de tenso)

Baixa impedncia de entrada Baixo ganho de corrente Alto ganho de tenso Boa resposta em freqncia
UERJ - Circuitos de Comunicao

Cascode: Ganhos de tenso e de corrente elevados e boa resposta em freqncia

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O Arranjo Cascode
50

+
vg ve

+ -

*
Zebc baixa

+ vs -

RL

vs/vg [dB]
40 Cascode

B + vBE rBE 4 pF

2 pF

20
gmvBE
gm = 0,3 -1

Emissor comum Base comum


UERJ - Circuitos de Comunicao

rBE >> 50

Modelo de transistor usado

-20

RL = 200
-40 1 10 102 103 f [MHz] 104

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Etapa diferencial como amplificador de RF + VCC


Ganho em BF: vs -0,5RLiOvd/VT Onde:

RL

RL vs

vs/vd -0,5RLiO/VT Ento, se pode controlar o ganho mediante o valor de io fcil realizar fisicamente o Controle Automtico de Ganho (CAG o AGC)

+
+

vd

iO
- VCC - VCC

iO
- VCC

iO

UERJ - Circuitos de Comunicao

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Etapa diferencial como amplificador de RF


Conexo diferencial da tenso de entrada

+ VCC RL Rg/2 RL vs

+ +
vg/2 Rg/2
CAG
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vg/2

iO

- VCC

Prof. Gil Pinheiro

Etapa diferencial como amplificador de RF


Estudo da resposta em freqncia
Rg/2
B
rBB

B +
CBE rBE

CBC

+
vg/2

vs

C CBC
CBE

B +

rBB

Rg/2 vg/2

vBE

vBE

gmvBE

RL

RL

gmvBE

rBE

E
rBB

E
CBC CBE

B +

C
RL Rg/2

+ VCC RL vs
UERJ - Circuitos de Comunicao

vBE

rBE

gmvBE

E
vg/2

+ +
vg/2 Rg/2
CAG

iO

- VCC

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Etapa diferencial como amplificador de RF


Estudo da resposta em freqncia Dada a simetria do circuito, os emissores esto com tenso constante em relao a terra (portanto, conectados a massa)

ig
Rg/2

ig
rBB

B +
CBE rBE

CBC

+
vg/2

vs

C CBC
CBE

B +

rBB

Rg/2 vg/2

vBE

vBE

gmvBE

RL

RL

gmvBE

rBE

E
rBB

ie
CBC CBE

ie
C

E
UERJ - Circuitos de Comunicao

B +

ic = 0

vBE

rBE

gmvBE

Prof. Gil Pinheiro

Etapa diferencial como amplificador de RF


(Estudo da resposta em freqncia)
Rg/2
B
rBB

B +
CBE rBE

CBC

+
vg/2

+ + -

vs

C CBC
CBE gmvBE

B +

rBB

Rg/2 vg/2

vBE

gmvBE

RL

vs/2 vs/2

vBE

+ RL

rBE

Rg/2

+
vg/2

+
vBE

CBE rBE gmvBE

+
vs/2

RL

A resposta em freqncia similar a de um emissor comum

UERJ - Circuitos de Comunicao

rBB

CBC

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Etapa diferencial como amplificador de RF


Outra conexo da tenso de entrada

+ VCC RL RL

+
Rg

vs

+
vg
CAG

iO

A resposta em freqncia prpria de um coletor comum seguido de um base comum menor ganho, porm maior largura de banda

- VCC

UERJ - Circuitos de Comunicao

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Exemplos de esquemas reais de amplificadores de RF com etapa diferencial (Nota de aplicao da Intersil)

Circuito integrado CA3028

Coletor comum + base comum com etapa diferencial

UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Exemplos de esquemas reais de amplificadores de RF com etapa diferencial (Nota de aplicao da Intersil)

Circuito integrado CA3028

Cascode realizado com etapa diferencial. O CAG se realiza atuando na polarizao do transistor no emissor comum (fonte de corrente)

UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Parmetros de admitncia do CA3028 (Nota de


aplicao da Intersil)

UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Parmetros de admitncia do CA3028 (Nota de


aplicao da Intersil)

UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Exemplos de esquemas de amplificadores de FI reais com o circuito integrado MC1350


(Nota de aplicao da Motorola)

Circuito integrado MC1350

Amplificador de FI para receptor de TV

UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Exemplos de esquemas reais de amplificadores de FI com o circuito integrado MC1350


(Nota de aplicao da Motorola)

Amplificador de FI para receptor de rdio comercial

UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Parmetros de admitncia do MC1350


(Nota de aplicao da Motorola)

Variao do ganho com a tenso de CAG

UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Parmetros de admitncia do MC1350


(Nota de aplicao da Motorola)

UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Parmetros de admitncia dos JFET J309 e J310


(Nota de aplicao da Fairchild)

UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Informaes sobre rudo


(figura de rudo e tenso de rudo) JFETs J309 y J310 Transistor bipolar BFY90

CA3028 MC1350
UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Amplificador Cascode Circuito duplamente sintonizado

Exemplos de esquemas reais de amplificadores de RF com JFETs (Referncia: ARRL Handbook


2001)
Circuito duplamente sintonizado Misturador

Oscilador e separador
UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Misturador

Circuito duplamente sintonizado

Exemplos de esquemas reais de amplificadores de RF com JFETs (Referncia: ARRL Handbook


2001)

JFET em porta comum

Amplificador de CAG

UERJ - Circuitos de Comunicao

Prof. Gil Pinheiro

Transistor para Faixa de Microondas

UERJ - Circuitos de Comunicao

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Transistor para Faixa de Microondas

Parmetros S

UERJ - Circuitos de Comunicao

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Transistor para Faixa de Microondas

UERJ - Circuitos de Comunicao

Parmetros S

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