Radiocommunications

Comportement des composants en hautes frquences

Jol Redoutey - 2009
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Comportement en hautes frquences

Composants passifs
Effet de peau Inductances, transformateurs Condensateurs

Composants actifs
Diodes (Schottky, PIN, varicap) Transistors bipolaires Transistors effet de champ
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Effet de peau
En courant alternatif haute frquence, la densit de courant nest pas uniforme dans toute la section dun conducteur

Le courant circule dans une fine couronne la surface du conducteur

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paisseur de peau
Cest la profondeur laquelle la densit de courant chute 37% de sa valeur en surface.

Pour un conducteur en cuivre, lpaisseur de peau est denviron 20m 10MHz et 2m 1GHz

Dimensionnement des conducteurs en HF

Fil multibrins isols (fil de Litz) Tubes Traitement de surface (dorure, argenture) Prvoir une paisseur 5 fois paisseur de peau

Inductances dun metteur de 50kW, ralises en tube de cuivre argent.

Inductances en HF

En HF: R dpend de , influence des capacits parasites

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Schma quivalent dune inductance en HF

R L

Facteur de qualit Q = L/R R= f() Rsonance LC = 1

Une inductance prsente une frquence de rsonance propre au-del de laquelle son comportement devient capacitif (impdance diminue avec la frquence)
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circuits magntiques
Lutilisation dun noyau magntique permet de rduire le nombre de spires pour une inductance donne, donc les pertes par effet Joule.

Pot ferrite

Btonnet

Tore

Pertes dans les circuits magntiques

Il existe deux types de pertes dans les noyaux magntiques: Les pertes par hystrsis proportionnelles la frquence Les pertes par courants de Foucault proportionnelles au carr de la frquence
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Condensateurs en HF
Un condensateur est caractris par:
Sa capacit Sa tolrance Sa tension de service Son coefficient de temprature

Mais aussi par:

Ses pertes (dilectrique et armatures) ESR Sa frquence de rsonance propre ESL
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Pertes dilectriques
jVcC I Dans un condensateur rel le courant et la tension ne sont pas parfaitement en quadrature. Langle est appel angle de perte. On caractrise les pertes dilectriques par Tg = 1/RpC Rp reprsente la rsistance de pertes Vc Vc/Rp Diagramme des courants I

C Rp

Modle de condensateur
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Rsistance srie quivalente ESR

En hautes frquences, on doit galement tenir compte des pertes dues aux connexions et aux mtallisations. On modlise lensemble des pertes par une rsistance srie appele ESR La puissance dissipe dans un condensateur parcouru par un courant I est P = ESR . Ieff
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Frquence de rsonance dun condensateur

Linductance L des connexions nest pas ngligeable en hautes frquences. Elle constitue avec la capacit C du condensateur un circuit rsonant srie dont la frquence de rsonance est
f = 1 2 LC

Au dessus de sa frquence de rsonance un condensateur se comporte comme une inductance (limpdance augmente avec la frquence)
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Schma quivalent dun condensateur en hautes frquences

L C

E SR

Facteur de qualit Q = 1/tg Q = 1/ESRC Rsonance LC = 1

f =

1 2 LC
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Diodes Schottky
Contact mtal-semiconducteur Conduction uniquement par des lectrons

Faible seuil de conduction ( 0,3V) Capacit inverse rduite Trs grande rapidit Utilisations: dtecteurs, mlangeurs
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Diode PIN
P+ I N+

Se comporte en HF comme une rsistance pure fonction du courant direct qui la traverse:

48 RHF () I (mA)
Utilisations: Attnuateurs variables, Commande Automatique de Gain, Commutation HF
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Diode Varicap
Jonction PN dont on utilise la capacit de jonction en polarisation inverse:
k C (VR + 0,5) n
0,33<n<0,75 selon technologie

C 5 < Max <15 C Min

VR

Utilisations: Oscillateurs contrls en tension VCO, Circuits accords (tuner TV), etc 18

Transistor bipolaire
Modle basse frquence
h11 Collecteur Base 1/h22 h12 v2 h21 ib Emetteur Emetteur

Collecteur Base Emetteur

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Transistor bipolaire
Modle haute frquence (hybrid-pi)
B' B Rbb' Rb'e Cb'e Cb'c C

Ib =
gm.Vb'e

Ro

La prsence de la capacit Cbc implique une raction de la sortie sur lentre et vice versa
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Constitution dun transistor RF de puissance

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Transistor bipolaire RF

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Modle RF du transistor bipolaire

Lb B Rbb' Rb'e Cb'e gm.Vb'e Cb'c Ro Rs B' C' Lc C

E' Le

Rsistance de charge

E E

En hautes frquences, on doit tenir compte de linductance des fils de connexion entre la puce et le botier
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Transformation de Miller
I1 I2 I1 I2 Y V1 V2 V1 Y1 Y2 V2

I 1 = Y (V1 V2 ) = YV1(1
K=V2/V1

V2 ) = YV1(1 K ) V1

I1 = Y1 V1

Y1 = Y (1 - K)

I2 = Y (V2 V1 ) = YV 2 (1

V1 1 ) = YV2 (1 ) V2 K
Y2 = Y(1 1 ) K

I2 = Y2 V2

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Effet Miller
Application de la transformation de Miller au modle hybrid-pi
Lb B Rbb' Rb'e CT gm.Vb'e Ro C' Lc C

E' Le

La capacit Cbc est ramene en parallle avec Cbe et sa valeur est multiplie par le gain en tension de ltage
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Impdance dentre
B LT B' Rbb'

Zin

Rb'e

CT

En hautes frquences, limpdance dentre dun transistor bipolaire est toujours ractive et constitue un filtre passe-bas qui limite la rponse aux frquences leves.
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Impdance de sortie
B' B Rg Rbb' Rb'e Cb'e Cb'c Ro
Zout

gnrateur Transformation de Miller

C Lo Co Ro Zout

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Exemple: BLU99

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Transistor effet de champ

Drain N

JFET

P P P

Gate

Source

ID IDss ( 1 -VGS/VP) IDss = ID (Vgs=0) Vp = Vgs(Id=0)

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MOSFET
VGS Source SiO2 N Canal N Gate Drain

P
Substrat

ID = K (V GS V th ) 30

Modle HF du MOSFET
Gat e Cgd g m Vgs Cgs Ro Vds Dr ai n

Vgs

Sour ce

Miller
Dr ai n

Rg

Gat e

Ve Cgs Ceq

g m Vgs

R' L

Vs

Source

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Exemple
Amplificateur MOSFET
+VDD

R2

RD

D Rg C1 G S Ve R1 RS C2 C3 RL Vs

G = Vs/Ve = -100 Rg = 50 Cgd = 1pF Cgs = 10pF

Faire un schma quivalent Frquence de coupure haute?

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Exemple
+VDD R2 RD

D Rg C1 G S Ve R1 RS C2 C3 RL Vs

G = Vs/Ve = -100 Rg = 50 Cgd = 1pF Cgs = 10pF

Frquence de coupure haute Schma quivalent

Rg Gat e Dr ai n

Ceq = Cgd (1 - K) = 1 (1-(-100)) = 101 pF

Ve Cgs Ceq

g m Vgs

fH =
R' L Vs

1 2 (Ceq + cgs)R g
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Source

fH = 28,7MHz

Transistor bipolaire
Le premier transistor 1947

Un transistor RF de puissance

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