Anda di halaman 1dari 8

FABRIKASI ELEMEN SENSOR GAS CO BERBASIS MEDIA AKTIF TiN (TITANIUM NITRIDA) DENGAN METODE SPUTTERING DC

Zulkifli, Wisnu W

Jurusan Teknik Fisika Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Spuluh Nopember Surabaya Email : kiflym6@yahoo.com
ABSTRAK Lapisan tipis TiN (Titanium Nitride) sebagai elemen sensor merupakan lapisan yang mampu bekerja pada suhu kamar, proses fabrikasinya menggunakan teknik Sputtering DC dengan waktu dan konsentrasi gas yang bervariasi, yaitu : lama waktu sputtering 2 jam, konsentrasi gas 2 – 126 ppm pada suhu 300 oC. Hasil pengujian lapisan tipis TiN sebagai elemen sensor gas CO memiliki respon yang linier dengan gradien 0,6007 pada konsentrasi gas 2 ppm hingga 126 ppm, dan hasil uji EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) dapat membuktikan terdapat unsur titanium dan nitrida dalam lapisan tipis, yang berfungsi sebagai elemen sensor, serta hasil uji SEM (Scanning Electron Microscopes) didapatkan ketebalan lapisan tipis 0,5 μm. Hasil analisis menunjukkan respon lapisan tipis TiN terhadap gas CO berubah terhadap volume gas dan suhu , yaitu : pada Volume gas 10 ml pada suhu 150 oC dan 300 oC diperoleh fraksi resistansi (∆R/R) = 29,166667 dan 24,6376812. Sedangkan pada volume gas 30 ml pada suhu 150 oC dan 300 oC diperoleh fraksi resistansi (∆R/R) = 60,416667 dan 84,057971, ini menunjukkan lapisan tipis TiN dapat berfungsi sebagai elemen sensor gas CO. Kata kunci : lapisan TiN, Sputtering DC, Elemen Sensor Gas.

1.

PENDAHULUAN

Lapisan tipis saat ini telah banyak digunakan dalam berbagai bidang kehidupan. Perkembangannya yang pesat ini tidak terlepaskan dari proses fabrikasinya. Salah satu proses fabrikasi lapisan tipis adalah dengan metode Sputtering DC. Sputtering DC merupakan teknologi deposisi yang memanfaatkan tumbukan antara ion-ion berenergi tinggi dengan permukaan target yang akan dideposisikan. Tumbukan ini menyebabkan atom-atom target terlepas dari ikatannya dan bergerak menuju substrat akibat adanya transfer momentum selama proses tumbukan, hal ini akan terjadi terus menerus hingga terbentuk suatu lapisan tipis. Pemanfaatan lapisan tipis sebagai sensor gas diawali oleh Seiyama dkk (1962) dengan menggunakan bahan jenis MOS (Metal Oxide Semiconductor). Sensor berbahan MOS ini dalam operasinya membutuhkan suhu kerja tertentu sehingga dalam operasinya membutuhkan tempat (housing) untuk menciptakan suhu lingkungan trtentu agar sensor MOS tersebut bekerja. Kenyataan ini memberikan pemikiran guna mendapatkan suatu sensor gas yang dapat beroperasi pada suhu kamar. Saat ini pengembangan lapisan tipis sebagai sensor gas yang lebih praktis terus dikembangkan, salah satunya adalah lapisan tipis TiN (Titanium Nitride), yang diharapkan lapisan tipis ini dapat bekerja pada suhu kamar. Pemanfaatan lapisan tipis TiN ini nantinya akan digunakan sebagai sensor gas CO (Carbon Monoxide), yang mana gas CO ini sangat reaktif dan berbahaya bagi makhluk hidup apabila keberadaannya tidak terdeteksi. Untuk menjaga validitas lapisan tipis yang dihasilkan akan digunakan uji EDS untuk mengetahui

komposisi unsur pada lapisan tipis yang dihasilkan dan uji SEM untuk mengetahui bentuk butir dan ketebalan lapisan tipis TiN yang dihasilkan. Permasalahannya adalah bagaimana sifat elektrik yang akan dihasilkan oleh lapisan tipis TiN dari hasil Sputtering DC, apakah lapisan ini dapat digunakan secara optimal dalam fungsinya sebagai elemen sensor gas CO yang difungsikan pada suhu kamar. Tujuan dalam penelitian ini adalah untuk mendapatkan suatu lapisan tipis TiN yang dapat digunakan untuk mendeteksi gas CO dengan konsentrasi yang bervariasi dan dioperasikan pada suhu kamar. II STUDI PUSTAKA 2.1 Lapisan tipis Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang mempunyai ketebalan dalam orde angstrom hingga mikrometer. Lapisan tipis dapat dibuat dari bahan organik, anorganik, logam, maupun campuran logam organik (organometalic) yang memiliki sifat konduktor, semikonduktor, superkonduktor maupun insulator. Lapisan tipis banyak digunakan sebagai bahan sensor karena murah dalam proses produksinya dan sifat elektrisnya dapat diatur melalui parameter-parameter saat proses pembuatannya. Proses produksi lapisan tipis dapat menggunakan teknik Sputtering, evaporasi dan CVD (chemical Vapour Deposition). Dalam proses deposisinya pertumbuhan lapisan tipis secara garis besar dibagi menjadi dua bagian, yaitu pertumbuhan secara epitaksial dan difusi. Pertumbuhan epiaksial adalah pertumbuhan dengan arah keatas saja, jadi atom-atom terdeposisi saling bertumpukan selama proses deposisi terjadi. Sedangkan pertumbuhan difusi adalah pertumbuhan dengan arah pertumbuhan baik ka atas maupun kebawah permukaan substrat (menyisip)

sehingga menghasilkan ion-ion bermuatan positif. sehingga menyebabkan atom-atom permukaan target terlepas dari ikatan atomnya dan terpercik ke segala arah. defect dapat dibedakan menjadi dua tipe [1]. Jika di permukaan terdapat defect yang membentuk keadaan permukaan akseptor dengan tingkat energinya berada di bawah tingkat fermi. dalam kondisi normal daerah ini adalah lapisan teradsorpsinya material asing. Skema sistem DC Sputtering Target adalah material yang akan didepositkan. ikatan logam. permukaan semikonduktor terdiri atas beberapa atom pertama pada bidang semikonduktor dan permukaan semikonduktor yang sesungguhnya. Gas argon sering digunakan sebagai media pembentuk plasma karena gas argon memiliki massa yang lebih besar daripada gas-gas mulia lainnya. Energi ion-ion argon bermuatan positif (Ar+) sangat tinggi pada saat menumbuk target. Sistem Sputtering yang paling sederhana adalah Sputtering DC yang terdiri atas sepasang elektroda plat sejajar. maka target akan menarik ion-ion argon bermuatan positif (Ar+) yang dihasilkan dalam lucutan pijar dan dipercepat pada daerah jatuh katoda (cathode-fall). sedangkan substrat dipasang pada anoda yang letaknya berhadapan dengan katoda (target). Senyawa ini juga memiliki sifat yang sama seperti semikonduktor. gas argon (Ar) dialirkan secara kontinu pada tekanan 10 -1 s/d 10-2 torr dan tegangan DC beberapa kilovolt diberikan di antara dua elektroda [5]. Daerah monolayer dapat terdiri dari serapan kimia gas reduktor maupun oksidator. Tumbukan yang terjadi antar partikel-partikel ini terjadi terus-menerus dan pada kondisi tertentu ion-ion bermuatan negatif dan ion-ion bermuatan positif memiliki jumlah muatan yang seimbang [2]. RF Sputtering. Sputtering magnetron. Terbentuknya plasma dalam lucutan pijar disebabkan adanya beda tegangan antara anoda dan katoda yang menimbulkan adanya medan listrik. atau ikatan kovalen raksasa.2 Sistem Sputtering DC Sistem Sputtering yang umumnya digunakan dalam proses deposisi lapisan tipis antara lain : Sputtering DC. Gambar 2. Atom-atom permukaan target yang terpercik akan masuk dan . Pertama adalah terjadi ketika ada kekurangan dua atau lebih ion non logam pada permukaan. Defect seperti ini membentuk tipe donor elektron. maka keadaan permukaan ini akan berada dalam keadaan ketidakseimbangan terhadap pita-pita energi. Gas yang terionisasi menghasilkan ion-ion bermuatan positif dan ion-ion bermuatan negatif yang mempunyai jumlah muatan yang seimbang yang disebut plasma.Logam nitrida merupakan senyawa ikatan antara unsur logam dan nitrida. sehingga ada yang disebut nitrida semikonduktor. Skema DC Sputtering ditunjukkan pada Gambar 2. Akibat pita-pita energi pada permukaan menekuk naik berkenaan dengan tingkat fermi. umumnya permukaan semikonduktor terbagi menjadi tiga daerah yaitu lapisan muatan ruang. Dari segi sifat perilaku elektronik.1. elektron-elektron dan molekul-molekul gas tereksitasi. selama defect pengosongan ini (permukaan akseptor) belum terisi. Lucutan listrik yang bertekanan rendah dikenal sebagai lucutan pijar (glowdischarge). Persenyawaan antara dua unsur ini memiliki ciri apabila ikatan ini terjadi pada material dengan titik didih yang tinggi. Tumbukan atom-atom dengan gas argon meyebabkan ionisasi kembali terjadi pada atom-atom gas argon yang menghasilkan ion-ion bermuatan positif. Target diletakkan pada katoda. karena target dihubungkan dengan terminal negatif. dengan sisi yang kosong pada keadaan kesetimbangan hadir sebagai defect [4] Dalam kondisi biasa (tanpa peristiwa adsorbsi uap air). Proses Sputtering mulai terjadi ketika dihasilkan lucutan listrik dan gas argon secara elektris menjadi konduktif karena mengalami ionisasi. seperti neon (Ne) atau helium (He) dan lebih mudah mengalami ionisasi. anoda dan katoda. Pada sisi ion logam terisi sebagaian. Ion-ion argon secara mikroskopik menumbuk target. Keadaan kosong dan berada di bawah tingkat energi fermi menyebabkan sejumlah elektron dari pita konduksi masuk ke dalamnya. Proses ini menyebabkan permukaan bermuatan negatif bersamaan dengan terbentuk lapisan permukaan ruang (space-charge) positif di bawahnya. Gas argon yang terionisasi akan dipercepat oleh medan listrik dan bertumbukan dengan atom-atom gas argon lainnya yang belum terionisasi. Keadaan ini menyebabkan penyimpangan sifat listrik pada permukaan. Kecenderungan ikatan yang terjadi adalah ikatan ionik. ion-ion bermuatan negatif (elektron) dan molekulmolekul gas tereksitasi. Pada compound semikonduktor lapisan teratas disusun oleh ion-ion non logam dan lapisan terbawah oleh ion-ion logam. 2. yang dihubungkan dengan adanya penambahan atau pengurangan pembawa muatan bebas. Setelah pemvakuman tabung lucutan dalam orde 10 -6 torr. Kedua adalah terisinya sisi permukaan dengan dua atau lebih ion non logam.1. Elektron-elektron memperoleh energi dari medan listrik dan bertumbukan dengan atomatom gas argon. Akibat akumulasi dari muatan positif maka sisi permukaan menjadi akseptor elektron.

Untuk membantu pembentukan padatan ini dibuat cawan untuk tempat pemadatan.  Pengujian lapisan tipis dengan menaikkan suhu operasi.  Persiapan peralatan Sputtering DC Peralatan ini terdiri dari komponen-komponen : ruang vakum.1) Proses Sputtering DC dengan ko adalah konsanta perbandingan jari-jari katoda dan anoda. Laju deposisi adalah hasil bagi antara kerapatan lapisan terpercik dengan waktu Sputtering yang dirumuskan sebagai berikut : Karakterisasi sampel Uji respon R(T) Uji respon R(C) Uji unsur (EDAX) Uji struktur permukaan (SEM) Rd = W ts Data dan Analisa (2. Peralatan ini adalah untuk mngetahui nilai konduktansi dari lapisan tipis yang didapatkan. sehingga atom-atom target dapat terdeposit dan berdifusi ke substrat.  Pengujian respon lapisan tipis terhadap kehadiran gas CO. Jumlah partikel terpercik yang terdeposit tiap satu satuan luas substrat W (atom/cm2) dinyatakan oleh persamaan [5] : ini dilakukan untuk mengetahui apakah telah terbntuk lapian tipis TiN ataukah belum. sehingga perlu dilakukan pemadatan (pelet) agar target tersebut dapat bertahan (tidak pecah) saat dilakukan proses Sputtering.  Persiapan peralatan karakterisasi sensor hasil deposisi.1 Validitas Lapisan Tipis Pengujian validitas Lapisan Tipis ini dilakukan guna mngetahui apakah telah terbentuknya lapian tipis TiN dengan ditemukannnya unsur Titaniun dan nitrida dalam lapisan. Atom-atom yang terpercik dari permukaan target dalam Sputtering akan bertumbukan dengan molekulmolekul gas. Sebelum digunakan sebagai substrat dalam proses Sputtering maka terlebih dahulu harus dilakukan pembersihan kaca. Selama proses ini tekanan gas sangat tinggi dan jalan bebas rata-rata partikel yang terpercik lebih kecil dari jarak antar elektroda.  Pengujian komposisi unsur lapisan tipis  Pengujian struktur permukaan dan ketebalan lapisan IV ANALISA DAN PEMBAHASAN Analisa dan pembahasan guna mengarahkan hasil datadata terebut supaya memenuhi tujuan dan menjawab prmasalahan yang ada.melewati daerah lucutan hingga akhirnya terdeposit pada substrat untuk membentuk penumbuhan lapisan. 3.  Validitas lapisan tipis dengan melalui pengujian unsur pembentuk lapisan dan pengujian ketebalan lapisan. sistem pompa vakum.  Peralatan uji EDS dan SEM. yaitu sekitar 2 hingga 30 eV [3]. Pembentukan target dalam hal ini disebabkan karena wujud awal target adalah serbuk. 4.1 Standar Peralatan Yang Digunakan  Peralatan Sputtering DC yang berada di bidang akselerator P3TM Batan Jogyakarta. Hal ini dilakukan dengan pencucian secara ultrasonik dan proses annealing pada suhu 150 oC selama 60 menit kemidian penyimpanan.2 Pengambilan / Pengumpulan Data Pengambilan nilai resistansi dari lapisan tipis hasil proses Sputtering DC.1 : Flow chart tahapan proses fabrikasi Lapisan tipis TiN III METODOLOGI Tahapan yang dilakukan dalam proses pengambilan data eksperimen adalah  Persiapan substrat dan target deposisi Substrat yang digunakan adalah kaca preparat (SiO2). Alur proses fabrikasi Lapisan tipis TiN ditunjukkan pada gambar 3. Dari pengujian menggunakan EDS maka didapatkan image sebagai berikut : .1: Persiapan substrat Persiapan serbuk TiN Pemotongan substrat Pembuatan cawan Stainless Stell Pembersihan substrat Pembuatan target W ≈ ko Wo Pd o (2.2) Kesimpulan dengan Rd adalah laju deposisi (Å/s). Pemadatan dibentuk dalam cawan dengan cara pressing sambil dilakukan penambahan larutan alkohol agar padatan benar-benar solid. sumber tegangan dc. Hal 3. Bandung. Gambar 3. resolusi 1 M  Pengatur suhu dinamik 220V/ 5A  Alat uji respon gas. ts adalah waktu Sputtering (s).  Multimeter digital UNI-T UT7A dengan batas maksimal pengukuran 2000 M. P adalah tekanan gas (torr) dan do adalah jarak elektroda (cm). Wo adalah jumlah partikel yang terpercik tiap satu satuan katoda (atom/cm2). keduanya terdapat pada laboratorium Geologi Quarter. Energi atom-atom yang terpercik saat menumbuk permukaan substrat sangat besar. istem gas masukan.

Substrat yang digunakan adalah kaca yang mana diketahui bahwa substrat kaca adalah bahan isolator. Dari hasil eksperimen didapatkan hubungan antara waktu deposisi seperti ditunjukkan pada grafik 4.1 tersebut diatas dapat dilihat munculnya unsur dari titanium dan nitrida.2 Hasil citra SEM Dari gambar 4. Kesimpulan bahwa makin rendah nilai resistansi suatu lapisan tipis TiN atau semakin meningkatnya nilai konduktansi. Gambar 4. 4. Gambar 4. maka penilaian yang ditentukan adalah munculnya suatu nilai resistansi atau konduktansi pada permukaan kaca tersebut. Penggunaan suhu 150oC dan 300oC diharapkan mampu mewakili kondisi suhu yang rendah dan suhu yang sedang. Dari nilai resistansi lapisan tipis yang dihasilkan .2 berikut. Dengan % massa lapisan tipis TiN adalah 4.maka dapat dilihat bahwa dari kelima sampel lapisan tipis hasil deposisi dengan parameter suhu deposisi 300oC pada waktu deposisi 2 jam memiliki nilai resistansi awal yang lebih rendah dibandingkan dengan pada waktu deposisi 1 jam dan 2 jam. dan ketebalan lapisan ini nantinya akan berpengaruh pada sifat elektrik dari lapisan tipis tersebut.1 Hasil EDS Dari gambar 4.38%. Pengaruh suhu pada nilai resistansi dapat dilihat pada Grafik 4. Tidak digunakan suhu tinggi atau misalnya suhu diatas 350oC berdasar pada penggunaan suhu deposisi yang telah biasa dilakukan. maka dikatakan semakin baik hasil deposisi tersebut.1. Semakin kecil nilai resistansi yang didapatkan berarti bahwa lapisan tipis tersebut semakin bersifat konduktor yang mana sifat inilah yang menjadi kapastian dalam pembuatan suatu elemen sensor pada permukaan substrat yang bersifat isolator. . dan hal ini juga diperlihatkan pada hasil % massa yang terdapat pada data gambar tersebut.500 450 400 350 300 250 200 0 1 2 jam 3 4 R (M-Ohm ) 300 C 150 C Grafik 4. Dari penjabaran diatas dapat dibuktikan bahwa telah terbentuk lapisan tipis TiN sehingga pembahasan dapat diteruskan untuk mengetahui sifat dari lapisan tipis TiN yang dihasilkan tersebut yang akan difungsikan sebagai sensor gas CO. Dari grafik 4.1 tersebut diatas .3 Pengaruh Suhu Deposisi Pada Nilai Resistansi Parameter suhu deposisi yang digunakan adalah 150oC dan 300oC.1 Pengaruh waktu deposisi Terhadap rasistansi lapisan. Hal ini didapat dari paling rendahnya nilai resistansi dari parameter tersebut dibandingkan hasil dari parameter waktu lainnya. maka dapat diketahui bahwa waktu deposisi yang optimal untuk lapisan tipis TiN adalah selama 2 jam.2 Pengaruh Waktu Deposisi Terhadap Nilai Resistansi Waktu deposisi merupakan salah satu parameter yang digunakan dalam proses Sputtering . Hal ini berdasar pada pertimbangan substrat tempat penumbuhan lapisan tipis tersebut. Jadi apabila diatasnya ditumbuhkan suatu lapisan tipis. selain itu pada suhu 150oC dan 300oC telah dapat ditemukan lapisan tipis pada permukaan substrat kaca. 4. yaitu berkisar antara 100oC sampai dengan 400oC.2 tersebut dapat dilihat bahwa ketebalan lapisan tipis adalah 0.5 μm. Dengan munculnya nilai resistansi ini maka dapat dikatakan bahwa telah benar-benar terbentuk suatu lapisan tipis pada permukaan kaca tersebut. Secara umum diketahui bahwa dalam proses deposisi waktu akan berpengaruh terhadap ketebalan lapisan yang dihasilkan.

yaitu memiliki kandungan nitrogen sebesar 23% dan 77% adalah unsur titanium. Pada tingkatan suhu yang relatif rendah mobilitas pembawa elektron ditentukan oleh hamburan pada batas butir. Hal ini sesuai dengan serbuk titanium nitrida yang digunakan pada tugas akhir ini. hal ini terjadi pada saat suhu deposisi 150oC ataupun pada suhu deposisi 300oC. sedangkan mobilitas pembawa muatan sangat ditentukan pada suhu.3 Hubungan antara resistansi lapisan tipis TiN Vs suhu Dari Grafik 4. dan nilai paling rendah terjadi pada suhu deposisi 300oC. Dari keterangan diatas dapat diambil beberapa kesimpulan bahwa parameter optimal yang didapatkan pada proses deposisi lapisan tipis TiN adalah pada suhu 300oC.2 Pengaruh suhu deposisi pada nilai resistansi lapisan tipis Grafik 4.6% unsur nitrogen. penangkapan ion-ion oksigen pada permukaan akan menyebabkan panjang depletion layer dan potensial barrier akan cenderung meningkat. multimeter. Sedangkan pada suhu range antara 200oC dan 225oCa nilai resistansi mulai turun kembali. maka hal tersebut akan mempengaruhi sifat elektrisnya. Setelah memberikan perlakuan suhu terhadap lapisan tipis TiN seperti yang tersebut diatas. Pada suhu yang meningkat. Sifat lapisan tipis TiN terhadap kenaikan suhu hasilnya dapat dilihat pada Grafik 4. Perubahan nilai resistansi yang terjadi diamati dan dicatat setiap kenaikan suhu 25oC. Dari grafik 4.2 dapat dilihat bahwa nilai resistansi terendah terjadi pada grafik pada waktu depiosisi 2 jam. yaitu terjadi mulai suhu 300oC. Pemanas dan kontrol suhu diaktifkan pada suhu yang diinginkan menggunakan suhu hingga 3000C. Fenomena ini dimungkinkan adanya faktor kejenuhan dari lapisan tipis TiN tersebut. Perubahan tersebut dilihat dari naik-turunnya nilai resistansi dari lapisan tipis tersebut. pengatur suhu dan catu daya diaktifkan. Perubahan tersebut dapat terjadi dari ukuran puluhan megaohm menjadi ratusan megaohm. Peningkatan suhu secara terus menerus akan menyebabkan pengaruh konduktivitas oleh ion-ion oksigen yang semakin dominan. penurunan ini terjadi hingga pada ukuran puluhan megaohm. Langkah-langkahnya yaitu sampel lapisan TiN diletakkan pada pemanas yang telah dirangkai dengan termokopel. hingga pada range suhu 175-225oC selalu terjadi overload nilai resistansi. terjadi perubahan yang cukup signifikan terhadap sifat elektrik dari lapisan tipis tersebut.80 70 60 R (M ohm) 2000 R(M Ohm) 1500 1000 500 0 0 50 100 150/1 50 40 30 20 10 0 100 150 200 T (oC) 250 300 350 1 jam 2 jam 3 jam 150 200 250 300 350 T(oC) 150/2 150/3 Grafik 4. Perubahan yang cukup 4.4% unsur titanium dan 22. Pada eksperimen yang dilakukan dengan menaikkan suhu hingga 300oC. Secara umum ikatan yang terjadi antara titanium dan nitrida akan memiliki komposisi 77. Titanium nitrida merupakan bahan yang bersifat isolator hal ini sangat bergantung dari unsur titanium dalam ikatannya. Konduktivitas suatu bahan juga ditentukan oleh mobilitas pembawa muatan.3 . pada suhu tersebut penurunan terus berlangsung namun perubahan nilai resistansi membutuhkan waktu sangat lambat sehingga dapat dipastikan bahwa perubahan tersebut tidak terlalu signifikan lagi. Pada suhu 300oC merupakan suhu optimal deposisi dikarenakan pada suhu tersebut telah terjadi pemuaian substrat yang cukup memberikan ruang pada partikel-partikel TiN guna terdeposisi pada permukaannya secara optimal.3 diatas dapat dilihat bahwa apabila lapisan tipis TiN mendapatkan perlakuan suhu. Peningkatan ini akan menjadi penghambat mobilitas elektron pada batas-batas butir. Perlakuan suhu menyebabkan nilai resistansi dari lapisan tipis tidak dapat kembali seperti awal seperti pada saat sebelum mendapatkan perlakuan suhu. Dari Grafik 4. yaitu lapisan menjadi isolator. sehingga nantinya akan didapatkan lapisan tipis TiN yang juga optimal. Kenaikan ini terus terjadi.4 Hubungan Resistansi Lapisan TiN Terhadap Suhu Hubungan konduktivitas lapisan tipis TiN terhadap kenaikan suhu dapat diamati dengan mempelajari perubahan besar resistansi lapisan tipis yang diukur langsung pada lapisan TiN saat suhu dinaikkan.2 didapatkan bahwa dengan menggunakan parameter suhu 150oC dan 300oC didapatkan grafik dengan hasil nilai resistansi lapisan tipis yang masih bersifat acak.

057971 4.7101449 84.9130435 79. 4. Penambahan gas dilakukan secara bertahap sebesar 2 ml.1884058 21.2898551 24.1 diatas dapat diketahui bahwa nilai tanggap respon dari lapisan tipis TiN mmiliki kecenderungan meningkat ebanding dengan penambahan volume gas uji CO.5 Pengaruh Keberadaan Gas Uji CO Terhadap Nilai Resistansi Lapisan Tipis TiN Dalam pengujian ini dilakukan dengan memasukkan gas CO kedalam ruang uji secara kontinu. Proses regresi ditunjukkan pada Grafik 4.... .833333 47. Hal inilah yang diduga menyebabkan turunnya nilai konduktansi dari lapisan tipis TiN. Dari fenomena tersebut diatas dapat diketahui bahwa lapisan tipis TiN tersebut dapat dikatakan telah rusak kemampuannya dalam mendeteksi keberadaan gas yang diujikan akibat dari perlakuan suhu yang diberikan.8 Interpretasi Data Data-data yang dihasilkan pada tiap pengukuran dan pengujian akan diinterpretai untuk menjelaskan alasan-alasan ataupun mungkin adanya fenomena yang didapatkan selama tugas akhir ini dilaksanakan..8405797 23.166667 35.333333 60.416667 60. Tiap volume panambahan 2 ml itulah dicatat nilai resistansi yang terakhir yang ditunjukkan olh multimeter yang telah dikopel pada lapisan tipis teruji.. Dari hasil regresi data didapatkan gradient kepekaan adalah 2.2.. Perhitungan ini menggunakan peramsamaan S =[ ΔR/R ]* 100%.083333 54. Pada beberapa jurnal disebutkan bahwa S dengan persamaan tersebut diatas dikatakan sebagai nilai sensitivitas dari lapisan. 4.1 : Hasil perhitungan nilai tanggap respon (S) pada waktu deposisi 2 jam. hasil perubahan nilai resistansi dari proses pengambilan data ini ditunjukkan pada grafik 4...6376812 31.884058 37... Hasil perhitungan ini seperti terlihat pada tabel 4.6811594 43.416667 43.75 12.5217391 66.. Oleh karena itu akan dilakukan suatu regresi yang akan mencerminkan dari semua nilai ‘sensitivitas’. Kebaradaan gas CO pada lapisan tipis TiN memungkinkan terjadinya suatu ikatan antara O dan Ti karena permukaan Ti yang bebas akan cenderung berikatan dengan atom atau ion O apabila tidak terdapat lapisan oksida pelindung pada permukaannya..7391304 20.. Pengujian ini dilakukan pada suhu kamar (27oC).6 Tanggap Respon Lapisan Tipis TiN Terhadap Gas CO Tanggap respon dari lapisan ini ditemukan dengan mengacu pada kemampuan besar resistansi awal lapisan dan nilai resistansi saat pengujian gas CO..5 110 90 70 50 0 5 10 15 20 25 30 35 volume Gas CO (cc) 300 150 Grafik 4.4 dapat dilihat bahwa nilai resistansi lapisan tipis TiN terus meningkat sebanding dengan peningkatan jumlah gas CO yang dimasukkan... terlihat bahwa dari satu elemen sensor akan didapatkan bermacam-macam nilai sensitivitas bergantung pada volume gas yang terdeteksi.... Hal ini berarti kehadiran gas CO akan mengurangi nilai konduktivitas dari lapisan tipis TiN.416667 300oC ΔR/R (%) 0 18.(2.75 45.5288 ... Fenomena inilah yang menjadi faktor utama penggunaan lapisan tipis TiN sebagai sensor gas yang bekerja pada range suhu kamar.916667 50 52.5 14.6666667 73.4782609 46.4 Perubahan resistansi akibat pengaruh gas CO Dari grafik 4..7 Sensitivitas Sensitivitas yang didapat melalui persamaan (2. nilai inilah yang nantinya lebih mencerminkan nilai kepekaan dari satu elemen sensor.75 29.166667 58...3).. V (ml) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 150oC ΔR/R (%) 0 18. hal sama seperti pada pengujian nilai resitansi lapisan.4 150 130 R (M ohm) Tabel 4.signifikan lain yang terjadi adalah menurunnya kemampuan lapisan tipis dalam mendeteksi keberadaan gas uji yang diberikan. Penambahan dilakukan hingga total volume gas yang masuk sebesar 30 ml...6376812 24. Dari tabel 4.5 Regresi nilai tanggap respon lapisan tipis TiN 4.3) dengan ΔR = Rpada udara normal – Rpada gas S = tanggap respon Grafik 4.583333 18.3768116 56.

Adsorbsion. Ellis Hoorwood Limited Publisher. Yamazoe.3. namun pada suhu tertentu (200oC s/d 225oC)mengalami perubahan yaitu nilai rsistansinya menurun kmbali. yaitu bahwa lapisan tipis TiN mengalami kerusakan setelah mendapatkan perlakuan suhu. 2004. tetapi pada permukaan diatas lapisan tipis atau pada lapisan dibawah lapisan tipis tersebut. V KESIMPULAN  Lapisan tipis TiN memberikan respon terhadap gas CO mendekati linier dengan kemiringan 2. semakin kcil nilai mobilitas akan menyebabkan konduktivitas bahan menurun. Lapisan Tipis dan Aplikasinya Untuk Sensor Magnet dan Sensor Gas. 1982. Kajian Fabrikasi Lpaisan Tipis (Thin Film) TiN dengan Metode DC-Reaktif Sputtering Untuk Aplikasi Sensor Gas Amonia yang Beroperasi Pada Suhu Kamar dengan Kelembaban Normal. 1992. M.416667. Technology and Aplication. grain Size Effect on Gas Sensitivity of porous SnO2.Darwis.Dari data validasi dan analisa yang telah dilakukan terlihat bahwa pada permukaan substrat telah terbentuk lapisan tipis TiN. Miura. [3].Gas’Kov AM. dimana pada ketebalan ini elemen sensor berbahan TiN mampu memberikan respon dengan baik pada operasi suhu kamar. Zulkifli. M. Kerusakan tersebut terjadi pada nilai awal resistansi yang berubah drastis dan kemampuan respon yang jauh menurun dibandingkan saat sebelum mendapatkan prlakuan suhu. hal ini dikarenakan pada lapisan tipis TiN gas CO berfungsi sebagai pengotor/impuritas pada lapisan. hal ini dikarenakan pada volume tersebut nilai resistansi dari lapisan tipis TiN sudah mulai tetap meski volume gas CO terus ditambahkan.Tjipto Sujitno. Pengaruh Suhu Substrat dan Waktu Deposisi terhadap Konduktivitas dan Sensitivitas Serapan Gas (skripsi). New York [5]. V.Tulus. USA [6].5 μm. Lapisan ini merupakan lapisan TiN yang terdeposisi pada permukaan substrat. Hal ini merupakan sifat khusus dari lapisan tipis TiN yang merupakan sifat yang spektakuler. Noyes Publication. (Skripsi) [7]. Rumyantseva MN. N. 2003. Sifat elektris lapisan tipis TiN memberikan respon naikknya nilai resistansi dari lapisan bila mendapatkan perlakuan pemberian gas uji CO. Hal ini diperlihatkan dengan naikknya nilai resistansi.Konuma. Penggunaan lapisan tipis TiN pada suhu kamar berhubungan dengan sifat ini. Dari data naiknya nilai respon terhadap setiap penambahan volume gas uji. N. Semakin besar nilai impuritas akan mendesak keberadaan senyawa TiN yang akan mempengaruhi nilai mobilitas dalam lapisan. 36.5 μm. Fabrikasi Sensor Gas CO dengan Media Aktif TiN Menggunakan Metode Sputtering DC.5288 yang terjadi pada sampel dengan parameter suhu Sputtering 300oC dan waktu Sputtering 2 jam dengan ketebalan lapisan TiN 0. 1992. Handbook of Sputter Deposition Tecnology: Principles. John Willet and Son.  Lapisan tipis TiN mampu merespon gas CO dari volume 2 ml (8 ppm) hingga volume 30 ml (126 ppm).Ohring. [4]. [11]. Diktat Kuliah.Wasa K dan Hayakawa S. No. Sensor and Actuator B. Adanya lapisan tipis TiN ini dibuktikan dari hasil EDS. J. Kemungkinan kedua adalah ketidaktepatan dalam memberikan nilai energi dalam proses SEM sehingga yang terlihat tidak tepat pada lapisan tipis. Dan dari uji diketahui ketebalan lapisan yang didapatkan adalah 0. 293 – 301. 1992. Dari uji SEM yang telah dilakukan belum dapat memperlihatkan struktur butir dengan jelas. P3TM BATAN Yogyakarta [9]. New Jersey [10]. 1991. P3TM BATAN Yogyakarta. maka dapat diketahui bahwa kepekaan sensor TiN juga akan semakin bertambah sebanding dengan besarnya volume gas uji CO yang dimasukkan. [8].  Respon lapisan tipis TiN terhadap gas CO berubah terhadap volume gas dan suhu. C.. 2005. Spinger Verlag. Diktat Kuliah. Chichester. New York. 2001. Hal ini dimungkinkan oleh : terlalu kecilnya struktur butir yang terjadi pada lapisan sehingga spesifikasi alat yang digunakan tidak mampu menampilkannya. J. untuk volume 10 ml suhu 150 oC diperoleh R/R = 29.Oscik. Suyono. Film Deposition by Plasma Technique. Secara keseluruhan lapisan tipis TiN hasil Sputtering DC memiliki karakteristik semakin naik nilai resistansinya apabila mendapatkan perlakuan suhu. 2000.166667 dan pada volume 30 ml suhu 150 oC diperoleh R/R = 60.Tri Madji Atmono. 2003. Pengujian terhadap gas CO dilakukan hingga volume optimal 30 ml (126 ppm). Inorganic Materials. 147-155 . Aplikasi Plasma dan Teknologi Sputtering Untuk Surface Treatment. New York. Academic Press Inc. The Material Science of Thin Film. M. Materials for Solid State Gas Sensors. [2].Wisnu W. Vol. DAFTAR PUSTAKA [1].Xu. Jadi dapat dikatakan bahwa pada volume tersebut lapisan tipis TiN mulai atau sudah mengalami kejenuhan. Tamaki.

057971. is used as sensor component. this be showed TiN thin layer can be used as CO gas sensor component.6007 at concentration of ga about 2 ppm until 126 ppm.166667 and 24. At gas volume 30 ml. namely : sputtering time 2 hours and gas concentration 2 – 12 ppm at temperature 300 oC.6376812. Meassurement result of TiN thin layer as CO gas sensor component has linearity in respon with gradient 0. and SEM (Scanning Electron Microscopes) result of testwas found thickness of thin layer is 0. Result of analysis.ABSTRACT TiN (Titanium Nitride) thin layer as sensor component is a thin layer that workable at room temperature. temperature 150 o C and 300 oC can be find resistantion fraction (R/R) = 29. . temperature 150 oC and 300 oC can be find resistantion fraction (R/R) = 60.5 μm.416667 and 84. namely : at gas vlume 10 ml. fabrication process using sputtering dc methode with variable time and gas concentration. titanium and nitrides element was found in the thin layer. and EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) result of test. TiN (Titanium Nitride) thin layer has respond at CO gas change with gas volume dan temperature.