S. E. P. S. N. E. S. T.

INSTITUTO TECNOLGICO

D. G. E. S. T. Del istmo

ELECTRONICA I PROFESOR: ING. ZENAIDO MRQUEZ CASTILLO

NOMBRE DEL ALUMNO CHIAS SANTIAGO DORIAN JOSUE CHIAS GRUPO: 5J

APUNTES DE ELECTRONICA

HC. CD. JUCHITAN DE ZARAGOZA OAXACA, A 23 JUNIO DEL 2011

SEMICONDUCTORES
1.- HISTORIA El desarrollo del transistor y del circuito integrado ha conducido a importantes ventajas de la electrnica. El circuito integrado se utiliza actualmente en casi cualquier aspecto de nuestra vida diaria, desde la televisin hasta el automvil, pasando por la computadora personal. Un ejemplo claro de la tecnologa del circuito integrado es la computadora de escritorio, la cual tiene mas capacidad que la de hace aos, las cuales llenaban por completo una habitacin. Un avance fundamental en la electrnica ocurri en 1947 cuando se presento el primer transistor. Desde entonces hasta cerca de 1959 el transistor estaba disponible solo como un dispositivo discreto, por lo que la fabricacin de circuitos requiri que las terminales de los transistores se soldaran directamente a las terminales de los otros dispositivos. En septiembre de 1958 se presento el primer circuito integrado el cual se fabrico en germanio. Aproximadamente al mismo tiempo se introdujo el circuito integrado fabricado en silicio. El desarrollo del circuito integrado continuo a una gran velocidad a lo largo de la dcada de los 60s, basndose fundamentalmente en la tecnologa del transistor bipolar. A partir de ah el transistor de metal oxido semiconductor MOS y la tecnologa del circuito integrado MOS han surgido con la fuerza dominante, especialmente en los circuitos integrados digitales. Desde el primer circuito integrado, el diseo de los circuitos integrados se ha vuelto mas sofisticado y el circuito integrado mas complejo. En la actualidad un circuito integrado puede contener muchas funciones Aritmticas, lgicas y de memoria en un solo chip semiconductor.

1.2.- CONCEPTO DE ELECTRONICA La electrnica es una rama de la fsica que estudia los electrones, la emisin y los movimientos de los mismos en el vaco en gases o en cuerpos solidos y desde entre punto de vista. Se aplica tambin este termino a la tcnica de fabricacin de los dispositivos que utilizan a los electrones en el estado libre como los tubos electrnicos transistores y semiconductores. Otra definicin de electrnica es como la ciencia del movimiento de cargas en un gas vaco o semiconductor hay en da la electrnica comprende en general transistores y circuitos integrados. La microelectrnica se refiere a la tecnologa de circuitos integrados la cual puede producir un circuito con millones de componentes en una sola pieza del material semiconductor. Hoy en da la electrnica tiene gran avance ya que se habla de la nanotecnologa, esto es la tecnologa a nivel de los tomos. 1.3.- DISPOSITIVOS PASIVOS Y ACTIVOS En un dispositivo electrnico pasivo la potencia promedio en el tiempo entregado a estos dispositivos a lo largo de privado infinito, siempre es mayor o igual a cero. Las resistencias, los capacitores y los inductores son ejemplos de dispositivos de elemento pasivos, los capacitores pueden almacenar energa pero no pueden entregar una potencia promedio mayor que cero en un intervalo de tiempo infinito. Los dispositivos activos tales como las fuentes de alimentacin, bateras, generadores de seales de corriente alterna, son capases de suministrar potencia. Los transistores tambin se consideran dispositivos activos puesto que son capases de proveer mas potencia de seal a una carga de la que reciben. Este fenmeno define amplificacin la potencia adicional en la seal de solido, la brinda la fuente de alimentacin de corriente directa. 1.3.1.- RESISTENCIA La resistencia permite distribuir adecuadamente la tencin y la corriente electrnica en todos los puntos necesarios de un circuito electrnico. El valor de la resistencia se expresa en ohm el cual se representa en el siguiente smbolo cuando se someten los extremos de una resistencia al paso de corriente continua, se produce una misma una cada de tencin proporcional a su valor. La intensidad que la atraviesa tambin es proporcional al voltaje aplicado y el valor al ohm entre la resistencia. Para calcular dicha relacin se aplica la ley de ohm.

Resistencia en serie

R total = R Equiv. = R1+ R2+ R3 = I total =Vea = I1+ I2 +I3 = Ampere V total =Vea = V1+ V2 +V3 = Volt Resistencia en paralelo

Capacitores en serie

1.4 COMPORTAMIENTO DE LOS ELEMENTOS PASIVOS DE C.A. Las resistencias son los nicos elementos pasivos, para los cuales la respuesta es la misma, tanto para la corriente alterna como para corriente directa. Inductores (atrasan la corriente). Capacitores (adelanta la corriente).

1.5.- CIRCUITOS ELECTRONICOS En la mayor parte de los circuitos electrnicos hay dos entradas: una entrada proviene de la corriente de alimentacin, la cual suministra voltajes de corriente directa. Para establecer polarizacin apropiada para los transistores. La segunda entrada es una seal que puede hacer amplificada o del circuito, y cuando menos la seal de salida. Aunque la seal de salida sea mayor que la seal de entrada la distancia de la salida nunca excede la potencia de entrada de corriente directa. Por consiguiente, la magnitud de la fuente de alimentacin de corriente directa. Limita la respuesta de la seal de salida. El anlisis de los circuitos electrnicos se divide en 2 partes; una trata la entrada de corriente directa y su respuesta; y la otra tiene que ver con seal amplificada resultante. Las fuentes de voltaje y de corrientes dependientes se emplean para modular los dispositivos activos y representar la amplificacin o ganancia de la seal.

1.6- CIRCUITOS DISCRETOS ELECTRONICA Los circuitos discretos son los que tienen componentes como las resistencias, los capacitores, los inductores y transistores. Los circuitos integrados, son como los amplificadores operacionales, el cual es un circuito importante en la electrnica. 1.7 SEALES ANALGICAS Y DIGITALES Una seal de voltaje como la que se muestra, recibe el nombre de seal anloga. La magnitud de una seal analgica puede tener cualquier valor, o sea que la amplitud puede variar continuamente con respecto al tiempo. Los circuitos electrnicos que poseen estas seales, se denominan circuitos analgicos. Una seal alterna que esta en uno de dos niveles distintos se llama seal digital. Debido a que la seal digital tiene valores discretos, se dice que esta cuantizada. Los circuitos electrnicos que procesan seales digitales, se conocen como circuitos digitales. La gran mayora de las seales en el mundo son analgicas. Las comunicaciones de voz y msica son dos claros ejemplos de esto. Ka amplificacin de tales seales es una gran parte de la electrnica. Los sistemas digitales y el procesamiento de seales estn presentes en gran parte de la electrnica, debido a los enormes avances en el diseo y la fabricacin de circuitos digitales. El procesamiento digital permite que se lleven a cabo una amplia variedad de funciones que resultaran imprcticas utilizando medios analgicos.

1.8 - PARMETROS IMPORTANTES DE LA CORRIENTE ALTERNA frecuencia Es el numero de veces que una corriente alterna cambia de polaridad en 1 seg., su unidad de medida es el Hertz=Hz

F= frecuencia=Hertz=Hz

Una definicin ms rigurosa para la frecuencia es el nmero de ciclos completos de corriente alterna que ocurre en la unidad de tiempo. Fase Es la fraccin de ciclo transcurrido desde el inicio del mismo su smbolo es la letra griega teta.

Grado o radian F= 60 Hertz = 60 c/s

Periodo Es el tiempo que tarda en producirse un ciclo completo de corriente alterna se denomina con la letra t y es su relacin con la frecuencia. Periodo T
1 F T 1 60

Valor instantneo. Es el valor que toma la tensin en cada instante de tiempo.

Valor mximo Es el valor de la tensin en cada cresta o valle de la seal.

Valor medio Es la media Aritmtica de todos los valores instantneos de la seal en un periodo dado.

(t) dt

Valor eficaz Es valor que produce el mismo efecto que la seal de corriente directa equivalente. (t) dt

Valor pico a pico Es el valor de tensin que va desde el mximo al mnimo o de una cresta a un valle.

1.9 - OTROS TIPOS DE C.A. En electrnica se utiliza infinidad de tipos de seales, adems de las mas comunes que son la senoidal y la continua pura. Pulsativa (onda cuadrada) Onda triangular Onda diente de sierra

Sinusoidal

Corriente continua pura

1.10.1 Dispositivos semiconductores Los materiales generalmente se clasifican de acuerdo a sus resistividades. Aquellos con valores de resistividades menores de 10-3 se llaman conductores, mientras que aquellas que tienen resistividades mayores de 108 les llama aislantes. En la regin intermedia esta una clase de materiales llamados semiconductores ente 10-3 y 108 /cm. La conductividad de estos materiales cambia en amplios rangos cuando cambia la temperatura, la excitacin ptica o el cambio de impurezas. Los materiales semiconductores se encuentran en la columna 4 y columnas vecinas de la tabla peridica. Los semiconductores de la columna 4, silicio y germanio se llaman semiconductores elementales debido a que estan compuestos de una sola especie de atomos. Adems de los materiales elementales, los compuestos con atomos de la columna 3 y columna 4, asi como algunas combinaciones de las columnas 3 y 6 constituyen los semiconductores intermetalicos o compuestos. Dentro de los semiconductores el silicio se usa para la mayora de los dispositivos semiconductores, como los rectificados, a los transistores y los circuitos integrados, los emisores de luz semiconductores se hacen comnmente de compuestos tales como Astato de Galio GaAs, Fosfato de Galio GaP y compuestos mezclados tales como GaAsP. Los materiales flouresentes tales como los que se usan en pantallas de televisin son semiconductores compuestos de las columnas 2 y4 tales como Zn y S. los detectores de luz se hacen comnmente con InSb, CdSe u otros compuestos tales como las sales de plomo PbTe, PbSe, el silicio y el germanio son ampliamente usados en detectores de radiacin nuclear e infrarrojas. A principios de los aos 50, el Germanio fue el material semiconductor mas usado, sin embargo resultaba inadecuado en muchas aplicaciones debido a que los dispositivos presentaban corrientes de fuga a altas temperaturas. Adems de oxido de Germanio es soluble al agua e inadecuado para la fabricacin de dispositivos. Las principales razones por las que ahora se usa el silicio es que los dispositivos exhiben mucho menos corrientes de fuga y que pueden crecerse trmicamente de dixido de silicio de alta calidad. 1.10.2 Impurezas Las propiedades electrnicas y pticas de los materiales semiconductores se afectan fuertemente por medio de impurezas, las cuales se pueden agregar en cantidades concentradas con precisin. Tales impurezas pueden ser usadas para variar las conductividades de los semiconductores en un amplio rango y aun alterar la naturaleza de los procesos de conduccin por medio de portadores de cargas negativas, aportadores de cargas positivas. A este punto controlado de adicion de impurezas se le llama contaminacin o dopado.

SEMICONDUCTORES

DIODOS COMUNES

1.11.-APROXIMACION 1.11.1- PRIMERA APROXIMACIN En la primer aproximacin del funcionamiento del diodo. Se considera que conduce bien en polarizacin directa.

Pol directa = conduce Pol. Inversa = no conduce

En trminos de circuito un diodo ideal acta como un interruptor. Cuando el diodo esta polarizado directamente. Es como un interruptor cerrado si el diodo esta polarizado directamente es como un interruptor abierto. Aun cuando esta en aproximacin del diodo aparezca exagerado es un buen principio para saber como operan los circuitos con diodos aqu se considera los efectos del voltaje de compensacin ni la resistencia. Abra ocasiones que la aproximacin ideal sea demasiado inexacta por esta razn se necesita por una segunda y de una aproximacin. 1.11.2.- SEGUNDA LEY DE APROXIMACIN Se necesita alrededor de 0.7 v pero que el diodo de cilicio realmente sea un buen conductor.

Cuando el voltaje de la fuente es grande no tiene importancia de 0.7 v, para cuando el voltaje de la fuente no es tan grande, entonces se debe considerar el voltaje de cada uno.

1.11.3.- TERCERA APROXIMACIN Se incluye la resistencia r1. El voltaje adicional aparece aplicada a la resistencia rb, de tal manera que el voltaje total del diodo es mayor a 0.7v.

Cuando mayor es la corriente, mayor ser el voltaje atreves de la resistencia y del diodo. El circuito equivalente de la 3 aproximacin en un diodo seria con la batera y una resistencia rb.

Despus del circuito externo o superada el potencial de barrera, la corriente del diodo. Produce una cada del voltaje en la resistencia rb. Por lo tanto el voltaje total del diodo es:

TIPOS DE DIODO Y SIMBOLOGIA 1.12.1.- DIODO SCHOTTKY Un diodo SCHOTTKY esta formado por la unin de un metal con el platino con silicio tipo N. Estos dispositivos tienen un almacenamiento de carga despreciable y se utiliza en aplicaciones de computacin de alta velocidad. El metal de platino actua como material aceptador para los electrones cuando esta unido al silicio tipo N, difundindose los electrones inicialmente en el metal, haciendo que el metaltipo N se empobrezca de electrones cerca de la unin J1 y por consiguiente adquiera un potencial positivo. Cuando esta tensin positiva llega a ser suficientemente grande la posterior difusin de los electrones.

LA POLARIZACION DIRECTA Cuando es aplicada exteriormente una tensin positiva entre las terminales del diodos, los electrones de la regin N estn sometidos a un potencial positivo en el lado del metal de la unin y aparece una circulacin de electrones. LA POLARIZACION INVERSA Al invertir la tensin aplicada al diodo de modo que el metal N se hace positivo respecto al platino, la tensin en la cara N aumenta y no hay circulacin de corriente. Cuando el diodo Shottky funciona de modo directo, la corriente es debida a los electrones que se mueven desde el silicio N a travs del metal de platino. Cuando los electrones se mueven relativamente libre a travs del metal, el tiempo de recombinacin J es muy pequeo del orden de 10 picosegundos.

Almacenamiento de carga Debido al tiempo de vida de los portadores minoritarios, las cargas de un diodo polarizado directamente se almacenan temporalmente en diferentes bandas de energa cerca de la unin. Cuando mayor sea la corriente de polarizacin directa, mayor es el nmero de cargas almacenadas. Este fenmeno se denomina almacenamiento de carga. Tiempo inverso de recuperacin (TIR) El almacenamiento de cargas es importante cuando se trata de conmutar con diodos en su estado de conduccin a su estado de no conduccin. Porque si repentinamente se invierte la polarizacin de los diodos las cargas almacenadas pueden fluir en la direccin inversa por un momento. Cuanto mayor sea el tiempo de vida, tanto mayores sern las cargas que puedan contribuir a la corriente inversa, hasta que las cargas almacenadas crucen la unin o se re combinen, la corriente alta puede permanecer inversa. El tiempo que toma el diodo con polarizacin directa para que no opere se le denomina Tir. La tir es el tiempo que requiere la corriente inversa para disminuir hasta el 10 % de la corriente de polarizacin directa. El tiempo inverso de recuperacin es tan corto en diodos de seales pequeas que no se nota su efecto en frecuencias menores de 10 MHz; el tir solo se toma en cuenta cuando las frecuencias son mayores a 10 MHz. Efecto sobre la rectificacin

Eliminacin de almacenamiento de cargas Cuando un diodo no esta polarizado los electrones libres de el lado N estn en orbitas mas pequeas que los que los electrones libres del lado metlico. Esta diferencia en tamao se llama barrera SCHOTTHY. Cuando el diodo esta polarizado directamente, los electrones del lado N pueden adquirir suficiente energa para desplazarse a orbitas mayores. Debido a esto los electrones libres pueden cruzar la unin J e introducirse en el metal produciendo una corriente de polarizacin directa grande. Debido a que el metal no tiene huecos, no hay almacenamiento de cargas ni tiempos inversos de la recuperacin.

La falta de tiempo de almacenamiento de carga significa que el diodo SCHOTTHY puede conmutar ms rpido que un diodo ordinario. Un diodo SCHOTTHY puede rectificar frecuencias mayores de 300 MHz. Una amplificacin muy importante de los diodos SCHOTTHY es en las computadoras, ya que la velocidad de las computadoras depende de la rapidez con que sus diodos y transistores pueden conmutar de su estado de conduccin a su estado de no conduccin. Cada de voltaje en polarizacin directa En la direccin de polarizacin directa con diodo SCHOTTHY tiene un voltaje de cada de 0.25 v. por esto una aplicacin muy importante es en los rectificadores de bajo voltaje, ya que solo sustrae 0.25 v. DIODOS TUNNEL ESAKY El diodo tunnel esta mucho ms contaminado que el diodo senel, provocando que la zona desrtica sea pequea. Esta aumenta su velocidad de operacin, por lo que el diodo tunnel se utilizan en aplicaciones de alta velocidad en cuanto aumenta su velocidad directa, la corriente aumenta con mucho mas rapidez hasta que se produce la abertura. Entonces la corriente cae rpidamente.

DIODOS PINN Es un diodo que presenta sus regiones P y N totalmente separadas por una regin de material que es casi intrnseca. Este tipo de diodos se utilizan en frecuencias de microondas mayores a 1ghz, ya que a esta frecuencia tienen una impedancia muy alta cuando este inversamente polarizado y una impedancia muy baja cuando esta polarizacin en sentido directo se puede utilizar como interruptor como modulador de amplitud de frecuencias de microondas. Ya que para todos los propsitos se le pueden representar como un corto circuito con polarizacin directa, como un circuito abierto en sentido inverso.

DIODOS GUNN Es un dispositivo semiconductor y propiamente calificado del diodo, ya que no contiene una unin no una sucesin de 3 capas en ms o menos dopados.

En presencia de campos electrnicos elevados diodo Gunn oscila a muy alta frecuencia.

DIODOS EMISORES DE LUZ, LED`S. Ciertos tipos de diodo son capases de cambiar la fuente de energa elctrica a lumnica. El led transforma la corriente elctrica en luz. Es til para diversas formas de despliegue y a veces se pueden utilizar como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones por fibra ptica. Cuando un electrn cae de la banda de conduccin a un hueco, libera energa en la forma de un fotn de luz.

Se usa es frecuente como zucopiloto en aparatos electrnicos para invitar si el circuito esta abierto o cerrado.

Los elementos transparentes son coloreados de un material de resina aproximadamente con la forma adecuada e influye el corazn de un led que el chip semiconductor.

Los led son con un voltaje muy bajo entre 1 y 4 volts y la corriente esta en un largo de la 1.40 mili amperes. El chip tiene 2 regiones separados por una juntura o unin la regin p esta dominada por las cargas positivas y la n por los negativos. La unin acta como una barrera al paso de los electrones de la regin N a la P solo cuando se aplica el voltaje suficiente el chip puede pasar la corriente y entonces los electrones pueden cruzar la unin. Si la diferencia de potencia entre las terminales del led no es suficiente la unin presente una barrera elctrica al flujo de electrones.

FOTODIODOS Un fotodiodo realiza la funcin inversa del LEDS, o se a que transforma la fuente de energa lumnica en corriente elctrica.

2 UNIDAD TRANSISTORES Un transistor es un dispositivo constituido de un cristal de Silicio o de Germanio en el que una capa de cilicio tipo N esta adecuado entre 2 capas de cilicio tipo P un transistor puede estar constituido por dos capas de material tipo N que encierran una capa de material semiconductor tipo P en el primer caso, el transistor tipo PNP y en el segundo caso. El segundo caso semiconductor es extremadamente pequea y esta hermticamente protegida contra la humedad por una caja de plstico o de metal.

OPERACIN EL TRANSISTOR Parmetro de C.C. Cuando se dice que el 95% de los electrones inyectados alcanza el colector se esta diciendo que el colector es casi igual al emisor de corriente. La alfa de corriente continua del transistor indica que tan semejantes son los valores de las corrientes es la se define de la sig. Forma.

La de corriente es mas elevada cuanto mas delgado iones contaminados es la base idealmente que todos los electrones inyectados circo polar el colector. La de corriente continua seria a la unidad.

VOLTAJE DE RUPTURA Como las 2 partes del transistor son diodos un voltaje inversa elevado puede elevar ruptura en cualquier de ellos. Este volteje de ruptura depende del ancho de la capa de agotamiento y de los niveles de contaminacin. Las capas de agotamiento estn en las uniones. Dividen al nivel de contaminacin es alto al diodo emisor tiene bajo voltaje de ruptura aproximadamente de 5 a 30 volts. Por otra parte el diodo colector tiene contaminacin menos intensa. As el voltaje de ruptura el colector es mas alto entre 20 y 300 volts. EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR El transistor se puede utilizar como amplificador de seales variables en el tiempo o como un interruptor.

Es el voltaje de entrada determine cuando el transistor como interruptor debe conducir no corriente. Cuando el voltaje de entrada es un voltaje bajo no hay flujo de corriente para la unin base emisor. Cuando una corriente base nula, no hay corriente de colector y por lo tanto no circula corriente por la carga o sea que el transistor est cortado o en corto. CALCULOS PARA EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR Cuando el transistor de silicio est en corte, el voltaje de entrada es menor que 0.7 volts, para que no fluya corriente de base al transistor. Para garantizar el corte del transistor, los circuitos se disean para que el voltaje de entrada sea menor que 0.3 volts. Para energizar la carga, el transistor debe de saturarse, apareciendo todo el voltaje de alimentacin Vcc en las terminales de la carga. Idealmente la corriente del colector debido a la ley de ohm:

Vent Icsat Ibsat

Vcc Rb Rcarga Vcc Rcarga Icsat

1 2

Sustituyendo 1 en 2
Ibsat Vcc Rcarga 3 4

Vent Rbase Ibsat 0.7V sustituyendo 3 en 4 Vent Vcc Rb Rcarga

COMPARACION DEL TRANSISTOR CON UN INTERRUPTOR Debido que el transistor no puede saturarse hasta el punto de que el voltaje colector emisor sea absolutamente cero ya que se tiene 0,1 volts no se recomienda conectar en serie varios conectores ya que en estas cadas se suman y producen una cada de voltaje apreciable.

VENTAJAS SOBRE LOS TRANSISTORES Y EMISORES 1.- No tienen partes mviles por lo tanto no sufren desgaste y pueden oponer un nmero ilimitado de veces. 2.- No tienen contactos fsicamente expuestas por lo tanto es imposible que sustancias extraas se adhieren a su superficie o impiden un buen cierre. 3.- El transistor es mucho ms rpido que un interruptor convencional, las cuales cierran en milisegundos, mientras que el transistor cierra en cinco segundos. 4.- El transistor no presenta los interruptores mecnicos que cierran y habrn rpidamente antes del cierre perfecto.

5.- cuando el

transistor

acciona una carga inductiva no se produce una onda elctrica al desconectar la carga. PRUEBA DEL TRANSISTOR

Configuracin del Transistor

Bax comn Emisor comn Colector Comn

EFECTO EARLY O MODULACION DE ANCHURA DE BASE La anchura W de la regin de vaciamiento de un diodo comparada con la anta con el valor del voltaje inverso. Aunque el emisor este polarizado en sentido directo, la unin del colector lo esta en sentido inverso., por lo tanto la anchura de la regin de vaciamiento We en la unin J1 es despresiable comparada con la anchura de la regin de vaciamiento We en J2. La regin de transicin de una unin , es la regin de cargas descubiertas a ambos lados de la unin, hasta la posicin ocupada por los atomos de impurezas. Con la contaminacin de la base es bastante menor que la contaminacin ndel colector, la penetracin de laregion de transicin en la base es mucho mayor que la del colector., por lo que la regin de vaciamiento se desprecia y todas las cargas inmovibles que aparecen en la regin de la base. Si la anchura de la metlica es Wb, J1 a J2, la anchura elctrica efectiva de la base ser Wb y es igual Wb-W. Esta modulacin de anchura efectiva de la base por el voltaje del colector se conoce con el efecto Early o de modulacin de la anchura de la base. La disminucin de la anchura elctrica efectiva de la base Wb al incrementar el voltaje inverso del colector, tiene tres consecuencias: a) El efecto de recombinacin dentro de la base es menor, por la tanto con el increment de voltaje del collector. b) El gradiente de concentracin de portadores minoritarios PN aumenta en la base. Como la corriente de huecos inyectada a travs del emisor es proporcional al gradiente de PN en la

unin J1 entonces la corriente del emisor aumenta con el incremento del voltaje inverso del colector. c) Para grandes voltajes del colector, la anchura elctrica efectiva de la base Wb puede reducirse a 0 causando la ruptura del transistor. Este fenomeno se conoce con el nombre de perforacion. FET transistor de efecto de campo El FET es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad en un canal en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de voltaje. La mayora de los FET estn hechos empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los transistores de pelcula fina TFT es una pelcula que se deposita sobre sustrato de vidrio, ya que la aplicacin principal de los TFT es como pantallas de cristal liquido LCD. Los FET mas conocidos son los JFET y los MOSFET. Tiene tres terminales denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source) la puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El FET se comporta como un interruptor controlado por voltaje, donde el voltaje aplicado a la puerta permite que fluya o no corriente entre el drenador y la fuente. El funcionamiento del FET es distinto al del BJT. En los MOSFET la puerta no absorbe corriente, frente a los BJT en donde la corriente que atraviesa la base, aunque es pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales no puede ser despreciada, los MOSFET adems presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en tipo NPN, PNP, los FET tambin se dividen en dos tipos que son canal N y canal P, dependiendo de si la aplicacin de un voltaje positivo en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin. Los FET son usado extensamente en electrnica digital y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales. Hay dos familias de transistores de efecto de campo los JFET y los MOSFET. Comparados con los BJT los transistores MOS ocupan menos espacio, dentro de un circuito integrado puede incorporarse un numero mayor., adems su proceso de fabricacin es mas simple y existe un gran numero de fabricacin de funciones lgicas que pueden ser implementadas nicamente con transistores MOS sin resistencias ni diodos. Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrnica digital. JFET. el transistor de efecto de campo de unin JFET de canal N su fabricacin difundiendo una regin de tipo P en un canal de tipo N. a ambos lados del canal se conectan las terminales de fuente y drenaje. La tercera terminal se denomina puerta.

Cto equivalente FET

Electricidad analtica.- para las aplicaciones de los FET en electrnica analgica se emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes y soportar elevados voltajes en estado de corte. Resistencia variable de valor gobernable por voltaje. Amplificador de voltaje, especialmente en la amplificacin inicial de seales de muy baja potencia. Control de potencia elctrica entregada a una carga. Elec Dig. Los MOS emplean en la electrnica digital debido a la capacidad que tienen de trabajar entre dos estados diferenciados, corte y conduccin y a su bajo consumo de potencia de control. Para esta aplicacin se emplean dispositivos de muy baja resistencia de modo que idealmente pueda considerarse como : La cada de voltaje en conduccin es muy pequea y que la transicin entre el estado de corte y el de conduccin es instantnea. Polarizacin de los FET Una diferencia distinta entre el anlisis de los transistores bipolares y los BJT es que la variable de entrada que controla un transistor bipolar es el nivel de la corriente, mientras que para el FET la variable de control es el voltaje sin embargo en ambos casos la variable de salida controlada es un nivel de corriente. I ent. BJT I s V ent FET I s TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, FETS

Fijo divisor Polarizacin Divisor de voltajes

Auto polarizacin

VENTAJA DE LOS FETS a) Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada de 10 7 a 1012 . Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que los BJTS, se prefiere FETS a los BJTS para la etapa de entrada de un amplificador multi-etapa. b) Los FETS generan un nivel de ruido menor que los BJTS. c) Los FETS son ms estables con la temperatura que los BJTS. d) Los FETS son mas fciles de fabricar que los BJTS, ya que requieren menos pasos de fabricacin. Es posible fabricar un mayor nmero de dispositivos en un circuito integrado. e) Los FETS se comportan como resistencias variables controladas por tensin para valores pequeos de tensin drenaje fuente. f) La alta impedancia de entrada de los FETS les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. g) Los FETS de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes mayores que los BJTS. DESVENTAJAS DE LOS FETS a) Los FETS exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la lata capacitancia de entrada. b) Algunas tipos de FETS presentan una linealidad muy pobre. c) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.

3 UNIDAD AMPLIFICADORES En general cualquier dispositivo que aumenta dinmicamente, ya sea el voltaje, la corriente, a la potencia en un amplificador.

Un amplificador como el de la figura anterior, es el circuito electrnico que recibe la seal de entrada, el proceso internamente y entrega a una salida la seal que es replica empleada a una seal de entrada. Los amplificadores sola manejan seales electrnicos de corriente de voltaje o potencia o representaciones electicas de cantidades fsicas; voz, sonido, temperatura, luz, etc. La conveccin de estas ltimas en seales elctricas o viceversa lo efecta transductores; parlantes, bocinas, micrfonos, cmaras, termistores, etc. Las seales elctricas son amplificadores por dispositivos activos: transistores, FETS, circuitos integrados, vlvulas, etc. Asociados a componentes pasivos: resistencias, condensadores, bobinas, transformadores, etc. La complejidad de un amplificador depende del tipo de seal que se va a amplificar y de la cantidad de amplificacin de ganancia que esta requiera. Independientemente de su complejidad, todos los amplificadores tienen en comn las siguientes caractersticas: A) Todos utilizan por lo menos un dispositivo activo, ya sea transistor bipolar. FETS, MSFETS, vlvulas, C.I.. etc. B) Todos requieren de una fuente de alimentacin de corriente continua doble o sencilla. C) Su operacin se puede resumir especificando la ganancia, impedancia de entrada, de salida y la respuesta de frecuencia.

La ganancia es una medida de la cantidad de amplificacin se define como la relacin numrica de la seal de salida entre las seales de entrada. GI = I Sal I Ent GV = V Sal V Ent G p = P Sal P Ent

La ganancia de un amplificador tambin se puede expresar en decibeles.

GI = I Sal I Ent

GI (db) = 20 log [ ]

GV = V Sal V Ent

GV (db) = 20 log [

G p = P Sal P Ent

GP (db) = 20 log [

Si la potencia de entrada de un amplificador es de watts y la salida es de 5 watts la ganancia en decibeles es = 10 log (5/0.5) = 10 log (10) = 10 (1) = 10db Una relacin de potencia de 10 corresponde de uno en cambio una relacin de potencia de 100 corresponde de un cambio de 20db. El odo humano escondido logartmicamente a la relacin de potencia y la diferencia por esta razn se percibe al mismo cambio de intensidad sonora cuando la potencia de un sonido se incrementa de 0.4 watts a un watts que cuando lo hace un watts en 10 watts. En ambos casos con relacin e cambio es de 10db.

La impedancia de entrada es la resistencia vista por la fuente que genera la seal que va a hacer amplificada.

Se define como la relacin de voltaje entre la corriente en las terminales de entrada del amplificador Z ent = La impedancia de entrada depende no solamente de la resistencia de entrada del elemento activo de amplificacin sino tambin de la presencia de capacitores, inductores, resistencias, etc. La impedancia de salida es la resistencia vista por la carga que recibe la seal amplificada. Se define como la relacin de voltaje entre la corriente de las terminales de salida del amplificador. Z sal = La existencia de una impedancia de salida finita causa una prdida de voltaje en las terminales de un amplificador, cuando se conectan entre las mismas una carga. En la figura siguiente se muestra en circuito equivalente de un amplificador de voltaje. Z sal R, n + f Z ent R carga

Seal Para garantizar la mxima transferencia de voltaje entre una fuente seal y una carga, la resistencia de carga debe ser grande comparada con la resistencia interna de la fuente. V max R carga Z ent P max R carga = R int f R int f = Z ent Z sal = R carga

R int R carga 10 R ent f

Z sal

Como regla general la impedancia de entrada es mayor a 10 veces la resistencia por la fuente y la resistencia de la carga es mayor o igual a la impedancia de salida. As mismo para garantizar la mxima transferencia de potencia entre una fuente de seal y una carga, la resistencia de la carga debe ser igual a la resistencia interna de la fuente; esto implica que la respuesta de frecuencia est inmediatamente relacionada con la ganancia, generalmente la ganancia de un amplificador no es constante para todas las frecuencias de seales posibles. Cuando se tienen dos o ms seales de la misma amplitud y forma de onda pero de frecuencias diferentes, no reciben la misma cantidad de amplificacin. Por esto cuando se especifica la ganancia de un amplificador, tambin debe de especificarse el rango de frecuencias dentro del cual es vlida esa ganancia. Este rango recibe el nombre de ancho de banda del amplificador y se expresa en unidades de frecuencia (Hertz, Mhertz, etc.) El ancho de banda tambin se puede especificar en trminos de lmites. Estos lmites se denominan frecuencia de corte superior e inferior. La banda de 30 Hertz a 20 kilohertz, es el rango de frecuencia que puede ser percibido por el odo humano; las frecuencias por encima de 20 kilohertz. Se denominan ultrasnicas y las frecuencias por debajo de 30 Hertz se denominan subsnicas.

CLASIFICACIN DE LOS AMPLIFICADORES Los circuitos amplificadores se pueden clasificar de varias maneras: A) Cuando los amplificadores se clasifican segn su aplicacin se dividen en dos grupos, que son amplificadores de tensin o voltaje y amplificadores de potencia o corriente. B) Cuando los amplificadores se clasifican de acuerdo a sus condiciones de paralizacin se dividen en cuatro clases de amplificadores: A, AB, B, C. Los amplificadores clase A estn polarizados para que trabajen en el centro de sus curvas de operacin, por la cual la corriente de salida fluya durante todo el tiempo del alto voltaje de entrada, por lo tanto no existe distorsin. Los amplificadores clase AB estn polarizados de manera que la corriente de salida fluya durante un lapso mayor que un semiciclo de entrada, pero menor que un ciclo completo. Los amplificadores clase B estn polarizados al corte, de manera que fluye la corriente de salida. Por un semiciclo de voltaje de entrada. Los amplificadores clase C estn polarizados ms all del corte de modo que la corriente de salida fluye durante el tiempo de corriente positiva del ciclo de entrada. C) Cuando los amplificadores se clasifican de acuerdo a su acoplamiento se divide en 4 mtodos bsicos que son: acoplamiento de resistencia-capacitancia, acoplamiento por impedancia o bobina, acoplamiento por transformador, acoplamiento directo.

D) Cuando los amplificadores se dividen en ancho de banda se dividen en dos tipos. Los sintonizadores: que amplifican un rango restringido de frecuencia. Los no sintonizadores: que amplifican un rango amplio de frecuencia. E) Cuando los amplificadores se clasifican segn su frecuencia se dividen en 5, que son: corriente continua, audio frecuencia, frecuencia intermedia, radio frecuencia y video frecuencia. F) Cuando los amplificadores se clasifican de acuerdo a la configuracin del circuito, se divide en 3 tipos que son: de emisor comn, base comn y colector comn. EL AMPLIFICADOR CON RETROALIMENTACIN Los amplificadores operacionales reciben este nombre debido a que se utilizan en las computadoras para efectuar operaciones matemticas; sumar, restar, promediar, integrar, diferenciar, integrar, diferenciar, etc. El amplificador operacional es un tipo amplificador de corriente continua de alta ganancia, que emplea cantidades considerables de realimentacin. Un amplificador de corriente continua amplifica cualquier seal de cualquier frecuencia desde corriente continua hasta un cierto valor mximo de corriente alterna que depende las caractersticas del amplificador. El principal objetivo de los amplificadores operacionales es vencer las prdidas y las cargas que se producen cuando se conectan entre s nmeros circuitos calculadores pasivos. El amplificador de alta ganancia con alta realimentacin, cumple con los requisitos de mantener una impedancia alta, a la entrada del circuito y tener baja la impedancia de salida del circuito. O sea que el amplificador operacional es un dispositivo ideal para aislar una carga de un circuito de clculo sin introducir prdidas.

La figura siguiente, muestra la disposicin esquemtica de un amplificador, que incorpora una malla retro alimentadora.

F.T = F.T lazo abierto = B (s) = C (s) H (s) E (s) = R (s) +- B (s) F.T lazo cerrado = En sta ultima ecuacin se observa que la salida del sistema de lazo cerrado C (s) depende tanto de la funcin de transferencia de lazo cerrado, como de la naturaleza de entrada; se observa que la funcin como la retroalimentacin negativa siempre es menor que la amplificacin que se obtiene sin retroalimentacin. La ventaja es que en amplificador con retroalimentacin negativa de distorsin y el ruido se reduce y la respuesta a la frecuencia y a la estabilidad mejora en la misma proporcin en que se reduce la amplificacin. Otra ventaja del sistema de lazo cerrado es que si el valor absoluto del producto de (G1(s) H(s)) es mucho mayor que 1 y el valor de G1(s)G2H(s) es mucho mayor que 1, la funcin transferencia de lazo cerrado se convierte en casi cero y se suprime el efecto de la perturbacin.

AMPLIFICADORES OPERACIONALES Diagrama bloques amplificadores operacionales

Smbolo de amplificadores operacionales

Circuito equivalente del amplificador operacional

Caractersticas principales de los amplificadores operacionales 1 tiene dos entradas, una inversora y otra no inversora. La seales aplicadas a la entrada inversora aparecen a la salida desfasadas 180 con respecto a la entrada. 2 tiene una alta ganancia de 104 a 1012. 3el ancho de banda tambin es grande de 0 Hz hasta 108 Hz 4 impedancia de entrada entre las dos terminales de entrada y entre cada entrada y tierra es alta, varia de 104 hasta 1012. 5 impedancia de salida baja es de 5-500. 6 posibilidad de manejar alta corriente 30 mHz. 7 corriente de entrada casi nula. 8 amplificadores diferenciales con rechazo infinito en modo comn. PARAMETROS QUE SE APLICAN RRMC razn de rechazo en modo comn Normalmente se aplica el amplificador operacional para amplificar la diferencia de dos seales de entrada, entonces opera de modo diferencial. un voltaje constante sumado a las dos entradas no afectara la diferencia, por lo que no debera transferirse a la salida. Pero en la prctica esta constante afecta el voltaje de salida. Si solo se consideran las partes iguales de las entradas, se tiene lo que se conoce como modo comn.

Si se tiene un amplificador operacional con sus entradas conectadas a una misma fuente, el voltaje de salida en el caso de un amplificador operacional ideal seria cero pero realmente ni es asi ya que la razn de voltaje de salida al de entrada aplicada es la ganancia de voltaje en modo comn. Por lo cual la razn de rechazo en modo comn. Por lo cual la razn de rechazo en modo comn

RRMC se define como la razn de ganancia de lazo abierto Ad entre la ganancia de modo comn sin importar el signo.

O expresado en decibeles = 20log10 [

] = 80 a 100 db

PSRR la razn de rechazo a la fuente de alimentacin es la medida de la capacidad que el amplificador operacional tiene para no tomar en cuenta cambios en la forma de voltaje de alimentacin. Si la etapa de salida de un sistema demanda una cantidad variable de corriente, la fuente de alimentacin podra cambiar., este cambio que induce la carga a la fuente podra provocar cambios en la operacin de otros amplificadores conectados a la misma fuente., a este se le llama diafona y puede provocar inestabilidades..

Entonces la PSRR es la razn entre el cambio de voltaje de salida y el cambio total del voltaje de alimentacin Para evitar estas variaciones, la fuente de alimentacin debe de aislar los amplificadores entre si., la forma practica de hacerlo es colocado en capacitor entre las terminales de la fuente de alimentacin de 0.1F si es cermica o de 1F si es de tantalio. La ganancia ancho de banda Debido a que el amplificador operacional tiene circuitos de compensacin interna, la ganancia de voltaje cae conforme se incrementa la frecuencia. Si la fuente de seal de entrada va aumentando, la ganancia en lazo abierto cae hasta que finalmente llega al valor de 1. La frecuencia de este valor de ganancia la especifica el fabricante como el ancho de banda de ganancia unitaria B1. F1 = AvDfc Desplazamiento de fase Razn de cambio SR La razn de cambio en el voltaje de salida se le llama razn de cambio. La razn de cambio se relaciona con el ancho de banda de la potencia fp, que se define como la frecuencia a la cual una seal senoidal de salida a un volatje determinado comience a distorsionarse. 2

Excursin mxima de corriente alterna Clasificacin de los amplificadores operacionales (por su configuracin)

{ { Amplificador inversor

No inversor

Baja frecuencia La consideracin principal para el calculo de las resistencias es saber la frecuencia mxima a la cual trabajara el amplificador, para que este ejemplo es de 20 Hz. Para ello se cuenta con el amplificador operacional , cuyo ancho de banda es de 1MHz con una ganancia de lazo abierto de 100000, r1 = 100, Vsal = 5V

Sumador

Restador (diferenciador)

Integrador

Derivador

Circuito mezclador

Seguidor de voltaje

FILTROS La palabra filtro se refiere a la eliminacin de porciones no deseadas del espectro de frecuencia. En un principio se aplicaba a sistemas que eliminaban componentes de frecuencia no deseados de una seal de tiempo. Ahora es utilizado de manera mas general para incluir sistemas que simplemente equilibran los distintos componentes de frecuencia. Los filtros producen ganancia y consisten solo de resistencias y capacitores junto con circuitos integrados. Los filtros con inductores para utilizarlos en frecuencias bajas resultan caros y voluminosos. Con el amplificador operacional se pueden construir filtros RC activos que producen los mismos efectos asociados con los filtros LC pasivos. Circuito con filtro pasa bajo con un solo polo

Filtro pasa bajo con dos polos

Filtro pasa

4 UNIDAD TIRISTORES Construccin de un tiristor Smbolo

SCR: RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO SUS: INTERRUPTOR UNILATERAL DE SILICIO PUT: TRANSISTOR UNIPUNTURA PROGRAMABLE LASCR: ES UN SCR ACTIVADO POR LUZ Unidireccionales LASUS: ES UN SUS ACTIVADO POR LUZ LAPUT: PUT ACTIVADO POR LUZ UJT: TRANSISTOR UNIN NCA. GTO: THIRSTOR DESACTIVADO POR COMPUERTA

TRIAC: TRIO DE AC SWITECH

BIDIMENSIONALES

DIAC: DIODO DE AC

SBS: INTERRUPTOR BILATERAL DE SILICIO.

SCR ALTA POTENCIA CLASIFICACIN DE LOS TIRISTORES (POTENCIA) BAJA POTENCIA TRIAC GTO SUS, UJT, LASCR LASUS, LAPUT DIAC, SBS.

RCS. RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO TRIAC:

DIAC:

SUS.

SBS

UJT:

PUT:

OSCILADORES DE RELAJACIN

Control de fases

Para aplicaciones en donde se cuenten con motores, lmparas incandescentes, calefactores, etc se debe utilizar un control de potencia elctrico y se lleva a cabo mediante la variacin del ngulo de conduccin de un conmutador de potencia co un circuito temporizador de disparo y la red del circuito. Hay dos tipos de circuitos de control. Uno en donde un condensador de temporizacin se carga a partir del voltaje de lnea de corriente alterna y otros a partir de un voltaje continuo.